JPH0733564B2 - Ｃ▲下０▼基非晶質合金の製造方法 - Google Patents
Ｃ▲下０▼基非晶質合金の製造方法Info
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- JPH0733564B2 JPH0733564B2 JP61202658A JP20265886A JPH0733564B2 JP H0733564 B2 JPH0733564 B2 JP H0733564B2 JP 61202658 A JP61202658 A JP 61202658A JP 20265886 A JP20265886 A JP 20265886A JP H0733564 B2 JPH0733564 B2 JP H0733564B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用〕 本発明は，高周波特性に優れ，かつ，磁気特性の経時変
化の少ない巻磁心の製造方法に関するもので，特に，高
角形低保磁力の巻磁心の製造方法に関するものである。
化の少ない巻磁心の製造方法に関するもので，特に，高
角形低保磁力の巻磁心の製造方法に関するものである。
高角形性を有し，低保磁力を有する磁性材料として50％
Ni合金やスーパーマロイ（78％Ni合金）が使用されてい
る。しかし,50％Ni合金は，高角形性であるが保磁力が
高周波領域で著しく増大し,20kHz以上での使用は発熱の
ため困難となっている。一方,78％Ni合金は20kHz以上の
高周波において比較的低保磁力であるが，角形性が低く
磁気増幅器の磁心とする場合機器の効率を向上させるこ
とが出来ない等の問題点をもっている。
Ni合金やスーパーマロイ（78％Ni合金）が使用されてい
る。しかし,50％Ni合金は，高角形性であるが保磁力が
高周波領域で著しく増大し,20kHz以上での使用は発熱の
ため困難となっている。一方,78％Ni合金は20kHz以上の
高周波において比較的低保磁力であるが，角形性が低く
磁気増幅器の磁心とする場合機器の効率を向上させるこ
とが出来ない等の問題点をもっている。
これら従来材料の問題点を解決するものとして近年，非
晶質合金，特に，磁歪が零となるCo基非晶質合金が注目
されている。
晶質合金，特に，磁歪が零となるCo基非晶質合金が注目
されている。
このCo基非晶質合金について現在までに種々検討されて
いるが，高周波領域において低保磁力，高角形性である
と言う優れた磁気特性と，経時変化の小さい優れた安定
性とを兼ね備えた非晶質巻磁心は得られていない。しか
し，磁気増幅器の磁心，特に高周波励振ではこれらの特
性を向上させることの期待は極めて大きい。
いるが，高周波領域において低保磁力，高角形性である
と言う優れた磁気特性と，経時変化の小さい優れた安定
性とを兼ね備えた非晶質巻磁心は得られていない。しか
し，磁気増幅器の磁心，特に高周波励振ではこれらの特
性を向上させることの期待は極めて大きい。
本発明者らは，上記の問題点を解決すべく，鋭意研究を
重ねた結果，飽和磁束密度Bsが5.5KG以上,7.5KG以下
で，飽和磁歪が−10×10-7〜０である超急冷上り（as q
uench）のCo基非晶質合金に，その後歪取り焼鈍及び磁
界中焼鈍を特定の条件下で施すことにより，飽和磁歪を
ほぼ零としそれにより高周波領域での低保磁力を実現
し，かつ高角形性をもつ経時変化の小さい巻磁心を得る
に至った。
重ねた結果，飽和磁束密度Bsが5.5KG以上,7.5KG以下
で，飽和磁歪が−10×10-7〜０である超急冷上り（as q
uench）のCo基非晶質合金に，その後歪取り焼鈍及び磁
界中焼鈍を特定の条件下で施すことにより，飽和磁歪を
ほぼ零としそれにより高周波領域での低保磁力を実現
し，かつ高角形性をもつ経時変化の小さい巻磁心を得る
に至った。
本発明は,100kHz以上の高周波領域において,0.4ｅ以
下の小さな保磁力と,95％以上の大きな角形比を有し，
かつ経時変化の小さい安定性の優れた巻磁心を供給する
ことを目的とするものである。
下の小さな保磁力と,95％以上の大きな角形比を有し，
かつ経時変化の小さい安定性の優れた巻磁心を供給する
ことを目的とするものである。
非晶質合金は，薄帯が作製されたままの状態では，急冷
凝固時の残留応力があるため低保磁力とはならない。
凝固時の残留応力があるため低保磁力とはならない。
