JPH07321400A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
- Publication number
- JPH07321400A JPH07321400A JP11314794A JP11314794A JPH07321400A JP H07321400 A JPH07321400 A JP H07321400A JP 11314794 A JP11314794 A JP 11314794A JP 11314794 A JP11314794 A JP 11314794A JP H07321400 A JPH07321400 A JP H07321400A
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- resonator
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ビームの移動距離と共振器の長さを独立に設
定できる半導体レーザ装置を提供すること。 【構成】 半導体レーザチップにボンディングパッド領
域を設けた半導体レーザ装置において、基板１上に該基
板の面積より狭い半導体層２を形成して基板１と半導体
層２との間に段差を設け、この段差の垂直部分がレーザ
の共振器の一方の面となるように前記段差の上面から下
面に延在する高反射率の絶縁膜を設け、この絶縁膜上に
共振器に電流を注入する電極と接続される配線電極１１
を段差の上面から下面に渡って設け、この下面の一部に
ボンディングパッド１２を形成する。
定できる半導体レーザ装置を提供すること。 【構成】 半導体レーザチップにボンディングパッド領
域を設けた半導体レーザ装置において、基板１上に該基
板の面積より狭い半導体層２を形成して基板１と半導体
層２との間に段差を設け、この段差の垂直部分がレーザ
の共振器の一方の面となるように前記段差の上面から下
面に延在する高反射率の絶縁膜を設け、この絶縁膜上に
共振器に電流を注入する電極と接続される配線電極１１
を段差の上面から下面に渡って設け、この下面の一部に
ボンディングパッド１２を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、注入電流を制御する
ことにより、出射面におけるレーザ光のビーム位置を移
動させる半導体レーザ装置に関するものである。
ことにより、出射面におけるレーザ光のビーム位置を移
動させる半導体レーザ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ビーム位置を移動させる半導体レーザ装
置では、特願平５−２５４４３３号公報に示されている
ように、コンタクト層上に複数のストライプ状電極を形
成し、それぞれのストライプ状電極に注入する電流量を
制御することによって、活性層における利得領域の位置
を変えることにより出射端面におけるビームの位置を移
動させる。したがって、半導体レーザ装置上にはそれぞ
れのストライプ状電極に独立に電流を注入するため、通
電ワイヤーをボンディングするための複数のボンディン
グパッドがストライプ状電極に接続されて形成されなけ
ればならない。
置では、特願平５−２５４４３３号公報に示されている
ように、コンタクト層上に複数のストライプ状電極を形
成し、それぞれのストライプ状電極に注入する電流量を
制御することによって、活性層における利得領域の位置
を変えることにより出射端面におけるビームの位置を移
動させる。したがって、半導体レーザ装置上にはそれぞ
れのストライプ状電極に独立に電流を注入するため、通
電ワイヤーをボンディングするための複数のボンディン
グパッドがストライプ状電極に接続されて形成されなけ
ればならない。
【０００３】従来のビーム位置を移動させる半導体レー
ザ装置の斜視図と断面図を図８に示す。ＧａＡｓ基板１
０１上にＧａＡｓ第一バッファ層１０２、ＡｌＧａＡｓ
第二バッファ層１０３、ＡｌＧａＡｓ第三バッファ層１
０４、ＡｌＧａＡｓ第一クラッド層１０５、量子井戸活
性層１０６、ＡｌＧａＡｓ第二クラッド層１０７、Ｇａ
Ａｓコンタクト層１０８を順次積層した後、ＧａＡｓコ
ンタクト層１０８上に光の出射方向に延びた複数のスト
