JP2579410B2 - 電解研磨装置及びその方法 - Google Patents

電解研磨装置及びその方法

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JP2579410B2
JP2579410B2 JP4350305A JP35030592A JP2579410B2 JP 2579410 B2 JP2579410 B2 JP 2579410B2 JP 4350305 A JP4350305 A JP 4350305A JP 35030592 A JP35030592 A JP 35030592A JP 2579410 B2 JP2579410 B2 JP 2579410B2
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cathode assembly
pyramid
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electropolishing
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マドハブ・ダツタ
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    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25F—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
    • C25F7/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic removal of material from objects; Servicing or operating

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  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electrical Discharge Machining, Electrochemical Machining, And Combined Machining (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電解研磨装置及びその方
法に関し、特に電解研磨プロセス中に薄膜金属を除去す
る際に用いられる電解研磨装置について、２層薄膜金属
層（double layer metallurgy 、ＤＬＭ）を有するプリ
ン基板の薄膜金属層を平面化する間に電解研磨によって
金属を均一に除去する装置及び技術に適用して好適なも
のである。本発明は種々の大きさ及び形状のプリント基
板の薄膜金属層を平面化する際に適用できる。この金属
はプリント基板のための製造手順の一部として、基板か
ら電気化学的にエッチされる。
【０００２】
【従来の技術】マイクロミーリングプロセスは種々のワ
ークピースを機械的に研磨する際に用いられる従来の方
法である。マイクロミーリングプロセスは現在ＤＬＭ構
造を平面化する場合に使用されるが、その使用について
は幾つかの欠点を有する。まず第１に、マイクロミーリ
ングされる部分の位置合わせ及び水平化に関する問題が
存在する。第２は、このプロセスによって生ずる応力に
よりワークピースがクラックしたりワークピースが薄片
に裂けたりする問題が生ずる。さらにマイクロミーリン
グ中に汚染作用が発生するために、銅により誘電体層を
汚染させる可能性がある。さらにマイクロミーリング技
術には多くの投資が必要であり、マイクロミーリング技
術の実施は潜在的に歩留まりの問題をもつが労働集約的
である。
【０００３】マイクロミーリング技術よりもコストが効
率的な他の平面化技術は電解研磨方法である。電解研磨
技術は電気化学手段を用いて種々の金属を平滑な表面に
することができる。銅及びその合金、ステンレス鋼、鋼
鉄、真鍮、アルミニウム、銀、ニッケルクロム、亜鉛、
金並びに他の多くの合金が電解研磨される。金属組織標
本（試料）の準備の手段として電解研磨は機械的研磨よ
りも多数の独自の利点を有するために一段と容認されて
来たプロセスである。これらの利点はワークピースすな
わち標本を研磨する速度が急速であること、冷却された
表面を除去すること、研磨された領域の平坦さが最高で
あること、及びこの電解研磨ステップはエッチングステ
ップと共に１つの同一の操作で達成され得るという事実
を含む。さらに上述のように電解研磨プロセスは種々の
金属及び合金に幅広く適用することができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】電解研磨技術は電気分
解により金属を処理する技術に関するものであり、その
金属の表面を洗浄し、水平にし、平滑にし、研磨し及び
又は保護する。この電解研磨プロセスは電解作用を用い
て標本の表面上にある微細な突起物及び凸凹を除去す
る。本来、電解研磨技術は電気めっきプロセスの裏返し
である。電気めっきプロセスの大部分においてはカソー
ド上に金属（及び水素）が堆積されてアノードから溶解
される。他方、電解研磨技術においてはワークピースが
アノードとされて溶解される。通常電解研磨装置は循環
ポンプ及び電解質溶液を含む研磨電解槽並びに濾過され
たＤＣ電源からなる。しかしながら使用の仕方次第で、
この電解研磨プロセスは電解液を汲み上げてもよいし、
汲み上げなくてもよい。反応生成物をアノード及びカソ
ードの表面から除去するにはポンピングが必要である
が、幾つかの場合においては電解液を汲み上げると流体
力学的に不安定になり、金属の溶解が場所によって不均
一になる。文献に見られるように多くの場合、電解研磨
プロセスは大きな部分を仕上げる際に用いられ、この場
合ミクロンレベル近くの不均一性は問題にならなかっ
た。従って電解液の汲上げは電解研磨プロセスにおける
反応生成物の除去を向上させる手段として効果的に使用
されて来た。
【０００５】電解研磨プロセスの背景にある最も一般的
に認められている理論によると、電流密度が標本上に生
じた突起物において一段と高くなるので金属表面におけ
る高い地点の領域が最も容易に酸化される。比較的短時
間で酸化された材料は電解液内において溶解されるか、
又は他の方法により表面から除去され、その結果表面上
に存在した凹凸はなくなる。結局、金属表面における高
い地点を選択的に溶解することが表面を平滑に仕上げ、
この平滑に仕上げられた表面はマイクロミーリング技術
によって得られた機械的に磨かれた表面に匹敵するか又
はそれより優れている。また注意すべきは金属組織標本
として使用される標本を含むすべての機械的研磨方法は
加工硬化した金属からなる薄い表面層を作る。他方、電
解研磨は電子顕微鏡でしかわからない平坦な表面を得る
際に特に適したステインのない表面を提供する。
【０００６】上述の電解研磨プロセスの背景にある理論
に戻ると、金属のアノード側処理においては高導電率の
粘性層又は粘性膜は、電流が電解液を通っている間に処
理されるアノード側の表面上に形成される。電解液は比
較的電気的に低抵抗であるので、比較的抵抗の高い層を
アノード側表面上に形成することにより、処理される表
面の異なる領域におけるアノード電位はこれらの領域が
高抵抗層内に進出する範囲に従って変化する。次にこれ
により標本の表面上における突出部はその深さに従つた
速度で溶解し、これによって、表面が等電位状態になる
までこの突出部を水平にする。ワークピースの表面が水
平化されて平滑にされるのはこの後の段階である。
【０００７】電解研磨プロセスには多数の変形例があ
る。これらは電流密度（又は電圧）、時間、温度及び電
解液の選択を含む。これらのパラメータの決定には実際
の実験テストが必要となる。特定のプロセス用の最適な
パラメータは電解研磨される金属に大きく依存する。例
えば幅広い種類の電解液を電解研磨プロセスそれ自体の
ために用いてもよい。高度に濃縮された硝酸及び又はリ
ン酸及び又はクロム酸の溶液が電解研磨の際に頻繁に用
いられる。ステンレス鋼用の一般的な電解液はリン酸及
びブチルアルコールを含む。またリン酸を基礎にした電
解液が銅を電解研磨する際に効果的に用いられ得る（ペ
ルガモン出版「電解液及び金属の化学的研磨」（1956）
参照）。
【０００８】電解研磨プロセスの種々の例については、
米国特許第 2,868,705号、第 4,127,459号及び第 4,88
2,019号を参照。これらは従来の電解研磨プロセスを含
んでいるが、大きな部分を研磨する方法及び装置に関す
るものである。適正な電解液及び電気化学パラメータを
選択することによって、当業者は表面から高速度で金属
を除去して表面をミクロレベルで仕上げることができ
る。しかしながら薄膜を平面化する作業において電解研
磨プロセスを効果的に使用しようとすると、金属が不均
一に除去されるという特定の問題が当該プロセス中に生
ずる。
【０００９】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明に従う、ワークピース２２から金属を除去する
電解研磨装置は、電解質溶液を収容する容器手段１０
と、底面及び頂部を有しそして高さを調整することがで
きるピラミッド型カソードアッセンブリ１８であって、
上記頂部が下側を向くように上記電解質溶液中に配置さ
れた上記ピラミッド型カソードアッセンブリ１８と、上
