JPH07315988A - ダイヤモンド素子及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 大面積でかつ表面平滑性の高いダイヤモンド
層の上に電極が配置されたダイヤモンド素子を容易に再
現性良く作製する。 【構成】 板状のＳｉからなる基板素材３を準備する。
Ｓｉからなる基板素材３の上に、マイクロ波プラズマＣ
ＶＤ法を用いて多結晶ダイヤモンド層４を形成する。Ｓ
ｉからなる基板素材３の上に形成されたダイヤモンド層
４の全体を弗硝酸水溶液に浸すことにより、Ｓｉからな
る基板素材３の除去を行う。この工程により、基板素材
３と接していたダイヤモンド層４の第２の表面（基板素
材３の表面と同程度の平滑度を有する表面）４ｂが露出
する。この露出した第２の表面４ｂを基体表面とするこ
とにより、凹凸がほとんどなく表面平滑性に優れたダイ
ヤモンド層４を得る。ダイヤモンド層４の第２の表面４
ｂの上に、Ｔｉからなるオーミック電極５ａとＷからな
るショットキー電極５ｂとを平行に形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ダイヤモンド素子及び
その製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ワイドバンドギャップ半導体の性質を有
するダイヤモンドは、高温動作が可能な電子デバイス材
料として注目されている。また、表面弾性波（ＳＡＷ）
の伝搬速度が大きい等の性質を有するため、表面弾性波
（ＳＡＷ）素子の材料としても期待されている。このよ
うな用途に対して、人工的にダイヤモンドを形成するた
めの手法としては、比較的大面積でかつ様々な基板素材
上に形成可能な化学気相合成法（ＣＶＤ法）が主に用い
られている。ＣＶＤ法は原料となる気体を低圧下で分解
・反応させて膜を堆積するものであり、原料ガスに不純
物元素を含むガスを添加することにより、ドーピングも
可能である。この方法によると、基板素材として単結晶
ダイヤモンドや窒化ホウ素（ｃ−ＢＮ）を用いた場合、
成長表面が平滑な単結晶ダイヤモンド膜がホモ・エピタ
キシャル成長するが、それ以外の基板素材を用いた場合
には、成長表面に凹凸を有する多結晶膜しか得られてい
ないのが現状である。

【０００３】ＣＶＤ法によって得られた膜を用いてダイ
ヤモンド素子を作製した例としては、単結晶ダイヤモン
ドやシリコン等の基板素材上にｐ形の単結晶／多結晶ダ
イヤモンド膜を形成し、その成長表面上に電極を配置し
たショットキー・ダイオードや電界効果トランジスタ
（ＦＥＴ）などがある。また、シリコン基板上に形成さ
れた多結晶ダイヤモンド膜と圧電性の薄膜を組み合わせ
たＳＡＷフィルターも試作されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】前記したようにＣＶＤ
法によって形成されたダイヤモンド膜を用いて素子を作
製した例はあるが、いずれも膜の成長面側に電極が配置
された構造のものである。膜が単結晶膜の場合には、表
面が平滑であるために界面形成、電極形成は比較的容易
になされるが、基板素材として用いる単結晶ダイヤモン
ドやｃ−ＢＮは非常に高価であると共に、小さな面積の
ものしか形成することはできない。すなわち、工業的に
広く活用することは非常に困難であった。また、それ以
外の基板素材を用いた場合、ＣＶＤ法で得られるダイヤ
モンド膜は多結晶状であるが、その成長表面には個々の
結晶粒による凹凸が存在し、その制御も困難であった。
従って、多結晶ダイヤモンド膜を用いて素子を作製した
場合には、界面形成や電極形成が困難であったり、作製
した素子の特性にばらつきがあったりといった問題点が
あった。そのため、良好な特性を有するダイヤモンド素
子を形成するには、多結晶ダイヤモンド膜を形成した後
に、その成長表面を研磨処理して平滑化を行う必要があ
った。

【０００５】しかし、一般的にダイヤモンドは非常に硬
いため、機械的な研磨処理は困難である。また、ダイヤ
モンドは化学的にも安定な物質であるため、エッチング
などによる化学的な処理も困難である。従って、従来の
方法では、表面が平滑なダイヤモンド層の上に界面を形
成したり、電極を配置したダイヤモンド素子を大面積で
作製することは困難であった。

【０００６】本発明は、従来技術における前記課題を解
決するため、大面積でかつ表面平滑性の高いダイヤモン
ド層の上に電極が配置されたダイヤモンド素子及びその
製造方法を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係るダイヤモンド素子の構成は、基板素材
の上に形成したダイヤモンド層と電極とを備えたダイヤ
モンド素子であって、前記ダイヤモンド層の面のうち前
記基板素材と接していた側の面上に前記電極を配置した
ことを特徴とする。

