JPH0734434B2 - 半導体基板のエツチング装置 - Google Patents
半導体基板のエツチング装置Info
- Publication number
- JPH0734434B2 JPH0734434B2 JP61138322A JP13832286A JPH0734434B2 JP H0734434 B2 JPH0734434 B2 JP H0734434B2 JP 61138322 A JP61138322 A JP 61138322A JP 13832286 A JP13832286 A JP 13832286A JP H0734434 B2 JPH0734434 B2 JP H0734434B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- charged particles
- solution
- etching
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25F—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
- C25F3/00—Electrolytic etching or polishing
- C25F3/02—Etching
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、半導体基板のエッチング装置に関するもので
ある。
ある。
従来の半導体基板のエッチング装置としては、例えば、
第２図に示すごときものがある。（例えば、ア シリコ
ン ダイアフラム フォーメイション フォア プレッ
シュア センサ バイ アノディック オキシデイショ
ン エッチ−ストップ“A SILICON DIAPHRAGM FORMATIO
N FOR PRESSURE SENSOR BY ANODIC OXIDATION ETCH−ST
OP"M,HIRATA他 1985 IEEE 予稿集 p287〜に記載）。
第２図に示すごときものがある。（例えば、ア シリコ
ン ダイアフラム フォーメイション フォア プレッ
シュア センサ バイ アノディック オキシデイショ
ン エッチ−ストップ“A SILICON DIAPHRAGM FORMATIO
N FOR PRESSURE SENSOR BY ANODIC OXIDATION ETCH−ST
OP"M,HIRATA他 1985 IEEE 予稿集 p287〜に記載）。
第２図に示す装置は、エッチング液１を満たしたエッチ
ング槽２中に半導体基板３と対電極４とを浸漬し、電源
５からリード線６を介して半導体基板３と対電極４に直
流電圧を供給することにより、半導体基板３のエッチン
グを行なうものである。
ング槽２中に半導体基板３と対電極４とを浸漬し、電源
５からリード線６を介して半導体基板３と対電極４に直
流電圧を供給することにより、半導体基板３のエッチン
グを行なうものである。
上記のごとき従来の半導体基板のエッチング装置におい
ては、半導体基板３にリード線６を取り付ける処理工程
が必要なので、手順が面倒であるという問題があり、ま
た、複数の半導体基板を同時にエッチングする場合に
は、対電極４の形状および対電極４と各々の半導体基板
との間の微妙な距離の差異に起因する界面電位のばらつ
きが、半導体基板の面内および各半導体基板間で発生す
るために、均一な条件で全ての半導体基板をエッチング
することが極めて困難であるという問題があった。
ては、半導体基板３にリード線６を取り付ける処理工程
が必要なので、手順が面倒であるという問題があり、ま
た、複数の半導体基板を同時にエッチングする場合に
は、対電極４の形状および対電極４と各々の半導体基板
との間の微妙な距離の差異に起因する界面電位のばらつ
きが、半導体基板の面内および各半導体基板間で発生す
るために、均一な条件で全ての半導体基板をエッチング
することが極めて困難であるという問題があった。
本発明は、上記のごとき従来技術の問題を解決するため
になされたものであり、複数の半導体基板を同時にしか
も精密にエッチングすることが出来、かつ処理工程を簡
略化することの出来る半導体基板のエッチング装置を提
供することを目的とするものである。
になされたものであり、複数の半導体基板を同時にしか
も精密にエッチングすることが出来、かつ処理工程を簡
略化することの出来る半導体基板のエッチング装置を提
供することを目的とするものである。
上記の目的を達成するため本発明においては、溶液中に
添加した粒子に電荷を与えて荷電粒子とするための正負
一対の電極と、上記両電極間に位置し、上記荷電粒子が
上記両電極間を流通するのを阻止するフィルタと、上記
溶液を撹拌する手段とを備え、半導体基板への電荷の供
給を荷電粒子を介して間接接触で行ない、かつ、溶液を
攪拌して半導体基板の表面上のあらゆる部位に対して荷
電粒子を常に均一に到達させるように構成している。
添加した粒子に電荷を与えて荷電粒子とするための正負
一対の電極と、上記両電極間に位置し、上記荷電粒子が
