JPH0731624Y2 - Delay circuit - Google Patents

Delay circuit

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JPH0731624Y2
JPH0731624Y2 JP1988123590U JP12359088U JPH0731624Y2 JP H0731624 Y2 JPH0731624 Y2 JP H0731624Y2 JP 1988123590 U JP1988123590 U JP 1988123590U JP 12359088 U JP12359088 U JP 12359088U JP H0731624 Y2 JPH0731624 Y2 JP H0731624Y2
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circuit
signal
voltage
emitter
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Description

【考案の詳細な説明】 以下の順序で本考案を説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention will be described in the following order.

A 産業上の利用分野 B 考案の概要 C 従来の技術(第8図〜第11図) D 考案が解決しようとする問題点(第8図〜第11図) E 問題点を解決するための手段(第1図及び第4図) F 作用(第1図及び第4図) G 実施例(第1図〜第7図) H 考案の効果 A 産業上の利用分野 本考案は遅延回路に関し、例えば磁気デイスク装置に適
用して好適なものである。
A Industrial field B Outline of the device C Conventional technology (Figs. 8 to 11) D Problems to be solved by the device (Figs. 8 to 11) E Means for solving problems (FIGS. 1 and 4) F Action (FIGS. 1 and 4) G Embodiment (FIGS. 1 to 7) H Effect of the invention A Industrial field of application The present invention relates to a delay circuit, for example, It is suitable for application to a magnetic disk device.

B 考案の概要 本考案は、第1のトランジスタQ4のコレクタ及びエミツ
タ間に第1の充放電コンデンサCAを接続し、かつ第1の
トランジスタQ4のエミツタと第1の充放電コンデンサCA
との第1の接続点に第1の定電流回路Q5〜Q8、22、20、
REXTを接続することにより形成された第1の充放電回路
と、ベースが第1の接続点に接続された第2のトランジ
スタQ10と、ベースが基準電圧VRに接続された第3のト
ランジスタQ11とで形成される差動増幅回路構成の第1
の電圧比較回路と、第2のトランジスタQ10のコレクタ
にベースが接続された第4のトランジスタQ20のコレク
タ及びエミツタ間に第2の充放電コンデンサCBを接続
し、かつ第4のトランジスタQ20のエミツタと第2の充
放電コンデンサCBとの第2の接続点に第2の定電流回路
Q5〜Q8、22、20、REXTを接続することにより形成された
第2の充放電回路と、ベースが第2の接続点に接続され
た第5のトランジスタQ21と、ベースが基準電圧VRに接
続された第6のトランジスタQ22とで形成される差動増
幅回路構成の第2の電圧比較回路とを有し、第1のトラ
ンジスタQ4のベースに供給される入力パルス信号SWD
立ち下がりを第1の充放電コンデンサCAの放電時間を利
用して遅延させる一方、第2の充放電コンデンサCBの放
電時間を利用して入力パルス信号SWDの立ち上がりを遅
延させるようにしたことにより、入力パルス信号の立ち
上がり及び立ち下がりを精度良く遅延させることがで
き、かくして簡易な構成で精度の高い遅延時間を得るこ
とができる。
Overview The invention in B devised, the first charging and discharging the capacitor C A is connected between the collector of the first transistor Q 4 and the emitter, and a first emitter and a first transistor Q 4 of the charge and discharge the capacitor C A
The first constant current circuit Q 5 to Q 8 , 22, 20,
A first charging / discharging circuit formed by connecting R EXT , a second transistor Q 10 having a base connected to the first connection point, and a third transistor Q 10 having a base connected to the reference voltage V R. First of differential amplifier circuit configuration formed with transistor Q 11
The second charge / discharge capacitor C B is connected between the collector of the fourth transistor Q 20 whose base is connected to the collector of the second transistor Q 10 and the emitter, and the fourth transistor Q 10. A second constant current circuit at the second connection point between the 20 emitter and the second charging / discharging capacitor C B.
A second charge / discharge circuit formed by connecting Q 5 to Q 8 , 22, 20, and R EXT , a fifth transistor Q 21 whose base is connected to a second connection point, and a base being a reference An input pulse signal supplied to the base of the first transistor Q 4 and a second voltage comparison circuit having a differential amplifier circuit configuration formed by a sixth transistor Q 22 connected to the voltage V R. Delay the fall of SWD using the discharge time of the first charge / discharge capacitor C A , while delaying the rise of the input pulse signal SWD using the discharge time of the second charge / discharge capacitor C B By doing so, the rising and falling edges of the input pulse signal can be accurately delayed, and thus a highly accurate delay time can be obtained with a simple configuration.

C 従来の技術 従来、この種の遅延回路においては、コンデンサ及び抵
抗の時定数回路又は2つのモノマルチ回路を用いて所望
の遅延時間を得るようになされた遅延回路がある(特公
昭57-690号公報)。
C. Related Art Conventionally, in this type of delay circuit, there is a delay circuit configured to obtain a desired delay time by using a time constant circuit of capacitors and resistors or two mono-multi circuits (Japanese Patent Publication No. Sho 57-690). Issue).

すなわち第8図に示すように、コンデンサ及び抵抗の時
定数回路を用いる遅延回路1においては、遅延時間を大
きくとると出力信号の信号レベルが小さくなることか
ら、遅延時間の短い同一構成の遅延回路D1、D2、D3、…
…、Dnを直列接続して、全体として遅延時間の長い遅延
回路1を得るようになされている。
That is, as shown in FIG. 8, in the delay circuit 1 using the time constant circuit of the capacitor and the resistance, the signal level of the output signal decreases as the delay time increases, so that the delay circuit of the same configuration having a short delay time is used. D 1 , D 2 , D 3 , ...
, D n are connected in series to obtain a delay circuit 1 having a long delay time as a whole.

従つて第9図に示すように、1段目の遅延回路D1におい
ては、抵抗R1及びコンデンサC1の時定数回路に入力パル
ス信号SP1(第9図(A))を受け、比較回路COM1を介
して所定の基準電源V1とコンデンサC1の端子電圧V
C1(第9図(B))との比較出力SD1(第9図(C))
を得ることにより、微小遅延時間τD1だけ遅延したパル
ス信号SD1を、続く遅延回路D2に出力する。
Therefore, as shown in FIG. 9, in the delay circuit D 1 of the first stage, the time constant circuit of the resistor R 1 and the capacitor C 1 receives the input pulse signal S P1 (FIG. 9 (A)) and compares them. Through the circuit COM 1 the reference voltage V 1 and the terminal voltage V of the capacitor C 1
Comparison output S D1 with C1 (Fig. 9 (B)) (Fig. 9 (C))
Thus, the pulse signal S D1 delayed by the minute delay time τ D1 is output to the subsequent delay circuit D 2 .

