JPH07334415A - メモリモジュール - Google Patents

メモリモジュール

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JPH07334415A
JPH07334415A JP6143898A JP14389894A JPH07334415A JP H07334415 A JPH07334415 A JP H07334415A JP 6143898 A JP6143898 A JP 6143898A JP 14389894 A JP14389894 A JP 14389894A JP H07334415 A JPH07334415 A JP H07334415A
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JP
Japan
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simm
memory
memory module
connector
mbytes
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JP6143898A
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Takashi Ishidoshiro
敬 石徹白
Toshinori Kawabata
俊徳 河端
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MELCO KK
Original Assignee
MELCO KK
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 SIMMボードを装填することによりメモリ
容量の拡大を図り得るメモリモジュールを提供する。 【構成】 コンピュータ側のSIMM用コネクタ34に
装着されるメモリモジュール10に拡張コネクタ12a
を備える。そして、拡張コネクタ12aに拡張用のSI
MM20aを装填することでコンピュータの容量増大を
図ることを可能にする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、コンピュータ、特にパ
ーソナルコンピュータのメモリ容量を増大させるための
メモリモジュールに関し、特に、コンピュータ側の1つ
のコネクタに複数のメモリモジュールを接続できるよう
にするメモリモジュールに関する。
【0002】
【従来の技術】メモリ容量を増大させ処理能力を増強さ
せるために、パーソナルコンピュータ等は、メモリモジ
ュール(RAMボード)を追加できるように構成されて
いる。このメモリモジュールには、所謂SIMM(SING
LE INLINE MEMORY MODULE)と内部増設RAMボードとが
広く用いられており、一般的にコンピュータ側にはSI
MM用の複数のコネクタと内部増設RAMボード用の単
一のコネクタとが備えられている。ここで、SIMM用
の複数のコネクタにSIMMを装填して行くことにより
コンピュータのメモリ容量を順次増大させることができ
る。例えば、第1のSIMMコネクタに4MのSIMM
を装填し、更に、第2のSIMMコネクタに4MのSI
MMを装填することにより併せて8Mにメモリ容量の増
大が図り得る。他方、内部増設RAMボード用のコネク
タが一つなのは、該内部増設RAMボード側に拡張用の
RAMを接続するための拡張コネクタが備えられてお
り、その拡張コネクタにRAMを接続することにより実
質的に内部増設RAMボードの容量を増大させることが
できるからである。例えば、4Mの内部増設RAMボー
ドに4MのRAMを後から装着することにより8Mのメ
モリとして用いることができる。
【0003】ここで、上記内部増設RAMボードにRA
Mを装填して使用できるのは、コンピュータ側が、内部
増設RAMボードの各拡張コネクタに装着されたRAM
を認識して、所望のRAMをセレクト信号で選択して読
み書きを行うためである。他方、コンピュータは、上記
SIMMについては、複数装着されたSIMMの内の所
望のものをコネクタ単位で選択して読み書きを行ってい
る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、コンピ
ュータ側に複数のSIMM用コネクタが用意されていな
い場合、例えば、SIMM用コネクタが1つのみの場合
は、既に4MのSIMMがコンピュータに装着されてい
たならば、容量の増大を図ろうとした際に、SIMM用
コネクタが1つしかないため、いままで装着されていた
4MのSIMMを廃棄して、8M或いは16MのSIM
Mを購入して装着することが必要となった。
【0005】本発明は、上述した課題を解決するために
なされたものであり、本発明の第1の目的は、SIMM
ボードを接続することによりメモリ容量の拡大を図り得
るメモリモジュールを提供することにある。また、本発
明の第2の目的は、SIMMボードを複数装填すること
によりメモリ容量の増大を図り得るメモリモジュールを
提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明のメモリモジュールは、第1の態様におい
て、コンピュータ側のSIMM用コネクタに接続するた
めのSIMM用基板端子と、SIMMを従属接続するた
めの拡張コネクタと、内蔵のベースメモリとを備えるこ
