JPH07321152A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

半導体装置およびその製造方法

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JPH07321152A
JPH07321152A JP6926895A JP6926895A JPH07321152A JP H07321152 A JPH07321152 A JP H07321152A JP 6926895 A JP6926895 A JP 6926895A JP 6926895 A JP6926895 A JP 6926895A JP H07321152 A JPH07321152 A JP H07321152A
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wiring
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Masayoshi Kikuchi
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Citizen Watch Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【構成】 段差１５を設け、基板配線２３を有する基板
１２と、基板１２の段差１５に設けるフィルム配線２２
を有する可撓性フィルム２１と、可撓性フィルム２１と
基板１２とにまたがって設ける半導体装置１１とを有
し、半導体装置１１の突起電極１３が可撓性フィルム２
１のフィルム配線２２と基板１２の基板配線２３とに接
続する半導体装置およびその製造方法。 【効果】 段差に可撓性フィルムを接着した構造によ
り、半導体装置の突起電極と可撓性フィルムのフィルム
配線を直接接続することができるため、従来のＣＯＧ法
に比較して接続本数は同じで実装面積をより小さくする
ことができる。従来のＴＡＢ法に比較すると少ない半導
体装置で多ピン接続が可能となる。一枚の可撓性フィル
ムで複数の半導体装置に対応することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置とその製造方
法とに関し、とくに液晶表示装置や、エレクトロルミネ
ッセンス発光素子を用いた表示装置や、プラズマ発光素
子を用いた表示装置の画像表示装置に適用し、可撓性フ
ィルムと基板と半導体装置とからなる半導体装置とその
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】画像表示装置の代表例である液晶表示装
置へ半導体装置を実装する従来例としては、ＴＡＢ法
（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）に
よってパッケージ化されたＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒ
ｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）を基板に実装する手段があ
る。
【０００３】また、ＣＯＧ法（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａ
ｓｓ）により半導体装置を直接基板上に接続し、電源と
入力信号に関わる基板上の配線に可撓性フィルムを実装
する手段がある。
【０００４】以下、図４１と図４３と図４４とを用いて
従来技術のＴＡＢ法による半導体装置およびその製造方
法を説明し、さらに図４２と図４３と図４４とを用いて
従来技術のＣＯＧ法による半導体装置およびその製造方
法を説明する。
【０００５】図４１はＴＣＰを基板に接続した状態を示
す断面図であり、図４２は半導体装置の突起電極を導電
性ペーストを使用してＣＯＧ法により基板の配線に接続
し、可撓性フィルムを基板に接続した状態を示す断面図
である。さらに、図４３は可撓性フィルムを基板に接続
した状態を上面から示す平面図であり、図４４は可撓性
フィルムを基板に接続した状態を示す図４３のＡ−Ａ線
における断面を示す断面図である。以下、図４１と図４
２と図４３と図４４とを交互に参照して説明する。
【０００６】従来の技術のＴＡＢ法による半導体装置の
実装構造は、図４１に示すように、ＴＣＰ３１とＡＣＦ
２５（Ａｎｉｓｏｔｏｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖ
ｅＦｉｌｍ：異方性導電フィルム）と基板１２とからな
る。
【０００７】ＴＣＰ３１は、フィルム配線２２ａとフィ
ルム配線２２とを有する厚さが１０μｍ〜７５μｍの可
撓性フィルム２１と、この可撓性フィルム２１の開口部
内に収納し突起電極１３を有する半導体装置１１と、絶
縁樹脂２４とから構成する。そして基板１２の基板配線
２３と、可撓性フィルム２１のフィルム配線２２とをＡ
ＣＦ２５を介して接続している。
【０００８】つぎにこの図４１に示すＴＡＢ法による半
導体装置の構造を得るための製造方法を説明する。可撓
性フィルム２１上にはスパッタリング法や真空蒸着法で
全面に金属材料を形成した後、フォトリソグラフィーと
エッチング手段によりフィルム配線２２ａとフィルム配
線２２とをパターン形成する。
【０００９】このフィルム配線２２ａとフィルム配線２
２の金属材料としては銅（Ｃｕ）を主に使用する。この
金属材料を全面に形成する別の方法としては、フィルム
状の金属を接着剤を用いて圧延しながら可撓性フィルム
２１上の全面に金属材料を張り付ける方法がある。
【００１０】可撓性フィルム２１は耐熱性の高いポリイ
ミドを主に使用する。そして、可撓性フィルム２１の開
口部から飛び出したフィルム配線２２ａとフィルム配線
２２とは、インナーリード３２と呼ぶ。このインナーリ
ード３２表面にはメッキ処理によりスズ（Ｓｎ）を被覆
する。
【００１１】半導体装置１１には、メッキ処理により５
μｍ〜２０μｍの高さの金（Ａｕ）から構成する突起電
極１３を設ける。そしてこの突起電極１３とインナーリ
ード３２表面に形成したスズとの金スズ共晶を利用し
て、半導体装置１１をインナーリード３２に電気的でし
かも機械的に接続する。
【００１２】なお突起電極１３はインナーリード３２側
に形成してもよく、この場合は半導体装置１１のアルミ
ニウム電極上へ突起電極１３を直接接続する。
【００１３】インナーリード３２の接続ピッチ寸法とし
ては８０μｍ程度が可能で、半導体装置１１の外周領域
に沿って形成する。ここで仮に５ｍｍ角の大きさの半導
体装置１１を使用した場合は、インナーリード３２と突
起電極１３との接続可能な本数は２５０本程度となる。
【００１４】さらに可撓性フィルム２１と、フィルム配
線２２とフィルム配線２２ａと、半導体装置１１と、イ
ンナーリード３２とを絶縁樹脂２４で覆い、ＴＣＰ３１
が完成する。この絶縁樹脂２４には主にエポキシ系の樹
脂を用いる。
【００１５】ＴＣＰ３１の一部である可撓性フィルム２
１のフィルム配線２２と、基板１２の基板配線２３と
を、図４３と図４４にしめすようにそれぞれ位置合わせ
して重ね合わせる。図４３と図４４に示す可撓性フィル
ム２１と基板１２の重ね合わせ量は、最小寸法で０．５
ｍｍ程度が可能である。
【００１６】そして図４４に示すように、フィルム配線
２２と基板配線２３とを位置合わせした後、ＡＣＦ２５
を介して加圧加熱して接続することで、図４１に示すＴ
ＡＢ実装法による半導体装置構造が完成する。
【００１７】ＡＣＦ２５は、図４４に示すように、導電
性粒子２６を絶縁樹脂に５ｗｔ％〜５０ｗｔ％分散させ
たものである。そしてフィルム配線２２と基板配線２３
との導通をとる導電性粒子２６には、金属を粉末状にし
たものや、プラスチックビーズの表面に無電解メッキに
より金を形成したものなどを用いる。
【００１８】導電性粒子２６の大きさ寸法は、０．５μ
ｍ〜１５μｍで、そして大きさのばらつきは粒径のプラ
スマイナス１０％程度に揃ったものが望ましい。ＡＣＦ
２５の絶縁樹脂にはエポキシ系の樹脂材料を主に用い
る。
【００１９】ＴＡＢ法によってパッケージ化したＴＣＰ
３１を基板１２に接続する実装構造の場合、図４４に示
す可撓性フィルム２１のフィルム配線２２と基板１２の
基板配線２３との接続本数は２００本〜１０００本にな
り、接続ピッチは８０μｍ程度が量産可能である。
【００２０】高精細な液晶表示装置では、接続のピッチ
寸法が２０μｍ〜７０μｍで、接続本数が３０００本以
上が要求される。このため、ＴＡＢ法による実装構造を
適用した場合、フィルム配線２２と基板配線２３との接
続ピッチ寸法の制約から、可撓性フィルム２１と基板１
２の接続が非常に難しくなる。
【００２１】またさらに、接続本数が多いため、可撓性
フィルム２１と基板１２との累積ピッチ誤差が大きくな
り、接続信頼性が悪くなるという問題点もある。
【００２２】つぎに従来技術のＣＯＧ実装法による半導
体装置の構造とその製造方法とを、図４２を用いて説明
する。従来のＣＯＧ法による半導体装置の実装構造は図
４２に示すように、突起電極１３を有する半導体装置１
１と、基板配線２３を有する基板１２と、フィルム配線
２２を有する可撓性フィルム２１と、導電性ペースト１
４と、ＡＣＦ２５と、絶縁樹脂２４とからなる。突起電
極１３は導電性ペースト１４を介して基板配線２３に接
続する。
【００２３】さらにまた、可撓性フィルム２１のフィル
ム配線２２は、図４３と図４４に示すようにＡＣＦ２５
を介して基板配線２３と接続する。絶縁樹脂２４は半導
体装置１１と基板１２との間に設ける。
【００２４】つぎにこの図４２に示すＣＯＧ法による半
導体装置の製造方法を説明する。まずメッキ処理により
高さ寸法が５μｍ〜４０μｍで、金（Ａｕ）や銅（Ｃ
ｕ）からなる突起電極１３を半導体装置１１上に設け
る。
【００２５】この突起電極１３の形成は、前述のメッキ
以外の方法では、ワイヤーボンディング法によって、金
（Ａｕ）や銅（Ｃｕ）やハンダやアルミニウム（Ａｌ）
やパラジウム（Ｐｄ）のワイヤーから形成したボールを
ワイヤーボンディングにより形成後ワイヤーを切断して
半導体装置の電極に形成したものでもよい。
【００２６】そして突起電極１３の頂部に導電性ペース
ト１４をスクリーン印刷法や、ディップ法や、あるいは
ディスペンサを使用して一定量形成する。
【００２７】導電性ペースト１４は、エポキシ樹脂に銀
（Ａｇ）や銀とパラジウム（Ｐｄ）の混合粉体を５０ｗ
ｔ％〜９０ｗｔ％混入したものを用いる。
【００２８】さらに突起電極１３の頂部へ導電性ペース
ト１４を形成後、半導体装置１１を基板１２に位置合わ
せして接続する。その後、加熱処理を行って導電性ペー
スト１４中のエポキシ樹脂を硬化させる。
【００２９】その後、半導体装置１１と基板１２の間隙
に絶縁樹脂２４を充填し、その後加熱処理を行い、絶縁
樹脂２４を硬化する。
【００３０】絶縁樹脂２４は主にエポキシ系樹脂や、シ
リコーン系樹脂や、アクリル系樹脂や、メラミン系樹脂
や、フェノール系樹脂や、これらの樹脂の混合物からな
る。さらにこの絶縁樹脂２４に、シリカ系フィラーやカ
ーボン系フィラーを混合してもよい。
【００３１】導電性ペースト１４を使用したＣＯＧ実装
法の場合、突起電極１３の接続のピッチ寸法は最小８０
μｍが可能である。また、半導体装置１１上の全面に突
起電極１３を形成することが可能である。
【００３２】このため、仮に５ｍｍ角の大きさの半導体
装置１１上には、３０００個以上の突起電極１３を形成
することが可能である。したがって、ＣＯＧ実装法はＴ
ＡＢ法に較らべて、同一大きさの半導体装置１１では接
続本数の点では有利である。
【００３３】しかしながら、基板１２上に必要な実装面
積では、図４１と図４２とを比較すると明らかなよう
に、ＴＡＢ実装法のほうが小さい実装面積となる。この
ため、基板１２自体のコストはＴＡＢ法のほうが有利で
ある。
【００３４】つぎに可撓性フィルム２１のフィルム配線
２２と、基板１２の基板配線２３とを図４３と図４４に
示すように重ね合わせる。この図４３と図４４で示す可
撓性フィルム２１と基板１２との重ね合わせ量は、最小
寸法で０．５ｍｍ程度が可能である。
【００３５】図４４に示すように、フィルム配線２２と
基板配線２３とを位置合わせして、その後、ＡＣＦ２５
を介して加圧加熱して接続することによって、図４２に
示すＣＯＧ実装法による半導体装置構造が完成する。
【００３６】基板配線２３とフィルム配線２２を接続す
るＡＣＦ２５は、図４４に示すように、導電性粒子２６
を絶縁樹脂に５ｗｔ％〜５０ｗｔ％分散させたものであ
る。そして、導電性粒子２６には、金属を粉末状にした
ものや、プラスチックビーズの表面に無電解メッキによ
り金（Ａｕ）を形成したものを用いる。
【００３７】導電性粒子２６の大きさは０．５μｍ〜１
５μｍで、大きさのばらつきは粒径のプラスマイナス１
０％程度に揃ったものが望ましい。絶縁樹脂にはエポキ
シ系の樹脂を主に用いる。
【００３８】ＣＯＧ法によって可撓性フィルム２１を基
板１２に接続する実装構造を採用した場合、図４４に示
す可撓性フィルム２１のフィルム配線２２と、基板１２
の基板配線２３との接続本数は３０〜１００本になる。
このため、ＴＡＢ法で発生する接続ピッチ寸法の制約
は、ＣＯＧ実装法ではない。
【００３９】以上の従来技術の説明ではＣＯＧ法による
半導体装置の実装構造を、導電性ペースト１４を使った
場合で説明してきたが、この導電性ペースト１４の代わ
りに光硬化性樹脂やＡＣＦ２５や導電性ビーズを使っ
て、半導体装置の電極と基板の配線を接続することもで
きる。なお、光硬化性樹脂やＡＣＦ２５を使用した場合
には、この光硬化性樹脂やＡＣＦ２５を半導体装置と基
板との間に設けているために、図４２に示す絶縁樹脂２
４は不要となる。
【００４０】導電性ペーストを使用したＣＯＧ実装法以
外のいずれのＣＯＧ法においても、図４２に示す構造に
おいて、半導体装置１１を基板１２に接続している構造
以外の構成である可撓性フィルム２１のフィルム配線２
２と基板１２の基板配線２３とを、ＡＣＦ２５を介して
接続する構造は同じである。
【００４１】したがって、導電性ペースト１４を使用す
るＣＯＧ法の場合と同様に、ＴＡＢ法に較らべて、同一
大きさの半導体装置１１では、ＣＯＧ実装法のほうが接
続本数の点では有利である。
【００４２】しかしながら、基板１２上に必要な実装面
積ではＴＡＢ法の方が小さいため、基板自体のコストは
ＴＡＢ法が有利となる。
【００４３】ＴＡＢ法とＣＯＧ法の実装コストを比較す
ると、ＴＡＢ法ではピッチ８０μｍのインナーリード３
２を２００本から１０００本、可撓性フィルム２１から
突出すように形成する必要があり、インナーリード２３
に半導体装置１１の突起電極１３を接続しなければなら
ない。このため、実装コストはＣＯＧ法のほうが有利で
ある。
【００４４】
【発明が解決しようとする課題】以上、図４１から図４
４を用いて説明してきたＴＡＢ法とＣＯＧ法による半導
体装置の実装構造は、主に画像表示装置への半導体装置
の実装手段として使われている。とくに、画像表示装置
の代表である液晶表示装置への使用が多い。
【００４５】一方、液晶表示装置は表示品質を向上さる
せために、年々画素数が多くなり、３０００本を越える
接続本数が要求される。しかも、小型化が同時に並行し
て進んでいるため、画素のピッチ寸法は最小で２０μｍ
程度が要求されている。
【００４６】３０００本以上の接続本数で、画素ピッチ
寸法２０μｍの液晶表示装置へ、従来のＴＡＢ法で半導
体装置を実装する場合、可撓性フィルムと基板の接続ピ
ッチは８０μｍが最小なため、基板の画素ピッチ寸法
を、２０μｍから８０μｍまで４倍も広げる必要があ
る。
【００４７】このため画像表示領域に比較して基板の大
きさが非常に大きくなり、最終的な製品価値を落とす。
さらにまた、接続本数が多いため、可撓性フィルムと基
板との累積ピッチ誤差が大きくなり接続信頼性が悪くな
る。
【００４８】ここで仮に５ｍｍ角の大きさの半導体装置
１１を使った場合、インナーリード２３の接続ピッチ８
０μｍから計算した接続可能本数は２５０本程度であ
る。
【００４９】したがって、すくなくとも１２個のＴＣＰ
を液晶表示装置に実装することが必要となり、実装コス
トが高いものとなる。
【００５０】３０００本以上の本数で、画素のピッチ寸
法が２０μｍの液晶表示装置へ従来のＣＯＧ法で半導体
装置を実装する場合、ＴＡＢ法と同様に５ｍｍ角の半導
体装置を仮に使った場合、ＴＡＢ法では少なくとも１２
個のＴＣＰを液晶表示装置に実装することが必要だが、
ＣＯＧ法では１個の半導体装置で実装が可能である。
【００５１】しかし、画像表示領域以外の実装面積は、
半導体装置１１の大きさだけ大きくなってしまい、基板
の外形寸法が大きくなり、液晶表示装置の取り個数が減
少するため、製造コストが高くなる。
【００５２】本発明の目的は、上記課題を解決して、Ｔ
ＡＢ法より少ない半導体装置で対応が可能で、しかも実
装コストがＴＡＢ法より安くすることが可能で、実装面
積がＣＯＧ法より小さくすることができ、微細接続可能
で量産性に優れた半導体装置の構造とその製造方法とを
提供することにある。
【００５３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の液晶表示装置およびその製造方法において
は、以下に記載の構成と工程とを採用する。
【００５４】本発明の半導体装置は、段差を設け基板配
線を有する基板と、段差上に設けるフィルム配線を有す
る可撓性フィルムと、可撓性フィルムと基板とにまたが
って設ける半導体装置とを有し、半導体装置と可撓性フ
ィルムとの隙間と半導体装置と基板配線との隙間に絶縁
樹脂を有し、半導体装置の突起電極は可撓性フィルムの
フィルム配線と基板の基板配線とに接続することを特徴
とする。
【００５５】本発明の半導体装置の製造方法は、基板に
段差を形成する工程と、基板の段差に可撓性フィルムを
位置合わせする工程と、基板の基板配線上と可撓性フィ
ルムのフィルム配線上とに絶縁樹脂を形成する工程と、
半導体装置の突起電極と可撓性フィルムのフィルム配線
と半導体装置の突起電極と基板の基板配線とを接続する
工程とを有することを特徴とする。
【００５６】本発明の半導体装置の製造方法は、基板に
段差を形成する工程と、基板の段差に可撓性フィルムを
位置合わせする工程と、基板の基板配線と可撓性フィル
ムのフィルム配線とに半導体装置の突起電極を接続する
工程と、半導体装置と可撓性フィルムとの隙間と半導体
装置と基板配線との隙間に絶縁樹脂を形成する工程とを
有することを特徴とする。
【００５７】本発明の半導体装置は、段差を設け基板配
線を有する基板と、段差上に設けるフィルム配線を有す
る可撓性フィルムと、段差上に設ける可撓性フィルム側
面を固定する接着剤と、可撓性フィルムと基板とにまた
がって設ける半導体装置とを有し、半導体装置と可撓性
フィルムとの隙間と半導体装置と基板配線との隙間に絶
縁樹脂を有し、半導体装置の突起電極は可撓性フィルム
のフィルム配線と基板の基板配線とに接続することを特
徴とする。
【００５８】本発明の半導体装置の製造方法は、基板に
段差を形成する工程と、基板の段差に可撓性フィルムを
位置合わせして可撓性フィルムの側面を接着剤で固定す
る工程と、基板の基板配線上と可撓性フィルムのフィル
ム配線上とに絶縁樹脂を形成する工程と、半導体装置の
突起電極と可撓性フィルムのフィルム配線と半導体装置
の突起電極と基板の基板配線とを接続する工程とを有す
ることを特徴とする。
【００５９】本発明の半導体装置の製造方法は、基板に
段差を形成する工程と、基板の段差に可撓性フィルムを
位置合わせして可撓性フィルムの側面を接着剤で固定す
る工程と、基板の基板配線と可撓性フィルムのフィルム
配線とに半導体装置の突起電極を接続する工程と、半導
体装置と可撓性フィルムとの隙間と半導体装置と基板配
線との隙間に絶縁樹脂を形成する工程とを有することを
特徴とする。
【００６０】本発明の半導体装置は、段差を設け基板配
線を有する基板と、段差上に設けるフィルム配線を有す
る可撓性フィルムと、基板端部側面上に設ける可撓性フ
ィルム裏面を固定する接着剤と、可撓性フィルムと基板
とにまたがって設ける半導体装置とを有し、半導体装置
と可撓性フィルムとの隙間と半導体装置と基板配線との
隙間に絶縁樹脂を有し、半導体装置の突起電極は可撓性
フィルムのフィルム配線と基板の基板配線とに接続して
いることを特徴とする。
【００６１】本発明の半導体装置の製造方法は、基板に
段差を形成する工程と、基板の段差に可撓性フィルムを
位置合わせして可撓性フィルムの裏面を接着剤で固定す
る工程と、基板の基板配線上と可撓性フィルムのフィル
ム配線上とに絶縁樹脂を形成する工程と、半導体装置の
突起電極と可撓性フィルムのフィルム配線と半導体装置
の突起電極と基板の基板配線とを接続する工程とを有す
ることを特徴とする。
【００６２】本発明の半導体装置の製造方法は、基板に
段差を形成する工程と、基板の段差に可撓性フィルムを
位置合わせして可撓性フィルムの裏面を接着剤で固定す
る工程と、基板の基板配線と可撓性フィルムのフィルム
配線とに半導体装置の突起電極を接続する工程と、半導
体装置と可撓性フィルムとの隙間と半導体装置と基板配
線との隙間に絶縁樹脂を形成する工程とを有することを
特徴とする。
【００６３】本発明の半導体装置は、段差を設け基板配
線を有する基板と、基板の段差と可撓性フィルムとの間
に設ける接着剤と、この接着剤上に設けるフィルム配線
を有する可撓性フィルムと、可撓性フィルムと基板とに
またがって設ける半導体装置とを有し、半導体装置と可
撓性フィルムとの隙間と半導体装置と基板配線との隙間
に絶縁樹脂を有し、半導体装置の突起電極は可撓性フィ
ルムのフィルム配線と基板の基板配線とに接続すること
を特徴とする。
【００６４】本発明の半導体装置の製造方法は、基板に
段差を形成する工程と、基板の段差に接着剤を形成する
工程と、可撓性フィルムを位置合わせして段差に接着剤
を介して接着する工程と、基板の基板配線上と可撓性フ
ィルムのフィルム配線上とに絶縁樹脂を形成する工程
と、半導体装置の突起電極と可撓性フィルムのフィルム
配線と半導体装置の突起電極と基板の基板配線とを接続
する工程とを有することを特徴とする。
【００６５】本発明の半導体装置の製造方法は、基板に
段差を形成する工程と、基板の段差に接着剤を形成する
工程と、可撓性フィルムを位置合わせして段差に接着剤
を介して接着する工程と、基板の基板配線と可撓性フィ
ルムのフィルム配線とに半導体装置の突起電極を接続す
る工程と、半導体装置と可撓性フィルムとの隙間と半導
体装置と基板配線との隙間に絶縁樹脂を形成する工程と
を有することを特徴とする。
【００６６】本発明の半導体装置の製造方法は、基板に
段差を形成する工程と、可撓性フィルムに接着剤を形成
する工程と、可撓性フィルムを位置合わせして段差に接
着剤を介して接着する工程と、基板の基板配線上と可撓
性フィルムのフィルム配線上とに絶縁樹脂を形成する工
程と、半導体装置の突起電極と可撓性フィルムのフィル
ム配線と半導体装置の突起電極と基板の基板配線とを接
続する工程とを有することを特徴とする。
【００６７】本発明の半導体装置の製造方法は、基板に
段差を形成する工程と、可撓性フィルムに接着剤を形成
する工程と、可撓性フィルムを位置合わせして段差に接
着剤を介して接着する工程と、基板の基板配線と可撓性
フィルムのフィルム配線とに半導体装置の突起電極を接
続する工程と、半導体装置と可撓性フィルムとの隙間と
半導体装置と基板配線との隙間に絶縁樹脂を形成する工
程とを有することを特徴とする。
【００６８】本発明の半導体装置は、段差を設け基板配
線を有する基板と、基板の段差と可撓性フィルムとの間
に設ける高さ調整用粒子を有する接着剤と、接着剤上に
設けるフィルム配線を有する可撓性フィルムと、可撓性
フィルムと基板とにまたがって設ける半導体装置とを有
し、半導体装置と可撓性フィルムとの隙間と半導体装置
と基板配線との隙間に絶縁樹脂を有し、半導体装置の突
起電極は可撓性フィルムのフィルム配線と基板の基板配
線とに接続することを特徴とする。
【００６９】本発明の半導体装置の製造方法は、基板に
段差を形成する工程と、基板の段差に高さ調整用粒子を
有する接着剤を形成する工程と、可撓性フィルムを位置
合わせして段差に接着剤を介して接着する工程と、基板
の基板配線上と可撓性フィルムのフィルム配線上とに絶
縁樹脂を形成する工程と、半導体装置の突起電極と可撓
性フィルムのフィルム配線と半導体装置の突起電極と基
板の基板配線とを接続する工程とを有することを特徴と
する。
【００７０】本発明の半導体装置の製造方法は、基板に
段差を形成する工程と、基板の段差に高さ調整用粒子を
有する接着剤を形成する工程と、可撓性フィルムを位置
合わせして段差に接着剤を介して接着する工程と、基板
の基板配線と可撓性フィルムのフィルム配線とに半導体
装置の突起電極を接続する工程と、半導体装置と可撓性
フィルムとの隙間と半導体装置と基板配線との隙間に絶
縁樹脂を形成する工程とを有することを特徴とする半導
体装置の製造方法。
【００７１】本発明の半導体装置の製造方法は、基板に
段差を形成する工程と、可撓性フィルムに高さ調整用粒
子を有する接着剤を形成する工程と、可撓性フィルムを
位置合わせして接着する工程と、基板の基板配線上と可
撓性フィルムのフィルム配線上とに絶縁樹脂を形成する
工程と、半導体装置の突起電極と可撓性フィルムのフィ
ルム配線と半導体装置の突起電極と基板の基板配線とを
接続する工程とを有することを特徴とする。
【００７２】本発明の半導体装置の製造方法は、基板に
段差を形成する工程と、可撓性フィルムに高さ調整用粒
子を有する接着剤を形成する工程と、可撓性フィルムを
位置合わせして接着する工程と、基板の基板配線と可撓
性フィルムのフィルム配線とに半導体装置の突起電極を
接続する工程と、半導体装置と可撓性フィルムとの隙間
と半導体装置と基板配線との隙間に絶縁樹脂を形成する
工程とを有することを特徴とする。
【００７３】本発明の半導体装置は、段差を設け基板配
線を有する基板と、段差上に設けるフィルム配線を有す
る可撓性フィルムと、段差上に設ける可撓性フィルム側
面を固定する接着剤と、可撓性フィルムと基板とにまた
がって設ける半導体装置と、半導体装置に設ける突起電
極と可撓性フィルムのフィルム配線との間と半導体装置
に設ける突起電極と基板の基板配線との間に設ける導電
性ペーストとを有することを特徴とする。
【００７４】本発明の半導体装置の製造方法は、基板に
段差を形成する工程と、基板の段差に可撓性フィルムを
位置合わせして可撓性フィルムの側面を接着剤で固定す
る工程と、半導体装置に設ける突起電極に導電性ペース
トを形成する工程と、基板の基板配線と可撓性フィルム
のフィルム配線とに半導体装置の突起電極を導電性ペー
ストを介して接続する工程とを有することを特徴とす
る。
【００７５】本発明の半導体装置は、段差を設け基板配
線を有する基板と、段差上に設けるフィルム配線を有す
る可撓性フィルムと、基板端部側面上に設ける可撓性フ
ィルム裏面を固定する接着剤と、可撓性フィルムと基板
とにまたがって設ける半導体装置と、半導体装置に設け
る突起電極と可撓性フィルムのフィルム配線との間と半
導体装置に設ける突起電極と基板の基板配線との間に設
ける導電性ペーストとを有することを特徴とする。
【００７６】本発明の半導体装置の製造方法は、基板に
段差を形成する工程と、基板の段差に可撓性フィルムを
位置合わせして可撓性フィルムの裏面を接着剤で固定す
る工程と、半導体装置に設ける突起電極に導電性ペース
トを形成する工程と、基板の基板配線と可撓性フィルム
のフィルム配線とに半導体装置の突起電極を導電性ペー
ストを介して接続する工程とを有することを特徴とす
る。
【００７７】本発明の半導体装置は、段差を設け基板配
線を有する基板と、基板の段差と可撓性フィルムの間に
設ける接着剤と、接着剤上に設けるフィルム配線を有す
る可撓性フィルムと、可撓性フィルムと基板とにまたが
って設ける半導体装置とを有し、半導体装置に設ける突
起電極と可撓性フィルムのフィルム配線との間と半導体
装置に設ける突起電極と基板の基板配線との間に設ける
導電性ペーストを有することを特徴とする。
【００７８】本発明の半導体装置の製造方法は、基板に
段差を形成する工程と、この基板の段差に接着剤を形成
する工程と、可撓性フィルムを位置合わせして段差に接
着剤を介して接着する工程と、半導体装置に設ける突起
