JPH07335520A - Surface treating device for substrate - Google Patents

Surface treating device for substrate

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JPH07335520A
JPH07335520A JP6122250A JP12225094A JPH07335520A JP H07335520 A JPH07335520 A JP H07335520A JP 6122250 A JP6122250 A JP 6122250A JP 12225094 A JP12225094 A JP 12225094A JP H07335520 A JPH07335520 A JP H07335520A
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substrate
unit
dehydration
adhesion
processing
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Koji Kizaki
幸治 木▲崎▼
Hiroyuki Kitazawa
裕之 北澤
Masahiro Mimasaka
昌宏 美作
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Abstract

PURPOSE:To eliminate the need of a treatment unit exclusively used for dehydration baking so as to reduce the size of a surface treating device for substrate by using an adhesion promotion treating unit not only for adhesion promoter applying treatment, but also for dehydration baking treatment. CONSTITUTION:An adhesion promotion treating unit HA performs dehydration baking treatment (dehydration baking mode) against a substrate W by actuating a hot plate 10 while a section 24 which supplies hexamethyldisilasane(HMDS) which is an adhesion promotor. Then the unit HA performs applying treatment (adhesion promoter applying mode) for applying the HMDS to the surface of the substrate W baked for dehydration by actuating both the section 24 and plate 10. Therefore, a surface treating device can be made compact by reducing the number of treatment units, because no treating unit to be exclusively used for the dehydration baking treatment is required by switching the dehydration baking mode and adhesion promotor applying mode to each other by using signals from a control section 7.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、液晶用ガラス角型基
板、半導体ウエハ、カラーフィルタ用基板などの各種基
板を洗浄液によって洗浄し、そして乾燥させた後、当該
基板の表面に密着強化剤を塗布し、さらに所定の塗布液
を塗布して当該塗布液の薄膜を形成する基板表面処理装
置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention is to clean various substrates such as a glass rectangular substrate for liquid crystal, a semiconductor wafer, a substrate for a color filter, etc. with a cleaning liquid and dry the substrate, and then apply an adhesion enhancer to the surface of the substrate. The present invention relates to a substrate surface treatment apparatus for applying a predetermined coating liquid to form a thin film of the coating liquid.

【0002】[0002]

【従来の技術】図4は従来の基板表面処理装置を示す模
式図である。図4において、SSは基板に洗浄液を供給
しつつ基板を回転させて基板表面の洗浄を行うスピンス
クラバからなる洗浄ユニット、HP1は洗浄された基板
を乾燥させるために加熱する(すなわち脱水ベークを行
う)ホットプレートからなる脱水ベークユニット、CP
1はホットプレートHP1によって加熱された基板を冷却
するクールプレートからなる冷却ユニット、APは冷却
された基板を再び加熱しつつヘキサメチルジシラザンな
どの密着強化剤の蒸発を供給して基板表面に密着強化剤
を塗布する密着強化処理ユニット、CP2は密着強化剤
が塗布された基板を冷却するクールプレートからなる冷
却ユニット、SCはクールプレートCP2によって冷却
された基板の表面に所定のレジストを回転塗布するスピ
ンコータからなる塗布ユニット、HP2はレジストが塗
布された基板を加熱してそのレジストを固化させてレジ
スト膜を形成させるホットプレートからなる加熱ユニッ
ト、CP3はホットプレートHP2によって加熱された基
板を冷却するクールプレートからなる冷却ユニットをそ
れぞれ示している。そして、1枚の基板は回転ローラな
ど不図示の搬送機構によって図4の右から左へ順次搬送
されて、各ユニットにより順次処理されるように構成さ
れている。
2. Description of the Related Art FIG. 4 is a schematic view showing a conventional substrate surface treatment apparatus. In FIG. 4, SS is a cleaning unit including a spin scrubber that rotates the substrate while supplying the cleaning liquid to the substrate to clean the surface of the substrate, and HP1 heats the dried substrate to dry it (that is, performs dehydration baking). ) Dehydration bake unit consisting of hot plate, CP
1 is a cooling unit consisting of a cool plate for cooling the substrate heated by the hot plate HP1, AP is heating the cooled substrate again and supplies evaporation of an adhesion enhancer such as hexamethyldisilazane to adhere to the substrate surface Adhesion strengthening processing unit for applying a strengthening agent, CP2 is a cooling unit including a cool plate for cooling the substrate on which the adhesion strengthening agent is applied, and SC is for spin coating a predetermined resist on the surface of the substrate cooled by the cool plate CP2. A coating unit consisting of a spin coater, HP2 is a heating unit consisting of a hot plate for heating a substrate coated with a resist to solidify the resist to form a resist film, and CP3 is a cooling unit for cooling the substrate heated by the hot plate HP2. The cooling units consisting of plates are shown respectively. Then, one substrate is sequentially transported from right to left in FIG. 4 by a transport mechanism (not shown) such as a rotating roller, and is sequentially processed by each unit.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成の装置では、1枚の基板を洗浄してからレジス
ト膜を形成するまでに、洗浄ユニットSS、脱水ベーク
ユニットHP1、冷却ユニットCP1、密着強化処理ユニ
ットAP、冷却ユニットCP2、塗布ユニットSC、加
熱ユニットHP2、及び冷却ユニットCP3の8つの処理
ユニットを必要とするので装置の全長が長くなってしま
い、装置をコンパクト化することが困難である。
However, in the apparatus having such a configuration, the cleaning unit SS, the dehydration bake unit HP1, the cooling unit CP1, and the contact unit are formed between the cleaning of one substrate and the formation of the resist film. Since eight processing units including the strengthening processing unit AP, the cooling unit CP2, the coating unit SC, the heating unit HP2, and the cooling unit CP3 are required, the total length of the apparatus becomes long and it is difficult to make the apparatus compact. .

