JPH07318901A - アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその駆動方法 - Google Patents
アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその駆動方法Info
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- JPH07318901A JPH07318901A JP11699394A JP11699394A JPH07318901A JP H07318901 A JPH07318901 A JP H07318901A JP 11699394 A JP11699394 A JP 11699394A JP 11699394 A JP11699394 A JP 11699394A JP H07318901 A JPH07318901 A JP H07318901A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 複数行の走査信号線と、その走査信号線と交
差する複数列の画像信号線と、前記走査信号線と前記画
像信号線の交差部に形成した薄膜トランジスタと、その
薄膜トランジスタのドレイン側に形成した画素電極とか
ら構成されるアクティブマトリクス基板と、前記画素電
極と対向する対向電極を形成した対向電極基板との間に
液晶材料を封入したアクティブマトリクス型液晶表示装
置において、奇数列または偶数列の画素電極と前段の走
査信号線の間に付加容量を形成し、隣接する残りの画素
電極と後段の走査信号線の間に付加容量を形成した。 【効果】 保持容量を画素電極と前段のゲート信号線と
の間に形成する列と、後段のゲート信号線との間に形成
する列が交互に構成されているため、列毎に補正方向を
変えることができ、容量結合駆動方法による画像信号の
低電圧化と、ドット反転駆動方法によるクロストークや
フリッカの低減を同時に実現することができる。
差する複数列の画像信号線と、前記走査信号線と前記画
像信号線の交差部に形成した薄膜トランジスタと、その
薄膜トランジスタのドレイン側に形成した画素電極とか
ら構成されるアクティブマトリクス基板と、前記画素電
極と対向する対向電極を形成した対向電極基板との間に
液晶材料を封入したアクティブマトリクス型液晶表示装
置において、奇数列または偶数列の画素電極と前段の走
査信号線の間に付加容量を形成し、隣接する残りの画素
電極と後段の走査信号線の間に付加容量を形成した。 【効果】 保持容量を画素電極と前段のゲート信号線と
の間に形成する列と、後段のゲート信号線との間に形成
する列が交互に構成されているため、列毎に補正方向を
変えることができ、容量結合駆動方法による画像信号の
低電圧化と、ドット反転駆動方法によるクロストークや
フリッカの低減を同時に実現することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜トランジスタをス
イッチング素子に用いたアクティブマトリクス型液晶表
示装置およびその駆動方法に関する。
イッチング素子に用いたアクティブマトリクス型液晶表
示装置およびその駆動方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のアクティブマトリクス型液晶表示
装置の駆動方法について、図７および図８を用いて説明
する。
装置の駆動方法について、図７および図８を用いて説明
する。
【０００３】図７は、従来のアクティブマトリクス型液
晶表示装置の構成の一例を示す図であり、図８は、図７
の１画素当たりの等価回路を示す図である。
晶表示装置の構成の一例を示す図であり、図８は、図７
の１画素当たりの等価回路を示す図である。
【０００４】図７および図８において、７０１は画像信
号供給回路、７０２は走査信号供給回路、７０３は画像
信号配線、７０４は走査信号配線、７０５は対向電極、
７０６は薄膜トランジスタ、７０７は画素電極、７０９
は対向電極７０５と画素電極７０７間の液晶材料の容量
Ｃlc、７１０は薄膜トランジスタ７０６のゲートとドレ
イン間の寄生容量Ｃgdである。
号供給回路、７０２は走査信号供給回路、７０３は画像
信号配線、７０４は走査信号配線、７０５は対向電極、
７０６は薄膜トランジスタ、７０７は画素電極、７０９
は対向電極７０５と画素電極７０７間の液晶材料の容量
Ｃlc、７１０は薄膜トランジスタ７０６のゲートとドレ
イン間の寄生容量Ｃgdである。
【０００５】このアクティブマトリクス型液晶表示装置
では、複数の画像信号配線７０３と複数の走査信号配線
７０４が交差して設けられており、各交差部には画素電
極７０７と、この画素電極７０７に電圧を印加する薄膜
トランジスタ７０６とがマトリクス状に形成されてい
る。走査信号（Ｖg ）が、走査信号供給回路７０２から
走査信号配線７０４を介して薄膜トランジスタ７０６の
ゲートへ供給され薄膜トランジスタ７０６のオン・オフ
が制御される。画像信号（ＶS ）が、画像信号供給回路
７０１から画像信号配線７０３および薄膜トランジスタ
７０６のソース・ドレインを介して画素電極７０７に供
給される。この画像信号（ＶS ）と対向電極７０８に供
給される対向電極信号とを、対向電極７０８と画素電極
７０７との間に保持された液晶材料へ印加することによ
って画像の表示を行うものである。
では、複数の画像信号配線７０３と複数の走査信号配線
７０４が交差して設けられており、各交差部には画素電
極７０７と、この画素電極７０７に電圧を印加する薄膜
トランジスタ７０６とがマトリクス状に形成されてい
る。走査信号（Ｖg ）が、走査信号供給回路７０２から
走査信号配線７０４を介して薄膜トランジスタ７０６の
ゲートへ供給され薄膜トランジスタ７０６のオン・オフ
が制御される。画像信号（ＶS ）が、画像信号供給回路
７０１から画像信号配線７０３および薄膜トランジスタ
７０６のソース・ドレインを介して画素電極７０７に供
給される。この画像信号（ＶS ）と対向電極７０８に供
給される対向電極信号とを、対向電極７０８と画素電極
７０７との間に保持された液晶材料へ印加することによ
って画像の表示を行うものである。
【０００６】走査信号（Ｖg ）、画像信号（ＶS ）、お
よび液晶材料への実効電圧（Ｖb ）の波形を図９に示
す。走査信号Ｖg は、走査信号供給回路７０２から薄膜
トランジスタ７０６のゲートへ供給される信号であり、
薄膜トランジスタ７０６がオンする電圧Ｖghと、薄膜ト
ランジスタ１８がオフする電圧Ｖglとから成る。画像信
号ＶS は、画像信号供給回路７０１から画素電極７０７
へ供給される信号であり、極性が１走査期間（１Ｈ）毎