とを特徴とする。
【0007】上記の目的を達成するため、本発明のメモ
リモジュールは、第2の態様において、コンピュータ側
のコネクタに接続するための専用基板端子と、上記専用
基板端子を備えるメモリモジュールを従属接続するため
の拡張コネクタと、コンピュータ側から与えられたアド
レス信号の一部をデコードして前記拡張コネクタに接続
されたメモリモジュールへのセレクト信号を発生するデ
コード手段とを有することを特徴とする。
【0008】また、本発明の拡張コネクタを備えるメモ
リモジュールは、第3の態様において、コンピュータ側
のコネクタに接続するための専用基板端子と、上記専用
基板端子を備える複数のメモリモジュールを従属接続す
るための複数の拡張コネクタと、前記拡張コネクタにメ
モリモジュールが接続されたことを認識するための認識
手段と、前記認識手段により認識されたメモリモジュー
ルに対して、コンピュータ側から与えられたアドレス信
号の一部をデコードしたセレクト信号を送出するデコー
ド手段とを有することを特徴とする。
【0009】
【作用効果】上記のように構成されたメモリモジュール
では、第1の態様において、メモリモジュールが拡張コ
ネクタを備えるため、該拡張コネクタに拡張用のSIM
Mを装填することでコンピュータの容量増大を図ること
ができる。
【0010】上記のように構成されたメモリモジュール
では、第2の態様において、デコード手段が、コンピュ
ータ側から与えられたアドレス信号の一部をデコードし
て拡張コネクタに接続されたメモリモジュールへのセレ
クト信号を発生し、特定のメモリモジュールの読み書き
を可能にする。このため、複数のメモリモジュールが装
着された状態においても、コンピュータ側からのアドレ
スに相当するメモリモジュールを選択して読み書きする
ことができる。
【0011】上記のように構成されたメモリモジュール
では、第3の態様において、拡張コネクタにメモリモジ
ュールが接続されたことを認識手段が認識し、この接続
されたメモリモジュールに対して、デコード手段が、コ
ンピュータ側から与えられたアドレス信号の一部をデコ
ードしてセレクト信号を送出し、該メモリモジュールの
読み書きを可能にする。このため、複数のメモリモジュ
ールが装着された状態においても、コンピュータ側から
のアドレスに相当するメモリモジュールを選択して読み
書きすることができる。
【0012】
【実施例】以下、本発明のメモリモジュールをSIMM
に適用した実施例を図を参照して説明する。先ず、本発
明の第1実施例について図1及び図2を参照して説明す
る。図1(A)は、第1実施例に係るメモリモジュール
10を示している。メモリモジュール10は、72ピン
のSIMM用の拡張コネクタ12aと、複数のIC14
とが配置され、下端には該72ピンSIMM用の基板端
子16が形成されている。メモリモジュール10下方の
コンピュータ側のマザーボード30には、該メモリモジ
ュール10の基板端子16を嵌合するためのコネクタ3
2と、複数のIC34とが配置されている。
【0013】図1(B)は、本実施例のSIMM20a
を示している。このSIMM20aは、4Mバイト分の
DRAMを構成する複数のIC24が配置される共に、
その下端に該72ピンSIMM用の基板端子26が形成
されて成る。図1(A)に示すようにマザーボード30
は水平に配置され、メモリモジュール10は、マザーボ
ード30のコネクタ32に対して垂直に嵌入される。他
方、SIMM20aは、マザーボード30と水平方向
に、メモリモジュール10の拡張コネクタ12aへ嵌入
される。なお、上述したようにメモリモジュール10の
基板端子16とSIMM20aの基板端子26とは同じ
72ピンSIMM用の仕様が用いられ、また、マザーボ
ード30のコネクタ32とメモリモジュール10の拡張
コネクタ12aとは同じく72ピンSIMM用の仕様が
用いられているため、SIMM20aをマザーボード3
0のコネクタ32に直接接続することも可能である。
【0014】なお、この第1実施例では、上記メモリモ
ジュール10の拡張コネクタ12aに、図1(B)に示
す4MバイトのSIMM20aを装填することを仕様上
で要求している。一方、メモリモジュール10のIC1
4には、4Mバイト分のDRAMがベースメモリとして
含まれる。
【0015】次に、コンピュータ側のメモリ管理方法に
ついて図2を参照して説明する。このコンピュータは、
32Mバイトまでメモリ管理を行うことができ、32M
バイトをRAS0、RAS2として16Mバイトつづに
2分割して管理を行う。そして、それぞれRAS0、R
AS2において、メモリ容量を4Mバイト、16Mバイ
トという単位で把握し読み書きに用いる。第1実施例で
は、メモリモジュール10内にベースメモリとして4M
バイト分のDRAMを備え、拡張コネクタ12aには、
上述したように4MバイトのSIMMを装着することを
指定している。このように拡張用のSIMMの容量を指
定しているのは、例えば、4Mバイトのベースメモリに
8MバイトのSIMMが接続され併せて12Mバイトと
なると、このコンピュータは、4Mバイト以上のときは
16Mバイトとして容量を把握してメモリを使用するた
め、適正な動作を保証し得なくなるからである。
【0016】この4MバイトのSIMM20aが装着さ
れない状態において、即ち、メモリモジュール10のみ
がマザーボード30に装着された状態において、コンピ
ュータは、上記4Mバイトのベースメモリを図2(A)
に示すようにRAS0側で管理する。ここで、メモリ容
