JPH07328783A - レーザ光照射装置 - Google Patents
レーザ光照射装置Info
- Publication number
- JPH07328783A JPH07328783A JP6125530A JP12553094A JPH07328783A JP H07328783 A JPH07328783 A JP H07328783A JP 6125530 A JP6125530 A JP 6125530A JP 12553094 A JP12553094 A JP 12553094A JP H07328783 A JPH07328783 A JP H07328783A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- scanning
- laser light
- substrate
- scanning system
- sub
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
Abstract
(57)【要約】
【目的】 プリント基板や、ＬＳＩの実装基板への微細
なビアホールを、高スループットで、簡便で安価な構成
により実現できるビアホール形成用のレーザ光照射装置
を提供する。 【構成】 アルゴンレーザ１からの光を、光強度をオン
オフする超音波空調器２とレンズ９を介して基板１０に
導く照射光学系と、レーザ光を基板全体に走査する走査
系と、超音波偏向器８からなる副走査光学系と、副走査
光学系を主走査系の走査を打ち消すよう動作させるタイ
ミング制御ユニット１１を有する。副走査系の逆走査方
向により、主走査系の走査に伴うレーザ光照射装置のず
れを抑えられる。
なビアホールを、高スループットで、簡便で安価な構成
により実現できるビアホール形成用のレーザ光照射装置
を提供する。 【構成】 アルゴンレーザ１からの光を、光強度をオン
オフする超音波空調器２とレンズ９を介して基板１０に
導く照射光学系と、レーザ光を基板全体に走査する走査
系と、超音波偏向器８からなる副走査光学系と、副走査
光学系を主走査系の走査を打ち消すよう動作させるタイ
ミング制御ユニット１１を有する。副走査系の逆走査方
向により、主走査系の走査に伴うレーザ光照射装置のず
れを抑えられる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】半導体実装基板等へのビアホール
形成等の応用に適するレーザ光照射装置に関する。
形成等の応用に適するレーザ光照射装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】スポット状のレーザビームを基板上で走
査して、実装基板などの基板に配線パターンなどを形成
するレーザ露光装置が知られている。この装置の例とし
て、特開平２−２６８１９号公報のポール・シー・アレ
ン等による加工物上にパターンを発生する装置や、特開
平２−７４０２２号公報の川崎等による露光装置及びパ
ターン形成方法が知られている。これらの装置では、高
速なレーザ光走査手段により、基板に塗った感光体を高
速に露光し、短時間で、任意のパターンに露光する装置
が得られる。この装置では、基板上にスポット上の露光
を行なうためには、高速な走査手段で、所望の露光スポ
ットを移動するわずかな時間内に露光が終了することが
できる高感度の露光媒質を用いることが不可欠であっ
た。
査して、実装基板などの基板に配線パターンなどを形成
するレーザ露光装置が知られている。この装置の例とし
て、特開平２−２６８１９号公報のポール・シー・アレ
ン等による加工物上にパターンを発生する装置や、特開
平２−７４０２２号公報の川崎等による露光装置及びパ
ターン形成方法が知られている。これらの装置では、高
速なレーザ光走査手段により、基板に塗った感光体を高
速に露光し、短時間で、任意のパターンに露光する装置
が得られる。この装置では、基板上にスポット上の露光
を行なうためには、高速な走査手段で、所望の露光スポ
ットを移動するわずかな時間内に露光が終了することが
できる高感度の露光媒質を用いることが不可欠であっ
た。
【０００３】紫外短パルス光（エキシマレーザ）による
有機膜のアブレーション作用を用いるビアホール形成装
置が知られている。この装置では、マスク転写により複
数のビアホール形成所望位置に同時にレーザ光を照射す
る工程と、ステージ等の移動機構により照射位置をずら
す工程を繰り返して、基板全体にレーザ光を高速に走査
するステップアンドリピートの手法が適用されていた。
それでもこの手法では、ビアホール形成速度が高々毎秒
１００個程度と低く、量産品へのビアホール形成に十分