遅延回路D2は、同様に抵抗R2及びコンデンサC2の時定数
回路にパルス信号SD1を受け、比較回路COM2を介して基
準電源V2とコンデンサC2の端子電圧との比較出力を得る
ことにより、微小遅延時間τD2だけ遅延したパルス信号
SD2(第9図(D))を、続く遅延回路D3に出力する。
Similarly, the delay circuit D 2 receives the pulse signal S D1 at the time constant circuit of the resistor R 2 and the capacitor C 2 , and outputs the comparison output between the reference power supply V 2 and the terminal voltage of the capacitor C 2 via the comparison circuit COM 2. Pulse signal delayed by a minute delay time τ D2
S D2 (FIG. 9 (D)) is output to the subsequent delay circuit D 3 .

かくして、当該遅延回路1においては、順次入力パルス
信号SP1に対して遅延時間の増加したパルス信号SD1、S
D2、SD3、……、SDn(第9図(E))が得られ、これに
より全体として遅延時間τDの出力パルス信号SDnが得ら
れるようになされている。
Thus, in the delay circuit 1, the pulse signals S D1 and S 1 whose delay time is increased with respect to the input pulse signal S P1 are sequentially added .
, D D2 , S D3 , ..., S Dn (FIG. 9 (E)) are obtained, and as a result, the output pulse signal S Dn having the delay time τ D is obtained as a whole.

これに対して第10図及び第11図に示すように、2つのモ
ノマルチ回路3及び4を用いる遅延回路5においては、
入力パルス信号SP1(第11図(A))を、第1のモノマ
ルチ回路3に与えると共に、反転増幅回路6を介して第
2のモノマルチ回路4に与える。
On the other hand, as shown in FIGS. 10 and 11, in the delay circuit 5 using the two mono-multi circuits 3 and 4,
The input pulse signal S P1 (FIG. 11 (A)) is given to the first mono-multi circuit 3 and also given to the second mono-multi circuit 4 via the inverting amplifier circuit 6.

モノマルチ回路3及び4は、それぞれ入力されたパルス
信号の立ち上がりのタインミングで信号レベルが立ち上
がつた後、所定の時間TDA及びTDBだけ経過して信号レベ
ルが立ち下がる遅延信号S03及びS04(第11図(B)及び
(C))を形成する。
The mono-multi circuits 3 and 4 respectively delay signals S 03 and T 3 whose signal level falls after a predetermined time T DA and T DB elapses after the signal level rises due to the timing of the rising edge of the input pulse signal. S04 (FIGS. 11 (B) and (C)) is formed.

アンド回路7は、第1のモノマルチ回路3の反転出力信
号SI03(第11図(D))及び第2のモノマルチ回路4の
出力信号S04を受け、これにより反転出力信号SI03の信
号レベルの立ち上がりで信号レベルが立ち上がつた後、
出力信号S04の立ち下がりで信号レベルが立ち下がる遅
延時間τDの出力パルス信号SD0(第11図(E))を得る
ようになされている。
The AND circuit 7 receives the inverted output signal S I03 of the first mono-multi circuit 3 (FIG. 11 (D)) and the output signal S 04 of the second mono-multi circuit 4, and thereby the inverted output signal S I03 . After the signal level rises at the rising of the signal level,
An output pulse signal S D0 (FIG. 11 (E)) having a delay time τ D in which the signal level falls at the falling edge of the output signal S 04 is obtained.

D 考案が解決しようとする問題点 ところが、この種の遅延回路においては、全体の構成が
複雑になると共に精度の高い遅延時間を得ることが困難
な問題がある。
D Problem to be solved by the invention However, in this type of delay circuit, there are problems that the entire configuration becomes complicated and it is difficult to obtain a highly accurate delay time.

すなわち、コンデンサ及び抵抗の時定数回路を用いる遅
延回路1においては、遅延時間の短い同一構成の遅延回
路D1、D2、D3、……、Dnを直列接続した分全体の構成が
複雑になる。
That is, in the delay circuit 1 using the time constant circuit of the capacitor and the resistor, the delay delay circuit short same configuration of the time D 1, D 2, D 3 , ......, the configuration of the entire amount that connected in series D n complex become.

さらに当該遅延回路1においては、遅延時間を調整し得
ず、このため時定数回路がばらつくとその分、遅延時間
の精度が劣化する。
Further, in the delay circuit 1, the delay time cannot be adjusted. Therefore, if the time constant circuit varies, the accuracy of the delay time deteriorates accordingly.

これに対して、モノマルチ回路3及び4を用いる遅延回
路5においては、モノマルチ回路3及び4を2つ用いる
ようにした分全体の構成が複雑になる。
On the other hand, in the delay circuit 5 using the mono-multi circuits 3 and 4, since the two mono-multi circuits 3 and 4 are used, the entire configuration becomes complicated.

さらに、さらに2つのモノマルチ回路3及び4間で遅延
時間がばらつくと、その分遅延時間の精度が劣化する。
Furthermore, if the delay time further varies between the two mono-multi circuits 3 and 4, the accuracy of the delay time deteriorates accordingly.

本考案は以上の点を考慮してなされたもので、全体とし
て簡易な構成で、精度の高い遅延時間を得ることができ
る遅延回路を提案しようとするものである。
The present invention has been made in consideration of the above points, and it is an object of the present invention to propose a delay circuit having a simple configuration and capable of obtaining a highly accurate delay time.

E 問題点を解決するための手段 かかる問題点を解決するため本考案においては、第1の
トランジスタQ4のコレクタ及びエミツタ間に第1の充放
電コンデンサCAを接続し、かつ第1のトランジスタQ4
エミツタと第1の充放電コンデンサCAとの第1の接続点
に第1の定電流回路Q5〜Q8、22、20、REXTを接続するこ
とにより形成された第1の充放電回路と、ベースが第1
の接続点に接続された第2のトランジスタQ10と、ベー
スが基準電圧VRに接続された第3のトランジスタQ11
で形成される差動増幅回路構成の第1の電圧比較回路
と、第2のトランジスタQ10のコレクタにベースが接続
された第4のトランジスタQ20のコレクタ及びエミツタ
間に第2の充放電コンデンサCBを接続し、かつ第4のト
ランジスタQ20のエミツタと第2の充放電コンデンサCB
との第2の接続点に第2の定電流回路Q5〜Q8、22、20、
REXTを接続することにより形成された第2の充放電回路
と、ベースが第2の接続点に接続された第5のトランジ
スタQ21と、ベースが基準電圧VRに接続された第6のト
ランジスタQ22とで形成される差動増幅回路構成の第2
の電圧比較回路とを有し、第1のトランジスタQ4のベー
スに供給される入力パルス信号SWDの立ち下がりを第1
の充放電コンデンサCAの放電時間を利用して遅延させる
一方、第2の充放電コンデンサCBの放電時間を利用して
入力パルス信号SWDの立ち上がりを遅延させるようにし
た。
E Means for Solving the Problems In order to solve the above problems, in the present invention, the first charging / discharging capacitor C A is connected between the collector and the emitter of the first transistor Q 4 and the first transistor Q 4 is connected. The first constant current circuit Q 5 to Q 8 , 22, 20, R EXT formed by connecting the first connection point between the emitter of Q 4 and the first charging / discharging capacitor C A Charge / discharge circuit and base is first
A first voltage comparison circuit having a differential amplifier circuit configuration formed by a second transistor Q 10 connected to the connection point of and a third transistor Q 11 whose base is connected to the reference voltage V R , The second charge / discharge capacitor C B is connected between the collector and the emitter of the fourth transistor Q 20 whose base is connected to the collector of the second transistor Q 10 , and the emitter and the second of the fourth transistor Q 20 are connected. Charge / discharge capacitor C B
The second constant current circuit to a second connection point between Q 5 ~Q 8, 22,20,
A second charge / discharge circuit formed by connecting R EXT , a fifth transistor Q 21 having a base connected to the second connection point, and a sixth transistor Q 21 having a base connected to the reference voltage V R. The second of the differential amplifier circuit configuration formed with the transistor Q 22
Of the input pulse signal SWD supplied to the base of the first transistor Q 4
While the discharge time of the charging / discharging capacitor C A is used to delay, the rising time of the input pulse signal SWD is delayed using the discharging time of the second charging / discharging capacitor C B.