量の増大を望むユーザが、更に4MバイトのSIMM2
0aを購入して、これを該メモリモジュール10の拡張
コネクタ12aに装着した場合、コンピュータは、図2
(B)に示すようにSIMM20aの4Mバイトを、R
AS2側で管理する。このため、8Mバイトにメモリ容
量の拡大を図ることができる。
【0017】ここで、この第1実施例の改変例について
更に説明する。この改変例では、メモリモジュール10
のベースメモリが8Mバイトに設定されている。そし
て、拡張コネクタには8MバイトのSIMMを装着する
ことを指定している。メモリモジュール10のみが装着
された状態において、コンピュータは、該メモリモジュ
ール10側の8Mバイト分を図2(C)に示すように4
Mバイト分についてRAS0側で管理し、残りの4Mバ
イト分をRAS2側で管理する。ここで、拡張コネクタ
に8MバイトのSIMMが装着されると、コンピュータ
は、これらを統合した16Mバイトを図2(D)に示す
ようにRAS0側で管理する。従って、この改変例では
16Mバイトにメモリ容量の拡大を図ることができる。
【0018】更に第1実施例の別の改変例について説明
する。この改変例では、メモリモジュール10のベース
メモリが16Mバイトに設定されている。そして、拡張
コネクタには16MバイトのSIMMを装着することを
指定している。メモリモジュール10のみが装着された
状態において、コンピュータは、図2(E)に示すよう
にベースメモリの16MバイトをRAS0側で管理す
る。ここで、拡張コネクタに16MバイトのSIMMが
装着されると、コンピュータは、32Mバイトを図2
(F)に示すように、16Mバイト分についてRAS0
側で管理し、残りの16Mバイト分をRAS2側で管理
する。このため、該改変例では併せて32Mバイトにメ
モリ容量を拡大することができる。
【0019】以上説明した第1実施例では、既にマザー
ボード30側に装着されたメモリモジュール10に同容
量のSIMMを装着することによりコンピュータの容量
を簡単に増大できる利点がある。このため、1つのSI
MM用コネクタしかコンピュータ側に備えられていない
場合に、従来は、容量の拡大のためには使用されていた
SIMMを容量の大きなものに置き換えなければならな
かったのに対して、この第1実施例では、メモリモジュ
ール10側の拡張コネクタ12aにSIMMを装填する
ことにより容量を倍増することができる。
【0020】次に、本発明の第2実施例について図3〜
図7を参照して説明する。上述した第1実施例では、メ
モリモジュール10に1つのSIMMが装着されたが、
この第2実施例においては、メモリモジュールに複数の
SIMMが装着できるように構成されている。ここで、
複数のSIMMが装着されても、コンピュータ側からは
アドレス信号でメモリの番地が指定されるだけであり、
複数のSIMMの内の1つを選択する信号が送出される
訳ではない。従って、単に複数のSIMMを従属接続す
るのみでは、メモリ容量の拡大は図り得ない。このた
め、第2実施例では、コンピュータのアドレスをデコー
ドしてセレクト信号を発生し、複数の内のアドレス信号
に相当するSIMMを選択して読み書きを行わしめる。
【0021】図3(A)は、第2実施例に係るメモリモ
ジュール110を示している。メモリモジュール110
は、72ピンSIMM用の拡張コネクタ12a、12b
と、複数のIC14とが配置され、その下端には該72
ピンSIMM用の基板端子16が形成されている。メモ
リモジュール110の下方のコンピュータ側のマザーボ
ード30には、第1実施例と同様に該メモリモジュール
110の基板端子16を嵌合するためのコネクタ32
と、複数のIC34とが配置されている。
【0022】図3(B)は、本実施例のSIMM20b
を示している。このSIMM20bは、8Mバイト分の
DRAMを構成する複数のIC24が配置されると共
に、その下端に該72ピンSIMM用の基板端子26が
形成されて成る。
【0023】なお、この第2実施例では、上記メモリモ
ジュール110の拡張コネクタ12a側に、図1(B)
を参照して前述した4MバイトのSIMM20aが装填
され、そして、拡張コネクタ12b側には図3(B)に
示した8MバイトのSIMM20bが装填されることを
仕様上要求している。このメモリモジュール110のI
C14中には、4Mバイト分のDRAMの他にプログラ
ムICが含まれる。このプログラムICは、上記拡張コ
ネクタ12bに8MバイトのSIMMが装填されたこと
を認識する認識機能の他、コンピュータ側から与えられ
たアドレス信号の一部をデコードして、拡張コネクタ1
2aに装着された4MバイトのSIMM20aへのセレ
クト信号、或いは、拡張コネクタ12bに装着された8
MバイトのSIMM20bへのセレクト信号の送出を行
うデコード機能がプログラムされている。
【0024】次に、第2実施例のメモリモジュール10
に対するコンピュータ側のメモリ管理について図4を参
照して説明する。このメモリモジュール110が装着さ
れるコンピュータは、第1実施例で説明したものと同じ
ものであり、32Mバイトまでメモリ管理を行うことが
でき、32MバイトをRAS0、RAS2として16M
バイトつづに2分割して管理する。そして、それぞれR
AS0、RAS2にて、メモリ容量を4Mバイト、16
Mバイトという単位で把握し読み書きに用いる。このた
め、第2実施例では、メモリモジュール110内に4M
