JPH07320697A - 低圧水銀蒸気放電ランプおよび照明装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】ラピッドスタート形低圧水銀蒸気放電ランプの
黒化発生を低減する。 【構成】低圧水銀蒸気放電ランプは、管形の透光性気密
容器１内側に、酸化錫を主体として０．７ないし２．０
モル％のアンチモンを含有し、容器１の中央部における
膜厚が１００ｎｍ以下、容器１の端部の平均膜厚が２５
ｎｍ以下であり、中央部が両端部よりも厚く、管軸方向
１０ｃｍ当りの抵抗値が中央部で２ｋΩないし５０ｋ
Ω、両端部で２０ｋΩないし１０００ｋΩである透明導
電性被膜４と、を具備することを特徴とする。 【作用】透明導電性被膜４が薄いので黒化発生率を低く
維持できる。またアンチモン濃度を所定範囲にすること
で、抵抗値を低くできるので透明導電性被膜４を薄くす
ることができ、黒化発生率低減を容易にする。また、透
明導電性被膜４の抵抗値変化を小さくできるので、長期
に亘って黒化発生を抑制できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は透光性気密容器内側に透
明導電性被膜を形成した低圧水銀蒸気放電ランプに関す
る。

【０００２】

【従来の技術】低圧水銀蒸気放電ランプの代表的なもの
はいわゆる蛍光ランプである。蛍光ランプは、透光性の
気密容器を形成する管形のガラスバルブの内面に蛍光体
被膜を形成し、両端に電極を設け、内部に水銀と希ガス
を封入してある。この蛍光ランプの始動性改善のため、
蛍光体被膜とガラスバルブの間に酸化錫を主体とし、こ
れに導電性をもたせた透明導電性被膜を形成したのがラ
ピッドスタート形蛍光ランプであり、４０Ｗ以上の蛍光
ランプではこのラピッドスタート形蛍光ランプが多く使
用されている。

【０００３】ラピッドスタート形蛍光ランプの最大の欠
点は、電極近傍が黒く変色することである。透明導電性
被膜を持たない蛍光ランプでも電極近傍が黒く変色する
が、これは、電極物質が飛散して蛍光体被膜に被着し、
この物質が水銀と反応したり蛍光体と反応したりして黒
く変色するためである。これに対し、ラピッドスタート
形蛍光ランプの電極近傍が黒く変色する現象は、電極物
質の飛散によるものではなく、透明導電性被膜がその黒
く変色（以下、「黒化」という。）する原因となってい
る。

【０００４】この黒化の原因やメカニズムを解析した文
献は多数ある。これらによると、交流電力で点灯中、極
性反転する時、透明導電性被膜と電極との間に微放電が
生じており、この微放電が透明導電性被膜の変質をもた
らし、また、電極近傍の蛍光体被膜の上に水銀の付着が
あると、この水銀が微放電の通路となり、このため水銀
の接している蛍光体が微放電による高エネルギーにより
破壊されたり、水銀と反応したり、さらにはこの水銀と
透明導電性被膜が反応したりして黒化が発生するといわ
れている。

【０００５】このような欠点を改善するため、例えば特
開昭５６−８４８６１号公報には、透明導電性被膜の抵
抗値分布を変えることが開示されている。具体的にはバ
ルブ中央部のバルブ軸方向の単位長さ当りの抵抗値（以
下単に抵抗値という。）を低く、バルブ端部すなわち電
極近傍の抵抗値を高くし、これによりランプの電極間に
おける導電性被膜の抵抗値分布曲線を略Ｖ字形にするこ
とが開示されている。これにより、電極近傍の微放電を
抑制している。この技術は市販のラピッドスタート形蛍
光ランプ全てに普及しており、通常、管軸方向１０ｃｍ
当りの抵抗値が中央部で２ｋΩないし５０ｋΩ、両端部
で２０ｋΩないし１０００ｋΩに形成されている。抵抗
値分布をＶ字形にするために、この従来例では、導電性
被膜の膜厚を変えている。導電性被膜は錫化合物の蒸気
をバルブ内に導入し、バルブの中で分解反応させ酸化錫
として堆積させている。このときの反応速度は、バルブ
温度に対して指数関数的に変化するため、バルブ中央部
の温度を高くして導電性被膜の厚さを増やしている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来
は、バルブ温度を高くすることで、導電性被膜の生成堆
積速度を早くするのに対応させて、錫化合物の蒸気が不
足しないように分解反応に必要な両よりも多めにバルブ
内に供給していた。このため透明導電性膜の中に未分解
の錫化合物が多く残っていた。この未分解の錫化合物は
堆積後に反応したりランプ完成後のランプ点灯中、徐々
に反応したりする。堆積後の反応により、膜の状態とし
ては、空隙率が多く、緻密性が失われ、同じ堆積量、従
って同じ抵抗値でも膜厚が厚くなることがわかった。ま
た、ランプ完成後の点灯動作中に未分解の錫化合物が分
解反応するので導電性被膜の抵抗値が寿命中徐々に低下
し、抵抗値分布のＶ字形の傾きが小さくなって黒化が発
生しやすくなる。また、ランプ完成後の錫化合物の分解
反応によって、不純ガスが生成され、ランプの始動性を
損なっていた。

