JPH06172978A - レーザーアブレーション装置 - Google Patents
レーザーアブレーション装置Info
- Publication number
- JPH06172978A JPH06172978A JP32776492A JP32776492A JPH06172978A JP H06172978 A JPH06172978 A JP H06172978A JP 32776492 A JP32776492 A JP 32776492A JP 32776492 A JP32776492 A JP 32776492A JP H06172978 A JPH06172978 A JP H06172978A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- laser
- ablation
- vacuum chamber
- laser beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高純度の単体ターゲットからのレーザーアブ
レーションにより化合物薄膜を形成する。 【構成】 レーザー反射率の高い金属ターゲット１２の
表面に化合物を形成する他の物質をレーザーアブレーシ
ョンにより付着させ、レーザー光の反射を少なくさせ金
属ターゲット物質と付着物質を同時に飛び出させること
ができ、高速で化合物薄膜を形成することができた。
レーションにより化合物薄膜を形成する。 【構成】 レーザー反射率の高い金属ターゲット１２の
表面に化合物を形成する他の物質をレーザーアブレーシ
ョンにより付着させ、レーザー光の反射を少なくさせ金
属ターゲット物質と付着物質を同時に飛び出させること
ができ、高速で化合物薄膜を形成することができた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は薄膜デバイスに利用され
る超伝導体や強誘電体等の膜形成に用いるレーザーアブ
レーション装置に関するものである。
る超伝導体や強誘電体等の膜形成に用いるレーザーアブ
レーション装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】以下、従来のレーザーアブレーション装
置について説明する。
置について説明する。
【０００３】従来のレーザーアブレーション装置は真空
槽内に置かれた被加工物にしきい値以上のエネルギー密
度のレーザー光を照射すると物質が飛び出し、この物質
を基板に付着させるものであった。レーザーは一般に短
波長のパルスレーザー光を高エネルギー密度に集光して
照射している。化合物を形成するときには、図２に示し
たように、構成する単体ターゲット２７、２８にそれぞ
れレーザーを照射し、基板３０上で高純度の化合物を形
成することができる。
槽内に置かれた被加工物にしきい値以上のエネルギー密
度のレーザー光を照射すると物質が飛び出し、この物質
を基板に付着させるものであった。レーザーは一般に短
波長のパルスレーザー光を高エネルギー密度に集光して
照射している。化合物を形成するときには、図２に示し
たように、構成する単体ターゲット２７、２８にそれぞ
れレーザーを照射し、基板３０上で高純度の化合物を形
成することができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような方
式では、熱伝導性がよく表面でレーザー光を反射し易い
金属ターゲットが含まれている場合では、他のターゲッ
トに比べ金属ターゲットからアブレーション物質が飛び
出しにくく、アブレーション物質量の差が大きくなり化
合物が形成されにくいという課題があった。
式では、熱伝導性がよく表面でレーザー光を反射し易い
金属ターゲットが含まれている場合では、他のターゲッ
トに比べ金属ターゲットからアブレーション物質が飛び
出しにくく、アブレーション物質量の差が大きくなり化
合物が形成されにくいという課題があった。
【０００５】そこで本発明は、上記課題に鑑み、金属タ
ーゲットの表面に化合物を形成する他の物質をレーザー
アブレーションにより付着させ、レーザー光の反射を少
なくさせ金属ターゲット物質と付着物質を同時に飛び出
させることができるレーザーアブレーション装置の提供
を目的とする。
ーゲットの表面に化合物を形成する他の物質をレーザー
アブレーションにより付着させ、レーザー光の反射を少
なくさせ金属ターゲット物質と付着物質を同時に飛び出
させることができるレーザーアブレーション装置の提供
を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のレーザーアブレーション装置は、アブレー
ション用レーザー発振器と、レーザー光を分岐するレン
ズと、真空槽と、前記真空槽に設けられたレーザー入射
窓と、前記真空槽内にありレーザーが照射される第１タ
ーゲットと、前記第１ターゲットと対向した第２ターゲ
