JPH0731844A - 脱硝・脱硫副生物の付着防止方法 - Google Patents
脱硝・脱硫副生物の付着防止方法Info
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- JPH0731844A JPH0731844A JP5202483A JP20248393A JPH0731844A JP H0731844 A JPH0731844 A JP H0731844A JP 5202483 A JP5202483 A JP 5202483A JP 20248393 A JP20248393 A JP 20248393A JP H0731844 A JPH0731844 A JP H0731844A
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- Y02A—TECHNOLOGIES FOR ADAPTATION TO CLIMATE CHANGE
- Y02A50/00—TECHNOLOGIES FOR ADAPTATION TO CLIMATE CHANGE in human health protection, e.g. against extreme weather
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- Treating Waste Gases (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 電子線照射装置運転の安定化、即ち反応器及
び反応器下流ダクト内への副生物の付着防止ができる方
法を提供する。 【構成】 排ガス１をアンモニア添加５と電子線照射に
より処理３して、排ガス中の窒素酸化物及び／又は硫黄
酸化物を除去する方法において、前記電子線照射３か
ら、反応により生成する副生物を除去６するまでの装置
及びダクト内の表面温度を８０℃〜１５０℃に保持し
て、該内壁部への副生物の付着を防止する脱硝・脱硫副
生物の付着防止方法であり、前記装置及びダクト内の表
面温度は、電気ヒーター、スチーム、処理前排ガスで加
熱して８０℃〜１５０℃に保持するのがよい。
び反応器下流ダクト内への副生物の付着防止ができる方
法を提供する。 【構成】 排ガス１をアンモニア添加５と電子線照射に
より処理３して、排ガス中の窒素酸化物及び／又は硫黄
酸化物を除去する方法において、前記電子線照射３か
ら、反応により生成する副生物を除去６するまでの装置
及びダクト内の表面温度を８０℃〜１５０℃に保持し
て、該内壁部への副生物の付着を防止する脱硝・脱硫副
生物の付着防止方法であり、前記装置及びダクト内の表
面温度は、電気ヒーター、スチーム、処理前排ガスで加
熱して８０℃〜１５０℃に保持するのがよい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、脱硝・脱硫副生物の付
着防止方法に係り、特に、排ガスをアンモニア添加と電
子線照射により処理して、排ガス中の窒素酸化物（ＮＯ
ｘ）及び／又は硫黄酸化物（ＳＯｘ）を除去する際の装
置内に付着する副生物の付着防止方法に関するものであ
る。
着防止方法に係り、特に、排ガスをアンモニア添加と電
子線照射により処理して、排ガス中の窒素酸化物（ＮＯ
ｘ）及び／又は硫黄酸化物（ＳＯｘ）を除去する際の装
置内に付着する副生物の付着防止方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、排ガス、主に燃焼排ガスにアンモ
ニアを添加し、電子線を照射することによって排ガスを
無害化し、かつ、反応副生物を肥料として使用する排ガ
ス処理システムにおいては、反応副生物が反応器及び反
応器下流ダクトの内壁に付着し、特に長期運転時には、
ダクトでの圧力損失の増大、閉塞など、運転の安定化を
妨げる深刻な要因となっていた。
ニアを添加し、電子線を照射することによって排ガスを
無害化し、かつ、反応副生物を肥料として使用する排ガ
ス処理システムにおいては、反応副生物が反応器及び反
応器下流ダクトの内壁に付着し、特に長期運転時には、
ダクトでの圧力損失の増大、閉塞など、運転の安定化を
妨げる深刻な要因となっていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来技
術の問題点を解決し、電子線照射装置運転の安定化、即
ち反応器及び反応器下流ダクト内への副生物の付着防止
ができる方法を提供することを課題とする。
