JPH07322005A - 画像入出力素子及び画像入出力装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 画像入出力素子において、構造を簡易にして
小型化及び軽量化を図るとともに、製造プロセスを簡略
化して歩留りの向上を図る。 【構成】 画像入出力素子において、同一基板（回路基
板１０）上に形成された表示素子（液晶セル１）及び光
電変換素子（フォトダイオード２）と、スキャンライン
１０２の信号の印加によりオン・オフ制御される第１の
スイッチング素子（ＴＦＴ４）によりデータライン１０
１の信号に応じた電圧を維持する補助容量３と、該補助
容量３端の電圧により前記表示素子の動作を制御する第
２のスイッチング素子（ＴＦＴ５）と、入出力切り替え
信号の印加によりオン・オフ制御し前記光電変換素子に
発生する電荷を前記補助容量に蓄積させる第３のスイッ
チング素子（ＴＦＴ６）と、を有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、原稿上の画像を読み取
る画像読取部と、画像の表示を行う画像表示部とを備え
る画像入出力素子及びこの素子を使用した画像入出力装
置に係り、特に、同一基板上に画像入力部及び画像表示
部を一体的に形成して、装置の小型及び軽量化を図る構
造に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、画像入出力装置としては、例えば
特開平５−１００６４５号公報に示されるように、ディ
スプレイ部とスキャナ部とを表裏に一体的に形成した装
置が提案されている。前記スキャナ部は、リニアイメー
ジセンサを用いて機械的走査を行なうことにより画像情
報を読み取るようになっている。ディスプレイ部は、液
晶表示装置（ＬＣＤ）や、エレクトロルミネッセンス表
示装置（ＥＬＤ）等の平面表示装置（特開平４−５５８
１９号公報参照）で構成されている。上記画像入出力装
置によれば、スキャナ部若しくは外部からの画像情報を
ディスプレイ部上に表示することができる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の画像入出力装置のスキャナ部は、リニアイメージセ
ンサを用いて機械的走査を行なうことにより画像情報を
読み取るので、駆動系を必要として装置全体が大型化す
るという問題点があった。また、小型化を図るため機械
的走査を行う駆動系を使用しない場合においては、手動
で装置を原稿面上を移動させる必要があり、移動速度と
方向を正確に操作しなければならず、画像を正確に読み
取ることが困難であった。一方、別個の基板上にそれぞ
れ形成された２次元イメージセンサと液晶ディスプレイ
とを使用して画像入出力装置とすることも考えられる
が、２次元イメージセンサで読み取った画像を液晶ディ
スプレイで表示するには、２次元イメージセンサと液晶
ディスプレイとの間にメモリ部や制御部を必要として構
造が複雑になり、重量が増加する。また、２次元イメー
ジセンサの基板と液晶ディスプレイの基板とを貼り合せ
る工程が必要となる。

【０００４】本発明は上記実情に鑑みてなされたもの
で、構造を簡易にして小型化及び軽量化を図ることがで
きる画像入出力素子及びこの素子を使用した画像入出力
装置を提供することを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記従来例の問題点を解
決するため請求項１記載の画像入出力素子は、同一基板
上に形成された表示素子及び光電変換素子と、スキャン
ラインの信号の印加によりオン・オフ制御される第１の
スイッチング素子によりデータラインの信号に応じた電
圧を維持する補助容量と、該補助容量端の電圧により前
記表示素子の動作を制御する第２のスイッチング素子
と、入出力切り替え信号の印加によりオン・オフ制御し
前記光電変換素子に発生する電荷を前記補助容量に蓄積
させる第３のスイッチング素子と、を具備することを特
徴としている。

【０００６】請求項２の画像入出力装置は、請求項１の
画像入出力素子を一画素としてマトリクス状に配置し、
スキャン駆動回路と、データ駆動回路と、読取回路と、
を備えたことを特徴としている。スキャン駆動回路は、
各画素のスキャンラインに順次信号を印加するよう接続
される。データ駆動回路は、各画素のデータラインに画
像データを印加するよう接続される。読取回路は、各画
素のデータラインに第４のスイッチング素子を介して接
続される容量部を設け、各画素の補助容量の蓄積電荷を
スキャンライン毎に前記容量部に転送し、転送電荷を順
次時系列的に読み取るように構成されている。