なスループットが得られないという欠点があった。
有機膜のアブレーション作用を用いるビアホール形成装
置が知られている。この装置では、マスク転写により複
数のビアホール形成所望位置に同時にレーザ光を照射す
る工程と、ステージ等の移動機構により照射位置をずら
す工程を繰り返して、基板全体にレーザ光を高速に走査
するステップアンドリピートの手法が適用されていた。
それでもこの手法では、ビアホール形成速度が高々毎秒
１００個程度と低く、量産品へのビアホール形成に十分
なスループットが得られないという欠点があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】有機フィルムに吸収の
ある波長のレーザ光を、ビアホール形成所望位置に１ｍ
ｓ程度のパルス幅で１ショット、有機フィルムに照射
し、その後超音波洗浄を施すことにより、１ショットの
レーザ照射で有機膜に貫通穴を形成できる新しいビアホ
ール形成法を発明した。本発明は、この新規なビアホー
ル形成法においてレーザ照射工程に要する時間を、光の
照射法に関し、従来のステップアンドリピートの手法を
とるのに比べ、大幅に短縮できるレーザ光照射装置に関
する。また、従来のレーザ露光装置では、各ビアホール
形成所望部でのレーザ光の滞在時間をビアホール形成に
必要なミリセカンド程度の長さにする場合、レーザ光の
走査速度を１cm／ｓ以下と著しく遅くする必要を生じ、
２０cm角の基板の露光時間が１時間以上必要となり、実
用的なスループットが得られない欠点があった。
ある波長のレーザ光を、ビアホール形成所望位置に１ｍ
ｓ程度のパルス幅で１ショット、有機フィルムに照射
し、その後超音波洗浄を施すことにより、１ショットの
レーザ照射で有機膜に貫通穴を形成できる新しいビアホ
ール形成法を発明した。本発明は、この新規なビアホー
ル形成法においてレーザ照射工程に要する時間を、光の
照射法に関し、従来のステップアンドリピートの手法を
とるのに比べ、大幅に短縮できるレーザ光照射装置に関
する。また、従来のレーザ露光装置では、各ビアホール
形成所望部でのレーザ光の滞在時間をビアホール形成に
必要なミリセカンド程度の長さにする場合、レーザ光の
走査速度を１cm／ｓ以下と著しく遅くする必要を生じ、
２０cm角の基板の露光時間が１時間以上必要となり、実
用的なスループットが得られない欠点があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】第１の本発明のレーザ光
照射装置は、レーザ光源と、出射光をオン・オフ変調す
る変調器と、レーザ光をレンズを介して、基板に導く照
射光学系と、レーザ光を基板全体に渡って一様な速度で
走査する主走査系とからなるレーザ光照射装置におい
て、ビーム偏向速度の加速度が主走査系に比べ大きな副
走査系を設け、主走査系により、所望照射位置に、レー
ザ光が到達した時点より、所望の一定時間だけ主走査系
の走査を打ち消すよう副走査系を動作させるタイミング
制御ユニットとを備えることを特徴とする。
照射装置は、レーザ光源と、出射光をオン・オフ変調す
る変調器と、レーザ光をレンズを介して、基板に導く照
射光学系と、レーザ光を基板全体に渡って一様な速度で
走査する主走査系とからなるレーザ光照射装置におい
て、ビーム偏向速度の加速度が主走査系に比べ大きな副
走査系を設け、主走査系により、所望照射位置に、レー
ザ光が到達した時点より、所望の一定時間だけ主走査系
の走査を打ち消すよう副走査系を動作させるタイミング
制御ユニットとを備えることを特徴とする。
【０００６】第２の本発明のレーザ光照射装置は、レー
ザ光源と、レーザ光強度をオン・オフ変調する変調器
と、レーザ光源からの出射レーザ光をレンズを介して、
基板に導く照射光学系とからなるレーザ光照射装置にお
いて、フィルム状の基板をローラを用いて移動させる手
段と、前記照射光学系をユニットとして、このユニット
をローラによる基板の移動方向と直角の方向に基板の幅
全体に渡って一様な速度で走査する主走査系と、ビーム
偏向速度の加速度が主走査系に比べ大きな副走査系を設
け、主走査系により、所望照射位置に、レーザ光が到達
した時点より、所望の一定時間中、主走査系の走査を打
ち消すよう副走査系を動作させるタイミング制御ユニッ
トとを備えることを特徴とする。
ザ光源と、レーザ光強度をオン・オフ変調する変調器
と、レーザ光源からの出射レーザ光をレンズを介して、
基板に導く照射光学系とからなるレーザ光照射装置にお
いて、フィルム状の基板をローラを用いて移動させる手
段と、前記照射光学系をユニットとして、このユニット
をローラによる基板の移動方向と直角の方向に基板の幅