バイト分のDRAMをベースメモリとして備える他、上
述したように拡張コネクタ12aに4MバイトのSIM
M20aを装着することを指定し、これにより8Mバイ
トまでメモリ容量の拡大が図り得る。更に、拡張コネク
タ12bに8MバイトのSIMM20bを装着すること
により最大16Mバイトまでメモリ容量の拡大を図り得
るように設定されている。
【0025】ここで、第2実施例のメモリモジュール1
10の回路構成について図5を参照して説明する。な
お、この図5においては、図示の便宜上アドレス信号の
ラインとSIMM20bの認識用のラインのみを示し、
データのリード、ライト及びその他の信号用ラインは省
略されている点に注意されたい。このメモリモジュール
110は、図3(A)に示したようにマザーボード30
のコネクタ32と接続されコンピュータ側との信号のや
り取りを行う基板端子16と、後述するようにアドレス
信号をデコードするためのデコーダ40と、SIMM2
0a’及びSIMM20bと、SIMM20bが拡張コ
ネクタ12bに装着されたことを認識するための認識回
路50とから主に構成される。このデコーダ40及び認
識回路50は、図3を参照して前述したようにプログラ
ムICに保持された制御情報であるが、ここでは便宜上
独立した回路として図示及び説明を行う。また、SIM
M20a’は、上述したメモリモジュール110に内蔵
されている4Mバイト分のDRAMと、拡張コネクタ1
2aに装着されたSIMM20aとを併せて表現してい
る。
【0026】基板端子16からは、メモリーアドレスM
A0〜MA9のバスラインがSIMM20a’及び30
bにパラレルに接続され、また、メモリーアドレスMA
10のラインと、RASI20のラインと、RASI0
0のラインと、CAS0〜CAS3のバスラインとがデ
コーダ40に接続されている。一方、デコーダ40から
は、CAS0A〜CAS3Aのバスラインと、RASA
のラインとRASBのラインとがSIMM20a’側へ
接続され、また、CAS0B〜CAS3Bのバスライン
と、RASCのラインとRASDのラインとがSIMM
20b側へ接続されている。そして、SIMM20bか
らは、SIMM20bの認識用のライン52が認識回路
50へ接続されている。該認識回路50からは、SIM
M20b認識信号CN1Iのラインがデコーダ40へ接
続されている。
【0027】次に、第2実施例におけるSIMM20b
の認識を行う認識回路50の構成について図6(A)を
参照して説明する。ここでは、SIMM20bの基板端
子の第3及び第5番ピンが相互に内部接続され電源側と
接続されるよう構成されており、また、第67番及び第
69番ピンとが相互に内部接続されアース側と接続され
るように構成されているものとして説明を行う。
【0028】認識回路50は、インバータ54と抵抗R
1とからなり、インバータ54の入力側は、認識回路5
0の入力端50aと接続されると共に抵抗R1の一方の
端子と接続され、該抵抗R1の他方の端子は、メモリモ
ジュール110の電源Vccと接続されている。そして、
該インバータ54の出力はCN1I信号として図5を参
照して前述したデコーダ40側へ送出されるようになっ
ている。該SIMM20bを嵌入させるための拡張コネ
クタ12b(図3(A)参照)の3番ピン用の端子はメ
モリモジュール110の電源Vccに接続され、67番ピ
ン用の端子はアースに接続され、また、第69番ピン用
の端子はSIMM20b認識用のライン52を介して該
認識回路50の入力端50aに接続されている。
【0029】ここで、認識回路50によるSIMM20
bの認識動作について説明する。拡張コネクタ12bに
SIMM20bが嵌入される前には、拡張コネクタ12
bの第69番ピン用の端子は所謂浮いた状態にあり、イ
ンバータ54の入力側には電源Vccの電位がそのまま加
わるため、該インバータ54は、ロウレベルの信号を出
力し、これをCN1I信号としてデコーダ40へ送出し
ている。
【0030】そして、図に示すように拡張コネクタ12
bにSIMM20bが嵌入されると、該SIMM20b
には、メモリモジュール110側から3番ピン用の端子
を介して電源Vccの電位と、また、67番ピン用の端子
を介してアース電位とが供給され、SIMM20b内の
IC24が動作可能になる。このとき、67番ピン用の
端子を介してSIMM20b側に加えられたアース電位
は、内部接続されている第69番ピンにも印加されるこ
とになる。第69番ピンがアース電位にされると、認識
回路50の抵抗R1で電圧降下が発生して、インバータ
54の入力側の電位がほぼアース電位まで落ちる。この
ため、該インバータ54は、ハイレベルの信号を出力
し、これをCN1I信号としてデコーダ40へ送出す
る。
【0031】図6(B)は、図6(A)に示した別の回
路例を表している。認識回路50は、インバータ54、
56と抵抗R2、R3とからなる。インバータ54の入
力側は、認識回路50の入力端50aと接続された抵抗
R3の一方の端子と、アースに接続された対抗R2の一
方の端子とに接続されている。そして、該インバータ5
4の出力は、もう1つのインバータ56により反転され
てCN1I信号としてデコーダ40側へ出力されるよう
になっている。該SIMM20bを嵌入させるための拡
張コネクタ12bの3番ピン用の端子はメモリモジュー
ル110の電源Vccに接続され、第5番ピン用の端子は
SIMM20b認識用のライン52に接続され、また、
67番ピン用の端子はアースに接続されている。