ライプ状ｐ側電極１１１ａ〜ｈを形成する。その後この
上全面を絶縁膜１１０で覆い、それぞれのストライプ状
ｐ側電極１１１ａ〜ｈ上の絶縁膜１１０の一部に窓１１
２ａ〜ｈを開け、ここからボンディングパッド１０９ａ
〜ｈとの間に配線電極１０８ａ〜ｈを設ける。次にｎ側
電極１１３を形成することにより、半導体レーザ装置が
構成される。このそれぞれのストライプ状ｐ側電極に注
入する電流を制御することにより、出射面上でのビーム
の出射位置を移動させる。
ザ装置の斜視図と断面図を図８に示す。ＧａＡｓ基板１
０１上にＧａＡｓ第一バッファ層１０２、ＡｌＧａＡｓ
第二バッファ層１０３、ＡｌＧａＡｓ第三バッファ層１
０４、ＡｌＧａＡｓ第一クラッド層１０５、量子井戸活
性層１０６、ＡｌＧａＡｓ第二クラッド層１０７、Ｇａ
Ａｓコンタクト層１０８を順次積層した後、ＧａＡｓコ
ンタクト層１０８上に光の出射方向に延びた複数のスト
ライプ状ｐ側電極１１１ａ〜ｈを形成する。その後この
上全面を絶縁膜１１０で覆い、それぞれのストライプ状
ｐ側電極１１１ａ〜ｈ上の絶縁膜１１０の一部に窓１１
２ａ〜ｈを開け、ここからボンディングパッド１０９ａ
〜ｈとの間に配線電極１０８ａ〜ｈを設ける。次にｎ側
電極１１３を形成することにより、半導体レーザ装置が
構成される。このそれぞれのストライプ状ｐ側電極に注
入する電流を制御することにより、出射面上でのビーム
の出射位置を移動させる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この半導体レーザ装置
では、積層した半導体層上に配線、ボンディングパッド
が形成されているため、共振器の長さを特定すると、配
線を行う領域が制限される。すると、配線数によってス
トライプ状ｐ側電極の数が決まるため、ビームの移動距
離が共振器の長さで制限されるという問題があった。例
えば、共振器長を２５０μｍ、ボンディングパッドの広
さ１００μｍ×１００μｍ、配線の幅３μｍで間隔５μ
ｍとすると、図４に示した構成では、配線数は片側１０
本程度となる。すると、全ストライプ状ｐ側電極の数は
約２０本となり、１本のストライプ状ｐ側電極の幅を３
μｍ、間隔１μｍとすると、ストライプ状ｐ側電極の形
成される領域の幅は約８０μｍで、ビームの移動できる
距離も約８０μｍ以下となる。したがって、さらにビー
ムの移動距離を長くするためには共振器長を長くするこ
とが必要になる。しかしながら共振器長を長くすると、
共振器損失の増大によって、しきい電流値が増加すると
共に外部微分量子効率も減少し、レーザ特性が変化する
という問題が生じる。
では、積層した半導体層上に配線、ボンディングパッド
が形成されているため、共振器の長さを特定すると、配
線を行う領域が制限される。すると、配線数によってス
トライプ状ｐ側電極の数が決まるため、ビームの移動距
離が共振器の長さで制限されるという問題があった。例
えば、共振器長を２５０μｍ、ボンディングパッドの広
さ１００μｍ×１００μｍ、配線の幅３μｍで間隔５μ
ｍとすると、図４に示した構成では、配線数は片側１０
本程度となる。すると、全ストライプ状ｐ側電極の数は
約２０本となり、１本のストライプ状ｐ側電極の幅を３
μｍ、間隔１μｍとすると、ストライプ状ｐ側電極の形
成される領域の幅は約８０μｍで、ビームの移動できる
距離も約８０μｍ以下となる。したがって、さらにビー
ムの移動距離を長くするためには共振器長を長くするこ
とが必要になる。しかしながら共振器長を長くすると、
共振器損失の増大によって、しきい電流値が増加すると
共に外部微分量子効率も減少し、レーザ特性が変化する
という問題が生じる。
【０００５】そこで本発明の目的は、ビームの移動距離
と共振器の長さを独立に設定できる半導体レーザ装置を
提供することにある。
と共振器の長さを独立に設定できる半導体レーザ装置を
提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の上記目的は次の
構成によって達成される。すなわち、本発明は、半導体
レーザチップにボンディングパッド領域を設けた半導体
レーザ装置において、基板上に該基板の面積より狭い半
導体層を形成して前記基板と前記半導体層との間に段差
を設け、この段差の垂直部分がレーザの共振器の一方の