【０００７】

【作用】請求項１記載の画像入出力素子によれば、同一
基板上に形成された表示素子及び光電変換素子により画
像表示及び画像読取を行なうことができる。すなわち、
ディスプレイとして動作させる場合には、入出力切り替
え信号により第３のスイッチング素子をオフし、光電変
換素子の影響を受けないようにする。この状態でスキャ
ンラインの信号の印加により第１のスイッチング素子を
オンさせると、データラインの信号に応じた電圧が補助
容量で維持され、該補助容量端の電圧により第２のスイ
ッチング素子をオンさせる。表示素子に、第２のスイッ
チング素子を介して交流電源が印加されるように接続す
れば、第２のスイッチング素子のオン・オフ制御により
表示素子の明暗を切り換えることができる。

【０００８】また、センサとして動作させる場合には、
入出力切り替え信号により第３のスイッチング素子を常
時オン状態とする。この状態でスキャンラインの信号の
印加を行なわないと第１のスイッチング素子がオフとな
り、光電変換素子に入射する光量に応じて光電流が流
れ、補助容量端の電圧が上昇し、この電圧により第２の
スイッチング素子がオンする。表示素子に、前記したよ
うに第２のスイッチング素子を介して交流電源が印加さ
れるように接続されていれば、第２のスイッチング素子
のオン・オフ制御により表示素子の明暗を切り換えるこ
とができる。

【０００９】請求項２の画像入出力装置によれば、請求
項１の画像入出力素子を一画素としてマトリクス状に配
置し、スキャン駆動回路とデータ駆動回路とにより、各
画素のスキャンラインに順次信号を印加し、各画素のデ
ータラインに画像データを印加するようにしたので、２
次元での画像表示及び画像読取を行なうことができる。
また、各画素のスキャンラインに、各画素の補助容量の
蓄積電荷を第４のスイッチング素子を介してライン毎に
容量部に転送し、転送電荷を順次時系列的に読み取る読
取回路を接続したので、読み取った画像を画像信号とし
て出力させることができる。すなわち、請求項１記載の
画像入出力素子をセンサとして動作させる際に、スキャ
ンラインの信号の印加により第１のスイッチング素子を
オンさせると、各画素の補助容量の蓄積電荷をデータラ
インに導いて第４のスイッチング素子を介して容量部に
転送することができ、この電荷による電位を順次時系列
的に読取回路で読み取る。

【００１０】

【実施例】本発明に係る画像入出力素子の一実施例につ
いて、図１を参照しながら説明する。画像入出力素子
は、液晶セル（表示素子）１，フォトダイオード２で構
成された光電変換素子，補助容量３，及び、薄膜トラン
ジスタで構成される第１のスイッチング素子（ＴＦＴ）
４，第２のスイッチング素子（ＴＦＴ）５，第３のスイ
ッチング素子（ＴＦＴ）６から成り、それぞれを薄膜プ
ロセスで同一基板上に一体的に形成して構成されてい
る。

【００１１】液晶セル１は、画素電極１ａと対向電極１
ｂとで液晶層を挟んで構成され、画素電極１ａ側にはＴ
ＦＴ５（第２のスイッチング素子）が接続され、ＴＦＴ
５の他端側はグランド線１００に接続されている。液晶
セル１の対向電極１ｂ側には、グランド線１００との間
に交流電源７が接続され、前記ＴＦＴ５のオン・オフ制
御により、液晶セル１の動作を制御するようになってい
る。

【００１２】ＴＦＴ５のゲート電極はＴＦＴ４（第１の
スイッチング素子）を介してデータライン１０１に接続
され、ＴＦＴ４のゲート電極はスキャンライン１０２に
接続されている。また、ＴＦＴ５のゲート電極とグラン
ド線１００との間には、補助容量３が接続されている。
従って、スキャンライン１０２の信号の印加によりＴＦ
Ｔ４がオン・オフ制御され、データライン１０１の信号
に応じた電圧が補助容量３端部に維持されるようになっ
ている。

【００１３】また、フォトダイオード２のカソード側は
ＴＦＴ６（第１のスイッチング素子）を介してＴＦＴ５
のゲート電極に接続され、フォトダイオード２のアノー
ド側はグランド線１００に接続されている。ＴＦＴ６の
ゲート電極は、入出力切り替え線１０３に接続され、切
り替え信号の印加によりＴＦＴ６がオン・オフ制御さ
れ、前記フォトダイオード２に発生する電荷を補助容量
３に蓄積されるようになっている。