全体に渡って一様な速度で走査する主走査系と、ビーム
偏向速度の加速度が主走査系に比べ大きな副走査系を設
け、主走査系により、所望照射位置に、レーザ光が到達
した時点より、所望の一定時間中、主走査系の走査を打
ち消すよう副走査系を動作させるタイミング制御ユニッ
トとを備えることを特徴とする。
【０００７】
【作用】本発明のレーザ光照射装置は、基板に対して相
対的にレーザ光を一様な速度で走査する主走査系と、各
ビアホール形成所望位置にレーザ光が到達する瞬間から
ビアホール形成に必要な時間だけ主走査系の走査を打ち
消す方向に逆走査する副走査系を備えることを特徴とす
る。主走査系は走査距離が５０cm程度と長く、走査速度
は１ｍ／ｓ程度と速いが、その場合、加速減速時間の遅
い走査系を用いざるを得ない。これに対し、副走査系に
は、走査距離は高々１mm程度と短いものの、加減速時間
がｍｓ以下の高速なものを組み合わせることで、基板全
体の走査は、主走査系で高速に行う一方、所望のレーザ
光照射位置では、ビアホール形成の所要照射時間の間、
基板に対するレーザ光の走査が相対的に停止するよう副
走査系を動作させる。この構成により、基板全体の高速
走査と、ビアホール形成部での比較的長いレーザビーム
滞在時間を両立させる。
対的にレーザ光を一様な速度で走査する主走査系と、各
ビアホール形成所望位置にレーザ光が到達する瞬間から
ビアホール形成に必要な時間だけ主走査系の走査を打ち
消す方向に逆走査する副走査系を備えることを特徴とす
る。主走査系は走査距離が５０cm程度と長く、走査速度
は１ｍ／ｓ程度と速いが、その場合、加速減速時間の遅
い走査系を用いざるを得ない。これに対し、副走査系に
は、走査距離は高々１mm程度と短いものの、加減速時間
がｍｓ以下の高速なものを組み合わせることで、基板全
体の走査は、主走査系で高速に行う一方、所望のレーザ
光照射位置では、ビアホール形成の所要照射時間の間、
基板に対するレーザ光の走査が相対的に停止するよう副
走査系を動作させる。この構成により、基板全体の高速
走査と、ビアホール形成部での比較的長いレーザビーム
滞在時間を両立させる。
【０００８】
【実施例】本発明を図面を用いて詳細に説明する。図１
は、本発明の一実施例の構成を示す模式図である。波長
５１５nmのアルゴンレーザ１からの出射光は、超音波変
調器２でオン・オフ変調され、アパーチャ７で整形さ
れ、ダイクロイックミラー６で反射され、超音波偏向器
８、パターン転写用のレンズ９を通って、２０cm幅×４
０cm長さ×２mm厚み（加工部厚みは７０μm ）のエポキ
シプリント板からなる基板１０に照射される構成になっ
ている。この構成により、基板１０上には、１０μm 角
の照射パターンが得られる。一方、照明５からの照明光
は、ハーフミラー４で反射され、ダイクロイックミラー
６を透過してレーザ光を同じ光路を通過して基板に照射
され、戻り光は照明光の光路を逆に戻り、高速画像記憶
機能を持つモニタカメラ３に映し出される。モニタカメ
ラ３は、レーザ光照射タイミングに合わせて、画像を取
り込み、反射光パターンに異常がないかチェックする機
能を有する。基板上のレーザ光強度は２Ｗである。
は、本発明の一実施例の構成を示す模式図である。波長
５１５nmのアルゴンレーザ１からの出射光は、超音波変
調器２でオン・オフ変調され、アパーチャ７で整形さ
れ、ダイクロイックミラー６で反射され、超音波偏向器
８、パターン転写用のレンズ９を通って、２０cm幅×４
０cm長さ×２mm厚み（加工部厚みは７０μm ）のエポキ
シプリント板からなる基板１０に照射される構成になっ
ている。この構成により、基板１０上には、１０μm 角
の照射パターンが得られる。一方、照明５からの照明光
は、ハーフミラー４で反射され、ダイクロイックミラー
６を透過してレーザ光を同じ光路を通過して基板に照射
され、戻り光は照明光の光路を逆に戻り、高速画像記憶
機能を持つモニタカメラ３に映し出される。モニタカメ
ラ３は、レーザ光照射タイミングに合わせて、画像を取
り込み、反射光パターンに異常がないかチェックする機
能を有する。基板上のレーザ光強度は２Ｗである。
【０００９】基板１０は、Ｘ−Ｙステージ１２上に保持
され、変調器２、Ｘ−Ｙステージ１２の走査、偏向器８
の、各動作タイミングはタイミング制御ユニット１１に
より制御される。なお偏向器８によるビームの走査方向
はＸ方向で基板上で照射レーザビームを±１mmの範囲
で、走査下限時間１０μｓで走査することができる。Ｘ
−Ｙステージ１２は、Ｘ方向に加減速時間０．０５秒で
加減速した後、基板の幅４０cmを、５０cm／ｓの一様な
走査速度で走査する動作と、Ｙ方向にビアホールの最小
ピッチ１mmだけ移動する動作を交互に行なう。つぎに、
