JPH0738184A - レーザダイオードの駆動方法 - Google Patents
レーザダイオードの駆動方法Info
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- JPH0738184A JPH0738184A JP18130393A JP18130393A JPH0738184A JP H0738184 A JPH0738184 A JP H0738184A JP 18130393 A JP18130393 A JP 18130393A JP 18130393 A JP18130393 A JP 18130393A JP H0738184 A JPH0738184 A JP H0738184A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光サイリスタ点弧用等の高出力レーザダイオ
ードの長寿命化を図る駆動方法を提供する。 【構成】 光サイリスタを点弧させる高出力レーザダイ
オードにおいて、レーザを駆動するパルス電流を印加す
る直前に、レーザのしきい値以下の電流値のパルスバイ
アス電流を印加することにより、レーザ駆動用トランジ
スタのハイゲートパルス電流の立上がり時間を光サイリ
スタ点弧に必要な１μｓｅｃ以下にすることを可能とす
るとともに、バイアス電流によるレーザの活性層の温度
上昇を抑えた。 【効果】 バイアス電流によるレーザの温度上昇がほと
んど無視でき、高出力レーザダイオードの長寿命化が図
れる。
ードの長寿命化を図る駆動方法を提供する。 【構成】 光サイリスタを点弧させる高出力レーザダイ
オードにおいて、レーザを駆動するパルス電流を印加す
る直前に、レーザのしきい値以下の電流値のパルスバイ
アス電流を印加することにより、レーザ駆動用トランジ
スタのハイゲートパルス電流の立上がり時間を光サイリ
スタ点弧に必要な１μｓｅｃ以下にすることを可能とす
るとともに、バイアス電流によるレーザの活性層の温度
上昇を抑えた。 【効果】 バイアス電流によるレーザの温度上昇がほと
んど無視でき、高出力レーザダイオードの長寿命化が図
れる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、レーザダイオードの
駆動方法に関し、特に光サイリスタを点弧する等、高出
力動作が必要なレーザダイオードのパルス駆動方法に関
するものである。
駆動方法に関し、特に光サイリスタを点弧する等、高出
力動作が必要なレーザダイオードのパルス駆動方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２はレーザ光Ｗを発光する高出力レー
ザダイオードＬＤを用いて光サイリスタＳＣの駆動を制
御する回路の回路図である。高出力レーザダイオードＬ
Ｄは駆動用トランジスタＱのコレクタに接続される。駆
動用トランジスタＱのエミッタは抵抗Ｒ2 を介して接地
され、又ベースには抵抗Ｒ1 が接続されている。
ザダイオードＬＤを用いて光サイリスタＳＣの駆動を制
御する回路の回路図である。高出力レーザダイオードＬ
Ｄは駆動用トランジスタＱのコレクタに接続される。駆
動用トランジスタＱのエミッタは抵抗Ｒ2 を介して接地
され、又ベースには抵抗Ｒ1 が接続されている。
【０００３】駆動用トランジスタＱは抵抗Ｒ1 を介して
ベースに与えられる信号によって制御され、コレクタに
駆動電流ｉを流す。駆動電流ｉは高出力レーザダイオー
ドＬＤを流れ、レーザ光Ｗが発光される。レーザ光Ｗは
光サイリスタＳＣに照射される。
ベースに与えられる信号によって制御され、コレクタに
駆動電流ｉを流す。駆動電流ｉは高出力レーザダイオー
ドＬＤを流れ、レーザ光Ｗが発光される。レーザ光Ｗは
光サイリスタＳＣに照射される。
【０００４】図３は、光サイリスタＳＣを点弧するため
に用いられる高出力レーザダイオードＬＤの従来の駆動
方法を示すグラフである。上段のグラフは高出力レーザ
ダイオードＬＤを駆動する駆動電流ｉの波形を、また下
段のグラフは上段のグラフで示された駆動電流ｉが印加
された場合のレーザ光Ｗの出力波形を示す。
に用いられる高出力レーザダイオードＬＤの従来の駆動
方法を示すグラフである。上段のグラフは高出力レーザ
ダイオードＬＤを駆動する駆動電流ｉの波形を、また下
段のグラフは上段のグラフで示された駆動電流ｉが印加