【００１４】次に、上記画像入出力素子の具体的な構造
について、図２を参照しながら説明する。図２は、画像
入出力素子における液晶セル１，フォトダイオード２，
ＴＦＴ５，ＴＦＴ６の断面を示している。液晶セル１
は、フォトダイオード２やＴＦＴが形成された回路基板
１０の最上部に形成された配向膜（画素電極１ａ）と、
ガラス基板３０上に形成された配向膜（対向電極１ｂ）
とで液晶層４０を挟んで構成されている。液晶層４０の
材料としてネマチック液晶のゲストホスト型の材料を用
い、ＴＦＴ５がオン状態で液晶セル１に電圧が印加され
たときには白が表示される。また、ＴＦＴ５がオフ状態
で液晶セル１に電圧が印加されないときには黒が表示さ
れる。

【００１５】フォトダイオード２は、ＩＴＯ膜から成る
透明電極１６とＣｒ膜から成る上部電極２４とで、ａ−
Ｓｉ膜から成る光電変換層２０を挟んで構成されてい
る。各ＴＦＴ５，６は、チャネル部を挟んでソース・ド
レイン電極１４が形成された島状半導体層１１と、これ
を覆うゲート絶縁層１２、ゲート電極１３で構成され、
フォトダイオード２の上部電極２４は、ＴＦＴ６のドレ
イン電極１４に接続され、ＴＦＴ６のソース電極１４と
ＴＦＴ５のゲート電極１３とは配線層２３を介して接続
されている。ＴＦＴ５のソース・ドレイン電極１４の一
方は、フォトダイオード２及びＴＦＴ５，６を遮光する
Ａｌ膜で構成される反射電極２８に配線層２２を介して
接続され、この反射電極２８は前記配向膜（画素電極１
ａ）に接続されている。ソース・ドレイン電極１４の他
方は、配線層１７を介してグランド線に接続されてい
る。また、フォトダイオード２の上方は、ガラス基板３
０側より光が入射し、この光が回路基板１０の下方に配
置される原稿５０に導かれるように光入射部２９が形成
されている。そして、原稿５０での反射光はフォトダイ
オード２の透明電極１６に導かれ、画像の濃淡に応じた
光電流が発生するようになっている。

【００１６】次に、上記画像入出力素子の動作について
説明する。ディスプレイとして動作させる場合には、入
出力切り替え線１０３に印加される入出力切り替え信号
によりＴＦＴ６をオフし、画像入出力素子がフォトダイ
オード（光電変換素子）２の影響を受けないようにす
る。この状態でスキャンライン１０２に印加される信号
によりＴＦＴ４をオンさせると、データライン１０１の
信号に応じた電圧が補助容量３で維持され、この補助容
量３端部の電圧によりＴＦＴ５をオンさせる。液晶セル
１には、ＴＦＴ５を介して交流電源７が接続されている
ので、ＴＦＴ５のオン・オフにより白又は黒が表示さ
れ、表示の明暗を切り換えることができる。

【００１７】また、センサとして動作させる場合には、
入出力切り替え信号によりＴＦＴ６（第３のスイッチン
グ素子）を常時オン状態とする。この状態でスキャンラ
イン１０２の信号の印加を行なわないとＴＦＴ４（第１
のスイッチング素子）がオフとなり、フォトダイオード
２（光電変換素子）に入射する光量に応じて光電流が流
れ、補助容量３端の電圧が上昇し、この電圧によりＴＦ
Ｔ５（第２のスイッチング素子）がオンする。液晶セル
１には、ＴＦＴ５を介して交流電源７が印加されている
ので、ＴＦＴ５のオン・オフ制御により表示の明暗を切
り換えることができる。従って、上記画像入出力素子に
よれば、回路基板１０上に一体的に形成された液晶セル
１及びフォトダイオード２により画像表示及び画像読取
を行なうことができる。