面となるように前記段差の上面から下面に延在する高反
射率の絶縁膜を設け、この絶縁膜上に前記共振器に電流
を注入する電極と接続される配線電極を前記段差の上面
から下面に渡って設け、この下面の一部にボンディング
パッド領域を形成したことを特徴とする。
構成によって達成される。すなわち、本発明は、半導体
レーザチップにボンディングパッド領域を設けた半導体
レーザ装置において、基板上に該基板の面積より狭い半
導体層を形成して前記基板と前記半導体層との間に段差
を設け、この段差の垂直部分がレーザの共振器の一方の
面となるように前記段差の上面から下面に延在する高反
射率の絶縁膜を設け、この絶縁膜上に前記共振器に電流
を注入する電極と接続される配線電極を前記段差の上面
から下面に渡って設け、この下面の一部にボンディング
パッド領域を形成したことを特徴とする。
【０００７】
【作用】本発明では、電源から半導体基板上に形成され
た各ボンディングパッドに金属ワイヤーを通して電流が
流され、各ボンディングパッドから半導体基板上の配線
と、絶縁膜で覆われた一方の端面上の配線を通して半導
体層のコンタクト層上に設けられたそれぞれのストライ
プ状ｐ側電極から電流が注入される。したがってこの構
造の場合、半導体層上には配線やボンディングパッドが
形成されていないため、配線数と共振器の長さは独立に
決めることができる。
た各ボンディングパッドに金属ワイヤーを通して電流が
流され、各ボンディングパッドから半導体基板上の配線
と、絶縁膜で覆われた一方の端面上の配線を通して半導
体層のコンタクト層上に設けられたそれぞれのストライ
プ状ｐ側電極から電流が注入される。したがってこの構
造の場合、半導体層上には配線やボンディングパッドが
形成されていないため、配線数と共振器の長さは独立に
決めることができる。
【０００８】
【実施例】図１は本発明の第一の実施例である半導体レ
ーザ装置の斜視図である。１はＧａＡｓ基板、２は半導
体層、５は絶縁膜、１１は配線、１２はボンディングパ
ッド、１３はｎ側電極である。
ーザ装置の斜視図である。１はＧａＡｓ基板、２は半導
体層、５は絶縁膜、１１は配線、１２はボンディングパ
ッド、１３はｎ側電極である。
【０００９】次に本発明の実施例である半導体レーザ装
置の製造方法の説明を行う。まず、図２（ａ）に示すよ
うに、ＳｉドープＧａＡｓ基板１上に、厚さ０．１μｍ
のＳｅドープＧａＡｓと厚さ０．１μｍのＳｅドープＡ
ｌ0.2 Ｇａ0.4 Ａｓと厚さ０．１μｍのＳｅドープＡｌ
0.4 Ｇａ0.6 Ａｓからなるバッファ層、ＳｅドープＡｌ
0.6 Ｇａ0.4 Ａｓでなる厚さ１μｍの第一クラッド層、
アンドープＧａＡｓでなる厚さ１０ｎｍの井戸層３層を
アンドープＡｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓでなる厚さ５ｎｍの障
壁層２層によって分離し、これらをアンドープＡｌ0.3
Ｇａ0.7 Ａｓでなる厚さ０．１μｍの光導波層２層で挟
んだ量子井戸活性層、ＭｇドープＡｌ0. 6 Ｇａ0.4 Ａｓ
でなる厚さ１μｍの第二クラッド層、ＭｇドープＧａＡ
ｓでなる厚さ０．１μｍのコンタクト層からなる半導体
層２をＭＯＣＶＤ法により順次積層する。
置の製造方法の説明を行う。まず、図２（ａ）に示すよ
うに、ＳｉドープＧａＡｓ基板１上に、厚さ０．１μｍ
のＳｅドープＧａＡｓと厚さ０．１μｍのＳｅドープＡ
ｌ0.2 Ｇａ0.4 Ａｓと厚さ０．１μｍのＳｅドープＡｌ
0.4 Ｇａ0.6 Ａｓからなるバッファ層、ＳｅドープＡｌ
0.6 Ｇａ0.4 Ａｓでなる厚さ１μｍの第一クラッド層、
アンドープＧａＡｓでなる厚さ１０ｎｍの井戸層３層を
アンドープＡｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓでなる厚さ５ｎｍの障
壁層２層によって分離し、これらをアンドープＡｌ0.3
Ｇａ0.7 Ａｓでなる厚さ０．１μｍの光導波層２層で挟
んだ量子井戸活性層、ＭｇドープＡｌ0. 6 Ｇａ0.4 Ａｓ
でなる厚さ１μｍの第二クラッド層、ＭｇドープＧａＡ
ｓでなる厚さ０．１μｍのコンタクト層からなる半導体
層２をＭＯＣＶＤ法により順次積層する。
【００１０】この半導体層２上に図２（ｂ）に示すよう