このため，特性改善のためには，急冷凝固時の残留応力
を除去するため歪取り焼鈍が必要である。
を除去するため歪取り焼鈍が必要である。
その後，目的とする用途に適した高角形ヒステリシス特
性を付与するため巻磁心の磁路方向に磁界を印加した状
態で焼鈍を行なう。
性を付与するため巻磁心の磁路方向に磁界を印加した状
態で焼鈍を行なう。
ここで，近年，電子機器の高周波化に伴ない，巻磁心に
は高周波領域（特に100kHz以上の周波数領域）における
低保磁力化と，小型化が強く要求されるようになって来
た。この巻磁心の小型化の要求に対して，従来から行な
われている樹脂ケースによる外装では対応が困難なた
め，巻磁心自身を直接樹脂モールドすることが必要とな
っている。
は高周波領域（特に100kHz以上の周波数領域）における
低保磁力化と，小型化が強く要求されるようになって来
た。この巻磁心の小型化の要求に対して，従来から行な
われている樹脂ケースによる外装では対応が困難なた
め，巻磁心自身を直接樹脂モールドすることが必要とな
っている。
巻磁心に樹脂モールドを施す場合，樹脂の硬化に伴ない
巻磁心に非常に大きな応力が加わるため，巻磁心は厳密
に磁歪を零としてなければ，樹脂モールド後の飽和磁束
や角形比が劣化してしまう。
巻磁心に非常に大きな応力が加わるため，巻磁心は厳密
に磁歪を零としてなければ，樹脂モールド後の飽和磁束
や角形比が劣化してしまう。
以上のことから巻磁心の焼鈍方法を決定づける要因は，
急冷凝固時の残留応力の完全除去と，磁歪を零とするこ
との２点であることがわかる。
急冷凝固時の残留応力の完全除去と，磁歪を零とするこ
との２点であることがわかる。
ここで，非晶質合金の磁歪の大きさは，その組成だけで
決まるものではなく，その後の焼鈍によって大きく変化
する。
決まるものではなく，その後の焼鈍によって大きく変化
する。
焼鈍条件は処理する非晶質合金の組成，つまり未焼鈍状
態での磁歪に応じて零磁歪となるよう，厳密に設定され
なければならない。
態での磁歪に応じて零磁歪となるよう，厳密に設定され
なければならない。
本発明者らは，磁歪が焼鈍による変化を厳密に測定した
結果，磁歪は焼鈍温度の上昇にともない増加し230℃近
傍が正磁歪となり300℃付近においてピークに達し，そ
れ以上となると減少し，再び負の側に変化することを知
った。
結果，磁歪は焼鈍温度の上昇にともない増加し230℃近
傍が正磁歪となり300℃付近においてピークに達し，そ
れ以上となると減少し，再び負の側に変化することを知
った。
この磁歪の挙動から，未焼鈍状態（as quench）の磁歪
を−10×10-7〜０の範囲にとることにより組成を特定
し,350〜500℃の範囲の温度で焼鈍することによって磁
歪を完全に零とすることが出来ることを見い出した。
を−10×10-7〜０の範囲にとることにより組成を特定
し,350〜500℃の範囲の温度で焼鈍することによって磁
歪を完全に零とすることが出来ることを見い出した。
これによって，巻磁心の残留応力を完全に除去し，か
つ，磁歪を零とすることにより低保磁力化を実現しかつ
樹脂モールドによる特性劣化の全くない巻磁心を得るこ
とができた。
つ，磁歪を零とすることにより低保磁力化を実現しかつ
樹脂モールドによる特性劣化の全くない巻磁心を得るこ
とができた。
ここで，非晶質合金の磁歪と，焼鈍温度範囲を限定する
理由は上述の事実から，磁歪定数λが−10×10-7より負
の側に大きくなると，どのような温度範囲で焼鈍して
も，焼鈍後の磁歪定数を零とすることが出来ないため−
10×10-7より小さい値とする必要があり，磁歪が正の場
合には,300℃以下の温度は500℃以上の温度で零となる
が,300℃以下の温度では残留応力が充分にできず,500℃
以上の温度では結晶かが進行するため特性の劣化が生じ
結果として低保磁力で零磁歪の巻磁心が得られないた
め，巻磁心の磁歪は−10×10-7〜０とする必要がある。
理由は上述の事実から，磁歪定数λが−10×10-7より負
の側に大きくなると，どのような温度範囲で焼鈍して
も，焼鈍後の磁歪定数を零とすることが出来ないため−
10×10-7より小さい値とする必要があり，磁歪が正の場
合には,300℃以下の温度は500℃以上の温度で零となる
が,300℃以下の温度では残留応力が充分にできず,500℃
以上の温度では結晶かが進行するため特性の劣化が生じ