に反転するＶS （＋）とＶS （−）で構成される。液晶
材料への実効電圧Ｖb は、画素電極７０７と対向電極７
０８との間の液晶材料へ実際に印加される電圧である。
よび液晶材料への実効電圧（Ｖb ）の波形を図９に示
す。走査信号Ｖg は、走査信号供給回路７０２から薄膜
トランジスタ７０６のゲートへ供給される信号であり、
薄膜トランジスタ７０６がオンする電圧Ｖghと、薄膜ト
ランジスタ１８がオフする電圧Ｖglとから成る。画像信
号ＶS は、画像信号供給回路７０１から画素電極７０７
へ供給される信号であり、極性が１走査期間（１Ｈ）毎
に反転するＶS （＋）とＶS （−）で構成される。液晶
材料への実効電圧Ｖb は、画素電極７０７と対向電極７
０８との間の液晶材料へ実際に印加される電圧である。
【０００７】このように構成された液晶表示装置の動作
を図７および図９に基づいて説明する。例えば、画像信
号配線７０３へ正極性の画像信号電圧ＶS （＋）が印加
された状態で、走査信号Ｖghが薄膜トランジスタ７０６
のゲートへ印加されると、薄膜トランジスタがオンとな
り、画像信号電圧ＶS （＋）が液晶材料へ印加される。
次に、走査信号Ｖglが薄膜トランジスタ７０６のゲート
に印加されると、薄膜トランジスタはオフとなり、薄膜
トランジスタ７０６のゲート・ドレイン間容量Ｃgdによ
って、液晶材料への印加電圧Ｖb がΔＶだけ低下する。
この液晶材料への印加電圧Ｖb は、走査信号Ｖg の次の
周期まで、液晶材料自体の容量Ｃlcによって保持され
る。そして、次の周期では、画像信号ＶS が反転し、Ｖ
S （−）が画像信号配線７０３へ印加された状態で、走
査信号Ｖghが薄膜トランジスタ７０６のゲートへ印加さ
れ、液晶材料へＶS （−）の画像信号電圧が印加され
て、次に走査信号Ｖglが薄膜トランジスタ７０６のゲー
トへ印加されると、液晶材料への印加電圧Ｖb がΔＶだ
け低下し、この電圧が保持される。よって、液晶材料へ
の印加電圧Ｖb は、極性が周期的に反転する。なお、走
査信号Ｖg が、ＶghからＶglへ変化する際に、薄膜トラ
ンジスタ７０６のゲート・ドレイン間の寄生容量Ｃgdに
よって、画素電極７０７の電位が変動し、液晶材料へ印
加される電圧Ｖbが変動する。この液晶材料へ印加され
る電圧Ｖb の変動ΔＶは、下記の式で表される。 ΔＶ＝Ｃgd・（Ｖgh−Ｖgl）／（Ｃlc＋Ｃgd） この液晶材料へ印加される電圧Ｖb の変動ΔＶを補正す
るために、対向電極７０８へ印加する電圧を、液晶材料
へ印加される電圧Ｖb の中心値であるＶbc値に予め設定
して、液晶材料へ印加される電圧の正極性電圧と負極性
電圧とが対称となるように調整されている。すなわち、
Ｖbc＝Ｖsc−ΔＶが成立するように調整する。なお、液
晶材料へ印加される電圧Ｖb のＶsc値は、画像信号ＶS
の中心値である。しかし、上記のように対向電極７０８
へ印加する電圧を、液晶材料へ印加する電圧Ｖb の中心
値であるＶbc値に予め設定しても、液晶材料の誘電率異
方性（印加電圧により液晶材料の誘電率が変化する性
質）により、変動ΔＶによって発生する液晶材料への実
効的な直流電圧成分の印加は補償されず、このためフリ
ッカや固定画像を表示した直後に起こる画像の焼き付き
が発生するという問題があった。
を図７および図９に基づいて説明する。例えば、画像信
号配線７０３へ正極性の画像信号電圧ＶS （＋）が印加
された状態で、走査信号Ｖghが薄膜トランジスタ７０６
のゲートへ印加されると、薄膜トランジスタがオンとな
り、画像信号電圧ＶS （＋）が液晶材料へ印加される。
次に、走査信号Ｖglが薄膜トランジスタ７０６のゲート
に印加されると、薄膜トランジスタはオフとなり、薄膜
トランジスタ７０６のゲート・ドレイン間容量Ｃgdによ
って、液晶材料への印加電圧Ｖb がΔＶだけ低下する。
この液晶材料への印加電圧Ｖb は、走査信号Ｖg の次の
周期まで、液晶材料自体の容量Ｃlcによって保持され
る。そして、次の周期では、画像信号ＶS が反転し、Ｖ
S （−）が画像信号配線７０３へ印加された状態で、走
査信号Ｖghが薄膜トランジスタ７０６のゲートへ印加さ
れ、液晶材料へＶS （−）の画像信号電圧が印加され
て、次に走査信号Ｖglが薄膜トランジスタ７０６のゲー
トへ印加されると、液晶材料への印加電圧Ｖb がΔＶだ
け低下し、この電圧が保持される。よって、液晶材料へ
の印加電圧Ｖb は、極性が周期的に反転する。なお、走
査信号Ｖg が、ＶghからＶglへ変化する際に、薄膜トラ
ンジスタ７０６のゲート・ドレイン間の寄生容量Ｃgdに
よって、画素電極７０７の電位が変動し、液晶材料へ印
加される電圧Ｖbが変動する。この液晶材料へ印加され
る電圧Ｖb の変動ΔＶは、下記の式で表される。 ΔＶ＝Ｃgd・（Ｖgh−Ｖgl）／（Ｃlc＋Ｃgd） この液晶材料へ印加される電圧Ｖb の変動ΔＶを補正す
るために、対向電極７０８へ印加する電圧を、液晶材料
へ印加される電圧Ｖb の中心値であるＶbc値に予め設定
して、液晶材料へ印加される電圧の正極性電圧と負極性
電圧とが対称となるように調整されている。すなわち、
Ｖbc＝Ｖsc−ΔＶが成立するように調整する。なお、液
晶材料へ印加される電圧Ｖb のＶsc値は、画像信号ＶS
の中心値である。しかし、上記のように対向電極７０８
へ印加する電圧を、液晶材料へ印加する電圧Ｖb の中心
値であるＶbc値に予め設定しても、液晶材料の誘電率異
方性（印加電圧により液晶材料の誘電率が変化する性
質）により、変動ΔＶによって発生する液晶材料への実
効的な直流電圧成分の印加は補償されず、このためフリ
ッカや固定画像を表示した直後に起こる画像の焼き付き
が発生するという問題があった。
【０００８】また、上記駆動方法による場合、液晶を駆
動させるのに必要な画像信号ＶS のレベルは、１つの階
調につき正極性用と負極性用の２レベルが必要であり、
液晶の階調制御に必要な電圧が５Ｖの場合、画像信号供
給回路には、最低１０Ｖの電源が必要となり、消費電力
の低減、画像信号供給回路の小型化を行う上で大きな妨
げとなっている。
動させるのに必要な画像信号ＶS のレベルは、１つの階
調につき正極性用と負極性用の２レベルが必要であり、
液晶の階調制御に必要な電圧が５Ｖの場合、画像信号供
給回路には、最低１０Ｖの電源が必要となり、消費電力
の低減、画像信号供給回路の小型化を行う上で大きな妨
げとなっている。
【０００９】このような問題を解決するために、特開平
２−１５７８１５号公報では、付加容量を介して画素電
極１９に接続された配線を別途設け、この配線へ１フィ
ールド毎に電圧が逆向きに変化する変調信号を印加し
て、画素電極１９の電位を変調することにより、液晶の
誘電率異方性、およびゲート・ドレイン間の寄生容量に
よる直流電圧成分の補償と、画像信号供給回路の出力振
