JPH073496B2 - ２つの光結合を与える装置及び該装置の製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、光ファイバ伝送系に見られるような、素子と
小断面光導波路との間の２つの光結合を提供する装置に
係わる。

［従来の技術及び発明が解決しようとする課題］ 最初に、従来のこの種の装置について説明する。

説明のために、かかる装置は、長手方向（Ｚ）に沿って
後方端部から前方端部まで延伸しており、更にこの装置
は、横方向（Ｘ）とこれに対する垂直方向（Ｙ）とを含
む横断方向を規定すると仮定する。この装置は、後述す
る機能の点で本発明の装置の特定の実施態様と共通する
以下の部品を包含している。即ちこの装置は、後方光結
合を実行するために前方に向いた内側端部を有する一定
長の長手方向光導波路によって構成されている後方導波
路と、 後方導波路の下方に設置されており且つ導波路をその内
側端部近傍で担持する後方導波路支持体と、 後方光結合を実行するための後方結合表面と前方光結合
を実行するための前方結合表面とを有する光電子工学素
子と、 電力を光電子工学素子に供給するための導電体と、 光電子工学素子を支持する上面を有する素子ベースであ
って、素子内で生成される熱を除去し得る熱伝導性のベ
ース材料によって構成されているベースと、 典型的には熱調整を供給する冷却手段であり素子の温度
を調節するために素子ベースと熱的接触している熱作用
手段と、 前方光結合を実行するために後方に向いた内側端部を有
する一定長の長手方向光導波路によって構成されている
前方導波路と、 前方導波路の下方に設置されており且つ導波路をの内側
端部近傍で担持する電報導波路支持体と、 後方光結合及び前方光結合を保持するために、後方導波
路支持体及び前方導波路支持体を素子ベースに体して保
持する保持手段 とを具備している。

このような装置が果たす役割は典型的には増幅である。
即ち、長距離にわたり案内されて走行したことにより大
幅に減衰した信号が、後方導波路を構成するファイバに
よって受信され、この信号はパワーが大幅に増大され
て、前方導波路を構成するもう１つのファイバ内に再度
蓄積される。前述の光電子工学素子は典型的にはレーザ
ダイオードによって構成される半導体光増幅器である。

ファイバはこのような素子に典型的にはファイバ端部に
形成されたレンズによって光学的に接続される。これに
まず前述の端部を素子に対して正確に位置決めし、次に
ファイバを、素子を担持するベースに対して固定する。
かかる光結合は特に、光が単一モードファイバに注入さ
れる場合にはファイバの実際の位置が少なくとも横断方
向において最適位置の数百ナノメートル内にあるべきで
あるので、得るのが難しい。もしファイバがそれ以上ず
れていると、結合効率は容認し得ないものになる。例え
ば100nmのずれは０〜1dBの結合の損失を惹起し得る。

本発明の目的は、損失のレベルが低くしかも長期にわた
り低く維持される２つの光結合が提供されるように、２
つの光結合を提供する装置を提供し得ることである。

［課題を解決するための手段］ このために本発明は、２つの光結合を提供する装置であ
って、その温度が調整されるべき光電子工学素子を担持
するための熱伝導性素子ベースを備えており、更に、素
子の両側で２つの長手方向光導波路を担持し且つ素子を
２つの導波路に結合するための２つの導波路支持体を有
しており、素子ベースが、横断方向の接触の主な面を有
する板形状であり且つ素子ベースとは異なる材料で作ら
れたレセプタクルの凹部内に設けられており、素子ベー
スは横断方向の接触の主な面の領域に亘ってレセプタク
ルと熱的に接触して固定されており、２つの導波路支持
体をレセプタクルに固定する前に２つの導波路支持体の
レセプタクルに対する横断方向位置の調整を容易にする
べく、レセプタクルは２つの導波路支持体の２つの横断
方向担持面と接触している２つの横断方向担持面を有し
ていることを特徴とする装置を提供する。