結果として低保磁力で零磁歪の巻磁心が得られないた
め，巻磁心の磁歪は−10×10-7〜０とする必要がある。
また，焼鈍温度範囲は上述の理由により必然的に350〜5
00℃の範囲に限定され,350℃以下では残留応力の除去が
充分に行なえず，かつ,500℃以上では結晶化を生じるの
でこの範囲とする必要がある。
00℃の範囲に限定され,350℃以下では残留応力の除去が
充分に行なえず，かつ,500℃以上では結晶化を生じるの
でこの範囲とする必要がある。
次に上述の温度範囲で焼鈍した巻磁心を室温まで冷却す
る必要があるが，巻磁心は冷却過程でキュリー温度以下
で発生する自発磁化によって誘導磁気異方性が発生しや
すくなる。この顕著な例として，歪取り焼鈍後炉冷を行
なうと，パーミンバー型のヒステリシスループを示す。
この様なヒステリシスループが現われるとその後どの様
な磁界中焼鈍を行なっても所望の高角形ヒステリシスル
ープは得られない。この為，歪取り焼鈍後の冷却は特に
合金のもつキュリー温度以下の温度範囲で急冷が必要で
ある。かつ，冷却速度は高周波領域での低保磁力性と密
接に関連し，冷却速度が大きい程，保磁力は低下するこ
とを知見し，本発明ではこの冷却速度を5000℃/min以上
に取る必要があるとした。
る必要があるが，巻磁心は冷却過程でキュリー温度以下
で発生する自発磁化によって誘導磁気異方性が発生しや
すくなる。この顕著な例として，歪取り焼鈍後炉冷を行
なうと，パーミンバー型のヒステリシスループを示す。
この様なヒステリシスループが現われるとその後どの様
な磁界中焼鈍を行なっても所望の高角形ヒステリシスル
ープは得られない。この為，歪取り焼鈍後の冷却は特に
合金のもつキュリー温度以下の温度範囲で急冷が必要で
ある。かつ，冷却速度は高周波領域での低保磁力性と密
接に関連し，冷却速度が大きい程，保磁力は低下するこ
とを知見し，本発明ではこの冷却速度を5000℃/min以上
に取る必要があるとした。
この様にして得られた巻磁心に，目的とする高角形ヒス
テリシスループを付与するため，巻磁心の磁路方向に交
流磁界（通常は,50Hz,20ｅ）を印加し，キュリー温度
以下の温度に一定時間保持し，室温まで冷却する。この
とき保持温度は150〜250℃の範囲とする。150℃以下の
温度では充分な高角形性が得られず，また,250℃以上で
は高周波領域での保磁力が増大するため150〜250℃の範
囲とすることが好ましい。
テリシスループを付与するため，巻磁心の磁路方向に交
流磁界（通常は,50Hz,20ｅ）を印加し，キュリー温度
以下の温度に一定時間保持し，室温まで冷却する。この
とき保持温度は150〜250℃の範囲とする。150℃以下の
温度では充分な高角形性が得られず，また,250℃以上で
は高周波領域での保磁力が増大するため150〜250℃の範
囲とすることが好ましい。
以上本発明について要約すると磁歪定数が負でかつその
値が小さい，非晶質合金から成る巻磁心を歪取り焼鈍に
よって残留応力を除去し，かつ，磁歪を零としその後自
発磁化による誘導磁気異方性の発生を防止するため速い
速度で急冷し，その後，目的とする高角形ヒステリシス
特性を付与するため交流磁界中で焼鈍を行なう方法であ
る。
値が小さい，非晶質合金から成る巻磁心を歪取り焼鈍に
よって残留応力を除去し，かつ，磁歪を零としその後自
発磁化による誘導磁気異方性の発生を防止するため速い
速度で急冷し，その後，目的とする高角形ヒステリシス
特性を付与するため交流磁界中で焼鈍を行なう方法であ
る。
よって，歪取り焼鈍により磁歪を零としても，その後の
急冷過程で自発磁化による誘導磁気異方性が発生したの
では低保磁力の巻磁心は得られない。この誘導磁気異方
性は非晶質合金の自発磁化が大きい程大きく発生する。
急冷過程で自発磁化による誘導磁気異方性が発生したの
では低保磁力の巻磁心は得られない。この誘導磁気異方
性は非晶質合金の自発磁化が大きい程大きく発生する。
よって，本発明の方法は飽和磁束密度が5.5〜7.5KGの範
囲で特に有効である。
囲で特に有効である。
ここで本発明の方法が顕著に現われる組成として組成式
(Co1-a-b-cFeaNibMoc)100-x-ySixByで表わされ，かつ原
子％で10ｘ16,8ｙ14,15ｘ＋ｙ30,0.04ａ
0.1,0.005ｂ0.3,0.005ｃ0.1であるCo基非晶
質合金が好ましい。ここで,Bは非晶質化を助成する元素