に、フォトリソグラフィによりレジスト３を形成する。
次に図２（ｃ）に示すようにこのレジスト３をマスクと
して塩素系のガスを用いたドライエッチングにより半導
体層２をエッチングし、共振器の一方の端面４を形成す
る。図３（ａ）に示すようにレジスト３を除去した後、
図３（ｂ）に示すように、電子ビーム加熱蒸着装置によ
りそれぞれ発振波長の１／４の厚さのＳｉ膜とＡｌ2 Ｏ
3 膜が交互に数層積層された高反射多層膜からなる絶縁
膜５を蒸着する。この蒸着を行う際、基板を蒸着源に対
して斜めにしておくことにより、半導体層２上には絶縁
膜として、また端面４上には高反射膜として堆積させる
ことができる。次に図３（ｃ）に示すように、フォトリ
ソグラフィによりレジスト６にストライプ状の窓を開け
る。その後、図４（ａ）に示すように、このレジスト６
をマスクとしてＣＦ4 ガスを用いたドライエッチングに
より、Ｓｉ／Ａｌ2 Ｏ3 の多層膜５をストライプ状にエ
ッチングし、電流注入のための窓を開け、コンタクト層
を露出させる。次いで図４（ｂ）に示すようにこの上に
ストライプ状ｐ側電極用の金属７を蒸着した後、図４
（ｃ）に示すようにストライプ状ｐ側電極８以外のレジ
スト６上の金属７をリフトオフにより除去する。この上
に図５（ａ）に示すようにふたたび配線およびボンディ
ングパッド用の金属９を蒸着する。この蒸着を行う際に
も、基板を蒸着源に対して斜めにしておくことにより、
端面４上の絶縁膜５の上にも配線ができるよう金属９が
蒸着される。次に図５（ｂ）に示すようにフォトリソグ
ラフィにより配線およびボンディングパッドがパターニ
ングされたレジスト１０を形成する。その後図５（ｃ）
に示すようにこのレジスト１０をマスクとしてＩ2 ＋Ｋ
Ｉの混合液により金属９をエッチングすることにより、
配線１１とボンディングパッド１２が形成される。その
後図６に示すようにレジストを除去し、ｎ側電極１３を
蒸着し、半導体層側をへき開することにより、図１に示
した半導体レーザ装置が形成される。
に、フォトリソグラフィによりレジスト３を形成する。
次に図２（ｃ）に示すようにこのレジスト３をマスクと
して塩素系のガスを用いたドライエッチングにより半導
体層２をエッチングし、共振器の一方の端面４を形成す
る。図３（ａ）に示すようにレジスト３を除去した後、
図３（ｂ）に示すように、電子ビーム加熱蒸着装置によ
りそれぞれ発振波長の１／４の厚さのＳｉ膜とＡｌ2 Ｏ
3 膜が交互に数層積層された高反射多層膜からなる絶縁
膜５を蒸着する。この蒸着を行う際、基板を蒸着源に対
して斜めにしておくことにより、半導体層２上には絶縁
膜として、また端面４上には高反射膜として堆積させる
ことができる。次に図３（ｃ）に示すように、フォトリ
ソグラフィによりレジスト６にストライプ状の窓を開け
る。その後、図４（ａ）に示すように、このレジスト６
をマスクとしてＣＦ4 ガスを用いたドライエッチングに
より、Ｓｉ／Ａｌ2 Ｏ3 の多層膜５をストライプ状にエ
ッチングし、電流注入のための窓を開け、コンタクト層
を露出させる。次いで図４（ｂ）に示すようにこの上に
ストライプ状ｐ側電極用の金属７を蒸着した後、図４
（ｃ）に示すようにストライプ状ｐ側電極８以外のレジ
スト６上の金属７をリフトオフにより除去する。この上
に図５（ａ）に示すようにふたたび配線およびボンディ
ングパッド用の金属９を蒸着する。この蒸着を行う際に
も、基板を蒸着源に対して斜めにしておくことにより、
端面４上の絶縁膜５の上にも配線ができるよう金属９が
蒸着される。次に図５（ｂ）に示すようにフォトリソグ
ラフィにより配線およびボンディングパッドがパターニ
ングされたレジスト１０を形成する。その後図５（ｃ）
に示すようにこのレジスト１０をマスクとしてＩ2 ＋Ｋ
Ｉの混合液により金属９をエッチングすることにより、
配線１１とボンディングパッド１２が形成される。その
後図６に示すようにレジストを除去し、ｎ側電極１３を
蒸着し、半導体層側をへき開することにより、図１に示
した半導体レーザ装置が形成される。
【００１１】ここで用いる絶縁膜としては、ＳｉＯ２膜
やＳｉ３Ｎ４膜のように電気的に絶縁体で、ＧａＡｓを
腐食しないものであればよい。また、ｐ側電極となる金