電極に導電性ペーストを形成する工程と、基板の基板配
線と可撓性フィルムのフィルム配線とに半導体装置の突
起電極を導電性ペーストを介して接続する工程とを有す
ることを特徴とする。
【００７９】本発明の半導体装置の製造方法は、基板に
段差を形成する工程と、可撓性フィルムに接着剤を形成
する工程と、可撓性フィルムを位置合わせして段差に接
着剤を介して接着する工程と、半導体装置に設ける突起
電極に導電性ペーストを形成する工程と、基板の基板配
線と可撓性フィルムのフィルム配線とに半導体装置の突
起電極を導電性ペーストを介して接続する工程とを有す
ることを特徴とする。
【００８０】本発明の半導体装置は、段差を設け基板配
線を有する基板と、基板の段差と可撓性フィルムとの間
に設ける高さ調整用粒子を有する接着剤と、接着剤上に
設けるフィルム配線を有する可撓性フィルムと、可撓性
フィルムと基板とにまたがって設ける半導体装置とを有
し、半導体装置に設ける突起電極と可撓性フィルムのフ
ィルム配線との間と半導体装置に設ける突起電極と基板
の基板配線との間に設ける導電性ペーストとを有するこ
とを特徴とする。
【００８１】本発明の半導体装置の製造方法は、基板に
段差を形成する工程と、基板の段差に高さ調整用粒子を
有する接着剤を形成する工程と、可撓性フィルムを位置
合わせして段差に接着剤を介して接着する工程と、半導
体装置に設ける突起電極に導電性ペーストを形成する工
程と、基板の基板配線と可撓性フィルムのフィルム配線
とに半導体装置の突起電極を導電性ペーストを介して接
続する工程とを有することを特徴とする。
【００８２】本発明の半導体装置の製造方法は、基板に
段差を形成する工程と、可撓性フィルムに高さ調整用粒
子を有する接着剤を形成する工程と、可撓性フィルムを
位置合わせして段差に接着剤を介して接着する工程と、
半導体装置に設ける突起電極に導電性ペーストを形成す
る工程と、基板の基板配線と可撓性フィルムのフィルム
配線とに半導体装置の突起電極を導電性ペーストを介し
て接続する工程とを有することを特徴とする。
【００８３】本発明の半導体装置は、段差を設け基板配
線を有する基板と、段差上に設けるフィルム配線を有す
る可撓性フィルムと、可撓性フィルムと基板とにまたが
って設ける半導体装置とを有し、半導体装置に設ける突
起電極と可撓性フィルムのフィルム配線との間と半導体
装置に設ける突起電極と基板の基板配線との間に設ける
導電性粒子とを有し、半導体装置と可撓性フィルムとの
隙間と半導体装置と基板配線との隙間に絶縁樹脂を有す
ることを特徴とする。
【００８４】本発明の半導体装置の製造方法は、基板に
段差を形成する工程と、基板の段差に可撓性フィルムを
位置合わせする工程と、可撓性フィルムのフィルム配線
と基板の基板配線とにまたがって導電性粒子を有する接
着剤を形成する工程と、基板の基板配線と可撓性フィル
ムのフィルム配線とに半導体装置の突起電極を導電性粒
子を介して接続する工程とを有することを特徴とする。
【００８５】本発明の半導体装置の製造方法は、基板に
段差を形成する工程と、基板の段差に可撓性フィルムを
位置合わせする工程と、半導体装置に導電性粒子を有す
る接着剤を形成する工程と、基板の基板配線と可撓性フ
ィルムのフィルム配線とに半導体装置の突起電極を導電
性粒子を介して接続する工程とを有することを特徴とす
る。
【００８６】本発明の半導体装置は、段差を設け基板配
線を有する基板と、この段差上に設けるフィルム配線を
有する可撓性フィルムと、段差上に設ける可撓性フィル
ムの側面を固定する接着剤と、可撓性フィルムと基板と
にまたがって設ける半導体装置とを有し、半導体装置に
設ける突起電極と可撓性フィルムのフィルム配線との間
と半導体装置に設ける突起電極と基板の基板配線との間
に設ける導電性粒子とを有し、半導体装置と可撓性フィ
ルムとの隙間と半導体装置と基板配線との隙間に絶縁樹
脂を有することを特徴とする。
【００８７】本発明の半導体装置の製造方法は、基板に
段差を形成する工程と、基板の段差に可撓性フィルムを
位置合わせして可撓性フィルムの側面を接着剤で固定す
る工程と、可撓性フィルムのフィルム配線と基板の基板
配線とにまたがって導電性粒子を有する接着剤を形成す
る工程と、基板の基板配線と可撓性フィルムのフィルム
配線とに半導体装置の突起電極を導電性粒子を介して接
続する工程とを有することを特徴とする。
【００８８】本発明の半導体装置の製造方法は、基板に
段差を形成する工程と、基板の段差に可撓性フィルムを
位置合わせして可撓性フィルムの側面を接着剤で固定す
る工程と、半導体装置に導電性粒子を有する接着剤を形
成する工程と、基板の基板配線と可撓性フィルムのフィ
ルム配線とに半導体装置の突起電極を導電性粒子を介し
て接続する工程とを有することを特徴とする。
【００８９】本発明の半導体装置は、段差を設け基板配
線を有する基板と、段差上に設けるフィルム配線を有す
る可撓性フィルムと、基板端部側面上に設ける可撓性フ
ィルム裏面を固定する接着剤と、可撓性フィルムと基板
とにまたがって設ける半導体装置とを有し、半導体装置
に設ける突起電極と可撓性フィルムのフィルム配線との
間と半導体装置に設ける突起電極と基板の基板配線との
間に設ける導電性粒子とを有し、半導体装置と可撓性フ
ィルムとの隙間と半導体装置と基板配線との隙間に絶縁
樹脂を有することを特徴とする。
【００９０】本発明の半導体装置の製造方法は、基板に
段差を形成する工程と、基板の段差に可撓性フィルムを
位置合わせして可撓性フィルムの裏面を接着剤で固定す
る工程と、可撓性フィルムのフィルム配線と基板の基板
配線とにまたがって導電性粒子を有する接着剤を形成す
る工程と、基板の基板配線と可撓性フィルムのフィルム
配線とに半導体装置の突起電極を導電性粒子を介して接
続する工程とを有することを特徴とする。
【００９１】本発明の半導体装置の製造方法は、基板に
段差を形成する工程と、基板の段差に可撓性フィルムを
位置合わせして可撓性フィルムの裏面を接着剤で固定す
る工程と、半導体装置に導電性粒子を有する接着剤を形
成する工程と、基板の基板配線と可撓性フィルムのフィ
ルム配線とに半導体装置の突起電極を導電性粒子を介し
て接続する工程とを有することを特徴とする。
【００９２】本発明の半導体装置は、段差を設け基板配
線を有する基板と、この基板の段差と可撓性フィルムと
の間に設ける接着剤と、この接着剤上に設けるフィルム
配線を有する可撓性フィルムと、可撓性フィルムと基板
とにまたがって設ける半導体装置とを有し、半導体装置
に設ける突起電極と可撓性フィルムのフィルム配線との
間と半導体装置に設ける突起電極と基板の基板配線との
間に設ける導電性粒子とを有し、半導体装置と可撓性フ
ィルムとの隙間と半導体装置と基板配線との隙間に絶縁
樹脂を有することを特徴とする。
【００９３】本発明の半導体装置の製造方法は、基板に
段差を形成する工程と、基板の段差に接着剤を形成する
工程と、可撓性フィルムを位置合わせして段差に接着剤
を介して接着する工程と、可撓性フィルムのフィルム配
線と基板の基板配線とにまたがって導電性粒子を有する
接着剤を形成する工程と、基板の基板配線と可撓性フィ
ルムのフィルム配線とに半導体装置の突起電極を導電性
粒子を介して接続する工程とを有することを特徴とす
る。
【００９４】本発明の半導体装置の製造方法は、基板に
段差を形成する工程と、この基板の段差に接着剤を形成
する工程と、可撓性フィルムを位置合わせして段差に接
着剤を介して接着する工程と、半導体装置に導電性粒子
を有する接着剤を形成する工程と、基板の基板配線と可
撓性フィルムのフィルム配線とに半導体装置の突起電極
を導電性粒子を介して接続する工程とを有することを特
徴とする。
【００９５】本発明の半導体装置の製造方法は、基板に
段差を形成する工程と、可撓性フィルムに接着剤を形成
する工程と、可撓性フィルムを位置合わせして段差に接
着剤を介して接着する工程と、可撓性フィルムのフィル
ム配線と基板の基板配線とにまたがって導電性粒子を有
する接着剤を形成する工程と、基板の基板配線と可撓性
フィルムのフィルム配線とに半導体装置の突起電極を導
電性粒子を介して接続する工程とを有することを特徴と
する。
【００９６】本発明の半導体装置の製造方法は、基板に
段差を形成する工程と、可撓性フィルムに接着剤を形成
する工程と、可撓性フィルムを位置合わせして段差に接
着剤を介して接着する工程と、半導体装置に導電性粒子
を有する接着剤を形成する工程と、基板の基板配線と可
撓性フィルムのフィルム配線とに半導体装置の突起電極
を導電性粒子を介して接続する工程とを有することを特
徴とする。
【００９７】本発明の半導体装置は、段差を設け基板配
線を有する基板と、基板の段差と可撓性フィルムとの間
に設ける高さ調整用粒子を有する接着剤と、接着剤上に
設けるフィルム配線を有する可撓性フィルムと、可撓性
フィルムと基板とにまたがって設ける半導体装置とを有
し、半導体装置に設ける突起電極と可撓性フィルムのフ
ィルム配線との間と半導体装置に設ける突起電極と基板
の基板配線との間に設ける導電性粒子とを有し、半導体
装置と可撓性フィルムとの隙間と半導体装置と基板配線
との隙間に絶縁樹脂を有することを特徴とする。
【００９８】本発明の半導体装置の製造方法は、基板に
段差を形成する工程と、基板の段差に高さ調整用粒子を
有する接着剤を形成する工程と、可撓性フィルムを位置
合わせして段差に接着剤を介して接着する工程と、可撓
性フィルムのフィルム配線と基板の基板配線とにまたが
って導電性粒子を有する接着剤を形成する工程と、基板
の基板配線と可撓性フィルムのフィルム配線とに半導体
装置の突起電極を導電性粒子を介して接続する工程とを
有することを特徴とする。
【００９９】本発明の半導体装置の製造方法は、基板に
段差を形成する工程と、基板の段差に高さ調整用粒子を
有する接着剤を形成する工程と、可撓性フィルムを位置
合わせして段差に接着剤を介して接着する工程と、半導
体装置に導電性粒子を有する接着剤を形成する工程と、
基板の基板配線と可撓性フィルムのフィルム配線とに半
導体装置の突起電極を導電性粒子を介して接続する工程
とを有することを特徴とする。
【０１００】本発明の半導体装置の製造方法は、基板に
段差を形成する工程と、可撓性フィルムに高さ調整用粒
子を有する接着剤を形成する工程と、この可撓性フィル
ムを位置合わせして段差に接着剤を介して接着する工程
と、可撓性フィルムのフィルム配線と基板の基板配線と
にまたがって導電性粒子を有する接着剤を形成する工程
と、基板の基板配線と可撓性フィルムのフィルム配線と
に半導体装置の突起電極を導電性粒子を介して接続する
工程とを有することを特徴とする。
【０１０１】本発明の半導体装置の製造方法は、基板に
段差を形成する工程と、可撓性フィルムに高さ調整用粒
子を有する接着剤を形成する工程と、可撓性フィルムを
位置合わせして段差に接着剤を介して接着する工程と、
半導体装置に導電性粒子を有する接着剤を形成する工程
と、基板の基板配線と可撓性フィルムのフィルム配線と
に半導体装置の突起電極を導電性粒子を介して接続する
工程とを有することを特徴とする。
【０１０２】本発明の半導体装置は、段差を設け基板配
線を有する基板と、突出配線とフィルム配線とを設ける
可撓性フィルムと、この基板の段差上に設ける突出配線
と、突出配線上と基板上とにまたがって設ける半導体装
置とを有し、半導体装置と可撓性フィルムの突出配線と
の隙間と半導体装置と基板配線との隙間に絶縁樹脂を有
し、半導体装置の突起電極が可撓性フィルムの突出配線
と基板の基板配線とに接続することを特徴とする。
【０１０３】本発明の半導体装置の製造方法は、基板に
段差を形成する工程と、可撓性フィルムの突出配線を位
置合わせする工程と、突出配線上と基板配線上と基板上
とに絶縁樹脂を形成する工程と、基板の基板配線と可撓
性フィルムの突出配線とに半導体装置の突起電極を接続
する工程とを有することを特徴とする。
【０１０４】本発明の半導体装置の製造方法は、基板に
段差を形成する工程と、可撓性フィルムの突出配線を位
置合わせする工程と、基板の基板配線と可撓性フィルム
の突出配線とに半導体装置の突起電極を接続する工程
と、半導体装置と可撓性フィルムとの隙間と半導体装置
と基板配線との隙間に絶縁樹脂を形成する工程とを有す
ることを特徴とする。
【０１０５】本発明の半導体装置は、段差を設け基板配
線を有する基板と、突出配線とフィルム配線とを設ける
可撓性フィルムと、段差上に設ける突出配線と、段差上
に設ける突出配線側面を固定する接着剤と、突出配線と
基板とにまたがって設ける半導体装置とを有し、半導体
装置と可撓性フィルムの突出配線との隙間と半導体装置
と基板配線との隙間に絶縁樹脂を有し、半導体装置の突
起電極が可撓性フィルムの突出配線と基板の基板配線と
に接続することを特徴とする。
【０１０６】本発明の半導体装置の製造方法は、基板に
段差を形成する工程と、基板の段差に可撓性フィルムの
突出配線を位置合わせして突出配線側面を接着剤で固定
する工程と、突出配線上と基板配線上と基板上とに絶縁
樹脂を形成する工程と、基板の基板配線と可撓性フィル
ムの突出配線とに半導体装置の突起電極を接続する工程
とを有することを特徴とする。
【０１０７】本発明の半導体装置の製造方法は、基板に
段差を形成する工程と、基板の段差に可撓性フィルムの
突出配線を位置合わせして突出配線側面を接着剤で固定
する工程と、基板の基板配線と可撓性フィルムの突出配
線とに半導体装置の突起電極を接続する工程と、半導体
装置と突出配線との隙間と半導体装置と基板配線との隙
間に絶縁樹脂を形成する工程とを有することを特徴とす
る。
【０１０８】本発明の半導体装置は、段差を設け基板配
線を有する基板と、突出配線とフィルム配線とを設ける
可撓性フィルムと、段差上に設ける突出配線と、基板端
部側面上に設ける突出配線裏面を固定する接着剤と、突
出配線と基板とにまたがって設ける半導体装置とを有
し、半導体装置と突出配線との隙間と半導体装置と基板
配線との隙間に絶縁樹脂を有し、半導体装置の突起電極
は突出配線と基板の基板配線とに接続していることを特
徴とする。
【０１０９】本発明の半導体装置の製造方法は、基板に
段差を形成する工程と、基板の段差に可撓性フィルムの
突出配線を位置合わせして突出配線裏面を接着剤で固定
する工程と、突出配線上と基板配線上と基板上とに絶縁
樹脂を形成する工程と、基板の基板配線と突出配線とに
半導体装置の突起電極を接続する工程とを有することを
特徴とする。
【０１１０】本発明の半導体装置の製造方法は、基板に
段差を形成する工程と、基板の段差に可撓性フィルムの
突出配線を位置合わせして突出配線裏面を接着剤で固定
する工程と、基板の基板配線と可撓性フィルムの突出配
線とに半導体装置の突起電極を接続する工程と、半導体
装置と突出配線との隙間と半導体装置と基板配線との隙
間に絶縁樹脂を形成する工程とを有することを特徴とす
る。
【０１１１】本発明の半導体装置は、段差を設け基板配
線を有する基板と、突出配線とフィルム配線とを設ける
可撓性フィルムと、この基板の段差と突出配線との間に
設ける接着剤と、突出配線と基板とにまたがって設ける
半導体装置とを有し、半導体装置と突出配線との隙間と
半導体装置と基板配線との隙間に絶縁樹脂を有し、半導
体装置の突起電極は突出配線と基板の基板配線とに接続
していることを特徴とする。
【０１１２】本発明の半導体装置の製造方法は、基板に
段差を形成する工程と、基板の段差に接着剤を形成する
工程と、突出配線を接着剤上に位置合わせして接着する
工程と、突出配線上と基板配線上と基板上とに絶縁樹脂
を形成する工程と、基板の基板配線と可撓性フィルムの
突出配線とに半導体装置の突起電極を接続する工程とを
有することを特徴とする。
【０１１３】本発明の半導体装置の製造方法は、基板に
段差を形成する工程と、基板の段差に接着剤を形成する
工程と、突出配線を接着剤上に位置合わせして接着する
工程と、基板の基板配線と可撓性フィルムの突出配線と
に半導体装置の突起電極を接続する工程と、半導体装置
と可撓性フィルムとの隙間と半導体装置と基板配線との
隙間に絶縁樹脂を形成する工程とを有することを特徴と
する。
【０１１４】本発明の半導体装置の製造方法は、基板に
段差を形成する工程と、可撓性フィルムの突出配線に接
着剤を形成する工程と、突出配線を接着剤上に位置合わ
せして接着する工程と、突出配線上と基板配線上と基板
上とに絶縁樹脂を形成する工程と、基板の基板配線と可
撓性フィルムの突出配線とに半導体装置の突起電極を接
続する工程とを有することを特徴とする。
【０１１５】本発明の半導体装置の製造方法は、基板に
段差を形成する工程と、可撓性フィルムの突出配線に接
着剤を形成する工程と、突出配線を接着剤上に位置合わ
せして接着する工程と、基板の基板配線と可撓性フィル
ムの突出配線とに半導体装置の突起電極を接続する工程
と、半導体装置と可撓性フィルムとの隙間と半導体装置
と基板配線との隙間に絶縁樹脂を形成する工程とを有す
ることを特徴とする。
【０１１６】本発明の半導体装置は、段差を設け基板配
線を有する基板と、突出配線とフィルム配線とを設ける
可撓性フィルムと、基板の段差と突出配線との間に設け
る高さ調整用粒子を有する接着剤と、突出配線と基板と
にまたがって設ける半導体装置とを有し、半導体装置と
突出配線との隙間と半導体装置と基板配線との隙間に絶
縁樹脂を有し、半導体装置の突起電極は突出配線と基板
の基板配線とに接続していることを特徴とする。
【０１１７】本発明の半導体装置の製造方法は、基板に
段差を形成する工程と、基板の段差に高さ調整用粒子を
有する接着剤を形成する工程と、突出配線を接着剤上に
位置合わせして接着する工程と、突出配線上と基板配線
上と基板上とに絶縁樹脂を形成する工程と、基板の基板
配線と可撓性フィルムの突出配線とに半導体装置の突起
電極を接続する工程とを有することを特徴とする。
【０１１８】本発明の半導体装置の製造方法は、基板に
段差を形成する工程と、基板の段差に高さ調整用粒子を
有する接着剤を形成する工程と、突出配線を接着剤上に
位置合わせして接着する工程と、基板の基板配線と可撓
性フィルムの突出配線とに半導体装置の突起電極を接続
する工程と、半導体装置と可撓性フィルムとの隙間と半
導体装置と基板配線との隙間に絶縁樹脂を形成する工程
とを有することを特徴とする。
【０１１９】本発明の半導体装置の製造方法は、基板に
段差を形成する工程と、可撓性フィルムの突出配線に高
さ調整用粒子を有する接着剤を形成する工程と、突出配
線を接着剤上に位置合わせして接着する工程と、突出配
線上と基板配線上と基板上とに絶縁樹脂を形成する工程
と、基板の基板配線と可撓性フィルムの突出配線とに半
導体装置の突起電極を接続する工程とを有することを特
徴とする。
【０１２０】本発明の半導体装置の製造方法は、基板に
段差を形成する工程と、可撓性フィルムの突出配線に高
さ調整用粒子を有する接着剤を形成する工程と、突出配
線を接着剤上に位置合わせして接着する工程と、基板の
基板配線と可撓性フィルムの突出配線とに半導体装置の
突起電極を接続する工程と、半導体装置と可撓性フィル
ムとの隙間と半導体装置と基板配線との隙間に絶縁樹脂
を形成する工程とを有することを特徴とする。
【０１２１】本発明の半導体装置は、段差を設け基板配
線を有する基板と、突出配線とフィルム配線とを設ける
可撓性フィルムと、段差上に設ける突出配線と、段差上
に設ける突出配線側面を固定する接着剤と、突出配線と
基板とにまたがって設ける半導体装置とを有し、半導体
装置に設ける突起電極と可撓性フィルムの突出配線との
間と半導体装置に設ける突起電極と基板の基板配線との
間とに設ける導電性ペーストとを有することを特徴とす
る。
【０１２２】本発明の半導体装置の製造方法は、基基板
に段差を形成する工程と、基板の段差に可撓性フィルム
の突出配線を位置合わせして突出配線側面を接着剤で固
定する工程と、半導体装置に設ける突起電極に導電性ペ
ーストを形成する工程と、基板の基板配線と突出配線と
に半導体装置の突起電極を導電性ペーストを介して接続
する工程とを有することを特徴とする。
【０１２３】本発明の半導体装置は、段差を設け基板配
線を有する基板と、突出配線とフィルム配線とを設ける
可撓性フィルムと、段差上に設ける突出配線と、基板端
部側面上に設ける突出配線裏面を固定する接着剤と、、
突出配線と基板とにまたがって設ける半導体装置とを有
し、半導体装置に設ける突起電極と可撓性フィルムの突
出配線との間と半導体装置に設ける突起電極と基板の基
板配線との間とに設ける導電性ペーストとを有すること
を特徴とする。
【０１２４】本発明の半導体装置の製造方法は、基板に
段差を形成する工程と、基板の段差に可撓性フィルムの
突出配線を位置合わせして突出配線裏面を接着剤で固定
する工程と、半導体装置に設ける突起電極に導電性ペー
ストを形成する工程と、基板の基板配線と突出配線とに
半導体装置の突起電極を導電性ペーストを介して接続す
る工程とを有することを特徴とする。
【０１２５】本発明の半導体装置は、段差を設け基板配
線を有する基板と、突出配線とフィルム配線とを設ける
可撓性フィルムと、基板の段差と突出配線との間に設け
る接着剤と、突出配線と基板とにまたがって設ける半導
体装置とを有し、半導体装置に設ける突起電極と可撓性
フィルムの突出配線との間と半導体装置に設ける突起電
極と基板の基板配線との間とに設ける導電性ペーストを
有することを特徴とする。
【０１２６】本発明の半導体装置の製造方法は、基板に
段差を形成する工程と、この基板の段差に接着剤を形成
する工程と、突出配線を段差上に接着剤を介して接着す
る工程と、半導体装置に設ける突起電極に導電性ペース
トを形成する工程と、基板の基板配線と突出配線とに半
導体装置の突起電極を導電性ペーストを介して接続する
工程とを有することを特徴とする。
【０１２７】本発明の半導体装置の製造方法は、基板に
段差を形成する工程と、可撓性フィルムの突出配線に接
着剤を形成する工程と、この突出配線を段差上に接着剤
を介して接着する工程と、半導体装置に設ける突起電極
に導電性ペーストを形成する工程と、基板の基板配線と
可撓性フィルムの突出配線とに半導体装置の突起電極を
導電性ペーストを介して接続する工程とを有することを
特徴とする。
【０１２８】本発明の半導体装置は、段差を設け基板配
線を有する基板と、突出配線とフィルム配線とを設ける
可撓性フィルムと、基板の段差と突出配線との間に設け
る高さ調整用粒子を有する接着剤と、突出配線と基板と
にまたがって設ける半導体装置とを有し、半導体装置に
設ける突起電極と可撓性フィルムの突出配線との間と半
導体装置に設ける突起電極と基板の基板配線との間とに
設ける導電性ペーストを有することを特徴とする。
【０１２９】本発明の半導体装置の製造方法は、基板に
段差を形成する工程と、基板の段差に高さ調整用粒子を
有する接着剤を形成する工程と、突出配線を段差上に接
着剤を介して接着する工程と、半導体装置に設ける突起
電極に導電性ペーストを形成する工程と、基板の基板配
線と突出配線とに半導体装置の突起電極を導電性ペース
トを介して接続する工程とを有することを特徴とする。
【０１３０】本発明の半導体装置の製造方法は、基板に
段差を形成する工程と、可撓性フィルムの突出配線に高
さ調整用粒子を有する接着剤を形成する工程と、突出配
線を段差上に接着剤を介して接着する工程と、半導体装
置に設ける突起電極に導電性ペーストを形成する工程
と、基板の基板配線と可撓性フィルムの突出配線とに半
導体装置の突起電極を導電性ペーストを介して接続する
工程とを有することを特徴とする。
【０１３１】本発明の半導体装置は、段差を設け基板配
線を有する基板と、突出配線とフィルム配線とを設ける
可撓性フィルムと、基板の段差と突出配線との間に設け
る接着剤と、可撓性フィルムの突出配線と基板の基板配
線にまたがって設ける半導体装置とを有し、半導体装置
に設ける突起電極と可撓性フィルムの突出配線との間と
半導体装置に設ける突起電極と基板の基板配線との間に
設ける導電性粒子を有し、半導体装置と可撓性フィルム
との隙間と半導体装置と基板配線との隙間に導電性粒子
を含む絶縁樹脂を有することを特徴とする。
【０１３２】本発明の半導体装置の製造方法は、基板に
段差を形成する工程と、段差に突出配線を位置合わせす
る工程と、可撓性フィルムの突出配線と基板の基板配線
とにまたがって導電性粒子を有する接着剤を形成する工
程と、基板の基板配線と可撓性フィルムのフィルム配線
とに半導体装置の突起電極を導電性粒子を介して接続す
る工程とを有することを特徴とする。
【０１３３】本発明の半導体装置の製造方法は、基板に
段差を形成する工程と、段差に突出配線を位置合わせす
る工程と、半導体装置に導電性粒子を有する接着剤を形
成する工程と、基板の基板配線と可撓性フィルムのフィ
ルム配線とに半導体装置の突起電極を導電性粒子を介し
て接続する工程とを有することを特徴とする。
【０１３４】本発明の半導体装置は、段差を設け基板配
線を有する基板と、突出配線とフィルム配線とを設ける
可撓性フィルムと、段差上に設ける突出配線と、段差上
に設ける突出配線の側面を固定する接着剤と、可撓性フ
ィルムの突出配線と基板とにまたがって設ける半導体装
置とを有し、半導体装置に設ける突起電極と可撓性フィ
ルムの突出配線との間と半導体装置に設ける突起電極と
基板の基板配線との間に設ける導電性粒子を有し、半導
体装置と可撓性フィルムとの隙間と半導体装置と基板配
線との隙間に導電性粒子を含む絶縁樹脂を有することを
特徴とする。
【０１３５】本発明の半導体装置の製造方法は、基板に
段差を形成する工程と、段差に突出配線を位置合わせし
て突出配線の側面部を接着剤で固定する工程と、可撓性
フィルムの突出配線と基板の基板配線とにまたがって導
電性粒子を有する接着剤を形成する工程と、基板の基板
配線と可撓性フィルムのフィルム配線とに半導体装置の
突起電極を導電性粒子を介して接続する工程とを有する
ことを特徴とする。
【０１３６】本発明の半導体装置の製造方法は、基板に
段差を形成する工程と、段差に突出配線を位置合わせし
て突出配線の側面を接着剤で固定する工程と、半導体装
置に導電性粒子を有する接着剤を形成する工程と、基板
の基板配線と可撓性フィルムのフィルム配線とに半導体
装置の突起電極を導電性粒子を介して接続する工程とを
有することを特徴とする。
【０１３７】本発明の半導体装置は、段差を設け基板配
線を有する基板と、突出配線とフィルム配線とを設ける
可撓性フィルムと、段差上に設ける突出配線と、基板端
部側面上に設ける突出配線裏面を固定する接着剤と、可
撓性フィルムの突出配線と基板とにまたがって設ける半
導体装置とを有し、半導体装置に設ける突起電極と可撓
性フィルムの突出配線との間と半導体装置に設ける突起
電極と基板の基板配線との間に設ける導電性粒子を有
し、半導体装置と可撓性フィルムとの隙間と半導体装置
と基板配線との隙間に導電性粒子を含む絶縁樹脂を有す
ることを特徴とする。
【０１３８】本発明の半導体装置の製造方法は、基板に
段差を形成する工程と、この段差に突出配線を位置合わ
せして突出配線の裏面を接着剤を用いて固定する工程
と、可撓性フィルムの突出配線と基板の基板配線とにま
たがって導電性粒子を有する接着剤を形成する工程と、
基板の基板配線と可撓性フィルムのフィルム配線とに半
導体装置の突起電極を導電性粒子を介して接続する工程
とを有することを特徴とする。
【０１３９】本発明の半導体装置の製造方法は、基板に
段差を形成する工程と、段差に突出配線を位置合わせし
て突出配線の裏面を接着剤で固定する工程と、半導体装
置に導電性粒子を有する接着剤を形成する工程と、基板
の基板配線と可撓性フィルムのフィルム配線とに半導体
装置の突起電極を導電性粒子を介して接続する工程とを
有することを特徴とする。
【０１４０】本発明の半導体装置は、段差を設け基板配
線を有する基板と、突出配線とフィルム配線とを設ける
可撓性フィルムと、基板の段差と突出配線との間に設け
る接着剤と、突出配線と基板とにまたがって設ける半導
体装置とを有し、半導体装置に設ける突起電極と可撓性
フィルムの突出配線との間と半導体装置に設ける突起電
極と基板の基板配線との間とに設ける導電性粒子を有
し、半導体装置と可撓性フィルムとの隙間と半導体装置
と基板配線との隙間に導電性粒子を含む絶縁樹脂を有す
ることを特徴とする。
【０１４１】本発明の半導体装置の製造方法は、基板に
段差を形成する工程と、この基板の段差に接着剤を形成
する工程と、突出配線を段差上に接着剤を介して接着す