記電解質溶液中の上記頂部から離れた下側の位置に配置
されたプレート手段１４の上に、該プレート手段と電気
的に接続され且つ上記ピラミッド型カソードアッセンブ
リ１８の上記頂部に対向するように支持されたワークピ
ース２２と、上記プレート手段１４に接続された正端子
及び上記ピラミッド型カソードアッセンブリ１８に接続
された負端子を有する電源手段と、上記電解質溶液に曝
されて研磨される上記ワークピース２２の被研磨表面だ
けを露出するように上記ワークピースの側面を囲みそし
て該側面から上記ピラミッド型カソードアッセンブリ１
８に向かって延びる部材を有し、上記ワークピースから
金属を除去する間に上記ワークピースと上記ピラミッド
型カソードアッセンブリとの間の上記電解質溶液を静止
状態に保つ包囲手段１６とを有する。
【００１０】本発明に従う、ワークピース２２を電解研
磨する方法は、容器１０内に満たされた電解質溶液中に
配置されたプレート手段１４の上にワークピース２２を
装着するステップと、底面及び頂部を有しそして高さを
調整することができるピラミッド型カソードアッセンブ
リ１８を、上記電解質溶液中の上記ワークピース２２か
ら離れた上側の位置に上記頂部が上記ワークピース２２
と対向するように配置するステップと、上記電解質溶液
に曝されて研磨される上記ワークピース２２の被研磨表
面だけを露出するように上記ワークピース２２の側面を
囲みそして該側面から上記ピラミッド型カソードアッセ
ンブリ１８に向かって延びる部材を有し、上記ワークピ
ースから金属を除去する間に上記ワークピースと上記ピ
ラミッド型カソードアッセンブリとの間の上記電解質溶
液を静止状態に保つ包囲手段１６を配置するステップ
と、上記プレート手段１４に電源手段の正端子を接続
し、上記ピラミッド型カソードアッセンブリ１８に上記
電源手段の負端子を接続して上記電解質溶液に曝された
ワークピースの上記被研磨表面を電解研磨するための電
流を連続的に流すステップとを含むことを特徴とする。
【００１１】
【作用】本発明はワークピースから金属を除去する電解
研磨装置に関するものである。この電解研磨装置は、電
解質溶液を収容する容器手段と、底面及び頂部を有しそ
して高さを調整することができるピラミッド型カソード
アッセンブリであって、上記頂部が下側を向くように上
記電解質溶液中に配置された上記ピラミッド型カソード
アッセンブリと、上記電解質溶液中の上記頂部から離れ
た下側の位置に配置されたプレート手段の上に、該プレ
ート手段と電気的に接続され且つ上記ピラミッド型カソ
ードアッセンブリの上記頂部に対向するように支持され
たワークピースと、上記プレート手段に接続された正端
子及び上記ピラミッド型カソードアッセンブリに接続さ
れた負端子を有する電源手段と、上記電解質溶液に曝さ
れて研磨される上記ワークピースの被研磨表面だけを露
出するように上記ワークピースの側面を囲みそして該側
面から上記ピラミッド型カソードアッセンブリに向かっ
て延びる部材を有し、上記ワークピースから金属を除去
する間に上記ワークピースと上記ピラミッド型カソード
アッセンブリとの間の上記電解質溶液を静止状態に保つ
包囲手段とを有する。
【００１２】また本発明はワークピースを電解研磨する
方法に関するものである。この方法は、容器内に満たさ
れた電解質溶液中に配置されたプレート手段の上にワー
クピースを装着するステップと、底面及び頂部を有しそ
して高さを調整することができるピラミッド型カソード
アッセンブリを、上記電解質溶液中の上記ワークピース
から離れた上側の位置に上記頂部が上記ワークピースと
対向するように配置するステップと、上記電解質溶液に
曝されて研磨される上記ワークピースの被研磨表面だけ
を露出するように上記ワークピースの側面を囲みそして
該側面から上記ピラミッド型カソードアッセンブリに向
かって延びる部材を有し、上記ワークピースから金属を
除去する間に上記ワークピースと上記ピラミッド型カソ
ードアッセンブリとの間の上記電解質溶液を静止状態に
保つ包囲手段を配置するステップと、上記プレート手段
に電源手段の正端子を接続し、上記ピラミッド型カソー
ドアッセンブリに上記電源手段の負端子を接続して上記
電解質溶液に曝されたワークピースの上記被研磨表面を
電解研磨するための電流を連続的に流すステップとを含
むことを特徴とする。
【００１３】本発明は２種類の好適なカソードアッセン
ブリを用いる。第１の実施例においてカソードアッセン
ブリはリング又はプレートが重ねられて固定されたもの
から構成されることにより、上述のピラミッド型カソー
ドアッセンブリを形成する。第２の実施例においてカソ
ードアッセンブリは円錐状構造からなる。さらに電解研
磨プロセスの終了点を測定して平面化する２つの方法を
開示する。
【００１４】
【実施例】以下図面について本発明の一実施例を詳述す
る。
【００１５】電解研磨はワークピースからアノード側の
金属を除去し、ワークピースの表面に金属イオンを発生
させる。この反応を次の反応式によって示すことができ
る。
【００１６】
【化１】
【００１７】電流が増大するに従って、金属イオン発生
率も増大する。次にこれらの金属イオンはワークピース
のアノード側表面から大量の電解液内に輸送される。電
気化学システムにおいて、この輸送プロセスはマイグレ
ーション、拡散及び対流を含む。強電解液で処理すると
き、マイグレーション及び対流の影響はアノード側表面
において無視することができる。従って電解研磨は、金
属溶解反応が制御された拡散であるという条件の下に起
こる。この「大量輸送」が起こるのは、金属イオンの濃
度勾配が生ずるアノード側表面近くにおいてである。こ
の層は拡散層として周知である。電解研磨は、金属溶解
プロセスがその限界値に到達し（溶解度の限度を越えた
ため）、塩膜が形成される条件の下において起こる。
【００１８】本発明の装置及び方法は薄膜を電解研磨す
る装置及び方法であり、この薄膜をミクロンレベルで均
一にする必要がある。これには、均一に分配された表面
膜をワークピース上に形成するためには電解研磨中に金
属を均一に除去することが重要な要素となるので、均一
な厚さの粘性層が表面に確実に現れることが必要にな
る。均一な粘性層を形成する能力に加えて、電解研磨プ
ロセス中に金属を均一に除去することを決定付ける他の
重要な要素は溶液の耐性ばかりでなく溶液の組成をも均
一に保持することである。プレートが並列な電解槽にお
いて、ワークピースのエッジにおける金属溶解がその中
央における金属溶解よりも格段的に高いのは、上述した
パラメータが等しくなっていないからである。
【００１９】また電解研磨プロセス中及び選択した実施
条件次第で、水素ガスがカソードにおいて発生し、酸素
ガスがアノードにおいて発生する。本発明により用いら
れた使用条件下においては（すなわち５〔Ａ〕から10
〔Ａ〕の範囲の電流）、酸素ガスの発生は最小である。
これにより金属除去の効率を確実に高めるばかりでな
く、表面における不安定性を最小限にする。この表面に
おける不安定性が最小となるのは酸素の泡沫が大きくな
って分離するからであり、かくして泡沫が生成されるた
めに流体力学的不安定性が生ずる。またこの場合カソー
ドにおける水素ガスの発生による干渉を除去する必要が
ある。アノード試料上方にカソードアッセンブリを配設
することによって、形成された水素の泡沫は電解液を通
って上方に移動するのでその下に配設された試料を乱す
ことはない。またピラミッド型のカソードアッセンブリ
を用いることにより、水素ガスから容易に逃れることが
できると共に、流体力学的に安定した状態を乱す状態を
最小限にする。
【００２０】本発明の電解研磨装置においては、ワーク
ピースの表面におけるこれらのパラメータの変更を全体
的に最小限にするか又は削除することができる。金属を
均一に溶解させるためには、高さを調整することができ
るピラミッド型のカソードアッセンブリを、このピラミ
ッド型カソードアッセンブリの頂部が、ワークピースの
被研磨表面に対向するようにワークピースの上方に配置
し、そしてワークピースの被研磨表面だけを露出するよ
うにワークピースの側面を囲み、そしてこの側面から上
方に延びる包囲手段を用いることにより、静止状態を確
実に確立してエッジにおける電流濃度を最小限にするこ
とによって達成される。
【００２１】図１は本発明の電解研磨装置の概略を示
す。この電解研磨装置は電解液１２で満たされている容
器手段１０からなる。ワークピース２２は電源手段の正
端子に接続されているプレート手段１４上に固定されて
いる。包囲手段１６はワークピース２２の側面を囲み、
そしてこの側面から上方に延びるように配置され、これ
によりワークピース２２の平面化されるべき被研磨表面
だけが電解液１２に曝されている。包囲手段１６内の電
解液１２は静止状態である。このような特定の配列によ
り３つの目的を達成する。第１の目的は溶解中のアノー
ドにおける流体力学的不安定性を最小限にすることであ
る。第２の目的はワークピースのエッジにおける電流濃
度を最小限にすることであり、第３の目的は上述のよう
な配列により粘性層を確実に形成することである。また
通気孔２０は電解研磨方法中に形成されるガスが逃れる
ために設けられている。
【００２２】図１に示すピラミッド型カソードアッセン
ブリ１８はワークピース２２に対面して、包囲手段１６
の反対側に配設される。図１に示すように、底面及び頂
部を有するピラミッド型カソードアッセンブリ１８は、
ワークピース２２の上方に配置され、そしてピラミッド
型カソードアッセンブリ１８の頂部は、ワークピース２