本発明による装置は上記の様に構成されたので、例えば
ファイバを担持する２つの導波路支持体はレセプタクル
に固定される前に、互いに接触した支持体及びレセプタ
クルの横断方向担持面を介して横断方向の位置調整が行
なわれる。従って、これにより損失のレベルが低くしか
も長期にわたり低く維持される２つの光結合を提供する
ことができ、ファイバの端部と素子との間の大変短い距
離においてファイバの位置が数百ナノメートルの精度で
調整され得る。さらに、素子ベースを介した熱接触によ
る大きな冷却効果がもたらされる。

特に本発明の装置は前述の共通部品の少なくとも幾つか
を含んでおり、更に前述の従来の装置と比較して、保持
手段が、素子を担持する素子ベースを受容する凹部を形
成するレセプタクルを備えており、レセプタクルが、 凹部の後方に配置された内側後方組立てブロックであっ
て、このブロックの後方横断方向平面が内側後方担持面
を構成しているブロックと、 凹部の前方に配置された内側前方組立てブロックであっ
て、このブロックの前方横断方向平面が内側前方担持面
を構成しており且つこのブロックが内側後方組立てブロ
ックに固定されているブロックと、 素子ベースの接触面を、後方及び前方内側組立てブロッ
クの一方である少なくとも１つの受容ブロックの接触面
に対して押圧し、それによってベースをレセプタクルに
対して固定し、少なくとも場合によってはベースと受容
ブロックとの間に熱的接触を与えるためのベース保持手
段とを備えており、 かかる場合には熱作用手段が、受容ブロックを介して素
子ベースと間接的に熱的接触して配備されており、 後方導波路支持体が、内側後方担持面に当接する外側後
方担持面を構成する前方横断方向平面を有する外側後方
組立てブロックであり、 前方導波路支持体が、内側前方担持面に当接する外側前
方担持面を構成する後方横断方向平面を有する外側前方
組立てブロックであり、 ４つ全ての組立てブロックが剛性で且つ溶接可能な組立
て材料でできており、 外側後方組立てブロックを内側組立てブロックに溶接す
るために、後方溶接点が前記２つの後方担持面の少なく
とも一方の縁に形成されており、 内側前方組立てブロックを外側組立てブロックに溶接す
るために、前方溶接点が２つの前方担持面の少なくとも
一方の縁に形成されていることを特徴とする。

［実施例］ 以下、添付の図面を参照して本発明の実施態様を説明す
る。記載及び図示する部品及び位置は非限定な例として
与えているにすぎないことを理解されたい。同じ部品が
１つ以上の図面に現れる場合には、それらは全て同じ参
照記号で示されている。

図面中、長手方向、横方向及び垂直方向はそれぞれＺ、
Ｘ及びＹで表されている。

導波路は、FA及びFBで示された後方及び前方ファイバで
ある。これらのファイバは（内側端部FAT及FBTは除き）
組立てブロック近傍では、ファイバがその中に固定され
ている２つのファイバ担持金属チューブTA及びTBによっ
てそれぞれ包囲されている。ファイバの端部は、光結合
を向上させる屈折曲面を形成するために、加熱すること
により軟化されたものである。

チューブTA及びTBの各々は、外側後方組立てブロックBA
または外側前方組立てブロックBBに形成された２（第４
図）のような対応するＶ字形溝内に置かれる。各チュー
ブは対応するブロックに、４及び６（第１図）のような
４つのファイバ固定溶接点によって固定される。

前述の光電子工学素子は、前述の内側端部FAT及びFBTに
対面する後方結合表面LA及び前方結合表面LB（第２図参
照）を有するレーザダイオードＬによって構成される半
導体光増幅器である。この素子は素子ベースEL上に載置
されており、同じベース上に形成されるている８のごと
き接続タブに接続された10のごとき細い導電ワイヤを介
して電気的に作動される。

素子ベースELは、熱伝導性が優れており且つ光電子工学
素子及びその関連部品を固定するのを容易にする金属、
典型的には銅で構成されるような金属で製造されてい
る。また素子ベースは、その厚さが前述の長手方向Ｚに
延伸し且つ前述の光電子工学素子の長さ、即ち前述の長
手方向Ｚに沿って延伸するその結合表面間の距離に実質
的に等しい板状の形態である。この形状は、素子を十分
に冷却するとともに素子を素子ベース上に固定した後に
素子の後方結合及び前方結合表面上で行う処理作業を容
易にすという長所を有する。前述の処理とは典型的には
反射防止多層光学処理である。