された場合のレーザ光Ｗの出力波形を示す。
【０００５】光サイリスタＳＣは、そのゲート領域にあ
てられた光を吸収してゲート電流を得て、そのゲート電
流によって素子がターンオンする仕組みとなっている。
大電力用の光サイリスタＳＣをターンオンするために
は、通常、波形の大きいパルスを光サイリスタＳＣのゲ
ート領域に照射する必要がある。光サイリスタＳＣを高
速にターンオンさせるため、時刻０〜ｔ1 において、ハ
イゲートと呼ばれる高出力パルス（出力Ｐ3 ）のレーザ
光Ｗが高出力レーザダイオードＬＤから出力される。例
えば、電圧数ＫＶ、電流数ＫＡの光サイリスタＳＣをタ
ーンオンさせるためには、ゲート領域に照射されるハイ
ゲートは波長８６０ｎｍ程度のレーザ光Ｗで７０ｍＷ程
度の電力が必要とされる。
てられた光を吸収してゲート電流を得て、そのゲート電
流によって素子がターンオンする仕組みとなっている。
大電力用の光サイリスタＳＣをターンオンするために
は、通常、波形の大きいパルスを光サイリスタＳＣのゲ
ート領域に照射する必要がある。光サイリスタＳＣを高
速にターンオンさせるため、時刻０〜ｔ1 において、ハ
イゲートと呼ばれる高出力パルス（出力Ｐ3 ）のレーザ
光Ｗが高出力レーザダイオードＬＤから出力される。例
えば、電圧数ＫＶ、電流数ＫＡの光サイリスタＳＣをタ
ーンオンさせるためには、ゲート領域に照射されるハイ
ゲートは波長８６０ｎｍ程度のレーザ光Ｗで７０ｍＷ程
度の電力が必要とされる。
【０００６】一方、光サイリスタＳＣへの光結合系の損
失を考慮するとハイゲートパルスを発生させる高出力レ
ーザダイオードＬＤには５００ｍＷ程度の高出力動作が
必要とされる。そして高出力レーザダイオードＬＤで５
００ｍＷのレーザ光Ｗの出力を得るのに要求される駆動
電流ｉの値ｉ3 は通常１Ａ程度にも及ぶ。
失を考慮するとハイゲートパルスを発生させる高出力レ
ーザダイオードＬＤには５００ｍＷ程度の高出力動作が
必要とされる。そして高出力レーザダイオードＬＤで５
００ｍＷのレーザ光Ｗの出力を得るのに要求される駆動
電流ｉの値ｉ3 は通常１Ａ程度にも及ぶ。
【０００７】このハイゲートが出力される時刻０〜ｔ1
は、例えば５０μｓｅｃ程度に設定される。また光サイ
リスタＳＣを制御する際の無駄時間（光サイリスタＳＣ
を制御できない時間）を減らし、光サイリスタＳＣを高
速にターンオンさせるためには、ハイゲートのパルスの
立上がり時間ｔ4 を１μｓ以下にすることが必要とされ
る。
は、例えば５０μｓｅｃ程度に設定される。また光サイ
リスタＳＣを制御する際の無駄時間（光サイリスタＳＣ
を制御できない時間）を減らし、光サイリスタＳＣを高
速にターンオンさせるためには、ハイゲートのパルスの
立上がり時間ｔ4 を１μｓ以下にすることが必要とされ
る。
【０００８】光サイリスタＳＣがターンオンした後のオ
ン状態を継続させるため、時刻ｔ1〜ｔ2 において、ハ
イゲートよりも波形の小さいローゲートと呼ばれるパル
ス状の（出力Ｐ2 ）レーザ光Ｗが高出力レーザダイオー
ドＬＤから出力される。例えば、周波数６０Ｈｚ、３相
交流を直流に変換する場合には時刻ｔ2 は５．５ｍｓｅ
ｃに設定される。この場合には駆動電流ｉの値ｉ2 も値
ｉ3 より小さく、４００〜５００ｍＡに設定される。
ン状態を継続させるため、時刻ｔ1〜ｔ2 において、ハ
イゲートよりも波形の小さいローゲートと呼ばれるパル
ス状の（出力Ｐ2 ）レーザ光Ｗが高出力レーザダイオー
ドＬＤから出力される。例えば、周波数６０Ｈｚ、３相
交流を直流に変換する場合には時刻ｔ2 は５．５ｍｓｅ
ｃに設定される。この場合には駆動電流ｉの値ｉ2 も値
ｉ3 より小さく、４００〜５００ｍＡに設定される。
【０００９】高出力レーザダイオードＬＤを駆動する駆
動用トランジスタＱにあらかじめバイアスをかけない場
合には、駆動用トランジスタＱをターンオンした後、ハ
イゲートのために必要な駆動電流ｉの値ｉ3 に至る立上
がり時間ｔ3 は数μｓｅｃを要することとなる。これは
ハイゲートのパルスの立上がり時間ｔ4 を増長し、望ま
しくない。
動用トランジスタＱにあらかじめバイアスをかけない場
合には、駆動用トランジスタＱをターンオンした後、ハ
イゲートのために必要な駆動電流ｉの値ｉ3 に至る立上
がり時間ｔ3 は数μｓｅｃを要することとなる。これは
ハイゲートのパルスの立上がり時間ｔ4 を増長し、望ま
しくない。
【００１０】このため、従来は高出力レーザダイオード