る工程と、突出配線と基板の基板配線とにまたがって導
電性粒子を有する接着剤を形成する工程と、基板の基板
配線と突出配線とに半導体装置の突起電極を導電性粒子
を介して接続する工程とを有することを特徴とする。
【０１４２】本発明の半導体装置の製造方法は、基板に
段差を形成する工程と、この基板の段差に接着剤を形成
する工程と、突出配線を段差上に接着剤を介して接着す
る工程と、半導体装置に導電性粒子を有する接着剤を形
成する工程と、基板の基板配線と突出配線とに半導体装
置の突起電極を導電性粒子を介して接続する工程とを有
することを特徴とする。
【０１４３】本発明の半導体装置の製造方法は、基板に
段差を形成する工程と、可撓性フィルムの突出配線に接
着剤を形成する工程と、この突出配線を段差上に接着剤
を介して接着する工程と、突出配線と基板の基板配線と
にまたがって導電性粒子を有する接着剤を形成する工程
と、基板の基板配線と突出配線とに半導体装置の突起電
極を導電性粒子を介して接続する工程とを有することを
特徴とする。
【０１４４】本発明の半導体装置の製造方法は、基板に
段差を形成する工程と、可撓性フィルムの突出配線に接
着剤を形成する工程と、突出配線を段差上に接着剤を介
して接着する工程と、半導体装置に導電性粒子を有する
接着剤を形成する工程と、基板の基板配線と突出配線と
に半導体装置の突起電極を導電性粒子を介して接続する
工程とを有することを特徴とする。
【０１４５】本発明の半導体装置は、段差を設け基板配
線を有する基板と、突出配線とフィルム配線とを設ける
可撓性フィルムと、基板の段差と突出配線との間に設け
る高さ調整用粒子を有する接着剤と、突出配線と基板と
にまたがって設ける半導体装置とを有し、半導体装置に
設ける突起電極と可撓性フィルムの突出配線との間と半
導体装置に設ける突起電極と基板の基板配線との間とに
設ける導電性粒子を有し、半導体装置と可撓性フィルム
との隙間と半導体装置と基板配線との隙間に導電性粒子
を含む絶縁樹脂を有することを特徴とする。
【０１４６】本発明の半導体装置の製造方法は、基板に
段差を形成する工程と、この基板の段差に高さ調整用粒
子を有する接着剤を形成する工程と、突出配線を段差上
に接着剤を介して接着する工程と、突出配線と基板の基
板配線とにまたがって導電性粒子を有する接着剤を形成
する工程と、基板の基板配線と突出配線とに半導体装置
の突起電極を導電性粒子を介して接続する工程とを有す
ることを特徴とする。
【０１４７】本発明の半導体装置の製造方法は、基板に
段差を形成する工程と、基板の段差に高さ調整用粒子を
有する接着剤を形成する工程と、突出配線を段差上に接
着剤を介して接着する工程と、半導体装置に導電性粒子
を有する接着剤を形成する工程と、基板の基板配線と突
出配線とに半導体装置の突起電極を導電性粒子を介して
接続する工程とを有することを特徴とする。
【０１４８】本発明の半導体装置の製造方法は、基板に
段差を形成する工程と、可撓性フィルムの突出配線に高
さ調整用粒子を有する接着剤を形成する工程と、突出配
線を段差上に接着剤を介して接着する工程と、突出配線
と基板の基板配線とにまたがって導電性粒子を有する接
着剤を形成する工程と、基板の基板配線と突出配線とに
半導体装置の突起電極を導電性粒子を介して接続する工
程とを有することを特徴とする。
【０１４９】本発明の半導体装置の製造方法は、基板に
段差を形成する工程と、可撓性フィルムの突出配線に高
さ調整用粒子を有する接着剤を形成する工程と、突出配
線を段差上に接着剤を介して接着する工程と、半導体装
置に導電性粒子を有する接着剤を形成する工程と、基板
の基板配線と突出配線とに半導体装置の突起電極を導電
性粒子を介して接続する工程とを有することを特徴とす
る。
【０１５０】
【作用】本発明の半導体装置では、基板に段差を設け
る。このことにより、半導体装置の突起電極と可撓性フ
ィルムのフィルム配線を直接接続することが可能にな
る。よって、従来例で説明したＣＯＧ法よりも実装面積
を可撓性フィルムを接続した分だけ小さくすることが可
能になる。
【０１５１】接続本数は従来例のＣＯＧ法と同等の本数
が可能であるため、ＴＡＢ法で問題となる接続本数の制
約はなく、そのうえ使用する半導体装置の個数も少なく
することが可能になる。これによって、微細ピッチ寸法
で半導体装置を接続することができ、さらに実装コスト
は従来より安く、商品価値の高い画像表示装置を提供す
ることが可能になる。
【０１５２】
【実施例】以下図面を用いて本発明の実施例における半
導体装置およびその製造方法を説明する。なお、以下の
本発明の実施例の説明は、半導体装置を液晶表示装置へ
適用した例で説明する。
【０１５３】以下に本発明の実施例における半導体装置
の構造とその製造方法を説明する。第１の実施例を図１
から図６を用いて説明する。図１と図２と図３と図４と
図５は半導体装置とその製造方法を工程順に示す断面図
であり、図６は半導体装置を示す断面図である。
【０１５４】まずはじめに図６を用いて、本発明の実施
例における半導体装置の実装構造を説明する。
【０１５５】図６に示すように、液晶表示装置の一方の
基板で構成する基板１２と、液晶表示装置を駆動する半
導体装置１１と、液晶表示装置への信号の入力を行う可
撓性フィルム２１とを設ける。
【０１５６】基板１２には基板配線２３と、可撓性フィ
ルム２１を収納するための段差１５を設ける。
【０１５７】可撓性フィルム２１の先端部と段差１５の
側壁部との間には、隙間を設けてある。
【０１５８】可撓性フィルム２１の上面にはフィルム配
線２２を設ける。そしてこの可撓性フィルム２１を段差
１５に搭載したとき、フィルム配線２２の上面と、基板
配線２３の上面とがほぼ同一平面になるように構成す
る。
【０１５９】半導体装置１１には信号の入出力端子であ
る突起電極１３を設ける。そして、この半導体装置１１
は、基板１２とフィルム配線２２との双方にまたがって
設けてある。
【０１６０】半導体装置１１と、可撓性フィルム２１と
基板１２との接続は突起電極１３をフィルム配線２２と
基板配線２３とに接触させることにより行う。そして半
導体装置１１と、基板１２と可撓性フィルム２１との間
には絶縁樹脂２４を設ける。
【０１６１】そしてこの絶縁樹脂２４は、好ましくは硬
化後引張応力が働くような材料を選択して、半導体装置
１１の接続信頼性を確保する。
【０１６２】つぎにこの図６に示す本発明の実施例にお
ける半導体装置を形成するための製造方法を、図１から
図６を使って説明する。
【０１６３】まずはじめに図１に示すように、基板配線
２３を形成した液晶表示装置の一方の基板１２に段差１
５を形成する。
【０１６４】基板配線２３は、真空蒸着法やスパッタリ
ング法やエレクトロンビーム法により形成するＩＴＯ
（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：酸化インジウム
スズ）やクロム（Ｃｒ）やニッケル（Ｎｉ）やタンタル
（Ｔａ）や金（Ａｕ）やチタン（Ｔｉ）からなる。基板
１２はソーダライム系ガラスやホウ珪酸系ガラスや石英
ガラスからなる。
【０１６５】段差１５は、ダイヤモンド粉を表面に付着
させた研磨装置を使って加工する方法や、細かい砂を吹
き付けて加工を行うサンドブラスト方法や、段差１５に
対応する開口パターンを形成したマスクを使用してスパ
ッタエッチングする方法や、段差１５に対応する開口パ
ターンを形成したマスクを使用して王水やフッ酸でエッ
チングする方法により形成する。
【０１６６】段差１５の側壁部は、図１では垂直形状に
なるよう図示してあるが、基板１２表面に対してプラス
マイナス４５度以内であれば角度がついていてもよい。
【０１６７】さらに、図１では段差１５の側壁部は、直
線形状で図示しているが、曲線形状に形成してもよい。
【０１６８】この段差１５の深さ寸法は、好ましくは後
工程で、この段差１５上に設けるフィルム配線２２を有
する可撓性フィルム２１の厚さのプラスマイナス１０％
以内の寸法とする。
【０１６９】段差１５の幅寸法は、半導体装置１１上の
対向する２辺に設ける突起電極１３間の距離寸法よりも
広ければよく、おおむね０．１ｍｍ〜５ｍｍあればよ
い。
【０１７０】なお、図１では段差１５の形成は液晶表示
装置の画像表示部分が完成した後で行っているが、液晶
表示装置の画像表示部分が完成する前の工程において、
基板１２へ基板配線２３を形成した後のこうていで、段
差１５を形成してもよい。
【０１７１】つぎに図２に示すように、段差１５の上に
フィルム配線２２を有する可撓性フィルム２１を仮固定
器３１を用いて仮固定する。このとき可撓性フィルム２
１の先端部と段差１５の側壁部との間には、隙間３２を
設けて所定の位置に仮固定する。
【０１７２】この仮固定器３１は、可撓性フィルム２１
の基板１２の段差１５の固定側と反対側を挟むように保
持して、基板１２と可撓性フィルム２１との相互位置が
ずれないようにしている。
【０１７３】可撓性フィルム２１は、ポリイミドやポリ
エチレンやテフロンやナイロンから構成する。そして、
フィルム配線２２は真空蒸着法やスパッタリング法や圧
延法により金（Ａｕ）や銅（Ｃｕ）やハンダやニッケル
（Ｎｉ）や銀（Ａｇ）やスズ（Ｓｎ）や、あるいはこれ
らの金属の合金や、あるいはこれらの金属被膜の多層膜
からなる。
【０１７４】図２で示すように、仮固定器３１で段差１
５上に可撓性フィルム２１を仮固定した場合、図４ある
いは図５で示す絶縁樹脂２４を硬化させるまで、可撓性
フィルムを２１を仮固定しておく必要がある。
【０１７５】可撓性フィルム２１の先端部と段差１５の
側壁部との間の隙間３２は、フィルム配線２２と基板配
線２３との絶縁性を保つために、２μｍ以上寸法で隙間
を設けることが望ましい。
【０１７６】つぎに図３に示すように、半導体装置１１
の外形寸法とほぼ同じ大きさになるように、可撓性フィ
ルム２１のフィルム配線２２から段差１５を経由して基
板配線２３にまたがって絶縁樹脂２４を形成する。この
絶縁樹脂２４は、スクリーン印刷法や、ディップ法や、
あるいはディスペンサを使用して一定量形成する。
【０１７７】絶縁樹脂２４の厚さは、半導体装置１１の
突起電極１３の高さ寸法よりも厚く形成することが望ま
しい。
【０１７８】半導体装置１１に設ける突起電極１３は、
電解メッキ処理や、無電解メッキ処理により形成する
か、あるいはワイヤーボンディングのボールを半導体装
置１１の電極にワイヤーボンディング後、ワイヤーを切
断して形成する。
【０１７９】突起電極１３は導電性の物質であればよい
が、好ましくは金（Ａｕ）やハンダやスズ（Ｓｎ）で形
成するか、あるいは突起電極１３の表面をこれらの金属
で覆う。このようにすると、半導体装置１１を基板１２
や可撓性フィルム２１に加圧するときに、突起電極１３
の塑性変形が容易となって、接触面積を大きくすること
ができる。
【０１８０】つぎに図５に示すように、半導体装置１１
に形成する突起電極１３と、フィルム配線２２と基板配
線２３とを位置合わせする。その後、ヒートツール２８
を用いて加圧加熱し、絶縁樹脂２４を半導体装置１１の
突起電極１３先端部から排斥して、半導体装置１１の突
起電極１３と、フィルム配線２２と基板配線２３とを互
いに接触させて、電気的な接続を取り、図６に示す半導
体装置が完成する。
【０１８１】絶縁樹脂２４としてエポキシ系樹脂やシリ
コーン系樹脂などの熱硬化型樹脂を用いた場合には、圧
接した際にヒートツール２８の加熱を行って絶縁樹脂２
４を硬化させる。
【０１８２】ヒートツール２８が加圧機能しかない場合
には、加圧した状態のまま液晶表示装置全体を加熱炉に
投入して、絶縁樹脂２４を硬化させてもよい。
【０１８３】絶縁樹脂２４としてアクリル系樹脂などの
光硬化性樹脂を用いた場合には、図５に示すように、半
導体装置１１を圧接しているときに、ヒートツール２８
で圧接した側とは反対側から基板１２を通して光照射器
３４で光を照射して絶縁樹脂２４を硬化させる。
【０１８４】本発明の半導体装置においては、基板１２
に段差１５を設けることにより、半導体装置１１の突起
電極１３と可撓性フィルム２１のフィルム配線２２を直
接接続することが可能になる。よって、図４２を用いて
従来例で説明したＣＯＧ法よりも、実装面積を可撓性フ
ィルムを接続した面積分だけ小さくすることが可能にな
る。
【０１８５】本発明の半導体装置の接続本数は従来例の
ＣＯＧ法と同等の本数が可能であるため、ＴＡＢ法で問
題となる接続本数の制約はなく、そのうえ使用する半導
体装置の数も少なくすることが可能になる。これによっ
て、本発明の実装コストは従来より安く、しかも商品価
値の高い画像表示装置を提供することが可能になる。
【０１８６】つぎに図１から図６を用いて説明した実施
例とは別の実施例を説明する。半導体装置１１を接続す
る際の別の製造方法として、図７を用いて説明する。
【０１８７】図７に示すように、半導体装置１１を基板
１２に圧接して、突起電極１３をフィルム配線２２と基
板配線２３とに互いに接触させ電気的な接続をとる。そ
してこの状態を維持したまま絶縁樹脂（図示せず）を半
導体装置１１の側面から、半導体装置１１と基板１２と
可撓性フィルム２１との間に浸透させて充填し、その後
絶縁樹脂２４を硬化する方法でもよい。
【０１８８】つぎに以上の説明と異なる実施例における
半導体装置を説明する。可撓性フィルム２１を段差１５
に仮固定するとき、可撓性フィルム２１の先端部と段差
１５側壁部との間に隙間３２を設けない場合のフィルム
配線２２と基板配線２３との構造に関する他の実施例に
おける構造を、図８と図９と図１０を用いて以下に説明
する。
【０１８９】図８と図９と図１０は、本発明の実施例の
半導体装置における可撓性フィルム２１を段差１５に収
納したときの構造を示す断面図である。なおこの図８と
図９と図１０とにおいては、半導体装置１１は図示して
いない。
【０１９０】可撓性フィルム２１を段差１５に収納する
とき、可撓性フィルム２１の先端部と段差１５の側壁部
との間に隙間３２を設けない場合は、入力信号を受けも
つフィルム配線２２と出力信号を受けもつ基板配線２３
との電気的短絡を避けなければならない。このために、
図８と図９と図１０とに示すように、基板配線２３とフ
ィルム配線２２との間に２μｍ以上の隙間３２を設け
る。
【０１９１】図８はフィルム配線２２が可撓性フィルム
２１先端部まで設けてある場合で、このときは基板配線
２３を段差１５の側壁部から２μｍ以上後退させて隙間
３２を設ける。
【０１９２】図９は基板配線２３が段差１５の側壁部ま
で設けてある場合で、このときはフィルム配線２２を可
撓性フィルム２１先端部から２μｍ以上後退させて隙間
３２を設ける。
【０１９３】図１０は基板配線２３が段差１５の側壁部
から後退し、またフィルム配線２２が可撓性フィルム２
１先端部から後退した場合で、それぞれの後退している
距離を合計して２μｍ以上離す。
【０１９４】以上図８と図９と図１０とを用いて説明し
た実施例では、フィルム配線２２と基板配線２３の可撓
性フィルム２１や基板１２に対する位置関係は、段差１
５の側壁部が垂直形状の場合で説明した。
【０１９５】しかしながら、段差１５の側壁部が垂直形
状でない場合において、可撓性フィルム２１と段差１５
の側壁の一部が接触した構造においても、フィルム配線
２２と基板配線２３との電気的短絡の発生を防止するた
めに、図８と図９と図１０とに示す構造を採用すればよ
い。さらに、可撓性フィルム２１と段差１５側壁部に隙
間がある場合にも、図８と図９と図１０とに示すフィル
ム配線２２と基板配線２３との構造は適用可能である。
【０１９６】つぎに本発明の実施例の段差１５への可撓
性フィルム２１の接続構造とその製造方法とを説明す
る。可撓性フィルム２１を段差１５に収納するとき、可
撓性フィルム２１を接着剤を用いて段差１５に固定する
場合の構造と製造方法とを、図１１から図１５を用いて
説明する。
【０１９７】図１１と図１３と図１４と図１５は接着剤
１６を用いて可撓性フィルム２１を段差１５に固定した
状態を示す断面図であり、図１２は接着剤１６を用いて
可撓性フィルム２１を段差１５に固定した状態を示す平
面図である。
【０１９８】図２を用いて説明した基板１２の段差１５
へ可撓性フィルム２１を収納し仮固定した状態におい
て、図１１と図１２に示すように、可撓性フィルム２１
の側面部に接着剤１６を設け、段差１５に可撓性フィル
ム２１を固定する。
【０１９９】この図１１と図１２とに示す可撓性フィル
ム２１の側面部に設ける接着剤１６は、ディスペンサを
用いて形成する。
【０２００】図１１と図１２に示すように、可撓性フィ
ルム２１の側面を接着剤１６で固定した場合、図３と図
４と図５で示す仮固定器３１は不要となるため、作業性
が向上する。
【０２０１】図１２では可撓性フィルム２１と段差１５
との２箇所に接着剤１６を形成する例で説明したが、可
撓性フィルム２１と段差１５に固定した後の製造工程で
設ける半導体装置１１に構造上干渉しなければ、側面の
別の場所の複数箇所に接着剤１６を用いて固定してもよ
く、さらに側面全体を接着剤１６で固定してもよい。
【０２０２】接着剤１６は熱硬化型樹脂や、熱可塑型樹
脂や、室温硬化型樹脂や、光硬化型樹脂からなる接着剤
を用いる。そして接着剤１６は、望ましくはシアノアク
リレート系樹脂や、エポキシ系樹脂や、シリコーン系樹
脂や、ウレタン系樹脂や、アラミド系樹脂や、ポリイミ
ド系樹脂や、これらの樹脂の複合体からなり、室温で１
０分以内の時間で硬化する樹脂を用いる。
【０２０３】可撓性フィルム２１を段差１５に接着剤１
６で固定する他の実施例における構造としては、図１３
に示すように、接着剤１６を可撓性フィルム２１の裏面
と基板１２の端部側面とに設けてもよい。
【０２０４】図１３に示すような可撓性フィルム２１の
裏面と基板１２の端部側面に設ける接着剤１６は、ディ
スペンサを用いて形成する。
【０２０５】可撓性フィルム２１を段差１５に接着剤１
６で固定する他の実施例における構造としては、図１４
に示すように、可撓性フィルム２１と段差１５との間に
接着剤１６を設けてもよい。
【０２０６】この図１４に示すような構造の場合、段差
１５上に接着剤１６をディスペンサを用いて形成し、そ
の接着剤１６上に可撓性フィルム２１を位置合わせし、
その後ヒートツール２８を用いて加圧加熱を行い接着剤
１６を硬化させる。
【０２０７】図１４に示す可撓性フィルム２１と段差１
５との間を接着剤１６を用いて固定する上記とは別の製
造方法としては、可撓性フィルム２１側に接着剤１６を
ディスペンサを用いて形成し、段差１５上に位置合わせ
し、その後ヒートツール２８を用いて加圧加熱を行い接
着剤１６を硬化させる。
【０２０８】図１４に示すように、ヒートツール２８を
基板配線２３の上面にも接触するように加圧すると、高
さの基準が簡便に取れて、接着剤１６の厚さを適正寸法
に制御することができる。このため、フィルム配線２２
と基板配線２３との上面を同一平面にし、平坦性が出し
やすくなるという効果が得られる。
【０２０９】さらに別の実施例における段差１５への可
撓性フィルム２１の接続手段を、図１５の断面図を用い
て説明する。
【０２１０】図１５で示すように、接着剤１６の中に厚
さ調整用粒子１７を混入する。すると、加圧時に厚さ調
整用粒子１７が変形して、図１３に示した場合よりさら
に、フィルム配線２２と基板配線２３との上面の平坦性
が出しやすくなるという効果が得られる。
【０２１１】そして、可撓性フィルム２１の厚さ寸法を
変更した場合でも、厚さ調整用粒子１７の粒径を調整す
ることで、フィルム配線２２と基板配線２３との上面の
平坦性を保つことが可能である効果が得られる。
【０２１２】厚さ調整用粒子１７は、粒径が１μｍから
２００μｍで、プラスマイナス１０％以内で揃ったプラ
スチックビーズや金属粉や金属被覆されたプラスチック
ビーズを用い、接着剤１６中に５ｗｔ％〜４０ｗｔ％混
入したものを使用する。
【０２１３】可撓性フィルム２１と段差１５との間の絶
縁性が要求される場合は、厚さ調整用粒子１７としてプ
ラスチックビーズを用いる。これに対して、アースなど
をとるため可撓性フィルム２１と段差１５との導通性が
要求される場合は、金属粉や金属被覆されたプラスチッ
クビーズを厚さ調整用粒子１７として用いる。
【０２１４】厚さ調整用粒子１７はプラスチックビーズ
の場合はポリスチレンとブタジエンの共重合体や、ポリ
スチレンや、ナイロンや、ポリメチルメタクリレート
や、ポリイミドや、アラミドなどの高分子体から構成す
る。
【０２１５】これに対して、導電性を付与する場合は、
厚さ調整用粒子１７としてプラスチックビーズ表面にニ
ッケル（Ｎｉ）や、金（Ａｕ）などを無電解メッキで形
成する。金属の場合は、銅（Ｃｕ）や金（Ａｕ）やスズ
（Ｓｎ）や銀（Ａｇ）やニッケル（Ｎｉ）などの金属単
体あるいはハンダなどの合金から構成する。
【０２１６】図１４と図１５に示すように、接着剤１６
が可撓性フィルム２１と段差１５との間にある構造で、
接着剤１６が液状の場合は、前述のようにディスペンサ
で可撓性フィルム２１側あるいは段差１５側に供給す
る。しかし、接着剤１６がシート状の場合は所定の大き
さに切り出して可撓性フィルム２１側あるいは段差１５
側にシート状の接着剤１６を張り付ける。
【０２１７】つぎに本発明の実施例の半導体装置におけ
る可撓性フィルム２１の他の実施例における構造を、図
１６と図１７とを用いて説明する。
【０２１８】図１６はフィルム配線２２ａとフィルム配
線２２ｂとを設ける可撓性フィルム２１を段差１５に収
納した状態を示す断面図であり、図１７はフィルム配線
２２ａとフィルム配線２２ｂとを設ける可撓性フィルム
２１を示す平面図である。なお図１６においては、半導
体装置１１の図示は省略してある。
【０２１９】図２を用いて説明した実施例では、フィル
ム配線２２を片面に設ける構造の可撓性フィルム２１を
用いる例で説明したが、図１６に示すように、可撓性フ
ィルム２１の両面にフィルム配線２２ａとフィルム配線
２２ｂとを設けてもよい。
【０２２０】さらにまた、図１６を用いて説明した可撓
性フィルム２１は、両面にフィルム配線２２ａ、２２ｂ
を設ける実施例で示したが、フィルム配線を絶縁層を介
して多層に設ける多層構造の可撓性フィルムを用いても
よい。
【０２２１】図１７は、図１６で用いた本発明の実施例
に用いる可撓性フィルム２１のフィルム配線を共通化し
た場合の構造を示す。
【０２２２】図１６に示す半導体装置１１の入力などの
共通化可能な端子と接続するフィルム配線２２を、図１
７に示すフィルム配線２２ａのように形成することが可
能である。
【０２２３】図１７に示す可撓性フィルム２１を使用し
た場合、フィルム配線２２ａとフィルム配線２２ｂとを
共通化することができるため、１枚の可撓性フィルム２
１で複数個の半導体装置を実装することが可能となる。
【０２２４】したがって、可撓性フィルムの実装コスト
はそのままで、半導体装置を増加することが可能となり
接続本数を増加することが可能になり、より高精細な画
像表示装置に対応することができる。
【０２２５】つぎに本発明のほかの実施例における半導
体装置を、図１と図１１と図１２と図１８とを用いて説
明する。図１と図１１と図１８は半導体装置とその製造
方法を工程順に示す断面図であり、図１６は本発明の実
施例における半導体装置を示す断面図である。図１２は
基板の段差に可撓性フィルムを収納した状態を示す平面
図である。
【０２２６】まずはじめに図１８を用いて、本発明の実
施例における半導体装置の構造を説明する。
【０２２７】図１８に示すように、液晶表示装置の一方
の基板で構成する基板１２と、液晶表示装置を駆動する
半導体装置１１と、液晶表示装置への信号の入力を行う
可撓性フィルム２１とを設ける。
【０２２８】基板１２には基板配線２３と、可撓性フィ
ルム２１を収納するための段差１５を設ける。
【０２２９】可撓性フィルム２１の先端部と段差１５の
側壁部との間には、基板配線２３とフィルム配線２２と
が接触して短絡しないようにするため、隙間を設けてあ
る。
【０２３０】可撓性フィルム２１の上面にはフィルム配
線２２を設ける。そしてこの可撓性フィルム２１を、段
差１５に接着剤１６を用いて固定するように搭載したと
き、フィルム配線２２の上面と、基板配線２３の上面と
がほぼ同一平面になるように構成する。
【０２３１】半導体装置１１には信号の入出力端子であ
る突起電極１３を設ける。そして、この半導体装置１１
は基板１２とフィルム配線２２との双方にまたがって設
けてある。
【０２３２】半導体装置１１と、可撓性フィルム２１と
基板１２との接続は、突起電極１３と、フィルム配線２
２と基板配線２３とを導電性ペースト１４を介して行
う。
【０２３３】つぎにこの図１８に示す本発明の実施例に
おける半導体装置を形成するための製造方法を、図１と
図１１と図１８を使って説明する。
【０２３４】まずはじめに図１に示すように、基板配線
２３を形成した液晶表示装置の一方の基板１２に段差１
５を形成する。
【０２３５】基板配線２３は、真空蒸着法やスパッタリ
ング法やエレクトロンビーム法により形成するＩＴＯ
（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：酸化インジウム
スズ）やクロム（Ｃｒ）やニッケル（Ｎｉ）やタンタル
（Ｔａ）や金（Ａｕ）やチタン（Ｔｉ）から構成する。
さらに、基板１２はソーダライム系ガラスやホウ珪酸系
ガラスや石英ガラスから構成する。
【０２３６】この段差１５は、ダイヤモンド粉を表面に
付着させた研磨装置を使って加工する方法や、細かい砂
を吹き付けて加工を行うサンドブラスト方法や、あるい
は段差１５に対応するパターンを形成したマスクを使用
してスパッタエッチングする方法や、段差１５に対応す
るパターンを形成したマスクを使用して王水やフッ酸で
エッチングする方法により形成する。
【０２３７】段差１５の側壁部は、図１では垂直形状に
なるよう図示しているが、基板１２の表面に対してプラ
スマイナス４５度以内であれば角度がついていてもよ
い。
【０２３８】さらに、図１では段差１５の側壁部は、直
線形状で図示しているが、曲線形状に形成してもよい。
【０２３９】この段差１５の深さ寸法は、好ましくは後
工程で、この段差１５上に設けるフィルム配線２２を有
する可撓性フィルム２１の厚さのプラスマイナス１０％
以内の寸法とする。
【０２４０】段差１５の幅寸法は、半導体装置１１上の
対向する辺に設ける突起電極１３間の距離寸法よりも広
ければよく、おおむね０．１ｍｍ〜５ｍｍあればよい。
【０２４１】なお、図１では段差１５の形成は液晶表示
装置の画像表示部分が完成した後で行っているが、液晶
表示装置の画像表示部分が完成する前の工程において、
基板１２へ基板配線２３を形成した後の工程で、段差１
５を形成してもよい。
【０２４２】つぎに図１１と図１２に示すように、段差
１５の上にフィルム配線２２を有する可撓性フィルム２
１を位置合わせして可撓性フィルム２１の側面を接着剤
１６で固定する。
【０２４３】可撓性フィルム２１はポリイミドやポリエ
チレンやテフロンやナイロンから構成する。そして、フ
ィルム配線２２は真空蒸着法やスパッタリング法や圧延
法により、金（Ａｕ）や銅（Ｃｕ）やハンダやニッケル
（Ｎｉ）や銀（Ａｇ）やスズ（Ｓｎ）や、あるいはこれ
らの金属の合金や、あるいはこれらの金属被膜の多層膜
から構成する。
【０２４４】図１２では可撓性フィルム２１と段差１５
の２箇所に接着剤１６を形成する実施例で説明したが、
段差１５に可撓性フィルム２１を固定した後の製造工程
で設ける半導体装置１１に構造上干渉しなければ、側面
の別の場所の複数箇所に接着剤１６を用いて固定しても
よく、さらに側面全体を接着剤１６によって固定しても
よい。
【０２４５】可撓性フィルム２１の先端部と段差１５の
側壁部との間の隙間３２は、フィルム配線２２と基板配
線２３との絶縁性を保つために２μｍ以上の寸法で設け
ることが望ましい。
【０２４６】つぎに、半導体装置１１に設ける突起電極
１３上に導電性ペースト１４を、スクリーン印刷法や、
ディップ法や、あるいはディスペンサを使用して一定量
形成する。
【０２４７】この半導体装置１１に設ける突起電極１３
は、電解メッキ処理や、無電解メッキ処理により形成す
るか、あるいはワイヤーボンディングのボールを半導体
装置１１の電極にワイヤーボンディング後ワイヤーを切
断して形成する。
【０２４８】導電性ペースト１４としては、エポキシ系
あるいはシリコーン系樹脂に粒径が０．１μｍから１０
μｍの金や銀や銅やパラジウムやチタンやスズや鉛やハ
ンダを単独あるいは２種類以上混合した粉体を５０ｗｔ
