JPH0741706U - 磁気抵抗効果型ヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】加工精度よく電極導体膜の加工を行い、狭トラ
ック化できる。 【構成】磁気抵抗効果膜とそれに検出電流を流す電極導
体膜と電極導体膜間に絶縁膜を有し、磁気抵抗効果膜を
絶縁膜上に一対の電極導体膜に接するように形成した構
成。 【効果】平坦化された電極導体膜をＭＲ膜より先に形成
することによって、ドライエッチング等により電極導体
膜を加工精度よく形成することができる。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は、磁気記録媒体との情報の読み取りおよび書き込みを行う磁気変換器 に関するものであり、特に磁気抵抗効果を有する磁気変換器に関するものである 。

【０００２】

【従来の技術】

近年、磁気記録媒体からの情報の読みとりには、磁気抵抗効果を利用した磁気 抵抗効果型ヘッド（以下ＭＲヘッドと記載する）の検討が進められている。ＭＲ ヘッドは磁気抵抗効果を示す強磁性体薄膜に一定の電流を流しておき、磁束が流 入したときの電気抵抗の変化を電圧の変化として読みとる。よって、ＭＲヘッド は従来の電磁誘導を用いたインダクティブヘッドと比較して、メディアの周速に 依存せず、小型化に十分対応でき、かつ高密度記録を実現できる可能性がある。

【０００３】 従来の典型的なＭＲ型磁気変換器は米国特許第４５０４８８０号記載のように ＭＲ読みとり素子の両端に一対の導電体を接触させることにより、ＭＲ読みとり 素子の有効幅（トラック幅）をこの一対の電極導体膜の間隔で規定している。し かしながら、近年の高記録密度の要求に応じて、トラック幅はますます狭くなり 、その加工精度は困難になりつつある。

【０００４】 特開昭６４−３５７１７号には、磁界の検出を行う感磁部を絶縁層により規定 している磁気抵抗読みとり型磁気変換器が開示されている。ＭＲ読みとり素子の 有効幅はＭＲ膜上に形成した絶縁層によって定められている。

【０００５】

【考案が解決しようとする課題】

電極導体膜の加工方法には、ウェットエッチングを用いたウェット法とイオン ミリングを用いたドライ法がある。ウェット法を用いた加工法は、電極導体膜を 化学的エッチングにより加工するために、ＭＲ膜の損傷という問題を受けること はない。 しかし、電極導体膜のオーバーエッチングが避けられず加工精度には 限界を生じてしまう。イオンミリングを用いた加工法は加工精度の問題はないが 、電極導体膜を加工する際にＭＲ膜の損傷が避けられない。

【０００６】 高記録密度を実現するためには、上述のようにトラック幅の微細な加工精度が 要求される。しかし、上述のように加工精度を要求すると、ドライ法を用いなけ ればならず、するとＭＲ膜の損傷が避けられないという問題があった。本考案の 目的は、かかる問題を解決すべく電極導体膜の加工精度を良好にし、かつＭＲ膜 の損傷のない磁気抵抗効果型ヘッドを製作することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】

上記目的を達成するための本考案の構成は、ＭＲ膜より先に電極導体膜をパタ ーンに形成し、アルミナ膜等の絶縁層により電極導体膜の平坦化を行い、その上 にＭＲ膜を形成するというものである。

【０００８】

【実施例】

本発明の実施例について説明する前に、従来例について説明する。従来の典型 的なＭＲヘッド素子部の要部断面図を図２に示す。ＭＲ膜４の接合面１４は、電 極導体膜１によって覆われており、この領域へ磁束が流入し、電気抵抗の変化を 生じても、電気的に短絡されているために非作用領域となっている。よって、Ｍ Ｒ素子の作用領域３はこの一対の電極導体膜に覆われていない１０から１２の間 となっている。しかし高記録密度になれば、この間隔が狭くなるために、その加 工精度の公差の割合はますます大きくなる。

【０００９】 本考案によるＭＲ変換器は図１に示した構成を採用することにより、トラック 幅の正確な加工精度を実現している。本発明のＭＲ変換器の特徴は、電極導体膜 １上にＭＲ膜を形成し、作用領域となるＭＲ膜の下部には絶縁膜２を形成し電極 導体膜の平坦化も行っているものである。この構成により、トラック幅を決定す る電極導体膜の加工時に生じるＭＲ膜の損傷を防止することができる。

【００１０】 以下本考案によるＭＲ変換器の製造方法について説明する。まず電極導体とな る膜をスパッタ法等により成膜し、フォトリソグラフィ等の手法を用いて電極パ ターンを厚めに形成する。そしてイオンミリング等のドライエッチングにより、 作用領域となる部分の電極導体膜を除去し、所望の電極導体膜１を形成する。電 極パターンを厚めに形成しておいたのは、電極導体膜を所望の形状にエッチング した後も残るようにするためである。次に、アルミナ膜や電気抵抗が高い絶縁膜 をスパッタリング法等により、電極導体膜の厚さと同じだけ成膜する。引き続き リフトオフ法によりフォトレジスト等の電極パターンと共に電極導体膜上の絶縁 膜２’を除去する。次に、ＭＲ膜４をフォトリソグラフィ等の手法を用いて一対 の電極導体膜上に接するように成膜し、図１のような構成を得る。

【００１１】

【考案の効果】

実施例により明らかなように、本考案の採用により電極導体膜の形成はイオン ミリングを用いているために加工精度良くトラック幅を規制することができる。 また、上述したドライプロセスを用いることによって生じるＭＲ膜の損傷という 問題点は、実施例のような電極導体膜をＭＲ膜より先に形成することによって解 消された。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案のＭＲヘッドの要部平面図と断面図。

【図２】従来のＭＲヘッドの要部平面図と断面図。

【符号の説明】

１ 電極導体膜 ２ 絶縁膜 ４ 磁気抵抗効果膜 １４ 接合面

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)考案者 福島 信人 埼玉県所沢市大字下富字武野840番地 シ チズン時計株式会社技術研究所内

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】直線上に所定の間隔を有して設けられた一
   対の電極導体膜と、該一対の電極導体膜の間に接合され
   た絶縁膜と、該絶縁膜の上面と前記一対の電極導体膜の
   上面に所定の接合面を有して設けられた磁気抵抗効果膜
   とからなり、該磁気抵抗効果膜と前記絶縁膜と前記一対
   の電極導体膜の少なくとも一方の端面は、同一面上に形
   成されてなることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。