【0004】そこで、この発明は、上記の問題を解決す
るためになされたものであり、図4図示の従来装置に比
べて装置をよりコンパクトにすることが可能な基板表面
処理装置を提供することを目的とするものである。
Therefore, the present invention has been made in order to solve the above problems, and provides a substrate surface treatment apparatus which can make the apparatus more compact than the conventional apparatus shown in FIG. The purpose is.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、洗浄
液によって洗浄された基板を乾燥させた後に、当該基板
の表面に密着強化剤を塗布し、さらに所定の塗布液を塗
布して基板表面に薄膜を形成する基板表面処理装置であ
って、上記目的を達成するため、洗浄液によって洗浄さ
れた基板を収容するチャンバと、前記チャンバ内に収容
された基板を加熱する加熱手段と、前記チャンバ内に収
容された基板に密着強化剤の蒸気を供給する密着強化剤
供給手段と、前記密着強化剤供給手段の作動を停止させ
た状態で前記加熱手段のみを作動させて洗浄された基板
を乾燥させる脱水ベークモードと、前記加熱手段と前記
密着強化剤供給手段とを共に作動させて、前記加熱手段
による脱水ベーク処理を受けた基板の表面に密着強化剤
を塗布する密着強化剤塗布モードとを切り替え制御する
制御手段と、を備えてなる密着強化処理ユニットを設け
ている。
According to a first aspect of the present invention, a substrate washed with a cleaning liquid is dried, an adhesion enhancer is applied to the surface of the substrate, and then a predetermined coating liquid is applied to the substrate. A substrate surface processing apparatus for forming a thin film on a surface thereof, for achieving the above object, a chamber for accommodating a substrate cleaned by a cleaning liquid, a heating means for heating a substrate accommodated in the chamber, and the chamber. Adhesion enhancer supply means for supplying the vapor of the adhesion enhancer to the substrate accommodated in the substrate, and only the heating means is operated while the operation of the adhesion enhancer supply means is stopped to dry the washed substrate. A dehydration bake mode for operating the heating means and the adhesion enhancer supply means together to apply the adhesion enhancer to the surface of the substrate subjected to the dehydration bake treatment by the heating means. It is provided with adhesion enhancement processing unit comprising and control means for controlling switching between agent coating mode.

【0006】[0006]

【作用】請求項1の発明では、洗浄液を乾燥させる脱水
ベーク処理と基板に密着強化剤を塗布する塗布処理とを
行う密着強化処理ユニットが設けられる。この密着強化
処理ユニットは、チャンバ内に収容された基板に対して
加熱処理を行う加熱手段と、密着強化剤の蒸気を供給し
て密着強化剤を塗布する密着強化剤供給手段と、脱水ベ
ークモードと密着強化剤塗布モードとを切り替え制御す
る制御手段とを備えており、脱水ベークモードでは、前
記密着強化剤供給手段が停止した状態で前記加熱手段の
みが作動して洗浄された基板を乾燥する一方、密着強化
剤塗布モードでは、前記加熱手段と前記密着強化剤供給
手段とが共に作動して脱水ベークされた基板の表面に密
着強化剤を塗布する。このように、密着強化処理ユニッ
トが密着強化剤の塗布処理のみならず脱水ベーク処理も
実行するため、脱水ベーク専用の処理ユニットを設ける
必要がなくなり、基板表面処理装置の小型化が可能とな
る。
According to the first aspect of the present invention, there is provided the adhesion strengthening processing unit for performing the dehydration baking processing for drying the cleaning liquid and the coating processing for applying the adhesion strengthening agent to the substrate. This adhesion strengthening processing unit includes a heating means for performing a heat treatment on a substrate housed in a chamber, an adhesion strengthening agent supplying means for supplying vapor of the adhesion strengthening agent to apply the adhesion strengthening agent, and a dehydration bake mode. And a control means for switching between the adhesion enhancer application mode and the dehydration bake mode. In the dehydration bake mode, only the heating means is operated to dry the washed substrate while the adhesion enhancer supply means is stopped. On the other hand, in the adhesion enhancer application mode, the heating means and the adhesion enhancer supply means operate together to apply the adhesion enhancer to the surface of the substrate that has been dehydrated and baked. In this way, since the adhesion strengthening processing unit executes not only the adhesion strengthening agent coating processing but also the dehydration baking processing, there is no need to provide a processing unit dedicated to the dehydration baking, and the substrate surface processing apparatus can be downsized.