幅の低減を図った容量結合駆動方法が提案されている。
２−１５７８１５号公報では、付加容量を介して画素電
極１９に接続された配線を別途設け、この配線へ１フィ
ールド毎に電圧が逆向きに変化する変調信号を印加し
て、画素電極１９の電位を変調することにより、液晶の
誘電率異方性、およびゲート・ドレイン間の寄生容量に
よる直流電圧成分の補償と、画像信号供給回路の出力振
幅の低減を図った容量結合駆動方法が提案されている。
【００１０】また、図１０に示すように、変調信号用の
配線を削減するために、画素電極と前段のゲート信号線
の間に付加容量を形成し、変調信号を走査信号に重畳し
て印加する容量結合駆動方法も提案されている。
配線を削減するために、画素電極と前段のゲート信号線
の間に付加容量を形成し、変調信号を走査信号に重畳し
て印加する容量結合駆動方法も提案されている。
【００１１】一方で、近年、液晶表示装置の大画面化に
伴い、配線抵抗や対向電極抵抗が増大し、それによるク
ロストーク等の表示不良が深刻な問題となっている。こ
れらの表示不良を最低限に抑える方法として、図１１に
示すような、液晶にかける電圧の極性を画素毎に反転さ
せるドット反転がある。
伴い、配線抵抗や対向電極抵抗が増大し、それによるク
ロストーク等の表示不良が深刻な問題となっている。こ
れらの表示不良を最低限に抑える方法として、図１１に
示すような、液晶にかける電圧の極性を画素毎に反転さ
せるドット反転がある。
【００１２】ところが、上記従来技術では、走査信号に
変調信号を重畳する容量結合駆動方法とドット反転駆動
方法とを両立して行うことが出来ないという問題があ
る。なぜならば、ドット反転駆動方法においては、隣接
する列の画素電極に充電される電圧の極性が異なるた
め、付加容量から電圧を加えて、画素電極の電位を変調
して液晶にかかる電圧を大きくする場合、列毎に異なる
極性方向に変調しなくてはならないが、上記従来技術で
は、変調信号を供給する走査信号線が全列で同一なた
め、異なる極性方向への変調が列毎にできないからであ
る。
変調信号を重畳する容量結合駆動方法とドット反転駆動
方法とを両立して行うことが出来ないという問題があ
る。なぜならば、ドット反転駆動方法においては、隣接
する列の画素電極に充電される電圧の極性が異なるた
め、付加容量から電圧を加えて、画素電極の電位を変調
して液晶にかかる電圧を大きくする場合、列毎に異なる
極性方向に変調しなくてはならないが、上記従来技術で
は、変調信号を供給する走査信号線が全列で同一なた
め、異なる極性方向への変調が列毎にできないからであ
る。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、本発明に係るアクティブマトリクス型液晶表示装
置では、複数行の走査信号線と、その走査信号線と交差
する複数列の画像信号線と、前記走査信号線と前記画像
信号線の交差部に形成した薄膜トランジスタと、その薄
膜トランジスタのドレイン側に形成した画素電極とから
構成されるアクティブマトリクス基板と、前記画素電極
と対向する対向電極を形成した対向電極基板との間に液
晶材料を封入したアクティブマトリクス型液晶表示装置
において、前記画素電極のうちの奇数列または偶数列の
画素電極と前記走査信号線のうちの前段の走査信号線の
間に付加容量を形成し、隣接する残りの画素電極と前記
走査信号線のうちの後段の走査信号線の間に付加容量を
形成した。
めに、本発明に係るアクティブマトリクス型液晶表示装
置では、複数行の走査信号線と、その走査信号線と交差
する複数列の画像信号線と、前記走査信号線と前記画像
信号線の交差部に形成した薄膜トランジスタと、その薄
膜トランジスタのドレイン側に形成した画素電極とから
構成されるアクティブマトリクス基板と、前記画素電極
と対向する対向電極を形成した対向電極基板との間に液
晶材料を封入したアクティブマトリクス型液晶表示装置
において、前記画素電極のうちの奇数列または偶数列の
画素電極と前記走査信号線のうちの前段の走査信号線の
間に付加容量を形成し、隣接する残りの画素電極と前記
走査信号線のうちの後段の走査信号線の間に付加容量を
形成した。
【００１４】また本発明に係るアクティブマトリクス型
液晶表示装置の駆動方法では、走査信号線に供給される
走査信号の電圧レベルとして、前記薄膜トランジスタの
オン・オフ制御用電圧レベル以外に、別の２つの電圧レ
ベルを有し、そのうち１つの電圧レベルは前段の走査信
号線によって制御される薄膜トランジスタがオフする直
前および直後に設け、もう１つの電圧レベルは後段の走
査信号線によって制御される薄膜トランジスタがオフす
る直前および直後に設け、フィールド毎および隣接する
走査信号線毎にその電圧レベルを入れ換えたり、１つの
電圧レベルは前段の走査信号線によって制御される薄膜
トランジスタがオフする直前および直後と、後段の走査
信号線によって制御される薄膜トランジスタがオフする
直前および直後に設け、フィールド毎および隣接する走
査信号線毎にもう１つの電圧レベルと入れ換える。
液晶表示装置の駆動方法では、走査信号線に供給される
走査信号の電圧レベルとして、前記薄膜トランジスタの
オン・オフ制御用電圧レベル以外に、別の２つの電圧レ
ベルを有し、そのうち１つの電圧レベルは前段の走査信
号線によって制御される薄膜トランジスタがオフする直
前および直後に設け、もう１つの電圧レベルは後段の走
査信号線によって制御される薄膜トランジスタがオフす
る直前および直後に設け、フィールド毎および隣接する
走査信号線毎にその電圧レベルを入れ換えたり、１つの
電圧レベルは前段の走査信号線によって制御される薄膜
トランジスタがオフする直前および直後と、後段の走査
信号線によって制御される薄膜トランジスタがオフする
直前および直後に設け、フィールド毎および隣接する走
査信号線毎にもう１つの電圧レベルと入れ換える。
【００１５】
【作用】上記のように構成すると、付加容量を介して画
素電極の電位を変調する変調信号を、前段の走査信号に
重畳する画素と、後段の走査信号に重畳する画素に、列
毎に変えて、それぞれ極性方向の異なる画素電極の電位
の変調を行うことにより、走査信号に変調信号を重畳す
る容量結合駆動方法と画素毎に液晶にかかる電圧の極性
を変えるドット反転駆動を同時に行う。
素電極の電位を変調する変調信号を、前段の走査信号に
重畳する画素と、後段の走査信号に重畳する画素に、列
毎に変えて、それぞれ極性方向の異なる画素電極の電位
の変調を行うことにより、走査信号に変調信号を重畳す
る容量結合駆動方法と画素毎に液晶にかかる電圧の極性
を変えるドット反転駆動を同時に行う。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の実施例を添付図面に基づき詳
細に説明する。
細に説明する。
【００１７】実施例１ 図１は、本発明に係わるアクティブマトリクス型液晶表
示装置の構成の一部を画素部分の等価回路を用いて示し
た図である。図１において、１０１は走査信号供給回
路、１０２は画像信号供給回路、１０３〜１０７は走査
信号線、１０８〜１１０は画像信号線、１１１〜１１９
は薄膜トランジスタ、１２０〜１２８は画素電極、１２
９〜１３７は付加容量、１３８は対向電極信号供給回路
である。本実施例において、本発明のアクティブマトリ
クス型液晶表示装置は、付加容量を画素電極と前段の走
査信号線の間に形成する画素列と、付加容量を画素電極
と後段の走査信号線の間に形成する画素列を、交互に繰
り返す構成となっている。また、走査信号線の形状は、
図３に示すような非直線形状となっている。図３は、本
実施例の画素部分の構造を示した平面図である。図３に
おいて３０１は走査信号線、３０２は画像信号線、３０
３は画素電極、３０４は薄膜トランジスタ、３０５は付
加容量である。
示装置の構成の一部を画素部分の等価回路を用いて示し
た図である。図１において、１０１は走査信号供給回
路、１０２は画像信号供給回路、１０３〜１０７は走査
信号線、１０８〜１１０は画像信号線、１１１〜１１９
は薄膜トランジスタ、１２０〜１２８は画素電極、１２
９〜１３７は付加容量、１３８は対向電極信号供給回路
である。本実施例において、本発明のアクティブマトリ
クス型液晶表示装置は、付加容量を画素電極と前段の走
査信号線の間に形成する画素列と、付加容量を画素電極
と後段の走査信号線の間に形成する画素列を、交互に繰
り返す構成となっている。また、走査信号線の形状は、
図３に示すような非直線形状となっている。図３は、本
実施例の画素部分の構造を示した平面図である。図３に
おいて３０１は走査信号線、３０２は画像信号線、３０
３は画素電極、３０４は薄膜トランジスタ、３０５は付
加容量である。
【００１８】上記アクティブマトリクス型液晶表示装置
の動作を図１および図２を用いて説明する。図２は図１
に示す走査信号線１０３〜１０６に供給される走査信号
の波形およびタイミングを示す図である。図２における
走査信号Ｇ２０１〜Ｇ２０４は、それぞれ図１において
走査信号線１０３〜１０６に供給されることとする。走
査信号Ｇ２０１〜Ｇ２０４は全て、Ｖ1 、Ｖ2 、Ｖ3 、
Ｖ4 の４つのレベル（但し、Ｖ1 ＞Ｖ3 ＞Ｖ2 ＞Ｖ4 ）
をもち、Ｖ1 は薄膜トランジスタ１１１〜１１９をオン
にするレベル、Ｖ2 は薄膜トランジスタ１１１〜１１９
をオフにするレベル、Ｖ3 、Ｖ4 は寄生容量Ｃgdによる
ΔＶを補正または画素電極の電位を変動させて液晶にか
かる電圧を増加させるための変調信号のレベルである。
すなわち、走査信号は、薄膜トランジスタ１１１〜１１
９をオン・オフさせる２レベルの信号に変調信号を重畳
させた波形となっている。
の動作を図１および図２を用いて説明する。図２は図１
に示す走査信号線１０３〜１０６に供給される走査信号
の波形およびタイミングを示す図である。図２における
走査信号Ｇ２０１〜Ｇ２０４は、それぞれ図１において
走査信号線１０３〜１０６に供給されることとする。走
査信号Ｇ２０１〜Ｇ２０４は全て、Ｖ1 、Ｖ2 、Ｖ3 、
Ｖ4 の４つのレベル（但し、Ｖ1 ＞Ｖ3 ＞Ｖ2 ＞Ｖ4 ）
をもち、Ｖ1 は薄膜トランジスタ１１１〜１１９をオン
にするレベル、Ｖ2 は薄膜トランジスタ１１１〜１１９
をオフにするレベル、Ｖ3 、Ｖ4 は寄生容量Ｃgdによる
ΔＶを補正または画素電極の電位を変動させて液晶にか
かる電圧を増加させるための変調信号のレベルである。
すなわち、走査信号は、薄膜トランジスタ１１１〜１１
９をオン・オフさせる２レベルの信号に変調信号を重畳
させた波形となっている。
【００１９】まず、奇フィールドにおいて、二行目の走
査信号線１０４に供給された走査信号Ｇ２０２がＶ1 の
レベルになり、一行目の薄膜トランジスタ１１１〜１１
３が全てオンとなり、画素電極１２０〜１２２が充電さ
れる。このとき、一行目と三行目の画像信号線１０８、
１１０から、正極性の画像信号を供給し、二行目の画像
信号線１０９から負極性の画像信号を供給する。ここ
で、対向電極信号供給回路１３８から供給する対向電極
信号は画像信号の振幅の中心レベルの一定電位に設定す
る。
査信号線１０４に供給された走査信号Ｇ２０２がＶ1 の
レベルになり、一行目の薄膜トランジスタ１１１〜１１
３が全てオンとなり、画素電極１２０〜１２２が充電さ
れる。このとき、一行目と三行目の画像信号線１０８、
１１０から、正極性の画像信号を供給し、二行目の画像
信号線１０９から負極性の画像信号を供給する。ここ
で、対向電極信号供給回路１３８から供給する対向電極
信号は画像信号の振幅の中心レベルの一定電位に設定す
る。
【００２０】つぎに、走査信号Ｇ２０２はＶ3 のレベル
に下がり、一行目の薄膜トランジスタ１１１〜１１３は
全てオフとなる。この時、一行目の走査信号線１０３に
供給される走査信号Ｇ２０１はＶ4 のレベル、三行目の
走査信号線１０５に供給される走査信号Ｇ２０３はＶ3
のレベルにあるようにする。そして、薄膜トランジスタ
１１１、１１３が完全にオフになってから、走査信号Ｇ
２０１はＶ4 のレベルからＶ2 のレベルに上昇するよう
にし、それによって一行目の走査信号線１０３と付加容
量１２９、１３１を介して接続されている画素電極１２
０、１２２の画素電極電位も正極性方向に上昇し、液晶
にかかる電圧を正極性で増加させることができる。
に下がり、一行目の薄膜トランジスタ１１１〜１１３は
全てオフとなる。この時、一行目の走査信号線１０３に
供給される走査信号Ｇ２０１はＶ4 のレベル、三行目の
走査信号線１０５に供給される走査信号Ｇ２０３はＶ3
のレベルにあるようにする。そして、薄膜トランジスタ
１１１、１１３が完全にオフになってから、走査信号Ｇ
２０１はＶ4 のレベルからＶ2 のレベルに上昇するよう
にし、それによって一行目の走査信号線１０３と付加容
量１２９、１３１を介して接続されている画素電極１２
０、１２２の画素電極電位も正極性方向に上昇し、液晶
にかかる電圧を正極性で増加させることができる。
【００２１】また、二列目の薄膜トランジスタ１１２が
完全にオフになってから、走査信号Ｇ２０３はＶ3 のレ
ベルからＶ1 およびＶ4 のレベルを経て、Ｖ2 のレベル
に降下し、それによって三行目の走査信号線１０５と付
加容量１３０を介して接続されている画素電極１２１の
画素電極電位も負極性方向に降下し、液晶にかかる電圧
を負極性で増加させることができる。
完全にオフになってから、走査信号Ｇ２０３はＶ3 のレ
ベルからＶ1 およびＶ4 のレベルを経て、Ｖ2 のレベル
