JPH1068972A

JPH1068972A - 電気光学装置

Info

Publication number: JPH1068972A
Application number: JP19497597A
Authority: JP
Inventors: Akira Mase; 晃間瀬; Shunpei Yamazaki; 舜平山崎
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 1997-07-04
Filing date: 1997-07-04
Publication date: 1998-03-10

Abstract

(57)【要約】【課題】表面を平坦化した薄膜トランジスタの構造を
提供する。【解決手段】薄膜トランジスタ上に形成され、無機物
からなる層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に形成された
導電膜と、薄膜トランジスタ、層間絶縁膜及び導電膜の
上方に形成され、平坦な表面を有する有機樹脂膜と、有
機樹脂膜の上方に形成された画素電極とを有し、層間絶
縁膜は有機樹脂膜と薄膜トランジスタとが直接接しない
ように設ける。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】従来マイクロコンピュータ
ー、ワードプロセッサー等の表示画面として使用されて
きた液晶電気光学装置は、ＳＴＮ（スーパーツイストネ
マチック液晶）または、薄膜トランジスタとＴＮ（ツイ
ストネマチック液晶）を組み合わせた液晶パネルが多く
用いられていた。

【０００２】これらのパネル自体の消費電力は、６４０
×４８０クラスのもので約２５０ｍＷ程度である。その
理由として、ネマチック系の液晶は電界が加わった時に
のみ動作をするため、表示をさせると言うことは常に電
界を加え続けると言うこと意味していた。そのために、
パネル駆動のための消費電力を押さえて、乾電池のよう
な低充電電池だけで５０〜８０時間程の動作を確保する
ことは困難であった。

【０００３】しかしながら、近年世の中の要求は軽薄短
小化の方向にあり、動作時間確保のための重たい充電池
を搭載することは懸念されていた。従って、通常の乾電
池でも十分長時間動作できる液晶パネルが求められてい
た。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】そこで提案されたもの
が、強誘電性液晶を用いたディスプレイであった。強誘
電性液晶は自発分極を有するために、螺旋がほどけるま
で液晶層の厚みを小さくした場合、界面安定状態（ＳＳ
ＦＬＣ）が出来、一度電界を加えたあとは、その電界を
取り去っても透過または非透過の状態が継続するメモリ
ー効果を得ることが出来た。

【０００５】このメモリー状態を利用することによっ
て、構成画面の中で書き換えたい部分にのみ、信号電界
を加えて表示を更新することで、従来のネマチック系の
液晶に比べて格段に消費電力を低減することが出来ると
提案されている。

【０００６】しかしながらこのメモリー性を強調した場
合、現実的には『焼け』と呼ばれる現象が起き、表示不
良をひきおこしている。『焼け』は一度透過なり非透過
なりの状態をメモリーさせて長時間放置した場合、次に
その逆の状態を表示使用としても完全な非透過または透
過の状態が得られず、コントラストの低下を引き起こし
ていた。

【０００７】これを解決する手段として、メモリー性を
極力押さえた液晶材料を用いて、表示を行なうことが有
効であることが判った。強誘電性液晶において、全くメ
モリー性の無いまたは自発分極を持たない組成物は存在
しえないが、『焼け』を解消するためにそれらを極力押
さえた場合、数画面分のメモリー性はあるものの、構成
画面の中で書き換えたい部分にのみ、信号電界を加えて
表示を更新するような方法を該強誘電性液晶組成物に適
用することは出来なかった。

【０００８】しかし、強誘電性液晶の持つ高速応答性に
ついては捨てがたく、この特徴を生かしたまま『焼け』
現象が解決されるような方法が求められていた。

【０００９】

【課題を解決するための手段】アモルファスシリコン等
を用いた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を構成画素のスイ
ッチング素子として、画素１個に対し、１個設けてスタ
ティック駆動する方法がネマチック系の液晶では多く実
用化している。