ビアホール形成のためのレーザ光照射シーケンスを順を
追って説明する。最初に、基板１０のＹ軸方向の照射原
点にレーザ光照射位置がくるよう、Ｘ−Ｙステージ１２
を移動させる。次に、Ｘ−Ｙステージ１２をＸ＋方向に
加速する。タイミング制御ユニット１１は、レーザ光照
射点がビアホール形成所望部に到達した瞬間より、変調
器２をオンしてレーザ光を基板に照射し、同時に偏向器
８をＸ−Ｙステージ１２のＸ方向の走査方向と逆方向に
５０cm／ｓの速度で走査するよう動作させる。ビアホー
ル形成に必要な照射時間２ｍｓを経過後、偏向器８の動
作を停止し、変調器２もオフする。
され、変調器２、Ｘ−Ｙステージ１２の走査、偏向器８
の、各動作タイミングはタイミング制御ユニット１１に
より制御される。なお偏向器８によるビームの走査方向
はＸ方向で基板上で照射レーザビームを±１mmの範囲
で、走査下限時間１０μｓで走査することができる。Ｘ
−Ｙステージ１２は、Ｘ方向に加減速時間０．０５秒で
加減速した後、基板の幅４０cmを、５０cm／ｓの一様な
走査速度で走査する動作と、Ｙ方向にビアホールの最小
ピッチ１mmだけ移動する動作を交互に行なう。つぎに、
ビアホール形成のためのレーザ光照射シーケンスを順を
追って説明する。最初に、基板１０のＹ軸方向の照射原
点にレーザ光照射位置がくるよう、Ｘ−Ｙステージ１２
を移動させる。次に、Ｘ−Ｙステージ１２をＸ＋方向に
加速する。タイミング制御ユニット１１は、レーザ光照
射点がビアホール形成所望部に到達した瞬間より、変調
器２をオンしてレーザ光を基板に照射し、同時に偏向器
８をＸ−Ｙステージ１２のＸ方向の走査方向と逆方向に
５０cm／ｓの速度で走査するよう動作させる。ビアホー
ル形成に必要な照射時間２ｍｓを経過後、偏向器８の動
作を停止し、変調器２もオフする。
【００１０】このときの、レーザ光照射の波形、偏向器
８への印加信号電圧波形、照射位置の基板との相対速度
の関係を図２に示す。偏向器８では、印加電圧に比例し
て走査距離が増えるので、レーザ光照射開始のタイミン
グから、鋸波電圧を印加すると、偏向器８によるレーザ
光の走査とＸ−Ｙステージ１２の基板の走査が打ち消し
あって、照射位置と基板の相対速度がゼロとなることを
示す。以下、Ｘ方向の位置がビアホール形成所望部に到
達する毎に、変調器２と、偏向器８を動作させる動作を
繰り返し、Ｘ方向一列分のビア形成に必要なレーザ光照
射を終える。次に、照射位置をＹ方向に＋１mm移動させ
た後、Ｘ−方向にＸ−Ｙステージ１２を前回と同様に一
様な速度で走査し、ビアホール形成所望位置で、変調器
２をオンする動作と、偏向器８を逆走査する動作を同時
に行い、次列の走査を終える。
８への印加信号電圧波形、照射位置の基板との相対速度
の関係を図２に示す。偏向器８では、印加電圧に比例し
て走査距離が増えるので、レーザ光照射開始のタイミン
グから、鋸波電圧を印加すると、偏向器８によるレーザ
光の走査とＸ−Ｙステージ１２の基板の走査が打ち消し
あって、照射位置と基板の相対速度がゼロとなることを
示す。以下、Ｘ方向の位置がビアホール形成所望部に到
達する毎に、変調器２と、偏向器８を動作させる動作を
繰り返し、Ｘ方向一列分のビア形成に必要なレーザ光照
射を終える。次に、照射位置をＹ方向に＋１mm移動させ
た後、Ｘ−方向にＸ−Ｙステージ１２を前回と同様に一
様な速度で走査し、ビアホール形成所望位置で、変調器
２をオンする動作と、偏向器８を逆走査する動作を同時
に行い、次列の走査を終える。
【００１１】以上述べたシーケンスを繰り返して、基板
１０の全面にわたって、ビアホールを形成した。この方
法により、４００×２００合計８００００個のビアホー
ルを形成するに要した時間は、４分間であった。レーザ
光照射後、超音波洗浄を施して形成したビアホールは、
直径５０μm 、深さ５０μm で、断面垂直性のよいもの
であった。ビアの表面形状は円形であった。なお偏向器
による副走査を加えない場合、走査方向に細長い溝が形
成され、実用的なビアホール形成は困難であった。
１０の全面にわたって、ビアホールを形成した。この方
法により、４００×２００合計８００００個のビアホー
ルを形成するに要した時間は、４分間であった。レーザ
光照射後、超音波洗浄を施して形成したビアホールは、
直径５０μm 、深さ５０μm で、断面垂直性のよいもの
であった。ビアの表面形状は円形であった。なお偏向器
による副走査を加えない場合、走査方向に細長い溝が形
成され、実用的なビアホール形成は困難であった。
【００１２】以上のべた本発明の一実施例では、主走査
にＸ−Ｙステージを用いた例を延べたが、代わりにポリ
ゴンや、振動ミラー等、光学的な走査方法を用いれば、