に降下し、それによって三行目の走査信号線１０５と付
加容量１３０を介して接続されている画素電極１２１の
画素電極電位も負極性方向に降下し、液晶にかかる電圧
を負極性で増加させることができる。
【００２２】次に、二行目の走査信号線１０４の後段に
あたる三行目の走査信号線１０５では、この走査信号線
１０５に供給された走査信号Ｇ２０３がＶ1 のレベルに
なり、二行目の薄膜トランジスタ１１４〜１１６が全て
オンとなり、二行目の画素電極１２３〜１２５への充電
が行われる。このとき、一列目と三列目の画像信号線１
０８、１１０からは、負極性の画像信号を供給し、二列
目の画像信号線１０９からは正極性の画像信号を供給す
るようにする。
あたる三行目の走査信号線１０５では、この走査信号線
１０５に供給された走査信号Ｇ２０３がＶ1 のレベルに
なり、二行目の薄膜トランジスタ１１４〜１１６が全て
オンとなり、二行目の画素電極１２３〜１２５への充電
が行われる。このとき、一列目と三列目の画像信号線１
０８、１１０からは、負極性の画像信号を供給し、二列
目の画像信号線１０９からは正極性の画像信号を供給す
るようにする。
【００２３】つぎに、走査信号Ｇ２０３はＶ4 のレベル
に下がり、二行目の薄膜トランジスタ１１４〜１１６は
全てオフとなる。この時、二行目の走査信号線１０４に
供給される走査信号Ｇ２０２はＶ3 のレベル、四行目の
走査信号線１０６に供給される走査信号Ｇ２０４はＶ4
のレベルにあるようにする。そして、薄膜トランジスタ
１１４、１１６が完全にオフになってから、走査信号Ｇ
２０２はＶ3 のレベルからＶ2 のレベルに降下し、それ
によって二行目の走査信号線１０４と一列目と三列目の
付加容量１３２、１３４を介して接続されている一列目
と三列目の画素電極１２３、１２５の画素電極電位も負
極性方向に降下し、液晶にかかる電圧を負極性で増加さ
せることができる。
に下がり、二行目の薄膜トランジスタ１１４〜１１６は
全てオフとなる。この時、二行目の走査信号線１０４に
供給される走査信号Ｇ２０２はＶ3 のレベル、四行目の
走査信号線１０６に供給される走査信号Ｇ２０４はＶ4
のレベルにあるようにする。そして、薄膜トランジスタ
１１４、１１６が完全にオフになってから、走査信号Ｇ
２０２はＶ3 のレベルからＶ2 のレベルに降下し、それ
によって二行目の走査信号線１０４と一列目と三列目の
付加容量１３２、１３４を介して接続されている一列目
と三列目の画素電極１２３、１２５の画素電極電位も負
極性方向に降下し、液晶にかかる電圧を負極性で増加さ
せることができる。
【００２４】また、薄膜トランジスタ１１５が完全にオ
フになってから、走査信号Ｇ２０４はＶ4 のレベルから
Ｖ1 およびＶ3 のレベルを経て、Ｖ2 のレベルに上昇す
るようにし、それによって三行目の走査信号線１０６と
二列目の付加容量１３３を介して接続されている二列目
の画素電極１２４の画素電極電位も正極性方向に上昇
し、液晶にかかる電圧を正極性で増加させることができ
る。これが走査信号線毎に繰り返されることにより、隣
接する画素どうしで極性の異なる表示が行われることに
なる。
フになってから、走査信号Ｇ２０４はＶ4 のレベルから
Ｖ1 およびＶ3 のレベルを経て、Ｖ2 のレベルに上昇す
るようにし、それによって三行目の走査信号線１０６と
二列目の付加容量１３３を介して接続されている二列目
の画素電極１２４の画素電極電位も正極性方向に上昇
し、液晶にかかる電圧を正極性で増加させることができ
る。これが走査信号線毎に繰り返されることにより、隣
接する画素どうしで極性の異なる表示が行われることに
なる。
【００２５】次に、偶フィールドにおいては、奇フィー
ルドとは反対の極性の電圧が印加されるように、走査信
号に重畳する変調信号のレベルを設定する。つまり、奇
フィールドのＶ3 とＶ4 のレベルを入れ替えるように、
変調信号を走査信号に重畳する。もちろん、画像信号の
極性も奇フィールドとは、反対の極性を印加するように
する。このようにすれば、奇フィールドとは反対の極性
で、全く同様の動作を行うことができる。
ルドとは反対の極性の電圧が印加されるように、走査信
号に重畳する変調信号のレベルを設定する。つまり、奇
フィールドのＶ3 とＶ4 のレベルを入れ替えるように、
変調信号を走査信号に重畳する。もちろん、画像信号の
極性も奇フィールドとは、反対の極性を印加するように
する。このようにすれば、奇フィールドとは反対の極性
で、全く同様の動作を行うことができる。
【００２６】このように、隣接する画素で、画像信号の
極性を変えて、走査信号線に重畳させる変調信号の波形
を、上記のように画像信号の極性に対応した波形にする
ことにより、ドット反転駆動と走査信号に変調信号を重
畳する容量結合駆動方法を両立して行える。
極性を変えて、走査信号線に重畳させる変調信号の波形
を、上記のように画像信号の極性に対応した波形にする
ことにより、ドット反転駆動と走査信号に変調信号を重
畳する容量結合駆動方法を両立して行える。
【００２７】実施例２ 図４は本発明に係わるアクティブマトリクス型液晶表示
装置の構成の別の一例を画素部分の等価回路を用いて示
した図である。図４において、４０１は走査信号供給回
路、４０２は上側画像信号供給回路、４０３は下側画像
信号供給回路、４１３〜４１６は走査信号線、４１７〜
４２０は画像信号線、４２１〜４２９は薄膜トランジス
タ、４０４〜４１２は画素電極、４３０〜４３８は付加
容量、４３９は１Ｈ遅延回路、４４０は対向電極信号供
給回路である。本実施例においては、奇数列と偶数列の
画素で、薄膜トランジスタをオン・オフする走査信号を
供給する走査信号線が異なる構成となっている。
装置の構成の別の一例を画素部分の等価回路を用いて示
した図である。図４において、４０１は走査信号供給回
路、４０２は上側画像信号供給回路、４０３は下側画像
信号供給回路、４１３〜４１６は走査信号線、４１７〜
４２０は画像信号線、４２１〜４２９は薄膜トランジス
タ、４０４〜４１２は画素電極、４３０〜４３８は付加
容量、４３９は１Ｈ遅延回路、４４０は対向電極信号供
給回路である。本実施例においては、奇数列と偶数列の
画素で、薄膜トランジスタをオン・オフする走査信号を
供給する走査信号線が異なる構成となっている。
【００２８】図６に、本実施例の画素部分の構造を平面
図で示す。図６において６０１は走査信号線、６０２は
画像信号線、６０３は画素電極、６０４は薄膜トランジ
スタ、６０５は付加容量である。
図で示す。図６において６０１は走査信号線、６０２は
画像信号線、６０３は画素電極、６０４は薄膜トランジ
スタ、６０５は付加容量である。
【００２９】また、図４における上側画像信号供給回路
４０２は奇数列の画素に画像信号を供給し、下側画像信
号供給回路４０３は偶数列の画素に画像信号を供給する
ように構成する。また、奇数列の画素は偶数列の画素よ
り画像信号の書き込みが１水平期間（１Ｈ）遅れるの
で、それを補正するために上側画像信号供給回路４０２
に入力する画像信号は１Ｈ遅延回路４３９によって、下
側画像信号供給回路４０３よりも１Ｈ遅延させてから上
側画像信号供給回路４０２に入力するように構成する。
４０２は奇数列の画素に画像信号を供給し、下側画像信
号供給回路４０３は偶数列の画素に画像信号を供給する
ように構成する。また、奇数列の画素は偶数列の画素よ
り画像信号の書き込みが１水平期間（１Ｈ）遅れるの
で、それを補正するために上側画像信号供給回路４０２
に入力する画像信号は１Ｈ遅延回路４３９によって、下
側画像信号供給回路４０３よりも１Ｈ遅延させてから上
側画像信号供給回路４０２に入力するように構成する。
【００３０】次に、本実施例における上記アクティブマ
トリクス型液晶表示装置の動作を図４および図５を用い
て説明する。
トリクス型液晶表示装置の動作を図４および図５を用い
て説明する。
【００３１】図５は図４に示す走査信号線４１３〜４１
６に供給される走査信号の波形およびタイミングを示す
図である。図５における走査信号Ｇ５０１〜５０４は、
それぞれ図４において走査信号線４１３〜４１６に供給
される。走査信号は全て、Ｖ1 、Ｖ2 、Ｖ3 、Ｖ4 の４
つのレベルをもち、Ｖ1 は薄膜トランジスタ４２１〜４
２９をオンにするレベル、Ｖ2 は薄膜トランジスタ４２
１〜４２９をオフにするレベル、Ｖ3 、Ｖ4 は寄生容量
ＣgdによるΔＶを補正および画素電極の電位を変動させ
て液晶にかかる電圧を増加させるための変調信号のレベ
ルである。すなわち、走査信号は薄膜トランジスタ４２
１〜４２９をオン・オフさせる２レベルの信号に変調信
号を重畳させた波形となっている。
６に供給される走査信号の波形およびタイミングを示す
図である。図５における走査信号Ｇ５０１〜５０４は、
それぞれ図４において走査信号線４１３〜４１６に供給
される。走査信号は全て、Ｖ1 、Ｖ2 、Ｖ3 、Ｖ4 の４
つのレベルをもち、Ｖ1 は薄膜トランジスタ４２１〜４
２９をオンにするレベル、Ｖ2 は薄膜トランジスタ４２
１〜４２９をオフにするレベル、Ｖ3 、Ｖ4 は寄生容量
ＣgdによるΔＶを補正および画素電極の電位を変動させ
て液晶にかかる電圧を増加させるための変調信号のレベ
ルである。すなわち、走査信号は薄膜トランジスタ４２
１〜４２９をオン・オフさせる２レベルの信号に変調信
号を重畳させた波形となっている。
【００３２】説明の便宜上、奇数列と偶数列の画素を分
けて説明する。
けて説明する。
【００３３】まず奇フィールドにおいて、奇数列の画
素、つまりここでは図４の画像信号供給回路４０２で駆
動される画素において、二行目の走査信号線４１４から
走査信号Ｇ５０２が供給される時、図５において、Ｇ５
０２がＶ1 のレベルになったとき一行目と三行目の薄膜
トランジスタ４２１、４２３はオンとなり、画像信号供
給回路４０２から一列目と三列目の画像信号線４１７、
４１８を介して画像信号が供給される。このとき供給さ
れる画像信号の極性を正極性とする。但し、奇数列と偶
数列で同時に書き込む画素の行が違うので、奇数列を駆
動する画像信号供給回路４０２は偶数列を駆動する画像
信号供給回路４０３より１Ｈ期間遅れた画像信号をサン
プリングし画像信号線に供給するようにする。
素、つまりここでは図４の画像信号供給回路４０２で駆
動される画素において、二行目の走査信号線４１４から
走査信号Ｇ５０２が供給される時、図５において、Ｇ５
０２がＶ1 のレベルになったとき一行目と三行目の薄膜
トランジスタ４２１、４２３はオンとなり、画像信号供
給回路４０２から一列目と三列目の画像信号線４１７、
４１８を介して画像信号が供給される。このとき供給さ
れる画像信号の極性を正極性とする。但し、奇数列と偶
数列で同時に書き込む画素の行が違うので、奇数列を駆
動する画像信号供給回路４０２は偶数列を駆動する画像
信号供給回路４０３より１Ｈ期間遅れた画像信号をサン
プリングし画像信号線に供給するようにする。
【００３４】次に、走査信号Ｇ５０２がＶ3 のレベルに
なったとき一列目と三列目の薄膜トランジスタ４２１、
４２３はオフとなりそのときＶ4 のレベルにある走査信
号Ｇ５０１がＶ2 のレベルに上昇する際、一列目と三列
目の付加容量４３０、４３２を介して画素電極４０４、
４０６の電位は正極性方向の変調を受ける。これによ
り、画素電極４０４、４０６と対向電極に挟まれる液晶
の印加電圧を増加させることができる。
なったとき一列目と三列目の薄膜トランジスタ４２１、
４２３はオフとなりそのときＶ4 のレベルにある走査信
号Ｇ５０１がＶ2 のレベルに上昇する際、一列目と三列
目の付加容量４３０、４３２を介して画素電極４０４、
４０６の電位は正極性方向の変調を受ける。これによ
り、画素電極４０４、４０６と対向電極に挟まれる液晶
の印加電圧を増加させることができる。
【００３５】次に、同じく奇数列の画素において、三行
目の走査信号線４１５から走査信号Ｇ５０３が供給され
る時、図５において、Ｇ５０３がＶ1 のレベルになった
とき一列目と三列目の薄膜トランジスタ４２４、４２６
はオンとなり、画像信号供給回路４０２から一列目と三
列目の画像信号線４１７、４１８を介して画像信号が供
給される。このとき供給される画像信号の極性を前段の
画素の極性と反対の負極性になるようにする。
目の走査信号線４１５から走査信号Ｇ５０３が供給され
る時、図５において、Ｇ５０３がＶ1 のレベルになった
とき一列目と三列目の薄膜トランジスタ４２４、４２６
はオンとなり、画像信号供給回路４０２から一列目と三
列目の画像信号線４１７、４１８を介して画像信号が供
給される。このとき供給される画像信号の極性を前段の
画素の極性と反対の負極性になるようにする。
【００３６】次に、走査信号Ｇ５０３がＶ4 のレベルに
なったとき一列目と三列目の薄膜トランジスタ４２４、
４２６はオフとなりそのときＶ3 のレベルにある走査信
号Ｇ５０２がＶ2 のレベルに降下する際、一列目と三列
目の付加容量４３３、４３５を介して画素電極４０７、
４０９の電位は負極性方向の変調を受ける。これによ
り、画素電極４０７、４０９と対向電極に挟まれる液晶
の印加電圧を前段の画素とは極性を変えて増加させるこ
とができる。
なったとき一列目と三列目の薄膜トランジスタ４２４、
４２６はオフとなりそのときＶ3 のレベルにある走査信
号Ｇ５０２がＶ2 のレベルに降下する際、一列目と三列
目の付加容量４３３、４３５を介して画素電極４０７、
４０９の電位は負極性方向の変調を受ける。これによ
り、画素電極４０７、４０９と対向電極に挟まれる液晶
の印加電圧を前段の画素とは極性を変えて増加させるこ