上記両電極間を流通するのを阻止するフィルタと、上記
溶液を撹拌する手段とを備え、半導体基板への電荷の供
給を荷電粒子を介して間接接触で行ない、かつ、溶液を
攪拌して半導体基板の表面上のあらゆる部位に対して荷
電粒子を常に均一に到達させるように構成している。
上記のように構成したことにより、本発明においては、
正負両電極間に設けたフィルタによって荷電粒子を隔離
していることにより、正電極で正に帯電した荷電粒子が
負極に達したり、正に帯電した荷電粒子と負極で負に帯
電した荷電粒子とが溶液中で接触して相互に電荷を授受
することがないので、半導体基板には常に安定した電荷
が供給されることになる。このように半導体基板への電
荷の供給が荷電粒子を介して行なわれるので、半導体基
板にリード線を取り付ける工程が不要となり、また、複
数の半導体基板表面上のあらゆる部位に対して荷電粒子
を介して電荷を常に均一に供給することが出来るので、
複数の半導体基板を同時に、しかも精密にエッチングす
ることが可能となる。
正負両電極間に設けたフィルタによって荷電粒子を隔離
していることにより、正電極で正に帯電した荷電粒子が
負極に達したり、正に帯電した荷電粒子と負極で負に帯
電した荷電粒子とが溶液中で接触して相互に電荷を授受
することがないので、半導体基板には常に安定した電荷
が供給されることになる。このように半導体基板への電
荷の供給が荷電粒子を介して行なわれるので、半導体基
板にリード線を取り付ける工程が不要となり、また、複
数の半導体基板表面上のあらゆる部位に対して荷電粒子
を介して電荷を常に均一に供給することが出来るので、
複数の半導体基板を同時に、しかも精密にエッチングす
ることが可能となる。
第１図は本発明の一実施例図であり、（Ａ）は上面図、
（Ｂ）は（Ａ）のＡ−Ａ′断面図である。
（Ｂ）は（Ａ）のＡ−Ａ′断面図である。
第１図において、円筒状のエッチング槽７の中心部に棒
状に不活性な対電極８を設け、その外側に中空円筒状の
フィルタ９と網目状の電極10とを同心円状に設け、さら
にエッチング槽７の内壁に沿ってエッチングすべき複数
の半導体基板３を固定している。
状に不活性な対電極８を設け、その外側に中空円筒状の
フィルタ９と網目状の電極10とを同心円状に設け、さら
にエッチング槽７の内壁に沿ってエッチングすべき複数
の半導体基板３を固定している。
また、エッチング槽７中にはエッチング液１、例えばヒ
ドラジンと水の混合溶液を充填する。なお、エッチング
液１の電気伝導度を高めるのに必要であれば適量の電解
質、例えば水酸化カリウムを添加し、さらに半導体基板
３に電荷を供給するための荷電粒子12、例えば炭素粒子
を適量添加する。
ドラジンと水の混合溶液を充填する。なお、エッチング
液１の電気伝導度を高めるのに必要であれば適量の電解
質、例えば水酸化カリウムを添加し、さらに半導体基板
３に電荷を供給するための荷電粒子12、例えば炭素粒子
を適量添加する。
また、エッチング槽７の外には、対電極８と電極10とに
直流電圧を供給するための電源５を設け、リード線６を
介して上記両電極に接続している。また、エッチング液
１を循環によって攪拌するためのポンプ13を設けてい
る。
直流電圧を供給するための電源５を設け、リード線６を
介して上記両電極に接続している。また、エッチング液
１を循環によって攪拌するためのポンプ13を設けてい
る。
次に、作用を説明する。
対電極８は電源５の負端子に、電極10は正端子にそれぞ
れ接続されている。したがって、電極10は直流電圧の印
加によって正の電位にあり、エッチング液１中に添加さ
れた荷電粒子12は電極10によって正に帯電する。
れ接続されている。したがって、電極10は直流電圧の印
加によって正の電位にあり、エッチング液１中に添加さ
れた荷電粒子12は電極10によって正に帯電する。
また、フィルタ９は上記の荷電粒子12を阻止する機能を
有するものであり、したがって、荷電粒子12はフィルタ
９とエッチング槽７の内壁との間の領域にのみ存在する
ことになる。
有するものであり、したがって、荷電粒子12はフィルタ
９とエッチング槽７の内壁との間の領域にのみ存在する
ことになる。
上記の状態において、ポンプ13でエッチング液１を攪拌
することにより、荷電粒子12を介して電荷が半導体基板
３に移送され、半導体基板３は正に帯電することにな
る。
することにより、荷電粒子12を介して電荷が半導体基板
３に移送され、半導体基板３は正に帯電することにな
る。
上記のように電荷の授受はエッチング液１中に添加した
荷電粒子12によって行なわれるので、半導体基板３にリ
ード線等を接続する必要がなくなる。
荷電粒子12によって行なわれるので、半導体基板３にリ
ード線等を接続する必要がなくなる。
また、荷電粒子12は電極10と対電極８との間に設けられ
たフィルタ９を通過することが出来ないため、荷電粒子
12が授受する電荷は全て正電荷となり、したがって、半
導体基板３には常に正の電荷が供給されることになる。
たフィルタ９を通過することが出来ないため、荷電粒子