％から９０ｗｔ％混合したものを用いる。
【０２４９】図１８に示すように、導電性ペースト１４
を突起電極１３へ形成後、半導体装置１１の突起電極１
３をフィルム配線２２と基板配線２３の位置に位置合わ
せして、突起電極１３をフィルム配線２２と基板配線２
３とに導電性ペースト１４を介して接続する。
【０２５０】この半導体装置１１を接続後、８０℃〜１
５０℃の温度で加熱処理を行い、導電性ペースト１４を
硬化させる。
【０２５１】本発明の半導体装置においては、基板１２
に段差１５を設けることにより、半導体装置１１の突起
電極１３と可撓性フィルム２１のフィルム配線２２を直
接接続することが可能になる。よって、図４２の従来例
で説明したＣＯＧ法よりも、実装面積は可撓性フィルム
を接続した面積分だけ小さくすることが可能になる。
【０２５２】本発明における接続本数は、従来例のＣＯ
Ｇ法と同等の本数が可能である。このため、ＴＡＢ法で
問題となる接続本数の制約はなく、そのうえ使用する半
導体装置の個数も少なくすることが可能になる。これに
よって、本発明の実装コストは従来より安く、しかも商
品価値の高い画像表示装置を提供することが可能にな
る。
【０２５３】図１８を用いて説明した本発明の半導体装
置構造において、半導体装置１１と可撓性フィルム２１
と基板１２との間に絶縁樹脂２４を設けてもよい。
【０２５４】この絶縁樹脂２４にエポキシ系樹脂やシリ
コーン系樹脂などの熱硬化型樹脂を用いた場合には、加
熱処理を行って絶縁樹脂２４を硬化させる。
【０２５５】さらに絶縁樹脂２４にアクリル系樹脂など
の光硬化性樹脂を用いた場合には、半導体装置１１とは
反対側から基板１２を通して光を照射して絶縁樹脂２４
を硬化させる。
【０２５６】ＣＯＧ法を適用し、可撓性フィルム２１を
段差１５に仮固定するとき、可撓性フィルム２１の先端
部と段差１５側壁部との間に隙間３２を設けない場合の
フィルム配線２２と基板配線２３とに関する他の実施例
における半導体装置構造を、図８と図９と図１０を用い
て以下に説明する。
【０２５７】図８と図９と図１０は可撓性フィルム２１
を段差１５に収納したときの構造を示す断面図である。
なおこの図８と図９と図１０とにおいては、ＣＯＧ実装
法により接続する半導体装置の図示は省略している。
【０２５８】可撓性フィルム２１を段差１５に収納する
とき、可撓性フィルム２１の先端部と段差１５の側壁部
との間に隙間３２を設けない場合は、入力信号を受けも
つフィルム配線２２と出力信号を受けもつ基板配線２３
との電気的短絡を避けなければならない。このために図
８と図９と図１０に示すように、基板配線２３とフィル
ム配線２２との間に２μｍ以上の寸法の隙間３２を設け
る。
【０２５９】図８はフィルム配線２２が可撓性フィルム
２１先端部まで設けてある場合で、このときは基板配線
２３を段差１５の側壁部から２μｍ以上後退させて隙間
３２を設ける。
【０２６０】図９は基板配線２３が段差１５の側壁部ま
で設けてある場合で、このときはフィルム配線２２を可
撓性フィルム２１先端部から２μｍ以上後退させて隙間
３２を設ける。
【０２６１】図１０は基板配線２３が段差１５の側壁部
から後退し、またフィルム配線２２が可撓性フィルム２
１先端部から後退した場合で、フィルム配線２２と基板
配線２３とのそれぞれの後退している距離寸法を合計し
て２μｍ以上離して隙間３２を設ける。
【０２６２】以上図８と図９と図１０を用いて説明した
実施例では、フィルム配線２２と基板配線２３の可撓性
フィルム２１や基板１２に対する位置関係は、段差１５
の側壁部が垂直形状の場合で示した。
【０２６３】しかしながら、段差１５の側壁部が垂直形
状でない場合において、可撓性フィルム２１と段差１５
側壁部の一部が接触する構造においても、フィルム配線
２２と基板配線２３との電気的短絡の発生を防止するた
めに、図８と図９と図１０とに示す構造を採用すればよ
い。さらに、可撓性フィルム２１と段差１５側壁部に隙
間がある場合にも、図８と図９と図１０とに示すフィル
ム配線２２と基板配線２３との構造は、適用可能であ
る。
【０２６４】つぎに本発明の実施例のＣＯＧ実装法を適
用する半導体装置における段差１５への可撓性フィルム
２１の接続構造とその製造方法を説明する。可撓性フィ
ルム２１を段差１５に収納するとき、可撓性フィルム２
１を接着剤を用いて段差１５に固定する場合の別の構造
と製造方法を、図１３と図１４とを用いて説明する。
【０２６５】図１３と図１４と図１５は接着剤１６を用
いて可撓性フィルム２１を段差１５に固定したときの断
面図を示す。なおこの図１３と図１４とにおいては、Ｃ
ＯＧ実装法を用いて接続する半導体装置の図示はしてい
ない。
【０２６６】接着剤１６は、熱硬化型樹脂や熱可塑型樹
脂や室温硬化型樹脂や光硬化型樹脂からなる接着剤を用
いる。そして、望ましくは接着剤１６としては、シアノ
アクリレート系樹脂やエポキシ系樹脂やシリコーン系樹
脂やウレタン系樹脂やアラミド系樹脂やポリイミド系樹
脂や、これらの樹脂の複合体からなり、室温で１０分以
内の時間で硬化する樹脂を用いる。
【０２６７】可撓性フィルム２１を段差１５に接着剤１
６で固定する他の実施例における構造としては、図１３
に示すように、接着剤１６を可撓性フィルム２１の裏面
と基板１２の端部側面とに設けてもよい。
【０２６８】この図１３に示すような可撓性フィルム２
１の裏面と基板１２の端部側面に設ける接着剤１６は、
ディスペンサを用いて形成する。
【０２６９】可撓性フィルムを段差１５に接着剤１６で
固定するほかの実施例における構造としては、図１４に
示すように、可撓性フィルム２１と段差１５との間に接
着剤１６を設けてもよい。
【０２７０】この図１４に示すような構造の場合、段差
１５上に接着剤１６をディスペンサを用いて形成し、そ
の接着剤１６上に可撓性フィルムを位置合わせして、そ
の後ヒートツール２８で加圧加熱処理を行い接着剤１６
を硬化させる。
【０２７１】この図１４に示す可撓性フィルム２１と段
差１５との間を接着剤１６を用いて固定する上記とは別
の製造方法としては、可撓性フィルム２１側に接着剤１
６をディスペンサを用いて形成し、段差１５上に位置合
わせして、その後ヒートツール２８を用いて加圧加熱処
理を行い接着剤１６を硬化させる。
【０２７２】図１４に示すように、ヒートツール２８を
フィルム配線２２の上面に接触するように加圧すると、
高さの基準が簡便に取れ、接着剤１６の厚さを適正寸法
に制御することができる。このため、フィルム配線２２
と基板配線２３との上面とを同一平面にし、平坦性が出
しやすくなるという効果が得られる。
【０２７３】さらに別の実施例における段差への可撓性
フィルムの接続手段を、図１５を用いて説明する。図１
５で示すように、接着剤１６中に厚さ調整用粒子１７を
混入する。すると、加圧時に厚さ調整用粒子１７が変形
して、図１３に示す場合よりさらに、フィルム配線２２
と基板配線２３との上面の平坦性が出しやすくなる効果
が得られる。
【０２７４】そして、可撓性フィルム２１の厚さ寸法を
変更した場合でも、厚さ調整用粒子１７の粒径を調整す
ることで、フィルム配線２２と基板配線２３との上面の
平坦性を保つことが可能である効果が得られる。
【０２７５】厚さ調整用粒子１７は、粒径が１μｍから
２００μｍでプラスマイナス１０％以内で揃ったプラス
チックビーズや金属粉や金属被覆されたプラスチックビ
ーズを用い、接着剤１６中に５ｗｔ％〜４０ｗｔ％混入
したものを使用する。
【０２７６】可撓性フィルム２１と段差１５との間の絶
縁性が要求される場合は、厚さ調整用粒子１７としてプ
ラスチックビーズを用いる。これに対して、アースなど
をとるため可撓性フィルム２１と段差１５との間の導通
性が要求される場合は、金属粉や金属被覆されたプラス
チックビーズを厚さ調整用粒子１７として用いる。
【０２７７】厚さ調整用粒子１７がプラスチックビーズ
の場合は、ポリスチレンとブタジエンの共重合体や、ポ
リスチレンや、ナイロンや、ポリメチルメタクリレート
や、ポリイミドや、アラミドなどの高分子体から構成す
る。
【０２７８】これに対して厚さ調整用粒子１７が金属の
場合は、銅（Ｃｕ）や金（Ａｕ）やスズ（Ｓｎ）や銀
（Ａｇ）やニッケル（Ｎｉ）などの金属単体あるいはハ
ンダなどの合金から構成する。
【０２７９】図１４と図１５に示すように、接着剤１６
が可撓性フィルム２１と段差１５との間にある構造で、
接着剤１６が液状の場合は、前述のようにディスペンサ
で可撓性フィルム２１側あるいは段差１５側に供給す
る。しかし、接着剤１６がシート状の場合は所定の大き
さに切り出して可撓性フィルム２１側あるいは段差１５
側にシート状の接着剤１６を張り付けてもよい。
【０２８０】図１８を用いて説明した本発明のの実施例
における導電性ペースト１４を用いたＣＯＧ実装法を適
用する半導体装置の場合は、図６を用いて説明した実施
例における半導体装置に比較して、フィルム配線２２と
基板配線２３の高さに違いが生じた場合でも、導電性ペ
ースト１４が高さの違いを吸収することができる。
【０２８１】このため、突起電極１３とフィルム配線２
２との電気的接続と、突起電極１３と基板配線２３の電
気的接続との信頼性を高くすることができという効果が
得られる。
【０２８２】つぎに本発明の実施例のＣＯＧ実装法を適
用する半導体装置における可撓性フィルム２１の他の実
施例における構造を、図１６と図１７とを用いて説明す
る。
【０２８３】図１６はフィルム配線２２ａとフィルム配
線２２ｂとを設ける可撓性フィルム２１を段差１５に収
納した断面図であり、図１７はフィルム配線２２ａとフ
ィルム配線２２ｂとを設ける可撓性フィルム２１を示す
平面図である。なお図１６にはＣＯＧ実装法を用いて接
続する半導体装置の図示は省略してある。
【０２８４】図２を用いて説明した実施例では、フィル
ム配線２２を片面に設ける構造の可撓性フィルム２１を
用いる例で説明したが、図１６に示すように、可撓性フ
ィルム２１の両面にフィルム配線２２ａとフィルム配線
２２ｂとを設けてもよい。
【０２８５】さらにまた、図１６を用いて説明した可撓
性フィルム２１は、両面にフィルム配線２２ａ、２２ｂ
を設ける構造で示したが、フィルム配線を絶縁層を介し
て多層に設ける多層構造の可撓性フィルムを用いてもよ
い。
【０２８６】図１７は、図１６で用いた本発明の実施例
に用いる可撓性フィルム２１のフィルム配線を共通化し
た場合の構造を示す。
【０２８７】図１６に示す半導体装置１１の入力などの
共通化可能な端子と接続するフィルム配線２２を、図１
７に示すフィルム配線２２ａのように形成することが可
能である。
【０２８８】図１７に示す可撓性フィルムを使用した場
合、フィルム配線２２ａとフィルム配線２２ｂとを共通
化できるため、１枚の可撓性フィルム２１で複数個の半
導体装置を実装することが可能となる。
【０２８９】したがって、可撓性フィルム２１の実装コ
ストはそのままで、半導体装置を増加することが可能と
なり接続本数を増加することが可能になり、より高精細
な画像表示装置に対応することができる。
【０２９０】つぎに本発明のほかの実施例における半導
体装置を、図１と図２と図１９と図２０を用いて説明す
る。図１と図２と図１９と図２０は本発明の実施例にお
ける半導体装置とその製造方法を工程順に示す断面図で
ある。
【０２９１】まずはじめに図２０を用いて、本発明の実
施例における半導体装置の構造を説明する。
【０２９２】図２０に示すように、液晶表示装置の一方
の基板で構成する基板１２と、液晶表示装置を駆動する
半導体装置１１と、液晶表示装置への信号の入力を行う
可撓性フィルム２１とを設ける。
【０２９３】基板１２には基板配線２３と、可撓性フィ
ルム２１を収納するための段差１５を設ける。
【０２９４】可撓性フィルム２１の先端部と段差１５の
側壁部との間には、基板配線２３とフィルム配線２２と
が接触して短絡しないようにするため、隙間を設けてあ
る。
【０２９５】可撓性フィルム２１の上面にはフィルム配
線２２を設ける。そしてこの可撓性フィルム２１を段差
１５に搭載したとき、フィルム配線２２の上面と、基板
配線２３の上面とがほぼ同一平面になるように構成す
る。
【０２９６】半導体装置１１には信号の入出力端子であ
る突起電極１３を設ける。そして、この半導体装置１１
は基板１２とフィルム配線２２との双方にまたがって設
けてある。
【０２９７】この半導体装置１１と、可撓性フィルム２
１と基板１２との接続は、突起電極１３と、フィルム配
線２２と基板配線２３とを、ＡＣＦ２５を構成する導電
性粒子２６を介して接触させて行う。
【０２９８】半導体装置１１と可撓性フィルム２１と基
板１２との間には、ＡＣＦ２５を設ける。
【０２９９】つぎにこの図２０に示す本発明における半
導体装置を形成するための製造方法を、図１と図２と図
１９と図２０を使って説明する。
【０３００】まずはじめに図１に示すように、基板配線
２３を形成した液晶表示装置の一方の基板１２に段差１
５を形成する。
【０３０１】基板配線２３は、真空蒸着法やスパッタリ
ング法やエレクトロンビーム法により形成するＩＴＯ
（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：酸化インジウム
スズ）やクロム（Ｃｒ）やニッケル（Ｎｉ）やタンタル
（Ｔａ）や金（Ａｕ）やチタン（Ｔｉ）から構成する。
さらに、基板１２はソーダライム系ガラスやホウ珪酸系
ガラスや石英ガラスから構成する。
【０３０２】この段差１５は、ダイヤモンド粉を表面に
付着させた研磨装置を使って加工する方法や、細かい砂
を吹き付けて加工を行うサンドブラスト方法や、あるい
は段差１５に対応するパターンを形成したマスクを使用
してスパッタエッチングする方法や、段差１５に対応す
るパターンを形成したマスクを使用して王水やフッ酸で
エッチングする方法により形成する。
【０３０３】段差１５の側壁部は、図１においては垂直
形状になるように図示してあるが、基板１２表面に対し
てプラスマイナス４５度以内であれば角度がついてもよ
い。
【０３０４】さらにまた、図１では段差１５の側壁部
は、直線形状で図示しているが、曲線形状に形成しても
よい。
【０３０５】この段差１５の深さ寸法は、好ましくは後
工程で、この段差１５上に設けるフィルム配線２２を有
する可撓性フィルム２１の厚さのプラスマイナス１０％
以内の寸法とする。
【０３０６】段差１５の幅寸法は、半導体装置１１上の
対向する２辺に設ける突起電極１３間の距離寸法よりも
広ければよく、おおむね０．１ｍｍ〜５ｍｍあればよ
い。
【０３０７】なお、図１では段差１５の形成は液晶表示
装置の画像表示部分が完成した後で行っているが、液晶
表示装置の画像表示部分が完成する前の工程において、
基板１２へ基板配線２３を形成した後の工程で、段差１
５を形成してもよい。
【０３０８】つぎに図２に示すように、段差１５の上に
フィルム配線２２を有する可撓性フィルム２１を、仮固
定器３１を用いて仮固定する。このとき可撓性フィルム
２１の先端部と段差１５の側壁部との間には、隙間３２
を設けるように所定の位置に仮固定する。
【０３０９】可撓性フィルム２１はポリイミドやポリエ
チレンやテフロンやナイロンから構成する。そして、フ
ィルム配線２２は真空蒸着法やスパッタリング法や圧延
法により形成し、金（Ａｕ）や銅（Ｃｕ）やハンダやニ
ッケル（Ｎｉ）や銀（Ａｇ）やスズ（Ｓｎ）や、あるい
はこれらの金属の合金や、あるいはこれらの金属被膜の
多層膜から構成する。
【０３１０】図２で示すように仮固定器３１で段差１５
上に可撓性フィルム２１を仮固定した場合、図１７で示
すＡＣＦ２５を硬化させるまで、可撓性フィルムを２１
を仮固定しておく必要がある。
【０３１１】可撓性フィルム２１の先端部と段差１５の
側壁部との間の隙間３２は、フィルム配線２２と基板配
線２３との絶縁性を保つために、２μｍ以上の寸法で設
けることが望ましい。
【０３１２】つぎに図１９に示すように、半導体装置１
１の外形形状とほぼ同じ大きさになるように、可撓性フ
ィルム２１のフィルム配線２２から段差１５を経由して
基板配線２３にまたがってＡＣＦ２５を形成する。その
後、ヒートツール２８を用いてＡＣＦ２５の加熱圧接処
理をする。
【０３１３】ここで行う加熱圧接は一時的な仮のもので
あり、ＡＣＦ２５の加熱圧接は温度は６０℃から１２０
℃で、圧力は０．１ｋｇ／ｃｍ2 から１０ｋｇ／ｃｍ2
の条件で行う。
【０３１４】ＡＣＦ２５は可撓性フィルム２１のフィル
ム配線２２から段差１５を経由した基板配線２３にまた
がって加熱圧接するように説明したが、半導体装置１１
側に形成してもよい。
【０３１５】半導体装置１１に設ける突起電極１３は、
電解メッキ処理や、無電解メッキ処理により形成する
か、あるいはワイヤーボンディングのボールを半導体装
置１１の電極上にワイヤーボンディング後ワイヤーを切
断して形成する。
【０３１６】突起電極１３は導電性の物質であればよい
が、好ましくは金（Ａｕ）やハンダやスズ（Ｓｎ）で形
成するか、あるいは突起電極１３の表面をこれらの金属
で覆う。このようにすると、半導体装置１１を基板１２
や可撓性フィルム２１に加圧するとき、突起電極１３塑
性変形が容易となって、接触面積を大きくすることがで
きる。
【０３１７】つぎに図２０に示すように、半導体装置１
１の突起電極１３と、フィルム配線２２と基板配線２３
とを位置合わせする。その後、ヒートツール２８を使用
して加熱圧接処理し、半導体装置１１の突起電極１３を
フィルム配線２２と基板配線２３にＡＣＦ２５を介して
接続し、ＡＣＦ２５を硬化させ、図２０に示す半導体装
置構造を得る。
【０３１８】本発明の半導体装置においては、基板１２
に段差１５を設けることによって、半導体装置１１の突
起電極１３と可撓性フィルム２１のフィルム配線２２を
直接接続することが可能になる。
【０３１９】したがって、図４２を使用して従来例で説
明したＣＯＧ法よりも、実装面積を可撓性フィルム２１
を接続した面積分だけ小さくすることが可能になる。
【０３２０】本発明の半導体装置の接続本数は従来例の
ＣＯＧ法と同等の本数が可能であるため、ＴＡＢ法で問
題となる接続本数の制約はなく、そのうえ使用する半導
体装置の個数も少なくすることが可能になる。これによ
って、本発明の実装コストは従来技術より安く、しかも
商品価値の高い画像表示装置を提供することが可能にな
る。
【０３２１】つぎに以上の説明と異なる実施例のＡＣＦ
実装法を適用する半導体装置を説明する。可撓性フィル
ム２１を段差１５に仮固定するとき、可撓性フィルム２
１の先端部と段差１５側壁部との間に隙間３２を設けな
い場合のフィルム配線２２と基板配線２３とに関する他
の実施例における構造を、図８と図９と図１０を用いて
以下に説明する。
【０３２２】図８と図９と図１０とは、本発明のＡＣＦ
実装法を適用する半導体装置における可撓性フィルム２
１を段差１５に収納したときの構造を示す断面図であ
る。なおこの図８と図９と図１０とにおいては、ＡＣＦ
実装法を適用して接続する半導体装置の図示は省略して
いる。
【０３２３】可撓性フィルム２１を段差１５に収納する
とき、可撓性フィルム２１の先端部と段差１５の側壁部
との間に隙間３２を設けない場合は、入力信号を受けも
つフィルム配線２２と出力信号を受けもつ基板配線２３
との電気的短絡を避けなければならない。このために、
図８と図９と図１０とに示すように、基板配線２３とフ
ィルム配線２２との間に２μｍ以上の寸法で隙間３２を
設ける。
【０３２４】図８はフィルム配線２２が可撓性フィルム
２１先端部まで設けてある場合で、このときは基板配線
２３を段差１５の側壁部から２μｍ以上後退させて隙間
３２を設ける。
【０３２５】図９は基板配線２３が段差１５の側壁部ま
で設けてある場合で、このときはフィルム配線２２を可
撓性フィルム２１先端部から２μｍ以上後退させて隙間
３２を設ける。
【０３２６】図１０は基板配線２３が段差１５の側壁部
から後退し、またフィルム配線２２が可撓性フィルム２
１先端部から後退した場合で、フィルム配線２２と基板
配線２３とのそれぞれの後退している距離を合計して２
μｍ以上離して隙間３２を設ける。
【０３２７】以上図８と図９と図１０とを使用して説明
した実施例では、フィルム配線２２と基板配線２３の可
撓性フィルム２１や基板１２に対する位置関係は、段差
１５の側壁部が垂直形状の場合で示した。
【０３２８】しかしながら、段差１５の側壁部が垂直形
状でない場合において、可撓性フィルム２１と段差１５
側壁の一部が接触した構造においても、フィルム配線２
２と基板配線２３との電気的短絡の発生を防止するため
に、図８と図９と図１０とに示す構造を採用すればよ
い。さらに、可撓性フィルム２１と段差１５側壁部に隙
間がある場合にも、図８と図９と図１０に示すフィルム
配線２２と基板配線２３との構造は適用可能である。
【０３２９】つぎに本発明の実施例のＡＣＦ実装法を適
用する半導体装置の段差への可撓性フィルムの接続構造
とその製造方法を説明する。可撓性フィルム２１を段差
１５に収納するとき、可撓性フィルム２１を接着剤１６
を用いて段差１５に固定した場合の構造とその製造方法
とを、図１１と図１３と図１４と図１５とを使用して説
明する。
【０３３０】図１１と図１３と図１４と図１５は接着剤
１６を用いて可撓性フィルム２１を段差１５に固定した
状態を示す断面図であり、図１２は可撓性フィルム２１
を接着剤１６を用いて段差１５に固定した状態を示す平
面図である。なおこの図１１と図１３と図１４と図１５
とにいては、ＡＣＦ実装法を用いて接続する半導体装置
の図示は省略している。
【０３３１】図２を使用して説明した基板１２の段差１
５へ可撓性フィルム２１を収納し仮固定した構造におい
て、図１１と図１２とに示すように、可撓性フィルム２
１の側面部に接着剤１６を設けてもよい。
【０３３２】この可撓性フィルム２１の側面部に設ける
接着剤１６は、ディスペンサを用いて形成する。
【０３３３】図１１と図１２に示すように、可撓性フィ
ルム２１の側面を接着剤１６で固定した場合、図３と図
４と図５で示す仮固定器３１は不要となるため、作業性
が向上する。
【０３３４】図１２では可撓性フィルム２１と段差１５
との２箇所に接着剤１６を形成する例で説明したが、可
撓性フィルム２１を段差１５に固定した後の製造工程で
設ける半導体装置１１に構造上干渉しなければ、側面の
別の場所の複数箇所に接着剤１６を用いて固定してもよ
く、さらに側面全体を接着剤１６を使用して固定しても
よい。
【０３３５】接着剤１６は、熱硬化型樹脂や熱可塑型樹
脂や室温硬化型樹脂や光硬化型樹脂からなる接着剤を用
いる。そして接着剤１６は、望ましくはシアノアクリレ
ート系樹脂やエポキシ系樹脂やシリコーン系樹脂やウレ
タン系樹脂やアラミド系樹脂やポリイミド系樹脂や、こ
れらの樹脂の複合体からなり、室温雰囲気で１０分以内
の時間で硬化する樹脂を用いる。
【０３３６】可撓性フィルム２１を段差１５に接着剤１
６で固定する他の実施例における構造としては、図１３
に示すように、接着剤１６を可撓性フィルム２１の裏面
と基板１２の端部側面とに設けてもよい。
【０３３７】図１３に示すような可撓性フィルム２１の
裏面と基板１２の端部側面に設ける接着剤１６は、ディ
スペンサを用いて形成する。
【０３３８】可撓性フィルム２１を段差１５に接着剤１
６で固定する他の実施例における構造としては、図１４
に示すように、可撓性フィルム２１と段差１５との間に
接着剤１６を設けてもよい。
【０３３９】この図１４に示すような構造の場合、段差
１５上に接着剤１６をディスペンサを用いて形成し、そ
の接着剤１６上に可撓性フィルムを位置合わせして、そ
の後ヒートツール２８を使用して加圧加熱処理を行い接
着剤１６を硬化させる。
【０３４０】この図１４に示す可撓性フィルム２１と段
差１５との間を接着剤１６を用いて固定する上記とは別
の製造方法としては、可撓性フィルム２１側に接着剤１
６をディスペンサを用いて形成し、段差１５上に位置合
わせして、その後ヒートツール２８で加圧加熱処理を行
い接着剤１６を硬化させる。
【０３４１】図１４に示すように、ヒートツール２８を
フィルム配線２２の上面にも接触するように加圧する
と、高さの基準が簡便に取れ、接着剤１６の厚さを適正
寸法に制御することができる。このため、フィルム配線
２２と基板配線２３との上面とを同一平面にし、平坦性
が出しやすくなるという効果が得られる。
【０３４２】さらに別の実施例における段差への可撓性
フィルムの接続手段を、図１５を用いて説明する。図１
５で示すように、接着剤１６中に厚さ調整用粒子１７を
混入する。すると、加圧時に厚さ調整用粒子１７が変形
して、図１３に示す場合よりさらに、フィルム配線２２
と基板配線２３との上面の平坦性が出しやすくなる効果
が得られる。
【０３４３】そして、可撓性フィルム２１の厚さ寸法を
変更した場合でも、厚さ調整用粒子１７の粒径を調整す
ることで、フィルム配線２２と基板配線２３との上面の
平坦性を保つことが可能である効果が得られる。
【０３４４】厚さ調整用粒子１７は、粒径が１μｍから
２００μｍでプラスマイナス１０％以内で揃ったプラス
チックビーズや金属粉や金属被覆されたプラスチックビ
ーズを用い、接着剤１６中に５ｗｔ％〜４０ｗｔ％混入
したものを使用する。
【０３４５】可撓性フィルム２１と段差１５との間の絶
縁性が要求される場合は、厚さ調整用粒子１７としてプ
ラスチックビーズを用いる。これに対して、アースなど
をとるため可撓性フィルム２１と段差１５との間の導通
性が要求される場合は金属粉や金属被覆されたプラスチ
ックビーズを、厚さ調整用粒子１７として用いる。
【０３４６】厚さ調整用粒子１７としてプラスチックビ
ーズの場合は、ポリスチレンとブタジエンの共重合体
や、ポリスチレンや、ナイロンや、ポリメチルメタクリ
レートや、ポリイミドや、アラミドなどの高分子体から
構成する。
【０３４７】これに対して、厚さ調整用粒子１７として
導電性を付与する場合は、プラスチックビーズの表面に
ニッケル（Ｎｉ）や、金（Ａｕ）などを無電解メッキで
形成する。厚さ調整用粒子１７として金属の場合は、銅
（Ｃｕ）や、金（Ａｕ）や、スズ（Ｓｎ）や、銀（Ａ
ｇ）や、ニッケル（Ｎｉ）などの金属単体あるいはハン
ダなどの合金から構成する。
【０３４８】図１４と図１５に示すように、接着剤１６
が可撓性フィルム２１と段差１５との間にある構造で、
接着剤１６が液状の場合は、前述のようにディスペンサ
で可撓性フィルム２１側あるいは段差１５側に供給す
る。しかしながら、接着剤１６がシート状の場合は、所
定の大きさに切り出して可撓性フィルム２１側あるいは
段差１５側にシート状の接着剤１６を張り付けてもよ
い。
【０３４９】つぎに本発明の実施例における半導体装置
の可撓性フィルム２１の他の実施例における構造を、図
１６と図１７とを使用して説明する。
【０３５０】図１６はフィルム配線とフィルム配線とを
設ける可撓性フィルムを段差に収納した様態を示す断面
図であり、図１７はフィルム配線とフィルム配線とを設
ける可撓性フィルムを示す平面図である。なお図１６に
おいてはＡＣＦ実装法により接続する半導体装置の図示
はしていない。
【０３５１】図２を用いて説明した実施例では、フィル
ム配線２２を片面に設ける構造の可撓性フィルム２１を
用いた実施例で説明しているが、図１６に示すように、
可撓性フィルム２１の両面にフィルム配線２２ａとフィ
ルム配線２２ｂとを設けてもよい。
【０３５２】さらにまた、図１６を用いて説明した可撓
性フィルム２１は、両面にフィルム配線２２ａ、２２ｂ
を設ける構造で示しているが、フィルム配線を絶縁層を
介して多層に設ける多層構造の可撓性フィルムを用いて
もよい。
【０３５３】図１７は、図１６で用いた本発明の実施例
に用いる可撓性フィルム２１のフィルム配線を共通化し
た場合の構造を示す。
【０３５４】図１６に示す半導体装置１１の入力などの
共通化可能な端子と接続するフィルム配線２２を、図１
７に示すフィルム配線２２ａのように形成することが可
能である。
【０３５５】図１７に示す可撓性フィルムを使用した場
合、フィルム配線２２ａとフィルム配線２２ｂとを共通
化できる。このため１枚の可撓性フィルム２１に複数個
の半導体装置を実装することが可能となる。
【０３５６】したがって、可撓性フィルムの実装コスト
はそのままで、半導体装置を増加することが可能となり
接続本数を増加することが可能になり、より高精細な画
像表示装置に対応することができる。
【０３５７】つぎに本発明のほかの実施例における半導
体装置を、図１と図２１と図２２と図２３と図２４と図
２５とを用いて説明する。図１と図２１と図２２と図２