走査部の慣性が小さいので、より高速かつ高精度な走査
が可能となる利点がある。また、偏向器として、超音波
偏向器を用いた例を紹介したが、代わりに電気光学偏向
器や、応答の速い振動ミラーを用いて副走査系を構成す
ることもできる。また、副走査系を２次元的な走査が可
能な偏向器として、一軸を副走査に使用し、他の一軸
を、第１の実施例におけるＸ−Ｙステージ１２のＹ方向
の走査に相当する走査を補助的に行なうことで、全体の
走査時間を短縮することが可能である。
にＸ−Ｙステージを用いた例を延べたが、代わりにポリ
ゴンや、振動ミラー等、光学的な走査方法を用いれば、
走査部の慣性が小さいので、より高速かつ高精度な走査
が可能となる利点がある。また、偏向器として、超音波
偏向器を用いた例を紹介したが、代わりに電気光学偏向
器や、応答の速い振動ミラーを用いて副走査系を構成す
ることもできる。また、副走査系を２次元的な走査が可
能な偏向器として、一軸を副走査に使用し、他の一軸
を、第１の実施例におけるＸ−Ｙステージ１２のＹ方向
の走査に相当する走査を補助的に行なうことで、全体の
走査時間を短縮することが可能である。
【００１３】また、別の実施例として、複数の半導体レ
ーザを光源に用い、複数のレーザビームを基板上に複数
の点に同時もしくは、時系列的に照射する構成を用いれ
ば、ビームの本数に比例してスループットを向上させ得
る。半導体レーザを用いた場合、光源の直接電流変調に
より、レーザ出力をオンオフできるので外部に変調器を
配置する必要がなくなり、装置を安価にできる点も利点
である。
ーザを光源に用い、複数のレーザビームを基板上に複数
の点に同時もしくは、時系列的に照射する構成を用いれ
ば、ビームの本数に比例してスループットを向上させ得
る。半導体レーザを用いた場合、光源の直接電流変調に
より、レーザ出力をオンオフできるので外部に変調器を
配置する必要がなくなり、装置を安価にできる点も利点
である。
【００１４】図３に、本発明の別の一実施例の構成を示
す模式図を示す。この実施例は、半導体基板の実装用の
フィルム状基板へのビアホール形成に適するものであ
る。図において、レーザ光源１からの出射光は、変調器
２で変調され、移動光学系１６に入射される。移動光学
系１６は、図中の矢印の方向に支持体１５に支えられな
がら移動する構成を取っている。移動光学系１６内に
は、折返しミラー１７、アパーチャ７、偏向器８、レン
ズ９が光路に沿って順に配置され、基板上に１０μm 角
のレーザスポットを形成できる光学系を構成している。
一方、フィルム状の基板１０は、ホルダー１３と、ロー
ラ１４に挟まれて、左側から右側に移動する構成を取っ
ている。主走査は、移動光学系１６の走査により行な
い、副走査は、偏向器８で行なう。第１の実施例におけ
るＸ−Ｙステージ１２のＹ方向の走査が、ローラ１４の
回転による移動に相当する。この構成によればフィルム
状の基板に対して、連続的にビアホール形成を行なうこ
とが可能となる利点がある。また、移動光学系１６を小
型軽量に形成することにより、走査速度を高速に保ちな
がら位置決め精度の誤差を小さくすることができる利点
がある。
す模式図を示す。この実施例は、半導体基板の実装用の
フィルム状基板へのビアホール形成に適するものであ
る。図において、レーザ光源１からの出射光は、変調器
２で変調され、移動光学系１６に入射される。移動光学
系１６は、図中の矢印の方向に支持体１５に支えられな
がら移動する構成を取っている。移動光学系１６内に
は、折返しミラー１７、アパーチャ７、偏向器８、レン
ズ９が光路に沿って順に配置され、基板上に１０μm 角
のレーザスポットを形成できる光学系を構成している。
一方、フィルム状の基板１０は、ホルダー１３と、ロー
ラ１４に挟まれて、左側から右側に移動する構成を取っ
ている。主走査は、移動光学系１６の走査により行な
い、副走査は、偏向器８で行なう。第１の実施例におけ
るＸ−Ｙステージ１２のＹ方向の走査が、ローラ１４の
回転による移動に相当する。この構成によればフィルム
状の基板に対して、連続的にビアホール形成を行なうこ
とが可能となる利点がある。また、移動光学系１６を小
型軽量に形成することにより、走査速度を高速に保ちな
がら位置決め精度の誤差を小さくすることができる利点
がある。
【００１５】
【発明の効果】本発明によれば、従来のレーザ露光法で
は、得られない毎秒３００ビアホール以上の高いスルー
プットと、５０μm 程度の高空間分解能のビアホール形
成を実現することができるレーザ光照射装置を、安価に
提供することができる。
は、得られない毎秒３００ビアホール以上の高いスルー
プットと、５０μm 程度の高空間分解能のビアホール形