【００１８】次に、上記画像入出力素子の回路基板側の
製造方法について、図２の断面図に対応する図３を参照
しながら説明する。ガラス等の透明基板から構成される
回路基板１０上にpoly-Siを１０００オングストローム
の膜厚にＬＣＰＣＶＤ法で着膜し、エキシマレーザでア
ニール処理を行なった後、エッチングによりパターニン
グして各ＴＦＴに対応する島状半導体層１１を形成する
（図３（ａ））。島状半導体層１１を覆うようにＳｉＯ
₂ 膜を１０００オングストロームの膜厚にＬＰＣＶＤ法
により着膜してゲート絶縁層１２を形成する（図３（ｂ
ａ））。Ｃｒを１０００オングストロームの膜厚に着膜
し、エッチングによりパターニングして各ＴＦＴに対応
するゲート電極１３を島状半導体層１１上に形成する
（図３（ｃ））。イオンドーピングにより島状半導体層
１１に不純物を打ち込み、ソース電極・ドレイン電極１
４を形成してＴＦＴを形成する（図３（ｄ））。

【００１９】ＴＦＴ５の一方のソース・ドレイン電極１
４′上のゲート絶縁層１２に、ＢＨＦでエッチングして
コンタクトホール１５を形成する（図４（ａ））。ＩＴ
Ｏをスパッタ法により着膜し、フォトリソグラフィー及
びエッチングによって所定の形状にパターニングして、
フォトダイオードの下部電極となる透明電極１６及びＴ
ＦＴ５のソース・ドレイン電極１４′に接続される配線
層１７を形成する（図４（ｂ））。ＳｉＯ₂ を３０００
オングストロームの膜厚にＬＣＰＣＶＤ法で着膜して絶
縁層１８を形成し、エッチングによりパターニングして
フォトダイオードを形成する位置にコンタクトホール１
９を形成する（図４（ｃ））。

【００２０】ａ−Ｓｉ膜２０′を１μｍの膜厚に着膜し
（図５（ａ））、ＳＦ₆ とＯ₂ を用いた混合ガスにより
ドライエッチングしてフォトダイオードの光電変換層２
０を形成する（図５（ｂ））。ＴＦＴ５のゲート電極１
３及びソース・ドレイン電極１４、ＴＦＴ６のソース・
ドレイン電極１４、透明電極１６に接続するためのコン
タクトホール２１を絶縁層１８及びゲート絶縁層１２の
エッチングにより形成する（図５（ｃ））。

【００２１】Ｃｒを１０００オングストロームの膜厚に
スパッタリングにより着膜し、エッチングによりパター
ニングし、ＴＦＴ５のソース・ドレイン電極１４と液晶
セル１の配向膜１ａとを接続する配線層２２、ＴＦＴ５
のゲート電極１３とＴＦＴの６のソース電極１４とを接
続する配線層２３、ＴＦＴ６のドレイン電極１４と接続
されるフォトダイオード２の上部電極２４、透明電極１
６に接続される配線層２５をそれぞれ形成する（図６
（ａ））。ＳｉＯ₂ を６０００オングストロームの膜厚
に着膜して層間絶縁層２６を形成し、エッチングにより
パターニングして配線層２５上にコンタクトホール２７
を形成する（図６（ｂ））。Ａｌを着膜及びパターニン
グして、配線層２２を介してＴＦＴ５に接続される反射
電極２８及び光入射部２９を形成する（図６（ｃ））。
全面に液晶セル１の画素電極１ａとして配向膜を被覆
し、ラビング処理を行なって画像入出力素子の回路基板
側を得る（図７）。

【００２２】上記製造方法によれば、回路基板１０上に
画像入出力素子の画像入力及び画像表示のための回路を
一体的に構成することができるので、小型且つ軽量な構
成とすることができるとともに、実装工程の簡略化を図
ることができる。また、センサ部（画像読取）と液晶パ
ネル（画像表示）とを別個に作製する場合に比較して、
作製に必要なマスク数とプロセス数を減少させることが
でき、歩留りの向上を図ることができる。

【００２３】また、上記実施例において、スイッチング
素子としてpoly−ＳｉのＴＦＴを用いたが、ａ−Ｓｉの
ＴＦＴや、Ｓｅ系のＴＦＴを使用してもよい。また、光
電変換素子としては、サンドイッチ型ａ−Ｓｉフォトダ
イオードを用いたが、プレーナ型、ギャップ型を使用し
てもよい。あるいは、トランジスタとフォトダイオード
とを一体化したフォトトランジスタ構造を用いてもよ
い。また、半導体材料としては、多結晶シリコン、単結
晶シリコン、Ｓｅ、等の材料を使用してもよい。