３と図２４と図２５は本発明の実施例における半導体装
置と、その製造方法とを工程順に示す断面図である。
【０３５８】まずはじめに図２５を用いて、本発明の実
施例における半導体装置の構造を説明する。
【０３５９】図２５に示すように、液晶表示装置の一方
の基板で構成する基板１２と、液晶表示装置を駆動する
半導体装置１１と、液晶表示装置への信号の入力を行う
突出配線２７とを設ける。
【０３６０】基板１２には基板配線２３と、可撓性フィ
ルム２１に設ける突出配線２７を収納するための段差１
５を設ける。
【０３６１】突出配線２７の先端部と段差１５の側壁部
との間には、突出配線２７と基板配線２３とが接触して
短絡しないように隙間を設けてある。
【０３６２】可撓性フィルム２１の上面にはフィルム配
線２２を設ける。そしてこの可撓性フィルム２１に設け
る突出配線２７を段差１５に搭載したとき、突出配線２
７の上面と、基板配線２３の上面とがほぼ同一平面にな
るように構成する。
【０３６３】半導体装置１１には信号の入出力端子であ
る突起電極１３を設ける。そして、この半導体装置１１
は基板１２と突出配線２２との双方にまたがるような位
置に設けてある。
【０３６４】半導体装置１１と、可撓性フィルム２１と
基板１２との接続は突起電極１３を突出配線２７と基板
配線２３とを接触させて行う。そして半導体装置１１
と、基板１２と可撓性フィルム２１との間には絶縁樹脂
２４を設ける。
【０３６５】そしてこの絶縁樹脂２４は、好ましくは硬
化後引張応力が働くような材料を選択して、半導体装置
１１の接続信頼性を確保する。
【０３６６】つぎにこの図２５に示す本発明における半
導体装置を形成するための製造方法を、図１と図２１と
図２２と図２３と図２４と図２５を使って説明する。
【０３６７】まずはじめに図１に示すように、基板配線
２３を形成した液晶表示装置の一方の基板１２に段差１
５を形成する。
【０３６８】基板配線２３は、真空蒸着法やスパッタリ
ング法やエレクトロンビーム法により形成するＩＴＯ
（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：酸化インジウム
スズ）やクロム（Ｃｒ）やニッケル（Ｎｉ）やタンタル
（Ｔａ）や金（Ａｕ）やチタン（Ｔｉ）から構成する。
さらに、基板１２はソーダライム系ガラスやホウ珪酸系
ガラスや石英ガラスから構成する。
【０３６９】この段差１５は、ダイヤモンド粉を表面に
付着させた研磨装置を使って加工する方法や、細かい砂
を吹き付けて加工を行うサンドブラスト方法や、あるい
は段差１５に対応するパターンを形成したマスクを使用
してスパッタエッチングする方法や、段差１５に対応す
るパターンを形成したマスクを使用して王水フッ酸でエ
ッチングする方法により形成する。
【０３７０】段差１５の側壁部は、図１では垂直形状に
なるよう図示してあるが、基板１２の表面に対してプラ
スマイナス４５度以内であれば角度がついていてもよ
い。
【０３７１】さらに、図１では段差１５の側壁部は、直
線形状で図示しているが、曲線形状に形成してもよい。
【０３７２】この段差１５の深さ寸法は、好ましくは後
工程で、この段差１５上に設ける突出配線２７の厚さの
プラスマイナス１０％以内の寸法とする。
【０３７３】段差１５の幅寸法は、半導体装置１１上の
対向する２辺に設ける突起電極１３間の距離寸法よりも
広ければよく、おおむね０．１ｍｍ〜５ｍｍあればよ
い。
【０３７４】なお、図１では段差１５の形成は液晶表示
装置の画像表示部分が完成した後で行っているが、液晶
表示装置の画像表示部分が完成する前の工程において、
基板１２へ基板配線２３を形成した後の工程で、段差１
５を形成してもよい。
【０３７５】つぎに図２１に示すように、段差１５の上
に突出配線２７を有する可撓性フィルム２１を仮固定器
３１を用いて仮固定する。このとき突出配線２７と基板
配線２３との間には、隙間３２を設けるように所定の位
置に仮固定する。
【０３７６】可撓性フィルム２１は、ポリイミドやポリ
エチレンやテフロンやナイロンから構成する。そして、
フィルム配線２２は真空蒸着法やスパッタリング法や圧
延法により金（Ａｕ）や銅（Ｃｕ）やハンダやニッケル
（Ｎｉ）や銀（Ａｇ）やスズ（Ｓｎ）や、あるいはこれ
らの金属の合金や、あるいはこれらの金属被膜の多層膜
から構成する。
【０３７７】フィルム配線２１から突出する、突出配線
２７は、フィルム配線２２が可撓性フィルム２１の端部
より延長したものである。
【０３７８】突出配線２７は可撓性フィルム２１にフィ
ルム配線２２を形成した後に、可撓性フィルム２１を、
感光性樹脂であるフォトレジストを用いてフォトエッチ
ング処理により除去して形成する。
【０３７９】図２１で示すように仮固定器３１で段差１
５上に可撓性フィルム２１を仮固定した場合、図２３と
は図２４とに示す絶縁樹脂２４を硬化させるまで、可撓
性フィルムを２１を仮固定しておく必要がある。
【０３８０】突出配線２７の先端部と段差１５の側壁部
との間の隙間３２は、突出配線２７と基板配線２３との
絶縁性を保つために、２μｍ以上の寸法で設けることが
望ましい。
【０３８１】つぎに図３に示すように、半導体装置１１
の外形形状とほぼ同じ大きさになるように、可撓性フィ
ルム２１の突出配線２７から段差１５を経由して基板配
線２３にまたがって絶縁樹脂２４を、スクリーン印刷法
や、ディップ法や、あるいはディスペンサを使用して一
定量形成する。
【０３８２】ここで形成する絶縁樹脂２４の厚さは、半
導体装置１１の突起電極１３の高さよりも厚く形成する
のが望ましい。
【０３８３】半導体装置１１に設ける突起電極１３は電
解メッキ処理や、無電解メッキ処理により形成するか、
あるいはワイヤーボンディングのボールを半導体装置１
１の電極にワイヤーボンディング後ワイヤーを切断して
形成する。
【０３８４】突起電極１３は導電性の物質であればよい
が、好ましくは金（Ａｕ）やハンダやスズ（Ｓｎ）で形
成するか、あるいは突起電極１３の表面をこれらの金属
で覆う。このようにすると、半導体装置１１を基板１２
や突出配線２７に加圧すると突起電極１３の塑性変形が
容易となって、接触面積を大きくすることができる。
【０３８５】つぎに図２５に示すように、半導体装置１
１の突起電極１３を突出配線２７と基板配線２３とに位
置合わせする。
【０３８６】そしてヒートツール２８を使用して加圧加
熱処理して、絶縁樹脂２４を突起電極１３の先端領域か
ら排斥して、半導体装置１１の突起電極１３を突出配線
２７と基板配線２３とに互いに接触させて電気的な接続
を取り、図２５に示すような半導体装置が完成する。
【０３８７】突起電極１３と、基板配線２３と突出配線
２７との接続を行う絶縁樹脂２４としてエポキシ系樹脂
やシリコーン系樹脂などの熱硬化型樹脂を用いた場合に
は、圧接した際にヒートツール２８の加熱を行って絶縁
樹脂２４を硬化させる。
【０３８８】ヒートツール２８が加圧機能しかない場合
には、加圧した状態を維持したまま液晶表示装置全体を
加熱炉に投入して、絶縁樹脂２４を硬化させてもよい。
【０３８９】本発明においては絶縁樹脂２４としてアク
リル系樹脂などの光硬化性樹脂を用いた場合には、図２
４に示すように、半導体装置１１を圧接して状態を維持
し、圧接した側とは反対側から基板１２を通して光照射
器３４で光を照射して、絶縁樹脂２４を硬化させる。
【０３９０】本発明の半導体装置においては、基板１２
に段差１５を設けることにより、半導体装置１１の突起
電極１３と可撓性フィルム２１の突出配線２７を直接接
続することが可能になる。したがって、図４２を使用し
て従来例で説明したＣＯＧ法よりも、実装面積は可撓性
フィルムを接続した面積分だけ小さくすることが可能に
なる。
【０３９１】本発明における半導体装置の接続本数は従
来例のＣＯＧ法と同等の本数が可能であるため、ＴＡＢ
法で問題となる接続本数の制約はなく、そのうえ使用す
る半導体装置の個数も少なくすることが可能になる。こ
れによって、本発明の実装コストは従来より安くなり、
しかも商品価値の高い画像表示装置を提供することが可
能になる。
【０３９２】本発明における突出配線２７を設ける可撓
性フィルム２１を用いた場合は、段差１５の形成する深
さが突出配線２７の厚さ分だけでよい。このために、段
差加工が可撓性フィルム２１を段差１５に収納した場合
よりも薄くすることが可能である。
【０３９３】本発明の突出配線２７を設ける可撓性フィ
ルム２１を用いた場合は、段差１５端部に沿って突出配
線２７の折り曲げ性が、可撓性フィルム２１を折り曲げ
るときに較らべて、容易になる効果が得られる。
【０３９４】つぎに図２６の断面図を用いて、以上の説
明と異なる実施例における半導体装置の実装方法を説明
する。
【０３９５】図２６に示すように、半導体装置１１の突
起電極１３を、基板配線２３と突出配線２７とに位置合
わせする。その後、ヒートツール２８を使用して、半導
体装置１１の裏面から圧力を印加し、この状態を維持し
たまま絶縁樹脂２４を、半導体装置１１と、基板配線２
３と突出配線２７との流し込み、加熱処理あるいは光照
射を行って、半導体装置１１を基板１２に実装する。
【０３９６】絶縁樹脂２４を使用する実装法を適用して
可撓性フィルム２１を段差１５に仮固定するとき、可撓
性フィルム２１に設ける突出配線２７の先端部と段差１
５側壁部との間に隙間３２を設けない場合の突出配線２
７と基板配線２３とに関する他の実施例における半導体
装置構造を、図２７を用いて以下に説明する。
【０３９７】図２７は可撓性フィルム２１に設ける突出
配線２７を段差１５に収納したときの構造を示す断面図
である。なおこの図２７には、絶縁樹脂２４を用いる実
装法により接続する半導体装置の図示はしていない。
【０３９８】可撓性フィルム２１を段差１５に収納する
とき、可撓性フィルム２１に設ける突出配線２７の先端
部と段差１５の側壁部との間に隙間３２を設けない場合
は、入力信号を受けもつ突出配線２７と出力信号を受け
もつ基板配線２３との電気的短絡を避けなければならな
い。このために、図２７に示すように基板配線２３とフ
ィルム配線２２との間に２μｍ以上の寸法の隙間３２を
設ける。
【０３９９】図２７は突出配線２７の先端部が段差１５
の側壁部まで設けてある場合で、このとき基板配線２３
を段差１５の側壁部から２μｍ以上後退させて隙間３２
を設ける。
【０４００】図２７を用いて説明した実施例では、突出
配線２７と基板配線２３の基板１２に対する位置関係
は、段差１５の側壁部が垂直形状の場合で示している。
【０４０１】しかし、段差１５の側壁部が垂直形状でな
い場合において、突出配線２７と段差１５の側壁部の一
部が接触した構造においても、突出配線２７と基板配線
２３との電気的短絡の発生を防止するために、図２７に
示す構造を採用すればよい。さらに、突出配線２７と段
差１５側壁部に隙間がある場合にも、図２７に示す突出
配線２７と基板配線２３との構造は適用可能である。
【０４０２】つぎに本発明の実施例の絶縁樹脂２４を用
いる半導体装置の実装における段差１５への突出配線２
７の接続構造とその製造方法とを説明する。可撓性フィ
ルムに設ける突出配線を段差に収納するとき、突出配線
を接着剤を用いて段差に固定する場合の構造と製造方法
とを、図２８と図３０と図３１と図３２とを使用して説
明する。
【０４０３】図２８と図３０と図３１と図３２とは、接
着剤１６を用いて突出配線２７を段差１５に固定したと
きの状態を示す断面図であり、図２９は突出配線を基板
の段差に固定した状態を示す平面図である。なお、この
図２８と図３０と図３１と図３２とにおいては、絶縁樹
脂２４を用いて接続する半導体装置の図示は省略してあ
る。
【０４０４】図２１を用いて説明した基板１２の段差１
５へ突出配線２７を収納し仮固定した構造において、図
２８と図２９に示すように、突出配線２７の側面部に接
着剤１６を設けてもよい。
【０４０５】突出配線２７の側面部に設け、突出配線２
７を段差１５に固定する役割をもつ接着剤１６は、ディ
スペンサを用いて形成する。
【０４０６】図２８と図２９に示すように、突出配線２
７の側面を接着剤１６で固定した場合、図２２と図２３
と図２４で示す仮固定器３１は不要となるため、作業性
が向上する。
【０４０７】図２９では突出配線２７と段差１５との２
箇所に接着剤１６を形成する例で説明したが、突出配線
２７を段差１５に固定した後の製造工程で設ける半導体
装置１１に構造上干渉しなければ、側面の別の場所の複
数箇所に接着剤１６を使用して固定してよく、さらにも
側面全体を接着剤１６で固定してもよい。
【０４０８】接着剤１６は、熱硬化型樹脂や熱可塑型樹
脂や室温硬化型樹脂や光硬化型樹脂の接着剤を用いる。
そして、望ましくはシアノアクリレート系樹脂やエポキ
シ系樹脂やシリコーン系樹脂やウレタン系樹脂やアラミ
ド系樹脂やポリイミド系樹脂や、これらの樹脂の複合体
からなり、室温雰囲気で１０分以内の時間で硬化する樹
脂を用いる。
【０４０９】突出配線２７を段差１５に接着剤１６で固
定する他の実施例における構造としては、図３０に示す
ように、接着剤１６を突出配線２７の裏面と基板１２の
端部側面とに設けてもよい。
【０４１０】図３０に示すような突出配線２７の裏面と
基板１２の端部側面に設ける接着剤１６は、ディスペン
サを用いて形成する。
【０４１１】突出配線２７を段差１５に接着剤１６で固
定する他の実施例における構造としては、図３１に示す
ように、突出配線２７と段差１５との間に接着剤１６を
設けてもよい。
【０４１２】この図３１に示すような構造の場合、段差
１５上に接着剤１６をディスペンサを用いて形成し、そ
の接着剤１６上に突出配線２７を位置合わせして、その
後ヒートツール２８を使用して加圧加熱処理を行い接着
剤１６を硬化させる。
【０４１３】この図３１に示す突出配線２７と段差１５
との間を接着剤１６を用いて固定する上記とは別の製造
方法としては、突出配線２７側に接着剤１６をディスペ
ンサを用いて形成し、段差１５上に位置合わせして、そ
の後ヒートツール２８を用いて加圧加熱処理を行い接着
剤１６を硬化させる。
【０４１４】図３１で示すように、ヒートツール２８を
基板配線２３の上面にも接触するように加圧すると、高
さの基準が簡便に取れ接着剤１６の厚さを適正寸法に制
御することができる。このため、突出配線２７と基板配
線２３との上面とを同一平面にし、平坦性が出しやすく
なるという効果が得られる。
【０４１５】さらに別の実施例における段差１５への突
出配線２７の接続手段を、図３２を用いて説明する。
【０４１６】図３２で示すように、接着剤１６中に厚さ
調整用粒子１７を混入する。このようにすると、加圧時
に厚さ調整用粒子１７が変形して、図３１に示す場合よ
りさらに、突出配線２７と基板配線２３との上面の平坦
性が出しやすくなる効果が得られる。
【０４１７】そして、突出配線２７の厚さ寸法を変更し
た場合でも、厚さ調整用粒子１７の粒径を調整すること
で、突出配線２７と基板配線２３との上面の平坦性を保
つことが可能であるという効果が得られる。
【０４１８】厚さ調整用粒子１７は、粒径が１μｍから
２００μｍでプラスマイナス１０％以内で揃ったプラス
チックビーズや金属粉や金属被覆されたプラスチックビ
ーズを用い、接着剤１６中に５ｗｔ％〜４０ｗｔ％混入
したものを使用する。
【０４１９】突出配線２７と段差１５との間の絶縁性が
要求される場合は、厚さ調整用粒子１７としてプラスチ
ックビーズを用いる。これに対して、アースなどをとる
ため突出配線２７と段差１５との導通性が要求される場
合は、金属粉や金属被覆されたプラスチックビーズを厚
さ調整用粒子１７として用いる。
【０４２０】厚さ調整用粒子１７としてプラスチックビ
ーズの場合は、ポリスチレンとブタジエンの共重合体
や、ポリスチレンや、ナイロンや、ポリメチルメタクリ
レートや、ポリイミドや、アラミドなどの高分子体から
構成する。
【０４２１】これに対して、厚さ調整用粒子１７として
導電性を付与する場合は、プラスチックビーズ表面にニ
ッケル（Ｎｉ）や、金（Ａｕ）などを無電解メッキで形
成する。さらに厚さ調整用粒子１７として金属の場合
は、銅（Ｃｕ）や金（Ａｕ）やスズ（Ｓｎ）や銀（Ａ
ｇ）やニッケル（Ｎｉ）などの金属単体あるいはハンダ
などの合金から構成する。
【０４２２】図３１と図３２に示すように、接着剤１６
が突出配線２７と段差１５との間にある構造で、接着剤
１６が液状の場合は、前述のようにディスペンサで突出
配線２７側あるいは段差１５側に供給する。しかし、接
着剤１６がシート状の場合は所定の大きさに切り出して
突出配線２７側あるいは段差１５側にシート状の接着剤
１６を張り付けてもよい。
【０４２３】このシート状の接着剤１６を用いる本発明
の実施例を、図３３と図３４の平面図を用いて説明す
る。突出配線２７より大きな平面形状のシート状の接着
剤１６を使用して、突出配線２７を基板１２の段差１５
に固定する。
【０４２４】接着剤１６がシート状の場合で突出配線２
７側に張り付ける場合は、図３３と図３４とに示すよう
に、基板１２の段差１５に収納する前に突出配線２７を
補強することができ、さらに突出配線２７の変形を防止
することができる効果が得られるため、作業性と接続安
定性が向上する。
【０４２５】図２１を使用して説明した実施例では、可
撓性フィルム２１の下側にフィルム配線２２と突出配線
２７を設けるが、図３５に示すように可撓性フィルム２
１の上側にフィルム配線２２ａと突出配線２７とを設け
る構成でもよい。
【０４２６】以上説明した実施例とは異なる実施例にお
ける突出配線２７を設ける可撓性フィルム２１の他の構
造を、図３６と図３７とを用いて説明する。
【０４２７】図３６はフィルム配線２２ａとフィルム配
線２２ｂと突出配線２７を設ける可撓性フィルム２１を
段差１５に収納した状態を示す断面図であり、図３７は
フィルム配線２２ａとフィルム配線２２ｂと突出配線２
７とを設ける可撓性フィルム２１を示す平面図である。
なおこの図３６においては、絶縁樹脂２４を用いて実装
する半導体装置の図示は省略している。
【０４２８】図２１を用いて説明した実施例において
は、フィルム配線２２を片面に設ける構造の可撓性フィ
ルム２１を用いたが、図３６と図３７に示すように可撓
性フィルム２１の両面にフィルム配線２２ａとフィルム
配線２２ｂと突出配線２７とを設けてもよい。
【０４２９】さらにまた、図３６に示す可撓性フィルム
２１は、両面に突出配線２７とフィルム配線２２ａ、２
２ｂとを設ける構造で示したが、フィルム配線や突出配
線を絶縁層を介して多層に設ける多層構造の可撓性フィ
ルム２１を用いてもよい。
【０４３０】図３７は、図３６で用いた本発明の実施例
に用いる可撓性フィルム２１のフィルム配線を共通化し
た場合の平面パターン構造を示す。
【０４３１】図３６に示す半導体装置１１の入力などの
共通化可能な端子と接続するフィルム配線２２を、図３
７に示すフィルム配線２２ａ、２２ｂのように形成する
ことが可能である。
【０４３２】図３７に示す可撓性フィルム２１を使用し
た場合、フィルム配線２２ａとフィルム配線２２ｂとを
共通化することができる。このため１枚の可撓性フィル
ム２１で複数個の半導体装置を実装することが可能とな
る。
【０４３３】したがって、可撓性フィルム２１の実装コ
ストはそのままで、半導体装置を増加することが可能と
なり接続本数を増加することが可能になり、より高精細
な画像表示装置に対応することができる。
【０４３４】つぎに本発明のほかの実施例における半導
体装置を、図１と図２８と図２９と図３８を用いて説明
する。図１と図２８と図３８は本発明の半導体装置とそ
の製造方法を工程順に示す断面図であり、図３８は本発
明の半導体装置を示す断面図である。図２９は突出配線
を基板の段差に固定した状態を示す平面図である。
【０４３５】まずはじめに図３８を用いて、本発明の実
施例における半導体装置の構造を説明する。
【０４３６】図３８に示すように、液晶表示装置の一方
の基板で構成する基板１２と、液晶表示装置を駆動する
半導体装置１１と、液晶表示装置への信号の入力を行う
突出配線２７とを設ける。
【０４３７】基板１２には基板配線２３と、可撓性フィ
ルム２１に設ける突出配線２７を収納するための段差１
５を設ける。
【０４３８】突出配線２７の先端部と段差１５側壁部と
の間には、突出配線２７と基板配線２３とが接触して短
絡しないようにするため隙間を設けてある。
【０４３９】可撓性フィルム２１の上面にはフィルム配
線２２を設ける。そしてこの可撓性フィルム２１に設け
る突出配線２７を段差１５に搭載したとき、突出配線２
７の上面と、基板配線２３の上面とがほぼ同一平面にな
るように構成する。
【０４４０】半導体装置１１には信号の入出力端子であ
る突起電極１３を設ける。そして、この半導体装置１１
は基板１２と突出配線２２との双方にまたがるような位
置に設けてある。
【０４４１】半導体装置１１と、突出配線２７と基板１
２との接続は、突起電極１３と、突出配線２７と基板配
線２３とを導電性ペースト１４を介して行う。
【０４４２】つぎに図３８に示す本発明の実施例におけ
る半導体装置を形成するための製造方法を、図１と図２
８と図２９と図３８とを使って説明する。
【０４４３】まずはじめに図１に示すように、基板配線
２３を形成した液晶表示装置の一方の基板１２に段差１
５を形成する。
【０４４４】基板配線２３は、真空蒸着法やスパッタリ
ング法やエレクトロンビーム法により形成するＩＴＯ
（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：酸化インジウム
スズ）やクロム（Ｃｒ）やニッケル（Ｎｉ）やタンタル
（Ｔａ）や金（Ａｕ）やチタン（Ｔｉ）から構成する。
さらに、基板１２はソーダライム系ガラスやホウ珪酸系
ガラスや石英ガラスから構成する。
【０４４５】この段差１５は、ダイヤモンド粉を表面に
付着させた研磨装置を使って加工する方法や、細かい砂
を吹き付けて加工を行うサンドブラスト方法や、あるい
は段差１５に対応するパターンを形成したマスクを使用
してスパッタエッチングする方法や、段差１５に対応す
るパターンを形成したマスクを使用して王水フッ酸でエ
ッチングする方法により形成する。
【０４４６】段差１５の側壁部は、図１では垂直形状に
なるよう図示してあるが、基板１２の表面に対してプラ
スマイナス４５度以内であれば角度がついていてもよ
い。
【０４４７】またさらに、図１では段差１５の側壁部は
直線形状で示したが、曲線形状に形成してもよい。
【０４４８】この段差１５の深さ寸法は、好ましくは後
工程で、この段差１５上に設ける突出配線２７の厚さの
プラスマイナス１０％以内の寸法とする。
【０４４９】段差１５の幅寸法は、半導体装置１１上対
向する２辺に設ける突起電極１３間の距離寸法よりも広
ければよく、おおむね０．１ｍｍ〜５ｍｍあればよい。
【０４５０】なお、図１では段差１５の形成は液晶表示
装置の画像表示部分が完成した後で行っているが、液晶
表示装置の画像表示部分が完成する前の工程において、
基板１２へ基板配線２３を形成した後の工程で、段差１
５を形成してもよい。
【０４５１】つぎに図２８と図２９に示すように、段差
１５の上に突出配線２７とフィルム配線２２とを有する
可撓性フィルム２１を位置合わせして、その後突出配線
２７の側面を接着剤１６で固定する。
【０４５２】可撓性フィルム２１は、ポリイミドやポリ
エチレンやテフロンやナイロンから構成する。そしてフ
ィルム配線２２は、真空蒸着法やスパッタリング法や圧
延法により金（Ａｕ）や銅（Ｃｕ）やハンダやニッケル
（Ｎｉ）や銀（Ａｇ）やスズ（Ｓｎ）や、あるいはこれ
らの金属の合金や、あるいはこれらの金属薄膜の多層膜
から構成する。
【０４５３】可撓性フィルム２１から突出する突出配線
２７は、フィルム配線２２が可撓性フィルム２１の端部
より延長したものである。
【０４５４】突出配線２７は可撓性フィルム２１にフィ
ルム配線２２を形成した後に、可撓性フィルム２１を、
感光性樹脂であるフォトレジストを用いてフォトエッチ
ング処理により除去して形成する。
【０４５５】図２９を用いて説明した実施例では、突出
配線２７と段差１５との２箇所に接着剤１６を形成する
例で説明したが、突出配線２７を段差１５に固定した後
の製造工程で設ける半導体装置１１に構造上干渉しなけ
れば、側面の別の場所の複数箇所に接着剤１６を使用し
て固定してもよく、さらに側面全体を接着剤１６で固定
してもよい。
【０４５６】突出配線２７と段差１５の側壁部の間の隙
間は、突出配線２７と基板配線２３との絶縁性を保つた
めに、２μｍ以上の寸法で設けることが望ましい。
【０４５７】つぎに、半導体装置１１に設ける突起電極
１３上に導電性ペースト１４を、スクリーン印刷法や、
ディップ法や、あるいはディスペンサを使用して一定量
形成する。
【０４５８】半導体装置１１に設ける突起電極１３は、
電解メッキ処理や、無電解メッキ処理により形成する
か、あるいはワイヤーボンディングのボールを半導体装
置の電極にワイヤーボンディング後ワイヤーを切断して
形成する。
【０４５９】導電性ペースト１４はエポキシ系あるいは
シリコーン系樹脂に、粒径が０．１μｍから１０μｍの
金や銀や銅やパラジウムやチタンやスズや鉛やハンダを
単独あるいはこれらを２種類以上混合した粉体を、５０
ｗｔ％から９０ｗｔ％混合したものを用いる。
【０４６０】図３８に示すように、導電性ペースト１４
を突起電極１３へ形成後、半導体装置１１の突起電極１
３を突出配線２７と基板配線２３の位置に位置合わせし
て、突起電極１３と、突出配線２７と基板配線２３と
を、導電性ペースト１４を介して接続する。
【０４６１】つぎに半導体装置１１を接続後、８０℃〜
１５０℃の温度で加熱処理を行い、導電性ペースト１４
を硬化させる。
【０４６２】本発明の半導体装置においては、基板１２
に段差１５を設けることにより、半導体装置１１の突起
電極１３と可撓性フィルム２１のフィルム配線２２を直
接接続することが可能になる。よって、図４２を用いて
従来例で説明したＣＯＧ法よりも、実装面積は可撓性フ
ィルム２１を接続した面積分だけ小さくすることが可能
になる。
【０４６３】本発明の半導体装置の接続本数は従来例の
ＣＯＧ法と同等の本数が可能であるため、ＴＡＢ法で問
題となる接続本数の制約はなく、そのうえ使用する半導
体装置の個数も少なくすることが可能になる。これによ
って、本発明の実装コストは従来より安くなり、しかも
商品価値の高い画像表示装置を提供することが可能にな
る。
【０４６４】本発明における突出配線２７を設ける可撓
性フィルム２１を用いた場合は、段差１５の形成する深
さは、突出配線２７の厚さだけでよい。このために、段
差加工が可撓性フィルム２１を段差１５に収納した場合
よりも少なくすることが可能である。
【０４６５】本発明の突出配線２７を設ける可撓性フィ
ルム２１を用いた場合は、段差１５端部に沿って突出配
線２７の折り曲げ性が、可撓性フィルム２１を折り曲げ
るときに較べて、容易になる効果が得られる。
【０４６６】以上図３８を用いて説明した構造におい
て、半導体装置１１と、可撓性フィルム２１と基板１２
との間に絶縁樹脂２４を設けてもよい。
【０４６７】この半導体装置１１と、可撓性フィルム２
１と基板１２との間に設ける絶縁樹脂２４としてエポキ
シ系樹脂やシリコーン系樹脂などの熱硬化型樹脂を用い
た場合には、加熱処理を行って絶縁樹脂２４を硬化させ
る。
【０４６８】さらに半導体装置１１と、可撓性フィルム
２１と基板１２との間に設ける絶縁樹脂２４としてアク
リル系樹脂などからなる光硬化性樹脂を用いた場合に
は、半導体装置１１とは反対側から基板１２を通して光
を照射して絶縁樹脂２４を硬化させる。
【０４６９】導電性ペースト１４を用いる実装法を適用
して可撓性フィルム２１を段差１５に仮固定するとき、
可撓性フィルム２１の突出配線２７の先端部と段差１５
の側壁部との間に隙間３２を設けない場合の突出配線２
７と基板配線２３とに関する他の実施例にける構造を、
図２７を用いて以下に説明する。
【０４７０】図２７は可撓性フィルム２１に設ける突出
配線２７を段差１５に収納したときの構造を示す断面図
である。なおこの図２７には導電性ペースト１４を用い
て実装する半導体装置の図示は省略している。
【０４７１】可撓性フィルム２１を段差１５に収納する
とき、可撓性フィルム２１に設ける突出配線２７の先端
部と段差１５の側壁部との間に隙間３２を設けない場合
は、入力信号を受けもつ突出配線２７と出力信号を受け
もつ基板配線２３との電気的短絡を避けなければならな
い。このために、図２７に示すように基板配線２３とフ
ィルム配線２２との間に２μｍ以上の寸法の隙間３２を