素子ベースELを受容するために、後方及び前方内側組立
てブロックDA及びDBによって構成される中央のレセプタ
クル内には凹部12が形成されている。

実施例に示した装置においてはレセプタクルはブロック
DA及びDBを形成する２つの別個の部品から構成されてい
るが、このようなレセプタクルは、かかる部分を電食に
よってくり抜くことにより単一の部品として形成するこ
ともできることを理解されたい。単一の部品を使用する
場合にはその単一の部品の２つの部分を凹部と後方と前
方とに配置し、前述の後方及び前方内側組立てブロック
に対応させる。

素子ベースELの主面の１つは平坦で横方向Ｘ及び垂直方
向Ｙを含む横断方向に延伸している接触表面ELSを構成
しており、この接触表面ELSは、受容ブロックを構成す
る内側前方ブロックDBの対応する接触表面DBUに体して
押し付けられている。

これは、第３図に示すように、受容ブロックに設けられ
た対応するねじ孔57内に長手方向にねじ込まれる例えば
14のような、少なくとも１つ好ましくは２つのねじによ
ってなされる。ブロックBA及びDAを合わせて組立てる前
に、上述のねじの頭部はブロックDAを通して形成された
16のような長手方向孔を通して接触可能である。

組立てブロックBA、DA、DB及びBBは、熱膨張率が低く、
融点が高く、硬度が比較的高く、しかも変形性が低い同
じ金属で形成されている剛性部品である。この組立て金
属は例えばFe、Ni、Coなどの合金とすることができる。
このような材料を選択することにより、温度変化及び／
または時間経過に伴なう変化の間に生じ得る不本意な変
形、特にかかるブロックを合わせて固定する溶接点を形
成する際に生じる変形が防止される。また材料の選択に
よって、平坦で研磨されており、従って横方向位置調整
作業の際に相互に正確に滑動し得る接触面を提供し得
る。

本発明の当初では、ベース及び組立てブロックに使用可
能な材料に係わる上述の詳細は、実際には組立てブロッ
ク材料の熱膨張率がベース材料のそれより小さい必要が
あり、作業温度が変化する場合には、これは膨張差を生
じるという欠点が考えられた。しかしながら本発明にお
いては、目下のところ上述の欠点を容認はするが、温度
を適当に調整することにより膨張差を小さくすることが
好ましいと考えている。

例えばブロックDAのような上述のブロックの各々は、 各々が長手方向Ｚに沿って延伸し且つ横方向Ｘに沿って
相互に一定距離だけ離れている２つの側縁20及び22間に
形成されている上面18と、 前述の２つの側縁のそれぞれから相互の垂直方向Ｙに沿
って下向きに延伸する２つの側面24と、前述の側面24に
おいて、それぞれの前述の側縁から一定距離を置いたと
ころから前述の横方向Ｘに沿って突出する２つの肩26及
び28とを備えている。

第１図に示すブロックを溶接するPAのごとき２つの溶接
点は、ブロックDAの上面18の２つの側縁20及び22のそれ
ぞれの近傍にある30のごとき小領域に拡がっている。QA
のごとき他の２つの溶接点は、２つの肩26及び28のそれ
ぞれの32のような小領域に拡がっている。これらの溶接
点は、常に実質的に前述の相互の垂直方向に沿って伝搬
する放射エネルギビームからのパルスによって形成する
ことができる。このような放射線は例えばYAG型レーザ
によって提供することができる。

このように形成された溶接点は自己溶接点である。即ち
溶接点は、前述の放射ネルギの衝撃下に局所的に溶融さ
れた前述の組立てブロックの金属によって構成されてい
る。

かかる溶接点は特に、後方ブロックBA及びDAを合わせて
溶接するための18のごとき上面の上及び28のような肩の
上にそれぞれ形成されたPA及びQAのような後方溶接点
と、前方ブロックBB及びDBを合わせて溶接するためのPB
及びQBのような前方溶接点とである。相互に当接してい
るDAS及びBASとDBS及びBBSのような担持表面は実質的に
相互に同じ形状であり、実質的に同じ寸法を有し、しか
も実質的に完全に一致しており、このような面を有する
ブロック対を相互連結するPA及びQAまたはPB及びQBのよ
うな溶接点は、それぞれ前述の面の１つに属し隣接する
２つの縁にわたって拡がっている。