【００２４】上記構造の画像入出力素子を使用した画像
入出力装置について、図８を参照しながら説明する。図
１と同じ構成をとる部分については同一符号を付してい
る。この画像入出力装置は、画像入出力素子を一画素と
して回路基板上にマトリクス状に配置し、回路基板と別
の基板上にそれぞれ形成されたスキャン駆動回路２００
と、データ駆動回路３００と、読取回路４００と、を備
えている。スキャン駆動回路２００のシフトレジスタ２
０１の各出力には、左右方向に配置された各画素が一の
スキャンライン１０２にドライバ２０２を介して接続さ
れ、各ドライバ２０２を介して各スキャンライン１０２
に順次信号を印加することにより、左右方向に配置され
たライン毎にＴＦＴ４がオンするようになっている。

【００２５】データ駆動回路３００は、シフトレジスタ
３０１、バッファ回路３０２、複数個のドライバ３０３
及びＴＦＴ３０４で構成され、画像データはバッファ回
路３０２に入力され、シフトレジスタ３０１で駆動され
ることにより各ドライバ３０３及びＴＦＴ３０４側に各
データ信号を出力するようになっている。すなわち、バ
ッファ回路３０２には、上下方向に配置された各画素が
一のデータライン１０１にドライバ３０３及びＴＦＴ３
０４を介して接続され、ＴＦＴ３０４がオンの時に各ド
ライバ３０３を介して各データライン１０１にデータ信
号が一括して印加されるようになっている。各ＴＦＴ３
０４はゲート電極に印加される信号Ｖｓにより同時にオ
ンするように構成されている。

【００２６】読取回路４００は、各画素のデータライン
１０１にＴＦＴ４０１を介して接続された容量部４０２
と、この容量部４０２に蓄積された電荷による電位を順
次時系列的に読み取るアナログマルチプレクサ４０３と
から構成されている。前記容量部４０２は読み出し信号
線４０４を介してアンプ部４０５に接続され、アンプ部
４０５の出力側に接続されるスイッチング素子４０６を
切り替えることにより、容量部４０２による電位（デー
タラインの電位）を順次時系列的に共通信号線４０７に
出力する。また、読み出し信号線４０４にはリセット電
位Ｖｂを印加するためのスイッチング素子４０８が接続
されている。容量部４０２の一端側には、リセット電位
Ｖｂが常時供給されている。また、容量部４０２及びＴ
ＦＴ４０４は、液晶セル１やフォトダイオード２を形成
した回路基板１０上に形成されている。

【００２７】上記画像入出力装置によれば、画像入出力
素子を一画素としてマトリクス状に配置し、スキャン駆
動回路２００とデータ駆動回路３００とにより、２次元
での画像表示及び画像読取を行なうことができる。すな
わち、ディスプレイを行なう場合には、入出力切り替え
線１０３に印加される入出力切り替え信号（Ｖｓが
「Ｌ」）によりＴＦＴ６をオフし、画像入出力素子がフ
ォトダイオード２の影響を受けないようにし、更にＴＦ
Ｔ４０１もオフ状態とする。この状態でスキャンライン
１０２に各ドライバより印加される信号により左右方向
に配設された各ＴＦＴ４をオンさせると、データ駆動回
路３００の各ＴＦＴ３０４のゲート電極にＶｓ2を印加
して一括してオン動作することにより各データライン１
０１にドライバ３０３を介して画像データが印加され、
データライン１０１の信号に応じた電圧が補助容量３で
維持され、この補助容量３端部の電圧によりＴＦＴ５を
オンさせる。液晶セル１には、ＴＦＴ５を介して交流電
源７が接続されているので、ＴＦＴ５のオン・オフによ
り白又は黒が表示され、表示の明暗を切り換えることが
できる。

【００２８】また、センサとして動作させる場合には、
入出力切り替え信号（Ｖｓが「Ｈ」）によりＴＦＴ６
を、Ｖｓ3の印加により読取回路４００のＴＦＴ４０１
をそれぞれ常時オン状態とし、データ駆動回路３００の
ＴＦＴ３０４はオフ状態となっている。この状態でスキ
ャンライン１０２の信号の印加を行なわないとＴＦＴ４
がオフとなり、フォトダイオード２に入射する光量に応
じて光電流が流れ、補助容量３端の電圧が上昇し、この
電圧によりＴＦＴ５がオンする。液晶セル１には、ＴＦ
Ｔ５を介して交流電源７が印加されているので、ＴＦＴ
５のオン・オフ制御により表示の明暗を切り換えること
ができ、読取画像を直ちに表示することができる。