【0007】[0007]

【実施例】図1は、この発明にかかる基板表面処理装置
に組み込まれた密着強化処理ユニット(脱水及び密着強
化処理ユニット)を示す図である。この脱水及び密着強
化処理ユニットHAでは、気密性のチャンバ2の内部が
処理空間4となっており、チャンバ2の側部に設けられ
たシャッター6を介して基板Wのチャンバ2内への搬入
およびチャンバ2からの搬出が可能となっている。すな
わち、シャッター6の下方端部がチャンバ2に蝶着さ
れ、制御部7からの信号に応じてシャッター開閉駆動部
8が作動してシャッター6を矢印方向αに開閉して、基
板Wの搬入・搬出が可能となっている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 is a diagram showing an adhesion strengthening processing unit (dehydration and adhesion strengthening processing unit) incorporated in a substrate surface processing apparatus according to the present invention. In the dehydration and adhesion strengthening processing unit HA, the inside of the airtight chamber 2 is the processing space 4, and the substrate W is carried into the chamber 2 via the shutter 6 provided at the side of the chamber 2. It can be carried out from the chamber 2. That is, the lower end of the shutter 6 is hinged to the chamber 2, and the shutter opening / closing drive unit 8 is operated in response to a signal from the control unit 7 to open / close the shutter 6 in the arrow direction α to carry in the substrate W. It can be carried out.

【0008】チャンバ2の底部には、ホットプレート1
0が設けられ、その上面から突設した複数のプロキシミ
ティーピン12によって基板Wをホットプレート10の
直上位置で支持するようになっており、ホットプレート
10の作動によりホットプレート10から熱が基板Wに
与えられて、加熱処理が実行される。なお、このホット
プレート10は制御部7に電気的に接続され、制御部7
からの信号に基づいて動作する。
At the bottom of the chamber 2, the hot plate 1
0 is provided, and the substrate W is supported at a position directly above the hot plate 10 by a plurality of proximity pins 12 projecting from the upper surface of the hot plate 10. When the hot plate 10 is operated, heat is generated from the hot plate 10. And heat treatment is performed. The hot plate 10 is electrically connected to the control unit 7 and
It operates based on the signal from.

【0009】また、チャンバ2の底部には、一対の排気
ポート14が形成され、エアーバルブ16を介して真空
ポンプやエジェクターなどの真空源18に接続可能にな
っており、制御部7からの信号に応じてエアーバルブ1
6を開くことにより処理空間4内を減圧することができ
る。
A pair of exhaust ports 14 are formed at the bottom of the chamber 2 and can be connected to a vacuum source 18 such as a vacuum pump or an ejector via an air valve 16 and a signal from the control unit 7 can be supplied. Air valve 1 according to
The inside of the processing space 4 can be depressurized by opening 6.

【0010】チャンバ2の上部には、給気ポート20,
22が取り付けられている。一方の給気ポート20は密
着強化剤であるヘキサメチルジシラザン(以下、HMD
S)の蒸気(以下、HMDSベーパ)を処理空間4に供
給するためのもので、HMDSを貯留するHMDS供給
部24に連通されている。他方の給気ポート22は窒素
ガス(N2ガス)を処理空間4に供給するためのもの
で、窒素ガス供給部26に連通されている。
At the top of the chamber 2, an air supply port 20,
22 is attached. One of the air supply ports 20 is hexamethyldisilazane (hereinafter referred to as HMD) which is an adhesion enhancer.
S) vapor (hereinafter, HMDS vapor) is supplied to the processing space 4, and is communicated with the HMDS supply unit 24 that stores HMDS. The other air supply port 22 is for supplying nitrogen gas (N 2 gas) to the processing space 4, and is connected to the nitrogen gas supply unit 26.

【0011】チャンバ2内には、給気ポート20,22
の直下にステンレス製の板材に複数の孔28aを穿設し
てなる整流板28が固定されている。そして、制御部7
からの信号を受けてHMDS供給部24が作動すると、
HMDSべーパが給気ポート20を介して整流板28に
向けて吐出され、さらに整流板28によって整流された
後、各孔28aから基板Wの表面に均一に供給される。
また、窒素ガス供給部26が作動した場合も、上記と同
様にして窒素ガスが処理空間4に供給される。
In the chamber 2, air supply ports 20 and 22 are provided.
Directly underneath is fixed a rectifying plate 28 formed by forming a plurality of holes 28a in a stainless steel plate material. And the control unit 7
When the HMDS supply unit 24 operates in response to a signal from
The HMDS vapor is discharged toward the straightening vane 28 through the air supply port 20, further straightened by the straightening vane 28, and then uniformly supplied to the surface of the substrate W from each hole 28a.
Also, when the nitrogen gas supply unit 26 operates, the nitrogen gas is supplied to the processing space 4 in the same manner as above.

【0012】さらに、チャンバ2内には、基板Wを保持
しながら昇降自在な基板受渡しアーム30が設けられて
いる。この基板受渡しアーム30はアーム駆動部32と
連結されており、制御部7からの信号に応じて上下方向
に移動される。例えば、外部より基板Wをチャンバ2内
に搬入する場合には、シャッター6を開いて搬送ロボッ
トのアーム(図示省略)に保持された基板がチャンバ2
内に搬入された後、基板受渡しアーム30は同図の点線
位置まで上昇して搬送ロボットから洗浄済みの基板Wを
受け取る。その後、基板受渡しアーム30が降下する
と、当該基板Wはプロキシミティーピン12上に載置さ
れる。
Further, inside the chamber 2, there is provided a substrate transfer arm 30 which can move up and down while holding the substrate W. The substrate transfer arm 30 is connected to the arm driving unit 32, and is moved in the vertical direction in response to a signal from the control unit 7. For example, when the substrate W is loaded into the chamber 2 from the outside, the shutter 6 is opened and the substrate held by the arm (not shown) of the transfer robot is the chamber 2.
After being carried in, the substrate transfer arm 30 moves up to the position indicated by the dotted line in the figure and receives the cleaned substrate W from the transfer robot. After that, when the substrate transfer arm 30 descends, the substrate W is placed on the proximity pin 12.

