JPH073553Y2 - 小型磁気スイッチ - Google Patents
小型磁気スイッチInfo
- Publication number
- JPH073553Y2 JPH073553Y2 JP1987162522U JP16252287U JPH073553Y2 JP H073553 Y2 JPH073553 Y2 JP H073553Y2 JP 1987162522 U JP1987162522 U JP 1987162522U JP 16252287 U JP16252287 U JP 16252287U JP H073553 Y2 JPH073553 Y2 JP H073553Y2
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- JP
- Japan
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- substrate
- thin film
- contact
- magnetic
- cantilever
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- Switches That Are Operated By Magnetic Or Electric Fields (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は、磁界が可動接点に作用することによって、可
動接点が動作して固定接点と接触する磁気スイッチの改
良に関する。
動接点が動作して固定接点と接触する磁気スイッチの改
良に関する。
従来の磁気スイッチの一例を第４図に示し、以下これに
ついて説明する。
ついて説明する。
15はFe−Ni等の磁性体のリード線で、このリード線15を
２本、その先端を接点状に成型し、この先端を間隔を介
して対向させると共に、この先端を囲繞するようにガラ
ス16に封入したものである。
２本、その先端を接点状に成型し、この先端を間隔を介
して対向させると共に、この先端を囲繞するようにガラ
ス16に封入したものである。
従来の磁気スイッチは前述のような構成であるので、小
型化には限界があり、高密度の回路基板に実装する際に
は、その占有面積が増大し、且つ基板から浮かせるた
め、高さ方向の寸法が不安定となったり、手作業による
ハンダ付けを必要とする等、使いずらい欠点があった。
型化には限界があり、高密度の回路基板に実装する際に
は、その占有面積が増大し、且つ基板から浮かせるた
め、高さ方向の寸法が不安定となったり、手作業による
ハンダ付けを必要とする等、使いずらい欠点があった。
よって本考案は、上述した従来の磁気スイッチの欠点を
解消し、基板上に直接に、磁気スイッチを形成すること
によって、半田付け作業を必要とせず高さ方向の寸法が
一定化されマグネットとの相対寸法が安定し、小型化と
ICとの一体化が可能であり、かつ塵埃等が接点間に進入
するおそれの少ない構造の小型磁気スイッチを提供する
ことを目的としている。
解消し、基板上に直接に、磁気スイッチを形成すること
によって、半田付け作業を必要とせず高さ方向の寸法が
一定化されマグネットとの相対寸法が安定し、小型化と
ICとの一体化が可能であり、かつ塵埃等が接点間に進入
するおそれの少ない構造の小型磁気スイッチを提供する
ことを目的としている。
上記目的を達成するため本考案により成された小型磁気
スイッチは、シリコン、ガラス等の第１の基板と、該第
１の基板の上にパターン状に蒸着或いはスパッタなどに
より形成された磁性薄膜を含む固定接点と、シリコンか
らなる第２の基板と、該第２の基板に一体に形成された
弾性を有するカンチレバーと、該カンチレバーの表面に
蒸着或いはスパッタなどにより形成された磁性薄膜を含
む可動接点とを備え、前記固定接点に対して微小な間隙
を介して前記可動接点の先端の一部分が対向するよう
に、前記カンチレバーの周辺で前記第１の基板に対し前
記第２の基板を接合したことを特徴としている。
スイッチは、シリコン、ガラス等の第１の基板と、該第
１の基板の上にパターン状に蒸着或いはスパッタなどに
より形成された磁性薄膜を含む固定接点と、シリコンか
らなる第２の基板と、該第２の基板に一体に形成された
弾性を有するカンチレバーと、該カンチレバーの表面に
蒸着或いはスパッタなどにより形成された磁性薄膜を含
む可動接点とを備え、前記固定接点に対して微小な間隙
を介して前記可動接点の先端の一部分が対向するよう
に、前記カンチレバーの周辺で前記第１の基板に対し前
記第２の基板を接合したことを特徴としている。
上記構成において、可動接点の磁性薄膜に磁界が作用す
ると、可動接点の磁性薄膜が固定接点の磁性薄膜に引き
つけられ、可動接点が固定接点に接して回路を閉じる。
ると、可動接点の磁性薄膜が固定接点の磁性薄膜に引き
つけられ、可動接点が固定接点に接して回路を閉じる。
しかも、可動接点が形成されている第２の基板と一体に
形成したカンチレバーは変形に要する力が小さく、かつ
単結晶であって強度的に安定であるので、可動接点及び
固定接点が大きな磁気吸引力を期待できない磁性薄膜か
らなっていても、十分な磁気スイッチ作動が期待でき
る。
形成したカンチレバーは変形に要する力が小さく、かつ
単結晶であって強度的に安定であるので、可動接点及び
固定接点が大きな磁気吸引力を期待できない磁性薄膜か
らなっていても、十分な磁気スイッチ作動が期待でき
る。
固定電極及び可動電極はいずれも蒸着或いはスパッタな
どにより形成されたものであり、可動電極を支えるカン
チレバーはIC製造技術を使用して微細にかつ高精度に、
しかも大量に処理することができる。
どにより形成されたものであり、可動電極を支えるカン
チレバーはIC製造技術を使用して微細にかつ高精度に、
しかも大量に処理することができる。
更に、固定接点に対して微小な間隙を介して可動接点の