【００１０】しかしながら、強誘電性液晶にこれら従来
の薄膜トランジスタを用いた場合、ＴＦＴの出力、即ち
液晶にとっての入力（液晶電位という) の電圧Ｖ_LCは、
しばしば"1"(High) となるべき時に"1"(High) になら
ず、また、逆に"0"(Low)となるべき時に"0"(Low)になら
ない。これは、画素に信号を加えるスィッチング素子、
つまりＴＦＴの特性に対称性がないために発生する。す
なわち、画素電極への充電の様子と放電の様子に電気特
性上のかたよりがあるためである。そして、液晶はその
動作において本来絶縁性であり、また、ＴＦＴがオフの
時に液晶電位(V_LC) は浮いた状態になる。この液晶は等
価的にキャパシタであるため、そこに蓄積された電荷に
よりＶ_LCが決められる。この電荷は液晶がＲ_LCで比較的
小さい抵抗となったり、ゴミやイオン性不純物の存在に
よりリ−クしたり、またＴＦＴのゲイト絶縁膜のピンホ
−ルによりＲ_GSが生じた場合にはそこから電荷がもれ、
Ｖ_LCは中途半端な状態になってしまう。また、自発分極
からくる誘電率の増大による容量値の増加のために、瞬
間的に流れる電流も大きく、従来のＴＦＴはＦＬＣには
不向きであり、限界があった。

【００１１】本発明は、画素に対してＮチャネル型ＴＦ
Ｔ（ＮＴＦＴ）とＰチャネル型ＴＦＴ（ＰＴＦＴ）とを
相補構成として有し、前記ＰＴＦＴのソース（ドレイ
ン）部を一対の信号線のうちの第１の信号線に接続し、
前記ＮＴＦＴのソース（ドレイン）部を一対の信号線の
うちの第２の信号線に接続し、前記ＮＴＦＴとＰＴＦＴ
のゲイト電極を共通に第３の信号線に接続し、前記ＮＴ
ＦＴおよびＰＴＦＴのドレイン（ソース）部を画素電極
と接続して設けられている電気回路を第一の基板と基板
上に電極およびリードを設けた第２の基板によって、強
誘電性を示す液晶組成物と前記液晶組成物の少なくと
も、初期における配向を行わせる手段を挟持した液晶パ
ネルを用いた。ここで、前記第１および第２の信号線は
コモン（ＣＯＭ）方向に、また、第３の信号線はセグメ
ント（ＳＥＧ）方向に延びるように配置してもよい。

【００１２】また、ＰＴＦＴとＮＴＦＴとのソース（ド
レイン）部を共通の第１の信号線に接続し、前記ＰＴＦ
ＴとＮＴＦＴとのドレイン（ソース）部を画素電極に接
続しさらに、前記ＰＴＦＴとＮＴＦＴとのゲイト電極を
共通の第２の信号線に接続した図１のような回路で示さ
れる液晶パネルにおいても同様に本発明を適用すること
ができる。

【００１３】該構成を取ることによって、メモリー性を
極力低減させた強誘電性液晶においても、『焼け』現象
が生じることなく、装置全体としてはメモリー表示が可
能となった。

【００１４】そこで、パネルの任意の時間に表示をして
いる内容を記憶している第１の電気的メモリーと、前記
任意時間から単位時間後の表示内容を記憶している第２
の電気的メモリーと、第１、第２の電気的メモリーの内
容を比較する機能を本装置の構成に加えることによって
書換えが必要な部分のみに、電気信号を加えることで表
示が出来、パネルにかかる消費電力を極力低減すること
が出来る。

【００１５】本発明の表示装置の構成としては、１つの
画素に２つまたはそれ以上のＣ／ＴＦＴを連結して１つ
のピクセルを構成せしめてもよい。さらに１つのピクセ
ルを２つまたはそれ以上に分割し、それぞれにＣ／ＴＦ
Ｔを１つまたは複数個連結してもよい。

【００１６】

【実施例１】本実施例では図１に示すような回路構成の
液晶表示装置を用いて説明を行う。この回路構成に対応
する実際の電極等の配置構成を図２に示している。これ
らは説明を簡単にする為２×２に相当する部分のみ記載
されている。また、実際の駆動信号波形を図３に示す。
これも説明を簡単にする為に４×４のマトリクス構成と
した場合の信号波形で説明を行う。

【００１７】まず、本実施例で使用する液晶表示装置の
作製方法を図４および図５を使用して説明する。図４
（Ａ）において、石英ガラス等の高価でない７００℃以
下、例えば約６００℃の熱処理に耐え得るガラス５０上
にマグネトロンＲＦ（高周波)スパッタ法を用いてブロ
ッキング層５１としての酸化珪素膜を１０００〜３００
０Åの厚さに作製する。プロセス条件は酸素１００％雰
囲気、成膜温度１５℃、出力４００〜８００Ｗ、圧力
０．５Ｐａとした。タ−ゲットに石英または単結晶シリ
コンを用いた成膜速度は３０〜１００Å／分であった。