ＬＤの駆動において、ハイゲートを出力させるために必
要な値ｉ3 を有する駆動電流ｉを印加する前から、駆動
用トランジスタＱに直流バイアスを流し、駆動電流ｉの
立ち上がり時間ｔ3 を短縮することによってハイゲート
のパルスの立上がり時間ｔ4 を短縮し、高速化を図って
いた。
ＬＤの駆動において、ハイゲートを出力させるために必
要な値ｉ3 を有する駆動電流ｉを印加する前から、駆動
用トランジスタＱに直流バイアスを流し、駆動電流ｉの
立ち上がり時間ｔ3 を短縮することによってハイゲート
のパルスの立上がり時間ｔ4 を短縮し、高速化を図って
いた。
【００１１】駆動用トランジスタＱにバイアスを流すこ
とにより、高出力レーザダイオードＬＤには値ｉ1 の駆
動電流ｉが流れている。ここでは値ｉ1 は高出力レーザ
ダイオードＬＤのしきい値電流のわずか下に設定され、
例えば３００〜４００ｍＡ程度に設定される。
とにより、高出力レーザダイオードＬＤには値ｉ1 の駆
動電流ｉが流れている。ここでは値ｉ1 は高出力レーザ
ダイオードＬＤのしきい値電流のわずか下に設定され、
例えば３００〜４００ｍＡ程度に設定される。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】以上のように従来のレ
ーザダイオードの駆動方法では、駆動用トランジスタＱ
の出力を高速に立ち上げるため、高出力レーザダイオー
ドＬＤにハイゲートの立ち上がり前に絶えず値ｉ1 をも
つ電流ｉが印加されており、その値が３００〜４００ｍ
Ａと大きい。このため、高出力レーザダイオードＬＤの
動作時にはその活性層が１５〜２０℃温度上昇し、高出
力レーザダイオードＬＤの寿命が短くなるという問題点
があった。
ーザダイオードの駆動方法では、駆動用トランジスタＱ
の出力を高速に立ち上げるため、高出力レーザダイオー
ドＬＤにハイゲートの立ち上がり前に絶えず値ｉ1 をも
つ電流ｉが印加されており、その値が３００〜４００ｍ
Ａと大きい。このため、高出力レーザダイオードＬＤの
動作時にはその活性層が１５〜２０℃温度上昇し、高出
力レーザダイオードＬＤの寿命が短くなるという問題点
があった。
【００１３】この発明は上記の問題点を解消するために
なされたもので、レーザダイオードの高速化を損なうこ
となく、活性層の温度上昇を低減するレーザダイオード
の駆動方法を得ることを目的する。
なされたもので、レーザダイオードの高速化を損なうこ
となく、活性層の温度上昇を低減するレーザダイオード
の駆動方法を得ることを目的する。
【００１４】
【課題を解決するための手段】この発明は、レーザダイ
オードを駆動回路で駆動するレーザダイオードの駆動方
法である。そして（ａ）前記駆動回路にパルス状のバイ
アスを与え、前記駆動回路から前記レーザダイオードに
パルス状の第１の駆動電流を印加する工程と、（ｂ）前
記工程（ａ）に引き続いて、前記駆動回路から前記レー
ザダイオードに第２の駆動電流を印加する工程と、を備
える。ここで、前記第１の駆動電流の電流値は前記レー
ザダイオードを駆動することができるしきい値未満であ
り、前記第２の駆動電流の電流値は前記しきい値以上で
ある。
オードを駆動回路で駆動するレーザダイオードの駆動方
法である。そして（ａ）前記駆動回路にパルス状のバイ
アスを与え、前記駆動回路から前記レーザダイオードに
パルス状の第１の駆動電流を印加する工程と、（ｂ）前
記工程（ａ）に引き続いて、前記駆動回路から前記レー
ザダイオードに第２の駆動電流を印加する工程と、を備
える。ここで、前記第１の駆動電流の電流値は前記レー
ザダイオードを駆動することができるしきい値未満であ
り、前記第２の駆動電流の電流値は前記しきい値以上で
ある。
【００１５】望ましくは、前記第１の駆動電流のパルス
幅を３μｓｅｃ〜１０００μｓｅｃに設定する。
幅を３μｓｅｃ〜１０００μｓｅｃに設定する。
【００１６】
【作用】この発明において、駆動回路から第２のパルス
電流を得る前に前記駆動回路にバイアスを与えるため、
第２のパルス電流の立ち上がりが短縮される。その上、
バイアスはパルス状であるので、駆動回路にバイアスを
与えることで駆動回路から得られる第１のパルス電流は
長期間にわたって与えられることがなく、レーザダイオ
ードの温度上昇はほとんど無視できる。
電流を得る前に前記駆動回路にバイアスを与えるため、
第２のパルス電流の立ち上がりが短縮される。その上、