12が授受する電荷は全て正電荷となり、したがって、半
導体基板３には常に正の電荷が供給されることになる。
上記のごとき荷電粒子による電荷の移送は、荷電粒子の
密度に依存するので、ポンプ13等の攪拌手段によってエ
ッチング液を攪拌し、荷電粒子12の密度が常に均一にな
るようにすることにより、半導体基板各部の電荷を常に
均一に保つことが出来、それによって複数の半導体基板
を同時しかも精密にエッチングすることが可能になる。
密度に依存するので、ポンプ13等の攪拌手段によってエ
ッチング液を攪拌し、荷電粒子12の密度が常に均一にな
るようにすることにより、半導体基板各部の電荷を常に
均一に保つことが出来、それによって複数の半導体基板
を同時しかも精密にエッチングすることが可能になる。
なお、上記のごとき荷電粒子による電荷移送の原理に関
しては、例えば“電導性仕切板による有効流動層電極厚
さの拡大”安田守宏 他 電気学会誌51 No.8（1983）
等に記載されている。
しては、例えば“電導性仕切板による有効流動層電極厚
さの拡大”安田守宏 他 電気学会誌51 No.8（1983）
等に記載されている。
また、第１図の実施例におては、同心円状に配設した対
電極８、フィルタ９および電極10を用い、その周囲に円
周状に半導体基板を配設した場合を例示しているが、平
板状の対電極、フィルタおよび電極を用い、それに対向
するように複数の半導体基板を平行して設置するように
構成することも出来る。
電極８、フィルタ９および電極10を用い、その周囲に円
周状に半導体基板を配設した場合を例示しているが、平
板状の対電極、フィルタおよび電極を用い、それに対向
するように複数の半導体基板を平行して設置するように
構成することも出来る。
以上説明したごとく、本発明においては、エッチングす
べき半導体基板への電荷の供給をエッチング液中に添加
した荷電粒子によって行なうように構成しているので、
半導体基板にリード線等を接続する工程が不要になり、
したがって、エッチングの処理工程が簡略化されるとい
う効果が得られる。
べき半導体基板への電荷の供給をエッチング液中に添加
した荷電粒子によって行なうように構成しているので、
半導体基板にリード線等を接続する工程が不要になり、
したがって、エッチングの処理工程が簡略化されるとい
う効果が得られる。
また、攪拌手段によって荷電粒子を攪拌し、各半導体基
板の各部位に荷電粒子を介して均一に電荷を与えるよう
に構成しているので、複数の半導体基板を同時にしかも
精密にエッチングすることが可能になるという優れた効
果が得られる。
板の各部位に荷電粒子を介して均一に電荷を与えるよう
に構成しているので、複数の半導体基板を同時にしかも
精密にエッチングすることが可能になるという優れた効
果が得られる。
また、半導体基板の各部位における電位を均一に維持す
ることが出来るので、各半導体基板におけるエッチング
自体を精密に行なうことが出来る。
ることが出来るので、各半導体基板におけるエッチング
自体を精密に行なうことが出来る。
【図面の簡単な説明】 第１図は本発明の一実施例図、第２図は従来のエッチン
グ装置の一例図である。 〈符号の説明〉 １…エッチング液、３…半導体基板 ５…電源、７…エッチング槽 ８…対電極、９…フィルタ 10…電極、12…荷電粒子 13…ポンプ
グ装置の一例図である。 〈符号の説明〉 １…エッチング液、３…半導体基板 ５…電源、７…エッチング槽 ８…対電極、９…フィルタ 10…電極、12…荷電粒子 13…ポンプ
Claims (1)
- 【請求項１】半導体基板を溶液中に浸漬し、上記半導体
基板と溶液間の界面電位を制御して上記半導体基板をエ
ッチングするエッチング装置において、 溶液中に添加した粒子に電荷を与えて荷電粒子とするた
めの正負一対の電極と、 上記両電極間に位置し、上記荷電粒子が上記両電極間を
流通するのを阻止するフィルタと、 上記溶液を撹拌する手段と、 を備え、半導体基板への電荷の供給を上記荷電粒子を介
して間接接触で行なうことにより、複数の半導体基板を
同時に処理可能にしたことを特徴とする半導体基板のエ
ッチング装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61138322A JPH0734434B2 (ja) | 1986-06-16 | 1986-06-16 | 半導体基板のエツチング装置 |
| US07/061,197 US4828644A (en) | 1986-06-16 | 1987-06-15 | Etching device for semiconductor wafers |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61138322A JPH0734434B2 (ja) | 1986-06-16 | 1986-06-16 | 半導体基板のエツチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62295423A JPS62295423A (ja) | 1987-12-22 |