素子ベースELを受容する凹部は、後方及び前方内側組立
てブロックDA及びDBの少なくとも一方に、この場合には
DB内に形成されている。

上述の２つのブロックはそれぞれ、相互に当接している
横断方向に拡がった中央担持平面DAT及びDBTを有してい
る。後方内側組立てブロックDAを前方内側組立てブロッ
クDBに溶接するために、中央溶接点PC及びQCが２つの中
央担持面の少なくとも一方の縁上、好ましくはそれらに
共通の縁上に形成される。

第５図に示すように、本発明の装置は、組立てブロック
BA、DA、DB及びBBを含む機能的組立て体を少くとも間接
的に担持する底部36と、一方がこの装置の後方端部にあ
る端部壁38であり且つ他方がこの装置の前方端部にある
端部壁40である２つの端部壁とを具備するハウジング内
で稼働される。前述の端部壁の各々には、それぞれ後方
及び前方ファイバの一方をその内側端部から一定の距離
のところで固定及び担持するための、長手方向外側に延
伸する固定尾部42または44が備わっている。また上述の
端部壁の少なくとも一方、この場合には38は、前述の尾
部を備えており且つ当該壁を貫く開口48を閉鎖するアド
オンパネル46を包含する複合壁であり、装置が製造され
る際には、後方及び前方ファイバを担持する機能的組立
て体が、前述の開口を通してハウジング内に挿入され
る。

更にハウジングは２つの側壁50とアドオンカバー52とを
有する。

底部36は、水平プレートの形態のペルチエ効果温度調整
部材54を担持している。この部材は、冷却手段、より一
般的には熱作用手段を構成している。中央中空ブロック
DA、DBは前述の部材に優れた熱的接触をもって固定され
ている。

上述の装置は、本発明の主旨の一部をなす以下の手段階
を含む方法で製造される。即ちこの方法は、 ２つの後方担持面BAS及びDASと２つの前方担持面DBS及
びBBSとを対にして相互に当接させる段階と、 後方ファイバFAと光電子工学素子Ｌを担持するベースEL
と前方ファイバFBとを、それぞれファイバの前述の素子
に対する長手方向位置を調整した後に、外側後方組立て
ブロックBAと中央凹部ブロックDA、DBと外側前方組立て
ブロックBBとに固定する段階と、 後方ファイバFAと光電子工学素子Ｌと前方ファイバFBと
の相対的横断方向位置を、相互に当接している担持面間
の相互摩擦で調整し、それによって入力及び出力光結合
を提供する段階と、 後方溶接点（PA、QA）及び前方溶接点（PB、QB）を、放
射エネルギの短パルスの衝撃下に組立てブロック材料を
局所的に溶融することにより形成する段階とを含む。

位置を調整する段階と次いで後方及び前方溶接点を形成
する段階とは、仏国特許出願第2 627 868号に記載の整
列方法で実施するのが好ましい。

より詳細に述べれば最初の組立て作業は、素子Ｌ及びワ
イヤ10を、14のような２つのねじの軸部を通すための２
つの孔が開けられた素子ベースEL上に必要とされ得る他
の全ての部品と一緒に固定することからなる。

次いでその素子ベースをブロックDBに、このブロックに
ある２つのねじ孔57内に嵌合いするこれらのねじを使用
して固定する。更にこのブロックをブロックDAに、PC及
びQCのような溶接点によって固定する。その後、ファイ
バFA及びFBのブロックBA及びBBに対する長手方向位置
を、チューブTA及びTBを２のような溝内で滑動させるこ
とにより調整し、同時にかかるブロックを横断方向に変
位させることにより、ファイバの横断方向位置予備調整
を行なう。このためにはブロックBA、BBを、ブロックDA
及びDBによって構成されるようなレセプタクルに対して
その後方及び前方担持面を介して押し付ける。この調整
は、光結合を測定することにより案内される。この後こ
れらのファイバをブロックに４及び６のような溶接点に
よって固定する。