【0032】ここで、認識回路50によるSIMM20
bの認識動作について説明する。拡張コネクタ12bに
SIMM20bが嵌入される前は、拡張コネクタ12b
の第5番ピン用の端子は電源Vccと接続されていない状
態にある。従って、インバータ54は、入力側に電位が
加わっていないためにハイレベルの信号を出力し、イン
バータ56はこれを反転してロウレベルの信号を出力
し、これがCN1I信号としてデコーダ40側へ出力さ
れている。
【0033】そして、拡張コネクタ12bにSIMM2
0bが嵌入されると、該SIMM20bへメモリモジュ
ール110側から3番ピン用の端子を介して電源Vccの
電位と、また、67番ピン用の端子を介してアース電位
とが供給され、SIMM20b内のIC24が動作可能
になる。このとき、3番ピン用の端子を介してSIMM
20b側に加えられた電源Vccの電位は、内部接続され
ている第5番ピンにも印加されることになる。第5番ピ
ンに電源Vccの電位が加えられると、この電位が抵抗R
3及び抵抗R2で分圧されてインバータ54の入力側に
加わり、該インバータ54はロウレベルの信号を出力
し、インバータ56はこれを反転してハイレベルの信号
を出力し、これがCN1I信号としてデコーダ40側へ
出力される。
【0034】次に、メモリモジュール110のデコーダ
40の動作について説明する。まず、デコーダ40の動
作原理について説明する。4Mバイトのベースメモリ
と、4MバイトのSIMM20aと8MバイトのSIM
M20bとの容量を併せて16Mバイト分が該メモリモ
ジュール110に備えられている状態においても、コン
ピュータは、どのSIMMにメモリが存在していかを意
識することなく、16Mバイト分をメモリーアドレスM
A0からMA10によってアドレスの指定を行う。この
とき、デコーダ40は、メモリーアドレスMAの最上位
のビットであるMA10に基づき、ベースメモリとSI
MM20aとを併合したSIMM20a’と、SIMM
20bとのいずれかを選択して読み書きを可能にする。
即ち、コンピュータ側からのアドレスの最上位MA10
が“0”のときは、8Mバイトまでのメモリのアドレス
を指定しているためSIMM20a’側を選択し、他
方、アドレスの最上位MA10が“1”のときは、8M
〜16Mバイトのメモリのアドレスを指定しているため
SIMM20b側を選択する。このとき図5を参照して
前述したようにメモリーアドレスMA0〜MA9は、パ
ラレルにSIMM20a’とSIMM20bとに加えら
れているため、デコーダ40により選択された方のSI
MM20a’、或いは、SIMM20bが読み書きされ
ることになる。
【0035】このデコーダ40の具体的動作について図
7の論理回路に沿ってさらに詳しく説明する。このデコ
ーダ40は、図の上半分がDRAMへのRAS信号を変
換するための回路である。これは、メモリーアドレスM
A10をアドレス用に保持するためのラッチ42と、S
IMM20bの有無に関するCN1Iと該メモリーアド
レスMA10とに基づきRASI00とRASI20と
を選択するためのRASゲート44a、44b、44
c、44dと、RASゲート44a、44b、44c、
44dの出力信号をゲートするためのNORゲート46
a、46bとから成る。他方、図の下半分は、DRAM
へのCAS信号を変換するための回路で、メモリーアド
レスMA10を反転するためのインバータ47と、CA
S信号をゲートするためのCASゲート48a、CAS
ゲート48bと、CASゲート48aをゲート可能にす
るためのNORゲート49aと、CASゲート48bを
ゲート可能にするためのNORゲート49bとからな
る。
【0036】先ず、SIMMが装着されていないメモリ
モジュール110がマザーボード30に取り付けられ
た、即ちベースメモリのみの状態における動作について
説明する。図4のメモリマップの(A)に示すように、
コンピュータ側は、このメモリモジュール110に内蔵
された4Mバイトのメモリ容量をRAS0側に4Mバイ
ト存在しているものとして認識して、該RAS0側に対
して読み書きの動作を行う。
【0037】この状態において、図6(A)に示す認識
回路50は、CN1Iのラインを介してSIMM20b
が装着されていないことを示す信号を出力する。これに
応じて、デコーダ40のRASゲート44c、44d側
が出力可能になる。ここでコンピュータからのRASI
00(RAS0)信号は、RASゲート44c側から出
力され、NORゲート46aを介してRASAとしてS
IMM20a’側に出力される。他方、この4Mバイト
のベースメモリのみ場合には、メモリ容量が8Mバイト
以下であるためメモリーアドレスMA10により切り換
える必要がないため、ロウの信号によりNORゲート4
9aを介してCASゲート48a側が出力可能になって
いる。従って、コンピュータ側からのCAS0〜3信号
は、該CASゲート48aを介してCAS0A〜3Aと
してSIMM20a’側に出力される。これらRASA
及びCAS0A〜3A信号によりアドレスが指定されS
IMM20a’のベースメモリに対して読み書きがなさ
れる。
【0038】次に、メモリモジュール110の拡張コネ
クタ12aに4MバイトのSIMMが装着された場合の
動作について説明する。図4のメモリマップの(B)に
示すように、コンピュータ側は、メモリモジュール11
0に内蔵されている4Mバイトのメモリ容量をRAS0
側に4Mバイト存在しているものとして認識すると共