F 作用 第1のトランジスタQ4のベースに供給される入力パルス
信号SWDの立ち下がりを第1の充放電コンデンサCAの放
電時間を利用して遅延させる一方、第2の充放電コンデ
ンサCBの放電時間を利用して入力パルス信号SWDの立ち
上がりを遅延させるようにしたことにより、入力パルス
信号SWDの立ち上がり及び立ち下がりを精度良く遅延さ
せることができる。
F action The delay of the input pulse signal SWD supplied to the base of the first transistor Q 4 is delayed by using the discharge time of the first charge / discharge capacitor C A , while the second charge / discharge capacitor C B is delayed. Since the rising time of the input pulse signal SWD is delayed by using the discharge time of, the rising and falling edges of the input pulse signal SWD can be accurately delayed.

G 実施例 以下図面について、本考案の一実施例を詳述する。G Embodiment Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

第2図において、10は全体として磁気デイスク装置の信
号処理回路を示し、磁気ヘツドを介して得られる再生信
号SPBから記録信号を復調する。
In Figure 2, 10 as a whole shows a signal processing circuit of the magnetic disk apparatus, for demodulating a recorded signal from a reproduction signal S PB obtained through the magnetic head.

すなわち第3図に示すように、信号処理回路10において
は、所定のタイミングで信号レベルが正側及び負側に立
ち上がる再生信号SPB(第3図(A))を微分回路11及
びウインド回路12に与える。
That is, as shown in FIG. 3, in the signal processing circuit 10, the reproduction signal S PB (FIG. 3 (A)) in which the signal level rises to the positive side and the negative side at a predetermined timing is provided to the differentiating circuit 11 and the window circuit 12. Give to.

その結果微分回路11を介して、信号レベルが0レベルか
ら立ち上がり又は立ち下がつた後、再生信号SPBの信号
レベルが最大値又は最小値に立ち上がり又は立ち下がる
時点t1から所定時間TDだけ遅延して、信号レベルが0レ
ベルを横切つて反転する微分信号SDV(第3図(B))
が出力される。
As a result, after the signal level rises or falls from 0 level via the differentiating circuit 11, a predetermined time T D is delayed from the time t1 when the signal level of the reproduction signal S PB rises or falls to the maximum value or the minimum value. Then, the differential signal S DV in which the signal level is inverted across the 0 level (FIG. 3 (B))
Is output.

これに対してウインド回路12は、比較回路を有し、当該
比較回路を介して再生信号SPBと所定の基準電圧V1及びV
2の比較結果を得ることにより、再生信号SPBの信号レベ
ルが所定の信号レベルV1又はV2から立ち上がり又は立ち
下がりると、信号レベルが立ち上がるウインド信号SWD
(第3図(C))を出力する。
On the other hand, the window circuit 12 has a comparison circuit, and the reproduction signal S PB and the predetermined reference voltages V 1 and V 2 are supplied via the comparison circuit.
By obtaining a second comparison result, the reproduction signal S and the rising or falling Sagariru signal level from the predetermined signal level V 1 or V 2 of the PB, window signal S WD whose signal level rises
(FIG. 3 (C)) is output.

遅延回路13は、ウインド信号SWDを受け、当該ウインド
信号SWDを微分回路11で生じた遅延時間TDだけ遅延させ
て出力し、これによりウインド信号SWDのタイミングを
微分信号SDVのタイミングと一致させる。
Delay circuit 13 receives the window signal S WD, the window signal S WD to be delayed by the delay time T D generated by the differential circuit 11 outputs, thereby window signal S timing of the differential signal S DV timing WD To match.

すなわち第4図に示すように、遅延回路13は、全体が集
積回路化され、トランジスタQ1及びQ2にそれぞれウイン
ド信号SWD及び当該ウインド信号SWDの反転信号SIWDを与
える。
That is, as shown in FIG. 4, the delay circuit 13, the whole is an integrated circuit, each of the transistors Q 1 and Q 2 providing an inverted signal S IWD of the window signal S WD and the window signal S WD.

トランジスタQ1及びQ2は、電圧VBの基準電源20、トラン
ジスタQ3及び抵抗RE1で構成された定電流源をエミツタ
に接続し、全体として差動増幅回路構成のバツフア回路
を構成するようになされている。
Transistors Q 1 and Q 2 connect a constant current source composed of a reference power source 20 of voltage V B , a transistor Q 3 and a resistor R E1 to an emitter so as to form a buffer circuit having a differential amplifier circuit configuration as a whole. Has been done.

第5図に示すように、トランジスタQ4は、トランジスタ
Q2の出力抵抗RC1に接続され、これにより当該トランジ
スタQ4にトランジスタQ1及びQ2のバツフア回路を介し
て、ウインド信号SWD(第5図(A))が入力されるよ
うになされている。
As shown in FIG. 5, the transistor Q 4 is a transistor
Connected to the output resistor R C1 of Q 2, thereby via the buffer circuit of the transistors Q 1 and Q 2 in the transistor Q 4, adapted window signal S WD (FIG. 5 (A)) is input ing.

さらにトランジスタQ4は、エミツタ及びコレクタに充放
電コンデンサCAを接続すると共にコレクタを電源ライン
VCCに接続するようになされ、これによりウインド信号S
WDの信号レベルが立ち上がるとオン動作し、当該充放電
コンデンサCAの端子間電圧VCAを当該トランジスタQ4
ベースエミツタ間電圧VBEに切り換えるようになされて
いる。
Further, the transistor Q 4 connects the charge / discharge capacitor C A to the emitter and the collector and connects the collector to the power line.
It is designed to be connected to V CC , which allows window signal S
When the signal level of WD rises, it is turned on, and the inter-terminal voltage V CA of the charge / discharge capacitor C A is switched to the base-emitter voltage V BE of the transistor Q 4 .

従つて、ウインド信号SWDの信号レベルが立ち上がる期
間においては、電源ラインの電圧をVCCとおいて、次式 VA=VCC−VBE ……(1) の電圧に、トランジスタQ4のエミツタ電圧VAが立ち上が
る。
Accordance connexion, the signal level rises period of the window signal S WD is, the voltage of the power supply lines at the V CC, the voltage of the formula V A = V CC -V BE ...... (1), the transistor Q 4 emitter The voltage V A rises.