ットと、前記第２ターゲットにレーザー光を照射するた
めのアブレーション用レーザー発振器と、レーザー光を
集光するレンズと、前記真空槽に設けられたレーザー入
射窓と、前記第２ターゲット上にある基板ホルダーとを
備え、第１ターゲットからのアブレーション物質が第２
ターゲット上に付着し、第２ターゲットから第１ターゲ
ット物質と第２ターゲット物質を同時にアブレーション
するものである。
に、本発明のレーザーアブレーション装置は、アブレー
ション用レーザー発振器と、レーザー光を分岐するレン
ズと、真空槽と、前記真空槽に設けられたレーザー入射
窓と、前記真空槽内にありレーザーが照射される第１タ
ーゲットと、前記第１ターゲットと対向した第２ターゲ
ットと、前記第２ターゲットにレーザー光を照射するた
めのアブレーション用レーザー発振器と、レーザー光を
集光するレンズと、前記真空槽に設けられたレーザー入
射窓と、前記第２ターゲット上にある基板ホルダーとを
備え、第１ターゲットからのアブレーション物質が第２
ターゲット上に付着し、第２ターゲットから第１ターゲ
ット物質と第２ターゲット物質を同時にアブレーション
するものである。
【０００７】
【作用】この構成により、金属ターゲットから効率良く
アブレーションさせることができ、高純度の化合物薄膜
を高速で形成することができる。
アブレーションさせることができ、高純度の化合物薄膜
を高速で形成することができる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の一実施例を添付図面に基づい
て説明する。
て説明する。
【０００９】図１において、例えば、エキシマレーザー
１から発振されたアブレーション用レーザ光２は、レン
ズ３で集光され真空封じ用窓４を通過して、真空槽５に
入射される。真空槽５には、真空排気用ポンプ６が設け
られている。レーザー光２は、真空槽５内に設置された
ターゲット７に照射される。また、エキシマレーザー８
から発振されたアブレーション用レーザー光９は、レン
ズ１０で集光され真空封じ窓１１を通過して、真空槽５
に入射される。レーザー光２は、真空槽５内にターゲッ
ト７に対向して設置されたターゲット１２に照射され
る。また、ターゲット１２に対向して基板ホルダー１３
が真空槽５内に設置されており、基板１４が付けてあ
る。
１から発振されたアブレーション用レーザ光２は、レン
ズ３で集光され真空封じ用窓４を通過して、真空槽５に
入射される。真空槽５には、真空排気用ポンプ６が設け
られている。レーザー光２は、真空槽５内に設置された
ターゲット７に照射される。また、エキシマレーザー８
から発振されたアブレーション用レーザー光９は、レン
ズ１０で集光され真空封じ窓１１を通過して、真空槽５
に入射される。レーザー光２は、真空槽５内にターゲッ
ト７に対向して設置されたターゲット１２に照射され
る。また、ターゲット１２に対向して基板ホルダー１３
が真空槽５内に設置されており、基板１４が付けてあ
る。
【００１０】このような構造において、たとえば、波長
２４８ｎｍ、パルス幅２７ｎｓｅｃのレーザー光２によ
り、たとえばセレンのターゲット７の物質はたたき出さ
れ、セレン粒子１５として、たとえば亜鉛のターゲット
１２の表面に飛来する。このとき、たとえば、ターゲッ
ト１２に波長２４８ｎｍ、パルス幅２７ｎｓｅｃのレー
ザー光９を照射させる。すると、セレンの付着によりレ
ーザー光９は効率よく吸収され、セレンと亜鉛の粒子１
６がたたき出され、基板１４に飛来し、セレンと亜鉛の
化合物薄膜が形成される。
２４８ｎｍ、パルス幅２７ｎｓｅｃのレーザー光２によ
り、たとえばセレンのターゲット７の物質はたたき出さ
れ、セレン粒子１５として、たとえば亜鉛のターゲット
１２の表面に飛来する。このとき、たとえば、ターゲッ
ト１２に波長２４８ｎｍ、パルス幅２７ｎｓｅｃのレー
ザー光９を照射させる。すると、セレンの付着によりレ
ーザー光９は効率よく吸収され、セレンと亜鉛の粒子１
６がたたき出され、基板１４に飛来し、セレンと亜鉛の
化合物薄膜が形成される。
【００１１】
【発明の効果】本発明のレーザーアブレーション装置に
よれば、レーザー反射率が高いターゲットに、他のター
ゲットからのアブレーション粒子を付着させることによ
り、レーザー光を効率よく吸収させ、ターゲット物質と
付着物質とを同時にターゲットから噴出させることがで
き、基板に化合物薄膜を高速で形成することができた。
よれば、レーザー反射率が高いターゲットに、他のター
ゲットからのアブレーション粒子を付着させることによ
り、レーザー光を効率よく吸収させ、ターゲット物質と
付着物質とを同時にターゲットから噴出させることがで
き、基板に化合物薄膜を高速で形成することができた。
【図１】本発明の実施例におけるレーザーアブレーショ
ン装置の断面図
ン装置の断面図
【図２】従来例のレーザーアブレーション装置の断面図