であるが８％未満の場合にはアモルファス合金薄板の製
造が困難になる。また14％を超える場合には，磁気特性
の経時変化を助長するのでこの範囲内にする必要があ
る。Siは合金組成の非晶質化を助成する元素であるが,1
0％未満の場合にはアモルファス合金薄板の製造が困難
になり，また16％をこえると磁気特性を著しく劣化させ
るのでこの範囲内とする必要がある。またSi＋Ｂ合計が
15％未満の場合には合金を脆化させ，かつ本発明の熱処
理効果が有効に働かない。30％をこえる場合には，高角
形性を有する巻磁心が得られず，かつ，経時変化が著し
く劣化するのでこの範囲とする必要がある。Fe,Ni量は
磁歪定数を調整するものであるが,Fe量が0.04〜0.1,Ni
量が0.005〜0.3をこえると飽和磁歪が正となり焼鈍によ
っても零磁歪とすることができず，高周波特性が劣化す
るためこの範囲とする必要がある。Moは，経時変化を小
さくする効果があるが,0.005以下ではその効果が顕著に
現われず,0.1をこえると高周波領域での保磁力を著しく
増大させ特性劣化を生ずるので，この範囲とする必要が
ある。
(Co1-a-b-cFeaNibMoc)100-x-ySixByで表わされ，かつ原
子％で10ｘ16,8ｙ14,15ｘ＋ｙ30,0.04ａ
0.1,0.005ｂ0.3,0.005ｃ0.1であるCo基非晶
質合金が好ましい。ここで,Bは非晶質化を助成する元素
であるが８％未満の場合にはアモルファス合金薄板の製
造が困難になる。また14％を超える場合には，磁気特性
の経時変化を助長するのでこの範囲内にする必要があ
る。Siは合金組成の非晶質化を助成する元素であるが,1
0％未満の場合にはアモルファス合金薄板の製造が困難
になり，また16％をこえると磁気特性を著しく劣化させ
るのでこの範囲内とする必要がある。またSi＋Ｂ合計が
15％未満の場合には合金を脆化させ，かつ本発明の熱処
理効果が有効に働かない。30％をこえる場合には，高角
形性を有する巻磁心が得られず，かつ，経時変化が著し
く劣化するのでこの範囲とする必要がある。Fe,Ni量は
磁歪定数を調整するものであるが,Fe量が0.04〜0.1,Ni
量が0.005〜0.3をこえると飽和磁歪が正となり焼鈍によ
っても零磁歪とすることができず，高周波特性が劣化す
るためこの範囲とする必要がある。Moは，経時変化を小
さくする効果があるが,0.005以下ではその効果が顕著に
現われず,0.1をこえると高周波領域での保磁力を著しく
増大させ特性劣化を生ずるので，この範囲とする必要が
ある。
このような合金組成の薄帯を片ロール法により作製し,M
gOの層間絶縁を施し，トロイダル状に巻回して巻磁心と
し本発明の熱処理を施す。
gOの層間絶縁を施し，トロイダル状に巻回して巻磁心と
し本発明の熱処理を施す。
（実施例−１） 片ロール法を用いて，表１に示す合金組成の非晶質合金
薄帯を作製した。巾は5mm,厚み20μｍであった。同表に
飽和磁束密度，キュリー温度を示す。
薄帯を作製した。巾は5mm,厚み20μｍであった。同表に
飽和磁束密度，キュリー温度を示す。
この薄帯を,MgOにて層間絶縁を施し，内径15mm,外径19m
mの巻磁心に成形した。
mの巻磁心に成形した。
次にこれらの巻磁心をN2中で200〜500℃の温度で60分間
焼鈍し，その後7000℃/minの冷却速度で室温まで冷却し
た。これを200℃で50Hz,20ｅの交流磁界を印加し磁界
中焼鈍を施し，室温まで各種の冷却速度で炉冷した。
焼鈍し，その後7000℃/minの冷却速度で室温まで冷却し
た。これを200℃で50Hz,20ｅの交流磁界を印加し磁界
中焼鈍を施し，室温まで各種の冷却速度で炉冷した。
第１図に，歪取り焼鈍及び磁界中焼鈍の焼鈍スラージを
示す。歪取り焼鈍では，所定の温度に設定された炉内に
巻コアを投入し，一定時間保持した後，急冷する。磁界
中焼鈍では，昇温過程から冷却後炉から巻コアを取り出
すまで磁界を印加する。
示す。歪取り焼鈍では，所定の温度に設定された炉内に
巻コアを投入し，一定時間保持した後，急冷する。磁界
中焼鈍では，昇温過程から冷却後炉から巻コアを取り出
すまで磁界を印加する。
次に，磁界の印加方向を第２図に示す。図に示すように
磁界は巻コアの磁路方向に印加する。
磁界は巻コアの磁路方向に印加する。
以下の実施例においても同様の焼鈍方法を用いている。
この結果，表３に示すようにCoを主体にしながらもFe,N