【0013】次に、上記のように構成された脱水及び密
着強化処理ユニットHAの動作について図2を参照しつ
つ説明する。図2は時刻に対するチャンバ2内の圧力を
示すグラフである。
Next, the operation of the dehydration / adhesion strengthening processing unit HA configured as described above will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a graph showing the pressure in the chamber 2 with respect to time.

【0014】まず、洗浄ユニットSSによる洗浄処理が
完了すると、搬送ロボットにより洗浄済み基板Wを脱水
及び密着強化処理ユニットHAの手前まで搬送した後、
シャッター6を開き、当該基板Wを保持する搬送ロボッ
トのアームをチャンバ2内に前進させる。そして、基板
受渡しアーム30を上昇させて、搬送ロボットから基板
受渡しアーム30への洗浄済み基板Wの受渡しを行う。
First, when the cleaning process by the cleaning unit SS is completed, the cleaned substrate W is transferred to the front of the dehydration and adhesion strengthening processing unit HA by the transfer robot,
The shutter 6 is opened, and the arm of the transfer robot holding the substrate W is advanced into the chamber 2. Then, the substrate transfer arm 30 is raised to transfer the cleaned substrate W from the transfer robot to the substrate transfer arm 30.

【0015】この基板受渡しが完了すると、基板受渡し
アーム30を下降させて、プロキシミティーピン12上
に洗浄済み基板Wを載置する。また、これと並行して、
搬送ロボットのアームを後退させた後、シャッター6を
閉じる(時刻t0)。なお、この動作最中では、HMD
S供給部24および窒素ガス供給部26は停止した状態
のままで、しかもエアーバルブ16は閉状態にあり、チ
ャンバ2内の圧力は圧力(大気圧)P0となっている。
When this substrate transfer is completed, the substrate transfer arm 30 is lowered and the cleaned substrate W is placed on the proximity pins 12. Also, in parallel with this,
After retracting the arm of the transfer robot, the shutter 6 is closed (time t0). During this operation, the HMD
The S supply unit 24 and the nitrogen gas supply unit 26 remain stopped, the air valve 16 is closed, and the pressure in the chamber 2 is the pressure (atmospheric pressure) P0.

【0016】次に、時刻t1までの間(時間T1)、ホッ
トプレート10に通電し、基板Wを加熱して、基板Wの
表面に付着する水分を除去する(脱水ベーク処理)。
Next, until time t1 (time T1), the hot plate 10 is energized to heat the substrate W to remove the moisture adhering to the surface of the substrate W (dehydration baking treatment).

【0017】この脱水ベーク処理が完了すると、エアー
バルブ16を開いてチャンバ2内の減圧を開始する。そ
して、チャンバ2内が圧力P2にまで減圧されると(時
刻t2)、エアーバルブ16を閉じた後、HMDS供給
部24を作動させてチャンバ2内にHMDSべーパを導
入してチャンバ2内が圧力P1となると(時刻t3)、H
MDS供給部24を停止させ、時刻t4までの間(時間
T2)、その状態のまま保持する。そのため、基板Wは
ホットプレート10によって加熱されながら、上方より
HMDSべーパの供給を受け、その表面にHMDSの薄
膜が塗布される(HMDSの塗布処理)。
When the dehydration baking process is completed, the air valve 16 is opened to start depressurizing the chamber 2. Then, when the inside of the chamber 2 is depressurized to the pressure P2 (time t2), the air valve 16 is closed, and then the HMDS supply unit 24 is operated to introduce the HMDS vapor into the chamber 2 to introduce the inside of the chamber 2. Becomes pressure P1 (time t3), H
The MDS supply unit 24 is stopped and kept in that state until time t4 (time T2). Therefore, the substrate W is supplied with the HMDS vapor from above while being heated by the hot plate 10, and a thin film of HMDS is applied to the surface thereof (application process of HMDS).

【0018】上記のようにしてHMDSの塗布処理が完
了すると(時刻t4)、窒素ガス供給部26を作動させ
てチャンバ2内に窒素ガスを供給しながらエアーバルブ
16を再度開いてチャンバ2内を圧力P2まで減圧させ
た(時刻t5)後、チャンバ2内を圧力P2に維持しなが
ら窒素ガスの供給および真空源18による排気処理を時
刻t6までの間(時間T3)行って、チャンバ2内のHM
DSべーパの濃度を下げる。
When the HMDS coating process is completed as described above (time t4), the nitrogen gas supply unit 26 is operated to supply the nitrogen gas into the chamber 2, and the air valve 16 is opened again to open the inside of the chamber 2. After the pressure is reduced to P2 (time t5), the nitrogen gas is supplied and the vacuum source 18 evacuates the chamber 2 until time t6 (time T3) while the chamber 2 is maintained at pressure P2. HM
Reduce the concentration of DS vapor.