術の問題点を解決し、電子線照射装置運転の安定化、即
ち反応器及び反応器下流ダクト内への副生物の付着防止
ができる方法を提供することを課題とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明では、排ガスをアンモニア添加と電子線照射
により処理して、排ガス中の窒素酸化物及び／又は硫黄
酸化物を除去する方法において、前記電子線照射から、
反応により生成する副生物を除去するまでの装置及びダ
クト内の表面温度を８０℃〜１５０℃に保持して、該内
壁部への副生物の付着を防止する脱硝・脱硫副生物の付
着防止方法としたものである。上記付着防止方法におい
て、アンモニアの添加は、排ガスへの電子線照射中又は
その前、後又はそれらの組合せで行うことができる。
に、本発明では、排ガスをアンモニア添加と電子線照射
により処理して、排ガス中の窒素酸化物及び／又は硫黄
酸化物を除去する方法において、前記電子線照射から、
反応により生成する副生物を除去するまでの装置及びダ
クト内の表面温度を８０℃〜１５０℃に保持して、該内
壁部への副生物の付着を防止する脱硝・脱硫副生物の付
着防止方法としたものである。上記付着防止方法におい
て、アンモニアの添加は、排ガスへの電子線照射中又は
その前、後又はそれらの組合せで行うことができる。
【０００５】また、上記付着防止方法において、前記装
置及びダクト内の表面温度は、電気ヒーター、スチー
ム、処理前排ガスで加熱して８０℃〜１５０℃、好まし
くは９０℃〜１５０℃に保持するのがよく、更に前記装
置及びダクト内でベント部分等ガスの流れが乱れる場所
の表面温度は、１００〜１５０℃にするのがよい。上記
のように、本発明は、排ガス温度が水の露点以上８０℃
以下の条件で電子線を照射する場合、電子線照射反応器
から副生品捕集装置までの反応器及びダクトの内壁温度
が８０〜１５０℃になるように加熱するものである。
置及びダクト内の表面温度は、電気ヒーター、スチー
ム、処理前排ガスで加熱して８０℃〜１５０℃、好まし
くは９０℃〜１５０℃に保持するのがよく、更に前記装
置及びダクト内でベント部分等ガスの流れが乱れる場所
の表面温度は、１００〜１５０℃にするのがよい。上記
のように、本発明は、排ガス温度が水の露点以上８０℃
以下の条件で電子線を照射する場合、電子線照射反応器
から副生品捕集装置までの反応器及びダクトの内壁温度
が８０〜１５０℃になるように加熱するものである。
【０００６】
【作用】排ガスへのアンモニア添加、電子線照射による
排ガスの脱硫、脱硝反応は、１）電子線照射によって引
き起こされる電子ビーム誘導反応と、２）電子ビームと
は独立に、熱化学的に生じるサーマル反応の２種類より
成り立っている。これら反応のメカニズムは、下記の式
で表される。
排ガスの脱硫、脱硝反応は、１）電子線照射によって引
き起こされる電子ビーム誘導反応と、２）電子ビームと
は独立に、熱化学的に生じるサーマル反応の２種類より
成り立っている。これら反応のメカニズムは、下記の式
で表される。
【０００７】 １）電子ビーム誘導反応 ａ）Ｎ2 ，Ｏ2 ，Ｈ2 Ｏ＋ｅ- →ＯＨ* ，Ｏ* ，ＨＯ2 * ，Ｎ* （ラジカルの生成） ｂ）ＳＯ2 ＋ＯＨ* ，Ｏ* ，ＨＯ2 * →Ｈ2 ＳＯ4 （ＳＯ2 の酸化） ＮＯｘ＋ＯＨ* ，Ｏ* ，ＨＯ2 * →ＨＮＯ3 （ＮＯｘの酸化） ｃ）Ｈ2 ＳＯ4 ＋ＮＨ3 → （ＮＨ4 ）2 ＳＯ4 （硫安の生成） ＨＮＯ3 ＋ ＮＨ3 → ＮＨ4 ＮＯ3 （硝安の生成） ２）サーマル反応 ＳＯ2 ＋２ＮＨ3 ＋Ｈ2 Ｏ＋ 1/2Ｏ2 →（ＮＨ4 ）2 ＳＯ4 ＳＯ3 ＋２ＮＨ3 ＋Ｈ2 Ｏ →（ＮＨ4 ）2 ＳＯ4
【０００８】このようにして生成した硫安、硝安のう
ち、発明者らは、１）の電子ビーム誘導反応によって生
成した副生物の付着性が高く、特にベント部等ガス流れ
の乱れる場所において、その付着が著しいことを見いだ
した。またこの付着性は排ガス又は壁面温度に強く依存
することが試験の結果、明らかとなった。さらに発明者
らは、この副生物が壁面に対する付着性のみならず副生
物同士の凝集も起こりやすい性質を有していることも見
いだした。
ち、発明者らは、１）の電子ビーム誘導反応によって生
成した副生物の付着性が高く、特にベント部等ガス流れ
の乱れる場所において、その付着が著しいことを見いだ
した。またこの付着性は排ガス又は壁面温度に強く依存
することが試験の結果、明らかとなった。さらに発明者
らは、この副生物が壁面に対する付着性のみならず副生