さらにトランジスタQ4は、エミツタをトランジスタQ5
接続するようになされ、トランジスタQ5は、ベース及び
エミツタをトランジスタQ6及びQ7と共通にそれぞれ基準
電源22及びトランジスタQ8に接続するようになされてい
る。
Further, the transistor Q 4 is adapted to connect the emitter to the transistor Q 5 , and the transistor Q 5 is adapted to connect the base and the emitter in common with the transistors Q 6 and Q 7 to the reference power supply 22 and the transistor Q 8 , respectively. ing.

トランジスタQ8は、トランジスタQ3と共通の基準電源20
にベースを接続すると共に、当該集積回路の外部抵抗R
EXTをエミツタに接続するようになされ、これにより全
体として定電流源を構成し、外部抵抗REXTの抵抗値を調
整することにより、当該定電流源の電流値を調整し得る
ようになされている。
Transistor Q 8 has a common reference voltage source 20 with transistor Q 3.
The base is connected to the external resistor R
EXT is connected to the emitter, thereby constituting a constant current source as a whole, and by adjusting the resistance value of the external resistor R EXT , the current value of the constant current source can be adjusted. .

すなわち、トランジスタQ8においては、当該トランジス
タQ8のベースエミツタ間電圧をVBEとおいて、次式(抵
抗の符号と同一の符号を用いて、その抵抗値を表す)、 の電流IEXTで、トランジスタQ5、Q6及びQ7を駆動する。
That is, in the transistor Q 8 , the voltage between the base and the emitter of the transistor Q 8 is V BE, and the following equation (the same reference numeral as the resistance is used to represent the resistance value), Current I EXT drives transistors Q 5 , Q 6 and Q 7 .

ここで、トランジスタQ5、Q6及びQ7のベース電圧が基準
電圧に保持されていることから、トランジスタQ5、Q6
びQ7に流れる電流IA、IB及びICは、等しい電流値に保持
され、次式 で表され、当該電流IAがトランジスタQ4及び充放電コン
デンサCAから流出する。
Since the base voltages of the transistors Q 5 , Q 6 and Q 7 are held at the reference voltage, the currents I A , I B and I C flowing through the transistors Q 5 , Q 6 and Q 7 are equal to each other. Held in a value, The current I A flows out from the transistor Q 4 and the charge / discharge capacitor C A.

従つて、ウインド信号SWDの信号レベルが立ち下がつた
後においては、当該立ち下がりの時点をt=0とおい
て、次式 ΔQ=CA・ΔVCA =IA・t ……(4) の電荷ΔQだけ、充放電コンデンサCAの蓄積電荷が変化
し、これにより、トランジスタQ4のエミツタ電圧VAは、
(1)式及び(4)式から、次式 の電圧に変化する。
Accordance connexion, after under standing the signal level of the window signal S WD is ivy, a time of the fall at the t = 0, the following equation ΔQ = C A · ΔV CA = I A · t ...... (4) The charge accumulated in the charging / discharging capacitor C A changes by the charge ΔQ, and the emitter voltage V A of the transistor Q 4 becomes
From the expressions (1) and (4), the following expression Changes to the voltage of.

かくしてトランジスタQ4のエミツタ電圧VA(第5図
(B))においては、ウインド信号SWDの信号レベルが
立ち上がると、電圧VCC−VBEに立ち上がつた後、当該ウ
インド信号SWDの信号レベルが立ち下がると、(5)式
で表される電圧に徐々に立ち下がる。
Thus, in the emitter voltage V A of the transistor Q 4 (FIG. 5 (B)), the signal level of the window signal S WD rises, after One rising to the voltage V CC -V BE, of the window signal S WD When the signal level falls, it gradually falls to the voltage represented by the equation (5).

これに対して、トランジスタQ10は、トランジスタQ11
共に差動増幅回路を構成し、エミツタに基準電源20、ト
ランジスタQ12及び抵抗RE2で構成された定電流源を接続
すると共に、ベースにトランジスタQ4のエミツタ電圧VA
受けるようになされている。
In contrast, the transistor Q 10 constitute a differential amplifier circuit together with the transistor Q 11, reference power source 20 to the emitters, as well as connecting a constant current source formed by transistors Q 12 and resistors R E2, base transistor Emitter voltage of Q 4 V A
It is designed to receive.

さらにトランジスタQ11のベースは、トランジスタQ7
コレクタに接続されると共にトランジスタQ15のエミツ
タに接続され、これにより当該トランジスタQ11のベー
ス電圧が、トランジスタQ15のベース電圧で決まる電圧
に保持されるようになされている。
Further, the base of the transistor Q 11 is connected to the collector of the transistor Q 7 and also to the emitter of the transistor Q 15 , so that the base voltage of the transistor Q 11 is maintained at the voltage determined by the base voltage of the transistor Q 15. It is designed to be.

すなわち、トランジスタQ15のベースは、基準電源20、
トランジスタQ18及び抵抗RB5で構成された定電流源に接
続されると共に、抵抗RB6を介して電源ラインVCCに接続
されるようになされ、これにより抵抗RB6に、次式 の電流IDが流れ、次式 の電圧VB6にトランジスタQ15のベース電圧が保持され
る。
That is, the base of the transistor Q 15 is the reference power source 20,
Is connected to a constant current source formed by transistors Q 18 and resistors R B5, adapted to be connected to the power supply line V CC via the resistor R B6, thereby the resistance R B6, the following equation Current I D of The base voltage of the transistor Q 15 is held at the voltage V B6 of.

従つて、トランジスタQ11のベース電圧VRにおいては、
トランジスタQ15のベースエミツタ間電圧をVBEとおい
て、次式 の電圧に保持される。
Therefore, at the base voltage V R of the transistor Q 11 ,
Let V BE be the voltage across the base emitter of the transistor Q 15 , and Held at the voltage of.

さらに、トランジスタQ10及びQ11の差動増幅回路におい
ては、トランジスタQ10側にコレクタ抵抗RC4を備えるよ
うになされ、これによりトランジスタQ4のエミツタ電圧
VAが、トランジスタQ11のベース電圧VRよりも立ち上が
る期間の間、トランジスタQ10のコレクタ電圧VC4(第5
図(C))が立ち下がるようになされている。
Furthermore, in the differential amplifier circuit of the transistors Q 10 and Q 11 , a collector resistor R C4 is provided on the transistor Q 10 side, which allows the emitter voltage of the transistor Q 4 to be reduced.
V A is a period which rises than the base voltage V R of the transistor Q 11, the collector voltage V C4 of the transistor Q 10 (5
The figure (C)) is designed to fall.

従つてコレクタ電圧VC4においては、ウインド信号SWD
信号レベルが立ち上がるタイミングで電圧が立ち下がつ
た後、当該ウインド信号SWDの信号レベルが立ち下がる
と、トランジスタQ4のエミツタ電圧VAがトランジスタQ
11のベース電圧VRよりも立ち下がるまでの期間tAだけ遅
延して電圧が立ち上がり、これによりウインド信号SWD
の立ち下がりのタイミングを、時間tAだけ遅延させるよ
うになされている。
Therefore, in the collector voltage V C4 , when the voltage level of the window signal SWD falls after the voltage level falls at the timing when the window signal SWD signal level rises, the emitter voltage V A of the transistor Q 4 changes. Transistor Q
The voltage rises with a delay of t A until it falls below the base voltage V R of 11 , and this causes the window signal SWD to rise.
The fall timing of is delayed by time t A.