i,Mo及びSi,Bが必須とする非晶質合金（資料No.1〜６）
では本願発明による処理により保磁力Hcが0.4ｅ以下
で，好ましいのは0.17ｅと極めて小さく，また角形比
Br／B1も95％以上が得られている。比較例とした試料No
s.7,8のように,Ni,Moが含まない，あるいはFeが含まれ
ない合金系と較べれば，Hcも角形比も同時に向上してい
るものは得られていない。
この結果，表３に示すようにCoを主体にしながらもFe,N
i,Mo及びSi,Bが必須とする非晶質合金（資料No.1〜６）
では本願発明による処理により保磁力Hcが0.4ｅ以下
で，好ましいのは0.17ｅと極めて小さく，また角形比
Br／B1も95％以上が得られている。比較例とした試料No
s.7,8のように,Ni,Moが含まない，あるいはFeが含まれ
ない合金系と較べれば，Hcも角形比も同時に向上してい
るものは得られていない。
尚，処理後のHc及び角形比特性は100kHzでの測定であっ
て，これまで非晶質合金の評価は直流あるいは1kHz程度
という極めて低い周波数領域でのものでしか公表されて
いない。
て，これまで非晶質合金の評価は直流あるいは1kHz程度
という極めて低い周波数領域でのものでしか公表されて
いない。
本発明者は，これまでの研究ではこのように低周波での
評価即ち，低周波で特性が良好であるが100kHzという高
周波での特性も大きく改善できることを知った。
評価即ち，低周波で特性が良好であるが100kHzという高
周波での特性も大きく改善できることを知った。
（実施例−２） 実施例−１で用いたNo.1の組成試料（as quench状態）
を用意し，その後 （イ）400℃×１時間歪取り焼鈍し,7000℃/minで冷却処
理， （ロ）420℃×１時間保持,5000℃/minの冷却速度の条件
で歪取り焼鈍し，その後磁心の周囲方向に交流磁界を印
加しながら磁場中熱処理， （ハ）磁場中熱処理のみ処理 （ニ）本発明の条件下で，歪取り焼鈍し，磁場中熱処理 した時の特性結果を表−２にまとめた。
を用意し，その後 （イ）400℃×１時間歪取り焼鈍し,7000℃/minで冷却処
理， （ロ）420℃×１時間保持,5000℃/minの冷却速度の条件
で歪取り焼鈍し，その後磁心の周囲方向に交流磁界を印
加しながら磁場中熱処理， （ハ）磁場中熱処理のみ処理 （ニ）本発明の条件下で，歪取り焼鈍し，磁場中熱処理 した時の特性結果を表−２にまとめた。
歪取り焼鈍の効果はHcに大きく影響し，磁場中熱処理は
角形比Br／B1に大きく影響することが明らかであるが，
HcもBr／B1も同時に改善しようとすれば，両方の処理を
しなければ得られないことが明らかである。
角形比Br／B1に大きく影響することが明らかであるが，
HcもBr／B1も同時に改善しようとすれば，両方の処理を
しなければ得られないことが明らかである。
また，この際焼鈍での冷却速度が大きく影響することも
明らかで（比較例０と本発明との比較）7,000℃/minと
速ければHcが大きく改善していることが明らかである。
明らかで（比較例０と本発明との比較）7,000℃/minと
速ければHcが大きく改善していることが明らかである。
（実施例−３） 実施例−１の試料を用いてさらに検討を加えた。
先ず，第３図に本発明に用いた試料非晶質合金No.1の飽
和磁歪定数の歪取り焼鈍による変化を調べた。図に示す
ように歪取り焼鈍温度の上昇に伴ない，飽和磁歪定数は
正の側にずれ400℃付近から再び負の側に移動してい
る。なお焼鈍後の磁歪定数は，冷却速度及び磁界中焼鈍
によって変化しなかったことを確認している。図から，
優れた高周波特性を得る必要条件ではある零磁歪は300
〜500℃の限られた温度範囲にあることがわかる。更に
低温焼鈍では長時間を必要とすることから工業的には歪
取り焼鈍温度範囲としては350〜500℃が最適であること
がわかる。
和磁歪定数の歪取り焼鈍による変化を調べた。図に示す
ように歪取り焼鈍温度の上昇に伴ない，飽和磁歪定数は
正の側にずれ400℃付近から再び負の側に移動してい
る。なお焼鈍後の磁歪定数は，冷却速度及び磁界中焼鈍
によって変化しなかったことを確認している。図から，
優れた高周波特性を得る必要条件ではある零磁歪は300
〜500℃の限られた温度範囲にあることがわかる。更に
低温焼鈍では長時間を必要とすることから工業的には歪
取り焼鈍温度範囲としては350〜500℃が最適であること