【００１８】この上にシリコン膜をＬＰＣＶＤ（減圧気
相）法、スパッタ法またはプラズマＣＶＤ法により形成
した。減圧気相法で形成する場合、結晶化温度よりも１
００〜２００℃低い４５０〜５５０℃、例えば５３０℃
でジシラン(Si₂H₆) またはトリシラン(Si₃H₈) をＣＶＤ
装置に供給して成膜した。反応炉内圧力は３０〜３００
Ｐａとした。成膜速度は５０〜２５０Å/ 分であった。
ＮＴＦＴとＰＴＦＴとのスレッシュホ−ルド電圧（Ｖt
h）に概略同一に制御するため、ホウ素をジボランを用
いて１×10¹⁵〜１×10¹⁸cm^-3の濃度として成膜中に添加
してもよい。

【００１９】スパッタ法で行う場合、スパッタ前の背圧
を１×10^-5Ｐａ以下とし、単結晶シリコンをタ−ゲット
として、アルゴンに水素を２０〜８０％混入した雰囲気
で行った。例えばアルゴン２０％、水素８０％とした。
成膜温度は１５０℃、周波数は１３．５６ＭＨｚ、スパ
ッタ出力は４００〜８００Ｗ、圧力は０．５Ｐａであっ
た。

【００２０】プラズマＣＶＤ法により珪素膜を作製する
場合、温度は例えば３００℃とし、モノシラン(SiH₄)ま
たはジシラン(Si₂H₆) を用いた。これらをＰＣＶＤ装置
内に導入し、１３．５６ＭＨｚの高周波電力を加えて成
膜した。

【００２１】これらの方法によって形成された被膜は、
酸素が５×10²¹cm^-3以下であることが好ましい。この酸
素濃度が高いと、結晶化させにくく、熱アニ−ル温度を
高くまたは熱アニ−ル時間を長くしなければならない。
また少なすぎると、バックライトによりオフ状態のリ−
ク電流が増加してしまう。そのため４×10¹⁹〜４×10²¹
cm^-3の範囲とした。水素は４×10²⁰cm^-3であり、珪素４
×10²²cm^-3として比較すると１原子％であった。また、
ソ−ス、ドレインに対してより結晶化を助長させるた
め、酸素濃度を７×10¹⁹cm^-3以下、好ましくは１×10¹⁹
cm^-3以下とし、ピクセル構成するＴＦＴのチャネル形成
領域のみに酸素をイオン注入法により５×10²⁰〜５×10
²¹cm^-3となるように添加してもよい。その時周辺回路を
構成するＴＦＴには光照射がなされないため、この酸素
の混入をより少なくし、より大きいキャリア移動度を有
せしめることは、高周波動作をさせるためる有効であ
る。

【００２２】次に、アモルファス状態の珪素膜を５００
〜５０００Å、例えば１５００Åの厚さに作製の後、４
５０〜７００℃の温度にて１２〜７０時間非酸化物雰囲
気にて中温の加熱処理、例えば水素雰囲気下にて６００
℃の温度で保持した。珪素膜の下の基板表面にアモルフ
ァス構造の酸化珪素膜が形成されているため、この熱処
理で特定の核が存在せず、全体が均一に加熱アニ−ルさ
れる。即ち、成膜時はアモルファス構造を有し、また水
素は単に混入しているのみである。

【００２３】アニ−ルにより、珪素膜はアモルファス構
造から秩序性の高い状態に移り、一部は結晶状態を呈す
る。特にシリコンの成膜後の状態で比較的秩序性の高い
領域は特に結晶化をして結晶状態となろうとする。しか
しこれらの領域間に存在する珪素により互いの結合がな
されるため、珪素同志は互いにひっぱりあう。レ−ザラ
マン分光により測定すると単結晶の珪素のピ−ク５２２
cm^-1より低周波側にシフトしたピ−クが観察される。そ
れの見掛け上の粒径は半値巾から計算すると、５０〜５
００Åとマイクロクリスタルのようになっているが、実
際はこの結晶性の高い領域は多数あってクラスタ構造を
有し、各クラスタ間は互いに珪素同志で結合（アンカリ
ング) がされたセミアモルファス構造の被膜を形成させ
ることができた。