すなわちトランジスタQ4のエミツタ電圧VAが、(5)式
で表される電圧で徐々に低下するのに対し、トランジス
タQ11のベース電圧VRが、(8)式で表される電圧に保
持されていることから、次式 とおいて、時間tについて解いて、次式 が得られ、これに(3)式を代入して、次式 の遅延時間を得ることができる。
That is, the emitter voltage V A of the transistor Q 4 gradually decreases at the voltage expressed by the formula (5), while the base voltage V R of the transistor Q 11 is maintained at the voltage expressed by the formula (8). From the fact that And solve for time t, Is obtained, and by substituting equation (3) into this, the following equation Delay time can be obtained.

ここで(11)式においては、遅延時間tAが充放電コンデ
ンサCA、外部抵抗REXTと抵抗RB5及びRB6とで決まること
が分かる。
Here, in the equation (11), it can be seen that the delay time t A is determined by the charging / discharging capacitor C A , the external resistance R EXT, and the resistances R B5 and R B6 .

従つて、必要に応じて外部抵抗REXTの抵抗値を調整すれ
ば、所望の遅延時間を高い精度で得ることができる。
Therefore, the desired delay time can be obtained with high accuracy by adjusting the resistance value of the external resistor R EXT as necessary.

かくして第1図に示すように、この実施例においてトラ
ンジスタQ5及びQ8、外部抵抗REXTと基準電源20及び22
は、トランジスタQ4のエミツタに充放電コンデンサCA
共に接続されて当該充放電コンデンサCAの端子間電圧V
CAを立ち下げる放電電流源25を構成する。
Thus, as shown in FIG. 1, the transistors Q 5 and Q 8 in this embodiment, the external resistor R EXT and the reference power source 20 and 22
Inter-terminal voltage of the charge and discharge the capacitor C is connected with A the charging and discharging capacitor C A to emitter of the transistor Q 4 V
A discharge current source 25 for lowering CA is constructed.

これに対しトランジスタQ4は、ウインド信号SWDの立ち
上がりのタイミングで充放電コンデンサCAに充電電流を
与え、充放電コンデンサCA、トランジスタQ5、Q8
Q10、Q11及びQ12、抵抗RE2、REXT及びRC4、基準電源20
及び22と共に、ウインド信号SWDの立ち下がりのタイミ
ングを、時間tAだけ遅延させる第1のトランジスタ回路
26を構成する。
On the other hand, the transistor Q 4 gives a charging current to the charging / discharging capacitor C A at the rising timing of the window signal SWD , so that the charging / discharging capacitor C A , the transistors Q 5 , Q 8 ,
Q 10 , Q 11 and Q 12 , resistors R E2 , R EXT and R C4 , reference power supply 20
And 22, a first transistor circuit for delaying the fall timing of the window signal SWD by a time t A
Make up 26.

さらにトランジスタQ7、Q10、Q11、Q12、Q15及びQ18
抵抗RB5、RB6及びRC4と基準電源20及び22は、立ち下が
りのタイミングが時間tAだけ遅延したウインド信号を、
続くトランジスタQ20に出力する反転増幅回路27を構成
する。
Further transistors Q 7 , Q 10 , Q 11 , Q 12 , Q 15 and Q 18 ,
The resistors R B5 , R B6 and R C4 and the reference power supplies 20 and 22 generate a window signal whose falling timing is delayed by the time t A ,
An inverting amplifier circuit 27 for outputting to the subsequent transistor Q 20 is constructed.

トランジスタQ20は、トランジスタQ4と同様に、充放電
コンデンサCBと共に、トランジスタQ6及びQ8、外部抵抗
REXTと基準電源20及び22で構成された電流IBの定電流回
路29をエミツタに接続し、これによりトランジスタQ20
のエミツタ電圧VB(第5図(D))を、トランジスタQ
10のコレクタ電圧VC4が立ち上がるタイミングで立ち上
げた後、トランジスタQ10のコレクタ電圧VC4が立ち上が
ると徐々立ち下がるようにする。
Transistor Q 20 is similar to transistor Q 4 in that it includes transistors Q 6 and Q 8 as well as an external resistor along with charge / discharge capacitor C B.
A constant current circuit 29 of current I B composed of R EXT and the reference power supplies 20 and 22 is connected to the emitter, which causes the transistor Q 20
The emitter voltage V B (Fig. 5 (D)) of the transistor Q
After the collector voltage V C4 of the 10 was launched at the timing of rises, the collector voltage V C4 of the transistor Q 10 is to move down gradually Standing rises.

これに対してトランジスタQ21及びQ22は、トランジスタ
Q10及びQ11と同様に、トランジスタQ23、抵抗RE3、基準
電源20でなる定電流源を有し、全体として差動増幅回路
を構成するようになされている。
In contrast, transistors Q 21 and Q 22 are
Similar to Q 10 and Q 11, it has a constant current source composed of a transistor Q 23 , a resistor R E3 , and a reference power source 20, and constitutes a differential amplifier circuit as a whole.

さらにベースには、トランジスタQ10及びQ11と同様に、
それぞれトランジスタQ20のエミツタ電圧VBとトランジ
スタQ15のエミツタ電圧VRを受けるようになされ、抵抗R
C7及びRCBを介して逆極性の出力信号を出力するように
なされている。
Furthermore, at the base, like the transistors Q 10 and Q 11 ,
They are designed to receive the emitter voltage V B of the transistor Q 20 and the emitter voltage V R of the transistor Q 15 , respectively.
An output signal of opposite polarity is output via C7 and R CB .

従つて、トランジスタQ10を介してウインド信号SWDに対
して立ち下がりが遅延した出力信号が得られるのに対
し、当該出力信号の反転信号を同一回路構成のトランジ
スタ回路に入力することにより、トランジスタQ21を介
して、ウインド信号SWDに対して、所定の時間TBだけ立
ち上がりが遅延した出力信号SDL(第3図(C))及び
第5図(E))を得ることができる。
Therefore, while an output signal whose falling edge is delayed with respect to the window signal SWD is obtained through the transistor Q 10 , the inverted signal of the output signal is input to the transistor circuit of the same circuit configuration, through Q 21, can be obtained with respect to the window signal S WD, the output signal rise is delayed by a predetermined time T B S DL (FIG. 3 (C)) and Figure 5 the (E)).

かくして、この実施例において、トランジスタQ7及び
Q8、外部抵抗REXTと基準電源20及び22は、トランジスタ
Q20のエミツタに充放電コンデンサCBと共に接続されて
当該充放電コンデンサCBの端子間電圧VCBを立ち下げる
放電電流源29(第1図)を構成する。
Thus, in this embodiment, transistors Q 7 and
Q 8 , external resistance R EXT and reference power supplies 20 and 22 are transistors
The emitter of Q 20 is connected with the charge-discharge capacitor C B to constitute the discharge current source 29 (FIG. 1) which lowers the terminal voltage V CB of the charge and discharge capacitor C B.