がわかる。
次にこのようにして得られた巻磁心の歪取り焼鈍後の冷
却速度と磁界中焼鈍温度の高周波特性に与える効果につ
いて検討した。
却速度と磁界中焼鈍温度の高周波特性に与える効果につ
いて検討した。
第４図は試料No.1を400℃で歪取り焼鈍後7000℃/minの
冷却速度で急冷した試料の巻磁心を，種々の温度で磁界
中焼鈍した場合の100kHzにおける保磁力角形比を示した
ものである。充分な冷却速度を施した巻磁心に対しても
磁界中熱処理の温度が低くければHcは小さくなり改善さ
れるが250℃以上の温度で磁界中焼鈍をすると保磁力が
0.4ｅ以上となり所要の特性が得られていない。しか
し，一方角形比は温度が上昇するに従いBr／B1が大きく
なり改善される。多角化は全温度範囲で90％以上であっ
た。
冷却速度で急冷した試料の巻磁心を，種々の温度で磁界
中焼鈍した場合の100kHzにおける保磁力角形比を示した
ものである。充分な冷却速度を施した巻磁心に対しても
磁界中熱処理の温度が低くければHcは小さくなり改善さ
れるが250℃以上の温度で磁界中焼鈍をすると保磁力が
0.4ｅ以上となり所要の特性が得られていない。しか
し，一方角形比は温度が上昇するに従いBr／B1が大きく
なり改善される。多角化は全温度範囲で90％以上であっ
た。
第５図には試料No.1の歪取り焼鈍後の冷却速度を種々変
えて,200℃にて20（ｅ）をもつ磁界中焼鈍を施した巻
磁心の100kHzでの保磁力を示す。図に示すように,5000
℃/min以下の冷却速度では保磁力が0.4ｅ以上となっ
ている。
えて,200℃にて20（ｅ）をもつ磁界中焼鈍を施した巻
磁心の100kHzでの保磁力を示す。図に示すように,5000
℃/min以下の冷却速度では保磁力が0.4ｅ以上となっ
ている。
次に，上記熱処理を施した巻磁心に樹脂モールドを施し
た場合の磁気特性の変化を第６図に示す。試料No.1を歪
取り後の磁場中熱処理220℃×1Hrで行った。図から磁歪
定数が零となる400℃付近での歪取り焼鈍によって，モ
ールドによる特性劣化が最も小さくなっいることがわか
る。
た場合の磁気特性の変化を第６図に示す。試料No.1を歪
取り後の磁場中熱処理220℃×1Hrで行った。図から磁歪
定数が零となる400℃付近での歪取り焼鈍によって，モ
ールドによる特性劣化が最も小さくなっいることがわか
る。
以上示すように,Co基非晶質合金の高周波特性は作製状
態での合金組成のみによって決まるのではなく，その後
の焼鈍条件によって同一組成であってもその特性は種々
変化することがわかる。これは，焼鈍による飽和磁歪の
変化及びその後の磁界中焼鈍によって誘起される誘導磁
気異方性の大きさに左右されるのであり，これを精密に
制御しなければ，高周波領域における優れた磁気特性は
得られない。
態での合金組成のみによって決まるのではなく，その後
の焼鈍条件によって同一組成であってもその特性は種々
変化することがわかる。これは，焼鈍による飽和磁歪の
変化及びその後の磁界中焼鈍によって誘起される誘導磁
気異方性の大きさに左右されるのであり，これを精密に
制御しなければ，高周波領域における優れた磁気特性は
得られない。
次に，以上示した方法によって磁気特性が改善される合
金には特定の範囲がありそれは，非晶質合金のもつ飽和
磁束密度と一義的に対応していることを見出した。これ
を第４図に示す。
金には特定の範囲がありそれは，非晶質合金のもつ飽和
磁束密度と一義的に対応していることを見出した。これ
を第４図に示す。
第７図には本発明に用いた合金試料No.1〜６の磁束密度
が種々異なる合金についてN2中,420℃で60分間歪取り焼
鈍をした後7000℃/minの冷却速度で急冷し，続いて200
℃で60分間,50Hz,20ｅの磁界中で焼鈍し，室温まで炉
冷した巻磁心の100kHzでの保磁力を示す。図に示すよう
に，飽和磁束密度が大きくなるに従い，保磁力は増大
し,7.5KGをこえると保磁力は0.4ｅ以上となる。この
ことから，本発明の方法は，飽和磁束密度が7.5KG以下
の非晶質合金に対して特に有効であることがわかる。し
かし5.5KG以下の合金については経時変化が増大するこ
とと磁束密度が小さいため，産業上有益ではない。
が種々異なる合金についてN2中,420℃で60分間歪取り焼
鈍をした後7000℃/minの冷却速度で急冷し，続いて200
