JPH07318980A - Liquid crystal display panel - Google Patents

Liquid crystal display panel

Info

Publication number
JPH07318980A
JPH07318980A JP4974695A JP4974695A JPH07318980A JP H07318980 A JPH07318980 A JP H07318980A JP 4974695 A JP4974695 A JP 4974695A JP 4974695 A JP4974695 A JP 4974695A JP H07318980 A JPH07318980 A JP H07318980A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
scan signal
display panel
shunt
shunt bus
signal lines
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP4974695A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2713211B2 (en
Inventor
Akihiro Yajima
明裕 矢島
Koji Nakajima
公二 中嶋
Osamu Sukegawa
統 助川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP4974695A priority Critical patent/JP2713211B2/en
Publication of JPH07318980A publication Critical patent/JPH07318980A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2713211B2 publication Critical patent/JP2713211B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Abstract

PURPOSE:To prevent the pattern destruction of storage wiring in an assembly process and to inspect a short circuit between wiring of a circuit in an LCD panel in which terminals of scan signal lines and data lines are taken out in the four sides directions of a substrate. CONSTITUTION:In the shunt bus structure of the LCD panel, the shunt buses are provided for respective scan signal lines 1 and data lines 3 such as 9-2, 9-4 connecting the scan signal lines 1 and 9-1, 9-3 connecting the data lines 3, and further, one line of storage wiring is provided in the shape of meandering along the scan signal lines 1, and a wiring inspecting measurement pad 12 is provided on its one end, and the other end is connected to the GND through a resistance pattern 8-4, and wiring inspecting pads are provided on the shunt bus lines 9.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示パネルの構造
に関し、特にアクティブマトリクス液晶表示パネルのシ
ャント構造に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a structure of a liquid crystal display panel, and more particularly to a shunt structure of an active matrix liquid crystal display panel.

【0002】[0002]

【従来の技術】アクティブマトリクス型液晶表示パネル
は、複数の行列に配置された多数の薄膜トランジスタ
(TFT)を有している。同一の行に配置されたTFT
のゲートは一つのスキャン信号線に共通接続され、同一
の列に配置されたTFTのドレイン(ソース)には一つ
のデータ線に共通接続されている。各TFTのソース
(ドレイン)は画素電極としてITO等の透明電極に接
続されている。
2. Description of the Related Art An active matrix type liquid crystal display panel has a large number of thin film transistors (TFTs) arranged in a plurality of rows and columns. TFTs arranged in the same row
Are commonly connected to one scan signal line, and the drains (sources) of the TFTs arranged in the same column are commonly connected to one data line. The source (drain) of each TFT is connected to a transparent electrode such as ITO as a pixel electrode.

【0003】各TFTは導電体層や半導体層の被着およ
び選択エッチングの工程を繰り返して製造されるが、そ
の製造工程や製造装置間の運搬工程においてしばしば静
電気が発生し、これが原因でTFTが破壊されることが
ある。
Each TFT is manufactured by repeating the steps of depositing a conductive layer and a semiconductor layer and selective etching, but static electricity is often generated in the manufacturing process and the transportation process between manufacturing devices, which causes the TFT. May be destroyed.

【0004】そこで、製造中等に生じる静電気からTF
T等を保護する手段が講じられている。
Therefore, TF is generated from static electricity generated during manufacturing.
Measures to protect T etc. are taken.

【0005】図3はかかる保護手段が講じられた従来の
液晶表示用パネルの概略図である(特開昭63−106
788号公報参照)。本液晶表示用パネルは、マトリク
ス状に配置され夫々がTFTおよび画素電極を有する多
数の画素4と、上述したスキャン信号線1およびデータ
配線3を有し、さらに、実際に液晶パネルとして使用さ
れる部分(点線で囲んでいる)の周囲にシャントバス形
成領域を設けて、同領域にシャントバス線5を有してお
り、このバス線5はすべての信号線1およびデータ線3
に共通接続されている。なお、配線6は電荷保持用のス
トレージ配線用パターンである。
FIG. 3 is a schematic view of a conventional liquid crystal display panel provided with such protection means (Japanese Patent Laid-Open No. 63-106).
788). This liquid crystal display panel has a large number of pixels 4 arranged in a matrix and each having a TFT and a pixel electrode, the scan signal line 1 and the data wiring 3 described above, and is actually used as a liquid crystal panel. A shunt bus forming region is provided around a portion (enclosed by a dotted line), and a shunt bus line 5 is provided in the same region. This bus line 5 is used for all signal lines 1 and data lines 3.
Commonly connected to. The wiring 6 is a storage wiring pattern for holding charges.

【0006】点線ABCDで囲った部分は液晶表示パネ
ルとして後で切断されるが、上述の接地シャントバス線
5の存在により、製造中に発生した静電気は逃がされ、
TFTの破壊が防止される。
The portion surrounded by the dotted line ABCD will be cut later as a liquid crystal display panel, but due to the presence of the ground shunt bus line 5 described above, static electricity generated during manufacturing is released.
The destruction of the TFT is prevented.