これに対しトランジスタQ20は、ウインド信号SWDの立ち
下がりのタイミングで充放電コンデンサCBに充電電流を
与え、充放電コンデンサCB、トランジスタQ6、Q8
Q21、Q22及びQ23、抵抗RE3、REXT、RC7及びRC8、基準電
源20及び22と共に、ウインド信号SWDの立ち下がりのタ
イミングを、時間tBだけ遅延させる第2のトランジスタ
回路30(第1図)を構成する。
On the other hand, the transistor Q 20 supplies the charging current to the charging / discharging capacitor C B at the timing of the fall of the window signal SWD , and the charging / discharging capacitor C B , the transistors Q 6 , Q 8 and
A second transistor that delays the falling timing of the window signal SWD by the time t B together with Q 21 , Q 22 and Q 23 , the resistors R E3 , R EXT , R C7 and R C8 , and the reference power supplies 20 and 22. It constitutes the circuit 30 (FIG. 1).

さらにトランジスタQ7、Q15、Q18、Q21、Q22及びQ23
抵抗RB5、RB6、RC7及びRC8と基準電源20及び22は、ウイ
ンド信号SWDに対して立ち上がりのタイミングが時間tB
だけ遅延した出力信号を出力するトランジスタ30及び反
転増幅回路31(第1図)を構成する。
Furthermore, transistors Q 7 , Q 15 , Q 18 , Q 21 , Q 22 and Q 23 ,
The resistors R B5 , R B6 , R C7 and R C8 and the reference power supplies 20 and 22 have a rising timing with respect to the window signal SWD at time t B.
A transistor 30 and an inverting amplifier circuit 31 (FIG. 1) for outputting an output signal delayed by only the above are constituted.

ところでこの実施例においては、全体を集積回路で構成
することにより、各トランジスタ間のばらつきを小さく
することができると共に、充放電コンデンサCA及びCB
の容量ばらつきを小さくすることができる。
By the way, in this embodiment, by forming the whole as an integrated circuit, it is possible to reduce the variation between the transistors and the capacitance variation between the charge / discharge capacitors C A and C B.

さらに、外部抵抗REXTで決まる電流IEXTを(3)式で示
すように、トランジスタQ5、Q6及びQ7で3等分し、充放
電コンデンサCA及びCBを等しい電流値で駆動することに
より、トランジスタQ20のエミツタ電圧VBを、トランジ
スタQ4のエミツタ電圧VAと等しい電圧減少率で減少させ
ることができる。
Further, the current I EXT determined by the external resistance R EXT is divided into three equal parts by the transistors Q 5 , Q 6 and Q 7 , as shown in the equation (3), and the charge / discharge capacitors C A and C B are driven with the same current value. By doing so, the emitter voltage V B of the transistor Q 20 can be reduced at a voltage reduction rate equal to the emitter voltage V A of the transistor Q 4 .

従つて、ウインド信号SWDの立ち上がりを時間tAだけ遅
延させた後、立ち下がりを時間tBだけ遅延させるにつ
き、時間tA及びtBを高い精度で一致させることができ、
かくして外部抵抗REXTの抵抗値を調整するだけで、遅延
時間tDを微分回路11の遅延時間と等しい値に設定するこ
とができる。
Therefore, after delaying the rising of the window signal SWD by the time t A and then delaying the falling by the time t B , the times t A and t B can be matched with high accuracy,
Thus, the delay time t D can be set to a value equal to the delay time of the differentiating circuit 11 only by adjusting the resistance value of the external resistor R EXT .

遅延回路13は、出力信号SDLをラツチ回路40のゲート信
号として出力する(第2図)。
The delay circuit 13 outputs the output signal S DL as the gate signal of the latch circuit 40 (FIG. 2).

これに対して比較回路41は、微分信号SDVが0レベルを
横切るタイミングで信号レベルが反転する比較出力信号
SCOM(第3図(E))をラツチ回路40に出力する。
On the other hand, the comparison circuit 41 outputs the comparison output signal whose signal level is inverted at the timing when the differential signal SDV crosses the 0 level.
Outputs S COM (Fig. 3 (E)) to the latch circuit 40.

実際上、再生信号SRFの信号レベルの立ち上がり及び立
ち下がりは、磁気デイスク上において、磁気ヘッドが磁
化の反転領域を走査するタイミングで得られる。
Actually, the rising and falling of the signal level of the reproduction signal S RF are obtained at the timing when the magnetic head scans the magnetization reversal region on the magnetic disk.

従つて、比較回路41において、微分信号SDVが0レベル
を横切るタイミングを検出すれば、微分回路11の遅延時
間tDの分だけ遅延して、磁気デイスク上の記録データに
応じて信号レベルが反転する比較信号SCOMが得られ、こ
れにより記録信号を復調することができる。
Therefore, when the comparison circuit 41 detects the timing at which the differential signal SDV crosses the 0 level, it is delayed by the delay time t D of the differential circuit 11 and the signal level changes according to the recording data on the magnetic disk. The inverted comparison signal S COM is obtained, which allows the recording signal to be demodulated.

ところが実際上微分信号SDVにおいては、再生信号SRF
信号レベルが0レベルを保持する期間の間、信号レベル
が0レベルに保持される期間T0が生じ、これにより当該
期間T0の間比較出力信号SCOMにエラーパルスPEが発生す
る問題がある。
In However practice differential signal S DV, during the period in which the reproduced signal S RF signal level is a 0 level, resulting a period T 0 the signal level is held at 0 level, thereby during the period T 0 There is a problem that the error pulse P E occurs in the comparison output signal S COM .

従つて、ラツチ回路40において、比較出力信号SCOMを出
力信号SDLでラツチすることにより、エラーパルスPE
混入を未然に防止した出力信号SOUT(第3図(F))を
得ることができ、これにより全体として簡易な構成で当
該磁気デイスク装置のエラーを有効に回避することがで
きる。
Therefore, in the latch circuit 40, the comparison output signal S COM is latched by the output signal S DL to obtain the output signal S OUT (FIG. 3 (F)) in which the mixing of the error pulse P E is prevented in advance. This makes it possible to effectively avoid an error in the magnetic disk device with a simple structure as a whole.

ところで第6図に示すように、このようにウインド信号
SWDの立ち上がりを遅延させた後、立ち下がりを遅延さ
せる場合において、ウインド信号SWD(第6図(A))
の信号レベルが立ち下がる期間TLが遅延時間TDよりも短
くなると、トランジスタQ4のエミツタ電圧VA(第6図
(B))がトランジスタQ11のベース電圧VR以下に立ち
下がらなくなり、その結果トランジスタQ20のベース電
圧VC4(第6図(C))が立ち下がつたままになり、出
力信号SDL(第6図(D))が論理「H」レベルに保持
されたままになる。
By the way, as shown in FIG.
After delaying the rise of the S WD, in the case of delaying the falling window signal S WD (FIG. 6 (A))
When the period T L during which the signal level of V falls becomes shorter than the delay time T D , the emitter voltage V A of the transistor Q 4 (Fig. 6 (B)) does not fall below the base voltage V R of the transistor Q 11 , and As a result, the base voltage V C4 (FIG. 6 (C)) of the transistor Q 20 continues to fall and the output signal S DL (FIG. 6 (D)) remains held at the logic “H” level. become.