バイアスはパルス状であるので、駆動回路にバイアスを
与えることで駆動回路から得られる第１のパルス電流は
長期間にわたって与えられることがなく、レーザダイオ
ードの温度上昇はほとんど無視できる。
【００１７】
【実施例】以下、この発明の一実施例について説明す
る。この実施例においても、図２を用いて光サイリスタ
ＳＣのレーザ光Ｗによる点弧を説明する。図１は、この
発明にかかるレーザダイオードの駆動方法を示すグラフ
である。上段のグラフは高出力レーザダイオードＬＤの
駆動電流ｉの波形を、また下段のグラフは上段のグラフ
で示された駆動電流ｉが印加された時のレーザ光Ｗの出
力波形を示す。
る。この実施例においても、図２を用いて光サイリスタ
ＳＣのレーザ光Ｗによる点弧を説明する。図１は、この
発明にかかるレーザダイオードの駆動方法を示すグラフ
である。上段のグラフは高出力レーザダイオードＬＤの
駆動電流ｉの波形を、また下段のグラフは上段のグラフ
で示された駆動電流ｉが印加された時のレーザ光Ｗの出
力波形を示す。
【００１８】図１の下段のグラフでは、時刻０において
ハイゲートが立ち上がり始め、時刻ｔ4 においてレーザ
の出力が出力Ｐ3 に達し、その後時刻ｔ1 で立ち下がり
始め、時刻ｔ2 までローゲート（出力Ｐ2 ）となるよう
に高出力レーザダイオードＬＤを駆動する場合が示され
ている。
ハイゲートが立ち上がり始め、時刻ｔ4 においてレーザ
の出力が出力Ｐ3 に達し、その後時刻ｔ1 で立ち下がり
始め、時刻ｔ2 までローゲート（出力Ｐ2 ）となるよう
に高出力レーザダイオードＬＤを駆動する場合が示され
ている。
【００１９】この実施例では、ハイゲートの立ち上がり
時間ｔ4 を短縮するため、駆動電流ｉの立ち上がり時間
ｔ3 を短縮する。そしてそのために従来と同様に、駆動
用トランジスタＱにおいて時刻０以前にバイアスを与え
る。しかし、駆動電流ｉの立ち上がり時間ｔ3 を短縮す
るためには時刻０以前において長くバイアスを印加して
おく必要はない。即ち、この実施例では従来とは異な
り、直流ではなく、パルス状のバイアスが与えられる。
時刻ｔ5 においてパルス状のバイアスを駆動用トランジ
スタＱに与えることにより、駆動電流ｉの立ち上がり時
間ｔ3 が短縮されるのである。
時間ｔ4 を短縮するため、駆動電流ｉの立ち上がり時間
ｔ3 を短縮する。そしてそのために従来と同様に、駆動
用トランジスタＱにおいて時刻０以前にバイアスを与え
る。しかし、駆動電流ｉの立ち上がり時間ｔ3 を短縮す
るためには時刻０以前において長くバイアスを印加して
おく必要はない。即ち、この実施例では従来とは異な
り、直流ではなく、パルス状のバイアスが与えられる。
時刻ｔ5 においてパルス状のバイアスを駆動用トランジ
スタＱに与えることにより、駆動電流ｉの立ち上がり時
間ｔ3 が短縮されるのである。
【００２０】ここで、時刻０の直前で駆動電流ｉは値ｉ
1 に安定することが要求されるが、パルス状バイアスの
開始時刻ｔ5 を−３μｓｅｃより前に選ぶことでこの要
求は満足される。
1 に安定することが要求されるが、パルス状バイアスの
開始時刻ｔ5 を−３μｓｅｃより前に選ぶことでこの要
求は満足される。
【００２１】このようにして駆動電流ｉは時刻０の直前
で値ｉ1 に安定しているので、駆動用トランジスタＱが
ハイゲートのためのパルス電流を出力した場合、その立
上がり時間ｔ3 は従来の場合と同様、１μｓｅｃ以下と
なる。よって高出力レーザダイオードＬＤの出力するハ
イゲートの立ち上がり時間ｔ4 も同様に１μｓｅｃ以下
となる。その結果、光サイリスタＳＣを高速にターンオ
ンすることができる。しかも、バイアスが印加される時
間が短いので、高出力レーザダイオードＬＤの活性層の
温度上昇も回避できる。
で値ｉ1 に安定しているので、駆動用トランジスタＱが
ハイゲートのためのパルス電流を出力した場合、その立
上がり時間ｔ3 は従来の場合と同様、１μｓｅｃ以下と
なる。よって高出力レーザダイオードＬＤの出力するハ
イゲートの立ち上がり時間ｔ4 も同様に１μｓｅｃ以下
となる。その結果、光サイリスタＳＣを高速にターンオ
ンすることができる。しかも、バイアスが印加される時
間が短いので、高出力レーザダイオードＬＤの活性層の
温度上昇も回避できる。
【００２２】例えばｔ5 ＝−３μｓｅｃとし、６０Ｈｚ
３相交流を整流する場合を考える。パルスの周期は１