２の被研磨表面に対向している。カソードアッセンブリ
１８は図２及び図３に示すようにリング又はプレート３
０が重ねられて固定されたものから構成されている。こ
のピラミッド型構造はエッジにおける電流濃度をできる
だけ補償する。図４に示すようにカソードアッセンブリ
の他の実施例は円錐型４０であってもよい。リング及び
又はプレート若しくは円錐は電解液に対して十分耐蝕性
があり、かつ電解液によって損傷されない材料から構成
しなければならない。電解液がリン酸の場合、ステンレ
ス鋼及びニッケルは好適な材料である。最適な結果を得
るために必要なリング及びプレートの大きさ及び数は実
験によって決定するか又は数学的モデルによって決定す
ることができる。当業者において、リング及びプレート
の大きさは研磨されるワークピースの大きさに依存する
ことは明らかである。
【００２３】リングの厚さは使用される電解液の特性、
すなわち濃度、導電率等及び試料の異なる位置における
溶解反応速度によって決定されるので電流分布次第であ
る。一般的にリング又はプレートでなるカソードアッセ
ンブリは２個ないし６個のリング又はプレートで構成さ
れ、このリング又はプレートは均一の厚さを有しその直
径を１つごとに小さくして行く。
【００２４】容器手段、プレート手段及び包囲手段はＰ
ＶＣから構成され得、これはＰＶＣが酸に対して非常に
優れた耐性を有し、他の材料よりも安くて加工し易いか
らである。しかしながらポリテトラフルオロエチレン、
ガラス、ＰＶＤＦ及びこれらに類する材料を用いること
ができる。
【００２５】本発明は電気的に導電するほとんどの材料
（導電セラミツクスを含む）からなる薄膜を電解研磨す
る際に有用である。当該明細書において述べる電解研磨
装置は種々の大きさ及び形状のプリント基板の薄膜金属
層を平面化する間に均一な電流分布を得るのに好適なも
のである。この場合２つの異なる方法を用いて電解研磨
の終了点を測定することにより平面化することができ
る。本発明の電解研磨装置はワークピース全体に亘って
金属を均一に除去する条件を用いるので、電量分析によ
って電解研磨の終了点を容易に測定することができる。
この電量分析方法は 0.5〔μｍ〕ないし１〔μｍ〕の銅
が残される点まで電解研磨を実行し、その後この銅を
「キスのような研磨」（非常に短時間の機械加工研磨又
は化学機械加工研磨）によって除去することができる。
【００２６】電解研磨の終了点を測定して平面化するた
めの第２の方法は少量の硝酸を含む電解層を作ることに
より、化学エッチングによって電流を停止させた後に最
後の銅層を除去することができる。以下の例は本発明を
さらに説明するために提示する。
【００２７】厚さ20〔μｍ〕にめっきされた直径 12.70
〔cm〕のシリコンウエハを本発明の電解研磨装置を用い
て電解研磨した。電解研磨する前及び電解研磨した後に
おけるこのめっきされた材料の厚さは４探針プローブに
よって測定される。すなわち材料の実効抵抗を測定する
ことによってその厚さを測定する器具によって測定され
る。この方法を用いて、電解研磨によって金属を均一に
除去することが確認された。濃リン酸を約５〔Ａ〕及び
約40〔Ａ〕の範囲にある電解液及び電流（又は約40〔mA
／cm2〕及び 320〔mA／cm2〕の範囲にある電流密度）と
して用いて定電流実験を行った。低電流で行うと、均一
性が一段と良好になると共に、金属溶解における電流効
率が一段と良好になる。高電流で行うと、金属が溶解す
ると同時に酸素が発生する。その結果高電流において金
属を除去する場合の電流効率はかなり低い。約５〔Ａ〕
から約10〔Ａ〕の電流で（又は約40〔mA／cm2〕から約8
0〔mA／cm2〕の電流密度で）最適な結果が得られた。
【００２８】所与の電流における実施時間はファラデー
の法則から容易に推定でき、所与の材料及び実施条件に
対しては溶解される金属の厚さに比例して変化する。定
電流で実施中の電解槽の電圧は電解液の濃度（すなわち
その導電率）及びアノード及びカソード間の間隔に依存
していた。低濃度のリン酸であるという点以外は同様の
条件でも低濃度のリン酸は多くの酸素を発生するので、
濃リン酸（85〔％〕）が好適であることが分かった。
【００２９】カソードアッセンブリに関して、それぞれ
が2.54〔cm〕の厚さで異なる直径をもつ３つのリング
（ 12.70〔cm〕のリング、7.62〔cm〕のリング及び2.54
〔cm〕のリング）が用いられ、カソード及びアノードは
最小で7.62〔cm〕に分離されていた。注意すべきはカソ
ード及びアノードの距離が比較的大きいと、電解槽の電
圧を一段と高くする必要があり、従って電力消費が一段
と高くなるので好ましくない。他方、電極間の空間が非
常に小さいと、アノードにおける反応生成物及びカソー
ドにおける反応生成物が干渉する。リングのスタックは
高さ5.08〔cm〕で直径 12.70〔cm〕である円錐型のカソ
ートアッセンブリと後に取り代えられた。当業者におい
て、この円錐型カソートアッセンブリの直径は試料の大
きさに従って変わることが明らかであろう。この円錐型
カソートアッセンブリは一段と容易に取り付けられ、そ
の結果良好に均一になることが分かった。またカソード
において発生する水素ガスの泡沫が容易に逃れるのに有
用であった。
【００３０】上述の通り本発明をその最適な実施例に基
づいて図示、説明したが、本発明の精神及び範囲から脱
することなく詳細構成について種々の変更を加えてもよ
い。
【００３１】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、カソード
アッセンブリを高さを調整することができるピラミッド
型を、このピラミッド型カソードアッセンブリの頂部
が、ワークピースの被研磨表面に対向するようにワーク
ピースの上方に配置し、そしてワークピースの被研磨表
面だけを露出するようにワークピースの側面を囲み、そ
してこの側面から上方に延びる包囲手段を用いることに
より、電解液を静止状態にすることにより、電解研磨中
にワークピースの被研磨表面から金属を高速で除去して
表面をミクロンレベルで仕上げることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は電解研磨プロセス中に金属を均一に除去
する本発明の電解研磨装置の概略を示す略線図である。
【図２】図２はプレートが重ねられて固定されたものか
ら構成されることによりピラミッド形状を形成する、本
発明の装置におけるカソードアッセンブリの底面図であ
る。
【図３】図３は図２のカソードアッセンブリの側面図で
ある。
【図４】図４は円錐形状のピラミッド型構造である本発
明の装置のカソードアッセンブリを示す略線図である。
【符号の説明】
１０……容器手段、１２……電解液、１４……プレート
手段、１６……包囲手段、１８……カソードアッセンブ
リ、２０……通気孔、２２……ワークピース、３０……
プレート、４０……円錐型カソードアッセンブリ
フロントページの続き (72)発明者 ラボミール・タラス・ロマンキウ アメリカ合衆国、ニユーヨーク州10510、 ブリアークリフ・マナー、ダン・レイン ７番地 (56)参考文献 特開 昭63−318213（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−41381（ＪＰ，Ａ) 特開 昭47−38544（ＪＰ，Ａ) 実開 昭54−120531（ＪＰ，Ｕ)

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】ワークピースから金属を除去する電解研磨
    装置において、 電解質溶液を収容する容器手段と、 底面及び頂部を有しそして高さを調整することができる
    ピラミッド型カソードアッセンブリであって、上記頂部
    が下側を向くように上記電解質溶液中に配置された上記
    ピラミッド型カソードアッセンブリと、 上記電解質溶液中の上記頂部から離れた下側の位置に配
    置されたプレート手段の上に、該プレート手段と電気的
    に接続され且つ上記ピラミッド型カソードアッセンブリ
    の上記頂部に対向するように支持されたワークピース
    と、 上記プレート手段に接続された正端子及び上記ピラミッ
    ド型カソードアッセンブリに接続された負端子を有する
    電源手段と、 上記電解質溶液に曝されて研磨される上記ワークピース
    の被研磨表面だけを露出するように上記ワークピースの
    側面を囲みそして該側面から上記ピラミッド型カソード
    アッセンブリに向かって延びる部材を有し、上記ワーク
    ピースから金属を除去する間に上記ワークピースと上記
    ピラミッド型カソードアッセンブリとの間の上記電解質
    溶液を静止状態に保つ包囲手段とを有する電解研磨装
    置。
  2. 【請求項２】上記ピラミッド型カソードアッセンブリは
    リング又はプレートが重ねられて固定されたものから構
    成されることにより、その高さを調節することができる
    ピラミッド型カソードアッセンブリを形成することを特
    徴とする請求項１に記載の電解研磨装置。
  3. 【請求項３】上記ピラミッド型カソードアッセンブリは
    円錐形状であることを特徴とする請求項１に記載の電解
    研磨装置。
  4. 【請求項４】ワークピースを電解研磨する方法におい
    て、 容器内に満たされた電解質溶液中に配置されたプレート