【０００７】本発明は、透明導電性被膜が所望のＶ字形
の抵抗値分布を有し、しかも寿命中そのＶ字形の抵抗値
分布のくずれが小さく、したがって始動性が高く維持で
き、かつ寿命中黒化発生の少ない低圧水銀蒸気放電ラン
プおよび照明装置を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の低圧水
銀蒸気放電ランプは、水銀を含む放電媒体を封入した管
形の透光性気密容器と、この容器内の両端に装着された
一対の電極と、酸化錫を主体として０．７ないし２．０
モル％のアンチモンを含有し、一対の電極間の容器内側
に被着され、容器の中央部における膜厚が１００ｎｍ以
下容器の端部の平均膜厚が２５ｎｍ以下であり、中央部
が両端部よりも厚く、管軸方向１０ｃｍ当りの抵抗値が
中央部で２ｋΩないし５０ｋΩ、両端部で２０ｋΩない
し１０００ｋΩである透明導電性被膜と、を具備するこ
とを特徴とする。

【０００９】管形の透光性気密容器とは、通常ガラスバ
ルブである。

【００１０】酸化錫を主体とするとは、添加物、未分解
の化合物、一部還元された金属あるいは不純物の含有を
許容する。酸化錫を多めとする他の金属酸化物との混合
物であっても良い。

【００１１】少量の添加物とは、導電性を付与するとと
もに抵抗値を調整する程度の少量であって通常数％であ
る。

【００１２】両端部とは電極近傍であり、電極の位置か
ら放電路側２０ｃｍの範囲内とし、中央部とは、両端部
を除いた部分である。添加物の含有量はそれぞれの範囲
での平均値を意味する。

【００１３】抵抗値は、ガラスバルブの軸方向の１０ｃ
ｍ当りの透明導電性被膜の抵抗値であり、ＪＩＳに規定
されている４端子法により測定した値である。測定周波
数は１０ＫＨｚである。

【００１４】蛍光体被膜は必須ではない。また、透光性
気密容器の内側というように、透光性気密容器の内面に
直接透明導電性被膜を形成するだけでなく、金属酸化物
の下地層を形成していても良い。

【００１５】請求項２に記載の低圧水銀蒸気放電ランプ
は、水銀を含む放電媒体を封入した管形の透光性気密容
器と、この容器内の両端に装着された一対の電極と、酸
化錫を主体として０．７ないし２．０モル％のアンチモ
ンを含有し、一対の電極間の容器内側に被着され、容器
の中央部における膜厚が１００ｎｍ以下、容器の端部の
平均膜厚が２５ｎｍ以下であり、中央部が両端部よりも
厚く、管軸方向１０ｃｍ当りの抵抗値が中央部で２ｋΩ
ないし５０ｋΩ、両端部で２０ｋΩないし１０００ｋΩ
である透明導電性被膜と、透明導電性被膜の内側に形成
された蛍光体被膜と、を具備することを特徴とする。

【００１６】請求項３に記載の低圧水銀蒸気放電ランプ
は、請求項２において透明導電性被膜の容器中央部にお
ける抵抗率が容器端部の電気抵抗率よりも高いことを特
徴とする。

【００１７】請求項４に記載に記載の照明装置は、照明
装置本体と、照明装置本体に装着された請求項１ないし
３のいずれか一記載の低圧水銀蒸気放電ランプと、照明
装置本体に配設され、放電ランプを付勢する放電ランプ
点灯装置と、を具備することを特徴とする。照明装置に
は通常の一般照明器具が含まれるがこれに限らない。