成を実現することができるレーザ光照射装置を、安価に
提供することができる。
【図１】本発明の第１の実施例を示す模式図である。
【図２】本発明における、レーザ光照射タイミングと基
板とレーザ光の相対的速度の関係を示す図である。
板とレーザ光の相対的速度の関係を示す図である。
【図３】本発明の第２の実施例を示す模式図である。
１ レーザ光源 ２ 変調器 ３ モニタカメラ ４ ハーフミラー ５ 照明 ６ ダイクロミラー ７ アパーチャ ８ 偏向器 ９ レンズ １０ 基板 １１ タイミング制御ユニット １２ Ｘ−Ｙステージ １３ ホルダー １４ ローラ １５ 支持体 １６ 移動光学系 １７ 折返しミラー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０２Ｆ 1/33 Ｈ０１Ｌ 21/268 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５２１
Claims (5)
- 【請求項１】レーザ光源と、レーザ光強度をオン・オフ
変調する変調器と、出射レーザ光をレンズを介して、基
板に導く照射光学系と、レーザ光を基板全体に渡って一
様な速度で走査する主走査系と、前記主走査系に比べビ
ーム偏向速度の加速度が大きな副走査系と、主走査系に
より、所望照射位置に、レーザ光が到達した時点より、
所望の一定時間中、主走査系の走査を打ち消すよう副走
査系を動作させるタイミング制御ユニットとを備えるこ
とを特徴とするレーザ光照射装置。 - 【請求項２】副走査用偏向器として、超音波偏向器を用
いることを特徴とする請求項１記載のレーザ光照射装
置。 - 【請求項３】レーザ光源と、レーザ光強度をオン・オフ
変調する変調器と、レーザ光源からの出射レーザ光をレ
ンズを介して、基板に導く照射光学系と、フィルム状の
基板をローラを用いて移動させる手段と、前記照射光学
系をユニットとして、このユニットをローラによる基板
の移動方向と直角の方向に基板の幅全体に渡って一様な
速度で走査する主走査系と、ビーム偏向速度の加速度が
主走査系に比べ大きな副走査系を設け、主走査系によ
り、所望照射位置に、レーザ光が到達した時点より、所
望の一定時間中、主走査系の走査を打ち消すよう副走査
系を動作させるタイミング制御ユニットとを備えること
を特徴とするレーザ光照射装置。 - 【請求項４】レーザ光源と変調器として、電流変調する
半導体レーザを用いることを特徴とする請求項１または
請求項３記載のレーザ光照射装置。 - 【請求項５】複数の半導体レーザを用いることを特徴と
する請求項４記載のレーザ光照射装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6125530A JPH07328783A (ja) | 1994-06-07 | 1994-06-07 | レーザ光照射装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6125530A JPH07328783A (ja) | 1994-06-07 | 1994-06-07 | レーザ光照射装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07328783A true JPH07328783A (ja) | 1995-12-19 |
Family
ID=14912468
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6125530A Pending JPH07328783A (ja) | 1994-06-07 | 1994-06-07 | レーザ光照射装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07328783A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7394524B2 (en) | 2002-11-27 | 2008-07-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
| JP2010501354A (ja) * | 2006-08-22 | 2010-01-21 | ジーエスアイ・グループ・コーポレーション | Ｘ−ｙ高速穴あけシステム |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63235089A (ja) * | 1987-03-24 | 1988-09-30 | Nec Corp | レ−ザビ−ム・スキヤナ |