属の材料にはＡｕ、ＡｕＺｎ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｔのいず
れかもしくはこれらの組合せたものを用いることができ
る。
やＳｉ３Ｎ４膜のように電気的に絶縁体で、ＧａＡｓを
腐食しないものであればよい。また、ｐ側電極となる金
属の材料にはＡｕ、ＡｕＺｎ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｔのいず
れかもしくはこれらの組合せたものを用いることができ
る。
【００１２】また、図７には本発明の第二の実施例を示
す。ここでは第一の実施例と同じ製造方法を用い、フォ
トリソグラフィに用いるマスクのパターンを変えること
により、図３に示すような複数のストライプ状ｐ側電極
と配線とボンディングパッドを備えたビーム位置半導体
レーザが形成される。このそれぞれのストライプ状ｐ側
電極に注入する電流を制御することによって、活性層に
おける利得領域の位置を変えることにより出射面上での
ビームの出射位置を移動させる。
す。ここでは第一の実施例と同じ製造方法を用い、フォ
トリソグラフィに用いるマスクのパターンを変えること
により、図３に示すような複数のストライプ状ｐ側電極
と配線とボンディングパッドを備えたビーム位置半導体
レーザが形成される。このそれぞれのストライプ状ｐ側
電極に注入する電流を制御することによって、活性層に
おける利得領域の位置を変えることにより出射面上での
ビームの出射位置を移動させる。
【００１３】本発明は前記実施例の半導体組成以外でも
よく、例えばＡｌＧａＩｎＰ混晶系、ＧａＩｎＡｓＰ混
晶系、ＡｌＩｎＡｓＰ混晶系、ＺｎＳＳｅ混晶系、Ｃｄ
ＺｎＳＳｅ混晶系等の材料系であっても実施可能であ
る。
よく、例えばＡｌＧａＩｎＰ混晶系、ＧａＩｎＡｓＰ混
晶系、ＡｌＩｎＡｓＰ混晶系、ＺｎＳＳｅ混晶系、Ｃｄ
ＺｎＳＳｅ混晶系等の材料系であっても実施可能であ
る。
【００１４】
【発明の効果】本発明によれば、半導体層とは異なる半
導体基板上に配線やボンディングパッドを設けることに
より、配線数が共振器の長さに制限されないため、ビー
ムの移動距離と共振器の長さを独立に設定することが可
能となる。
導体基板上に配線やボンディングパッドを設けることに
より、配線数が共振器の長さに制限されないため、ビー
ムの移動距離と共振器の長さを独立に設定することが可
能となる。
【図１】 本発明の第一の実施例である半導体レーザ装
置の斜視図である。
置の斜視図である。
【図２】 本発明の第一の実施例である半導体レーザ装
置の製造手順を示す斜視図である。
置の製造手順を示す斜視図である。
【図３】 本発明の第一の実施例である半導体レーザ装
置の製造手順を示す斜視図である。
置の製造手順を示す斜視図である。
【図４】 図３に続く半導体レーザ装置の製造手順を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図５】 図４に続く半導体レーザ装置の製造手順を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図６】 図５に続く半導体レーザ装置の製造手順を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図７】 本発明の第二の実施例である半導体レーザ装
置の斜視図である。
置の斜視図である。
【図８】 従来の半導体レーザ装置の斜視図と断面図で
ある。
ある。
１…ＧａＡｓ基板、２…半導体層、３，６，１０…レジ
スト、４…端面、５…絶縁膜、７，９…金属、８…スト
ライプ状ｐ側電極、１１…配線、１２…ボンディングパ
ッド、１３…ｎ側電極、１０１…ＧａＡｓ基板、１０２
…第一バッファ層、１０３…第二バッファ層、１０４…
第三バッファ層、１０５…第一クラッド層、１０６…量
子井戸活性層、１０７…第二クラッド層、１０８…コン
タクト層、１０８…配線、１０９…ボンディングパッ
ド、１１０…絶縁膜、１１１…ストライプ状ｐ側電極、
１１２…窓
スト、４…端面、５…絶縁膜、７，９…金属、８…スト
ライプ状ｐ側電極、１１…配線、１２…ボンディングパ
ッド、１３…ｎ側電極、１０１…ＧａＡｓ基板、１０２
…第一バッファ層、１０３…第二バッファ層、１０４…
第三バッファ層、１０５…第一クラッド層、１０６…量