【0019】こうしてチャンバ2内のHMDSべーパが
ほぼ完全に排気されると、エアーバルブ16を再度閉じ
て、チャンバ2内を圧力P0に戻す(時刻t7)。
When the HMDS vapor in the chamber 2 is almost completely exhausted in this way, the air valve 16 is closed again to return the pressure in the chamber 2 to P0 (time t7).

【0020】そして、時刻t8で、基板受渡しアーム3
0を上昇させてHMDSの塗布された基板Wを基板受渡
しが可能な位置に位置決めした後、シャッター6を開き
搬送ロボットのアームを前進させて、基板受渡しアーム
30から搬送ロボットに基板Wを移載する。なお、搬送
ロボットに移された基板Wは次の処理ユニットであるク
ールプレートに搬送され、冷却処理を受ける。
Then, at time t8, the substrate transfer arm 3
After raising 0 to position the substrate W coated with HMDS at a position where substrate transfer is possible, the shutter 6 is opened and the arm of the transfer robot is advanced to transfer the substrate W from the substrate transfer arm 30 to the transfer robot. To do. The substrate W transferred to the transfer robot is transferred to a cool plate, which is the next processing unit, and subjected to cooling processing.

【0021】以上のように、この脱水及び密着強化処理
ユニットHAによれば、HMDS供給部24を停止させ
た状態でホットプレート10を作動させて基板Wの脱水
ベーク処理を行った(脱水ベークモード)後で、HMD
S供給部24およびホットプレート10を作動させて脱
水ベークされた基板Wの表面にHMDSを塗布する塗布
処理を行う(密着強化剤塗布モード)ことができる。し
たがって、制御部7からの信号で脱水ベークモードと密
着強化剤塗布モードとを切り替えることで、この脱水及
び密着強化処理ユニットHAにより脱水ベーク処理を行
うことができ、図4図示の脱水ベークユニットHP1及
びそれによって加熱された基板を冷却するための冷却ユ
ニットCP1を無くすことができるので、処理ユニット
数を減少させて基板表面処理装置のコンパクト化を図る
ことができる。
As described above, according to the dehydration / adhesion strengthening processing unit HA, the hot plate 10 is operated while the HMDS supply unit 24 is stopped to perform the dehydration bake processing of the substrate W (dehydration bake mode). ) Later, HMD
The S supply unit 24 and the hot plate 10 can be operated to perform a coating process of coating HMDS on the surface of the substrate W that has been dehydrated and baked (adhesion enhancer coating mode). Therefore, by switching between the dehydration bake mode and the adhesion enhancer application mode by a signal from the control unit 7, the dehydration and adhesion enhancement treatment unit HA can perform the dehydration bake treatment, and the dehydration bake unit HP1 shown in FIG. Since the cooling unit CP1 for cooling the heated substrate can be eliminated, the number of processing units can be reduced and the substrate surface processing apparatus can be made compact.

【0022】すなわち、図1の脱水及び密着強化処理ユ
ニットHAを用いることにより、図4の従来装置と同様
に1枚の基板を洗浄してからレジスト膜を形成するまで
の処理を行う場合には、図3図示のように洗浄ユニット
SS、脱水及び密着強化処理ユニットHA、冷却ユニッ
トCP2、塗布ユニットSC、加熱ユニットHP2、及び
冷却ユニットCP3の6つの処理ユニットを必要とする
だけであるので、8つの処理ユニットを必要とする図4
図示の従来装置に比べて処理ユニットの数を減少せしめ
て装置をコンパクトにすることができる。
That is, when the dehydration and adhesion strengthening processing unit HA of FIG. 1 is used to perform the processing from the cleaning of one substrate to the formation of the resist film as in the conventional apparatus of FIG. As shown in FIG. 3, only six processing units, namely, a cleaning unit SS, a dehydration and adhesion strengthening processing unit HA, a cooling unit CP2, a coating unit SC, a heating unit HP2, and a cooling unit CP3 are required. Figure 4 requires one processing unit
The number of processing units can be reduced as compared with the illustrated conventional apparatus, and the apparatus can be made compact.

【0023】さらに、上記のように構成された脱水及び
密着強化処理ユニットHAを用いると各処理ユニットの
数を減少せしめることができるので、単一の搬送ロボッ
トによって各処理ユニットに基板を搬入するとともに各
処理ユニットでの処理が完了した基板を搬出するように
構成した基板表面処理装置においては、この搬送ロボッ
トが基板の搬入・搬出のためにアクセスする処理ユニッ
トの種類を減少させることができる。したがって、搬送
ロボットの負担を軽減して装置の処理タクトを短縮する
ことができる。これについて、詳細に説明する。
Further, since the number of processing units can be reduced by using the dehydration and adhesion strengthening processing unit HA configured as described above, the substrate can be carried into each processing unit by a single transfer robot. In the substrate surface processing apparatus configured to carry out the substrate that has been processed by each processing unit, it is possible to reduce the types of processing units that the transfer robot accesses to carry in and carry out the substrate. Therefore, the load on the transfer robot can be reduced and the processing tact of the apparatus can be shortened. This will be described in detail.