物同士の凝集も起こりやすい性質を有していることも見
いだした。
【０００９】一方、２）のサーマル反応は低温部及び
１）の電子ビーム誘導反応によって生成した副生物の表
面上で起こりやすいことが明らかになった。従って、
１）の電子ビーム誘導反応によって生成した副生物が壁
面に付着すると、その付着物が副生物同士の凝集性によ
り新たな副生物を呼び込み、また同時に２）のサーマル
反応によって副生物上に硫安が生成するため、さらに副
生物の付着が進むと考えられる。
１）の電子ビーム誘導反応によって生成した副生物の表
面上で起こりやすいことが明らかになった。従って、
１）の電子ビーム誘導反応によって生成した副生物が壁
面に付着すると、その付着物が副生物同士の凝集性によ
り新たな副生物を呼び込み、また同時に２）のサーマル
反応によって副生物上に硫安が生成するため、さらに副
生物の付着が進むと考えられる。
【００１０】これら副生物の付着をなくすには、１）の
電子ビーム誘導反応による副生物の壁面への付着を無く
せばよい。この反応によって生成する副生物の壁面への
付着を防止することにより、これに引き続いて生成して
いた壁面上の副生物による副生物の取り込み、壁面上で
のサーマル反応による副生物の生成も防げるからであ
る。この１）の電子ビーム誘導反応による副生物の付着
性は、前述のように温度依存性が高いことが明かになっ
たことから、発明者らは種々のテストの結果、電子線照
射反応器及び、反応器下流ダクトの壁面を８０〜１５０
℃に加熱することにより、副生物の付着防止が可能なこ
とを見い出した。即ち、本発明は従来加熱していなかっ
た反応器及び反応器下流ダクトの温度を８０℃〜１５０
℃に加熱／保持することによって、その内壁への副生物
の付着を防止することができた。
電子ビーム誘導反応による副生物の壁面への付着を無く
せばよい。この反応によって生成する副生物の壁面への
付着を防止することにより、これに引き続いて生成して
いた壁面上の副生物による副生物の取り込み、壁面上で
のサーマル反応による副生物の生成も防げるからであ
る。この１）の電子ビーム誘導反応による副生物の付着
性は、前述のように温度依存性が高いことが明かになっ
たことから、発明者らは種々のテストの結果、電子線照
射反応器及び、反応器下流ダクトの壁面を８０〜１５０
℃に加熱することにより、副生物の付着防止が可能なこ
とを見い出した。即ち、本発明は従来加熱していなかっ
た反応器及び反応器下流ダクトの温度を８０℃〜１５０
℃に加熱／保持することによって、その内壁への副生物
の付着を防止することができた。
【００１１】
【実施例】以下、本発明を実施例により具体的に説明す
るが、本発明はこれに限定されるものではない。 実施例１ 図１に実施した装置の工程図を示す。図１において、本
装置は燃焼装置等排ガス発生源１からの排ガスにアンモ
ニア添加装置５からアンモニアを添加した後、電子線加
速器４で加速した電子を反応器３内の排ガスに照射す
る。続いて、反応器を出た排ガス中に含まれる副生物を
電気集塵器６で集めた後、清浄ガスをブロワー７を経て
煙突８から排気するものである。本実施例においては、
反応器部３及び反応器部３から電気集塵器６までのダク
トを、電気加熱マットで加熱し、次に示すような運転条
件で４０時間運転した。
るが、本発明はこれに限定されるものではない。 実施例１ 図１に実施した装置の工程図を示す。図１において、本
装置は燃焼装置等排ガス発生源１からの排ガスにアンモ
ニア添加装置５からアンモニアを添加した後、電子線加
速器４で加速した電子を反応器３内の排ガスに照射す
る。続いて、反応器を出た排ガス中に含まれる副生物を
電気集塵器６で集めた後、清浄ガスをブロワー７を経て
煙突８から排気するものである。本実施例においては、
反応器部３及び反応器部３から電気集塵器６までのダク
トを、電気加熱マットで加熱し、次に示すような運転条
件で４０時間運転した。
【００１２】運転条件 電子線照射線量 ： １５ｋＧｙ 反応温度 ： ６５℃ 排ガス中のＳＯ2 濃度 ： ８００ｐｐｍ 排ガス中のＮＯｘ濃度 ： ８０ｐｐｍ 処理ガス量 ： １２００Ｎｍ3 ／ｈ ＮＨ3 添加当量 ： ０．９ｓｔｏｉ． ダクト加熱温度 ： ６０−１５０℃ また、脱硝率、脱硫率は以下の通りであった。 脱硝率 ９５％ 脱硫率 ９０％
【００１３】以下にテスト終了後の加熱ダクト内の付着
状況の結果を示す。 平行ダト ６０℃の場合には、多量の白色粉末副生品の付着が観察
されたが８０〜１５０℃では、ほとんど付着は観察され
