JPH06172980A - レーザーアブレーション装置 - Google Patents
レーザーアブレーション装置Info
- Publication number
- JPH06172980A JPH06172980A JP32776792A JP32776792A JPH06172980A JP H06172980 A JPH06172980 A JP H06172980A JP 32776792 A JP32776792 A JP 32776792A JP 32776792 A JP32776792 A JP 32776792A JP H06172980 A JPH06172980 A JP H06172980A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- target
- vacuum chamber
- laser ablation
- laser light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高純度の単体ターゲットからのレーザーアブ
レーションにより化合物薄膜を形成する。 【構成】 レーザー光２を分岐し金属ターゲットと化合
物を形成する他の物質のターゲットとのレーザーパワー
密度を変化させ、基板への付着量を正確にコントロール
するために、遮断手段を設け成膜に必要量を交互に噴出
させることができ、高品質の化合物薄膜を形成すること
ができた。
レーションにより化合物薄膜を形成する。 【構成】 レーザー光２を分岐し金属ターゲットと化合
物を形成する他の物質のターゲットとのレーザーパワー
密度を変化させ、基板への付着量を正確にコントロール
するために、遮断手段を設け成膜に必要量を交互に噴出
させることができ、高品質の化合物薄膜を形成すること
ができた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は薄膜デバイスに利用され
る超伝導体や強誘電体等の膜形成に用いるレーザーアブ
レーション装置に関するものである。
る超伝導体や強誘電体等の膜形成に用いるレーザーアブ
レーション装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】以下に、従来のレーザーアブレーション
装置について説明する。
装置について説明する。
【０００３】従来のレーザーアブレーション装置は真空
槽内に置かれた被加工物にしきい値以上のエネルギー密
度のレーザー光を照射すると物質が飛び出し、この物質
を基板に付着させるものであった。レーザーは一般に短
波長のパルスレーザー光を高エネルギー密度に集光して
照射している。化合物を形成するときには、図３に示し
たように、構成する単体ターゲット２７、２８にそれぞ
れレーザーを照射し、基板３０上で高純度の化合物を形
成することができる。
槽内に置かれた被加工物にしきい値以上のエネルギー密
度のレーザー光を照射すると物質が飛び出し、この物質
を基板に付着させるものであった。レーザーは一般に短
波長のパルスレーザー光を高エネルギー密度に集光して
照射している。化合物を形成するときには、図３に示し
たように、構成する単体ターゲット２７、２８にそれぞ
れレーザーを照射し、基板３０上で高純度の化合物を形
成することができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような方
式では、熱伝導性がよく表面でレーザー光を反射し易い
金属ターゲットが含まれている場合では、他のターゲッ
トに比べ金属ターゲットからアブレーション物質が飛び
出しにくく、アブレーション物質量の差が大きくなり化
合物が形成されにくいという課題があった。
式では、熱伝導性がよく表面でレーザー光を反射し易い
金属ターゲットが含まれている場合では、他のターゲッ
トに比べ金属ターゲットからアブレーション物質が飛び
出しにくく、アブレーション物質量の差が大きくなり化
合物が形成されにくいという課題があった。
【０００５】そこで本発明は、上記課題に鑑み、レーザ
ー光を分岐し金属ターゲットと化合物を形成する他の物
質のターゲットとのレーザーパワー密度を変化させる。
また、基板への付着量を正確にコントロールするため
に、遮断手段を設け成膜に必要量を交互に噴出させるこ
とができるレーザーアブレーション装置の提供を目的と
する。
ー光を分岐し金属ターゲットと化合物を形成する他の物
質のターゲットとのレーザーパワー密度を変化させる。
また、基板への付着量を正確にコントロールするため
に、遮断手段を設け成膜に必要量を交互に噴出させるこ
とができるレーザーアブレーション装置の提供を目的と
する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のレーザーアブレーション装置は、アブレー
ション用レーザー発振器と、レーザー光を分岐する手段
と、分岐されたそれぞれのレーザー光を遮断する手段
と、集光するレンズと、真空槽と、前記真空槽に設けら
れたレーザー入射窓と、前記真空槽内にありレーザーが
照射される第１ターゲットと、分岐されたもう一方のレ
ーザー光が照射される第２ターゲットと、前記第１、第
２ターゲット上にある基板ホルダーとを備え、前記遮断
手段により第１ターゲット物質と第２ターゲット物質を
交互に噴出させるものである。
に、本発明のレーザーアブレーション装置は、アブレー
ション用レーザー発振器と、レーザー光を分岐する手段
と、分岐されたそれぞれのレーザー光を遮断する手段
と、集光するレンズと、真空槽と、前記真空槽に設けら
れたレーザー入射窓と、前記真空槽内にありレーザーが
照射される第１ターゲットと、分岐されたもう一方のレ
ーザー光が照射される第２ターゲットと、前記第１、第
２ターゲット上にある基板ホルダーとを備え、前記遮断
手段により第１ターゲット物質と第２ターゲット物質を
交互に噴出させるものである。
【作用】この構成により、単体ターゲットからのアブレ
ーション物質量を正確にコントロールすることができ、
高純度の化合物薄膜を高速で形成することができる。
ーション物質量を正確にコントロールすることができ、
高純度の化合物薄膜を高速で形成することができる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の一実施例を添付図面に基づい
て説明する。
て説明する。
【０００８】図１において、例えば、エキシマレーザー
１から発振されたアブレーション用レーザ光２は、ハー
フミラー３でレーザー光４とレーザー光５に分岐され
る。レーザー光４とレーザー光５にはチョッパー６があ
り遮断される。レーザー光４はレンズ７で集光され真空
封じ用窓８を通過して、真空槽９に入射される。真空槽
９には、真空排気用ポンプ１０が付けてある。レーザー
光４は、真空槽９内に設置されたターゲット１１に照射
される。また、レーザー光５はフィルター１２、真空封
じ用窓８を通過して、真空槽９に入射される。レーザー
光５は、真空槽９内に設置されたターゲット１３に照射
される。また、ターゲット１１とターゲット１３に対向
して基板ホルダー１４が真空槽９内に設置されており、
基板１５が付けてある。
１から発振されたアブレーション用レーザ光２は、ハー
フミラー３でレーザー光４とレーザー光５に分岐され
る。レーザー光４とレーザー光５にはチョッパー６があ
り遮断される。レーザー光４はレンズ７で集光され真空
封じ用窓８を通過して、真空槽９に入射される。真空槽
９には、真空排気用ポンプ１０が付けてある。レーザー
光４は、真空槽９内に設置されたターゲット１１に照射
される。また、レーザー光５はフィルター１２、真空封
じ用窓８を通過して、真空槽９に入射される。レーザー
光５は、真空槽９内に設置されたターゲット１３に照射
される。また、ターゲット１１とターゲット１３に対向
して基板ホルダー１４が真空槽９内に設置されており、
基板１５が付けてある。
【０００９】このような構造において、まず最初にチョ
ッパー６により、たとえば、波長２４８ｎｍ、パルス幅
２７ｎｓｅｃのレーザー光４を、たとえば亜鉛のターゲ
ット１１に集光すると、物質はたたき出され、亜鉛粒子
１６として、たとえばガリウム砒素の基板１５に飛来し
付着する。ここで、図２に示すようにたとえば１原子層
付着すれば、次にチョッパー６を切り替えて、レーザー
光５を、たとえばセレンのターゲット１３に照射させ
る。すると、セレン粒子１７がたたき出され、基板１５
に飛来し、セレンと亜鉛の化合物薄膜が形成される。
ッパー６により、たとえば、波長２４８ｎｍ、パルス幅
２７ｎｓｅｃのレーザー光４を、たとえば亜鉛のターゲ
ット１１に集光すると、物質はたたき出され、亜鉛粒子
１６として、たとえばガリウム砒素の基板１５に飛来し
付着する。ここで、図２に示すようにたとえば１原子層
付着すれば、次にチョッパー６を切り替えて、レーザー
光５を、たとえばセレンのターゲット１３に照射させ
る。すると、セレン粒子１７がたたき出され、基板１５
に飛来し、セレンと亜鉛の化合物薄膜が形成される。
【００１０】
【発明の効果】本発明のレーザーアブレーション装置に
よれば、アブレーション粒子の噴出量が極端に違う２種
類の単体ターゲットからのアブレーション粒子を正確に
コントロールし付着させることができ、基板に化合物薄
膜を高速で形成することができた。
よれば、アブレーション粒子の噴出量が極端に違う２種
類の単体ターゲットからのアブレーション粒子を正確に
コントロールし付着させることができ、基板に化合物薄
膜を高速で形成することができた。
【図１】本発明の実施例におけるレーザーアブレーショ
ン装置の断面図
ン装置の断面図
【図２】同装置の動作原理図
【図３】従来例のレーザーアブレーション装置の断面図
１ エキシマレーザー ２ レーザー光 ４ レーザー光 ３ ハーフミラー ５ レーザー光 ６ チョッパー ７ レンズ ８ 真空封じ用窓 ９ 真空槽 １０ 真空排気ポンプ １１ ターゲット １２ フィルター １３ ターゲット １４ 基板ホルダー １５ 基板 １６ 粒子 １７ 粒子
フロントページの続き (72)発明者 三露 常男 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 大川 和宏 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】 アブレーション用レーザ発振器と、レー
ザー光を分岐する手段と、分岐されたそれぞれのレーザ
光を遮断する手段と、集光するレンズと、真空槽と、前
記真空槽に設けられたレーザー入射窓と、前記真空槽内
にありレーザーが照射される第１ターゲットと、分岐さ
れたもう一方のレーザー光が照射される第２ターゲット
と、前記第１、第２ターゲット上にある基板ホルダーと
を備え、前記遮断手段により第１ターゲット物質と第２
ターゲット物質を交互に噴出させるレーザアブレーショ
ン装置。 - 【請求項２】 レーザー発振器はパルスレーザーである
請求項１記載のレーザーアブレーション装置。 - 【請求項３】 第１ターゲットは亜鉛またはカドミウム
である請求項１記載のレーザーアブレーション装置。 - 【請求項４】 第２ターゲットは硫黄、セレンまたはテ
ルルである請求項１記載のレーザーアブレーション装
置。 - 【請求項５】 第２ターゲットに集光されるレーザー光
の光路にフィルターを設置した請求項４記載のレーザー
アブレーション装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32776792A JPH06172980A (ja) | 1992-12-08 | 1992-12-08 | レーザーアブレーション装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32776792A JPH06172980A (ja) | 1992-12-08 | 1992-12-08 | レーザーアブレーション装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06172980A true JPH06172980A (ja) | 1994-06-21 |
Family
ID=18202764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32776792A Pending JPH06172980A (ja) | 1992-12-08 | 1992-12-08 | レーザーアブレーション装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06172980A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011249276A (ja) * | 2010-05-31 | 2011-12-08 | Tottori Univ | 固体酸化物型燃料電池用電解質薄膜製造装置およびその方法 |
-
1992
- 1992-12-08 JP JP32776792A patent/JPH06172980A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011249276A (ja) * | 2010-05-31 | 2011-12-08 | Tottori Univ | 固体酸化物型燃料電池用電解質薄膜製造装置およびその方法 |
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