子井戸活性層、１０７…第二クラッド層、１０８…コン
タクト層、１０８…配線、１０９…ボンディングパッ
ド、１１０…絶縁膜、１１１…ストライプ状ｐ側電極、
１１２…窓
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 乙間 広己 神奈川県海老名市本郷2274番地富士ゼロッ クス株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体レーザチップにボンディングパッ
ド領域を設けた半導体レーザ装置において、 基板上に該基板の面積より狭い半導体層を形成して前記
基板と前記半導体層との間に段差を設け、この段差の垂
直部分がレーザの共振器の一方の面となるように前記段
差の上面から下面に延在する高反射率の絶縁膜を設け、 この絶縁膜上に前記共振器に電流を注入する電極と接続
される配線電極を前記段差の上面から下面に渡って設
け、この下面の一部にボンディングパッド領域を形成し
たことを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11314794A JPH07321400A (ja) | 1994-05-26 | 1994-05-26 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11314794A JPH07321400A (ja) | 1994-05-26 | 1994-05-26 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07321400A true JPH07321400A (ja) | 1995-12-08 |
Family
ID=14604762
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11314794A Pending JPH07321400A (ja) | 1994-05-26 | 1994-05-26 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07321400A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007109922A (ja) * | 2005-10-14 | 2007-04-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| JP2013191810A (ja) * | 2012-03-15 | 2013-09-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子 |
| JP2017037870A (ja) * | 2015-08-06 | 2017-02-16 | 住友電気工業株式会社 | 量子カスケードレーザデバイス |
| JP2017092382A (ja) * | 2015-11-16 | 2017-05-25 | 住友電気工業株式会社 | 量子カスケードレーザデバイス |
-
1994
- 1994-05-26 JP JP11314794A patent/JPH07321400A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007109922A (ja) * | 2005-10-14 | 2007-04-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| JP4694342B2 (ja) * | 2005-10-14 | 2011-06-08 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
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| JP2017037870A (ja) * | 2015-08-06 | 2017-02-16 | 住友電気工業株式会社 | 量子カスケードレーザデバイス |
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