に、装着されたSIMM側の4MバイトをRAS2側に
存在しているものとして認識し、RAS0側の4Mバイ
トとRAS2側の4Mバイトに対して読み書きの動作を
行う。
【0039】この状態においても、上述したと同様にC
N1Iのラインを介してSIMM20bが装着されてい
ないことを示す信号が出力されている。これに応じて、
RASゲート44c、44d側が出力可能になる。ここ
でコンピュータからのRASI00(RAS0)信号
は、RASゲート44c側から出力され、NORゲート
46aを介してRASAとしてSIMM20a’側に出
力される。一方、RASI20(RAS2)信号は、R
ASゲート44d側から出力され、NORゲート46b
を介してRASBとして同じくSIMM20a’側に出
力される。なお、4MバイトのベースメモリにSIMM
20aの4Mバイトが加えられてもメモリ容量は8Mバ
イト以下であるため、メモリーアドレスMA10により
切り換える必要がないため、NORゲート49aを介し
てロウの状態にあり、CASゲート48a側が出力可能
になっている。従って、コンピュータ側からのCAS0
〜3信号は、該CASゲート48aを介してCAS0A
〜3AとしてSIMM20a’側に出力される。これら
RASA及びCAS0A〜3A信号によりアドレスが指
定されSIMM20a’のベースメモリ側に対して読み
書きがなされ、同様にRASB及びCAS0A〜3A信
号によりSIMM20a’のSIMM20a側に対して
読み書きがなされる。
【0040】最後に、メモリモジュール110の拡張コ
ネクタ12aに4MバイトのSIMM20aが装着され
た後に、更に拡張コネクタ12bに8MバイトのSIM
M20bが装着された場合の動作について説明する。図
4のメモリマップの(C)に示すように、後述するデコ
ーダ40の動作により、コンピュータ側は、メモリモジ
ュール110に内蔵された4Mバイトと、SIMM20
aの4Mバイトと、SIMM20bの8Mバイトとを併
せた16Mバイトを、RAS0側に存在しているものと
して認識し、このRAS0側の16Mバイトに対して読
み書きの動作を行う。
【0041】SIMM20bが装着されると、認識回路
50は、CN1Iのラインを介してSIMM20bの装
着信号を出力する。これに応じて、デコーダ40のRA
Sゲート44a、44b側が出力可能になる。まず、コ
ンピュータが、8Mバイト以下のメモリに対して読み書
きを行うアドレス信号を送出した際のデコーダ40の動
作について説明する。ここで、8Mバイト以下のメモリ
が指定されるときメモリーアドレスMA10はロウの状
態にあり、RASゲート44a側が出力可能になる。こ
のため、コンピュータからのRASI00(RAS0)
信号は、RASゲート44a側から出力され、NORゲ
ート46aを介してRASAとして、SIMM20a’
側に出力される。他方、上述したようにメモリーアドレ
スMA10はロウの状態にあるため、NORゲート49
aを介してCASゲート48a側が出力可能になってい
る。従って、コンピュータ側からのCAS0〜3信号
は、該CASゲート48を介してCAS0A〜3Aとし
てSIMM20a’側に出力される。これらRASA及
びCAS0A〜3A信号によりアドレスが指定され、S
IMM20a’側のベースメモリ及びSIMM20aの
メモリに対して読み書きがなされる。この時RASC
は、CAS0B〜CAS3Bが出力されていないため、
読み書きできない。
【0042】次に、コンピュータが、8Mバイトより上
のメモリに対して読み書きを行うアドレス信号を送出し
た際のデコーダ40の動作について説明する。ここで
は、8Mバイトを越えるメモリが指定されるためメモリ
ーアドレスMA10はハイの状態にあり、RASゲート
44b側が出力可能になっている。このため、コンピュ
ータからのRASI00(RAS0)信号は、RASゲ
ート44b側から出力され、RASB、RASDとして
SIMM20b側へ出力される。他方、メモリーアドレ
スMA10はハイの状態にあるため、これがインバータ
47により反転されてNORゲート49bを介してCA
Sゲート48b側を出力可能にしている。従って、コン
ピュータ側からのCAS0〜3信号は、CASゲート4
8bを介してCAS0B〜3BとしてSIMM20b側
へ出力される。これらRASB、RASD及びCAS0
B〜3B信号によりアドレスが指定され、SIMM20
bの8Mバイトのメモリに対して読み書きがなされる。
この時RASBは、CAS0A〜CAS3Aが出力され
ていないため、読み書きできない。
【0043】この実施例によれば、拡張コネクタ12b
に接続されたSIMM20bに対してRAS及びCAS
信号を切り換えて送出、即ち、セレクト信号を送出する
ことにより該SIMM20bに対して読み書きを行う。
このため、コンピュータ側のコネクタ32に装着された
メモリモジュール110に複数のSIMM20a、SI
MM20bを付加してメモリ容量の増大を図ることが可
能になる。また、本実施例では、予めコネクタの端子に
接続するSIMMの容量を指定してあるため、即ち、拡
張コネクタ12aには4MバイトのSIMMを、そし
て、拡張コネクタ12bには8MバイトのSIMMを装
着することを指定してあるため、装着されたSIMMの
容量を判断する必要がない。このため回路構成を簡易化
できる利点がある。なお、この実施例では、拡張コネク
タ12bにSIMM20bが装着されたことをアースレ
ベルを検知することにより電気的に検出したが、この代