ところが第7図に示すように、磁気デイスク装置におい
ては、再生信号SPB(第7図(A))の周期が短い場合
に、このようにウインド信号SWD(第7図(B))の信
号レベルが立ち下がる期間TLが遅延時間よりも短くな
り、この場合ほぼ正弦波状の微分信号SDV(第7図
(C))が得られる。
However, as shown in FIG. 7, in the magnetic disk device, when the reproduction signal SPB (FIG. 7 (A)) has a short cycle, the window signal SWD (FIG. 7 (B)) The period T L during which the signal level falls becomes shorter than the delay time, and in this case, a substantially sinusoidal differential signal S DV (FIG. 7 (C)) is obtained.

従つて、この場合比較回路41において、エラーパルスの
ない比較出力信号SCOM(第7図(D))が得られ、論理
「H」レベルの保持された出力信号SDL(第7図
(E))でラツチ回路40を駆動するようにしても、出力
信号SDLの論理レベルが反転する場合と同様の出力信号S
OUT(第7図(F))が得られる。
Therefore, in this case, in the comparison circuit 41, the comparison output signal S COM (FIG. 7 (D)) having no error pulse is obtained, and the output signal S DL (FIG. 7 (E) held at the logic “H” level is obtained. )) To drive the latch circuit 40, the same output signal S DL as when the logic level of the output signal S DL is inverted.
OUT (Fig. 7 (F)) is obtained.

かくしてこの実施例においては、エラーパルスPEが発生
してラツチ動作の必要なときだけ、遅延回路12から信号
レベルが反転する出力信号SDLが得られるようになされ
ている。
Thus, in this embodiment, the output signal S DL whose signal level is inverted is obtained from the delay circuit 12 only when the error pulse P E is generated and the latch operation is required.

以上の構成において、磁気ヘツドから得られる再生信号
SPBは、微分回路11で微分信号SDVに変換され、このとき
時間TDだけ遅延する。
In the above configuration, the reproduction signal obtained from the magnetic head
The S PB is converted into a differential signal S DV by the differentiating circuit 11, and is delayed by the time T D at this time.

さらに再生信号SPBは、ウインド回路12で比較結果が得
られ、これにより再生信号SPBの立ち上がり及び立ち下
がりで信号レベルが立ち上がるウインド信号SWDが得ら
れる。
Further reproduced signal S PB is the comparison result in the window circuit 12 is obtained, thereby window signal S WD whose signal level rises at the rise and fall of the reproduced signal S PB are obtained.

ウインド信号SWDは、その反転信号SIWDと共に遅延回路1
2に出力され、バツフア回路を介して、トランジスタQ4
に与えられる。
Window signal S WD is, the delay circuit 1 with the inverted signal S IWD
2 is output to the transistor Q 4 via the buffer circuit.
Given to.

これにより充放電コンデンサCAが駆動され、トランジス
タQ10を介して、ウインド信号SWDの立ち下がりを時間TA
だけ遅延させた出力信号(VC4)が得られ、当該出力信
号(VC4)の立ち下がり(すなわちウインド信号SWDの立
ち下がりに相当する)が、続くトランジスタ回路で時間
TBだけ遅延され、かくして微分回路11の遅延時間TD(TD
=TA=TB)だけウインド信号SWDを遅延させた出力信号S
DLが得られる。
As a result, the charging / discharging capacitor C A is driven, and the fall of the window signal SWD is passed through the transistor Q 10 at time T A
Delayed output signal was (V C4) is obtained, the fall of the output signal (V C4) (i.e. corresponding to the falling edge of the window signal S WD) is, time in the subsequent transistor circuit
It is delayed by T B , and thus the delay time T D (T D
= T A = T B ) Output signal S delayed from window signal SWD
DL is obtained.

これに対して微分信号SDVは、比較回路41に入力され、
これにより当該微分信号SDVが0レベルを横切るタイミ
ングで信号レベルが反転する比較出力信号SCOMが得ら
る。
On the other hand, the differential signal S DV is input to the comparison circuit 41,
As a result, the comparison output signal S COM whose signal level is inverted when the differential signal S DV crosses 0 level is obtained.

当該比較出力信号SCOMは、ラツチ回路40において、出力
信号SDLの論理レベルが論理「L」に立ち下がる期間の
間ラツチされ、これによりエラーパルスPEが除去され
る。
The comparison output signal S COM is latched in the latch circuit 40 during the period in which the logic level of the output signal S DL falls to the logic “L”, whereby the error pulse P E is removed.

以上の構成によれば、エミツタに接続した充放電コンデ
ンサの放電時間を利用して、ウインド信号SWDの立ち上
がりを遅延させた後、続いて立ち上がりを遅延させるよ
うにしたことにより、全体として簡易な構成で精度の高
い遅延時間を得ることができ、かくして簡易な構成でエ
ラーの発生を未然に防止することができる。
According to the above configuration, the discharge time of the charging / discharging capacitor connected to the emitter is used to delay the rising of the window signal SWD , and subsequently to delay the rising, thereby simplifying the overall operation. It is possible to obtain a highly accurate delay time with the configuration, and thus it is possible to prevent an error from occurring with a simple configuration.

なお上述の実施例においては、ウインド信号SWDの立ち
下がりを遅延させた後、立ち上がりを遅延させる場合に
ついて述べたが、本考案はこれに限らず、これとは逆に
立ち上がりを遅延させた後、立ち下がりを遅延させるよ
うにしてもよい。
In the above embodiment, the case where the rising edge is delayed after delaying the falling edge of the window signal SWD has been described, but the present invention is not limited to this, and conversely after delaying the rising edge. , The fall may be delayed.

さらに上述の実施例においては、充放電コンデンサに放
電電流源を接続すると共にトランジスタQ4、Q20で充電
電流を与える場合について述べたが、本考案はこれとは
逆に、充放電コンデンサに充電電流源を接続し、トラン
ジスタで放電電流を与えるようにしてもよい。
Further, in the above-mentioned embodiment, the case where the discharging current source is connected to the charging / discharging capacitor and the charging current is given by the transistors Q 4 and Q 20 has been described. A current source may be connected and a transistor may be used to supply the discharge current.

さらに上述の実施例においては、第1及び第2のトラン
ジスタ回路間に反転増幅回路を介挿した場合について述
べたが、本考案はこれに限らず、例えば第1及び第2の
トランジスタ回路をそれぞれNPN型及びPNP型のトランジ
スタ回路で構成し、反転増幅回路を省略するようにして
もよい。
Furthermore, in the above-described embodiment, the case where the inverting amplifier circuit is inserted between the first and second transistor circuits has been described, but the present invention is not limited to this, and for example, the first and second transistor circuits may be provided, respectively. It may be configured by NPN type and PNP type transistor circuits, and the inverting amplifier circuit may be omitted.