最終的な横断方向位置は更に光結合測定装置を使用して
調整し、後方及び前方溶接点は前述の整列方法を使用し
ながら形成する。

上述の調整及び固定作業は、まずこの装置の一端例えば
後方端部に行い、次いで他端例えば前方端部に行う。

更に、温度調節部材54をハウジング36の底部に固定す
る。ブロックBA、DA、DB及びBBで構成されておりファイ
バFA及びFBと素子ベースEL上に載置されているダイオー
ドＬとを担持する機能的組立て体が、ハウジング内に開
口48を通して挿入される。このとき前方ファイバFBは尾
部44内に挿入する。組立て体を部材54上に固定し、前方
ファイバを尾部44内に固定し、その後パネル46を、後方
ファイバFAを尾部42内に挿入するようにして適所に配置
する。

そうしてこのパネルと対応するファイバとを固定し、電
気的接続を行った後にカバー52を固定する。

このようにして信頼性があり且つ効率的である要求され
る２つの結合を提供する小型の装置が容易に製造され、
しかも結合される光電子工学素子が実質的に最適な状態
で、特に最適な熱的状態で動作することが可能である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の装置の機能的組立て体の平面図、第２
図は第１図の一部拡大詳細図、第３図は第１図の装置の
組立て前のレセプタクルの斜視図、第４図は第１図の機
能的組立て体の組立てを示す斜視図、第５図は機能的組
立て体を組立てた後で且つカバー及びアドオンプレート
をハウジングに固定する前の本発明の装置のハウジング
を示す軸方向断面側面図である。 BA,DA……後方組立てブロック、BB,DB……前方組立てブ
ロック、EL……素子ベース、Ｌ……光電子工学素子（レ
ーザダイオード）、FA……後方ファイバ、FB……前方フ
ァイバ、PA,QA……後方溶接点、PB,B……前方溶接点、P
C,QC……中央溶接点、Ｘ……横方向、Ｙ……垂直方向、
Ｚ……長手方向、4,6……ファイバ溶接点。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 エマニユエル・グラール フランス国、91240・サン・ミシエル・シ ユル・オルジエ、アレ・デ・プリユニユ ス、８ (56)参考文献 特開 平１−183605（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−191812（ＪＰ，Ａ) 実開 昭63−82204（ＪＰ，Ｕ)