【0007】なお、点線ABCD内部に残存するシャン
トバス線5の部分は表示パネルを駆動する駆動回路を接
続するためのパッドとして利用される。
The portion of the shunt bus line 5 remaining inside the dotted line ABCD is used as a pad for connecting a drive circuit for driving the display panel.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】近年、液晶パネルにお
いても高密度が進み表示画素数は増加の一途をたどって
いる。すなわち、各信号線の幅は細くまたピッチも小さ
くなり、さらには信号線間隔も狭くなってきている。そ
の結果、隣り合う信号線同士あるいは交差する信号線間
の短絡の危険性、さらには信号線の断線の危険性が高ま
っている。
In recent years, the density of liquid crystal panels has been increasing and the number of display pixels has been increasing. That is, the width of each signal line is thin, the pitch is small, and the signal line interval is also narrowing. As a result, there is an increased risk of short circuits between adjacent signal lines or between intersecting signal lines, as well as the risk of disconnection of the signal lines.

【0009】したがって、同一レベルの信号線を形成し
た時点で信号線同士の短絡や信号線の断線をチェックす
る方が好ましい。修復できるものは修復し、修復できな
いものはその時点で最初の工程からやり直し、これによ
って、製造コストをトータル的にみて低く抑えることが
できるからである。
Therefore, it is preferable to check for a short circuit between the signal lines and a disconnection of the signal lines when the signal lines of the same level are formed. This is because those that can be repaired are repaired, and those that cannot be repaired are restarted from the first step at that point, whereby the total manufacturing cost can be kept low.

【0010】しかしながら、図3の示すものでは、シャ
ントバス5はスキャン信号線1と同一の工程においてす
べてのスキャン信号線1と連続して形成され、また、デ
ータ線3はこれらの形成時にシャントバス5に接続して
形成される。このため、各信号線間の短絡検出や交差部
分での短絡検出ができない。
However, in the structure shown in FIG. 3, the shunt bus 5 is formed continuously with all the scan signal lines 1 in the same step as the scan signal line 1, and the data line 3 is formed at the time of forming these. It is formed by connecting to 5. Therefore, it is impossible to detect a short circuit between the signal lines or a short circuit at the intersection.

【0011】したがって、本発明の目的は、静電気から
TFTの破壊を防止しながら、各配線、信号線間の短絡
の検査を容易にした液晶表示パネルを提供することにあ
る。
SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, an object of the present invention is to provide a liquid crystal display panel which can easily inspect a short circuit between each wiring and a signal line while preventing the TFT from being broken by static electricity.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】本発明による液晶表示パ
ネルは、TFTがマトリクス状に配置されたアクティブ
マトリクス部分およびこの部分の周囲に設けられたシャ
ントバス形成部分を有し、シャントバス形成部分には第
1および第2のシャントバスが独立して形成されてお
り、第1のシャントバスはアクティブマトリクス部分の
複数のスキャン信号線に接続され、一方、第2のシャン
トバスはアクティブマトリクス部分の複数のデータ線に
抵抗されていることを特徴とする。
A liquid crystal display panel according to the present invention has an active matrix portion in which TFTs are arranged in a matrix and a shunt bath forming portion provided around this portion, and the shunt bath forming portion is provided in the shunt bath forming portion. Have a first shunt bus and a second shunt bus independently formed, the first shunt bus being connected to a plurality of scan signal lines of the active matrix portion, while the second shunt bus being a plurality of active matrix portions. It is characterized by being resistant to the data line of.

【0013】[0013]

【作用】このように、第1および第2のシャントバスが
独立して設けられているので、両バス間の電気導通度の
チェックにより少なくともスキャン信号線とデータ線と
の間の短絡を検査することができる。しかも、シャント
バス構成であるので、静電気によるTFTの破壊も防止
できる。このとき、上記電気導通度のチェックを容易と
するため、各シャントバスは所定値の抵抗を介して接地
されていることが好ましい。
As described above, since the first and second shunt buses are provided independently, at least a short circuit between the scan signal line and the data line is inspected by checking the electrical continuity between both buses. be able to. Moreover, since the shunt bus structure is used, it is possible to prevent the TFT from being damaged by static electricity. At this time, it is preferable that each shunt bus is grounded via a resistor having a predetermined value in order to facilitate checking the electrical conductivity.

【0014】[0014]

【実施例】以下、本発明の実施例につき図面を参照して
詳述する。
Embodiments of the present invention will now be described in detail with reference to the drawings.

【0015】図1に本発明の第一の実施例を示す液晶表
示パネルを示す。本パネルでは、シャントバス形成部分
に4つのシャントバス9−1乃至9−4が互いに独立し
て形成されている。シャントバス9−1乃至9−4の各
々は抵抗パターン8−1乃至8−4をそれぞれ介してG
NDに接続され(接地され)ており、さらに、所定のス
キャン信号線およびデータ線に接続されている。すなわ
ち、奇数番目のゲート配線1−1,1−3,…,はアク
ティブマトリクス部分の左側にあるシャントバスライン
9−2に接続され、偶数番目のゲート配線1−2,1−
4,…,はマトリクス部分の右側のシャントバスライン
9−4に接続されている。また、奇数番目のデータ線3
−1,3−3,…,はマトリクス部分の上側のシャント
バス9−1に接続され、偶数番目のデータ線3−2,3
−4,…,はマトリクス部分の下側のシャントバス9−
3に接続されている。各シャントバスには検査測定用パ
ッド10−1乃至10−4がそれぞれ設けられている。
FIG. 1 shows a liquid crystal display panel showing a first embodiment of the present invention. In this panel, four shunt buses 9-1 to 9-4 are formed independently of each other in the shunt bath forming portion. Each of the shunt buses 9-1 to 9-4 is connected to G via the resistance patterns 8-1 to 8-4.
It is connected to ND (grounded) and further connected to a predetermined scan signal line and data line. That is, the odd-numbered gate wirings 1-1, 1-3, ... Are connected to the shunt bus line 9-2 on the left side of the active matrix portion, and the even-numbered gate wirings 1-2, 1- are connected.
, ... are connected to the shunt bus line 9-4 on the right side of the matrix portion. In addition, odd-numbered data line 3
-1, 3-3, ... Are connected to the shunt bus 9-1 on the upper side of the matrix portion, and the even-numbered data lines 3-2, 3
-4, ..., Shunt bus 9 below the matrix portion
Connected to 3. Inspection and measurement pads 10-1 to 10-4 are provided on each shunt bath.