なかった。 ベント部（エルボー部） ６０〜８０℃の範囲では、かなりの付着が見られた。こ
の付着量は、高温の方が少なく、その付着も乾燥かつ簡
単にはがれ易い状態であり、外部からの例えば槌打等で
容易に落とすことができた。また、１００〜１５０℃で
は、ほとんど付着が見られなかった。
状況の結果を示す。 平行ダト ６０℃の場合には、多量の白色粉末副生品の付着が観察
されたが８０〜１５０℃では、ほとんど付着は観察され
なかった。 ベント部（エルボー部） ６０〜８０℃の範囲では、かなりの付着が見られた。こ
の付着量は、高温の方が少なく、その付着も乾燥かつ簡
単にはがれ易い状態であり、外部からの例えば槌打等で
容易に落とすことができた。また、１００〜１５０℃で
は、ほとんど付着が見られなかった。
【００１４】なお、付着副生物を水で洗い落とし、その
洗浄液中に含まれる硫酸イオンの単位面積当り付着量と
加熱温度の関係を調べると、図２のようになった。この
図に見られるように、脱硫率、脱硝率とも工業的に充分
な値となる運転条件において、ダクト内壁温度を８０〜
１５０℃に加熱することによって副生物付着量を大きく
減少させる効果、即ち付着防止の効果が認められた。ま
た図に示されているように、低温（６０℃〜８０℃）に
おいては平行ダクト部とベント部の付着量は異なり、ベ
ント部のほうが付着量が大きいが、ベント部の内壁温度
を１００〜１５０℃に保つことにより、ベント部も平行
ダクト部と同様に付着を防止できた。このように、図２
の結果は上記ダクト内付着状況の結果と良く一致してい
る。
洗浄液中に含まれる硫酸イオンの単位面積当り付着量と
加熱温度の関係を調べると、図２のようになった。この
図に見られるように、脱硫率、脱硝率とも工業的に充分
な値となる運転条件において、ダクト内壁温度を８０〜
１５０℃に加熱することによって副生物付着量を大きく
減少させる効果、即ち付着防止の効果が認められた。ま
た図に示されているように、低温（６０℃〜８０℃）に
おいては平行ダクト部とベント部の付着量は異なり、ベ
ント部のほうが付着量が大きいが、ベント部の内壁温度
を１００〜１５０℃に保つことにより、ベント部も平行
ダクト部と同様に付着を防止できた。このように、図２
の結果は上記ダクト内付着状況の結果と良く一致してい
る。
【００１５】
【発明の効果】本発明は、電子線照射反応器及び反応器
後のダクトを加熱／保温することによりダクト内への副
生物の付着を防止し、これまで副生物のダクト内壁への
付着により安定な運転が困難であった電子線による排ガ
ス浄化装置の長期連続運転を可能としたものである。こ
れにより、電子線による排ガス浄化装置のメンテナンス
頻度が減少し、この装置をより経済的に有利なものとす
ることができる。
後のダクトを加熱／保温することによりダクト内への副
生物の付着を防止し、これまで副生物のダクト内壁への
付着により安定な運転が困難であった電子線による排ガ
ス浄化装置の長期連続運転を可能としたものである。こ
れにより、電子線による排ガス浄化装置のメンテナンス
頻度が減少し、この装置をより経済的に有利なものとす
ることができる。
【図１】実施例に用いた装置の概略工程図。
【図２】ダクト表面温度と付着量を表す硫酸イオンの量
との関係を示すグラフ。
との関係を示すグラフ。
１・・・排ガス発生源、２・・・照射室、３・・・反応
器、４・・・電子線加速器、５・・・アンモニア添加装
置、６・・・電気集塵器、７・・・ブロワー、８・・・
煙突
器、４・・・電子線加速器、５・・・アンモニア添加装
置、６・・・電気集塵器、７・・・ブロワー、８・・・
煙突
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｂ０１Ｄ 53/60 Ｂ０１Ｄ 53/34 １２９ Ｂ １３２ Ａ
Claims (4)
- 【請求項１】 排ガスをアンモニア添加と電子線照射に
より処理して、排ガス中の窒素酸化物及び／又は硫黄酸
化物を除去する方法において、前記電子線照射から、反
応により生成する副生物を除去するまでの装置及びダク
ト内の表面温度を８０℃〜１５０℃に保持して、該内壁
部への副生物の付着を防止することを特徴とする脱硝・
脱硫副生物の付着防止方法。 - 【請求項２】 前記アンモニア添加は、電子線照射中又
はその前、後又はそれらの組合せで行うことを特徴とす
る請求項１記載の脱硝・脱硫副生物の付着防止方法。 - 【請求項３】 前記装置及びダクト内の表面温度は、電
気ヒーター、スチーム、処理前排ガスで加熱して８０℃
〜１５０℃に保持することを特徴とする請求項１又は２