わりに、検知用接点を設ける、或いはディプスィッチに
より操作者に入力させる等の機械的な方法により検出す
ることも可能である。
【0044】次に、本発明の第3実施例について、図8
〜図10を参照して説明する。ここで第2実施例の同様
な部材については、同じ参照番号を用いるとともにその
説明を省略する。上述した第2実施例では、拡張コネク
タに接続するSIMMの容量を予め指定していたが、こ
の第3実施例では、3個の拡張コネクタに、4、8、1
6Mバイトの任意の容量のSIMMを接続できるように
構成されている。
【0045】ここで、コンピュータによる第3実施例の
メモリモジュール210に対するメモリ管理について図
8を参照して説明する。このメモリモジュール210が
装着されるこのコンピュータは、第1、第2実施例で説
明したものと同じものであり、32Mバイトまでのメモ
リ管理を行うことができ、32MバイトをRAS0、R
AS2として16Mバイトつづに2分割して管理する。
そして、それぞれRAS0、RAS2で、メモリ容量を
4Mバイト、16Mバイトという単位で把握し、読み書
きに用いる。この第3実施例では、前述した第2実施例
と同様に図8(A)、図8(B)、図8(C)に示すよ
うにベースメモリ+4MバイトのSIMM+8Mバイト
のSIMMという用にメモリ容量の拡大を図り得るほ
か、更に、図8(D)に示すように4Mバイトのベース
メモリに加えて、3個の4MバイトのSIMMを利用し
て16Mバイトとして動作させることや、図8(E)に
示すように4Mバイトのベースメモリに加えて、2個の
8MバイトのSIMMを利用して20Mバイトとして動
作させることも、或いは、図8(F)に示すように4M
バイトのベースメモリに加えて、1個の4MバイトのS
IMMと1個の8MバイトのSIMMと1個の16Mバ
イトのSIMMとを利用して32Mバイトとして動作さ
せることができる。
【0046】ここで、第3実施例のメモリモジュール2
10の回路構成について図9を参照して説明する。なお
図9においては、便宜上アドレス信号のラインとSIM
Mの認識用のラインのみを示している点に注意された
い。このメモリモジュール210は、マザーボード30
のコネクタ32と接続されコンピュータ側との信号のや
り取りを行う基板端子116と、4Mバイトのベースメ
モリ14aと、後述するようにアドレス信号をデコード
するデコーダ140とから主に構成される。そしてこの
メモリモジュール210は、3個のSIMMを装着でき
るように3個の拡張コネクタ(図9中に示さず)が設け
られ、図9はこの3個の拡張コネクタにSIMM20
a、20b、20cが装着された状態を示している。
【0047】基板端子116からは、メモリーアドレス
MA0〜MA9のバスラインがベースメモリ14a及び
SIMM20a、20b、20cにパラレルに接続さ
れ、また、メモリーアドレスMA10のラインと、RA
SI20のラインと、RASI00のラインと、CAS
0〜CAS3のバスラインとがデコーダ140に接続さ
れている。一方、デコーダ140からは、CAS0A〜
CAS3Aのバスラインと、RASA及びRASBのラ
インとがベースメモリ14aに接続され、また、CAS
0B〜CAS3BのバスラインとRASC及びRASD
のラインとがSIMM20aに接続され、更に、CAS
0C〜CAS3CのバスラインとRASE及びRASF
のラインとがSIMM20bに接続され、また、CAS
0D〜CAS3DのバスラインとRASG及びRASH
のラインとがSIMM20cに接続されている。そし
て、SIMM20a、20b、20cからは、ライン1
24、126、128を介してそれぞれのSIMMの容
量認識用の信号ラインがデコーダ140の入力端子a、
b、cに加えられている。
【0048】ここで、この第3実施例のSIMMの容量
の確認方法について図10を参照して説明する。この第
3実施例のSIMM20a、20b、20cの基板端子
の56番ピンと57番ピンとは、容量の識別情報として
用いられるようになっている。即ち、図10(A)に示
す4MバイトのSIMM20aは、56番ピンと57番
ピンとにアース電位が加わるように構成されている。そ
して、図10(B)に示す8MバイトのSIMM20b
は、56番ピンにアース電位が、そして、57番ピンに
電源の電位が加わるように構成されている。また、図1
0(C)に示す16MバイトのSIMM20cは、56
番ピンと57番ピンとに電源の電位が加わるように構成
されている。この56番ピンと57番ピンとに接続する
拡張コネクタ112a、112b、112c側から、ラ
イン114、116、118を介して容量の識別情報が
デコーダ140側へ出力されるようになっている。
【0049】デコーダ140は、ライン114、11
6、118を介して入力される識別情報を基に、各拡張
コネクタ112a〜112cに装着されたSIMMのメ
モリ容量を判断する。即ちここでは、デコーダ140は
拡張コネクタ112aに4MバイトのSIMMが、拡張
コネクタ112bに8MバイトのSIMMが、そして、
拡張コネクタ112cに16MバイトのSIMMが装着
されたことを認識する。このデコーダ140は、拡張コ
ネクタ112a〜112cに装着されたSIMMの容量
に対応させてアドレス信号をデコードするためのマップ
を保持しており、上記拡張コネクタ112a〜112c
に装着されたSIMMの容量に対応させて、上述した第
2実施例と同様にメモリーアドレスMA10と、RAS