【0016】このように、各シャントバス9は対応する
抵抗8を介するが接地されており、したがって、工程中
に発生する静電気は逃がされTFTが保護される。しか
も、独立したシャントバス構成であるため、スキャン信
号線1同士、データ線3同士、あるいはそれらの短絡の
検査も可能となる。かかる検査についてはその詳細を後
述する。
As described above, each shunt bus 9 is grounded though the corresponding resistor 8, so that static electricity generated during the process is released and the TFT is protected. Moreover, since the shunt bus structure is independent, it is possible to inspect the scan signal lines 1 and the data lines 3 or a short circuit between them. The details of this inspection will be described later.

【0017】さらに、本実施例では、各画素4内にキャ
パシタと示す信号電荷保持用容量部の一端を各画素4間
で共通に接続するストレージ配線2を、図3との比較か
らも明らかなとおり、配線としては各スキャン信号線1
に沿って蛇行した一本の配線として構成している。かか
る1本の蛇行ストレージ配線2の一端は検査測定用パッ
ト12に接続され、他端は抵抗8−4を介して接地され
ている。さらに、各スキャン信号線1とストレージ配線
2間、各データ信号線3とストレージ配線2間の静電気
放電を行うために、放電用ダイオード7が図示のように
設けられている。
Further, in this embodiment, the storage wiring 2 which connects one end of the signal charge holding capacitance portion, which is shown as a capacitor in each pixel 4, in common between the pixels 4, is also clear from a comparison with FIG. As the wiring, each scan signal line 1
It is configured as a single wire meandering along. One end of the one meandering storage wiring 2 is connected to the inspection / measurement pad 12, and the other end is grounded via the resistor 8-4. Further, in order to perform electrostatic discharge between each scan signal line 1 and the storage wiring 2 and between each data signal line 3 and the storage wiring 2, a discharging diode 7 is provided as shown.

【0018】従って、本実施例では、静電気からストレ
ージ配線2自体および同配線2を介するTFTを保護で
きる。しかも、ストレージ配線2と隣接する配線との間
の短絡の検査が可能となる。
Therefore, in this embodiment, the storage wiring 2 itself and the TFT via the wiring 2 can be protected from static electricity. Moreover, it is possible to inspect for a short circuit between the storage wiring 2 and the adjacent wiring.

【0019】すなわち、パッド10−2と12にテスタ
の測定針を置き、両者の間の電気導電度をチェックす
る。これによって奇数番目のスキャン信号線1とストレ
ージ配線2との短絡有無が検査できる。このときに、短
絡が生じていれば抵抗値としては実質0となり、一方、
短絡がなければ抵抗8−2,8−4の和が検知される。
同様に、パッド10−4とパッド12にテスタ針を置い
て、偶数番目のスキャン信号線1とストレージ配線2と
の間の状態がチェックできる。
That is, the measuring needle of the tester is placed on the pads 10-2 and 12 and the electrical conductivity between them is checked. Thus, it is possible to inspect whether the odd-numbered scan signal line 1 and the storage line 2 are short-circuited. At this time, if a short circuit occurs, the resistance value becomes substantially 0, while
If there is no short circuit, the sum of the resistors 8-2 and 8-4 is detected.
Similarly, by placing a tester needle on the pad 10-4 and the pad 12, the state between the even-numbered scan signal line 1 and the storage line 2 can be checked.

【0020】また、パッド10−1とパッド12にテス
タの針を置くことにより、奇数番目のデータ配線3とス
トレージ配線2との短絡が検査できる。このときに、短
絡が生じていれば抵抗値としては0となり、短絡がなけ
れば抵抗8−1,8−4の和が検知される。偶数番目の
データ配線3とストレージ配線2との間については、パ
ッド10−3とパッド12にテスタ針を置いて検査す
る。
Further, by placing a tester needle on the pads 10-1 and 12, it is possible to inspect for a short circuit between the odd-numbered data wiring 3 and the storage wiring 2. At this time, if a short circuit occurs, the resistance value becomes 0, and if there is no short circuit, the sum of the resistors 8-1 and 8-4 is detected. Between the even-numbered data wiring 3 and the storage wiring 2, a tester needle is placed on the pads 10-3 and 12 for inspection.