記載の脱硝・脱硫副生物の付着防止方法。 - 【請求項４】 前記装置及びダクト内でガスの流れが乱
れる場所の表面温度は、１００〜１５０℃とすることを
特徴とする請求項１、２又は３記載の脱硝・脱硫副生物
の付着防止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5202483A JP2689069B2 (ja) | 1993-07-26 | 1993-07-26 | 脱硝・脱硫副生物の付着防止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5202483A JP2689069B2 (ja) | 1993-07-26 | 1993-07-26 | 脱硝・脱硫副生物の付着防止方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0731844A true JPH0731844A (ja) | 1995-02-03 |
| JP2689069B2 JP2689069B2 (ja) | 1997-12-10 |
Family
ID=16458259
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5202483A Expired - Fee Related JP2689069B2 (ja) | 1993-07-26 | 1993-07-26 | 脱硝・脱硫副生物の付着防止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2689069B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0716873A1 (en) * | 1994-12-12 | 1996-06-19 | Ebara Corporation | Method and apparatus for treating waste gases by exposure to electron beams |
| WO1998004336A1 (en) * | 1996-07-25 | 1998-02-05 | Ebara Corporation | Method and apparatus for treating gas by irradiation of electron beam |
| WO2004076035A1 (ja) * | 2003-02-28 | 2004-09-10 | Japan Science And Technology Agency | 脱硫及び脱硝方法 |
-
1993
- 1993-07-26 JP JP5202483A patent/JP2689069B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0716873A1 (en) * | 1994-12-12 | 1996-06-19 | Ebara Corporation | Method and apparatus for treating waste gases by exposure to electron beams |
| WO1998004336A1 (en) * | 1996-07-25 | 1998-02-05 | Ebara Corporation | Method and apparatus for treating gas by irradiation of electron beam |
| US6179968B1 (en) | 1996-07-25 | 2001-01-30 | Ebara Corporation | Method and apparatus for treating gas by irradiation of electron beam |
| CN1090043C (zh) * | 1996-07-25 | 2002-09-04 | 株式会社荏原制作所 | 用电子束辐照处理气体的方法和设备 |
| WO2004076035A1 (ja) * | 2003-02-28 | 2004-09-10 | Japan Science And Technology Agency | 脱硫及び脱硝方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2689069B2 (ja) | 1997-12-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |