JPH0738371A - セラミック発振素子及びこれを用いた圧電発振子 - Google Patents

セラミック発振素子及びこれを用いた圧電発振子

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JPH0738371A
JPH0738371A JP17908393A JP17908393A JPH0738371A JP H0738371 A JPH0738371 A JP H0738371A JP 17908393 A JP17908393 A JP 17908393A JP 17908393 A JP17908393 A JP 17908393A JP H0738371 A JPH0738371 A JP H0738371A
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JP
Japan
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ceramic
plane
oscillation element
electrode layer
oscillator
Prior art date
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Pending
Application number
JP17908393A
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English (en)
Inventor
Ikuo Matsumoto
伊久夫 松本
Hisaya Yoshimoto
久哉 吉本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
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Publication date
Application filed by Rohm Co Ltd filed Critical Rohm Co Ltd
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  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 セラミック発振素子の上下面電極層間のショ
ート不良及びセラミック発振素子側面のマイクロクラッ
クの広がりによる特性劣化等の発生を抑制し、信頼性及
び耐環境性に優れた圧電発振子を提供することを目的と
する。 【構成】 圧電発振子におけるセラミック発振素子の側
面に絶縁保護層を設けた。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、セラミック発振素子及
びこれを発振素子として用いる圧電発振子に関する。
【0002】
【従来の技術】例えば、面実装タイプの圧電発振子は、
図6に示すように、セラミック等からなるベース基板1
0と、該ベース基板10の両端部に形成された外部端子
11と、上記ベース基板10と所定の間隔を隔てて上記
外部端子11の各々に両端部を導電性ペースト12によ
りそれぞれ接続されたセラミック発振素子13と、該セ
ラミック発振素子13を覆い上記ベース基板10の周縁
部にエポキシ系接着剤等の絶縁層を介して取り付けられ
るキャップ14とを具備するという構造を有する。
【0003】従来、上記のような圧電発振子に用いられ
る上記セラミック発振素子13は、図7及び図8に示す
ように、板状の圧電セラミック素体15の上面において
一方の端部から中央部に向け、下面において他方の端部
から中央部に向けて、銀、銅−銀合金、又は銅−銀の二
層からなる電極層16,17が圧電セラミック素体15
の中央部付近において一部が平面視重合する部分Cを形
成して設けられてなるものである。
【0004】この種のセラミック発振素子は、例えば次
のようにして製造することができる。先ず、所定寸法に
分割されて複数の圧電セラミック素体15が形成される
セラミック基板の上面及び下面に電極層16,17をス
パッタリング法、蒸着法等により形成し、エッチング処
理して所定のパターンとする。次に、これを所定寸法に
分割して個々のセラミック発振素子15とされる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来のセラミック発振素子は、圧電発振子におい
て、キャップ等でパッケージされて気密封止されてはい
るものの、使用時に高温となったり、水分がパッケージ
内に侵入したり、高温又は高湿の使用環境において用い
られたりした場合に、セラミック発振素子の電極層が圧
電セラミック素体表面(側面)に沿ってマイグレーショ
ンを起こし、セラミック発振素子の特性劣化、更にはセ
ラミック発振素子上下面の電極層間でショートを起こす
という問題があった。
【0006】また、セラミック発振素子の製造におい
て、前記セラミック基板を切断して個々のセラミック発
振素子としているために、セラミック発振素子における
切断面(側面)には微小な亀裂(マイクロクラック)が
発生する場合がある。セラミック発振素子の側面にマイ
クロクラックが存在すると、圧電発振子として動作させ
た時に、このマイクロクラックが広がり、大きなクラッ
クが生じて圧電特性の劣化を生じるという危険性もあっ
た。それ故、セラミック発振素子に分割した後にマイク
ロクラックの有無の検査工程でマイクロクラックの発生
しているものを除去する必要があった。
【0007】本発明は、上記問題を解消し、セラミック
発振素子上下面の電極層間でのショート不良、セラミッ
ク発振素子側面のマイクロクラックの広がりによる特性
劣化等の発生することのない信頼性及び耐環境性に優れ
た圧電発振子を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記目的を
達成すべく鋭意研究を重ねた結果、セラミック発振素子
の両側面に絶縁保護層を形成するときは、電極層のセラ
ミック発振素子の側面に沿ったマイグレーションを効果
的に抑制でき、しかもセラミック発振素子の側面にマイ
クロクラックが存在しても動作時においてこのマイクロ
クラックの広がりをも効果的に抑制し得ることを見出し
た。
【0009】即ち、本発明は、圧電セラミック素体の上
面において一方の端部から中央部に向け、下面において
他方の端部から中央部にむけてそれぞれ電極層が形成さ
れており、この両電極層はその先端部が上記圧電セラミ
ック素体の中央部付近において平面視重合してなるセラ
ミック発振素子において、少なくとも上記両電極層が平
面視重合する部分の上記圧電セラミック素体の両側面に
絶縁保護層が形成されていることを特徴とするセラミッ
ク発振素子に係るものである。
【0010】また、本発明は、上記セラミック発振素子
を用いたことを特徴とする圧電発振子をも包含する。
【0011】
【作用】上記のように圧電セラミック素体の上面におい
て一方の端部から中央部に向け、下面において他方の端
部から中央部に向けてそれぞれ電極層が形成されてお
り、この両電極層はその先端部が上記圧電セラミック素
体の中央部付近において平面視重合してなるセラミック
発振素子において、少なくとも上記両電極層が平面視重
合する部分の上記圧電セラミック素体の両側面に絶縁保
護層を形成したので、電極層がセラミック発振素子の側
面に沿ってマイグレーションを起こすのを抑制でき、該
マイグレーションに起因するセラミック発振素子上下面
の電極層間でショート不良を防止し得る。
【0012】また、セラミック発振素子の側面部に絶縁
保護層を形成することによって、上記側面部におけるマ
イクロクラックの発生及び上記側面部にマイクロクラッ
クが存在していたとしてもマイクロクラックの広がりを
防止し得うる。
【0013】
【実施例】以下、実施例を示し本発明の特徴とするとこ
ろをより詳細に説明するが、本発明がこれら実施例に限
定されることはない。
【0014】本発明の実施例に係るセラミック発振素子
の斜視図、断面図及び平面図を図1乃至図4に示す。上
記実施例におけるセラミック発振素子1は、板状の圧電
セラミック素体2の上面に、その一方の端部から中央部
に向かって延びる上面電極層3が設けられ、上記圧電セ
ラミック素体2の下面には、下面電極層4が、圧電セラ
ミック素体2のもう一方の端部から中央部に向かって延
び、且つ上面に設けられた上面電極層3と圧電セラミッ
ク素体2の中央部上下面において一部が平面視重合する
ように設けられ、上記セラミック発振素子1の上記上面
電極層3と下面電極層4とが平面視重合する部分Aの両
側面部B,B’を完全に覆うように、例えば半田レジス
ト等の紫外線硬化性樹脂等からなる絶縁保護層5が設け
られてなる。尚、勿論のことながら上記絶縁保護層5を
セラミック発振素子1の両側面全部に設けてもかまわな
い。
【0015】上記実施例のセラミック発振素子1は、次
のようにして製造することができる。先ず、所定寸法に
分割されて複数の圧電セラミック素体2が形成されるセ
ラミック基板の上面及び下面に、電極層をスパッタリン
グ法、蒸着法等により形成し、エッチング処理して所定
のパターンの上面電極層3及び下面電極層4を形成す
る。次に、このセラミック基板をダイヤモンドカッタ等
を用いて所定寸法に分割して複数個のチップ片とし、こ
のチップ片の個々についてその両側面に絶縁保護層5を
スクリーン印刷法、転写印刷法等により形成してセラミ
ック発振素子1が得られる。上記絶縁保護層5の形成に
おいて、チップ片の複数個をその上面もしくは下面を張
り合わすように重ね合わせてチップ片の側面を露出さ
せ、絶縁保護層6を印刷すれば効率的である。
【0016】また、必要に応じ、上記上面電極層3及び
下面電極層4形成後、図5に示すように、該上面電極層
3及び/又は下面電極層4上に例えば半田レジスト等の
絶縁層6を形成して発振周波数調整を行ってセラミック
発振素子を製造してもよい。上記保護層6を設けたとき
は、セラミック発振素子1の両側面に設けられる上記絶
縁保護層5と相俟って電極層のマイグレーション及びセ
ラミック発振素子のマイクロクラックの広がりを更に抑
制し得る。更に、電極層の酸化をも抑制し得る。
【0017】斯くしてなるセラミック発振素子1は、例
えば前記図5に示したような構造に組み立てられ圧電発
振子とされる。
【0018】
【発明の効果】本発明のセラミック発振素子は、電極層
がセラミック発振素子の側面に沿ってマイグレーション
を起こすことを極めて低減したものであるので、このセ
ラミック発振素子を用いた本発明の圧電発振子は、従来
の圧電発振子に比して、セラミック発振素子における電
極層のショート不良及び特性劣化の生じ難い極めて信頼
性及び耐環境性に優れたものである。
【0019】また、本発明のセラミック発振素子は、こ
れを用いて圧電発振子とし、動作させた時にマイクロク
ラックの発生乃至広がりによる特性劣化が起きることを
極めて低減したものであり、セラミック発振素子に分割
した後のマイクロクラックの有無の検査工程においてマ
イクロクラック程度のクラックであれば除去されること
なく使用し得るので、極めて生産性を向上し得るもので
ある。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例におけるセラミック発振素子を示す斜視
図である。
【図2】図1におけるI−I拡大断面図である。
【図3】図1におけるII−II断面図である。
【図4】図1における平面図である。
【図5】他の実施例におけるセラミック発振素子を示す
斜視図である。
【図6】圧電発振子の構造を示す断面図である。
【図7】従来のセラミック発振素子を示す平面図であ
る。
【図8】図6におけるIII−III断面図である。
【符号の説明】
1 セラミック発振素子 2 圧電セラミック素体 3 上面電極層 4 下面電極層 5 絶縁保護層 6 保護層