【0021】さらにまた、パッド10−2とパッド10
−1にテスタの針を置くことにより、奇数番目のデータ
配線3と奇数番目のスキャン信号線1との短絡が検知で
きる。このときに、短絡が生じていれば抵抗値は0とな
り、短絡がなければ抵抗8−1,8−2の和が検知され
る。同様にして、パッド10−2とパッド10−3,パ
ッド10−4とパッド10−1,パッド10−4とパッ
ド10−3にテスタ針を置いて対応する信号線間の短絡
が検出される。
Furthermore, the pad 10-2 and the pad 10
By placing the needle of the tester at -1, a short circuit between the odd-numbered data wiring 3 and the odd-numbered scan signal line 1 can be detected. At this time, if a short circuit occurs, the resistance value becomes 0, and if there is no short circuit, the sum of the resistances 8-1 and 8-2 is detected. Similarly, a tester needle is placed on the pads 10-2 and 10-3, the pad 10-4 and the pad 10-1, and the pad 10-4 and the pad 10-3 to detect a short circuit between the corresponding signal lines. .

【0022】このように、検査対象となる二つのパッド
を適宜選択することにより、様々な配線間の短絡検査が
可能となる。したがって、パネルの製造の一連の工程に
おいて適宜かかる検査工程を行うことにより、不所望な
短絡を早期に発見でき、修復が可能となったり、製造の
やり直しが容易となる。
As described above, by appropriately selecting the two pads to be inspected, it is possible to inspect a short circuit between various wirings. Therefore, by appropriately performing such an inspection step in a series of steps for manufacturing the panel, an undesired short circuit can be found at an early stage, repair can be performed, or manufacturing can be redone easily.

【0023】次に、本実施例における液晶表示用パネル
の製造方法につき上述の検査も含めて説明する。
Next, a method for manufacturing the liquid crystal display panel in this embodiment will be described including the above-mentioned inspection.

【0024】まず、ガラス等の透明絶縁基板上全面にC
r等の金属をスパッタ法により設け、かくして設けられ
た金属層を選択的に除去して、図1(b)のようにスキ
ャン信号線1,ストレージ配線2−1,シャントバスラ
イン9−2および9−4,抵抗パターン8−2,8−
4,8−5を形成する。
First, C is formed on the entire surface of a transparent insulating substrate such as glass.
A metal such as r is provided by a sputtering method, the metal layer thus provided is selectively removed, and the scan signal line 1, the storage wiring 2-1, the shunt bus line 9-2, and the like as shown in FIG. 9-4, resistance patterns 8-2, 8-
4, 8-5 are formed.

【0025】ここで、抵抗パターン8−2,8−4,8
−5は、シャントバスライン9−2および9−4等と同
様の金属で形成されるが、そのパターンの線幅をシャン
トバスライン9−2等に比べ十分細くし、また長さを十
分とることで抵抗としての機能を有することになる。こ
れらの抵抗値は各パターンの値を異らせてもかまわない
が、製造の簡単化を考慮すれば、同一の方が望ましい。
Here, the resistance patterns 8-2, 8-4, 8
-5 is formed of the same metal as the shunt bus lines 9-2 and 9-4, etc., but the line width of the pattern is made sufficiently thinner than the shunt bus lines 9-2 etc., and the length is sufficient. As a result, it has a function as a resistor. These resistance values may be different for each pattern, but in consideration of simplification of manufacturing, the same value is preferable.

【0026】この段階では、ストレージ配線はスキャン
信号線と並行する部分2−1のみが形成されることに注
意されたい。したがって、ストレージ配線2の各部分2
−1の部分は電気的にフローティングの状態にある。こ
の状態で、パッド10−2と10−4間に測定探針をあ
てて電気的短絡状態を検査する。もし電気的短絡状態が
検出されれば、これは隣接する二つの配線1間にこれら
を導通せしめる不要導体が残っていることを示してい
る。したがって、その箇所をさがし出し、不要導体を例
えばレーザ等により切断することにより修復が可能とな
る。また、電気的にオープンとなっておれば、配線1,
2のどこかに切断状態の箇所があることを示すので、同
箇所に対し、修復を施すことも可能となる。
At this stage, it should be noted that the storage wiring is formed with only the portion 2-1 parallel to the scan signal line. Therefore, each part 2 of the storage wiring 2
The -1 portion is in an electrically floating state. In this state, a measuring probe is placed between the pads 10-2 and 10-4 to inspect for an electrically shorted state. If an electrical short-circuit condition is detected, this indicates that there is an unnecessary conductor left between two adjacent wirings 1 that makes them conductive. Therefore, it is possible to repair by finding out that portion and cutting the unnecessary conductor with, for example, a laser. If it is electrically open, wiring 1,
Since it is shown that there is a cut portion somewhere in 2, it is possible to repair the same portion.