６．７ｍｓｅｃ、光サイリスタＳＣがオフする時間は１
１．１ｍｓｅｃとなる。従来のように駆動用トランジス
タＱに直流バイアスが印加されていた場合は、光サイリ
スタＳＣがオフする時間（１１．１ｍｓｅｃ）にも高出
力レーザダイオードＬＤへは値ｉ1 の駆動電流ｉが流れ
ている。
３相交流を整流する場合を考える。パルスの周期は１
６．７ｍｓｅｃ、光サイリスタＳＣがオフする時間は１
１．１ｍｓｅｃとなる。従来のように駆動用トランジス
タＱに直流バイアスが印加されていた場合は、光サイリ
スタＳＣがオフする時間（１１．１ｍｓｅｃ）にも高出
力レーザダイオードＬＤへは値ｉ1 の駆動電流ｉが流れ
ている。
【００２３】高出力レーザダイオードＬＤの熱抵抗を３
０℃／Ｗ，バイアス電流の値ｉ1 ＝３００ｍＡ，高出力
レーザダイオードＬＤの電圧を１．８Ｖと仮定すると、
高出力レーザダイオードＬＤの活性層は値ｉ1 の駆動電
流ｉだけで１６．２℃上昇する。レーザダイオードの寿
命は、温度が高くなると短くなり、例えばＧａＡｓ系レ
ーザの温度上昇による寿命の活性化エネルギーの一般的
な値０．７ｅＶを仮定すると、上記の温度上昇１６．２
℃でレーザの寿命は０．２８倍程度に短くなる。
０℃／Ｗ，バイアス電流の値ｉ1 ＝３００ｍＡ，高出力
レーザダイオードＬＤの電圧を１．８Ｖと仮定すると、
高出力レーザダイオードＬＤの活性層は値ｉ1 の駆動電
流ｉだけで１６．２℃上昇する。レーザダイオードの寿
命は、温度が高くなると短くなり、例えばＧａＡｓ系レ
ーザの温度上昇による寿命の活性化エネルギーの一般的
な値０．７ｅＶを仮定すると、上記の温度上昇１６．２
℃でレーザの寿命は０．２８倍程度に短くなる。
【００２４】一方、この実施例のようにｔ5 ＝−３μｓ
ｅｃであるパルス状のバイアスを印加した場合は、光サ
イリスタＳＣがオフした時のパルスバイアスとしては
０．０３％のデューティで印加したものにすぎず、高出
力レーザダイオードＬＤの温度上昇は無視できることと
なる。
ｅｃであるパルス状のバイアスを印加した場合は、光サ
イリスタＳＣがオフした時のパルスバイアスとしては
０．０３％のデューティで印加したものにすぎず、高出
力レーザダイオードＬＤの温度上昇は無視できることと
なる。
【００２５】また、パルス状のバイアスを与える駆動用
トランジスタＱの制御性の容易さを考慮し、ｔ5 ＝−１
００μｓｅｃとして１００μｓｅｃの幅のパルスを高出
力レーザダイオードＬＤに与えたとしても、光サイリス
タＳＣがオフする時のパルスバイアスのデューティとし
て１％以下にしかすぎない。このため、高出力レーザダ
イオードＬＤの温度上昇はほとんど無視できる。従っ
て、パルスバイアスの幅としては３μｓｅｃ〜数百μｓ
ｅｃ程度を用いるのが実用的に有効である。
トランジスタＱの制御性の容易さを考慮し、ｔ5 ＝−１
００μｓｅｃとして１００μｓｅｃの幅のパルスを高出
力レーザダイオードＬＤに与えたとしても、光サイリス
タＳＣがオフする時のパルスバイアスのデューティとし
て１％以下にしかすぎない。このため、高出力レーザダ
イオードＬＤの温度上昇はほとんど無視できる。従っ
て、パルスバイアスの幅としては３μｓｅｃ〜数百μｓ
ｅｃ程度を用いるのが実用的に有効である。
【００２６】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、第２の
駆動電流を印加する前に、駆動回路を高速動作させるた
めのバイアス電流をパルス状に印加するので、高速動作
を劣化させることなくレーザダイオードの活性層の温度
上昇が抑えられ、長寿命動作が可能となる。
駆動電流を印加する前に、駆動回路を高速動作させるた
めのバイアス電流をパルス状に印加するので、高速動作
を劣化させることなくレーザダイオードの活性層の温度
上昇が抑えられ、長寿命動作が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施例を示す波形図である。
【図２】従来の技術を示す回路図である。
【図３】従来の技術を示す波形図である。
ｔ5 時刻 ｉ 駆動電流 ＬＤ 高出力レーザダイオード Ｑ 駆動用トランジスタ
Claims (2)
- 【請求項１】 レーザダイオードを駆動回路で駆動する
レーザダイオードの駆動方法であって、 （ａ）前記駆動回路にパルス状のバイアスを与え、前記
駆動回路から前記レーザダイオードにパルス状の第１の