| JPH0734434B2 true JPH0734434B2 (ja) | 1995-04-12 |
Family
ID=15219192
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61138322A Expired - Lifetime JPH0734434B2 (ja) | 1986-06-16 | 1986-06-16 | 半導体基板のエツチング装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4828644A (ja) |
| JP (1) | JPH0734434B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5148206B2 (ja) * | 2007-08-23 | 2013-02-20 | 株式会社東京精密 | 電解加工方法並びに電解加工装置 |
| KR101233295B1 (ko) * | 2010-08-13 | 2013-02-14 | 한국에너지기술연구원 | 흐름전극장치 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2263782C3 (de) * | 1972-12-28 | 1980-12-11 | Kernforschungszentrum Karlsruhe Gmbh, 7500 Karlsruhe | Vorrichtung zur Reduktion von in wäßriger Phase enthaltenem Plutonium und/oder Uran |
| DE2607906A1 (de) * | 1976-02-26 | 1977-09-01 | Hans Einhell Inh Josef Thannhu | Elektrolysezelle fuer die behandlung von wasser |
| US3984303A (en) * | 1975-07-02 | 1976-10-05 | Diamond Shamrock Corporation | Membrane electrolytic cell with concentric electrodes |
| US4073708A (en) * | 1976-06-18 | 1978-02-14 | The Boeing Company | Apparatus and method for regeneration of chromosulfuric acid etchants |
| US4212714A (en) * | 1979-05-14 | 1980-07-15 | General Electric Company | Electrolysis of alkali metal halides in a three compartment cell with self-pressurized buffer compartment |
| US4521281A (en) * | 1983-10-03 | 1985-06-04 | Olin Corporation | Process and apparatus for continuously producing multivalent metals |
| US4533443A (en) * | 1983-10-19 | 1985-08-06 | Massachusetts Institute Of Technology | Production of hydrogen peroxide |
| US4615776A (en) * | 1983-10-21 | 1986-10-07 | Shinko-Pfaudler Company | Electrolytic decontamination process and process for reproducing decontaminating electrolyte by electrodeposition and apparatuses therefore |
| JPS61228630A (ja) * | 1985-04-02 | 1986-10-11 | Fujitsu Ltd | 半導体ウエハのエツチング方法 |
-
1986
- 1986-06-16 JP JP61138322A patent/JPH0734434B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1987
- 1987-06-15 US US07/061,197 patent/US4828644A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4828644A (en) | 1989-05-09 |
| JPS62295423A (ja) | 1987-12-22 |
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