とができる。
【００３７】次に、偶数列の画素、つまりここでは図４
の画像信号供給回路４０３で駆動される画素において、
一行目の走査信号線４１３から走査信号Ｇ５０１が供給
される時、図５において、Ｇ５０１がＶ1 のレベルにな
ったとき薄膜トランジスタ４２２はオンとなり、画像信
号供給回路４０３から三行目の画像信号線４１９を介し
て画像信号が画素電極４０５に供給される。このとき供
給される画像信号の極性を隣接する列の画素の極性と反
対の極性、つまりここでは隣接する列の画素電極４０
４、４０６に供給される画像信号が正極性なので、負極
性とする。
の画像信号供給回路４０３で駆動される画素において、
一行目の走査信号線４１３から走査信号Ｇ５０１が供給
される時、図５において、Ｇ５０１がＶ1 のレベルにな
ったとき薄膜トランジスタ４２２はオンとなり、画像信
号供給回路４０３から三行目の画像信号線４１９を介し
て画像信号が画素電極４０５に供給される。このとき供
給される画像信号の極性を隣接する列の画素の極性と反
対の極性、つまりここでは隣接する列の画素電極４０
４、４０６に供給される画像信号が正極性なので、負極
性とする。
【００３８】次に、走査信号Ｇ５０１がＶ4 のレベルに
なったとき薄膜トランジスタ４２２はオフとなりそのと
きＶ3 のレベルにある走査信号Ｇ５０２がＶ2 のレベル
に降下する際、付加容量４３１を介して画素電極４０５
の電位は負極性方向の変調を受ける。これにより、画素
電極４０５と対向電極に挟まれる液晶の印加電圧を増加
させることができる。
なったとき薄膜トランジスタ４２２はオフとなりそのと
きＶ3 のレベルにある走査信号Ｇ５０２がＶ2 のレベル
に降下する際、付加容量４３１を介して画素電極４０５
の電位は負極性方向の変調を受ける。これにより、画素
電極４０５と対向電極に挟まれる液晶の印加電圧を増加
させることができる。
【００３９】続いて、同じく偶数列の画素において、二
行目の走査信号線４１４から走査信号Ｇ５０２が供給さ
れる時、図５において、Ｇ５０２がＶ1 のレベルになっ
たとき薄膜トランジスタ４２５はオンとなり、画像信号
供給回路４０３から画像信号線４１９を介して画像信号
が画素電極４０８に供給される。このとき供給される画
像信号の極性を隣接する列の画素の極性と反対の極性、
つまりここでは隣接する列の画素電極４０７、４０９に
供給される画像信号が負極性なので、正極性とする。
行目の走査信号線４１４から走査信号Ｇ５０２が供給さ
れる時、図５において、Ｇ５０２がＶ1 のレベルになっ
たとき薄膜トランジスタ４２５はオンとなり、画像信号
供給回路４０３から画像信号線４１９を介して画像信号
が画素電極４０８に供給される。このとき供給される画
像信号の極性を隣接する列の画素の極性と反対の極性、
つまりここでは隣接する列の画素電極４０７、４０９に
供給される画像信号が負極性なので、正極性とする。
【００４０】次に、走査信号Ｇ５０２がＶ3 のレベルに
なったとき薄膜トランジスタ４２５はオフとなりそのと
きＶ4 のレベルにある走査信号Ｇ５０３がＶ2 のレベル
に上昇する際、付加容量４３４を介して画素電極４０８
の電位は正極性方向の変調を受ける。これにより、画素
電極４０８と対向電極に挟まれる液晶の印加電圧を増加
させることができる。
なったとき薄膜トランジスタ４２５はオフとなりそのと
きＶ4 のレベルにある走査信号Ｇ５０３がＶ2 のレベル
に上昇する際、付加容量４３４を介して画素電極４０８
の電位は正極性方向の変調を受ける。これにより、画素
電極４０８と対向電極に挟まれる液晶の印加電圧を増加
させることができる。
【００４１】次に、偶フィールドにおいては、奇フィー
ルドとは反対の極性の電圧が印加されるように、走査信
号に重畳する変調信号のレベルを設定する。つまり、奇
フィールドのＶ3 とＶ4 のレベルを入れ替えるように、
変調信号を走査信号に重畳する。もちろん、画像信号の
極性も奇フィールドとは、反対の極性を印加するように
する。このようにすれば、奇フィールドとは反対の極性
で、全く同様の効果を得ることが出来る。
ルドとは反対の極性の電圧が印加されるように、走査信
号に重畳する変調信号のレベルを設定する。つまり、奇
フィールドのＶ3 とＶ4 のレベルを入れ替えるように、
変調信号を走査信号に重畳する。もちろん、画像信号の
極性も奇フィールドとは、反対の極性を印加するように
する。このようにすれば、奇フィールドとは反対の極性
で、全く同様の効果を得ることが出来る。
【００４２】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、保持容
量を画素電極と前段のゲート信号線との間に形成する列
と、後段のゲート信号線との間に形成する列が交互に構
成されているため、列毎に補正方向を変えることがで
き、容量結合駆動方法による画像信号の低電圧化と、ド
ット反転駆動方法によるクロストークやフリッカの低減
を同時に実現することができる。
量を画素電極と前段のゲート信号線との間に形成する列
と、後段のゲート信号線との間に形成する列が交互に構
成されているため、列毎に補正方向を変えることがで
き、容量結合駆動方法による画像信号の低電圧化と、ド
ット反転駆動方法によるクロストークやフリッカの低減
を同時に実現することができる。
【図１】本発明に係わるアクティブマトリクス型液晶表
示装置の実施例１の構成の一部を画素部分の等価回路を
用いて示した図である。
示装置の実施例１の構成の一部を画素部分の等価回路を
用いて示した図である。
【図２】本発明の実施例１の走査信号の波形およびタイ
ミングを示す図である。
ミングを示す図である。
【図３】本発明の実施例１の画素部分の構造を示した平
面図である。
面図である。
【図４】本発明に係わるアクティブマトリクス型液晶表
示装置の実施例２の構成の一部を画素部分の等価回路を
用いて示した図である。
示装置の実施例２の構成の一部を画素部分の等価回路を
用いて示した図である。
【図５】本発明の実施例２の走査信号の波形およびタイ
ミングを示す図である。
ミングを示す図である。
【図６】本発明の実施例２の画素部分の構造を示した平
面図である。
面図である。
【図７】従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置の
構成の一例を示す図である。
構成の一例を示す図である。
【図８】従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置の
１画素当たりの等価回路を示す図である。
１画素当たりの等価回路を示す図である。
【図９】従来のアクティブマトリクス型表示装置の走査
信号、画像信号、および液晶材料への実効電圧の波形を
示す図である。