【００２４】結果として、被膜は実質的にグレインバウ
ンダリ（以下ＧＢという）がないといってもよい状態を
呈する。キャリアは各クラスタ間をアンカリングされた
個所を通じ互いに容易に移動し得るため、いわゆるGBの
明確に存在する多結晶珪素よりも高いキャリア移動度と
なる。即ちホ−ル移動度（μｈ）＝１０〜２００cm²／
ＶＳｅｃ、電子移動度（μe ）＝１５〜３００cm²／Ｖ
Ｓｅｃが得られる。

【００２５】他方、上記の如き中温でのアニ−ルではな
く、９００〜１２００℃の高温アニ−ルにより被膜を多
結晶化すると、核からの固相成長により被膜中の不純物
の偏析がおきて、ＧＢには酸素、炭素、窒素等の不純物
が多くなり、結晶中の移動度は大きいが、ＧＢでのバリ
ア（障壁）を作ってそこでのキャリアの移動を阻害して
しまう。結果として１０cm²/Vsec以上の移動度がなかな
か得られないのが実情である。即ち、本実施例ではかく
の如き理由により、セミアモルファスまたはセミクリス
タル構造を有するシリコン半導体を用いている。

【００２６】図４(A) において、珪素膜を第１のフォト
マスクにてフォトエッチングを施し、ＰＴＦＴ用の領
域１３（チャネル巾２０μm)を図面の右側に、ＮＴＦＴ
用の領域２２を左側に作製した。

【００２７】この上に酸化珪素膜をゲイト絶縁膜として
５００〜２０００Å例えば１０００Åの厚さに形成し
た。これはブロッキング層としての酸化珪素膜の作製と
同一条件とした。この成膜中に弗素を少量添加し、ナト
リウムイオンの固定化をさせてもよい。

【００２８】この後、この上側にリンが１〜５×10²¹cm
^-3の濃度に入ったシリコン膜またはこのシリコン膜とそ
の上にモリブデン(Mo)、タングステン(W),MoSi₂または
WSi₂との多層膜を形成した。これを第２のフォトマスク
にてパタ−ニングして図４(B) を得た。ＰＴＦＴ用の
ゲイト電極９、ＮＴＦＴ用のゲイト電極２１を形成し
た。例えばチャネル長１０μｍ、ゲイト電極としてリン
ド−プ珪素を０．２μｍ、その上にモリブデンを０．３
μｍの厚さに形成した。図４（Ｃ）において、フォトレ
ジスト５７をフォトマスクを用いて形成し、ＰＴＦＴ
用のソ−ス１２ドレイン１０に対し、ホウ素を１〜５×
１０¹⁵cm^-2のド−ズ量でイオン注入法により添加した。
次に図４（Ｄ）の如く、フォトレジスト５６をフォトマ
スクを用いて形成した。ＮＴＦＴ用のソ−ス２０、ド
レイン１８としてリンを１〜５×１０¹⁵cm^-2のドーズ量
でイオン注入法により添加した。

【００２９】これらはゲイト絶縁膜５４を通じて行っ
た。しかし図４（Ｂ）において、ゲイト電極９、２１を
マスクとしてシリコン膜上の酸化珪素を除去し、その
後、ホウ素、リンを直接珪素膜中にイオン注入してもよ
い。

【００３０】次に、６００℃にて１０〜５０時間再び加
熱アニ−ルを行った。ＰＴＦＴのソ−ス１２ドレイン１
０ＮＴＦＴのソ−ス２０、ドレイン１８を不純物を活性
化してＰ⁺、Ｎ⁺として作製した。またゲイト電極９、２
１下にはチャネル形成領域１１、１９がセミアモルファ
ス半導体として形成されている。

【００３１】かくすると、セルフアライン方式でありな
がらも、７００℃以上にすべての工程で温度を加えるこ
とがなくＣ／ＴＦＴを作ることができる。そのため、基
板材料として、石英等の高価な基板を用いなくてもよ
く、本発明の大画素の液晶表示装置にきわめて適したプ
ロセスである。

【００３２】本実施例では熱アニ−ルは図４（Ａ）、
（Ｄ）で２回行った。しかし図４（Ａ）のアニ−ルは求
める特性により省略し、双方を図４（Ｄ）のアニ−ルに
より兼ね製造時間の短縮を図ってもよい。図５（Ａ）に
おいて、層間絶縁物６５を前記したスパッタ法により酸
化珪素膜の形成として行った。この酸化珪素膜の形成は
ＬＰＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、常圧ＣＶＤ法を用いてもよ
い。例えば０．２〜０．６μｍの厚さに形成し、その
後、フォトマスクを用いて電極用の窓６６を形成し
た。さらに、これら全体にアルミニウムをスパッタ法に
より形成し、リ−ド７１、７２およびコンタクト６７、
６８をフォトマスクを用いて作製した後、表面を平坦
化用有機樹脂６９例えば透光性ポリイミド樹脂を塗布形
成し、再度の電極穴あけをフォトマスクにて行った。

【００３３】図５（Ｂ）に示す如く２つのＴＦＴを相補
型構成とし、かつその出力端を液晶装置の一方の画素の
電極を透明電極としてそれに連結するため、スパッタ法
によりＩＴＯ（インジュ−ム・スズ酸化膜）を形成し
た。それをフォトマスクによりエッチングし、電極１
７を構成させた。このＩＴＯは室温〜１５０℃で成膜
し、２００〜４００℃の酸素または大気中のアニ−ルに
より成就した。

【００３４】かくの如くにしてＰＴＦＴ２２とＮＴＦＴ
１３と透明導電膜の電極７０とを同一ガラス基板５０上
に作製した。得られたＴＦＴの特性はＰＴＦＴで移動度
は２０（cm²/Vs）、Ｖthは−５．９（Ｖ）で、ＮＴＦＴ
で移動度は４０（cm²/Vs）、Ｖthは５．０（Ｖ）であっ
た。

【００３５】上記の様な方法に従って作製された液晶装
置用の第一の基板と第二の基板としてガラス基板上に全
面に透明電極を設け、その後ＮＭＰ（ｎメチル２ピロリ
ドン）で希釈した５％のポリイミド前駆体溶液をオフセ
ット印刷法で転写し、５０℃で仮焼成の後、３８０℃窒
素雰囲気中で１時間本焼成を行なった。

【００３６】第一の基板の周囲にはスクリーン印刷法を
用いてエポキシ樹脂を幅１００μｍ厚み５０μｍ印刷し
た。第二の基板上にＩＰＡ（イソプロピルアルコール）
中に分散させた２．５μｍ径のＳｉＯ²球と４．５μｍ
径のエポキシ球を、基板上１ｍｍ²角あたりそれぞれ２
００個、５０個になるように散布をした。

【００３７】これら基板を張り合わせて、加圧、加熱に
よって液晶セルを形成し、この中に強誘電性液晶を封入
して液晶パネルを得た。

【００３８】図６に本実施例の構成を示す。任意の時間
に液晶パネル（２０１）に表示されている情報内容は、
第１の電気的メモリー（２０２）の中に記憶させてあ
る。一画面分のドットのＯＮ／ＯＦＦ情報がメモリー中
のＨ／Ｌに対応させてある。また本実施例では６４０×
４００の液晶装置を使用したため、２５６ＫバイトのＳ
ＲＡＭ（スタティック・ランダム・アクセス・メモリ
ー）を本実施例においては使用した。コンピューターま
たはワードプロセッサー等のＣＰＵ（２０３）で制御さ
れている画像情報は一度第２の電気的メモリー（２０
４）とに記憶させる。本実施例においてはこちらも２５
６ＫのＳＲＡＭを使用した。その理由としては、高速動
作が可能なためである。また更に第１、第２の電気的メ
モリーの内容を比較する機能（２０５）として、比較の
結果第一と第二のメモリー中の任意の対応番地の情報の
排他的論理和が『１』の際にドット書換のための制御を
行うことを特徴としている。

【００３９】ここで、図７にタイミングチャートを示
す。単位フレーム時間（３０５）はＬＣＤ書込み期間
（３０６）と制御期間（３１１）の２つの期間によって
構成されている。本実施例ではこの期間の長さを１４ｍ
秒（約７１．４Ｈｚ）とした。ＬＣＤへの実際の書込み
（３０７ａ〜ｃ）は前記ＬＣＤ書込み期間（３０６）中
に行なわれ、第一のメモリーと第二のメモリーの内容の
比較の結果、書換えが必要な部分にのみＬＣＤへの実際
の書込みが行なわれるために、ＬＣＤへの実際の書込み
（３０７ａ〜ｃ）の時間は各フレーム毎に異なる事にな
る。制御期間（３１１）では、ＣＰＵから第二メモリー
への書込み期間の一部（３０８）とＬＣＤコントローラ
ーから第一メモリーへの書込み期間（３０９）と第一メ
モリーと第二メモリーとの内容比較を行なう期間（３１
０）とが設けてある。

【００４０】本実施例では具体的に、ＬＣＤ書込み期間
（３０６）は１３．９ｍ秒、制御期間（３１１）は０．
１ｍ秒とした。

【００４１】

【実施例２】本実施例では図８に示すような回路構成の
液晶パネルを用いて説明を行う。図８に記載の様に、画
素に設けられたＣ／ＴＦＴ構成のＰＴＦＴとＮＴＦＴと
のソース（ドレイン）部を共通の第１の信号線３１また
は３２に接続し、前記ＰＴＦＴとＮＴＦＴとのドレイン
（ソース）部を画素電極１７に接続し、さらに、前記Ｐ
ＴＦＴとＮＴＦＴとのゲイト電極を共通の第２の信号線
３３に接続した液晶パネルとなっている。

【００４２】この回路構成に対応する実際の電極等の配
置構成を図９に示している。これらは説明を簡単にする
為２×２に相当する部分のみ記載されている。また、実
際の駆動信号波形を図１０に示す。これも説明を簡単に
する為に４×４のマトリクス構成とした場合の信号波形
で説明を行う。

【００４３】これらの製造プロセスは、実施例の１と同
様である。

【００４４】また、任意の時間に液晶パネルに表示され
ている情報内容は、第１の電気的メモリーの中に記憶さ
せてある。本実施例においてはＳＲＡＭを使用した。

【００４５】コンピューターまたはワードプロセッサー
等のＣＰＵで制御されている画像情報は一度第２の電気
的メモリーとに記憶させる。本実施例においてはこちら
もＳＲＡＭを使用した。その理由としては、高速動作が
可能なためである。また更に第１、第２の電気的メモリ
ーの内容を比較する機能として、比較の結果第一と第二
のメモリー中の任意の対応番地の情報の排他的論理和が
『１』の際にドット書換のための制御を行うことを特徴
としている。

【００４６】

【発明の効果】該構成を取ることによって、メモリー性
を極力低減させた強誘電性液晶においても、『焼け』現
象が生じることなく、装置全体としてはメモリー表示が
可能となった。

【００４７】パネルの任意の時間に表示をしている内容
を記憶している第１の電気的メモリーと、前記任意時間
から単位時間後の表示内容を記憶している第２の電気的
メモリーと、第１、第２の電気的メモリーの内容を比較
する機能を本装置の構成に加えることによって書換えが
必要な部分のみに、電気信号を加えることで表示が出
来、パネルにかかる消費電力を極力低減することが出来
た。具体的には、通常のワードプロセッサーの動作時の
消費電力をＳＴＮ液晶パネルと比較すると、ＳＴＮ液晶
パネルが平均２５０ｍＷであるのに対し、本発明の構成
では、２０〜３０ｍＷ程度になり、ほぼ１／１０になる
ことが判った。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による回路構成を示す。

【図２】本発明による装置の構造を示す。

【図３】本発明による駆動方法を示す。

【図４】本発明によるプロセスフロウを示す。

【図５】本発明によるプロセスフロウを示す。

【図６】本実施例によるブロックダイアグラムを示す。

【図７】本実施例によるタイミングチャートを示す。

【図８】本発明による回路構成を示す。

【図９】本発明による装置の構造を示す。

【図１０】本発明による駆動方法を示す。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁表面を有する基板と、前記絶縁表面上に形成され、ソース領域と、ドレイン領
域と、チャネル形成領域と、前記チャネル形成領域の近
隣に形成されたゲイト絶縁膜と、前記チャネル形成領域
の近隣に前記ゲイト絶縁膜を介して形成されたゲイト電
極とを有した少なくとも１つの薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に形成され、無機物からなる層
間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に形成され、前記層間絶縁膜中に形成
されたコンタクトホールを通して前記薄膜トランジスタ
に電気的に接続された導電膜と、前記薄膜トランジスタ、前記層間絶縁膜及び前記導電膜
の上方に形成され、平坦な表面を有する有機樹脂膜と、前記有機樹脂膜の上方に形成され、前記有機樹脂膜中に
形成された穴を通して前記薄膜トランジスタに接続され
た、透光性導電膜からなる画素電極とを有し、前記層間絶縁膜は前記有機樹脂膜と前記薄膜トランジス
タとが直接接しないように設けられたことを特徴とする
電気光学装置。