℃で60分間,50Hz,20ｅの磁界中で焼鈍し，室温まで炉
冷した巻磁心の100kHzでの保磁力を示す。図に示すよう
に，飽和磁束密度が大きくなるに従い，保磁力は増大
し,7.5KGをこえると保磁力は0.4ｅ以上となる。この
ことから，本発明の方法は，飽和磁束密度が7.5KG以下
の非晶質合金に対して特に有効であることがわかる。し
かし5.5KG以下の合金については経時変化が増大するこ
とと磁束密度が小さいため，産業上有益ではない。
次に本発明の方法で製造した巻磁心の経時変化を第５図
に示す。図は試料１について焼鈍強度400℃×1Hr磁界中
熱処理200℃で経時変化は磁界中焼鈍条件に大きく依存
している。
に示す。図は試料１について焼鈍強度400℃×1Hr磁界中
熱処理200℃で経時変化は磁界中焼鈍条件に大きく依存
している。
第８図に試料No.1について磁界中焼鈍温度を種種変えた
場合の125℃;1000Hr放置した場合の100kHz保磁力の変化
率を示す。図から150℃以下の磁界中焼鈍では保磁力の
経時変化が大きく，実質上使用不可能となる。
場合の125℃;1000Hr放置した場合の100kHz保磁力の変化
率を示す。図から150℃以下の磁界中焼鈍では保磁力の
経時変化が大きく，実質上使用不可能となる。
以上，説明した様に本発明によれば上記の組成をもつCo
基非晶質合金を無磁場中で350〜500℃の範囲の温度で歪
取り焼鈍を施し，その後5000℃/minの冷却速度で室温ま
で急冷し，続いて巻磁心の磁路方向に交流磁界を印加
し,150〜250℃の範囲の温度で磁界中焼鈍し室温まで炉
冷する本発明の方法によって作製された巻磁心は高周波
領域において高角形性，低保磁力を有し，かつ，磁気特
性の経時変化の小さい，優れた巻磁心が得られる。
基非晶質合金を無磁場中で350〜500℃の範囲の温度で歪
取り焼鈍を施し，その後5000℃/minの冷却速度で室温ま
で急冷し，続いて巻磁心の磁路方向に交流磁界を印加
し,150〜250℃の範囲の温度で磁界中焼鈍し室温まで炉
冷する本発明の方法によって作製された巻磁心は高周波
領域において高角形性，低保磁力を有し，かつ，磁気特
性の経時変化の小さい，優れた巻磁心が得られる。
第１図は本発明による非晶質合金巻コアの焼鈍工程を示
す概略図である。 第２図は磁界中焼鈍中に磁界を印加する方向を示す。 第３図は非晶質合金の磁歪定数の歪取り焼鈍温度に対す
る変化を示す。 第４図は交流保磁力及び交流角形比の磁界中熱処理温度
による変化を示す。 第５図は交流保磁力の歪取り焼鈍後の冷却速度による変
化を示す。 第６図は樹脂モールド前後の交流角形比の歪取り焼鈍温
度による変化を示す。 第７図は交流保持力と飽和磁束密度との相関々係を示
す。 第８図は交流保磁力のエージングによる変化率の磁界中
焼鈍温度による変化を示す。
す概略図である。 第２図は磁界中焼鈍中に磁界を印加する方向を示す。 第３図は非晶質合金の磁歪定数の歪取り焼鈍温度に対す
る変化を示す。 第４図は交流保磁力及び交流角形比の磁界中熱処理温度
による変化を示す。 第５図は交流保磁力の歪取り焼鈍後の冷却速度による変
化を示す。 第６図は樹脂モールド前後の交流角形比の歪取り焼鈍温
度による変化を示す。 第７図は交流保持力と飽和磁束密度との相関々係を示
す。 第８図は交流保磁力のエージングによる変化率の磁界中
焼鈍温度による変化を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ２２Ｆ 1/10 Ｅ Ｈ０１Ｆ 1/153
Claims (2)
- 【請求項１】組成式(Co1-a-b-cFeaNibMoc)100-x-ySixBy
で表わされ，かつ，原子％で10ｘ16,8ｙ14,15
ｘ＋ｙ30,0.04ａ0.1,0.005ｂ0.3,0.005
ｃ0.1 で示される磁歪定数を負とするCo基非晶質合金薄帯をト
ロイダル状に巻回し，次いでその状態のまま,350〜500
℃の温度で一定時間保持した後5000℃/min以上の冷却速
度で室温まで冷却する歪取り焼鈍工程と，その後磁心の
周回方向に交流磁界を印加しながら，該磁心のキュリー
温度以下の温度まで加熱し一定時間保持後室温まで冷却
する磁場中熱処理工程を経ることにより前記磁心の磁歪
を零とすることを特徴とするCo基非晶質合金の製造方
法。 - 【請求項２】上記磁界中熱処理が150〜250℃の範囲内の