【0027】次に基板全面にシリコン酸化膜や窒化膜等
のゲート絶縁膜を設け、さらにTFTのチャネル領域と
なるアモルファスシリコン等の半導体膜を選択的に設け
る。また、ゲート絶縁膜には選択的に開孔を施す。その
後、再びCr等の金属を基板上全面に設け、選択的に除
去することによりデータ線3,シャントバスライン9−
1,9−3,前述の抵抗パターン8−2,8−4,8−
5と同様の抵抗パターン8−1,8−3等を選択的に設
ける。さらにこのとき、図1(b)に示すようにストレ
ージ配線の残りの部分2−2が形成され、同部分はゲー
ト絶縁膜に設けた開孔を介して形成済の部分2−2と接
続される。この結果、配線として1本の蛇行するストレ
ージ配線2が形成される。勿論、スキャン信号線1とス
トレージ配線2の交差部13や、図1(a)のスキャン
信号線1とデータ線3との交差部は絶縁膜により絶縁さ
れている。よく知られているように、スキャン信号線1
の一部はTFTのゲート電極となり、データ線3の一部
はTFTのドレイン(ソース)電極となる。また、デー
タ線3の形成と同時にTFTのソース(ドレイン)電極
が形成される。
Next, a gate insulating film such as a silicon oxide film or a nitride film is provided on the entire surface of the substrate, and a semiconductor film such as amorphous silicon to be a channel region of the TFT is selectively provided. Further, holes are selectively formed in the gate insulating film. After that, a metal such as Cr is again provided on the entire surface of the substrate and is selectively removed so that the data line 3 and the shunt bus line 9-
1, 9-3, the aforementioned resistance patterns 8-2, 8-4, 8-
Resistive patterns 8-1, 8-3 and the like similar to those of No. 5 are selectively provided. Further, at this time, as shown in FIG. 1B, the remaining portion 2-2 of the storage wiring is formed, and this portion is connected to the formed portion 2-2 through the opening provided in the gate insulating film. It As a result, one meandering storage wiring 2 is formed as a wiring. Of course, the intersection 13 between the scan signal line 1 and the storage wiring 2 and the intersection between the scan signal line 1 and the data line 3 in FIG. 1A are insulated by an insulating film. As is well known, scan signal line 1
Part of the data line 3 becomes the gate electrode of the TFT, and part of the data line 3 becomes the drain (source) electrode of the TFT. Further, the source (drain) electrode of the TFT is formed simultaneously with the formation of the data line 3.

【0028】この工程後、所望のパッド間に探針をあて
て測定することにより、絶縁すべき配線の交差部に生じ
ているかもしれない短絡を検出できる。また、パッド1
0−1と10−3間に探針をあてて測定することによ
り、隣接する二つのデータ線3間の短絡がチェックでき
る。短絡があれば、場所によっては修復することもでき
る。
After this step, by applying a probe between the desired pads and performing measurement, it is possible to detect a short circuit that may occur at the intersection of the wirings to be insulated. Also, pad 1
By applying a probe between 0-1 and 10-3 and measuring, a short circuit between two adjacent data lines 3 can be checked. If there is a short circuit, it can be repaired in some places.

【0029】この後、ITO等の透明電極を選択的に設
けて画素電極を形成し、基板全面を保護用の絶縁膜で覆
い、そしてパネル組立工程へと進むことになる。
After that, a transparent electrode such as ITO is selectively provided to form a pixel electrode, the entire surface of the substrate is covered with a protective insulating film, and the panel assembling process is performed.

【0030】かくして、本実施例では、製造工程中に生
じ得る静電気からTFTを保護することと同時に製造中
のゴミ等による不所望な配線間短絡もチェックすること
ができ、適宜修復を加えられ、あるいはその結果を各工
程の管理や見直しにフィードバックできる。さらに、修
復不可能な短絡を早期に発見でき、その後の無駄な工程
への搬送を阻止できる。
Thus, in this embodiment, it is possible to protect the TFT from static electricity that may occur during the manufacturing process, and at the same time check for undesired short circuits between wirings due to dust or the like during the manufacturing process. Alternatively, the result can be fed back to the management and review of each process. Furthermore, an unrepairable short circuit can be detected early, and subsequent conveyance to a wasteful process can be prevented.

【0031】上記実施例では、スキャン信号線1と同時
に形成されるストレージ配線部分2−1は前述のとおり
フローティング状態となっている。このため、同工程中
あるいは次の工程への搬送時に生じる静電気がフローテ
ィング状態の配線部分2−1にたまり、不所望な放電が
生じて配線部分2−1が破壊することが考える。
In the above embodiment, the storage wiring portion 2-1 formed simultaneously with the scan signal line 1 is in the floating state as described above. Therefore, it is considered that static electricity generated during the same process or during transportation to the next process is accumulated in the wiring portion 2-1 in a floating state, causing undesired discharge and destroying the wiring portion 2-1.

【0032】そこで、図2に本発明の第二の実施例とし
て示すように、ストレージ配線2の全てをスキャン信号
線1と同時に形成する方が好ましい。なお、図2で図1
と同一の構成部は同一の番号を付してそれらの説明を省
略する。
Therefore, as shown in FIG. 2 as a second embodiment of the present invention, it is preferable to form all the storage wirings 2 at the same time as the scan signal lines 1. In addition, in FIG.
The same components as those are denoted by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.

【0033】本実施例では、図2(b)に示すように、
ガラス等の透明絶縁基板上全面にCr等の金属を設け、
フォトレジスト法でエッチングしてスキャン信号線1,
シャントバスライン9−2,9−4,抵抗パターン8−
2,8−5等の形成と同時に、蛇行したストレージ配線
2および接地用抵抗パターン8−4とパッド12が同時
に形成される。
In this embodiment, as shown in FIG.
Provide a metal such as Cr on the entire surface of a transparent insulating substrate such as glass,
Scan signal line 1 by etching with photoresist method
Shunt bus lines 9-2, 9-4, resistance pattern 8-
Simultaneously with the formation of 2, 8-5 and the like, the meandering storage wiring 2, the grounding resistance pattern 8-4 and the pad 12 are simultaneously formed.