１、８ エキシマレーザー ２、９ レーザー光 ３、１０ レーザー光 ４、１１ 真空封じ用窓 ５ 真空槽 ６ 真空排気ポンプ ７ 第一ターゲット １２ 第二ターゲット １３ 基板ホルダー １４ 基板 １５、１６、 粒子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 三露 常男 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 大川 和宏 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 アブレーション用レーザー発振器と、レ
ーザ光を集光するレンズと、真空槽と、前記真空槽に設
けられたレーザー入射窓と、前記真空槽内にありレーザ
ーが照射される第１ターゲットと、前記第１ターゲット
と対向した第２ターゲットと、前記第２ターゲットにレ
ーザー光を照射するためのアブレーション用レーザー発
振器と、レーザー光を集光するレンズと、前記真空槽に
設けられたレーザー入射窓と、前記第２ターゲット上に
ある基板ホルダーとを備え、第１ターゲットからのアブ
レーションレーション物質と第２ターゲット物質を同時
にアブレーションするレーザーアブレーション装置。 - 【請求項２】 レーザー発振器はパルスレーザーである
請求項１記載のレーザーアブレーション装置。 - 【請求項３】 第１ターゲットは硫黄、セレンまたはテ
ルルである請求項１記載のレーザーアブレーション装
置。 - 【請求項４】 第２ターゲットは亜鉛またはカドミウム
である請求項１記載のレーザーアブレーション装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32776492A JPH06172978A (ja) | 1992-12-08 | 1992-12-08 | レーザーアブレーション装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32776492A JPH06172978A (ja) | 1992-12-08 | 1992-12-08 | レーザーアブレーション装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06172978A true JPH06172978A (ja) | 1994-06-21 |
Family
ID=18202730
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32776492A Pending JPH06172978A (ja) | 1992-12-08 | 1992-12-08 | レーザーアブレーション装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06172978A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007149011A1 (en) * | 2006-06-15 | 2007-12-27 | Limited Liability Company 'united Research And Development Centre' | Method for producing film coatings by means of laser ablation |
| CN113227443A (zh) * | 2018-10-31 | 2021-08-06 | 马克斯·普朗克科学促进学会 | 涂覆设备、处理腔室和涂覆基板的方法以及用至少一个材料层涂覆的基板 |
-
1992
- 1992-12-08 JP JP32776492A patent/JPH06172978A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007149011A1 (en) * | 2006-06-15 | 2007-12-27 | Limited Liability Company 'united Research And Development Centre' | Method for producing film coatings by means of laser ablation |
| CN113227443A (zh) * | 2018-10-31 | 2021-08-06 | 马克斯·普朗克科学促进学会 | 涂覆设备、处理腔室和涂覆基板的方法以及用至少一个材料层涂覆的基板 |
| CN113227443B (zh) * | 2018-10-31 | 2024-03-15 | 马克斯·普朗克科学促进学会 | 涂覆设备、处理腔室和涂覆基板的方法以及用至少一个材料层涂覆的基板 |
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