設ける。
【０４７２】図２７は突出配線２７の先端部が段差１５
の側壁部まで設けてある場合で、このときは基板配線２
３を段差１５の側壁部から２μｍ以上後退させて隙間３
２を設ける。
【０４７３】図２７を用いて説明した実施例では、突出
配線２７と基板配線２３の基板１２に対する位置関係
は、段差１５側壁部が垂直形状の場合で示した。
【０４７４】しかし、段差１５の側壁部が垂直形状でな
い場合において、突出配線２７と段差１５側壁の一部が
接触した構造においても、突出配線２７と基板配線２３
との電気的短絡の発生を防止するために、図２７に示す
構造を採用すればよい。さらに、突出配線２７と段差１
５側壁部に隙間がある場合にも、図２７に示す突出配線
２７と基板配線２３との構造は適用可能である。
【０４７５】つぎに本発明の実施例の導電性ペーストを
用いる半導体装置の実装における段差への突出配線の接
続構造と、その製造方法とを説明する。可撓性フィルム
２１に設ける突出配線２７を段差１５に収納するとき、
突出配線２７を接着剤１６を用いて段差１５に固定した
場合の構造と製造方法を、図３０と図３１と図３２とを
使用して説明する。
【０４７６】図３０と図３１と図３２は接着剤１６を用
いて突出配線２７を段差１５に固定した状態を示す断面
図である。なおこの図３０と図３１と図３２とにおいて
は、導電性ペースト１４を用いて実装する半導体装置の
図示はしていない。
【０４７７】接着剤１６は、熱硬化型樹脂や熱可塑型樹
脂や室温硬化型樹脂や光硬化型樹脂からなる接着剤を用
いる。そして接着剤１６は、望ましくはシアノアクリレ
ート系樹脂やエポキシ系樹脂やシリコーン系樹脂やウレ
タン系樹脂やアラミド系樹脂やポリイミド系樹脂や、こ
れらの樹脂の複合体からなり、室温雰囲気で１０分以内
の時間で硬化する樹脂を用いる。
【０４７８】突出配線２７を段差１５に接着剤１６で固
定する他の実施例における構造としては、図３０に示す
ように、接着剤１６を突出配線２７の裏面と基板１２の
端部側面とに設けてもよい。
【０４７９】図３０に示すような突出配線２７の裏面と
基板１２の端部側面に設ける接着剤１６は、ディスペン
サを用いて形成する。
【０４８０】突出配線２７を段差１５に接着剤１６で固
定する他の実施例における構造としては、図３１に示す
ように、突出配線２７と段差１５との間に接着剤１６を
設けてもよい。
【０４８１】この図３１に示すような構造の場合、段差
１５上に接着剤１６をディスペンサを用いて形成し、そ
の接着剤１６上に突出配線２７を位置合わせして、その
後ヒートツール２８を用いて加圧加熱処理を行い接着剤
１６を硬化させる。
【０４８２】この図３１に示す突出配線２７と段差１５
との間を接着剤１６を用いて固定する上記とは別の製造
方法としては、突出配線２７側に接着剤１６をディスペ
ンサを用いて形成し、段差１５上に位置合わせして、そ
の後ヒートツール２８で加圧加熱処理を行い接着剤１６
を硬化させる。
【０４８３】図３１に示すように、ヒートツール２８を
基板配線２３の上面にも接触するように加圧すると、高
さの基準が簡便に取れ、接着剤１６の厚さを適正寸法に
制御することができる。このため、突出配線２７と基板
配線２３との上面とを同一平面にし、平坦性が出しやす
くなる効果が得られる。
【０４８４】さらに別の実施例における段差への突出配
線の接続手段を、図３２を用いて説明する。図３２で示
すように、接着剤１６中に厚さ調整用粒子１７を混入す
る。このようすると、加圧時に厚さ調整用粒子１７が変
形して、図３１に示す場合よりさらに、突出配線２７と
基板配線２３との上面の平坦性が出しやすくなる効果が
得られる。
【０４８５】そして、突出配線２７の厚さ寸法を変更し
た場合でも、厚さ調整用粒子１７の粒径を調整すること
で、突出配線２７と基板配線２３との上面の平坦性を保
つことが可能である効果が得られる。
【０４８６】厚さ調整用粒子１７は、粒径が１μｍから
２００μｍでプラスマイナス１０％以内で揃ったプラス
チックビーズや金属粉や金属被覆されたプラスチックビ
ーズを用い、接着剤１６中に５ｗｔ％〜４０ｗｔ％混入
したものを使用する。
【０４８７】突出配線２７と段差１５との間の絶縁性が
要求される場合は、厚さ調整用粒子１７としてプラスチ
ックビーズを用いる。これに対して、アースなどをとる
ため突出配線２７と段差１５との導通性が要求される場
合は、金属粉や金属被覆されたプラスチックビーズを厚
さ調整用粒子１７として用いる。
【０４８８】厚さ調整用粒子１７としてプラスチックビ
ーズを使用する場合は、ポリスチレンとブタジエンの共
重合体や、ポリスチレンや、ナイロンや、ポリメチルメ
タクリレートや、ポリイミドや、アラミドなどの高分子
体から構成する。
【０４８９】これに対して、厚さ調整用粒子１７として
導電性を付与する場合は、プラスチックビーズ表面にニ
ッケル（Ｎｉ）や、金（Ａｕ）などからなる金属薄膜
を、無電解メッキにより形成する。厚さ調整用粒子１７
として金属を使用するとき場合は、銅（Ｃｕ）や金（Ａ
ｕ）やスズ（Ｓｎ）や銀（Ａｇ）やニッケル（Ｎｉ）な
どの金属単体あるいはハンダなどの合金から構成する。
【０４９０】図３１と図３２に示すように、接着剤１６
が突出配線２７と段差１５との間にある構造で、接着剤
１６が液状の場合は、前述のようにディスペンサで突出
配線２７側あるいは段差１５側に供給する。しかし、接
着剤１６がシート状の場合は所定の大きさに切り出して
突出配線２７側あるいは段差１５側にシート状の接着剤
１６を張り付けてもよい。
【０４９１】このシート状の接着剤１６を用いる本発明
の実施例を、図３３と図３４の平面図を使用して説明す
る。突出配線２７より大きな平面形状を有するシート状
の接着剤１６を用いて、基板１２に突出配線２７を固定
する。
【０４９２】接着剤１６がシート状の場合で突出配線２
７側に張り付けた場合、図３３と図３４に示すように基
板１２の段差１５に収納する前に突出配線２７を補強す
ることができ、さらに突出配線２７の変形を防止できる
効果が得られる。このため、作業性と接続安定性が向上
する。
【０４９３】図２１を用いて説明した実施例では、可撓
性フィルム２１の下側にフィルム配線２２と突出配線２
７を設けるが、図３５に示すように可撓性フィルム２１
の上側にフィルム配線２２ａと突出配線２７を設ける構
成でもよい。
【０４９４】以上説明した実施例と異なる実施例におけ
る突出配線２７を設ける可撓性フィルム２１の他の構造
を、図３６と図３７とを使用して説明する。
【０４９５】図３６はフィルム配線２２ａとフィルム配
線２２ｂと突出配線２７を設ける可撓性フィルム２１を
段差１５に収納した状態を示す断面図であり、図３７は
フィルム配線２２ａとフィルム配線２２ｂと突出配線２
７とを設ける可撓性フィルム２１を示す平面図である。
なお図３６においては、導電性ペースト１４を用いて実
装する半導体装置の図示はしていない。
【０４９６】図２１を用いて説明した実施例では、フィ
ルム配線２２を片面に設ける構造の可撓性フィルム２１
を用いたが、図３６と図３７とに示すように可撓性フィ
ルム２１の両面にフィルム配線２２ａとフィルム配線２
２ｂと突出配線２７とを設けてもよい。
【０４９７】さらに、図３６に示す可撓性フィルム２１
は、両面にフィルム配線２２ａとフィルム配線２２ｂを
設ける構造で示したが、フィルム配線や突出配線を絶縁
層を介して多層に設ける多層構造の可撓性フィルム２１
を用いてもよい。
【０４９８】図３７は、図３６で用いた本発明の実施例
に用いる可撓性フィルム２１のフィルム配線を共通化し
た場合の平面パターン構造を示す。
【０４９９】図３６に示す半導体装置１１の入力などの
共通化可能な端子と接続するフィルム配線２２を、図３
７に示すフィルム配線２２ａ、２２ｂのように形成する
ことが可能である。
【０５００】図３７に示す可撓性フィルム２１を使用し
た場合、フィルム配線２２ａとフィルム配線２２ｂを共
通化することができる。このため１枚の可撓性フィルム
２１で複数個の半導体装置を実装することが可能とな
る。
【０５０１】したがって、可撓性フィルム２１の実装コ
ストはそのままで、半導体装置を増加することが可能と
なり接続本数を増加することが可能になり、より高精細
な画像表示装置に対応することができる。
【０５０２】つぎに本発明のほかの実施例における半導
体装置を、図１と図２１と図３９と図４０を用いて説明
する。図１と図２１と図３９と図４０は半導体装置とそ
の製造方法を工程順に示す断面図である。
【０５０３】まずはじめに図４０を用いて、本発明の実
施例における半導体装置の構造を説明する。
【０５０４】図４０に示すように、液晶表示装置の一方
の基板で構成する基板１２と、液晶表示装置を駆動する
半導体装置１１と、液晶表示装置への信号の入力を行う
突出配線２７とを設ける。
【０５０５】基板１２には基板配線２３と、可撓性フィ
ルム２１に設ける突出配線２７を収納するための段差１
５を設ける。
【０５０６】突出配線２７の先端部と段差１５の側壁部
との間には、突出配線２７と基板配線２３とが接触して
短絡しないようにするため隙間を設けてある。
【０５０７】可撓性フィルム２１の上面にはフィルム配
線２２を設ける。そしてこの可撓性フィルム２１に設け
る突出配線２７を段差１５に搭載したとき、突出配線２
７の上面と、基板配線２３の上面とがほぼ同一平面にな
るように構成する。
【０５０８】半導体装置１１には信号の入出力端子であ
る突起電極１３を設ける。そして、この半導体装置１１
は基板１２と突出配線２２との双方にまたがるような位
置に設けてある。
【０５０９】半導体装置１１と、可撓性フィルム２１と
基板１２との接続は、突起電極１３と、突出配線２７と
基板配線２３とを、ＡＣＦ２５を構成する導電性粒子２
６を介して接触させて行う。
【０５１０】そして半導体装置１１と、基板１２と可撓
性フィルム２１との間には、ＡＣＦ２５を設ける。
【０５１１】つぎにこの図４０に示す本発明の実施例に
おける半導体装置を形成するための製造方法を、図１と
図２１と図３９と図４０を使って説明する。
【０５１２】まずはじめに図１に示すように、基板配線
２３を形成した液晶表示装置の一方の基板１２に段差１
５を形成する。
【０５１３】基板配線２３は、真空蒸着法やスパッタリ
ング法やエレクトロンビーム法により形成するＩＴＯ
（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：酸化インジウム
スズ）やクロム（Ｃｒ）やニッケル（Ｎｉ）やタンタル
（Ｔａ）や金（Ａｕ）やチタン（Ｔｉ）から構成する。
そして、基板１２はソーダライム系ガラスやホウ珪酸系
ガラスや石英ガラスから構成する。
【０５１４】この段差１５は、ダイヤモンド粉を表面に
付着させた研磨装置を使って加工する方法や、細かい砂
を吹き付けて加工を行うサンドブラスト方法や、あるい
は段差１５に対応するパターンを形成したマスクを使用
してスパッタエッチングする方法や、段差１５に対応す
るパターンを形成したマスクを使用して王水フッ酸でエ
ッチングする方法により形成する。
【０５１５】段差１５の側壁部は、図１では垂直形状に
なるよう図示してあるが、基板１２の表面に対してプラ
スマイナス４５度以内であれば角度がついていてもよ
い。
【０５１６】さらにまた、図１では段差１５の側壁部は
直線形状で図示したが、曲線形状に形成してもよい。
【０５１７】この段差１５の深さ寸法は、好ましくは後
工程で、この段差１５上に設ける突出配線２７の厚さの
プラスマイナス１０％以内の寸法とする。
【０５１８】段差１５の幅寸法は、半導体装置１１上の
対向する２辺に設ける突起電極１３間の距離寸法よりも
広ければよく、おおむね０．１ｍｍ〜５ｍｍあればよ
い。
【０５１９】なお、図１では段差１５の形成は液晶表示
装置の画像表示部分が完成した後で行っているが、液晶
表示装置の画像表示部分が完成する前の工程において、
基板１２へ基板配線２３を形成した後の工程で、段差１
５を形成してもよい。
【０５２０】つぎに図２１に示すように、段差１５の上
に突出配線２７を有する可撓性フィルム２１を、仮固定
器３１を用いて固定する。このとき突出配線２７の先端
部と段差１５の側壁部との間には、隙間３２を設けるよ
うな位置に突出配線２７を仮固定する。
【０５２１】可撓性フィルム２１は、ポリイミドやポリ
エチレンやテフロンやナイロンから構成する。そして、
フィルム配線２２は、真空蒸着法やスパッタリング法や
圧延法により金（Ａｕ）や銅（Ｃｕ）やハンダやニッケ
ル（Ｎｉ）や銀（Ａｇ）やスズ（Ｓｎ）や、あるいはこ
れらの金属の合金や、あるいはこれらの金属薄膜の多層
膜から構成する。
【０５２２】可撓性フィルム２１から突出する突出配線
２７は、フィルム配線２２が可撓性フィルム２１の端部
より延長したものである。
【０５２３】突出配線２７は可撓性フィルム２１にフィ
ルム配線２２を形成した後に、可撓性フィルム２１を、
感光性樹脂であるフォトレジストを用いてフォトエッチ
ング処理により除去して形成する。
【０５２４】図２１を用いて説明したように、仮固定器
３１で段差１５上に可撓性フィルム２１を仮固定した場
合、図３９に示すＡＣＦ２５を硬化させるまで、可撓性
フィルムを２１を仮固定しておく必要がある。
【０５２５】突出配線２７の先端部と段差１５の側壁部
との間の隙間３２は、突出配線２７と基板配線２３との
絶縁性を保つために、２μｍ以上の寸法で設けることが
望ましい。
【０５２６】つぎに図３９に示すように、半導体装置１
１の外形形状とほぼ同じ大きさになるように、可撓性フ
ィルム２１に設ける突出配線２７から段差１５を経由し
て基板配線２３にまたがって、ＡＣＦ２５を形成する。
その後ヒートツール２８を使用して加熱圧接処理する。
【０５２７】ここで行う加熱圧接は一時的な仮のもので
あり、ＡＣＦ２５の加熱圧接は温度は６０℃から１２０
℃で、圧力は０．１ｋｇ／ｃｍ2 から１０ｋｇ／ｃｍ2
の条件で行う。
【０５２８】ＡＣＦ２５は可撓性フィルム２１に設ける
突出配線２７から段差１５を経由した基板配線２３にま
たがって加熱圧接するように説明したが、半導体装置１
１側に形成してもよい。
【０５２９】半導体装置１１に設ける突起電極１３は、
電解メッキ処理や、無電解メッキ処理により形成する
か、あるいはワイヤーボンディングのボールを半導体装
置の電極上にワイヤーボンディング後ワイヤーを切断し
て形成する。
【０５３０】突起電極１３は導電性の物質であればよい
が、好ましくは金（Ａｕ）やハンダやスズ（Ｓｎ）で形
成するか、あるいは突起電極１３の表面をこれらの金属
で覆う。このようにすると突起電極１３は、加圧時に塑
性変形が容易となり接触面積を大きくすることができ
る。
【０５３１】つぎに図４０に示すように、半導体装置１
１の突起電極１３と、突出配線２７と基板配線２３とに
を位置合わせする。その後ヒートツール２８を使用して
加熱圧接処理して、半導体装置１１の突起電極１３を突
出配線２７と基板配線２３にＡＣＦ２５を介して接続
し、ＡＣＦ２５を硬化させ、図４０に示す構造を得る。
【０５３２】本発明の半導体装置においては、基板１２
に段差１５を設けることにより、半導体装置１１の突起
電極１３と可撓性フィルム２１の突出配線２７を直接接
続することが可能になる。よって、図４２の従来例で説
明したＣＯＧ法よりも、実装面積を可撓性フィルムを接
続した面積分だけ小さくすることが可能になる。
【０５３３】本発明の半導体装置の接続本数は、従来例
のＣＯＧ法と同等の本数が可能であるため、ＴＡＢ法で
問題となる接続本数の制約はなく、そのうえ使用する半
導体装置の個数も少なくすることが可能になる。これに
よって、本発明の実装コストは従来より安くなり、しか
も商品価値の高い画像表示装置を提供することが可能に
なる。
【０５３４】本発明における突出配線２７を設ける可撓
性フィルム２１を用いた場合は、段差１５の形成する深
さは突出配線２７の厚さ分だけでよい。このために、段
差加工が可撓性フィルム２１を段差１５に収納した場合
よりも薄くすることが可能である。
【０５３５】本発明における突出配線２７を設ける可撓
性フィルム２１を用いた場合は、段差１５の端部に沿っ
て突出配線２７の折り曲げ性が、可撓性フィルム２１を
折り曲げるときに較べて、容易になる効果が得られる。
【０５３６】つぎに以上の説明と異なる実施例のＡＣＦ
実装法を適用する半導体装置を説明する。可撓性フィル
ム２１を段差１５に仮固定するとき、可撓性フィルム２
１に設ける突出配線２７の先端部と段差１５側壁部との
間に隙間３２を設けない場合の突出配線２７と基板配線
２３とに関する他の実施例における構造を、図２７を用
いて以下に説明する。
【０５３７】図２７は、本発明のＡＣＦ実装法を適用す
る半導体装置における可撓性フィルム２１に設ける突出
配線２７を段差１５に収納したときの構造を示す断面図
である。なおこの図２７においては、ＡＣＦ実装法を適
用して接続する半導体装置の図示は省略している。
【０５３８】可撓性フィルム２１を段差１５に収納する
とき、可撓性フィルム２１に設ける突出配線２７の先端
部と段差１５側壁部との間に隙間３２を設けない場合
は、入力信号を受けもつ突出配線２７と出力信号を受け
もつ基板配線２３との電気的短絡を避けなければならな
い。このために、図２７に示すように、基板配線２３と
フィルム配線２２との間は２μｍ以上の寸法の隙間３２
を設ける。
【０５３９】図２７は突出配線２７の先端部が段差１５
の側壁部まで設けてある場合で、このとき基板配線２３
を段差１５の側壁部から２μｍ以上後退するように隙間
３２を設ける。
【０５４０】図２７を用いて説明した実施例では、突出
配線２７と基板配線２３の基板１２に対する位置関係
は、段差１５の側壁部が垂直形状の場合で示した。
【０５４１】しかし、段差１５の側壁部が垂直形状でな
い場合において、突出配線２７と段差１５側壁の一部が
接触した構造においても、突出配線２７と基板配線２３
との電気的短絡の発生を防止するために、図２７に示す
構造を採用すればよい。さらにであり、突出配線２７と
段差１５側壁部に隙間がある場合にも、図２７に示す突
出配線２７と基板配線２３との構造は適用可能である。
【０５４２】つぎに本発明の実施例のＡＣＦ実装法を適
用する半導体装置の段差への可撓性フィルムの接続構造
と、その製造方法とを説明する。可撓性フィルム２１に
設ける突出配線２７を段差１５に収納するとき、突出配
線２７を接着剤１６を用いて段差１５に固定した場合の
構造と製造方法を、図２８と図３０と図３１と図３２と
を使用して説明する。
【０５４３】図２８と図３０と図３１と図３２とは、接
着剤１６を用いて突出配線２７を段差１５に固定した状
態を示す断面図であり、図２９は突出配線を基板の段差
に固定した状態を示す平面図である。なお図２８と図３
０と図３１と図３２とにおいては、ＡＣＦ実装法を用い
て接続する半導体装置の図示はしていない。
【０５４４】図２１を用いて説明した基板１２の段差１
５へ突出配線２７を収納し仮固定した構造において、図
２８と図２９に示すように、突出配線２７の側面部に接
着剤１６を設けてもよい。
【０５４５】この図２８と図２９に示す突出配線２７の
側面部に設ける接着剤１６は、ディスペンサを用いて形
成する。
【０５４６】図２８と図２９に示すように、突出配線２
７の側面を接着剤１６で固定した場合、図２２と図２３
と図２４で示す仮固定器３１は不要となるため、作業性
が向上する。
【０５４７】図２９では２箇所に接着剤１６を形成する
実施例で説明したが、突出配線２７を段差１５に固定し
た後の製造工程で設ける半導体装置１１に構造上干渉し
なければ、側面の別の場所の複数箇所に接着剤１６を使
用して固定してもよく、さらに側面全体を接着剤１６で
固定してもよい。
【０５４８】接着剤１６は、熱硬化型樹脂や熱可塑型樹
脂や室温硬化型樹脂や光硬化型樹脂からなる接着剤を用
いる。そして接着剤１６は、望ましくはシアノアクリレ
ート系樹脂やエポキシ系樹脂やシリコーン系樹脂やウレ
タン系樹脂やアラミド系樹脂やポリイミド系樹脂や、こ
れらの樹脂の複合体からなり、室温で１０分以内の時間
で硬化する樹脂を用いる。
【０５４９】突出配線２７を段差１５に接着剤１６で固
定する他の実施例における構造としては、図３０に示す
ように、接着剤１６を突出配線２７の裏面と基板１２の
端部側面とに設けてもよい。
【０５５０】図３０に示すような突出配線２７の裏面と
基板１２の端部側面に設ける接着剤１６は、ディスペン
サを用いて形成する。
【０５５１】突出配線２７を段差１５に接着剤１６で固
定する他の実施例における構造としては、図３１に示す
ように、突出配線２７と段差１５との間に接着剤１６を
設けてもよい。
【０５５２】この図３１に示すような構造の場合、段差
１５上に接着剤１６をディスペンサを用いて形成し、そ
の接着剤１６上に突出配線２７を位置合わせして、その
後ヒートツール２８を使用して加圧加熱処理を行い接着
剤１６を硬化させる。
【０５５３】この図３１に示す突出配線２７と段差１５
との間を接着剤１６を用いて固定する上記とは別の製造
方法としては、突出配線２７側に接着剤１６をディスペ
ンサを用いて形成し、段差１５上に位置合わせして、そ
の後ヒートツール２８で加圧加熱処理を行い接着剤１６
を硬化させる。
【０５５４】図３１に示すように、ヒートツール２８を
基板配線２３の上面に接触するように加圧すると、高さ
の基準が簡便に取れ接着剤１６の厚さを適正寸法に制御
することができる。このため、突出配線２７と基板配線
２３との上面とを同一平面にして、平坦性が出しやすく
なる効果が得られる。
【０５５５】さらに別の実施例における段差への突出配
線の接続構造を、図３２を用いて説明する。図３２で示
すように、接着剤１６中に厚さ調整用粒子１７を混入す
る。このすると、加圧時に厚さ調整用粒子１７が変形し
て、図３１に示す場合よりさらに、突出配線２７と基板
配線２３との上面の平坦性が出しやすくなる効果が得ら
れる。
【０５５６】そして、突出配線２７の厚さ寸法を変更し
た場合でも、厚さ調整用粒子１７の粒径を調整すること
で、突出配線２７と基板配線２３との上面の平坦性を保
つことが可能である効果が得られる。
【０５５７】厚さ調整用粒子１７は、粒径が１μｍから
２００μｍでプラスマイナス１０％以内で揃ったプラス
チックビーズや金属粉や金属被覆されたプラスチックビ
ーズを用い、接着剤１６中に５〜４０ｗｔ％混入したも
のを使用する。
【０５５８】突出配線２７と段差１５との間の絶縁性が
要求される場合は、厚さ調整用粒子１７としてプラスチ
ックビーズを用いる。これに対して、アースなどをとる
ため突出配線２７と段差１５との間の導通性が要求され
る場合は金属粉や金属被覆されたプラスチックビーズを
厚さ調整用粒子１７として用いる。
【０５５９】厚さ調整用粒子１７としてプラスチックビ
ーズを使用する場合は、ポリスチレンとブタジエンの共
重合体や、ポリスチレンや、ナイロンや、ポリメチルメ
タクリレートや、ポリイミドや、アラミドなどの高分子
体から構成する。
【０５６０】これに対して、厚さ調整用粒子１７として
導電性を付与する場合は、プラスチックビーズ表面にニ
ッケル（Ｎｉ）や、金（Ａｕ）などを無電解メッキで形
成する。厚さ調整用粒子１７として金属を使用する場合
は、銅（Ｃｕ）や金（Ａｕ）やスズ（Ｓｎ）や銀（Ａ
ｇ）やニッケル（Ｎｉ）などの金属単体あるいはハンダ
などの合金から構成する。
【０５６１】図３１と図３２に示すように、接着剤１６
が突出配線２７と段差１５との間にある構造で、接着剤
１６が液状の場合は、前述のようにディスペンサで突出
配線２７側あるいは段差１５側に供給する。しかし、接
着剤１６がシート状の場合は所定の大きさに切り出して
突出配線２７側あるいは段差１５側に、シート状の接着
剤１６を張り付けてもよい。
【０５６２】このシート状の接着剤を用いる本発明の実
施例を、図３３と図３４とを用いて説明する。突出配線
２７より大きな平面形状を有するシート状の接着剤１６
を用いて基板１２に突出配線２７を固定する。
【０５６３】接着剤１６がシート状の場合で突出配線２
７側に張り付けた場合、図３３と図３４に示すように段
差１５に収納する前に突出配線２７を補強することがで
き、さらに突出配線２７の変形を防止することができる
という効果が得られる。このため、作業性と接続安定性
が向上する。
【０５６４】図２１を用いて説明した実施例では、可撓
性フィルム２１の下側にフィルム配線２２と突出配線２
７を設けるが、図３５に示すように可撓性フィルム２１
の上側にフィルム配線２２ａと突出配線２７を設ける構
成でもよい。
【０５６５】以上説明した実施例とは異なる実施例にお
ける突出配線２７を設ける可撓性フィルム２１の他の構
造を、図３６と図３７とを使用して説明する。
【０５６６】図３６はフィルム配線２２ａとフィルム配
線２２ｂと突出配線２７を設ける可撓性フィルム２１を
段差１５に収納した状態を示す断面図であり、図３７は
フィルム配線２２ａとフィルム配線２２ｂと突出配線２
７とを設ける可撓性フィルム２１を示す平面図である。
なおこの図３６においては、ＡＣＦ実装法を用いて実装
する半導体装置の図示はしていない。
【０５６７】図２１を使用して説明した実施例では、フ
ィルム配線２２を片面に設ける構造の可撓性フィルム２
１を用いたが、図３６と図３７に示すように可撓性フィ
ルム２１の両面にフィルム配線２２ａとフィルム配線２
２ｂと突出配線２７とを設けてもよい。
【０５６８】さらにまた、図３６の可撓性フィルム２１
は、両面にフィルム配線を設ける構造で示したが多層構
造の可撓性フィルム２１を用いてもよい。
【０５６９】図３７は、図３６を使用して説明した本発
明の実施例に用いる可撓性フィルム２１のフィルム配線
を共通化した場合の平面パターン構造を示す。
【０５７０】図３６に示す半導体装置１１の入力などの
共通化可能な端子と接続するフィルム配線２２を、図３
７に示すフィルム配線２２ａ、２２ｂのように形成する
ことが可能である。
【０５７１】図３７に示す可撓性フィルム２１を使用し
た場合、フィルム配線２２ａとフィルム配線２２ｂを共
通化することができる。このため１枚の可撓性フィルム
２１で複数個の半導体装置を実装することが可能とな
る。
【０５７２】したがって、可撓性フィルム２１の実装コ
ストはそのままで、半導体装置を増加することが可能と
なり接続本数を増加することが可能になり、より高精細
な画像表示装置に対応することができる。
【０５７３】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように本発明の半
導体装置の構造とその製造方法では、従来例であるＴＡ
Ｂに比較して多点な接続が可能になる。このため、必要
な半導体装置の数を少なくすることが可能となり、製造
コストを減らすことが可能である。
【０５７４】さらに本発明の半導体装置においては、可
撓性フィルムをあらかじめ基板に接着し、半導体装置の
突起電極が基板の基板配線を経由することなく、可撓性
フィルムのフィルム配線に接続している。
【０５７５】このため、従来のＣＯＧの接続ピッチと接
続本数を損なうことなく、実装面積を小さくすることが
できるため、従来より基板大きさの小型化が可能であ
る。
【０５７６】さらに本発明においては、可撓性フィルム
をあらかじめ基板に接着し、可撓性フィルムのフィルム
配線に半導体装置の突起電極を接続している。このため
従来例であるＣＯＧ法に比較して、基板配線を経由する
分の接続点数を減らすことができ、接続信頼性が向上
し、しかも基板配線がもっている配線抵抗も低減するこ
とができる。
【０５７７】本発明は、従来例であるＴＡＢとの比較に
おいても、従来例のＣＯＧと比較した場合と同様に、フ
ィルム配線を経由する分の接続点数を減らすことができ
るため接続信頼性が向上する。
【０５７８】さらに、半導体装置を複数個接続する場合
は、入力側の配線を共通化した配線を形成することが可
能なため、本発明では１種類の可撓性フィルムで複数個
の半導体装置を受けもつことができ、製造コストを低減
することができる。
【０５７９】しかも、より高精細な接続本数の多い画像
表示装置にも、本発明の半導体装置においては対応が可
能となる。
【０５８０】本発明の半導体装置において、突出配線を
設ける可撓性フィルムを用いた場合は、段差の形成する
深さが突出配線の厚さ分だけでよい。このため、段差加
工が可撓性フィルムを段差に収納した場合よりも薄くす
ることが可能である。
【０５８１】本発明の半導体装置において、突出配線を
設ける可撓性フィルムを用いた場合は、段差端部に沿っ
た突出配線の折り曲げ性が、可撓性フィルムを折り曲げ