【0034】この構成により、ストレージ配線2もその
形成時点から静電気による破壊から防止することができ
る。さらに、スキャン信号線1とストレージ配線2が交
差する部分がないため、第一の実施例に比べ、配線間で
短絡が生じる可能性を減少させることができる。しか
も、パッド10−2と12間、10−4と12間で短絡
状態をチェックすることにより、隣接する配線1−2間
の短絡が検出でき、あれば修復が可能となる。修復にあ
たっては、レーザ光線で走査して短絡部分を発見し、同
部分に対しパワーを上げて切断することができる。
With this structure, the storage wiring 2 can also be prevented from being damaged by static electricity from the time of its formation. Further, since there is no portion where the scan signal line 1 and the storage wiring 2 intersect, the possibility that a short circuit will occur between the wirings can be reduced as compared with the first embodiment. Moreover, by checking the short-circuit state between the pads 10-2 and 12 and between the pads 10-4 and 12, a short-circuit between the adjacent wirings 1-2 can be detected, and repair can be performed if any. In repairing, it is possible to scan with a laser beam to find a short-circuited portion, and increase the power to the same portion to cut it.

【0035】[0035]

【発明の効果】以上のとおり、本発明によれば、静電気
による破壊からの防止を実現しつつ、配線間の短絡検査
も容易に実行できるシャントバス構造が提供される。
As described above, according to the present invention, there is provided a shunt bus structure capable of easily performing a short circuit inspection between wirings while realizing protection from damage due to static electricity.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第一の実施例を示す液晶表示用パネル
の概略図。
FIG. 1 is a schematic view of a liquid crystal display panel showing a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第二の実施例を示す液晶表示用パネル
の概略図。
FIG. 2 is a schematic view of a liquid crystal display panel showing a second embodiment of the present invention.

【図3】従来例を示す液晶表示用パネルの概略図。FIG. 3 is a schematic view of a liquid crystal display panel showing a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 スキャン信号線 2 ストレージ配線 3 データ線 4 1画素分の構成 5 シャントバス線 6 ストレージ配線用パターン 7 リングダイオード 8 抵抗パターン 9 シャントバスライン 10 パッド 11 パッド 12 ストレージ配線用パッド 13 スキャン信号線・ストレージ配線交差部パター
ン 14 外部回路接続用パッド 15 精密検査用パッド
1 scan signal line 2 storage wiring 3 data line 4 configuration for 1 pixel 5 shunt bus line 6 storage wiring pattern 7 ring diode 8 resistance pattern 9 shunt bus line 10 pad 11 pad 12 storage wiring pad 13 scan signal line / storage Wiring cross pattern 14 External circuit connection pad 15 Precision inspection pad

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数のスキャン信号線およびデータ線を
有する表示パネル部分とこの部分の周囲に設けられたシ
ャントバス形成部分とを備え、前記シャントバス形成部
分には互いに独立した第1および第2のシャントバスが
形成され、前記第1のシャントバスは前記複数のスキャ
ン信号線にそれぞれ接続され、前記第2のシャントバス
は前記複数のデータ線にそれぞれ接続されていることを
特徴とする液晶表示パネル。
1. A display panel portion having a plurality of scan signal lines and data lines, and a shunt bus forming portion provided around this portion, wherein the shunt bus forming portion includes first and second independent portions. A shunt bus is formed, the first shunt bus is connected to each of the scan signal lines, and the second shunt bus is connected to each of the data lines. panel.
【請求項2】 前記第1のシャントバスは第1の抵抗を
介して接地され、前記第2のシャントバスは第2の抵抗
を介して接地されている請求項1記載の液晶表示パネ
ル。
2. The liquid crystal display panel according to claim 1, wherein the first shunt bus is grounded via a first resistor, and the second shunt bus is grounded via a second resistor.
【請求項3】 複数のスキャン信号線、複数のデータ線
ならびに各々が対応するスキャン信号線およびデータ線
に接続された複数の薄膜トランジスタを有する表示パネ
ル部分と、この部分の周囲に設けられたシャントバス形
成部分とを備え、前記シャントバス形成部分には第1,
第2,第3および第4のシャントバスが互いに独立して
形成され、前記第1のシャントバスは前記複数のスキャ
ン信号線のうち偶数番目のスキャン信号線にそれぞれ接
続され、前記第2のシャントバスは前記複数のスキャン
信号線のうち奇数番目のスキャン信号線にそれぞれ接続
され、前記第3のシャントバスは前記複数のデータ線の
うち偶数番目のデータ線にそれぞれ接続され、前記第4
のシャントバスは前記複数のデータ線のうち奇数番目の
データ線にそれぞれ接続されていることを特徴とする液
晶表示パネル。
3. A display panel portion having a plurality of scan signal lines, a plurality of data lines, and a plurality of thin film transistors connected to the corresponding scan signal lines and data lines, and a shunt bus provided around this portion. A shunt bath forming portion,
Second, third, and fourth shunt buses are formed independently of each other, the first shunt bus is connected to even-numbered scan signal lines of the plurality of scan signal lines, and the second shunt bus is formed. The bus is connected to an odd-numbered scan signal line of the plurality of scan signal lines, the third shunt bus is connected to an even-numbered data line of the plurality of data lines, and the fourth shunt bus is connected to the even-numbered data line of the plurality of data lines.
2. The liquid crystal display panel, wherein the shunt bus is connected to an odd-numbered data line of the plurality of data lines.
【請求項4】 前記第1のシャントバスは第1の抵抗を
介して接地され、前記第2のシャントバスは第2の抵抗
を介して接地され、前記第3のシャントバスは第3の抵
抗を介して接地され、前記第4のシャントバスは第4の
抵抗を介して接地されている請求項3記載の液晶表示パ
ネル。
4. The first shunt bus is grounded via a first resistance, the second shunt bus is grounded via a second resistance, and the third shunt bus is a third resistance. The liquid crystal display panel according to claim 3, wherein the liquid crystal display panel is grounded via a resistor, and the fourth shunt bus is grounded via a fourth resistor.
【請求項5】 前記表示パネル部分はストレージ線をさ
らに有し、前記ストレージ線は抵抗を介して接地されて
いる請求項2又は4記載の液晶表示パネル。
5. The liquid crystal display panel according to claim 2, wherein the display panel portion further has a storage line, and the storage line is grounded via a resistor.
【請求項6】 前記ストレージ配線は前記スキャン信号
線に沿って蛇行していることを特徴とする請求項5記載
の液晶表示パネル。
6. The liquid crystal display panel according to claim 5, wherein the storage wiring meanders along the scan signal line.
【請求項7】 マトリクス状に配置され夫々が薄膜トラ
ンジスタおよびストレージ容量を有する複数の画素と、
夫々が対応する行に配置された画素の薄膜トランジスタ
を互いに接続する複数のスキャン信号線と、前記複数の
画素内のストレージ容量の夫々の一端が接続されたスト
レージ配線とを備え、前記ストレージ配線は、前記複数
のスキャン信号線の隣り合うスキャン信号線間にそれぞ
れ形成された複数の第1部分と、これら第1部分と直交
する方向に形成された複数の第2部分とを有し、前記複
数の第2部分は前記複数の第1部分を互いに直列に接続
するように配置されている液晶表示パネル。
7. A plurality of pixels arranged in a matrix, each having a thin film transistor and a storage capacitor,
A plurality of scan signal lines respectively connecting the thin film transistors of the pixels arranged in corresponding rows to each other, and a storage wiring to which one end of each of the storage capacitors in the plurality of pixels is connected, the storage wiring, A plurality of first portions formed respectively between adjacent scan signal lines of the plurality of scan signal lines and a plurality of second portions formed in a direction orthogonal to the first portions; The second portion is a liquid crystal display panel arranged so as to connect the plurality of first portions in series with each other.
【請求項8】 前記複数の第1および第2部分は、同一
平面上に連続して形成されている請求項7記載の液晶表
示パネル。
8. The liquid crystal display panel according to claim 7, wherein the plurality of first and second portions are continuously formed on the same plane.
JP4974695A 1994-03-30 1995-03-09 LCD panel Expired - Lifetime JP2713211B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4974695A JP2713211B2 (en) 1994-03-30 1995-03-09 LCD panel