    手段の上にワークピースを装着するステップと、 底面及び頂部を有しそして高さを調整することができる
    ピラミッド型カソードアッセンブリを、上記電解質溶液
    中の上記ワークピースから離れた上側の位置に上記頂部
    が上記ワークピースと対向するように配置するステップ
    と、 上記電解質溶液に曝されて研磨される上記ワークピース
    の被研磨表面だけを露出するように上記ワークピースの
    側面を囲みそして該側面から上記ピラミッド型カソード
    アッセンブリに向かって延びる部材を有し、上記ワーク
    ピースから金属を除去する間に上記ワークピースと上記
    ピラミッド型カソードアッセンブリとの間の上記電解質
    溶液を静止状態に保つ包囲手段を配置するステップと、 上記プレート手段に電源手段の正端子を接続し、上記ピ
    ラミッド型カソードアッセンブリに上記電源手段の負端
    子を接続して上記電解質溶液に曝されたワークピースの
    上記被研磨表面を電解研磨するための電流を連続的に流
    すステップとを含むことを特徴とする電解研磨方法。
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Families Citing this family (141)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5567300A (en) * 1994-09-02 1996-10-22 Ibm Corporation Electrochemical metal removal technique for planarization of surfaces
US5637185A (en) * 1995-03-30 1997-06-10 Rensselaer Polytechnic Institute Systems for performing chemical mechanical planarization and process for conducting same
US5893967A (en) * 1996-03-05 1999-04-13 Candescent Technologies Corporation Impedance-assisted electrochemical removal of material, particularly excess emitter material in electron-emitting device
US5766446A (en) * 1996-03-05 1998-06-16 Candescent Technologies Corporation Electrochemical removal of material, particularly excess emitter material in electron-emitting device
US6749390B2 (en) 1997-12-15 2004-06-15 Semitool, Inc. Integrated tools with transfer devices for handling microelectronic workpieces
WO2000061498A2 (en) 1999-04-13 2000-10-19 Semitool, Inc. System for electrochemically processing a workpiece
US6921467B2 (en) * 1996-07-15 2005-07-26 Semitool, Inc. Processing tools, components of processing tools, and method of making and using same for electrochemical processing of microelectronic workpieces
US6749391B2 (en) 1996-07-15 2004-06-15 Semitool, Inc. Microelectronic workpiece transfer devices and methods of using such devices in the processing of microelectronic workpieces
US6752584B2 (en) * 1996-07-15 2004-06-22 Semitool, Inc. Transfer devices for handling microelectronic workpieces within an environment of a processing machine and methods of manufacturing and using such devices in the processing of microelectronic workpieces
US5916453A (en) 1996-09-20 1999-06-29 Fujitsu Limited Methods of planarizing structures on wafers and substrates by polishing
US5948219A (en) * 1997-05-07 1999-09-07 Advanced Micro Devices, Inc. Apparatus for selectively exposing a semiconductor topography to an electric field
US6120674A (en) * 1997-06-30 2000-09-19 Candescent Technologies Corporation Electrochemical removal of material in electron-emitting device
US6007695A (en) * 1997-09-30 1999-12-28 Candescent Technologies Corporation Selective removal of material using self-initiated galvanic activity in electrolytic bath
US6565729B2 (en) 1998-03-20 2003-05-20 Semitool, Inc. Method for electrochemically depositing metal on a semiconductor workpiece
US6056869A (en) * 1998-06-04 2000-05-02 International Business Machines Corporation Wafer edge deplater for chemical mechanical polishing of substrates
JP2000001799A (ja) * 1998-06-17 2000-01-07 Teikoku Micro Kk 金型の電解洗浄用組成物および該電解洗浄用組成物を用いた金型洗浄装置
US6395152B1 (en) * 1998-07-09 2002-05-28 Acm Research, Inc. Methods and apparatus for electropolishing metal interconnections on semiconductor devices
US7136173B2 (en) * 1998-07-09 2006-11-14 Acm Research, Inc. Method and apparatus for end-point detection
US6447668B1 (en) * 1998-07-09 2002-09-10 Acm Research, Inc. Methods and apparatus for end-point detection
US6497801B1 (en) * 1998-07-10 2002-12-24 Semitool Inc Electroplating apparatus with segmented anode array
US6919010B1 (en) 2001-06-28 2005-07-19 Novellus Systems, Inc. Uniform electroplating of thin metal seeded wafers using rotationally asymmetric variable anode correction
US6773571B1 (en) 2001-06-28 2004-08-10 Novellus Systems, Inc. Method and apparatus for uniform electroplating of thin metal seeded wafers using multiple segmented virtual anode sources
US7160421B2 (en) * 1999-04-13 2007-01-09 Semitool, Inc. Turning electrodes used in a reactor for electrochemically processing a microelectronic workpiece
US6916412B2 (en) * 1999-04-13 2005-07-12 Semitool, Inc. Adaptable electrochemical processing chamber