るときに較らべて、容易になる効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例における半導体装置の構造とそ
の製造方法とを示す断面図である。
【図２】本発明の実施例における半導体装置の構造とそ
の製造方法とを示す断面図である。
【図３】本発明の実施例における半導体装置の構造とそ
の製造方法とを示す断面図である。
【図４】本発明の実施例における半導体装置の構造とそ
の製造方法とを示す断面図である。
【図５】本発明の実施例における半導体装置の構造とそ
の製造方法とを示す断面図である。
【図６】本発明の実施例における半導体装置の構造とそ
の製造方法とを示す断面図である。
【図７】本発明の実施例における半導体装置の構造とそ
の製造方法とを示す断面図である。
【図８】本発明の実施例における半導体装置の構造とそ
の製造方法とを示す断面図である。
【図９】本発明の実施例における半導体装置の構造とそ
の製造方法とを示す断面図である。
【図１０】本発明の実施例における半導体装置の構造と
その製造方法とを示す断面図である。
【図１１】本発明の実施例における半導体装置の構造と
その製造方法における可撓性フィルムを示す断面図であ
る。
【図１２】本発明の実施例における半導体装置の構造と
その製造方法における可撓性フィルムを示す平面図であ
る。
【図１３】本発明の実施例における半導体装置の構造と
その製造方法における可撓性フィルムを示す断面図であ
る。
【図１４】本発明の実施例における半導体装置の構造と
その製造方法における可撓性フィルムを示す断面図であ
る。
【図１５】本発明の実施例における半導体装置の構造と
その製造方法における可撓性フィルムを示す断面図であ
る。
【図１６】本発明の実施例における半導体装置の構造と
その製造方法における可撓性フィルムを示す断面図であ
る。
【図１７】本発明の実施例における半導体装置の構造と
その製造方法における可撓性フィルムを示す平面図であ
る。
【図１８】本発明の実施例における半導体装置の構造と
その製造方法とを示す断面図である。
【図１９】本発明の実施例における半導体装置の構造と
その製造方法とを示す断面図である。
【図２０】本発明の実施例における半導体装置の構造と
その製造方法とを示す断面図である。
【図２１】本発明の実施例における半導体装置の構造と
その製造方法とを示す断面図である。
【図２２】本発明の実施例における半導体装置の構造と
その製造方法とを示す断面図である。
【図２３】本発明の実施例における半導体装置の構造と
その製造方法とを示す断面図である。
【図２４】本発明の実施例における半導体装置の構造と
その製造方法とを示す断面図である。
【図２５】本発明の実施例における半導体装置の構造と
その製造方法とを示す断面図である。
【図２６】本発明の実施例における半導体装置の構造と
その製造方法とを示す断面図である。
【図２７】本発明の実施例における半導体装置の構造と
その製造方法とを示す断面図である。
【図２８】本発明の実施例における半導体装置の構造と
その製造方法における可撓性フィルムを示す断面図であ
る。
【図２９】本発明の実施例における半導体装置の構造と
その製造方法における可撓性フィルムを示す平面図であ
る。
【図３０】本発明の実施例における半導体装置の構造と
その製造方法における可撓性フィルムを示す断面図であ
る。
【図３１】本発明の実施例における半導体装置の構造と
その製造方法における可撓性フィルムを示す断面図であ
る。
【図３２】本発明の実施例における半導体装置の構造と
その製造方法における可撓性フィルムを示す断面図であ
る。
【図３３】本発明の実施例における半導体装置の構造と
その製造方法における可撓性フィルムを示す平面図であ
る。
【図３４】本発明の実施例における半導体装置の構造と
その製造方法における可撓性フィルムを示す平面図であ
る。
【図３５】本発明の実施例における半導体装置の構造と
その製造方法における可撓性フィルムを示す断面図であ
る。
【図３６】本発明の実施例における半導体装置の構造と
その製造方法における可撓性フィルムを示す断面図であ
る。
【図３７】本発明の実施例における半導体装置の構造と
その製造方法における可撓性フィルムを示す平面図であ
る。
【図３８】本発明の実施例における半導体装置の構造と
その製造方法とを示す断面図である。
【図３９】本発明の実施例における半導体装置の構造と
その製造方法とを示す断面図である。
【図４０】本発明の実施例における半導体装置の構造と
その製造方法とを示す断面図である。
【図４１】従来例における半導体装置を示す断面図であ
る。
【図４２】従来例における半導体装置を示す断面図であ
る。
【図４３】従来例における半導体装置の可撓性フィルム
を示す平面図である。
【図４４】従来例における半導体装置の可撓性フィルム
を示す断面図である。
【符号の説明】
１１ 半導体装置 １２ 基板 １３ 突起電極 １４ 導電性ペースト １５ 段差 １６ 接着剤 １７ 厚さ調整用の粒子 ２１ 可撓性フィルム ２２ フィルム配線 ２３ 基板配線 ２４ 絶縁樹脂 ２５ ＡＣＦ ２６ 導電性粒子 ２７ 突出配線 ２８ ヒートツール ３１ 仮固定器 ３２ 隙間

Claims (96)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 段差を設け基板配線を有する基板と、段
    差上に設けるフィルム配線を有する可撓性フィルムと、
    可撓性フィルムと基板とにまたがって設ける半導体装置
    とを有し、半導体装置と可撓性フィルムとの隙間と半導
    体装置と基板配線との隙間に絶縁樹脂を有し、半導体装
    置の突起電極は可撓性フィルムのフィルム配線と基板の
    基板配線とに接続することを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項２】 基板に段差を形成する工程と、基板の段
    差に可撓性フィルムを位置合わせする工程と、基板の基
    板配線上と可撓性フィルムのフィルム配線上とに絶縁樹
    脂を形成する工程と、半導体装置の突起電極と可撓性フ
    ィルムのフィルム配線と半導体装置の突起電極と基板の
    基板配線とを接続する工程とを有することを特徴とする
    半導体装置の製造方法。
  3. 【請求項３】 基板に段差を形成する工程と、基板の段
    差に可撓性フィルムを位置合わせする工程と、基板の基
    板配線と可撓性フィルムのフィルム配線とに半導体装置
    の突起電極を接続する工程と、半導体装置と可撓性フィ
    ルムとの隙間と半導体装置と基板配線との隙間に絶縁樹
    脂を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装
    置の製造方法。
  4. 【請求項４】 段差を設け基板配線を有する基板と、段
    差上に設けるフィルム配線を有する可撓性フィルムと、
    段差上に設ける可撓性フィルム側面を固定する接着剤
    と、可撓性フィルムと基板とにまたがって設ける半導体
    装置とを有し、半導体装置と可撓性フィルムとの隙間と
    半導体装置と基板配線との隙間に絶縁樹脂を有し、半導
    体装置の突起電極は可撓性フィルムのフィルム配線と基
    板の基板配線とに接続することを特徴とする半導体装
    置。
  5. 【請求項５】 基板に段差を形成する工程と、基板の段
    差に可撓性フィルムを位置合わせして可撓性フィルムの
    側面を接着剤で固定する工程と、基板の基板配線上と可
    撓性フィルムのフィルム配線上とに絶縁樹脂を形成する
    工程と、半導体装置の突起電極と可撓性フィルムのフィ
    ルム配線と半導体装置の突起電極と基板の基板配線とを
    接続する工程とを有することを特徴とする半導体装置の
    製造方法。
  6. 【請求項６】 基板に段差を形成する工程と、基板の段
    差に可撓性フィルムを位置合わせして可撓性フィルムの
    側面を接着剤で固定する工程と、基板の基板配線と可撓
    性フィルムのフィルム配線とに半導体装置の突起電極を
    接続する工程と、半導体装置と可撓性フィルムとの隙間
    と半導体装置と基板配線との隙間に絶縁樹脂を形成する
    工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方
    法。
  7. 【請求項７】 段差を設け基板配線を有する基板と、段
    差上に設けるフィルム配線を有する可撓性フィルムと、
    基板端部側面上に設ける可撓性フィルム裏面を固定する
    接着剤と、可撓性フィルムと基板とにまたがって設ける
    半導体装置とを有し、半導体装置と可撓性フィルムとの
    隙間と半導体装置と基板配線との隙間に絶縁樹脂を有
    し、半導体装置の突起電極は可撓性フィルムのフィルム
    配線と基板の基板配線とに接続していることを特徴とす
    る半導体装置。
  8. 【請求項８】 基板に段差を形成する工程と、基板の段
    差に可撓性フィルムを位置合わせして可撓性フィルムの
    裏面を接着剤で固定する工程と、基板の基板配線上と可
    撓性フィルムのフィルム配線上とに絶縁樹脂を形成する
    工程と、半導体装置の突起電極と可撓性フィルムのフィ
    ルム配線と半導体装置の突起電極と基板の基板配線とを
    接続する工程とを有することを特徴とする半導体装置の
    製造方法。
  9. 【請求項９】 基板に段差を形成する工程と、基板の段
    差に可撓性フィルムを位置合わせして可撓性フィルムの
    裏面を接着剤で固定する工程と、基板の基板配線と可撓
    性フィルムのフィルム配線とに半導体装置の突起電極を
    接続する工程と、半導体装置と可撓性フィルムとの隙間
    と半導体装置と基板配線との隙間に絶縁樹脂を形成する
    工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方
    法。
  10. 【請求項１０】 段差を設け基板配線を有する基板と、
    基板の段差と可撓性フィルムとの間に設ける接着剤と、
    この接着剤上に設けるフィルム配線を有する可撓性フィ
    ルムと、可撓性フィルムと基板とにまたがって設ける半
    導体装置とを有し、半導体装置と可撓性フィルムとの隙
    間と半導体装置と基板配線との隙間に絶縁樹脂を有し、
    半導体装置の突起電極は可撓性フィルムのフィルム配線
    と基板の基板配線とに接続することを特徴とする半導体
    装置。
  11. 【請求項１１】 基板に段差を形成する工程と、基板の
    段差に接着剤を形成する工程と、可撓性フィルムを位置
    合わせして段差に接着剤を介して接着する工程と、基板
    の基板配線上と可撓性フィルムのフィルム配線上とに絶
    縁樹脂を形成する工程と、半導体装置の突起電極と可撓
    性フィルムのフィルム配線と半導体装置の突起電極と基
    板の基板配線とを接続する工程とを有することを特徴と
    する半導体装置の製造方法。
  12. 【請求項１２】 基板に段差を形成する工程と、基板の
    段差に接着剤を形成する工程と、可撓性フィルムを位置
    合わせして段差に接着剤を介して接着する工程と、基板
    の基板配線と可撓性フィルムのフィルム配線とに半導体
    装置の突起電極を接続する工程と、半導体装置と可撓性
    フィルムとの隙間と半導体装置と基板配線との隙間に絶
    縁樹脂を形成する工程とを有することを特徴とする半導
    体装置の製造方法。
  13. 【請求項１３】 基板に段差を形成する工程と、可撓性
    フィルムに接着剤を形成する工程と、可撓性フィルムを
    位置合わせして段差に接着剤を介して接着する工程と、
    基板の基板配線上と可撓性フィルムのフィルム配線上と
    に絶縁樹脂を形成する工程と、半導体装置の突起電極と
    可撓性フィルムのフィルム配線と半導体装置の突起電極
    と基板の基板配線とを接続する工程とを有することを特
    徴とする半導体装置の製造方法。
  14. 【請求項１４】 基板に段差を形成する工程と、可撓性
    フィルムに接着剤を形成する工程と、可撓性フィルムを
    位置合わせして段差に接着剤を介して接着する工程と、
    基板の基板配線と可撓性フィルムのフィルム配線とに半
    導体装置の突起電極を接続する工程と、半導体装置と可
    撓性フィルムとの隙間と半導体装置と基板配線との隙間
    に絶縁樹脂を形成する工程とを有することを特徴とする
    半導体装置の製造方法。
  15. 【請求項１５】 段差を設け基板配線を有する基板と、
    基板の段差と可撓性フィルムとの間に設ける高さ調整用
    粒子を有する接着剤と、接着剤上に設けるフィルム配線
    を有する可撓性フィルムと、可撓性フィルムと基板とに
    またがって設ける半導体装置とを有し、半導体装置と可
    撓性フィルムとの隙間と半導体装置と基板配線との隙間
    に絶縁樹脂を有し、半導体装置の突起電極は可撓性フィ
    ルムのフィルム配線と基板の基板配線とに接続すること
    を特徴とする半導体装置。
  16. 【請求項１６】 基板に段差を形成する工程と、基板の
    段差に高さ調整用粒子を有する接着剤を形成する工程
    と、可撓性フィルムを位置合わせして段差に接着剤を介
    して接着する工程と、基板の基板配線上と可撓性フィル
    ムのフィルム配線上とに絶縁樹脂を形成する工程と、半
    導体装置の突起電極と可撓性フィルムのフィルム配線と
    半導体装置の突起電極と基板の基板配線とを接続する工
    程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  17. 【請求項１７】 基板に段差を形成する工程と、基板の
    段差に高さ調整用粒子を有する接着剤を形成する工程
    と、可撓性フィルムを位置合わせして段差に接着剤を介
    して接着する工程と、基板の基板配線と可撓性フィルム
    のフィルム配線とに半導体装置の突起電極を接続する工
    程と、半導体装置と可撓性フィルムとの隙間と半導体装
    置と基板配線との隙間に絶縁樹脂を形成する工程とを有
    することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  18. 【請求項１８】 基板に段差を形成する工程と、可撓性
    フィルムに高さ調整用粒子を有する接着剤を形成する工
    程と、可撓性フィルムを位置合わせして接着する工程
    と、基板の基板配線上と可撓性フィルムのフィルム配線
    上とに絶縁樹脂を形成する工程と、半導体装置の突起電
    極と可撓性フィルムのフィルム配線と半導体装置の突起
    電極と基板の基板配線とを接続する工程とを有すること
    を特徴とする半導体装置の製造方法。
  19. 【請求項１９】 基板に段差を形成する工程と、可撓性
    フィルムに高さ調整用粒子を有する接着剤を形成する工
    程と、可撓性フィルムを位置合わせして接着する工程
    と、基板の基板配線と可撓性フィルムのフィルム配線と
    に半導体装置の突起電極を接続する工程と、半導体装置
    と可撓性フィルムとの隙間と半導体装置と基板配線との
    隙間に絶縁樹脂を形成する工程とを有することを特徴と
    する半導体装置の製造方法。
  20. 【請求項２０】 段差を設け基板配線を有する基板と、
    段差上に設けるフィルム配線を有する可撓性フィルム
    と、段差上に設ける可撓性フィルム側面を固定する接着
    剤と、可撓性フィルムと基板とにまたがって設ける半導
    体装置と、半導体装置に設ける突起電極と可撓性フィル
    ムのフィルム配線との間と半導体装置に設ける突起電極
    と基板の基板配線との間に設ける導電性ペーストとを有
    することを特徴とする半導体装置。
  21. 【請求項２１】 基板に段差を形成する工程と、基板の
    段差に可撓性フィルムを位置合わせして可撓性フィルム
    の側面を接着剤で固定する工程と、半導体装置に設ける
    突起電極に導電性ペーストを形成する工程と、基板の基
    板配線と可撓性フィルムのフィルム配線とに半導体装置
    の突起電極を導電性ペーストを介して接続する工程とを
    有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  22. 【請求項２２】 段差を設け基板配線を有する基板と、
    段差上に設けるフィルム配線を有する可撓性フィルム
    と、基板端部側面上に設ける可撓性フィルム裏面を固定
    する接着剤と、可撓性フィルムと基板とにまたがって設
    ける半導体装置と、半導体装置に設ける突起電極と可撓
    性フィルムのフィルム配線との間と半導体装置に設ける
    突起電極と基板の基板配線との間に設ける導電性ペース
    トとを有することを特徴とする半導体装置。
  23. 【請求項２３】 基板に段差を形成する工程と、基板の
    段差に可撓性フィルムを位置合わせして可撓性フィルム
    の裏面を接着剤で固定する工程と、半導体装置に設ける
    突起電極に導電性ペーストを形成する工程と、基板の基
    板配線と可撓性フィルムのフィルム配線とに半導体装置
    の突起電極を導電性ペーストを介して接続する工程とを
    有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  24. 【請求項２４】 段差を設け基板配線を有する基板と、
    基板の段差と可撓性フィルムの間に設ける接着剤と、接
    着剤上に設けるフィルム配線を有する可撓性フィルム
    と、可撓性フィルムと基板とにまたがって設ける半導体
    装置とを有し、半導体装置に設ける突起電極と可撓性フ
    ィルムのフィルム配線との間と半導体装置に設ける突起
    電極と基板の基板配線との間に設ける導電性ペーストを
    有することを特徴とする半導体装置。
  25. 【請求項２５】 基板に段差を形成する工程と、この基
    板の段差に接着剤を形成する工程と、可撓性フィルムを
    位置合わせして段差に接着剤を介して接着する工程と、
    半導体装置に設ける突起電極に導電性ペーストを形成す
    る工程と、基板の基板配線と可撓性フィルムのフィルム
    配線とに半導体装置の突起電極を導電性ペーストを介し
    て接続する工程とを有することを特徴とする半導体装置
    の製造方法。
  26. 【請求項２６】 基板に段差を形成する工程と、可撓性
    フィルムに接着剤を形成する工程と、可撓性フィルムを
    位置合わせして段差に接着剤を介して接着する工程と、
    半導体装置に設ける突起電極に導電性ペーストを形成す
    る工程と、基板の基板配線と可撓性フィルムのフィルム
    配線とに半導体装置の突起電極を導電性ペーストを介し
    て接続する工程とを有することを特徴とする半導体装置
    の製造方法。
  27. 【請求項２７】 段差を設け基板配線を有する基板と、
    基板の段差と可撓性フィルムとの間に設ける高さ調整用
    粒子を有する接着剤と、接着剤上に設けるフィルム配線
    を有する可撓性フィルムと、可撓性フィルムと基板とに
    またがって設ける半導体装置とを有し、半導体装置に設
    ける突起電極と可撓性フィルムのフィルム配線との間と
    半導体装置に設ける突起電極と基板の基板配線との間に
    設ける導電性ペーストとを有することを特徴とする半導
    体装置。
  28. 【請求項２８】 基板に段差を形成する工程と、基板の
    段差に高さ調整用粒子を有する接着剤を形成する工程
    と、可撓性フィルムを位置合わせして段差に接着剤を介
    して接着する工程と、半導体装置に設ける突起電極に導
    電性ペーストを形成する工程と、基板の基板配線と可撓
    性フィルムのフィルム配線とに半導体装置の突起電極を
    導電性ペーストを介して接続する工程とを有することを
    特徴とする半導体装置の製造方法。
  29. 【請求項２９】 基板に段差を形成する工程と、可撓性
    フィルムに高さ調整用粒子を有する接着剤を形成する工
    程と、可撓性フィルムを位置合わせして段差に接着剤を
    介して接着する工程と、半導体装置に設ける突起電極に
    導電性ペーストを形成する工程と、基板の基板配線と可
    撓性フィルムのフィルム配線とに半導体装置の突起電極
    を導電性ペーストを介して接続する工程とを有すること
    を特徴とする半導体装置の製造方法。
  30. 【請求項３０】 段差を設け基板配線を有する基板と、
    段差上に設けるフィルム配線を有する可撓性フィルム
    と、可撓性フィルムと基板とにまたがって設ける半導体
    装置とを有し、半導体装置に設ける突起電極と可撓性フ
    ィルムのフィルム配線との間と半導体装置に設ける突起
    電極と基板の基板配線との間に設ける導電性粒子とを有
    し、半導体装置と可撓性フィルムとの隙間と半導体装置
    と基板配線との隙間に絶縁樹脂を有することを特徴とす
    る半導体装置。
  31. 【請求項３１】 基板に段差を形成する工程と、基板の
    段差に可撓性フィルムを位置合わせする工程と、可撓性
    フィルムのフィルム配線と基板の基板配線とにまたがっ
    て導電性粒子を有する接着剤を形成する工程と、基板の
    基板配線と可撓性フィルムのフィルム配線とに半導体装
    置の突起電極を導電性粒子を介して接続する工程とを有
    することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  32. 【請求項３２】 基板に段差を形成する工程と、基板の
    段差に可撓性フィルムを位置合わせする工程と、半導体
    装置に導電性粒子を有する接着剤を形成する工程と、基
    板の基板配線と可撓性フィルムのフィルム配線とに半導
    体装置の突起電極を導電性粒子を介して接続する工程と
    を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  33. 【請求項３３】 段差を設け基板配線を有する基板と、
    この段差上に設けるフィルム配線を有する可撓性フィル
    ムと、段差上に設ける可撓性フィルムの側面を固定する
    接着剤と、可撓性フィルムと基板とにまたがって設ける
    半導体装置とを有し、半導体装置に設ける突起電極と可
    撓性フィルムのフィルム配線との間と半導体装置に設け
    る突起電極と基板の基板配線との間に設ける導電性粒子
    とを有し、半導体装置と可撓性フィルムとの隙間と半導
    体装置と基板配線との隙間に絶縁樹脂を有することを特
    徴とする半導体装置。
  34. 【請求項３４】 基板に段差を形成する工程と、基板の
    段差に可撓性フィルムを位置合わせして可撓性フィルム
    の側面を接着剤で固定する工程と、可撓性フィルムのフ
    ィルム配線と基板の基板配線とにまたがって導電性粒子
    を有する接着剤を形成する工程と、基板の基板配線と可
    撓性フィルムのフィルム配線とに半導体装置の突起電極
    を導電性粒子を介して接続する工程とを有することを特
    徴とする半導体装置の製造方法。
  35. 【請求項３５】 基板に段差を形成する工程と、基板の
    段差に可撓性フィルムを位置合わせして可撓性フィルム
    の側面を接着剤で固定する工程と、半導体装置に導電性
    粒子を有する接着剤を形成する工程と、基板の基板配線
    と可撓性フィルムのフィルム配線とに半導体装置の突起
    電極を導電性粒子を介して接続する工程とを有すること
    を特徴とする半導体装置の製造方法。
  36. 【請求項３６】 段差を設け基板配線を有する基板と、
    段差上に設けるフィルム配線を有する可撓性フィルム
    と、基板端部側面上に設ける可撓性フィルム裏面を固定
    する接着剤と、可撓性フィルムと基板とにまたがって設
    ける半導体装置とを有し、半導体装置に設ける突起電極
    と可撓性フィルムのフィルム配線との間と半導体装置に
    設ける突起電極と基板の基板配線との間に設ける導電性
    粒子とを有し、半導体装置と可撓性フィルムとの隙間と
    半導体装置と基板配線との隙間に絶縁樹脂を有すること
    を特徴とする半導体装置。
  37. 【請求項３７】 基板に段差を形成する工程と、基板の
    段差に可撓性フィルムを位置合わせして可撓性フィルム
    の裏面を接着剤で固定する工程と、可撓性フィルムのフ
    ィルム配線と基板の基板配線とにまたがって導電性粒子
    を有する接着剤を形成する工程と、基板の基板配線と可
    撓性フィルムのフィルム配線とに半導体装置の突起電極
    を導電性粒子を介して接続する工程とを有することを特
    徴とする半導体装置の製造方法。
  38. 【請求項３８】 基板に段差を形成する工程と、基板の
    段差に可撓性フィルムを位置合わせして可撓性フィルム
    の裏面を接着剤で固定する工程と、半導体装置に導電性
    粒子を有する接着剤を形成する工程と、基板の基板配線
    と可撓性フィルムのフィルム配線とに半導体装置の突起
    電極を導電性粒子を介して接続する工程とを有すること
    を特徴とする半導体装置の製造方法。
  39. 【請求項３９】 段差を設け基板配線を有する基板と、
    この基板の段差と可撓性フィルムとの間に設ける接着剤
    と、この接着剤上に設けるフィルム配線を有する可撓性
    フィルムと、可撓性フィルムと基板とにまたがって設け
    る半導体装置とを有し、半導体装置に設ける突起電極と
    可撓性フィルムのフィルム配線との間と半導体装置に設
    ける突起電極と基板の基板配線との間に設ける導電性粒
    子とを有し、半導体装置と可撓性フィルムとの隙間と半
    導体装置と基板配線との隙間に絶縁樹脂を有することを
    特徴とする半導体装置。
  40. 【請求項４０】 基板に段差を形成する工程と、基板の
    段差に接着剤を形成する工程と、可撓性フィルムを位置
    合わせして段差に接着剤を介して接着する工程と、可撓
    性フィルムのフィルム配線と基板の基板配線とにまたが
    って導電性粒子を有する接着剤を形成する工程と、基板
    の基板配線と可撓性フィルムのフィルム配線とに半導体
    装置の突起電極を導電性粒子を介して接続する工程とを
    有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  41. 【請求項４１】 基板に段差を形成する工程と、基板の
    段差に接着剤を形成する工程と、可撓性フィルムを位置
    合わせして段差に接着剤を介して接着する工程と、半導
    体装置に導電性粒子を有する接着剤を形成する工程と、
    基板の基板配線と可撓性フィルムのフィルム配線とに半
    導体装置の突起電極を導電性粒子を介して接続する工程
    とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  42. 【請求項４２】 基板に段差を形成する工程と、可撓性
    フィルムに接着剤を形成する工程と、可撓性フィルムを
    位置合わせして段差に接着剤を介して接着する工程と、
    可撓性フィルムのフィルム配線と基板の基板配線とにま
    たがって導電性粒子を有する接着剤を形成する工程と、
    基板の基板配線と可撓性フィルムのフィルム配線とに半
    導体装置の突起電極を導電性粒子を介して接続する工程
    とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  43. 【請求項４３】 基板に段差を形成する工程と、可撓性
    フィルムに接着剤を形成する工程と、可撓性フィルムを
    位置合わせして段差に接着剤を介して接着する工程と、
    半導体装置に導電性粒子を有する接着剤を形成する工程
    と、基板の基板配線と可撓性フィルムのフィルム配線と
    に半導体装置の突起電極を導電性粒子を介して接続する
    工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方
    法。
  44. 【請求項４４】 段差を設け基板配線を有する基板と、
    基板の段差と可撓性フィルムとの間に設ける高さ調整用
    粒子を有する接着剤と、接着剤上に設けるフィルム配線
    を有する可撓性フィルムと、可撓性フィルムと基板とに
    またがって設ける半導体装置とを有し、半導体装置に設
    ける突起電極と可撓性フィルムのフィルム配線との間と
    半導体装置に設ける突起電極と基板の基板配線との間に
    設ける導電性粒子とを有し、半導体装置と可撓性フィル
    ムとの隙間と半導体装置と基板配線との隙間に絶縁樹脂
    を有することを特徴とする半導体装置。
  45. 【請求項４５】 基板に段差を形成する工程と、基板の
    段差に高さ調整用粒子を有する接着剤を形成する工程
    と、可撓性フィルムを位置合わせして段差に接着剤を介
    して接着する工程と、可撓性フィルムのフィルム配線と
    基板の基板配線とにまたがって導電性粒子を有する接着
    剤を形成する工程と、基板の基板配線と可撓性フィルム
    のフィルム配線とに半導体装置の突起電極を導電性粒子
    を介して接続する工程とを有することを特徴とする半導
    体装置の製造方法。
  46. 【請求項４６】 基板に段差を形成する工程と、基板の
    段差に高さ調整用粒子を有する接着剤を形成する工程
    と、可撓性フィルムを位置合わせして段差に接着剤を介
    して接着する工程と、半導体装置に導電性粒子を有する
    接着剤を形成する工程と、基板の基板配線と可撓性フィ
    ルムのフィルム配線とに半導体装置の突起電極を導電性
    粒子を介して接続する工程とを有することを特徴とする
    半導体装置の製造方法。
  47. 【請求項４７】 基板に段差を形成する工程と、可撓性
    フィルムに高さ調整用粒子を有する接着剤を形成する工
    程と、可撓性フィルムを位置合わせして段差に接着剤を
    介して接着する工程と、可撓性フィルムのフィルム配線
    と基板の基板配線とにまたがって導電性粒子を有する接
    着剤を形成する工程と、基板の基板配線と可撓性フィル
    ムのフィルム配線とに半導体装置の突起電極を導電性粒
    子を介して接続する工程とを有することを特徴とする半
    導体装置の製造方法。
  48. 【請求項４８】 基板に段差を形成する工程と、可撓性
    フィルムに高さ調整用粒子を有する接着剤を形成する工
    程と、可撓性フィルムを位置合わせして段差に接着剤を
    介して接着する工程と、半導体装置に導電性粒子を有す
    る接着剤を形成する工程と、基板の基板配線と可撓性フ
    ィルムのフィルム配線とに半導体装置の突起電極を導電
    性粒子を介して接続する工程とを有することを特徴とす
    る半導体装置の製造方法。
  49. 【請求項４９】 段差を設け基板配線を有する基板と、
    突出配線とフィルム配線とを設ける可撓性フィルムと、
    基板の段差上に設ける突出配線と、突出配線上と基板上
    とにまたがって設ける半導体装置とを有し、半導体装置
    と可撓性フィルムの突出配線との隙間と半導体装置と基
    板配線との隙間に絶縁樹脂を有し、半導体装置の突起電
    極が可撓性フィルムの突出配線と基板の基板配線とに接
    続することを特徴とする半導体装置。
  50. 【請求項５０】 基板に段差を形成する工程と、可撓性
    フィルムの突出配線を位置合わせする工程と、突出配線
    上と基板配線上と基板上とに絶縁樹脂を形成する工程
    と、基板の基板配線と可撓性フィルムの突出配線とに半
    導体装置の突起電極を接続する工程とを有することを特
    徴とする半導体装置の製造方法。
  51. 【請求項５１】 基板に段差を形成する工程と、可撓性
    フィルムの突出配線を位置合わせする工程と、基板の基
    板配線と可撓性フィルムの突出配線とに半導体装置の突
    起電極を接続する工程と、半導体装置と可撓性フィルム
    との隙間と半導体装置と基板配線との隙間に絶縁樹脂を
    形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の
    製造方法。
  52. 【請求項５２】 段差を設け基板配線を有する基板と、
    突出配線とフィルム配線とを設ける可撓性フィルムと、
    段差上に設ける突出配線と、段差上に設ける突出配線側
    面を固定する接着剤と、突出配線と基板とにまたがって
    設ける半導体装置とを有し、半導体装置と可撓性フィル
    ムの突出配線との隙間と半導体装置と基板配線との隙間
    に絶縁樹脂を有し、半導体装置の突起電極が可撓性フィ
    ルムの突出配線と基板の基板配線とに接続することを特
    徴とする半導体装置。
  53. 【請求項５３】 基板に段差を形成する工程と、基板の
    段差に可撓性フィルムの突出配線を位置合わせして突出
    配線側面を接着剤で固定する工程と、突出配線上と基板
    配線上と基板上とに絶縁樹脂を形成する工程と、基板の
    基板配線と可撓性フィルムの突出配線とに半導体装置の
    突起電極を接続する工程とを有することを特徴とする半
    導体装置の製造方法。
  54. 【請求項５４】 基板に段差を形成する工程と、基板の
    段差に可撓性フィルムの突出配線を位置合わせして突出
    配線側面を接着剤で固定する工程と、基板の基板配線と
    可撓性フィルムの突出配線とに半導体装置の突起電極を
    接続する工程と、半導体装置と突出配線との隙間と半導
    体装置と基板配線との隙間に絶縁樹脂を形成する工程と
    を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  55. 【請求項５５】 段差を設け基板配線を有する基板と、
    突出配線とフィルム配線とを設ける可撓性フィルムと、
    段差上に設ける突出配線と、基板端部側面上に設ける突
    出配線裏面を固定する接着剤と、突出配線と基板とにま
    たがって設ける半導体装置とを有し、半導体装置と突出
    配線との隙間と半導体装置と基板配線との隙間に絶縁樹
    脂を有し、半導体装置の突起電極は突出配線と基板の基
    板配線とに接続していることを特徴とする半導体装置。
  56. 【請求項５６】 基板に段差を形成する工程と、基板の
    段差に可撓性フィルムの突出配線を位置合わせして突出
    配線裏面を接着剤で固定する工程と、突出配線上と基板
    配線上と基板上とに絶縁樹脂を形成する工程と、基板の
    基板配線と突出配線とに半導体装置の突起電極を接続す
    る工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方
    法。
  57. 【請求項５７】 基板に段差を形成する工程と、基板の
    段差に可撓性フィルムの突出配線を位置合わせして突出
    配線裏面を接着剤で固定する工程と、基板の基板配線と
    可撓性フィルムの突出配線とに半導体装置の突起電極を
    接続する工程と、半導体装置と突出配線との隙間と半導
    体装置と基板配線との隙間に絶縁樹脂を形成する工程と
    を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  58. 【請求項５８】 段差を設け基板配線を有する基板と、
    突出配線とフィルム配線とを設ける可撓性フィルムと、
    基板の段差と突出配線との間に設ける接着剤と、突出配
    線と基板とにまたがって設ける半導体装置とを有し、半
    導体装置と突出配線との隙間と半導体装置と基板配線と
    の隙間に絶縁樹脂を有し、半導体装置の突起電極は突出
    配線と基板の基板配線とに接続していることを特徴とす
    る半導体装置。
  59. 【請求項５９】 基板に段差を形成する工程と、基板の
    段差に接着剤を形成する工程と、突出配線を接着剤上に
    位置合わせして接着する工程と、突出配線上と基板配線
    上と基板上とに絶縁樹脂を形成する工程と、基板の基板
    配線と可撓性フィルムの突出配線とに半導体装置の突起
    電極を接続する工程とを有することを特徴とする半導体
    装置の製造方法。
  60. 【請求項６０】 基板に段差を形成する工程と、基板の
    段差に接着剤を形成する工程と、突出配線を接着剤上に
    位置合わせして接着する工程と、基板の基板配線と可撓
    性フィルムの突出配線とに半導体装置の突起電極を接続
    する工程と、半導体装置と可撓性フィルムとの隙間と半
    導体装置と基板配線との隙間に絶縁樹脂を形成する工程
    とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  61. 【請求項６１】 基板に段差を形成する工程と、可撓性
    フィルムの突出配線に接着剤を形成する工程と、突出配
    線を接着剤上に位置合わせして接着する工程と、突出配
    線上と基板配線上と基板上とに絶縁樹脂を形成する工程
    と、基板の基板配線と可撓性フィルムの突出配線とに半
    導体装置の突起電極を接続する工程とを有することを特
    徴とする半導体装置の製造方法。
  62. 【請求項６２】 基板に段差を形成する工程と、可撓性
    フィルムの突出配線に接着剤を形成する工程と、突出配
    線を接着剤上に位置合わせして接着する工程と、基板の
    基板配線と可撓性フィルムの突出配線とに半導体装置の
    突起電極を接続する工程と、半導体装置と可撓性フィル
    ムとの隙間と半導体装置と基板配線との隙間に絶縁樹脂
    を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置
    の製造方法。
  63. 【請求項６３】 段差を設け基板配線を有する基板と、
    突出配線とフィルム配線とを設ける可撓性フィルムと、
    基板の段差と突出配線との間に設ける高さ調整用粒子を
    有する接着剤と、突出配線と基板とにまたがって設ける
    半導体装置とを有し、半導体装置と突出配線との隙間と
    半導体装置と基板配線との隙間に絶縁樹脂を有し、半導
    体装置の突起電極は突出配線と基板の基板配線とに接続
    していることを特徴とする半導体装置。
  64. 【請求項６４】 基板に段差を形成する工程と、基板の
    段差に高さ調整用粒子を有する接着剤を形成する工程
    と、突出配線を接着剤上に位置合わせして接着する工程
    と、突出配線上と基板配線上と基板上とに絶縁樹脂を形
    成する工程と、基板の基板配線と可撓性フィルムの突出
    配線とに半導体装置の突起電極を接続する工程とを有す
    ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
  65. 【請求項６５】 基板に段差を形成する工程と、基板の
    段差に高さ調整用粒子を有する接着剤を形成する工程
    と、突出配線を接着剤上に位置合わせして接着する工程
    と、基板の基板配線と可撓性フィルムの突出配線とに半
    導体装置の突起電極を接続する工程と、半導体装置と可
    撓性フィルムとの隙間と半導体装置と基板配線との隙間
    に絶縁樹脂を形成する工程とを有することを特徴とする
    半導体装置の製造方法。
  66. 【請求項６６】 基板に段差を形成する工程と、可撓性
    フィルムの突出配線に高さ調整用粒子を有する接着剤を
    形成する工程と、突出配線を接着剤上に位置合わせして
    接着する工程と、突出配線上と基板配線上と基板上とに
    絶縁樹脂を形成する工程と、基板の基板配線と可撓性フ
    ィルムの突出配線とに半導体装置の突起電極を接続する
    工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方
    法。
  67. 【請求項６７】 基板に段差を形成する工程と、可撓性
    フィルムの突出配線に高さ調整用粒子を有する接着剤を
    形成する工程と、突出配線を接着剤上に位置合わせして
    接着する工程と、基板の基板配線と可撓性フィルムの突
    出配線とに半導体装置の突起電極を接続する工程と、半
    導体装置と可撓性フィルムとの隙間と半導体装置と基板
    配線との隙間に絶縁樹脂を形成する工程とを有すること
    を特徴とする半導体装置の製造方法。
  68. 【請求項６８】 段差を設け基板配線を有する基板と、
    突出配線とフィルム配線とを設ける可撓性フィルムと、
    段差上に設ける突出配線と、段差上に設ける突出配線側
    面を固定する接着剤と、突出配線と基板とにまたがって
    設ける半導体装置とを有し、半導体装置に設ける突起電
    極と可撓性フィルムの突出配線との間と半導体装置に設
    ける突起電極と基板の基板配線との間とに設ける導電性
    ペーストとを有することを特徴とする半導体装置。
  69. 【請求項６９】 基板に段差を形成する工程と、基板の
    段差に可撓性フィルムの突出配線を位置合わせして突出
    配線側面を接着剤で固定する工程と、半導体装置に設け
    る突起電極に導電性ペーストを形成する工程と、基板の
    基板配線と突出配線とに半導体装置の突起電極を導電性
    ペーストを介して接続する工程とを有することを特徴と
    する半導体装置の製造方法。
  70. 【請求項７０】 段差を設け基板配線を有する基板と、
    突出配線とフィルム配線とを設ける可撓性フィルムと、
    段差上に設ける突出配線と、基板端部側面上に設ける突
    出配線裏面を固定する接着剤と、、突出配線と基板とに
    またがって設ける半導体装置とを有し、半導体装置に設
    ける突起電極と可撓性フィルムの突出配線との間と半導
    体装置に設ける突起電極と基板の基板配線との間とに設
    ける導電性ペーストとを有することを特徴とする半導体
    装置。
  71. 【請求項７１】 基板に段差を形成する工程と、基板の
    段差に可撓性フィルムの突出配線を位置合わせして突出
    配線裏面を接着剤で固定する工程と、半導体装置に設け
    る突起電極に導電性ペーストを形成する工程と、基板の
    基板配線と突出配線とに半導体装置の突起電極を導電性
    ペーストを介して接続する工程とを有することを特徴と
    する半導体装置の製造方法。
  72. 【請求項７２】 段差を設け基板配線を有する基板と、
    突出配線とフィルム配線とを設ける可撓性フィルムと、
    基板の段差と突出配線との間に設ける接着剤と、突出配
    線と基板とにまたがって設ける半導体装置とを有し、半
    導体装置に設ける突起電極と可撓性フィルムの突出配線
    との間と半導体装置に設ける突起電極と基板の基板配線
    との間とに設ける導電性ペーストを有することを特徴と
    する半導体装置。
  73. 【請求項７３】 基板に段差を形成する工程と、基板の
    段差に接着剤を形成する工程と、突出配線を段差上に接
    着剤を介して接着する工程と、半導体装置に設ける突起
    電極に導電性ペーストを形成する工程と、基板の基板配
    線と突出配線とに半導体装置の突起電極を導電性ペース
    トを介して接続する工程とを有することを特徴とする半
    導体装置の製造方法。
  74. 【請求項７４】 基板に段差を形成する工程と、可撓性
    フィルムの突出配線に接着剤を形成する工程と、この突
    出配線を段差上に接着剤を介して接着する工程と、半導
    体装置に設ける突起電極に導電性ペーストを形成する工
    程と、基板の基板配線と可撓性フィルムの突出配線とに
    半導体装置の突起電極を導電性ペーストを介して接続す
    る工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方
    法。
  75. 【請求項７５】 段差を設け基板配線を有する基板と、
    突出配線とフィルム配線とを設ける可撓性フィルムと、
    基板の段差と突出配線との間に設ける高さ調整用粒子を
    有する接着剤と、突出配線と基板とにまたがって設ける
    半導体装置とを有し、半導体装置に設ける突起電極と可
    撓性フィルムの突出配線との間と半導体装置に設ける突
    起電極と基板の基板配線との間とに設ける導電性ペース
    トを有することを特徴とする半導体装置。
  76. 【請求項７６】 基板に段差を形成する工程と、基板の
    段差に高さ調整用粒子を有する接着剤を形成する工程
    と、突出配線を段差上に接着剤を介して接着する工程
    と、半導体装置に設ける突起電極に導電性ペーストを形
    成する工程と、基板の基板配線と突出配線とに半導体装
    置の突起電極を導電性ペーストを介して接続する工程と
    を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  77. 【請求項７７】 基板に段差を形成する工程と、可撓性
    フィルムの突出配線に高さ調整用粒子を有する接着剤を
    形成する工程と、突出配線を段差上に接着剤を介して接
    着する工程と、半導体装置に設ける突起電極に導電性ペ
    ーストを形成する工程と、基板の基板配線と可撓性フィ
    ルムの突出配線とに半導体装置の突起電極を導電性ペー
    ストを介して接続する工程とを有することを特徴とする
    半導体装置の製造方法。
  78. 【請求項７８】 段差を設け基板配線を有する基板と、
    突出配線とフィルム配線とを設ける可撓性フィルムと、
    基板の段差と突出配線との間に設ける接着剤と、可撓性
    フィルムの突出配線と基板の基板配線にまたがって設け
    る半導体装置とを有し、半導体装置に設ける突起電極と
    可撓性フィルムの突出配線との間と半導体装置に設ける
    突起電極と基板の基板配線との間に設ける導電性粒子を
    有し、半導体装置と可撓性フィルムとの隙間と半導体装
    置と基板配線との隙間に導電性粒子を含む絶縁樹脂を有
    することを特徴とする半導体装置。
  79. 【請求項７９】 基板に段差を形成する工程と、段差に
    突出配線を位置合わせする工程と、可撓性フィルムの突
    出配線と基板の基板配線とにまたがって導電性粒子を有
    する接着剤を形成する工程と、基板の基板配線と可撓性
    フィルムのフィルム配線とに半導体装置の突起電極を導
    電性粒子を介して接続する工程とを有することを特徴と
    する半導体装置の製造方法。
  80. 【請求項８０】 基板に段差を形成する工程と、段差に
    突出配線を位置合わせする工程と、半導体装置に導電性
    粒子を有する接着剤を形成する工程と、基板の基板配線
    と可撓性フィルムのフィルム配線とに半導体装置の突起
    電極を導電性粒子を介して接続する工程とを有すること
    を特徴とする半導体装置の製造方法。
  81. 【請求項８１】 段差を設け基板配線を有する基板と、
    突出配線とフィルム配線とを設ける可撓性フィルムと、
    段差上に設ける突出配線と、段差上に設ける突出配線の
    側面を固定する接着剤と、可撓性フィルムの突出配線と
    基板とにまたがって設ける半導体装置とを有し、半導体
    装置に設ける突起電極と可撓性フィルムの突出配線との
    間と半導体装置に設ける突起電極と基板の基板配線との
    間に設ける導電性粒子を有し、半導体装置と可撓性フィ
    ルムとの隙間と半導体装置と基板配線との隙間に導電性
    粒子を含む絶縁樹脂を有することを特徴とする半導体装
    置。
  82. 【請求項８２】 基板に段差を形成する工程と、段差に
    突出配線を位置合わせして突出配線の側面部を接着剤で
    固定する工程と、可撓性フィルムの突出配線と基板の基
    板配線とにまたがって導電性粒子を有する接着剤を形成
    する工程と、基板の基板配線と可撓性フィルムのフィル
    ム配線とに半導体装置の突起電極を導電性粒子を介して
    接続する工程とを有することを特徴とする半導体装置の
    製造方法。
  83. 【請求項８３】 基板に段差を形成する工程と、段差に
    突出配線を位置合わせして突出配線の側面を接着剤で固
    定する工程と、半導体装置に導電性粒子を有する接着剤
    を形成する工程と、基板の基板配線と可撓性フィルムの
    フィルム配線とに半導体装置の突起電極を導電性粒子を
    介して接続する工程とを有することを特徴とする半導体
    装置の製造方法。
  84. 【請求項８４】 段差を設け基板配線を有する基板と、
    突出配線とフィルム配線とを設ける可撓性フィルムと、
    段差上に設ける突出配線と、基板端部側面上に設ける突
    出配線裏面を固定する接着剤と、可撓性フィルムの突出
    配線と基板とにまたがって設ける半導体装置とを有し、
    半導体装置に設ける突起電極と可撓性フィルムの突出配
    線との間と半導体装置に設ける突起電極と基板の基板配
    線との間に設ける導電性粒子を有し、半導体装置と可撓
    性フィルムとの隙間と半導体装置と基板配線との隙間に
    導電性粒子を含む絶縁樹脂を有することを特徴とする半
    導体装置。
  85. 【請求項８５】 基板に段差を形成する工程と、段差に
    突出配線を位置合わせして突出配線の裏面を接着剤を用
    いて固定する工程と、可撓性フィルムの突出配線と基板
    の基板配線とにまたがって導電性粒子を有する接着剤を
    形成する工程と、基板の基板配線と可撓性フィルムのフ
    ィルム配線とに半導体装置の突起電極を導電性粒子を介
    して接続する工程とを有することを特徴とする半導体装
    置の製造方法。
  86. 【請求項８６】 基板に段差を形成する工程と、段差に
    突出配線を位置合わせして突出配線の裏面を接着剤で固
    定する工程と、半導体装置に導電性粒子を有する接着剤
    を形成する工程と、基板の基板配線と可撓性フィルムの
    フィルム配線とに半導体装置の突起電極を導電性粒子を
    介して接続する工程とを有することを特徴とする半導体
    装置の製造方法。
  87. 【請求項８７】 段差を設け基板配線を有する基板と、
    突出配線とフィルム配線とを設ける可撓性フィルムと、
    基板の段差と突出配線との間に設ける接着剤と、突出配
    線と基板とにまたがって設ける半導体装置とを有し、半
    導体装置に設ける突起電極と可撓性フィルムの突出配線
    との間と半導体装置に設ける突起電極と基板の基板配線
    との間とに設ける導電性粒子を有し、半導体装置と可撓
    性フィルムとの隙間と半導体装置と基板配線との隙間に
    導電性粒子を含む絶縁樹脂を有することを特徴とする半
    導体装置。
  88. 【請求項８８】 基板に段差を形成する工程と、基板の
    段差に接着剤を形成する工程と、突出配線を段差上に接
    着剤を介して接着する工程と、突出配線と基板の基板配
    線とにまたがって導電性粒子を有する接着剤を形成する
    工程と、基板の基板配線と突出配線とに半導体装置の突
    起電極を導電性粒子を介して接続する工程とを有するこ
    とを特徴とする半導体装置の製造方法。
  89. 【請求項８９】 基板に段差を形成する工程と、基板の
    段差に接着剤を形成する工程と、突出配線を段差上に接
    着剤を介して接着する工程と、半導体装置に導電性粒子
    を有する接着剤を形成する工程と、基板の基板配線と突
    出配線とに半導体装置の突起電極を導電性粒子を介して
    接続する工程とを有することを特徴とする半導体装置の
    製造方法。
  90. 【請求項９０】 基板に段差を形成する工程と、可撓性
    フィルムの突出配線に接着剤を形成する工程と、この突
    出配線を段差上に接着剤を介して接着する工程と、突出
    配線と基板の基板配線とにまたがって導電性粒子を有す
    る接着剤を形成する工程と、基板の基板配線と突出配線
    とに半導体装置の突起電極を導電性粒子を介して接続す
    る工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方
    法。
  91. 【請求項９１】 基板に段差を形成する工程と、可撓性
    フィルムの突出配線に接着剤を形成する工程と、この突
    出配線を段差上に接着剤を介して接着する工程と、半導
    体装置に導電性粒子を有する接着剤を形成する工程と、
    基板の基板配線と突出配線とに半導体装置の突起電極を
    導電性粒子を介して接続する工程とを有することを特徴
    とする半導体装置の製造方法。
  92. 【請求項９２】 段差を設け基板配線を有する基板と、
    突出配線とフィルム配線とを設ける可撓性フィルムと、
    基板の段差と突出配線との間に設ける高さ調整用粒子を
    有する接着剤と、突出配線と基板とにまたがって設ける
    半導体装置とを有し、半導体装置に設ける突起電極と可
    撓性フィルムの突出配線との間と半導体装置に設ける突
    起電極と基板の基板配線との間とに設ける導電性粒子を
    有し、半導体装置と可撓性フィルムとの隙間と半導体装
    置と基板配線との隙間に導電性粒子を含む絶縁樹脂を有
    することを特徴とする半導体装置。
  93. 【請求項９３】 基板に段差を形成する工程と、この基
    板の段差に高さ調整用粒子を有する接着剤を形成する工
    程と、突出配線を段差上に接着剤を介して接着する工程
    と、突出配線と基板の基板配線とにまたがって導電性粒
    子を有する接着剤を形成する工程と、基板の基板配線と
    突出配線とに半導体装置の突起電極を導電性粒子を介し
    て接続する工程とを有することを特徴とする半導体装置
    の製造方法。
  94. 【請求項９４】 基板に段差を形成する工程と、基板の
    段差に高さ調整用粒子を有する接着剤を形成する工程
    と、突出配線を段差上に接着剤を介して接着する工程
    と、半導体装置に導電性粒子を有する接着剤を形成する
    工程と、基板の基板配線と突出配線とに半導体装置の突
    起電極を導電性粒子を介して接続する工程とを有するこ
    とを特徴とする半導体装置の製造方法。
  95. 【請求項９５】 基板に段差を形成する工程と、可撓性
    フィルムの突出配線に高さ調整用粒子を有する接着剤を
    形成する工程と、突出配線を段差上に接着剤を介して接
    着する工程と、突出配線と基板の基板配線とにまたがっ
    て導電性粒子を有する接着剤を形成する工程と、基板の
    基板配線と突出配線とに半導体装置の突起電極を導電性
    粒子を介して接続する工程とを有することを特徴とする
    半導体装置の製造方法。
  96. 【請求項９６】 基板に段差を形成する工程と、可撓性
    フィルムの突出配線に高さ調整用粒子を有する接着剤を
    形成する工程と、突出配線を段差上に接着剤を介して接
    着する工程と、半導体装置に導電性粒子を有する接着剤
    を形成する工程と、基板の基板配線と突出配線とに半導
    体装置の突起電極を導電性粒子を介して接続する工程と
    を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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