さらに上述の実施例においては、本考案を磁気ディスク
装置に適用した場合について述べたが、本考案はこれに
限らず、種々の電子回路に広く適用することができる。
Further, in the above-mentioned embodiments, the case where the present invention is applied to the magnetic disk device has been described, but the present invention is not limited to this and can be widely applied to various electronic circuits.

H 考案の効果 以上のように本考案によれば、第1のトランジスタのコ
レクタ及びエミツタ間に第1の充放電コンデンサを接続
し、かつ第1のトランジスタのエミツタと第1の充放電
コンデンサとの第1の接続点に第1の定電流回路を接続
することにより形成された第1の充放電回路と、ベース
が第1の接続点に接続された第2のトランジスタと、ベ
ースが基準電圧に接続された第3のトランジスタとで形
成される差動増幅回路構成の第1の電圧比較回路と、第
2のトランジスタのコレクタにベースが接続された第4
のトランジスタのコレクタ及びエミツタ間に第2の充放
電コンデンサを接続し、かつ第4のトランジスタのエミ
ツタと第2の充放電コンデンサとの第2の接続点に第2
の定電流回路を接続することにより形成された第2の充
放電回路と、ベースが第2の接続点に接続された第5の
トランジスタと、ベースが基準電圧に接続された第6の
トランジスタとで形成される差動増幅回路構成の第2の
電圧比較回路とで遅延回路を形成し、第1のトランジス
タのベースに供給される入力パルス信号の立ち下がりを
第1の充放電コンデンサの放電時間を利用して遅延させ
る一方、第2の充放電コンデンサの放電時間を利用して
入力パルス信号の立ち上がりを遅延させるようにしたこ
とにより、入力パルス信号の立ち上がり及び立ち下がり
を精度良く遅延させることができ、かくして簡易な構成
で精度の高い遅延時間を得ることのできる遅延回路を実
現できる。
As described above, according to the present invention, the first charge / discharge capacitor is connected between the collector and the emitter of the first transistor, and the emitter and the first charge / discharge capacitor of the first transistor are connected to each other. A first charge / discharge circuit formed by connecting a first constant current circuit to the first connection point, a second transistor having a base connected to the first connection point, and a base connected to a reference voltage. A first voltage comparison circuit having a differential amplifier circuit configuration formed by a connected third transistor, and a fourth voltage comparison circuit whose base is connected to the collector of the second transistor.
A second charging / discharging capacitor is connected between the collector and the emitter of the transistor, and a second connection point is formed between the emitter of the fourth transistor and the second charging / discharging capacitor.
A second charge / discharge circuit formed by connecting the constant current circuit, a fifth transistor having a base connected to the second connection point, and a sixth transistor having a base connected to a reference voltage. And a second voltage comparison circuit having a differential amplifier circuit configuration, which forms a delay circuit, and delays the fall of the input pulse signal supplied to the base of the first transistor to the discharge time of the first charge / discharge capacitor. By using the discharge time of the second charging / discharging capacitor to delay the rising edge of the input pulse signal, the rising edge and the falling edge of the input pulse signal can be accurately delayed. Therefore, it is possible to realize a delay circuit that can obtain a highly accurate delay time with a simple configuration.

【図面の簡単な説明】 第1図は本考案の一実施例による遅延回路の概略構成を
示すブロツク図、第2図は磁気デイスク装置の信号処理
回路を示すブロツク図、第3図その動作の説明に供する
信号波形図、第4図は遅延回路の具体的構成を示す接続
図、第5図〜第7図はその動作の説明に供する信号波形
図、第8図は従来の遅延回路を示すブロツク図、第9図
はその動作の説明に供する信号波形図、第10図は従来の
他の遅延回路を示すブロツク図、第11図はその動作の説
明に供する信号波形図である。 1、5、13……遅延回路、11……微分回路、12……ウイ
ンド回路、25、29……放電電流源、27、31……反転増幅
回路、CA、CB……充放電コンデンサ。
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of a delay circuit according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a block diagram showing a signal processing circuit of a magnetic disk device, and FIG. 3 its operation. FIG. 4 is a signal waveform diagram for explaining, FIG. 4 is a connection diagram showing a concrete configuration of the delay circuit, FIGS. 5 to 7 are signal waveform diagrams for explaining the operation thereof, and FIG. 8 is a conventional delay circuit. Block diagram, FIG. 9 is a signal waveform diagram for explaining the operation, FIG. 10 is a block diagram showing another conventional delay circuit, and FIG. 11 is a signal waveform diagram for explaining the operation. 1,5,13 ...... delay circuit, 11 ...... differentiating circuit, 12 ...... window circuit, 25, 29 ...... discharge current source, 27, 31 ...... inverting amplifier circuit, C A, C B ...... discharge capacitor .

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 【請求項1】第1のトランジスタのコレクタ及びエミツ
タ間に第1の充放電コンデンサを接続し、かつ上記第1
のトランジスタの上記エミツタと上記第1の充放電コン
デンサとの第1の接続点に第1の定電流回路を接続する
ことにより形成された第1の充放電回路と、 ベースが上記第1の接続点に接続された第2のトランジ
スタと、ベースが基準電圧に接続された第3のトランジ
スタとで形成される差動増幅回路構成の第1の電圧比較
回路と、 上記第2のトランジスタのコレクタにベースが接続され
た第4のトランジスタのコレクタ及びエミツタ間に第2
の充放電コンデンサを接続し、かつ上記第4のトランジ
スタの上記エミツタと上記第2の充放電コンデンサとの
第2の接続点に第2の定電流回路を接続することにより
形成された第2の充放電回路と、 ベースが上記第2の接続点に接続された第5のトランジ
スタと、ベースが基準電圧に接続された第6のトランジ
スタとで形成される差動増幅回路構成の第2の電圧比較
回路と を具え、上記第1のトランジスタのベースに供給される
入力パルス信号の立ち下がりを上記第1の充放電コンデ
ンサの放電時間を利用して遅延させる一方、上記第2の
充放電コンデンサの放電時間を利用して上記入力パルス
信号の立ち上がりを遅延させる ことを特徴とする遅延回路。
1. A first charging / discharging capacitor is connected between the collector and the emitter of the first transistor, and the first charging / discharging capacitor is connected.
First charging / discharging circuit formed by connecting a first constant current circuit to a first connection point between the emitter of the transistor and the first charging / discharging capacitor, and a base having the first connection. A first voltage comparison circuit having a differential amplifier circuit configuration including a second transistor connected to the point and a third transistor having a base connected to a reference voltage; and a collector of the second transistor. A second transistor is connected between the collector and the emitter of the fourth transistor whose base is connected.
And a second constant current circuit connected to the second connection point between the emitter of the fourth transistor and the second charge / discharge capacitor. A second voltage of a differential amplifier circuit configuration formed by a charge / discharge circuit, a fifth transistor whose base is connected to the second connection point, and a sixth transistor whose base is connected to a reference voltage. A comparator circuit for delaying the fall of the input pulse signal supplied to the base of the first transistor using the discharge time of the first charge / discharge capacitor, while A delay circuit characterized by delaying the rising edge of the input pulse signal by utilizing discharge time.
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