KR20010020807A (ko) * 1999-05-03 2001-03-15 조셉 제이. 스위니 고정 연마재 제품을 사전-조절하는 방법
US6623609B2 (en) 1999-07-12 2003-09-23 Semitool, Inc. Lift and rotate assembly for use in a workpiece processing station and a method of attaching the same
US6379223B1 (en) 1999-11-29 2002-04-30 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for electrochemical-mechanical planarization
US6299741B1 (en) 1999-11-29 2001-10-09 Applied Materials, Inc. Advanced electrolytic polish (AEP) assisted metal wafer planarization method and apparatus
US6848970B2 (en) * 2002-09-16 2005-02-01 Applied Materials, Inc. Process control in electrochemically assisted planarization
US7077721B2 (en) 2000-02-17 2006-07-18 Applied Materials, Inc. Pad assembly for electrochemical mechanical processing
US7125477B2 (en) 2000-02-17 2006-10-24 Applied Materials, Inc. Contacts for electrochemical processing
US7303462B2 (en) 2000-02-17 2007-12-04 Applied Materials, Inc. Edge bead removal by an electro polishing process
US7029365B2 (en) 2000-02-17 2006-04-18 Applied Materials Inc. Pad assembly for electrochemical mechanical processing
US20040020789A1 (en) * 2000-02-17 2004-02-05 Applied Materials, Inc. Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing
US7059948B2 (en) 2000-12-22 2006-06-13 Applied Materials Articles for polishing semiconductor substrates
US7678245B2 (en) * 2000-02-17 2010-03-16 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for electrochemical mechanical processing
US6979248B2 (en) * 2002-05-07 2005-12-27 Applied Materials, Inc. Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing
US6537144B1 (en) 2000-02-17 2003-03-25 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for enhanced CMP using metals having reductive properties
US6991528B2 (en) * 2000-02-17 2006-01-31 Applied Materials, Inc. Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing
US6991526B2 (en) * 2002-09-16 2006-01-31 Applied Materials, Inc. Control of removal profile in electrochemically assisted CMP
US6962524B2 (en) * 2000-02-17 2005-11-08 Applied Materials, Inc. Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing
US7066800B2 (en) 2000-02-17 2006-06-27 Applied Materials Inc. Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing
US7303662B2 (en) 2000-02-17 2007-12-04 Applied Materials, Inc. Contacts for electrochemical processing
US7670468B2 (en) 2000-02-17 2010-03-02 Applied Materials, Inc. Contact assembly and method for electrochemical mechanical processing
US20040182721A1 (en) * 2003-03-18 2004-09-23 Applied Materials, Inc. Process control in electro-chemical mechanical polishing
US8308931B2 (en) * 2006-08-16 2012-11-13 Novellus Systems, Inc. Method and apparatus for electroplating
US8475636B2 (en) * 2008-11-07 2013-07-02 Novellus Systems, Inc. Method and apparatus for electroplating
US6527920B1 (en) 2000-05-10 2003-03-04 Novellus Systems, Inc. Copper electroplating apparatus
US7622024B1 (en) 2000-05-10 2009-11-24 Novellus Systems, Inc. High resistance ionic current source
WO2002004887A1 (en) 2000-07-08 2002-01-17 Semitool, Inc. Methods and apparatus for processing microelectronic workpieces using metrology
JP2002046024A (ja) * 2000-08-04 2002-02-12 Sony Corp 電解研磨装置、電解研磨方法および被研磨ウエハ
US6896776B2 (en) 2000-12-18 2005-05-24 Applied Materials Inc. Method and apparatus for electro-chemical processing
US6613200B2 (en) 2001-01-26 2003-09-02 Applied Materials, Inc. Electro-chemical plating with reduced thickness and integration with chemical mechanical polisher into a single platform
US6596152B2 (en) * 2001-02-09 2003-07-22 Industrial Technology Research Institute Method and device for simultaneous arc processing and chemical etching
US6503387B2 (en) * 2001-02-09 2003-01-07 Industrial Technology Research Institute Method and device for electro-chemical discharge processing with self-acting bubble layer
US20060169597A1 (en) * 2001-03-14 2006-08-03 Applied Materials, Inc. Method and composition for polishing a substrate
US7160432B2 (en) * 2001-03-14 2007-01-09 Applied Materials, Inc. Method and composition for polishing a substrate
US7323416B2 (en) * 2001-03-14 2008-01-29 Applied Materials, Inc. Method and composition for polishing a substrate