【0024】図5は比較のために、上記脱水及び密着強
化処理ユニットHAを用いずに従来の密着強化処理ユニ
ットAPを用い、単一の搬送ロボットによって各処理ユ
ニットに基板を搬入するとともに各処理ユニットでの処
理が完了した基板を搬出するように構成した基板表面処
理装置のレイアウトを示す図である。この装置では、洗
浄ユニットSSと塗布ユニットSCとが一列に配置され
て処理列Aが構成されている。また2つの脱水ベークユ
ニットHP1及び2つの加熱ユニットHP2と、冷却ユニ
ットCP1,CP2,CP3と密着強化処理ユニットAP
とが所定位置に配置されて、処理列Aに平行な処理列B
が構成されている。図5(a)において、符号「/」は
2つの処理ユニットが上下に積層配置されていることを
示すものであり、例えば「HP2/CP3」と示されてい
るのは、下段に冷却ユニットCP3が配置されその上段
に加熱ユニットHP2が配置されていることを表してい
る。なお、ここで脱水ベークユニットHP1と加熱ユニ
ットHP2とがそれぞれ2つずつ設けられているのは、
これらの処理に要する時間が他の処理ユニットに比べて
長いので処理タクトを他の処理ユニットに合わせて短縮
するためである。
For comparison, FIG. 5 uses a conventional adhesion strengthening processing unit AP without using the dehydration and adhesion strengthening processing unit HA, and carries a substrate into each processing unit by a single transfer robot and performs each processing. It is a figure which shows the layout of the substrate surface processing apparatus comprised so that the board | substrate which the process in the unit completed may be carried out. In this apparatus, the cleaning unit SS and the coating unit SC are arranged in a line to form a processing line A. Also, two dehydration bake units HP1 and two heating units HP2, cooling units CP1, CP2, CP3 and an adhesion strengthening processing unit AP.
Processing rows B, which are arranged at predetermined positions and are parallel to the processing row A
Is configured. In FIG. 5A, the symbol “/” indicates that two processing units are stacked one above the other. For example, “HP2 / CP3” indicates that the cooling unit CP3 is in the lower stage. Is arranged and the heating unit HP2 is arranged on the upper side thereof. It should be noted that here, two dehydration bake units HP1 and two heating units HP2 are provided.
This is because the time required for these processes is longer than that of the other processing units, so that the processing tact is shortened in accordance with the other processing units.

【0025】これらの処理列A,Bの側端部(図5
(a)の上方側)には、多数の基板が収容可能なカセッ
トが載置されるとともに、カセットから処理されるべき
基板を1枚ずつ取り出して後述する搬送ロボットR1に
渡すとともに処理済みの基板を搬送ロボットから受け取
ってカセットに入れるロボットが設けられたインデクサ
INDが配置されている。さらに、処理列A,Bは相互
に一定間隔だけ離されて対向配置され、その間を搬送ロ
ボットR1が往復移動可能に設けられている。そして、
搬送ロボットR1は、インデクサIND、洗浄ユニット
SS、脱水ベークユニットHP1、冷却ユニットCP1、
密着強化処理ユニットAP、冷却ユニットCP2、塗布
ユニットSC、加熱ユニットHP2、及び冷却ユニット
CP3の9つの処理ユニット間で基板を図5(b)に示
す搬送順序で搬送するように構成されている。すなわ
ち、搬送ロボットR1は上記9種の処理ユニットにアク
セスする必要があるので、例えば搬送ロボットR1が1
つの処理ユニットから次の処理ユニットに基板を搬送す
るのに要する時間を平均10秒とすれば、10秒×9
(種類)=90秒であるから、図5(a)の搬送ロボッ
トR1は1枚の基板を受け取ってからその基板を全処理
ユニットに順次搬送して再びインデクサINDに返すの
に、各処理ユニット内での処理時間とは別に90秒の搬
送時間を必要とすることになる。
The side ends of these processing rows A and B (see FIG. 5)
A cassette capable of accommodating a large number of substrates is placed on the upper side of (a), and the substrates to be processed are taken out one by one and transferred to a transfer robot R1 described later and the processed substrates are processed. The indexer IND is provided with a robot that receives the sheet from the transfer robot and puts it in the cassette. Further, the processing rows A and B are arranged so as to be opposed to each other with a certain distance therebetween, and the transfer robot R1 is provided so as to be capable of reciprocating between them. And
The transfer robot R1 includes an indexer IND, a cleaning unit SS, a dehydration bake unit HP1, a cooling unit CP1,
The substrate is transferred between the nine processing units of the adhesion strengthening processing unit AP, the cooling unit CP2, the coating unit SC, the heating unit HP2, and the cooling unit CP3 in the transfer order shown in FIG. 5B. That is, since the transfer robot R1 needs to access the above-mentioned nine kinds of processing units, for example, the transfer robot R1 is
If the time required to transfer the substrate from one processing unit to the next is 10 seconds on average, 10 seconds × 9
Since (type) = 90 seconds, the transfer robot R1 of FIG. 5 (a) receives one substrate, sequentially transfers the substrate to all the processing units, and returns it to the indexer IND again. In addition to the internal processing time, a transportation time of 90 seconds is required.