I20と、RASI00と、CAS0〜CAS3とをデ
コードしてCAS0A〜CAS3D、RASA〜RAS
Hの信号を発生し、セレクト信号としてベースメモリ1
4a及び装着されたSIMM20a、20b、20cに
対して送出する。
【0050】なお、ここでは、4MバイトのSIMM2
0aと、8MバイトのSIMM20bと、16Mバイト
のSIMM20cとが装着された場合を例に挙げたが、
この第3実施例のメモリモジュール210は、図8のメ
モリマップを参照して前述したように適宜の容量のSI
MMが装着された際に、これをライン114、116、
118を介して送られる識別情報によりメモリ容量を認
定し、上述したマップに基づき各SIMMに対してセレ
クト信号を送出することができる。
【0051】この第3実施例では、拡張コネクタ112
a、112b、112cに取り付けるSIMMの容量を
予め指定しなくても良いという利点があり、更に、メモ
リを大容量まで増設し易いという特徴がある。
【0052】以上説明した第1、第2、第3実施例で
は、SIMMの容量を4Mバイト、8Mバイト、16M
バイトで区切って使用したが、これは、コンピュータの
仕様に適合させるためであり、コンピュータの仕様によ
り種々の値が選択し得ることは言うまでもない。また、
本実施例では、メモリモジュールの例としてSIMMを
挙げて説明したが、他の種類のメモリモジュールにも本
発明は好適に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例に係るメモリモジュールの
正面図である。
【図2】本発明の第1実施例に係るメモリモジュールが
装着されるコンピュータのメモリの管理方式を示すメモ
リマップである。
【図3】本発明の第2実施例に係るメモリモジュールの
正面図である。
【図4】本発明の第2実施例に係るメモリモジュールが
装着されるコンピュータのメモリの管理方式を示すメモ
リマップである。
【図5】第2実施例に係るメモリモジュールの回路構成
を示すブロック図である。
【図6】図5の認識回路の構成を示す回路図である。
【図7】図5のデコーダの回路構成を示すブロック図で
ある。
【図8】本発明の第3実施例に係るメモリモジュールが
装着されるコンピュータのメモリの管理方式を示すメモ
リマップである。
【図9】第3実施例に係るメモリモジュールの回路構成
を示すブロック図である。
【図10】SIMMの識別端子を示す説明図である。
【符号の説明】
10 メモリモジュール 12 拡張コネクタ 16 基板端子 20a SIMM 20b SIMM 26 基板端子 30 マザーボード 32 コネクタ 40 デコーダ 50 認識回路 110 メモリモジュール 112 拡張コネクタ 140 デコード 210 メモリモジュール

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 コンピュータ側のSIMM用コネクタに
    接続するためのSIMM用基板端子と、 SIMMを従属接続するための拡張コネクタと、 内蔵のベースメモリとを備えることを特徴とするメモリ
    モジュール。
  2. 【請求項2】 前記拡張コネクタには4MバイトのSI
    MMを接続するように設定し、 内蔵のベースメモリとして4Mバイトの容量を備えるこ
    とを特徴とする請求項1のメモリモジュール。
  3. 【請求項3】 前記拡張コネクタには8MバイトのSI
    MMを接続するように設定し、 内蔵のベースメモリとして8Mバイトの容量を備えるこ
    とを特徴とする請求項1のメモリモジュール。
  4. 【請求項4】 前記拡張コネクタには16MバイトのS
    IMMを接続するように設定し、 内蔵のベースメモリとして16Mバイトの容量を備える
    ことを特徴とする請求項1のメモリモジュール。
  5. 【請求項5】 コンピュータ側のコネクタに接続するた
    めの専用基板端子と、 上記専用基板端子を備えるメモリモジュールを従属接続
    するための拡張コネクタと、 コンピュータ側から与えられたアドレス信号の一部をデ
    コードして前記拡張コネクタに接続されたメモリモジュ
    ールへのセレクト信号を発生するデコード手段とを有す
    ることを特徴とするメモリモジュール。
  6. 【請求項6】 コンピュータ側のコネクタに接続するた
    めの専用基板端子と、 上記専用基板端子を備える複数のメモリモジュールを従
    属接続するための複数の拡張コネクタと、 前記拡張コネクタにメモリモジュールが接続されたこと
    を認識するための認識手段と、 前記認識手段により認識されたメモリモジュールに対し
    て、コンピュータ側から与えられたアドレス信号の一部
    をデコードしたセレクト信号を送出するデコード手段と
    を有することを特徴とするメモリモジュール。
  7. 【請求項7】 前記認識手段が、前記専用基板端子に設
    けられたアース端子、又は、電源端子を検出することに
    よりメモリモジュールの接続を認識することを特徴とす
    る請求項6のメモリモジュール。
  8. 【請求項8】 前記認識手段が、前記専用基板端子に設
    けられたメモリ容量識別用端子を検出することによりメ
    モリモジュールの接続を認識することを特徴とする請求
    項6のメモリモジュール。
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