駆動電流を印加する工程と、 （ｂ）前記工程（ａ）に引き続いて、前記駆動回路から
前記レーザダイオードに第２の駆動電流を印加する工程
と、 を備え、 前記第１の駆動電流の電流値は前記レーザダイオードを
駆動することができるしきい値未満であり、 前記第２の駆動電流の電流値は前記しきい値以上であ
る、レーザダイオードの駆動方法。 - 【請求項２】 前記第１の駆動電流のパルス幅は３μｓ
ｅｃ〜１０００μｓｅｃである、請求項１記載のレーザ
ダイオードの駆動方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18130393A JPH0738184A (ja) | 1993-07-22 | 1993-07-22 | レーザダイオードの駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18130393A JPH0738184A (ja) | 1993-07-22 | 1993-07-22 | レーザダイオードの駆動方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0738184A true JPH0738184A (ja) | 1995-02-07 |
Family
ID=16098323
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18130393A Pending JPH0738184A (ja) | 1993-07-22 | 1993-07-22 | レーザダイオードの駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0738184A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0743726A2 (en) * | 1995-05-19 | 1996-11-20 | Kabushiki Kaisha Topcon | Laser oscillating apparatus and method of driving a laser beam source |
| JP2009143239A (ja) * | 1998-09-23 | 2009-07-02 | Agfa Gevaert Nv | しきい値電流レベルを有するレーザーを制御するための方法と装置 |
| US10451665B2 (en) | 2017-05-26 | 2019-10-22 | Fuji Electric Co., Ltd. | Pulse current application circuit and control method thereof |
-
1993
- 1993-07-22 JP JP18130393A patent/JPH0738184A/ja active Pending
Cited By (4)
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|---|---|---|---|---|
| EP0743726A2 (en) * | 1995-05-19 | 1996-11-20 | Kabushiki Kaisha Topcon | Laser oscillating apparatus and method of driving a laser beam source |
| EP0743726A3 (en) * | 1995-05-19 | 1997-08-13 | Topcon Corp | Laser oscillator and method of controlling a laser source |
| JP2009143239A (ja) * | 1998-09-23 | 2009-07-02 | Agfa Gevaert Nv | しきい値電流レベルを有するレーザーを制御するための方法と装置 |
| US10451665B2 (en) | 2017-05-26 | 2019-10-22 | Fuji Electric Co., Ltd. | Pulse current application circuit and control method thereof |
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