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 圧電セラミック素体の上面において一方
    の端部から中央部に向け、下面において他方の端部から
    中央部に向けてそれぞれ電極層が形成されており、この
    両電極層はその先端部が上記圧電セラミック素体の中央
    部付近において平面視重合してなるセラミック発振素子
    において、少なくとも上記両電極層が平面視重合する部
    分の上記圧電セラミック素体の両側面に絶縁保護層が形
    成されていることを特徴とするセラミック発振素子。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載のセラミック発振素子を
    用いた圧電発振子。
JP17908393A 1993-07-20 1993-07-20 セラミック発振素子及びこれを用いた圧電発振子 Pending JPH0738371A (ja)

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JP17908393A JPH0738371A (ja) 1993-07-20 1993-07-20 セラミック発振素子及びこれを用いた圧電発振子

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JP17908393A JPH0738371A (ja) 1993-07-20 1993-07-20 セラミック発振素子及びこれを用いた圧電発振子

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JPH0738371A true JPH0738371A (ja) 1995-02-07

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ID=16059791

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JP17908393A Pending JPH0738371A (ja) 1993-07-20 1993-07-20 セラミック発振素子及びこれを用いた圧電発振子

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08250964A (ja) * 1995-03-10 1996-09-27 Toko Inc チップ型電子部品

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH08250964A (ja) * 1995-03-10 1996-09-27 Toko Inc チップ型電子部品

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