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】２つの光結合を与える装置であって、その
   温度が調整されるべき光電子工学素子（Ｌ）を担持する
   ための熱伝導性素子ベース（EL）を備えており、更に、
   前記素子の両側で２つの長手方向光導波路（FA,FB）を
   担持し且つ前記素子を前記２つの光導波路に結合するた
   めの２つの導波路支持体（BA,BB）を有しており、前記
   素子ベースが、横断方向の接触の主な面を有する板形状
   であり且つ前記素子ベースとは異なる材料で作られたレ
   セプタクル（DA,DB）の凹部内に設けられており、前記
   素子ベースは前記横断方向の接触の主な面の領域に亘っ
   て前記レセプタクルと熱的に接触して固定されており、
   前記２つの導波路支持体を前記レセプタクルに固定する
   前に前記２つの導波路支持体の前記レセプタクルに対す
   る横断方向位置の調整を容易にするべく、前記レセプタ
   クルは前記２つの導波路支持体の２つの横断方向担持面
   （BAS,BBS）と接触している２つの横断方向担持面（DA
   S,DBS）を有している２つの光結合を与える装置。
2. 【請求項２】特に光ファイバ伝送系における装置であっ
   て、該装置は、長手方向（Ｚ）に沿って後方端部から前
   方端部まで延伸し且つ横方向（Ｘ）と垂直方向（Ｙ）と
   を含む該装置に対する横断方向を規定しており、 後方光結合を実行するために前方に向いた内側端部（FA
   T）を有する一定長の長手方向光導波路によって構成さ
   れている後方導波路（FA）と、 前記後方導波路の下方に設置され且つ前記導波路をその
   前記内側端部近傍で担持する後方導波路支持体（BA）
   と、 前記後方光結合を実行するための後方結合表面と、前記
   光結合を実行するための前方結合表面とを有する光電子
   工学素子（Ｌ）と、 前記光電子工学素子を支持する上面を有する素子ベース
   （EL）と、 前記前方光結合を実行するために後方に向いた内側端部
   （FBT）を有する一定長の長手方向光導波路によって構
   成されている前方導波路（FB）と、 前記前方導波路の下方に設置され且つ前記導波路をその
   前記内側端部近傍で担持する前方導波路支持体（BB）
   と、 前記後方光結合及び前記前方光結合を保持するために、
   前記後方導波路支持体及び前記前方導波路支持体を前記
   素子ベースに対して保持する保持手段（DA,DB）とを具
   備しており、前記保持手段が、前記光電子工学素子を担
   持する前記素子ベースを受容する前記凹部（12）を形成
   するレセプタクルを備えており、前記レセプタクルが、 前記凹部の後方に配置された内側後方組立てブロックで
   あって、該ブロックの後方横断方向平面が内側後方担持
   面（DAS）を構成しているブロック（DA）と、 前記凹部の前方に配置された内側前方組立てブロックで
   あって、該ブロックの前方横断方向平面が内側前方担持
   面（DBS）を構成しており且つ該ブロックが前記内側後
   方組立てブロック（DA）に固定されているブロック（D
   B）と、 前記素子ベースの接触面（ELS）を、前記後方及び前方
   内側組立てブロックの１つである少なくとも１つの受容
   ブロック（DB）の接触面（DBU）に対して押圧し、それ
   によって前記ベースを前記レセプタクルに対して固定す
   るためのベース保持手段（14）とを備えており、 前記後方導波路支持体が、前記内側後方担持面に当接す
   る外側後方担持面（BAS）を構成する前方横断方向平面
   を有する外側後方組立てブロック（BA）であり、 前記前方導波路支持体が、前記内側前方担持面に当接す
   る外側前方担持面（BBS）を構成する後方横断方向平面
   を有する外側前方組立てブロック（BB）であり、 前記４つ全ての組立てブロックが剛性で且つ溶接可能な
   組立て材料でできており、 前記外側後方組立てブロックを前記内側後方組立てブロ
   ックに溶接するために、後方溶接点（PA,QA）が前記２
   つの後方担持面の少なくとも一方の縁に形成されてお
   り、 前記内側前方組立てブロックを前記外側前方組立てブロ
   ックに溶接するために、前方溶接点（PB,QB）が前記２
   つの前方担持面の少なくとも一方の縁に形成されている
   ことを特徴とする請求項１に記載の装置。
3. 【請求項３】前記素子ベース（EL）が熱伝導性ベース材
   料で構成されており、 前記装置が更に、前記素子内に生成された熱を除去する
   ため及び／または前記素子の温度を調節するために、前
   記素子ベースと熱的接触している熱作用手段（54）を包
   含しており、 前記ベース保持手段（14）が、前記素子ベース（EL）と
   前記受容ブロック（DB）との間の熱的接触を保証してお
   り、 前記熱作用手段（54）が、前記受容ブロックを介して前
   記ベースと間接的に熱的接触して設置されてることを特
   徴とする請求項２に記載の装置。
4. 【請求項４】前記ベース材料が、前記組立て材料よりも
   熱伝導性が良好であることを特徴とする請求項３に記載