【作用】請求項１ないし請求項３の発明によれば、透明
導電性被膜は、中央部が、両端部よりも薄く形成され、
かつ抵抗値が所定の範囲なので、抵抗値分布は黒化の少
ないＶ字形が得られる。しかもアンチモン濃度が０．７
ないし２．０モル％の範囲内であるので、０．７モル％
未満の場合と比較して透明導電性被膜の寿命中の抵抗値
変化が小さく、また、２．０モル％を越えていないので
アンチモン添加による光透過率の減少が小さく抑えられ
る。さらにアンチモン濃度がこの範囲にあると透明導電
性被膜の抵抗率は極小値またはこれに近い値にでき、透
明導電性被膜を薄く形成しやすい。

【００１８】また、透明導電性被膜は従来よりも薄く形
成されている。すなわち両端部は、２５ｎｍ以下なの
で、従来の４０ないし６０ｎｍに比べて薄く、また、中
央部は従来の１００ｎｍを越えた厚さに対して、本発明
では、１００ｎｍ未満である。抵抗値が同じで薄い透明
導電性被膜であるから、透明導電性被膜は緻密な空隙率
のすくない膜であり、膜中の未分解錫化合物の残留量が
小さい。未分解錫化合物の残留量が小さいので、ランプ
の寿命中の抵抗値変化が小さく抑えられる。従来ランプ
のように緻密性が低い（空隙率が大きい）透明導電性被
膜を薄く形成すると、ランプ全体として必要な抵抗値が
得られない。また、ランプ完成後の分解反応が少ないの
で、分解反応により生成される不純ガスの量が小さく抑
えられ、始動性低下の度合が小さい。

【００１９】請求項４に記載の照明装置は、請求項１な
いし３の低圧水銀蒸気放電ランプを有しているので、低
圧水銀蒸気放電ランプと同様の作用を有する。

【００２０】

【実施例】図１は、本発明を蛍光ランプに適用した実施
例の正面図およびＢ部分を拡大して断面で表した断面図
である。このものは、ＪＩＳで規定されたＦＬＲ４０Ｓ
・Ｗ／Ｍで表されるものである。この蛍光ランプは、管
形の透光性気密容器すなわちガラスバルブ１の両端にフ
ィラメントからなる電極２が装着され、フィラメントを
支持懸架するリード線がガラスバルブ１を気密に貫通し
てガラスバルブ１の両端に装着された口金３に突設され
た口金ピン３ａに接続されている。このガラスバルブ１
の内部には少量の水銀と、２６６ないし４００Ｐａ（２
ないし３Ｔｏｒｒ）のアルゴンが封入されている。

【００２１】ガラスバルブ１の内面には、透明導電性被
膜４が被着されている。この透明導電性被膜４は、酸化
錫を主体とし、酸化錫の一部が還元されて導電性が付与
されているとともに、導電性安定化のために少量のアン
チモンが添加されている。アンチモンは価数が３であ
り、透明導電性被膜４中の価数４の錫と置き替わること
により、還元された酸化錫と同様、導電性を付与する働
きを併せ持っている。

【００２２】透明導電性被膜４中のアンチモンの含有率
は、両端部で１．５モル％、中央部で０．７モル％であ
る。透明導電性被膜４の両端部における膜厚は２０ｎ
ｍ、中央部で約８０ｎｍである。

【００２３】透明導電性被膜４の上には、酸化アルミニ
ウムの微粒子を積層した保護被膜５が形成されている。
微粒子の粒径は、約０．０５ないし０．１μｍのものを
用いている。膜厚は１ないし３μｍである。この保護膜
は、水銀が透明導電性被膜４と接触して透明導電性被膜
４の錫またはアンチモンと反応し、透明導電性被膜４の
特性が変化変質するのを防止する機能を有する。また、
この保護被膜５は、電気絶縁性を有するため、微放電を
抑制する機能も併せ持っている。

【００２４】保護被膜５の上すなわち内側である放電路
側には、蛍光体被膜６が形成されている。蛍光体被膜６
は、アンチモン・マンガン共付活ハロ燐酸カルシウム蛍
光体を主体として構成されており、膜厚は約３０μｍで
ある。もちろん近年広く普及したＪＩＳに規定されてい
る３波長発光形蛍光ランプに使用される希土類蛍光体で
もよい。

