JPH0734232A - レーザーアブレーション装置およびそれを用いた半導体形成法 - Google Patents
レーザーアブレーション装置およびそれを用いた半導体形成法Info
- Publication number
- JPH0734232A JPH0734232A JP17962293A JP17962293A JPH0734232A JP H0734232 A JPH0734232 A JP H0734232A JP 17962293 A JP17962293 A JP 17962293A JP 17962293 A JP17962293 A JP 17962293A JP H0734232 A JPH0734232 A JP H0734232A
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- JP
- Japan
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- laser
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- semiconductor
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- Pending
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高濃度のｎ型不純をII−VI族半導体に添加す
る。 【構成】 ドーピング物質を付着させたII−VI族半導体
構成元素のターゲット７に短パルスのレーザー光２を照
射させることにより、ターゲット物質と付着物とを一緒
にアブレートし、基板に飛来させ、不純物添加された化
合物を形成する。
る。 【構成】 ドーピング物質を付着させたII−VI族半導体
構成元素のターゲット７に短パルスのレーザー光２を照
射させることにより、ターゲット物質と付着物とを一緒
にアブレートし、基板に飛来させ、不純物添加された化
合物を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光デバイスに利用される
化合物半導体形成法に関するものである。
化合物半導体形成法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】以下に、従来のII−VI族半導体形成法に
ついて説明する。
ついて説明する。
【０００３】従来II−VI族半導体形成法はジャーナル
オブ アプライド フィジックス第７０冊p.439(1991)
に示されているように、分子線エピタキシー法（ＭＢ
Ｅ）によりＺｎＳｅ単結晶薄膜の成長をさせると同時
に、ＺｎＣｌ2を蒸発させ、ｎ型伝導体の塩素ドープＺ
ｎＳｅ薄膜を作成していた。
オブ アプライド フィジックス第７０冊p.439(1991)
に示されているように、分子線エピタキシー法（ＭＢ
Ｅ）によりＺｎＳｅ単結晶薄膜の成長をさせると同時
に、ＺｎＣｌ2を蒸発させ、ｎ型伝導体の塩素ドープＺ
ｎＳｅ薄膜を作成していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような方
式では、蒸気圧の高い物質が浮遊し基板以外の所にも付
着し、剥がれ落ちダストとして基板に付着するという課
題があった。
式では、蒸気圧の高い物質が浮遊し基板以外の所にも付
着し、剥がれ落ちダストとして基板に付着するという課
題があった。
【０００５】そこで本発明は、上記課題に鑑み、粒子の
方向性が高いレーザーアブレーション法によりＺｎＳｅ
単結晶薄膜を形成すると同時に、ＺｎＳｅターゲットに
蒸着させたＺｎＣｌ2もアブレートさせるレーザーアブ
レーション装置およびそれを用いた半導体形成法の提供
をすることを目的とする。
方向性が高いレーザーアブレーション法によりＺｎＳｅ
単結晶薄膜を形成すると同時に、ＺｎＳｅターゲットに
蒸着させたＺｎＣｌ2もアブレートさせるレーザーアブ
レーション装置およびそれを用いた半導体形成法の提供
をすることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、レーザー発振器と、集光するレンズと、真
空槽と、前記真空槽に設けられたレーザー入射窓と、前
記真空槽内にありレーザーが照射されるターゲットと、
ターゲットのレーザー照射部に物質を蒸着されるための
るつぼと、ターゲット上にありターゲットからレーザー
照射により噴出した物質を堆積させる基板とを備えたも
のである。
に本発明は、レーザー発振器と、集光するレンズと、真
空槽と、前記真空槽に設けられたレーザー入射窓と、前
記真空槽内にありレーザーが照射されるターゲットと、
ターゲットのレーザー照射部に物質を蒸着されるための
るつぼと、ターゲット上にありターゲットからレーザー
照射により噴出した物質を堆積させる基板とを備えたも
のである。
【０００７】また、本発明の形成法は、レーザーアブレ
ーション装置を用いて、基板にターゲットからの物質が
堆積すると同時にアブレーション用のレーザー光によ
り、ターゲット表面に蒸着した物質も基板に供給させる
ものである。
ーション装置を用いて、基板にターゲットからの物質が
堆積すると同時にアブレーション用のレーザー光によ
り、ターゲット表面に蒸着した物質も基板に供給させる
ものである。
【０００８】
【作用】この構成により、高濃度のｎ型不純物をII−VI
族半導体に添加することができる。
族半導体に添加することができる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の一実施例を添付図面に基づい
て説明する。
て説明する。
【００１０】図１において、、例えば、エキシマレーザ
ー１から発振されたアブレーション用レーザー光２はレ
ンズ３で集光され、真空封じ用窓４を通過して、真空槽
５に入射される。真空槽５には、真空排気用ポンプ６が
付けてある。レーザー光２は、真空槽５内に設置された
ターゲット７に照射される。また、ターゲット７に対向
して加熱機構が付いた基板ホルダー８が真空槽５内に設
置されており、基板９が取りつけられるものである。
ー１から発振されたアブレーション用レーザー光２はレ
ンズ３で集光され、真空封じ用窓４を通過して、真空槽