【0026】これに対して、上記脱水及び密着強化処理
ユニットHAを用いて同様の装置スペースに各処理ユニ
ットを配置した実施例を図6に示す。この装置では、図
5と同様に洗浄ユニットSSと塗布ユニットSCとが一
列に配置されて処理列Aが構成されている。また2つの
加熱ユニットHP2と、冷却ユニットCP2,CP3と4
つの脱水及び密着強化処理ユニットHAとが所定位置に
配置されて、処理列Aに平行な処理列Bが構成されてい
る。図6(a)においても、符号「/」は2つの処理ユ
ニットが上下に積層配置されていることを示す。なお、
ここで加熱ユニットHP2が2つ設けられ脱水及び密着
強化処理ユニットHAが4つ設けられているのは、これ
らの処理に要する時間が他の処理ユニットに比べて長い
ので処理タクトを他の処理ユニットに合わせて短縮する
ためである。搬送ロボットR2は図5の搬送ロボットR1
と同様のものである。但し、この実施例において、搬送
ロボットR2は、インデクサIND、洗浄ユニットS
S、脱水及び密着強化処理ユニットHA、冷却ユニット
CP2、塗布ユニットSC、加熱ユニットHP2、及び冷
却ユニットCP3の7つの処理ユニット間で基板を図6
(b)に示す搬送順序で搬送するように構成されてい
る。すなわち、搬送ロボットR2は上記7種の処理ユニ
ットにアクセスすれば良いので、例えば搬送ロボットR
2が1つの処理ユニットから次の処理ユニットに基板を
搬送するのに要する時間を搬送ロボットR1と同様に平
均10秒とすれば、10秒×7(種類)=70秒である
から、図6(a)の搬送ロボットR2は1枚の基板を受
け取ってからその基板を全処理ユニットに順次搬送して
再びインザクサINDに返すのに、各処理ユニット内で
の処理時間とは別に70秒の搬送時間しか必要としな
い。したがって、この脱水及び密着強化処理ユニットH
Aを用いることにより、搬送ロボットのアクセスすべき
処理ユニットの種類を減少させて装置をコンパクト化し
ない場合は処理タクトを短縮することができるのであ
る。
On the other hand, FIG. 6 shows an embodiment in which each processing unit is arranged in the same apparatus space by using the dehydration and adhesion strengthening processing unit HA. In this apparatus, as in FIG. 5, the cleaning unit SS and the coating unit SC are arranged in a line to form a processing line A. Also, two heating units HP2 and cooling units CP2, CP3 and 4
A dehydration and adhesion strengthening processing unit HA is arranged at a predetermined position to form a processing row B parallel to the processing row A. Also in FIG. 6A, the symbol “/” indicates that two processing units are vertically stacked. In addition,
Here, two heating units HP2 and four dehydration / adhesion strengthening treatment units HA are provided, because the time required for these treatments is longer than that of the other treatment units, so that the treatment tact is treated in another treatment unit. This is because of shortening according to. The transfer robot R2 is the transfer robot R1 shown in FIG.
Is similar to. However, in this embodiment, the transfer robot R2 includes the indexer IND and the cleaning unit S.
The substrate is disposed between the seven processing units of S, dehydration and adhesion strengthening processing unit HA, cooling unit CP2, coating unit SC, heating unit HP2, and cooling unit CP3.
It is configured to be carried in the carrying order shown in (b). That is, the transfer robot R2 only needs to access the above seven types of processing units.
If the time required for 2 to transfer the substrate from one processing unit to the next processing unit is 10 seconds on average as in the transfer robot R1, then 10 seconds × 7 (type) = 70 seconds. The transfer robot R2 shown in (a) transfers one substrate to all processing units and then returns it to the Inzaxa IND for 70 seconds separately from the processing time in each processing unit after receiving one substrate. It only takes time. Therefore, this dehydration and adhesion strengthening processing unit H
By using A, the processing tact can be shortened when the type of processing unit to be accessed by the transfer robot is reduced and the apparatus is not made compact.

【0027】なお、上記実施例では、図2に示すよう
に、脱水及び密着強化処理ユニットHAにおいて脱水ベ
ーク処理を行っている間(時刻t0から時刻t1)、チャ
ンバ2内は圧力(大気圧)P0に維持されているが、脱
水ベーク処理開始と同時に、エアーバルブ16を開いて
チャンバ2内を減圧すると、脱水ベーク処理中に発生し
た水蒸気を排気することができ、脱水ベーク処理をより
効果的に行うことができる。また、脱水ベーク処理中の
時刻t2′ですでにチャンバ2内が圧力P2にまで減圧さ
れていることから、脱水ベーク処理後、直ちに密着強化
剤塗布処理を行うことができ、処理タクトの短縮化を図
ることができる。
In the above embodiment, as shown in FIG. 2, while the dehydration and adhesion strengthening processing unit HA is performing the dehydration baking treatment (time t0 to time t1), the pressure (atmospheric pressure) in the chamber 2 is kept. Although it is maintained at P0, if the air valve 16 is opened at the same time as the start of the dehydration bake treatment to depressurize the inside of the chamber 2, the steam generated during the dehydration bake treatment can be exhausted, and the dehydration bake treatment is more effective. Can be done. Further, since the pressure inside the chamber 2 is already reduced to the pressure P2 at the time t2 'during the dehydration bake treatment, the adhesion strengthening agent application treatment can be performed immediately after the dehydration bake treatment, and the treatment tact time can be shortened. Can be achieved.