信号、画像信号、および液晶材料への実効電圧の波形を
示す図である。
【図１０】従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置
で、画素電極と前段のゲート信号線の間に付加容量を形
成した容量結合駆動方法の構成の一部を画素部分の等価
回路を用いて示した図である。
で、画素電極と前段のゲート信号線の間に付加容量を形
成した容量結合駆動方法の構成の一部を画素部分の等価
回路を用いて示した図である。
【図１１】ドット反転駆動時の液晶にかかる電圧を模式
的に表した図である。
的に表した図である。
１０１・・・走査信号供給回路、１０２・・・画像信号
供給回路、１０３〜１０７・・・走査信号線、１０８〜
１１０・・・画像信号線、１１１〜１１９・・・薄膜ト
ランジスタ、１２０〜１２８・・・画素電極、１２９〜
１３７・・・付加容量、１３８・・・対向電極信号供給
回路
供給回路、１０３〜１０７・・・走査信号線、１０８〜
１１０・・・画像信号線、１１１〜１１９・・・薄膜ト
ランジスタ、１２０〜１２８・・・画素電極、１２９〜
１３７・・・付加容量、１３８・・・対向電極信号供給
回路
Claims (7)
- 【請求項１】 複数行の走査信号線と、その走査信号線
と交差する複数列の画像信号線と、前記走査信号線と前
記画像信号線の交差部に形成した薄膜トランジスタと、
その薄膜トランジスタのドレイン側に形成した画素電極
とから構成されるアクティブマトリクス基板と、前記画
素電極と対向する対向電極を形成した対向電極基板との
間に液晶材料を封入したアクティブマトリクス型液晶表
示装置において、前記画素電極のうちの奇数列または偶
数列の画素電極と前記走査信号線のうちの前段の走査信
号線の間に付加容量を形成し、隣接する残りの画素電極
と前記走査信号線のうちの後段の走査信号線の間に付加
容量を形成したことを特徴とするアクティブマトリクス
型液晶表示装置。 - 【請求項２】 前記走査信号線のうちのＮ（Ｎ＝正の整
数）行目の画素をオン・オフする走査信号線が、奇数列
または偶数列では前記画素電極のうちのＮ行目の画素電
極とＮ＋１行目の画素電極の間を通り、それに隣接する
残りの列では前記画素電極のうちのＮ−１行目の画素電
極とＮ行目の画素電極の間を通ることを特徴とする請求
項１に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項３】 １行目の走査信号線、１行目の画素から
Ｎ行目の走査信号線、Ｎ行目の画素、Ｎ＋１行目の走査
信号線、Ｎ＋１行目の画素が順に並べられたｉ行目の画
素（１≦ｉ≦Ｎ）で、前記画素電極のうちの奇数列また
は偶数列の画素の画素電極はｉ行目の走査信号線に薄膜
トランジスタを介して接続され、前記画素電極のうちの
残りの画素の画素電極はｉ＋１行目の走査信号線に薄膜
トランジスタを介して接続されていることを特徴とする
請求項１に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装
置。 - 【請求項４】 前記画素電極のうちの奇数列の画素電極
に画像信号を供給する奇数列用画像信号供給回路と、前
記画素電極のうちの偶数列の画素電極に画像信号を供給
する偶数列用画像信号供給回路を表示部の上下に振り分
けて配置したことを特徴とする請求項１及び請求項３に
記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項５】 奇数列用または偶数列用の画像信号供給
回路に入力する画像信号を１水平期間遅延させて入力す
ることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装
置の駆動方法。 - 【請求項６】 走査信号線に供給される走査信号の電圧
レベルとして、前記薄膜トランジスタのオン・オフ制御
用電圧レベル以外に、別の２つの電圧レベルを有し、そ
のうち１つの電圧レベルは前段の走査信号線によって制
御される薄膜トランジスタがオフする直前および直後に
設け、もう１つの電圧レベルは後段の走査信号線によっ
て制御される薄膜トランジスタがオフする直前および直
後に設け、フィールド毎および隣接する走査信号線毎に
その電圧レベルを入れ換えることを特徴とするアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置の駆動方法。 - 【請求項７】 走査信号線に供給される走査信号の電圧
レベルとして、前記薄膜トランジスタのオン・オフ制御
用電圧レベル以外に、別の２つの電圧レベルを有し、そ
のうち１つの電圧レベルは前段の走査信号線によって制
御される薄膜トランジスタがオフする直前および直後
と、後段の走査信号線によって制御される薄膜トランジ
スタがオフする直前および直後に設け、フィールド毎お
よび隣接する走査信号線毎にもう１つの電圧レベルと入
れ換えることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶
表示装置の駆動方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11699394A JPH07318901A (ja) | 1994-05-30 | 1994-05-30 | アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11699394A JPH07318901A (ja) | 1994-05-30 | 1994-05-30 | アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその駆動方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07318901A true JPH07318901A (ja) | 1995-12-08 |
Family
ID=14700825
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11699394A Pending JPH07318901A (ja) | 1994-05-30 | 1994-05-30 | アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07318901A (ja) |
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- 1994-05-30 JP JP11699394A patent/JPH07318901A/ja active Pending
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