US6811680B2 (en) 2001-03-14 2004-11-02 Applied Materials Inc. Planarization of substrates using electrochemical mechanical polishing
US6899804B2 (en) 2001-12-21 2005-05-31 Applied Materials, Inc. Electrolyte composition and treatment for electrolytic chemical mechanical polishing
US7232514B2 (en) * 2001-03-14 2007-06-19 Applied Materials, Inc. Method and composition for polishing a substrate
US7582564B2 (en) * 2001-03-14 2009-09-01 Applied Materials, Inc. Process and composition for conductive material removal by electrochemical mechanical polishing
US7128825B2 (en) * 2001-03-14 2006-10-31 Applied Materials, Inc. Method and composition for polishing a substrate
US7344432B2 (en) 2001-04-24 2008-03-18 Applied Materials, Inc. Conductive pad with ion exchange membrane for electrochemical mechanical polishing
US7137879B2 (en) 2001-04-24 2006-11-21 Applied Materials, Inc. Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing
US6679980B1 (en) * 2001-06-13 2004-01-20 Advanced Cardiovascular Systems, Inc. Apparatus for electropolishing a stent
SI1270767T1 (en) * 2001-06-20 2004-06-30 Wolf-Dieter Franz Process for cleaning and passivating light metal alloy surfaces
US7682498B1 (en) 2001-06-28 2010-03-23 Novellus Systems, Inc. Rotationally asymmetric variable electrode correction
US6592742B2 (en) 2001-07-13 2003-07-15 Applied Materials Inc. Electrochemically assisted chemical polish
US6863794B2 (en) * 2001-09-21 2005-03-08 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for forming metal layers
US20030072639A1 (en) * 2001-10-17 2003-04-17 Applied Materials, Inc. Substrate support
JP4261355B2 (ja) 2001-10-19 2009-04-30 アイソテクニカ インコーポレイテッド シクロスポリン類似体の合成法
JP2005509746A (ja) * 2001-11-13 2005-04-14 エーシーエム リサーチ，インコーポレイティド 導電性層を電解研磨するための電解研磨アセンブリ及び電解研磨方法
US20070295611A1 (en) * 2001-12-21 2007-12-27 Liu Feng Q Method and composition for polishing a substrate
US6837983B2 (en) 2002-01-22 2005-01-04 Applied Materials, Inc. Endpoint detection for electro chemical mechanical polishing and electropolishing processes
US6991710B2 (en) * 2002-02-22 2006-01-31 Semitool, Inc. Apparatus for manually and automatically processing microelectronic workpieces
US20030159921A1 (en) * 2002-02-22 2003-08-28 Randy Harris Apparatus with processing stations for manually and automatically processing microelectronic workpieces
US20030201185A1 (en) * 2002-04-29 2003-10-30 Applied Materials, Inc. In-situ pre-clean for electroplating process
US6893505B2 (en) * 2002-05-08 2005-05-17 Semitool, Inc. Apparatus and method for regulating fluid flows, such as flows of electrochemical processing fluids
US20030209523A1 (en) * 2002-05-09 2003-11-13 Applied Materials, Inc. Planarization by chemical polishing for ULSI applications
US7189313B2 (en) * 2002-05-09 2007-03-13 Applied Materials, Inc. Substrate support with fluid retention band
US7247223B2 (en) * 2002-05-29 2007-07-24 Semitool, Inc. Method and apparatus for controlling vessel characteristics, including shape and thieving current for processing microfeature workpieces
US20040072445A1 (en) * 2002-07-11 2004-04-15 Applied Materials, Inc. Effective method to improve surface finish in electrochemically assisted CMP
US7114903B2 (en) * 2002-07-16 2006-10-03 Semitool, Inc. Apparatuses and method for transferring and/or pre-processing microelectronic workpieces
US6783657B2 (en) * 2002-08-29 2004-08-31 Micron Technology, Inc. Systems and methods for the electrolytic removal of metals from substrates
US20040040863A1 (en) * 2002-08-29 2004-03-04 Micron Technology, Inc. Systems for electrolytic removal of metals from substrates
US20050061674A1 (en) * 2002-09-16 2005-03-24 Yan Wang Endpoint compensation in electroprocessing
US7112270B2 (en) * 2002-09-16 2006-09-26 Applied Materials, Inc. Algorithm for real-time process control of electro-polishing
US6916409B1 (en) * 2002-12-31 2005-07-12 Advanced Cardiovascular Systems, Inc. Apparatus and process for electrolytic removal of material from a medical device
US7842169B2 (en) * 2003-03-04 2010-11-30 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for local polishing control
US6878932B1 (en) 2003-05-09 2005-04-12 John D. Kroska Mass spectrometer ionization source and related methods