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6173694 1994-03-30
JP6-61736 1994-03-30
JP4974695A JP2713211B2 (en) 1994-03-30 1995-03-09 LCD panel

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH07318980A true JPH07318980A (en) 1995-12-08
JP2713211B2 JP2713211B2 (en) 1998-02-16

Family

ID=26390197

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4974695A Expired - Lifetime JP2713211B2 (en) 1994-03-30 1995-03-09 LCD panel

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2713211B2 (en)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2758402A1 (en) * 1997-01-10 1998-07-17 Lg Electronics Inc THIN LAYER TRANSISTOR MATRIX PRESENTING A CIRCUIT AGAINST STATIC ELECTRICITY
US6122030A (en) * 1996-11-28 2000-09-19 Sharp Kabushiki Kaisha Insulating-film layer and sealant arrangement for protective circuit devices in a liquid crystal display device
JP2002277896A (en) * 2001-03-19 2002-09-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd Liquid crystal display and image display device using the same
KR100495810B1 (en) * 1997-09-25 2005-09-15 삼성전자주식회사 LCD display with static electricity protection circuit
KR100634829B1 (en) * 1999-11-05 2006-10-17 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Method of Fabricating Liquid Crystal Display Device
CN100383651C (en) * 2001-09-28 2008-04-23 株式会社日立制作所 Display device
CN100406979C (en) * 2005-02-17 2008-07-30 精工爱普生株式会社 Electro-optical device, method of manufacturing electro-optical device, and electronic apparatus
US7746417B2 (en) 2003-12-18 2010-06-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array panel for a display
CN107180620A (en) * 2017-07-27 2017-09-19 京东方科技集团股份有限公司 Display panel control circuit, the driving method of display panel and display device
WO2018198979A1 (en) * 2017-04-26 2018-11-01 住友化学株式会社 Electrode-attached substrate, laminated substrate, and organic device manufacturing method
US11108028B2 (en) 2017-04-25 2021-08-31 Sumitomo Chemical Company, Limited Manufacturing method for organic electronic device

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6310558A (en) * 1986-07-02 1988-01-18 Hitachi Ltd Flat display
JPS6333130U (en) * 1986-08-18 1988-03-03
JPS63292113A (en) * 1987-05-26 1988-11-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd Manufacture of active matrix display device
JPH02135490A (en) * 1988-11-17 1990-05-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd Active matrix array and its inspecting method
JPH02157896A (en) * 1988-12-12 1990-06-18 Sharp Corp Checking structure and checking method for substrate of matrix display device
JPH02310536A (en) * 1989-05-26 1990-12-26 Sharp Corp Active matrix substrate
JPH0659283A (en) * 1992-04-27 1994-03-04 Terenikusu:Kk Method and device for inspecting tft-lcd
JPH06317810A (en) * 1993-05-07 1994-11-15 Mitsubishi Electric Corp Matrix wiring board
JPH0764517A (en) * 1993-08-31 1995-03-10 Toa Denpa Kogyo Kk Device for inspecting active matrix array