   の装置。
5. 【請求項５】前記素子ベース（EL）の前記長手方向
   （Ｚ）の寸法が、前記光電子工学素子（Ｌ）の長手方向
   の寸法と実質的に等しいことを特徴とする請求項２に記
   載の装置。
6. 【請求項６】前記相互に当接している担持面（DAS,BA
   S）が実質的に同じ形状及び寸法であってしかも完全に
   一致しており、前記２つの面を有する前記２つの組立て
   ブロック（BA,DA）を相互に連結する前記溶接点（PA）
   の各々が、前２つの面のそれぞれに属し隣接する２つの
   縁にわたって拡がっていることを特徴とする請求項２に
   記載の装置。
7. 【請求項７】前記溶接点（PA,QA,PB,QB）が、前記組立
   て材料によって構成される自己溶接点であることを特徴
   とする請求項２に記載の装置。
8. 【請求項８】前記組立てブロック（DA）の各々が実質的
   に、 各々が前記長手方向（Ｚ）に沿って延伸し且つ前記横断
   方向（Ｘ）に沿って間隔を置いて並んでいる２つの側縁
   （20,22）間に形成されている上面（18）と、 前記２つの側縁のそれぞれから前記相互の垂直方向
   （Ｙ）に沿って下向きに延伸する２つの側面（24）と、 前記２つの側面での、それぞれの前記２つの側縁から一
   定距離を置いたところから前記横断方向に沿って突出し
   ている２つの肩（26,28）と、 常に実質的に前記相互の垂直方向に沿って伝搬する放射
   エネルギビームパルスによって形成されるのに適してい
   るように、前記２つの側縁（20）のそれぞれの近傍にあ
   る小領域（30）に拡がっている前記ブロックを溶接する
   溶接点の内の２つと、 前記２つの肩のそれぞれの小領域（32）に拡がっている
   前記ブロックを溶接する溶接点の内の２つとを具備して
   なることを特徴とする請求項７に記載の装置。
9. 【請求項９】前記素子ベース（EL）を受容する凹部（1
   2）が、前記２つの内側組立てブロック（DA,DB）の少な
   くとも一方内に形成されており、前記２つのブロック
   が、各々が対になって相互に当接している２つの横断方
   向中央担持面（DAT,DBT）を有する２つの別個の部品で
   構成されており、前記内側前方組立てブロックを前記内
   側後方組立てブロックに溶接するために、中央溶接点
   （PC,QC）が前記対をなす中央担持面の少なくとも一方
   の縁に形成されていることを特徴とする請求項２に記載
   の装置。
10. 【請求項１０】前記素子ベースを保持するための保持手
    段が、前記受容ブロック内にねじ込まれる少なくとも１
    つのねじ（14）を包含していることを特徴とする請求項
    ２に記載の装置。
11. 【請求項１１】前記装置が、 前記組立てブロック（BA,DA,DB,BB）を含む機能的組立
    て体を少なくとも間接的に担持する底部（36）と、 一方が前記装置の前方端部にある端部壁（38）であり且
    つ他方が該装置の後方端部にある端部壁（40）であっ
    て、各々が、前記後方導波路（FA）及び前方導波路（F
    B）の一方を該導波路の内側端部から一定の距離のとこ
    ろで固定及び担持するための、長手方向外側に延伸する
    固定尾部（42,44）を備えており、これら端部壁の少な
    くとも一方は、前記尾部（42）を備えており且つ前記端
    部壁を貫く開口（48）を閉鎖するアドオンパネル（46）
    を包含する複合壁である端部壁と、 ２つの側壁（50）と、 アドオンカバー（52）とを有するハウジングを包含して
    おり、前記装置が製造される際に、前記後方及び前方導
    波路を担持する機能的組立て体が前記ハウジング内に、
    前記複合壁の開口から挿入され得ることを特徴とする請
    求項２に記載の装置。
12. 【請求項１２】前記２つの後方担持面（BAS,DAS）を相
    互に当接させ且つ前記２つの前方担持面（DBS,BBS）を
    相互に当接させるステップと、 前記後方導波路（FA）と、前記光電子工学素子（Ｌ）を
    担持する前記素子ベース（EL）と、前記前方導波路（F
    B）とを、それぞれ前記外側後方組立てブロック（BA）
    と、前記中央レセプタクル（DA,DB）と、前記外側前方
    組立てブロック（BB）それらの相対的長手方向位置を調
    整した後に固定するステップと、 前記後方導波路（FA）と、前記光電子工学素子（Ｌ）
    と、前記前方導波路（FB）相対的横断方向位置を、相互
    に当接している前記担持面間の相互摩擦によって調整
    し、それによって入力及び出力光結合を得るステップ
    と、 前記後方溶接点（PA,QA）及び前方溶接点（PB,QB）を、
    放射エネルギの短パルスの衝突下に前記組立て体材料を
    局所溶融することにより形成するステップ とを含むことを特徴とする請求項２に記載の装置の製造
    方法。
13. 【請求項１３】前記横断方向位置を調整するステップの
    前に、前記中央溶接点（PC,QC）を形成することを特徴
    とする請求項９に記載の装置を製造するための請求項12
    に記載の方法。