US7390429B2 (en) * 2003-06-06 2008-06-24 Applied Materials, Inc. Method and composition for electrochemical mechanical polishing processing
US20050092620A1 (en) * 2003-10-01 2005-05-05 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for polishing a substrate
US20050092611A1 (en) * 2003-11-03 2005-05-05 Semitool, Inc. Bath and method for high rate copper deposition
US20050121141A1 (en) * 2003-11-13 2005-06-09 Manens Antoine P. Real time process control for a polishing process
US7186164B2 (en) * 2003-12-03 2007-03-06 Applied Materials, Inc. Processing pad assembly with zone control
US7390744B2 (en) 2004-01-29 2008-06-24 Applied Materials, Inc. Method and composition for polishing a substrate
US20060021974A1 (en) * 2004-01-29 2006-02-02 Applied Materials, Inc. Method and composition for polishing a substrate
US20050167266A1 (en) * 2004-02-02 2005-08-04 Cabot Microelectronics Corporation ECMP system
US8623193B1 (en) 2004-06-16 2014-01-07 Novellus Systems, Inc. Method of electroplating using a high resistance ionic current source
US7520968B2 (en) 2004-10-05 2009-04-21 Applied Materials, Inc. Conductive pad design modification for better wafer-pad contact
US7803257B2 (en) * 2004-10-22 2010-09-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Current-leveling electroplating/electropolishing electrode
US7655565B2 (en) * 2005-01-26 2010-02-02 Applied Materials, Inc. Electroprocessing profile control
US7427340B2 (en) 2005-04-08 2008-09-23 Applied Materials, Inc. Conductive pad
US20060249395A1 (en) * 2005-05-05 2006-11-09 Applied Material, Inc. Process and composition for electrochemical mechanical polishing
US20060249394A1 (en) * 2005-05-05 2006-11-09 Applied Materials, Inc. Process and composition for electrochemical mechanical polishing
US20070096315A1 (en) * 2005-11-01 2007-05-03 Applied Materials, Inc. Ball contact cover for copper loss reduction and spike reduction
US20070151866A1 (en) * 2006-01-05 2007-07-05 Applied Materials, Inc. Substrate polishing with surface pretreatment
US20070153453A1 (en) * 2006-01-05 2007-07-05 Applied Materials, Inc. Fully conductive pad for electrochemical mechanical processing
US7415858B2 (en) 2006-02-21 2008-08-26 Tyco Healthcare Group Lp Grindless surgical needle manufacture
US20070235344A1 (en) * 2006-04-06 2007-10-11 Applied Materials, Inc. Process for high copper removal rate with good planarization and surface finish
US20070251832A1 (en) * 2006-04-27 2007-11-01 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for electrochemical mechanical polishing of cu with higher liner velocity for better surface finish and higher removal rate during clearance
US20070254485A1 (en) * 2006-04-28 2007-11-01 Daxin Mao Abrasive composition for electrochemical mechanical polishing
US7422982B2 (en) * 2006-07-07 2008-09-09 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for electroprocessing a substrate with edge profile control
US7799684B1 (en) 2007-03-05 2010-09-21 Novellus Systems, Inc. Two step process for uniform across wafer deposition and void free filling on ruthenium coated wafers
US8012000B2 (en) * 2007-04-02 2011-09-06 Applied Materials, Inc. Extended pad life for ECMP and barrier removal
US8513124B1 (en) 2008-03-06 2013-08-20 Novellus Systems, Inc. Copper electroplating process for uniform across wafer deposition and void free filling on semi-noble metal coated wafers
US8703615B1 (en) 2008-03-06 2014-04-22 Novellus Systems, Inc. Copper electroplating process for uniform across wafer deposition and void free filling on ruthenium coated wafers
US7964506B1 (en) 2008-03-06 2011-06-21 Novellus Systems, Inc. Two step copper electroplating process with anneal for uniform across wafer deposition and void free filling on ruthenium coated wafers
US8475637B2 (en) * 2008-12-17 2013-07-02 Novellus Systems, Inc. Electroplating apparatus with vented electrolyte manifold
US8262871B1 (en) 2008-12-19 2012-09-11 Novellus Systems, Inc. Plating method and apparatus with multiple internally irrigated chambers
US8658006B2 (en) 2010-04-12 2014-02-25 Abbott Cardiovascular Systems Inc. System and method for electropolising devices