温度で行なわれた後，室温まで冷却することを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載のCo基非晶質合金の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61202658A JPH0733564B2 (ja) | 1986-08-30 | 1986-08-30 | Ｃ▲下０▼基非晶質合金の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61202658A JPH0733564B2 (ja) | 1986-08-30 | 1986-08-30 | Ｃ▲下０▼基非晶質合金の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6360264A JPS6360264A (ja) | 1988-03-16 |
| JPH0733564B2 true JPH0733564B2 (ja) | 1995-04-12 |
Family
ID=16460995
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61202658A Expired - Fee Related JPH0733564B2 (ja) | 1986-08-30 | 1986-08-30 | Ｃ▲下０▼基非晶質合金の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0733564B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002541331A (ja) * | 1999-04-12 | 2002-12-03 | アライドシグナル インコーポレイテッド | 高周波用途のための磁性ガラス状合金 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5880383A (en) * | 1994-08-08 | 1999-03-09 | Huff; Richard E. | Vibrato assembly and acoustic coupling system for stringed instruments |
| JP5700328B2 (ja) * | 2010-04-26 | 2015-04-15 | セイコーエプソン株式会社 | Ｃｏ基金属ガラス合金、磁心、電磁変換機および時計 |
| MX2016012754A (es) | 2014-03-28 | 2017-04-27 | Hitachi Metals Ltd | Componente magnetico blando para sensor de esfuerzo de torsion y sensor de esfuerzo de torsion que usa el mismo. |
| CN110983112B (zh) * | 2019-12-30 | 2021-11-02 | 华南理工大学 | 一种精密电流检测用钴基非晶软磁合金及其制备方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59121805A (ja) * | 1982-12-28 | 1984-07-14 | Toshiba Corp | 巻鉄心の製造方法 |
-
1986
- 1986-08-30 JP JP61202658A patent/JPH0733564B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59121805A (ja) * | 1982-12-28 | 1984-07-14 | Toshiba Corp | 巻鉄心の製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002541331A (ja) * | 1999-04-12 | 2002-12-03 | アライドシグナル インコーポレイテッド | 高周波用途のための磁性ガラス状合金 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6360264A (ja) | 1988-03-16 |
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