【００２９】そして、読取画像を信号として読み取る場
合には、スキャンライン１０２に各ドライバ２０２より
印加される信号により左右方向に配設された各ＴＦＴ４
をオンさせ、スキャンライン２０２毎に各画素の補助容
量３に蓄積された電荷をオン状態となっているＴＦＴ４
０１を介して容量部４０２に転送する。そして、転送電
荷による容量部４０２の電位をスイッチング素子４０６
の切り替えにより順次時系列的に出力信号線４０７に抽
出することにより、画像信号として出力させることがで
きる。画像信号の読み取り後、スイッチング素子４０８
をオンさせてデータライン１０１の電位を正バイアス電
位にリセットし、次のフレームでの読み取りにそなえ
る。

【００３０】上記実施例においては、スキャン駆動回路
２００、データ駆動回路３００、読取回路４００のアナ
ログマルチプレクサ４０３をそれぞれ回路基板１０とは
別の基板に形成したが、薄膜トランジスタを用いて回路
基板上に一体的に形成すれば、更なる小型化を図ること
ができる。

【００３１】

【発明の効果】本発明によれば、画像入出力素子及び画
像入出力装置において、同一基板上に読取部及び表示部
を一体的に形成可能とすることにより、構造を簡易にし
て小型化及び軽量化を図るとともに、製造プロセスを簡
略化して歩留りの向上を図ることができ、信頼性の向上
を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の一実施例に係る画像入出力素子の等
価回路図である。

【図２】 実施例に係る画像入出力素子の断面説明図で
ある。

【図３】 （ａ）ないし（ｄ）は、画像入出力素子の製
造方法の一部を示す断面説明図である。

【図４】 （ａ）ないし（ｃ）は、画像入出力素子の製
造方法の一部を示す断面説明図である。

【図５】 （ａ）ないし（ｃ）は、画像入出力素子の製
造方法の一部を示す断面説明図である。

【図６】 （ａ）ないし（ｃ）は、画像入出力素子の製
造方法の一部を示す断面説明図である。

【図７】 画像入出力素子の製造方法の一部を示す断面
説明図である。

【図８】 本発明の画像入出力素子を使用した画像入出
力装置の実施例を示す等価回路図である。

【符号の説明】 １…液晶セル、 ２…フォトダイオード、 ３…補助容
量、 ４…ＴＦＴ（第１のスイッチング素子）、 ５…
ＴＦＴ（第２のスイッチング素子）、 ６…ＴＦＴ（第
３のスイッチング素子）、 ７…交流電源、 １０…回
路基板、 ３０…ガラス基板、 ４０…液晶層、 １０
０…グランド線、 １０１…データライン、 １０２…
スキャンライン、 ２００…スキャン駆動回路、 ２０
１…シフトレジスタ、 ３００…データ駆動回路、 ４
００…読取回路、 ４０１…ＴＦＴ（第４のスイッチン
グ素子）、 ４０２…容量部、 ４０３…アナログマル
チプレクサ、 ４０７…出力信号線

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 同一基板上に形成された表示素子及び光
   電変換素子と、 スキャンラインの信号の印加によりオン・オフ制御され
   る第１のスイッチング素子によりデータラインの信号に
   応じた電圧を維持する補助容量と、 該補助容量端の電圧により前記表示素子の動作を制御す
   る第２のスイッチング素子と、 入出力切り替え信号の印加によりオン・オフ制御し前記
   光電変換素子に発生する電荷を前記補助容量に蓄積させ
   る第３のスイッチング素子と、を具備することを特徴と
   する画像入出力素子。
2. 【請求項２】 請求項１の画像入出力素子を一画素とし
   てマトリクス状に複数個配置し、 各画素のスキャンラインに順次信号を印加するスキャン
   駆動回路と、 各画素のデータラインに画像データを印加するデータ駆
   動回路と、 各画素のデータラインに第４のスイッチング素子を介し
   て接続される容量部を設け、各画素の補助容量の蓄積電
   荷をスキャンライン毎に前記容量部に転送し、転送電荷
   を順次時系列的に読み取る読取回路と、を備えたことを
   特徴とする画像入出力装置。