５に入射される。真空槽５には、真空排気用ポンプ６が
付けてある。レーザー光２は、真空槽５内に設置された
ターゲット７に照射される。また、ターゲット７に対向
して加熱機構が付いた基板ホルダー８が真空槽５内に設
置されており、基板９が取りつけられるものである。
【００１１】このような構造において、例えば、波長２
４８ｎｍ、パルス幅２７ｎｓｅｃ、振り返し周波数２０
Ｈｚのレーザー光２を、例えばセレン化亜鉛（ＺｎＳ
ｅ）のターゲット７に集光すると、物質はたたき出さ
れ、セレンと亜鉛の粒子１０として、例えばガリウム砒
素（ＧａＡｓ）の基板９に飛来し、セレンと亜鉛の化合
物薄膜が形成される。ここで、るつぼ１１から例えば塩
化亜鉛（ＺｎＣｌ2）を蒸発させターゲット７のレーザ
ー照射スポットに蒸着させる。このとき、ターゲット７
の下に設置された冷却装置１２により、ターゲット７を
冷却すると塩化亜鉛が連続で蒸発しているためレーザー
光２が照射されていない時にターゲット７の表面に付着
する。このとき、ターゲット７に照射されたレーザー光
２はターゲット物質と付着物質とを一緒にアブレーショ
ンさせ、基板９上で化合物薄膜に塩素がドーピングされ
る。
４８ｎｍ、パルス幅２７ｎｓｅｃ、振り返し周波数２０
Ｈｚのレーザー光２を、例えばセレン化亜鉛（ＺｎＳ
ｅ）のターゲット７に集光すると、物質はたたき出さ
れ、セレンと亜鉛の粒子１０として、例えばガリウム砒
素（ＧａＡｓ）の基板９に飛来し、セレンと亜鉛の化合
物薄膜が形成される。ここで、るつぼ１１から例えば塩
化亜鉛（ＺｎＣｌ2）を蒸発させターゲット７のレーザ
ー照射スポットに蒸着させる。このとき、ターゲット７
の下に設置された冷却装置１２により、ターゲット７を
冷却すると塩化亜鉛が連続で蒸発しているためレーザー
光２が照射されていない時にターゲット７の表面に付着
する。このとき、ターゲット７に照射されたレーザー光
２はターゲット物質と付着物質とを一緒にアブレーショ
ンさせ、基板９上で化合物薄膜に塩素がドーピングされ
る。
【００１２】
【発明の効果】本発明のII−VI族半導体形成法によれ
ば、ドーピング物質を付着させたII−VI族半導体構成元
素のターゲットに短パルスのレーザーを照射させること
により、基板に高濃度のｎ型不純を添加したII−VI族半
導体化合物薄膜を形成することができた。
ば、ドーピング物質を付着させたII−VI族半導体構成元
素のターゲットに短パルスのレーザーを照射させること
により、基板に高濃度のｎ型不純を添加したII−VI族半
導体化合物薄膜を形成することができた。
【図１】本発明の一実施例におけるレーザーアブレーシ
ョン装置を示す断面図
ョン装置を示す断面図
１ エキシマレーザー ２ レーザー光 ３ レンズ ４ 真空封じ用窓 ５ 真空槽 ６ 真空排気ポンプ ７ ターゲット ８ 基板ホルダー ９ 基板 １０ 粒子 １１ るつぼ １２ 冷却装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 三露 常男 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 大川 和宏 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (8)
- 【請求項１】 レーザー発振器と、レーザーを集光する
レーザー集光手段と、真空槽と、前記真空槽に設けられ
たレーザー入射窓と、前記真空槽内にありレーザーが照
射されるターゲットと、前記ターゲットのレーザー照射
部に物質を蒸着させるための蒸着源と、前記ターゲット
上にあって、かつ前記ターゲットからレーザー照射によ
り噴出した物質を堆積させる基板とを備えたレーザーア
ブレーション装置。 - 【請求項２】 レーザー発振器はパルスレーザーである
請求項１記載のレーザーアブレーション装置。 - 【請求項３】 ターゲットの下にはターゲット冷却装置
が設けられている請求項１記載のレーザーアブレーショ
ン装置。 - 【請求項４】 ターゲットはII−VI族半導体構成元素か
らなる請求項１記載のレーザーアブレーション装置。 - 【請求項５】 蒸着物質は塩化物である請求項１記載の
レーザーアブレーション装置。 - 【請求項６】 請求項１記載の装置を用いて、基板にタ
ーゲットからの物質が堆積すると同時にアブレーション
用のレーザー光により、ターゲット表面に蒸着した物質
も基板に供給させる半導体形成法。 - 【請求項７】 ターゲットはII−VI族半導体構成元素か
らなる請求項６記載の半導体形成法。 - 【請求項８】 蒸着物質は塩化物である請求項６記載の
半導体形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17962293A JPH0734232A (ja) | 1993-07-21 | 1993-07-21 | レーザーアブレーション装置およびそれを用いた半導体形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17962293A JPH0734232A (ja) | 1993-07-21 | 1993-07-21 | レーザーアブレーション装置およびそれを用いた半導体形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0734232A true JPH0734232A (ja) | 1995-02-03 |
Family
ID=16068988
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17962293A Pending JPH0734232A (ja) | 1993-07-21 | 1993-07-21 | レーザーアブレーション装置およびそれを用いた半導体形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0734232A (ja) |
-
1993
- 1993-07-21 JP JP17962293A patent/JPH0734232A/ja active Pending
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