SU879678A1 - Устройство дл локальной электрохимической обработки полупроводниковой пластины - Google Patents

Description

Изобретение относитс  к технологи выращивани  окисных пленок кремни  и мэжет быть использовано дл  локаль ного электролитического осаждени  ме таллов и контрол  дефектов (пор) в окисных сло х. известно устройство дл  электрохимического травлени  и анодного окислени  кремни / включающее электролитическую ванну, анод, катод, диск кремни , кольцевую прокладку/ лопастную мешалку/ источник света и питани , контейнер fl. При этом крепление дисков кремни  осуществл ю механически или с помощью вакуумного присоса подложки к тоководу. Токовод щее устройство из металла анодируетс  в данном электролите с обра зованием изолирующей анодной пленки Лопастна  мешалка позвол ет осуществ л ть перемешивание электролита. Устройство может быть использовано дл  электроосаждени  металлов/ но оно не предназначено дл  декорировани  к аи а.аи заторами макродефекто окисных пленок кремни / поскольку конструкци  не предусматривает локального осаждени  металла в поры окисной пленки. Наиболее близким к предлагаемому  вл етс  устройство дл  электролити-ческой обработки полупроводниковой пластины, содержащее корпус, внутри которого размещены держатель/ электрод и прижимной элемент дл  полупроводниковой пластины, и источник энергии 2. Недостаток известного устройства заключаетс  в том/ что оно не позвол ет осуществл ть операцию декорировани  катализаторами макродефектов окисных пленок. Кроме того, устройство позвол ет измен ть рассто ние между электродами/ а следовательно, измен ть режим осаждени  различных металлов. Цель изобретени  - повышение качества обработки - достигаетс  за счет того, что в устройстве дл  локальной электролитической обработки полупроводниковой пластины, содержащем корпус/ внутри которого размещены держатель/ электрод и прижимной элемент дл  полупроводниковой пластины/ и источник энергии/ держатель выполнен в виде токопровод щей пластины/ закрепленной на основании jcpp- пуса и соединенной с отрицательнь1м

полюсом источника энергии, а на внутренних стенках корпуса выполнены выступы, на которых закреплен прижимной элемент дл  полупроводниковой пластины, выполненный в виде кольца, при этом основание корпуса выполнено съемным.

На чертеже показано предлагаемое стройство.

Оно содержит корпус 1, на основании 2 которого установлен жестко катод 3, выполненный в виде токопровод щей пластины с помощью винта 4, Образец 5, в качестве которого берут полупроводниковую пластину,с пленкой 6 прижимаетс  к катоду 3 с помощью кольца 7с резьбой через уплотнители 8. Кольцо 7 установлено -на выступах корпуса 1 и образует зону обработки плас.тины. В корпусе ванны выполнены кольцевые проточки 9 дл  удобства загрузки пластин различного диаметра Прижимное усилие, создаваемое кольцо выполненным из диэлектрика, регулируетс  так, чтобы электролит 10 не проникал в кольцевую проточку 9 И не создавал замыкани  электрического тока через электролит, мину  пористу окисную пленку и подложку.

Анод 11 жестко установлен на токоподвод щем винте 12, закрепленном в крышке 13 с .помощью гайки 14 и кольца 15. При повороте гайки 14 винт перемещаетс  поступательно, иск люча  разрыв токоподвод щего провода 16. Имеетс  источник энергии 17, токопровод щий провод 18, а в пластине б выполнены сквозные поры 19;

Установка работает следующим образом.

От источника энергии 17 с посто нным напр жением с помощью токоподвод щих проводов 16 и 18 подают посто нную разность потенциалов к обрабатываемой полупроводниковой пластине и аноду 11.

Под действием разности потенциало идет осаждение металла (Pd, Pt, Mo) из электролита (./ HjPt, Се, (NH4.-MQ О,) , которые декодируют сквозные поры 19 и обеспечивают их резкий контраст по -отношению к ос

Тсшьной бездефектной поверхности пленки 6. Выдел ющийс  при электролизе на аноде газ удал ют из электроЛ1 .тической  чейки через отверстие в крышке.

Необходимую плотность тока устанавливают изменением величины напр жени , подаваемого от источника энергии 17, а также регулировкой рассто ни  между катодом и анодом, что позвол ет подбирать режимы дл  осаждени  различных металлов. Выполнение анода в форме полупроводниковой пластины обеспечивает равномерное осаждение катализ.атора на подложку.

Устройство позвол ет обнаруживать дефекты окисных пленок и позволит повысить качество пленки и выход годных изделий в 1,5 раза.

Claims (2)

1.Чист ков Ю.И. и др. Зарубежна  электронна  техника,вып. 13 (134), изд. ЦНИИ Электроника . М., 1976, с. 9-11.

2.Курносов и.И. Защита и герметизаци  полупроводниковых приборов.и интегральных схем. М., Высша  школа, 1978, с. 32-33 (прототип).

1Ъ