先端の一部分が対向するように、カンチレバーの周辺で
第１の基板に対し第２の基板を接合しているので、固定
接点及び可動接点間の空間が第２の基板によって覆わ
れ、微細な隙間を残して両接点全体が略密閉される。
先端の一部分が対向するように、カンチレバーの周辺で
第１の基板に対し第２の基板を接合しているので、固定
接点及び可動接点間の空間が第２の基板によって覆わ
れ、微細な隙間を残して両接点全体が略密閉される。
次に、本考案の実施の一例を第１図〜第３図について説
明する。
明する。
５はシリコン、ガラス等の基板で、その表面５から数ミ
クロン〜十数ミクロン低い第１の底面5a、この第１の底
面から固定接点と可動接点間の寸法だけ高い第２の底面
5bが、第３図のように形成される。
クロン〜十数ミクロン低い第１の底面5a、この第１の底
面から固定接点と可動接点間の寸法だけ高い第２の底面
5bが、第３図のように形成される。
このような第１の底面5a、第２の底面5bは基板５がガラ
スである際には、HF等によってエッチング加工すること
によって形成される。
スである際には、HF等によってエッチング加工すること
によって形成される。
この第１の底面5aには、固定接点となるFe−Ni、Ni−Co
等の磁性薄膜6bが数ミクロン厚さで、更にその上に金等
の接点薄膜7bが極めて薄く、蒸着、或いはスパッタ等の
方法で、順次に、パターン状に形成される。
等の磁性薄膜6bが数ミクロン厚さで、更にその上に金等
の接点薄膜7bが極めて薄く、蒸着、或いはスパッタ等の
方法で、順次に、パターン状に形成される。
この時、第２の底面5bにも磁性薄膜6a、接点薄膜7aが同
時に形成されている。
時に形成されている。
１はシリコン基板で、その下面には窪部1aによってカン
チレバー２が弾性をもって形成されている。
チレバー２が弾性をもって形成されている。
このカンチレバー２の部分には、第２図のように磁性薄
膜３が数ミクロンの厚さで、更にその上に金等の接点薄
膜４が極めて薄く形成されている。
膜３が数ミクロンの厚さで、更にその上に金等の接点薄
膜４が極めて薄く形成されている。
カンチレバー２は、シリコン基板１に磁性薄膜３、接点
薄膜４を蒸着、或いはスパッタで順次形成した後、窪部
1aを形成することによって形成される。
薄膜４を蒸着、或いはスパッタで順次形成した後、窪部
1aを形成することによって形成される。
そして、第１図のように接点薄膜４の一部が接点薄膜7b
の上に位置するように、シリコン基板１を基板５の上に
接合し、接点薄膜４と接点薄膜7aを接触させ、これ等を
導通状態とする。
の上に位置するように、シリコン基板１を基板５の上に
接合し、接点薄膜４と接点薄膜7aを接触させ、これ等を
導通状態とする。
又、カンチレバー２、磁性薄膜３、接点薄膜４で可動接
点を構成し、この小型磁気スイッチに磁界が近づくと、
磁性薄膜3,6a,7aが第１図のように励磁され、可動接点
が固定接点に吸着され、接点薄膜7a〜7b間が導通状態と
なる。
点を構成し、この小型磁気スイッチに磁界が近づくと、
磁性薄膜3,6a,7aが第１図のように励磁され、可動接点
が固定接点に吸着され、接点薄膜7a〜7b間が導通状態と
なる。
更に、磁界が去ると、前記励磁は触除され、可動接点は
磁性薄膜３、カンチレバー２の弾性で固定接点から離
れ、接点導膜7a〜7b間は非導通状態となる。
磁性薄膜３、カンチレバー２の弾性で固定接点から離
れ、接点導膜7a〜7b間は非導通状態となる。
従って、接点薄膜7a,7bに回路を接続し、その間をマグ
ネットの近接で開閉する磁気スイッチとなるものであ
る。
ネットの近接で開閉する磁気スイッチとなるものであ
る。
以上説明したように本考案によれば、基板上の同一面に
固定接点及び可動接点がパターン状に蒸着或いはスパッ
タなどにより形成されて基板上に直接磁気スイッチが形
成されるので、量産性に優れる他、基板に対する高さは
一定化され、基板とマグネットとの寸法を一定化するこ
とで、正確な開閉動作をさせることができる。
固定接点及び可動接点がパターン状に蒸着或いはスパッ
タなどにより形成されて基板上に直接磁気スイッチが形
成されるので、量産性に優れる他、基板に対する高さは
一定化され、基板とマグネットとの寸法を一定化するこ
とで、正確な開閉動作をさせることができる。
そして、この磁気スイッチの高さは極めて低く、非常に
小型化することが可能となる。しかも、その製造にはIC
製造技術が用いて第２の基板と一体に形成されるカンチ
レバーは変形に要する力が小さく、かつ単結晶であって
強度的に安定であるので、可動接点及び固定接点が大き
な磁気吸引力を期待できない磁性薄膜からなっていて
も、十分な磁気スイッチ作動が期待できる他、スイッチ
性能の重要な要素である固定電極及び可動電極の対向部
分間の間隙が微小にかつ正確に保持され、低磁束の磁気
により作動する高感度のスイッチとなる他ICとの一体化
も可能である等の特徴を有するものである。
小型化することが可能となる。しかも、その製造にはIC
製造技術が用いて第２の基板と一体に形成されるカンチ
レバーは変形に要する力が小さく、かつ単結晶であって
強度的に安定であるので、可動接点及び固定接点が大き
な磁気吸引力を期待できない磁性薄膜からなっていて
も、十分な磁気スイッチ作動が期待できる他、スイッチ
性能の重要な要素である固定電極及び可動電極の対向部
分間の間隙が微小にかつ正確に保持され、低磁束の磁気
により作動する高感度のスイッチとなる他ICとの一体化
も可能である等の特徴を有するものである。
更に、固定接点及び可動接点間の空間が第２の基板によ
って覆われ、微細な隙間を残して両接点全体が略密閉さ
れるので、塵埃などが接点間に侵入することを未然に防
止できるなどの効果が得られる。なお、湿気等の侵入を
防ぐには封止剤で全体を覆うことも可能である。
って覆われ、微細な隙間を残して両接点全体が略密閉さ
れるので、塵埃などが接点間に侵入することを未然に防
止できるなどの効果が得られる。なお、湿気等の侵入を