【0028】また、上記実施例では、減圧してHMDS
を塗布する減圧方式を例に挙げて説明したが、半密閉方
式や密閉方式の密着強化処理ユニットの場合も、制御部
によって脱水ベークモードと密着強化剤塗布モードとを
切り替えるように構成することで、上記実施例と同様の
効果が得られる。
In the above embodiment, the HMDS is decompressed.
Although the depressurization method for applying the adhesive was described as an example, even in the case of the semi-hermetically sealed system or the hermetically sealed adhesion strengthening treatment unit, the controller can switch between the dehydration bake mode and the adhesion strengthening agent application mode. The same effect as in the above embodiment can be obtained.

【0029】[0029]

【発明の効果】以上のように、この発明によれば、基板
を加熱する加熱手段と、基板に密着強化剤の蒸気を供給
する密着強化剤供給手段とを設け、前記密着強化剤供給
手段の作動を停止させた状態で前記加熱手段のみを作動
させることで洗浄された基板を脱水ベークする一方、前
記加熱手段と前記密着強化剤供給手段とを共に作動させ
て、前記加熱手段による脱水ベーク処理を受けた基板の
表面に密着強化剤を塗布するようにしているので、脱水
ベーク専用の処理ユニットが不要となり、その結果、基
板表面処理装置の小型化を図ることができる。
As described above, according to the present invention, the heating means for heating the substrate and the adhesion enhancing agent supplying means for supplying the vapor of the adhesion enhancing agent to the substrate are provided, and the adhesion enhancing agent supplying means is provided. While the operation is stopped, the washed substrate is dehydrated and baked by operating only the heating means, while the heating means and the adhesion enhancer supply means are operated together to perform the dehydration bake processing by the heating means. Since the adhesion enhancer is applied to the surface of the substrate that has received the heat treatment, a processing unit dedicated to dehydration baking is not required, and as a result, the substrate surface processing apparatus can be downsized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明にかかる基板表面処理装置に組み込ま
れた密着強化処理ユニット(脱水及び密着強化処理ユニ
ット)を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing an adhesion strengthening processing unit (dehydration and adhesion strengthening processing unit) incorporated in a substrate surface processing apparatus according to the present invention.

【図2】図1の脱水及び密着強化処理ユニットの動作を
示すグラフである。
FIG. 2 is a graph showing an operation of the dehydration / adhesion strengthening processing unit of FIG.

【図3】図1の脱水及び密着強化処理ユニットを有する
基板表面処理装置を示す図である。
FIG. 3 is a view showing a substrate surface processing apparatus having the dehydration and adhesion strengthening processing unit of FIG.

【図4】従来の基板表面処理装置を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a conventional substrate surface treatment apparatus.

【図5】この発明にかかる基板表面処理装置の効果を説
明するための図である。
FIG. 5 is a diagram for explaining the effect of the substrate surface treatment apparatus according to the present invention.

【図6】この発明にかかる基板表面処理装置の一実施例
を示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing an embodiment of a substrate surface treatment apparatus according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2 チャンバ 4 処理空間 7 制御部 10 ホットプレート(加熱手段) 24 HMDS供給部 2 chamber 4 processing space 7 control unit 10 hot plate (heating means) 24 HMDS supply unit

フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/304 351 Z Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification number Office reference number FI technical display location H01L 21/304 351 Z

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 洗浄液によって洗浄された基板を乾燥さ
せた後に、当該基板の表面に密着強化剤を塗布し、さら
に所定の塗布液を塗布して基板表面に薄膜を形成する基
板表面処理装置において、 洗浄液によって洗浄された基板を収容するチャンバと、 前記チャンバ内に収容された基板を加熱する加熱手段
と、 前記チャンバ内に収容された基板に密着強化剤の蒸気を
供給する密着強化剤供給手段と、 前記密着強化剤供給手段の作動を停止させた状態で前記
加熱手段のみを作動させて洗浄された基板を乾燥させる
脱水ベークモードと、前記加熱手段と前記密着強化剤供
給手段とを共に作動させて、前記加熱手段による脱水ベ
ーク処理を受けた基板の表面に密着強化剤を塗布する密
着強化剤塗布モードとを切り替え制御する制御手段と、
を備えてなる密着強化処理ユニットを設けたことを特徴
とする基板表面処理装置。
1. A substrate surface treatment apparatus for drying a substrate washed with a cleaning liquid, applying an adhesion enhancer to the surface of the substrate, and then applying a predetermined application liquid to form a thin film on the substrate surface. A chamber for containing the substrate cleaned by the cleaning liquid; a heating means for heating the substrate contained in the chamber; and an adhesion enhancer supply means for supplying vapor of the adhesion enhancer to the substrate contained in the chamber. And a dehydration bake mode in which only the heating means is operated to dry the cleaned substrate while the operation of the adhesion enhancer supply means is stopped, and both the heating means and the adhesion enhancer supply means are operated. And a control means for switching and controlling an adhesion enhancer application mode for applying an adhesion enhancer to the surface of the substrate that has been subjected to the dehydration baking treatment by the heating means,
A substrate surface treatment apparatus comprising: an adhesion strengthening treatment unit comprising:
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JPH03138923A (en) * 1989-10-24 1991-06-13 Tokyo Electron Ltd Semiconductor manufacturing apparatus
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