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6310558A (en) * 1986-07-02 1988-01-18 Hitachi Ltd Flat display
JPS6333130U (en) * 1986-08-18 1988-03-03
JPS63292113A (en) * 1987-05-26 1988-11-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd Manufacture of active matrix display device
JPH02135490A (en) * 1988-11-17 1990-05-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd Active matrix array and its inspecting method
JPH02157896A (en) * 1988-12-12 1990-06-18 Sharp Corp Checking structure and checking method for substrate of matrix display device
JPH02310536A (en) * 1989-05-26 1990-12-26 Sharp Corp Active matrix substrate
JPH0659283A (en) * 1992-04-27 1994-03-04 Terenikusu:Kk Method and device for inspecting tft-lcd
JPH06317810A (en) * 1993-05-07 1994-11-15 Mitsubishi Electric Corp Matrix wiring board
JPH0764517A (en) * 1993-08-31 1995-03-10 Toa Denpa Kogyo Kk Device for inspecting active matrix array

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6122030A (en) * 1996-11-28 2000-09-19 Sharp Kabushiki Kaisha Insulating-film layer and sealant arrangement for protective circuit devices in a liquid crystal display device
FR2758402A1 (en) * 1997-01-10 1998-07-17 Lg Electronics Inc THIN LAYER TRANSISTOR MATRIX PRESENTING A CIRCUIT AGAINST STATIC ELECTRICITY
KR100495810B1 (en) * 1997-09-25 2005-09-15 삼성전자주식회사 LCD display with static electricity protection circuit
KR100634829B1 (en) * 1999-11-05 2006-10-17 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Method of Fabricating Liquid Crystal Display Device
JP2002277896A (en) * 2001-03-19 2002-09-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd Liquid crystal display and image display device using the same
CN100383651C (en) * 2001-09-28 2008-04-23 株式会社日立制作所 Display device
US7746417B2 (en) 2003-12-18 2010-06-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array panel for a display
CN100406979C (en) * 2005-02-17 2008-07-30 精工爱普生株式会社 Electro-optical device, method of manufacturing electro-optical device, and electronic apparatus
US11108028B2 (en) 2017-04-25 2021-08-31 Sumitomo Chemical Company, Limited Manufacturing method for organic electronic device
WO2018198979A1 (en) * 2017-04-26 2018-11-01 住友化学株式会社 Electrode-attached substrate, laminated substrate, and organic device manufacturing method
US11121350B2 (en) 2017-04-26 2021-09-14 Sumitomo Chemical Company, Limited Electrode-attached substrate, laminated substrate, and organic device manufacturing method
CN107180620A (en) * 2017-07-27 2017-09-19 京东方科技集团股份有限公司 Display panel control circuit, the driving method of display panel and display device

Also Published As

Publication number Publication date
JP2713211B2 (en) 1998-02-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5852480A (en) LCD panel having a plurality of shunt buses
US8072034B2 (en) Array substrate and method of manufacturing the same
KR940006156B1 (en) Method of manufacturing liquid crystal display device
CN102053437B (en) Display panel
KR101587936B1 (en) Mother substrate for display device and method for manufacturing the same
JP2715936B2 (en) Thin film transistor type liquid crystal display device and manufacturing method thereof
US20130294003A1 (en) Substrate for display and liquid crystal display utilizing the same
US7724019B2 (en) Active device array substrate
JP2000310796A (en) Thin film transistor substrate for liquid crystal display device
JP2713211B2 (en) LCD panel
US6586769B1 (en) Display array with mutually connected lines that are disconnected at the time of mounting array drivers
JP3006584B2 (en) Thin film transistor array
JP2687667B2 (en) Matrix electrode substrate and manufacturing method thereof
KR100490040B1 (en) Liquid crystal display device with two or more shorting bars and method for manufacturing same
KR20010030494A (en) Liquid crystal display device and method for repairing breakage of circuit lines thereof
JP2812346B2 (en) Liquid crystal display device and method of manufacturing the same
KR100656900B1 (en) a thin film transistor array panel for a liquid crystal display having an electrostatic protection structure and a manufacturing method thereof
JP3192236B2 (en) Electronic imaging device
JPH07287249A (en) Thin film transistor array and its inspection method
JP3541328B2 (en) Liquid crystal display
JPH11150275A (en) Thin-film transistor array substrate
KR20080034315A (en) Array substrate of liquid crystal display device
KR100436008B1 (en) Static electricity-free liquid crystal display device with two-line type shorting bar and manufacturing method thereof
KR100218577B1 (en) Manufacturing method of static electricity preventing liquid crystal panel
JP3014915B2 (en) Multi-panel thin film transistor array substrate and inspection method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 19970930

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081031

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091031

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091031

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101031

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101031

Year of fee payment: 13

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101031

Year of fee payment: 13

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111031

Year of fee payment: 14

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111031

Year of fee payment: 14

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111031

Year of fee payment: 14

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111031

Year of fee payment: 14

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121031

Year of fee payment: 15

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121031

Year of fee payment: 15

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131031

Year of fee payment: 16

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term