防ぐには封止剤で全体を覆うことも可能である。
第１図は本考案の一実施例の断面図、 第２図はそのシリコン基板の底面図、 第３図はその基板の平面図、 第４図は従来の磁気スイッチの断面図である。 １…シリコン基板、２…カンチレバー、3,6a,6b…磁性
薄膜、4,7a,7b…接点薄膜。
薄膜、4,7a,7b…接点薄膜。
Claims (1)
- 【請求項１】シリコン、ガラス等の第１の基板と、 該第１の基板の上にパターン状に蒸着或いはスパッタな
どにより形成された磁性薄膜を含む固定接点と、 シリコンからなる第２の基板と、 該第２の基板に一体に形成された弾性を有するカンチレ
バーと、 該カンチレバーの表面に蒸着或いはスパッタなどにより
形成された磁性薄膜を含む可動接点とを備え、 前記固定接点に対して微小な間隙を介して前記可動接点
の先端の一部分が対向するように、前記カンチレバーの
周辺で前記第１の基板に対し前記第２の基板を接合した ことを特徴とする小型磁気スイッチ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987162522U JPH073553Y2 (ja) | 1987-10-26 | 1987-10-26 | 小型磁気スイッチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987162522U JPH073553Y2 (ja) | 1987-10-26 | 1987-10-26 | 小型磁気スイッチ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0166734U JPH0166734U (ja) | 1989-04-28 |
| JPH073553Y2 true JPH073553Y2 (ja) | 1995-01-30 |
Family
ID=31446424
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1987162522U Expired - Lifetime JPH073553Y2 (ja) | 1987-10-26 | 1987-10-26 | 小型磁気スイッチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH073553Y2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0602538B1 (fr) * | 1992-12-15 | 1997-06-04 | Asulab S.A. | Contacteur "reed" et procédé de fabrication de microstructures métalliques tridimensionnelles suspendues |
| JP2016177988A (ja) * | 2015-03-20 | 2016-10-06 | アルプス電気株式会社 | 磁気リードスイッチ |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5276675A (en) * | 1975-12-23 | 1977-06-28 | Seikosha Kk | Method of manufacturing electrodes |
| JPS54104563A (en) * | 1978-02-03 | 1979-08-16 | Alps Electric Co Ltd | Method of making circuit board |
| JPS54144823A (en) * | 1978-05-04 | 1979-11-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Keyboard of non-keying type |
| JPS55115216A (en) * | 1979-02-27 | 1980-09-05 | Fujitsu Ltd | Method of forming movable electrode on base |
| JPS5710417U (ja) * | 1980-06-20 | 1982-01-20 |
-
1987
- 1987-10-26 JP JP1987162522U patent/JPH073553Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5276675A (en) * | 1975-12-23 | 1977-06-28 | Seikosha Kk | Method of manufacturing electrodes |
| JPS54104563A (en) * | 1978-02-03 | 1979-08-16 | Alps Electric Co Ltd | Method of making circuit board |
| JPS54144823A (en) * | 1978-05-04 | 1979-11-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Keyboard of non-keying type |
| JPS55115216A (en) * | 1979-02-27 | 1980-09-05 | Fujitsu Ltd | Method of forming movable electrode on base |
| JPS5710417U (ja) * | 1980-06-20 | 1982-01-20 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0166734U (ja) | 1989-04-28 |
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