| JPH01157787A (ja) * | 1987-12-15 | 1989-06-21 | Mitsubishi Electric Corp | レーザ孔開け装置 |
-
1994
- 1994-06-07 JP JP6125530A patent/JPH07328783A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63235089A (ja) * | 1987-03-24 | 1988-09-30 | Nec Corp | レ−ザビ−ム・スキヤナ |
| JPH01157787A (ja) * | 1987-12-15 | 1989-06-21 | Mitsubishi Electric Corp | レーザ孔開け装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7394524B2 (en) | 2002-11-27 | 2008-07-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
| JP2010272878A (ja) * | 2002-11-27 | 2010-12-02 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ投影装置およびデバイス製造方法 |
| JP2010501354A (ja) * | 2006-08-22 | 2010-01-21 | ジーエスアイ・グループ・コーポレーション | Ｘ−ｙ高速穴あけシステム |
| KR101511199B1 (ko) * | 2006-08-22 | 2015-04-10 | 캠브리지 테크놀로지 인코포레이티드 | 엑스-와이 고속 천공 시스템에서 공진 스캐너를 사용하기 위한 시스템 및 방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10261421B2 (en) | Controller for optical device, exposure method and apparatus, and method for manufacturing device | |
| CN107255913B (zh) | 基板处理方法 | |
| JP2003255552A (ja) | レーザ照射装置並びに走査レーザ光を用いた露光方法及び走査レーザ光を用いたカラーフィルタの製造方法 | |
| JP2006259515A (ja) | 露光装置及び露光方法 | |
| JP2009537324A (ja) | 移動する基板上の薄膜をパターニングするための方法およびツール | |
| US20030140806A1 (en) | Multi-beam pattern generator | |
| JP3194248B2 (ja) | レーザドリル装置及びレーザ穴あけ加工方法 | |
| JPH08262354A (ja) | エネルギー照射装置及び方法 | |
| JP2003021913A (ja) | 版を露光する方法および装置 | |
| JPH11156567A (ja) | レーザ印字装置 | |
| JP2006319098A (ja) | 描画装置 | |
| JPH07328783A (ja) | レーザ光照射装置 | |
| JP2001174721A (ja) | 描画装置 | |
| JP2001001171A (ja) | 表示基板用レーザ加工装置 | |
| JP2017148853A (ja) | 光加工装置及び光加工方法 | |
| JP2002346775A (ja) | レーザ加工装置及び方法 | |
| JP2003173949A (ja) | 露光装置 | |
| JP4081606B2 (ja) | パターン描画装置およびパターン描画方法 | |
| US20050072325A1 (en) | Computer screen imaging system for the preparation of print screens | |
| JP3435601B2 (ja) | レーザ描画方法及び描画装置 | |
| KR20070114629A (ko) | 묘화 시스템 | |
| JP2004098116A (ja) | マスク転写式レーザ形状加工方法 | |
| JP3213884B2 (ja) | レーザドリル装置 | |
| JP4324646B2 (ja) | パターン描画装置 | |
| JP2001079674A (ja) | マーキング装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19960709 |