【００２５】透明導電性被膜４は、以下の手順で形成さ
れる。図２は透明導電性被膜の形成方法の概略を示す概
念図である。まず、両端開口した管形のガラスバルブ１
が用意され、このガラスバルブ１を水平に保持しつつ加
熱炉に入れて外からガラスバルブ１を加熱する。このと
きの加熱温度は、バルブ１中央部で約５６０℃、端部で
約５００℃である。この状態で一端開口から四塩化錫と
三塩化アンチモンの混合蒸気をガラスバルブ１内に導入
し、ガラスバルブ１内を流して他端開口から排出する。
このときジメチル二塩化錫と三塩化アンチモンはガラス
バルブ１の高温に触れて分解し、それと同時に酸化し、
酸化錫、酸化アンチモンの形でガラスバルブ１内面に堆
積する。このときのジメチル二塩化錫と三塩化アンチモ
ンのモル比率は、約９９．３：０．７である。この比率
に対応してランプ完成後のバルブ１中央部における透明
導電性被膜４中のアンチモン含有率が定まる。

【００２６】しかしながら、バルブ１端部は、加熱温度
が低いので、反応速度が低くなり、供給される蒸気の一
部が未反応のままバルブ１の他端開口から排出される。
蒸気圧の高い物質ほど多く排出されやすいため、加熱温
度が低い部分では、蒸気圧の低い物質が多く反応堆積す
る。ジメチル二塩化錫と三塩化アンチモンでは、ジメチ
ル二塩化錫の方（実際にはこれが分解して堆積する直前
の塩化錫の蒸気圧）が蒸気圧が高いので、この部分では
アンチモンの濃度が混合蒸気のアンチモン含有率よりも
高くなる。これに対して、バルブ１中央部では供給され
た蒸気のほとんどが反応堆積するので、供給された蒸気
のアンチモン濃度と同じ含有率で膜形成される。このた
め全体的にはバルブ１中央部のアンチモン含有率は、バ
ルブ１端部のアンチモン含有率よりも低くなる。また、
加熱温度に違いがあるので、アンチモン濃度に差が出る
だけでなく、反応量自体に差がでるため、バルブ１中央
部で膜厚が厚くなり、端部で薄くなる。このため膜厚分
布は中央部の抵抗値が低くなる方向に分布する。

【００２７】なお、上記のように、アンチモン濃度に差
をつけたくない場合には、バルブ１中央部とバルブ１の
両端部ともに５００℃で加熱して一定時間、ジメチル二
塩化錫と三塩化アンチモンの蒸気をバルブ１内に導入し
て分解反応させて膜形成をし、その後、バルブ１中央部
だけ５００℃で加熱してバルブ１内に透明導電性被膜４
を形成すればよい。

【００２８】また、錫とアンチモンの化合物の種類によ
って加熱温度範囲におけるそれぞれの蒸気圧が変わり、
中央部におけるアンチモン濃度を中央部におけるアンチ
モン濃度よりも低くすることができる。

【００２９】このようにして形成された透明導電性被膜
４の上に保護被膜５を形成する。保護被膜５は、微粒子
酸化アルミニウムを分散した塗布液をバルブ１内に塗布
乾燥する。つぎに蛍光体塗布液をバルブ１内に塗布し、
つぎに乾燥した後、焼成により焼き付ける。この後、ガ
ラスバルブ１両端に電極２を装着し、図示しない排気管
を介して内部を加熱しつつ排気した後、少量の水銀とア
ルゴンを封入し、その後排気管を封止切る。このあと口
金３を装着してリード線を口金ピン３ａに接続してラン
プとして完成する。

【００３０】このようにして完成された蛍光ランプは、
図３のとおり安定器等の点灯回路部品２２を搭載した照
明器具本体２０に装着される。照明器具本体２０にはも
ちろん蛍光ランプを電気的機械的に接続するソケット２
１が設けられている。