US10233556B2 (en) 2010-07-02 2019-03-19 Lam Research Corporation Dynamic modulation of cross flow manifold during electroplating
US10094034B2 (en) 2015-08-28 2018-10-09 Lam Research Corporation Edge flow element for electroplating apparatus
US9624592B2 (en) 2010-07-02 2017-04-18 Novellus Systems, Inc. Cross flow manifold for electroplating apparatus
US9523155B2 (en) 2012-12-12 2016-12-20 Novellus Systems, Inc. Enhancement of electrolyte hydrodynamics for efficient mass transfer during electroplating
US8795480B2 (en) 2010-07-02 2014-08-05 Novellus Systems, Inc. Control of electrolyte hydrodynamics for efficient mass transfer during electroplating
US8575028B2 (en) 2011-04-15 2013-11-05 Novellus Systems, Inc. Method and apparatus for filling interconnect structures
US9670588B2 (en) 2013-05-01 2017-06-06 Lam Research Corporation Anisotropic high resistance ionic current source (AHRICS)
US9449808B2 (en) 2013-05-29 2016-09-20 Novellus Systems, Inc. Apparatus for advanced packaging applications
US9163322B2 (en) 2013-07-01 2015-10-20 General Electric Company Method and apparatus for refurbishing turbine components
US9677190B2 (en) 2013-11-01 2017-06-13 Lam Research Corporation Membrane design for reducing defects in electroplating systems
US9567554B2 (en) 2014-01-10 2017-02-14 General Electric Company Apparatus, method, and solvent for cleaning turbine components
US9816194B2 (en) 2015-03-19 2017-11-14 Lam Research Corporation Control of electrolyte flow dynamics for uniform electroplating
US10014170B2 (en) 2015-05-14 2018-07-03 Lam Research Corporation Apparatus and method for electrodeposition of metals with the use of an ionically resistive ionically permeable element having spatially tailored resistivity
US10399166B2 (en) * 2015-10-30 2019-09-03 General Electric Company System and method for machining workpiece of lattice structure and article machined therefrom
US10364505B2 (en) 2016-05-24 2019-07-30 Lam Research Corporation Dynamic modulation of cross flow manifold during elecroplating
US11001934B2 (en) 2017-08-21 2021-05-11 Lam Research Corporation Methods and apparatus for flow isolation and focusing during electroplating
US10781527B2 (en) 2017-09-18 2020-09-22 Lam Research Corporation Methods and apparatus for controlling delivery of cross flowing and impinging electrolyte during electroplating
CN111101189A (zh) * 2020-01-03 2020-05-05 湖南大昊科技有限公司 一种基于射频击穿阈值的电磁结构表面处理方法
CN114892258A (zh) * 2022-05-23 2022-08-12 浙江工业大学 一种电解抛光装置与减薄平板拉伸试样的方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2868705A (en) * 1955-01-19 1959-01-13 John J Baier Art of electrolytically treating metal to clean, level, smooth, polish and/or protect the surfaces thereof
US3240685A (en) * 1962-02-23 1966-03-15 Ibm Method and device for selective anodization
US3325384A (en) * 1963-11-13 1967-06-13 Buckbee Mears Co Shaped cathode for electrolytic etching
NL6807942A (ja) * 1968-06-06 1969-12-09
DE2009189A1 (en) * 1969-10-02 1971-04-15 Ruhla Uhren Veb K Electrolytic polishing plant for small - parts
US3713998A (en) * 1970-10-23 1973-01-30 Western Electric Co Method of and apparatus for the electrochemical treatment of work surfaces
US4127459A (en) * 1977-09-01 1978-11-28 Jumer John F Method and apparatus for incremental electro-polishing
DE2917654A1 (de) * 1979-05-02 1980-11-13 Ibm Deutschland Anordnung und verfahren zum selektiven, elektrochemischen aetzen
US4247377A (en) * 1979-02-21 1981-01-27 United Technologies Corporation Method for electrolytic etching
US4217190A (en) * 1979-06-20 1980-08-12 United Technologies Corporation Method and apparatus for electrochemically finishing airfoil edges
JPS6052599A (ja) * 1983-09-02 1985-03-25 Nippon Steel Corp メツキ鋼板のメツキ金属電解剥離方法
JPS63318213A (ja) * 1987-06-19 1988-12-27 Stanley Electric Co Ltd 三次元電解仕上げ装置
US4882019A (en) * 1988-11-21 1989-11-21 Lewy Michael M Apparatus and method for polishing a plumbing or electrical fixture

Also Published As

Publication number Publication date
US5217586A (en) 1993-06-08
EP0557593B1 (en) 1996-01-24
DE69207888T2 (de) 1996-08-14
DE69207888D1 (de) 1996-03-07
JPH07252700A (ja) 1995-10-03
EP0557593A1 (en) 1993-09-01

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