【００３１】以上の透明導電性被膜４が薄く、緻密に形
成されてる本実施例に係る蛍光ランプＡと、従来の透明
導電性被膜４が厚く形成されている蛍光ランプＢ（中央
部膜厚が１２０ｎｍ）とを比較すると、目視評価で、蛍
光ランプＡは１５００時間前後の点灯で黒化が目だって
くるが、蛍光ランプＢは、１０００時間前後の点灯で黒
化が目だってくる。また、始動電圧を比較すると、製造
直後は、蛍光ランプＡと蛍光ランプＢとの始動性の差は
殆どみられなかったが、１０００時間点灯後は、本実施
例の蛍光ランプＡの方が従来タイプの蛍光ランプよりも
始動性が良かった。

【００３２】ところで、上記蛍光ランプの透明導電性被
膜４のアンチモン濃度は、０．７ないし２．０モル％で
ある。この濃度範囲は、アンチモン濃度により透明導電
性被膜４の抵抗値の経時変化の程度、透明導電性被膜４
の着色程度（全光透過率）および抵抗値が変化し、これ
らの値の最適範囲から決められている。もちろんこのと
きの透明導電性被膜４は、未分解の錫化合物の残留の少
ない緻密な膜が形成されている場合である。

【００３３】すなわち図４はアンチモン濃度と透明導電
性被膜４の相対抵抗値の関係を表している。アンチモン
濃度がゼロのときの相対抵抗値を１．０としたとき、ア
ンチモン濃度が増加するにしたがって相対抵抗値は減少
し、１．５モル％を最小値として再び増加していく。

【００３４】抵抗値の経時変化の程度を表したのが図５
である。１００時間点灯時の抵抗値を１．０としたとき
１０００時間点灯後の抵抗値は、アンチモン濃度が増加
するにしたがって１．０に近づき、０．７モル％以上で
は、殆ど変化しない。透明導電性被膜４が緻密に形成さ
れていない場合には、アンチモン濃度を高くしても、抵
抗値変化が大きく、安定しない。

【００３５】透明導電性被膜４の着色程度（全光透過
率）は、図６に示されるようにアンチモン濃度が増加す
るにしたがって暫減していく。これらの特性値の最適範
囲として０．７モル％以上、２．０モル％以下が選定さ
れている。すなわちアンチモン濃度が０．７モル％以
上、２．０モル％以下であれば、透明導電性被膜４の抵
抗値の経時変化が少なく、着色が少なく、光透過率を高
く維持できる。また、この範囲にあるため、抵抗値が低
く一定の導電性を得るための膜厚が薄くできる。

【００３６】次に透明導電性被膜４の厚さと５０００時
間後の黒化発生率との関連を調査した。試験品の中で黒
化の発生したランプの比率を縦軸に表したところ、図７
に示されるように、電極２から中央部側２０ｃｍまでの
範囲の電極近傍での黒化発生率は、透明導電性被膜４の
厚さに依存して変化するが、電極２から中央部側２０ｃ
ｍを越える範囲の黒化発生率は低く、透明導電性被膜４
の厚さに依存しないことがわかった。このことから、電
極２から中央部側２０ｃｍまでの範囲の電極近傍での透
明導電性被膜４を薄く形成すれば、中央部の膜厚に関係
がなく、端部の電極近傍の黒化発生率を低くすることが
できることが分かる。そして２５ｎｍ以下で比較的、黒
化発生率が低いことが分かる。このときの膜厚は、膜厚
が違っても抵抗値が変わらないように、膜状態を意識的
に変えてある。

【００３７】次に電極２からバルブ１の中央部側２０ｃ
ｍまでの範囲の電極近傍での透明導電性被膜４の平均膜
厚（抵抗値は同じにする）と５０００時間後の電極２近
傍の黒化発生率との関係を調査測定したのが図８であ
る。この特性図から分かるように、薄い緻密な膜構造の
透明導電性被膜４ほど黒化発生率は小さくなる。

【００３８】以上のことから、この蛍光ランプは、透明
導電性被膜４が薄いほど黒化発生率を低く維持できる。
またアンチモン濃度を０．７ないし２．０モル％の範囲
にすることで、抵抗値を低くできるので透明導電性被膜
４を薄くすることができ、黒化発生率低減を容易にす
る。また、透明導電性被膜４の抵抗値変化を小さくでき
るので、長期に亘って黒化発生を抑制できる。またアン
チモン濃度が０．７ないし２．０モル％の範囲なので光
透過率も高く維持できる。

【００３９】なお，本発明は上記実施例に限定されず、
たとえば透明導電性被膜４被膜の形成方法はスプレー法
など他の方法であってもよい。また、Ｖ字形の抵抗値分
布は、左右対象でなくてもよく、もっとも抵抗値野低い
部分が左右どちらかにずれていてもよい。さらにまた、
導電体、蛍光体、保護膜材料や重層被膜材料の組合わせ
などは実施例の材料に限定されない。

【００４０】

【発明の効果】請求項１ないし請求項３の発明によれ
ば、この低圧水銀蒸気放電ランプは、透明導電性被膜４
が薄いので黒化発生率を低く維持できる。またアンチモ
ン濃度を０．７ないし２．０モル％の範囲にすること
で、抵抗値を低くできるので透明導電性被膜４を薄くす
ることができ、黒化発生率低減を容易にする。また、透
明導電性被膜４の抵抗値変化を小さくできるので、長期
に亘って黒化発生を抑制できる。またアンチモン濃度が
０．７ないし２．０モル％の範囲なので光透過率も高く
維持できる。

【００４１】請求項４の発明によれば、照明装置は、請
求項１ないし３の低圧水銀蒸気放電ランプを有している
ので、低圧水銀蒸気放電ランプと同様、高品質の照明装
置が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１（ａ）は本発明の実施例にかかる蛍光ラン
プの正面図、図１（ｂ）は部分拡大断面図である。

【図２】実施例の蛍光ランプの透明導電性被膜の形成方
法の工程概念図である。

【図３】実施例の蛍光ランプを搭載した照明装置の正面
図である。

【図４】アンチモン濃度と透明導電性被膜の相対抵抗値
の関係を表す特性図である。

【図５】アンチモン濃度と透明導電性被膜の相対抵抗値
変化の関係を表す特性図である。

【図６】アンチモン濃度と透明導電性被膜の全光透過率
の関係を表す特性図である。

【図７】透明導電性被膜の膜厚と５０００時間後のバル
ブ位置毎の黒化発生率との関係を表す特性図である。

【図８】透明導電性被膜の電極近傍の平均膜厚と５００
０時間後の電極近傍の黒化発生率との関係を表す特性図
である。

【符号の説明】

１…ガラスバルブ、 ２…電極、 ４…透明導電性被
膜、５…保護被膜、 ６…蛍光体被膜

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】水銀を含む放電媒体を封入した管形の透光
   性気密容器と；この容器内の両端に装着された一対の電
   極と；酸化錫を主体として０．７ないし２．０モル％の
   アンチモンを含有し、一対の電極間の容器内側に被着さ
   れ、容器の中央部における膜厚が１００ｎｍ以下、容器
   の端部の膜厚が２５ｎｍ以下であり、中央部が両端部よ
   りも厚く、管軸方向１０ｃｍ当りの抵抗値が中央部で２
   ｋΩないし５０ｋΩ、両端部で２０ｋΩないし１０００
   ｋΩである透明導電性被膜と；を具備することを特徴と
   する低圧水銀蒸気放電ランプ。
2. 【請求項２】水銀を含む放電媒体を封入した管形の透光
   性気密容器と；この容器内の両端に装着された一対の電
   極と；酸化錫を主体として０．７ないし２．０モル％の
   アンチモンを含有し、一対の電極間の容器内側に被着さ
   れ、容器の中央部における膜厚が１００ｎｍ以下、容器
   の端部の平均膜厚が２５ｎｍ以下であり、中央部が両端
   部よりも厚く、管軸方向１０ｃｍ当りの抵抗値が中央部
   で２ｋΩないし５０ｋΩ、両端部で２０ｋΩないし１０
   ００ｋΩである透明導電性被膜と；透明導電性被膜の内
   側に形成された蛍光体被膜と；を具備することを特徴と
   する低圧水銀蒸気放電ランプ。
3. 【請求項３】透明導電性被膜の容器中央部における抵抗
   値が容器端部の抵抗値よりも高いことを特徴とする請求
   項１または請求項２記載の低圧水銀蒸気放電ランプ。
4. 【請求項４】照明装置本体と；照明装置本体に装着され
   た請求項１ないし３のいずれか一記載の低圧水銀蒸気放
   電ランプと；照明装置本体に配設され、放電ランプを付
   勢する放電ランプ点灯装置と；を具備することを特徴と
   する照明装置。