【０００８】また、前記本発明の構成においては、基板
素材が導電性を有し、電極が基板素材からなるのが好ま
しい。また、本発明に係るダイヤモンド素子の第１の製
造方法は、所定の平滑度を有する基板素材の表面上にダ
イヤモンド層を形成し、次いで、前記基板素材の所定の
領域を除去した後に、前記ダイヤモンド層の面のうち前
記基板素材と接していた側の面上に電極を形成するもの
である。

【０００９】また、本発明に係るダイヤモンド素子の第
２の製造方法は、所定の平滑度を有する導電性の基板素
材の表面上にダイヤモンド層を形成し、次いで、前記基
板素材に電極パターンを形成した後に、前記電極パター
ンを残して前記基板素材の所定の領域を除去するもので
ある。

【００１０】また、前記本発明方法の第２の構成におい
ては、基板素材が金属からなるのが好ましい。また、前
記本発明方法の第１又は第２の構成においては、基板素
材の所定の領域を除去する前に、ダイヤモンド層の上に
支持体層を形成するのが好ましく、この場合にはさら
に、支持体層がダイヤモンドを主成分とする層であるの
が好ましい。

【００１１】また、前記本発明方法の第１又は第２の構
成においては、支持体層を形成する前に、ダイヤモンド
層の上に薄膜を形成するのが好ましく、この場合にはさ
らに、支持体層がダイヤモンドを主成分とする層である
のが好ましい。また、この場合には、薄膜が絶縁性の薄
膜であるのが好ましい。

【００１２】また、前記本発明方法の第１又は第２の構
成においては、基板素材の所定の領域を除去する際に、
同時に前記基板素材とダイヤモンド層との界面領域をも
除去するのが好ましい。

【００１３】また、前記本発明方法の第１又は第２の構
成においては、基板素材の所定の領域を除去した後に、
ダイヤモンド層のうち基板素材と接していた側の面の表
層領域を除去するのが好ましい。

【００１４】

【作用】基板素材の表面上に形成される多結晶ダイヤモ
ンド層の表面（成長面：以下「第１の表面」という）に
は、凹凸が存在する。一方、基板素材と接する面（以下
「第２の表面」という）は、用いられた基板素材の表面
と同程度の平滑度を有している。このため、ＣＶＤ法な
どの方法によって基板素材の表面上にダイヤモンド層を
形成した後に、基板素材の所定の領域を除去することに
より、表面平滑性の高い第２の表面を得ることができ
る。従って、前記本発明の構成によれば、ダイヤモンド
層の面のうち基板素材と接していた側の面（第２の表
面）の上に電極を配置するようにしたので、良好な特性
を有するダイヤモンド素子を実現することができる。

【００１５】また、前記本発明の構成において、基板素
材が導電性を有し、電極が基板素材からなるという好ま
しい構成によれば、新たに電極を形成する必要がないの
で、良好な特性を有するダイヤモンド素子を容易に実現
することができる。

【００１６】また、前記本発明方法の第１の構成によれ
ば、所定の平滑度を有する基板素材の表面上にダイヤモ
ンド層を形成し、次いで、前記基板素材の所定の領域を
除去した後に、前記ダイヤモンド層の面のうち前記基板
素材と接していた側の面上に電極を形成するようにした
ので、基板素材の表面と同程度の平滑度を有するダイヤ
モンドの表面上に電極を備えたダイヤモンド素子を容易
に再現性良く作製することができる。

【００１７】また、前記本発明方法の第２の構成によれ
ば、所定の平滑度を有する導電性の基板素材の表面上に
ダイヤモンド層を形成し、次いで、前記基板素材に電極
パターンを形成した後に、前記電極パターンを残して前
記基板素材の所定の領域を除去するようにしたので、新
たに電極を形成する工程を導入することなく、平滑性の
高いダイヤモンドの表面上に電極を配置することができ
る。

【００１８】また、前記本発明方法の第１又は第２の構
成において、基板素材の所定の領域を除去する前に、ダ
イヤモンド層の上に支持体層を形成するという好ましい
構成によれば、基板強度の大きなダイヤモンド素子を作
製することができる。この場合、さらに、支持体層がダ
イヤモンドを主成分とする層であるという好ましい構成
によれば、ダイヤモンドのみあるいは大部分がダイヤモ
ンドで構成された高品質なダイヤモンド素子を実現する
ことができる。

【００１９】また、前記本発明方法の第１又は第２の構
成において、支持体層を形成する前に、ダイヤモンド層
の上に薄膜を形成するという好ましい構成によれば、ダ
イヤモンド層と支持体層との接着強度を高めることがで
きる。この場合、さらに、支持体層がダイヤモンドを主
成分とする層であるという好ましい構成によれば、ダイ
ヤモンドのみあるいは大部分がダイヤモンドで構成され
た高品質なダイヤモンド素子を実現することができる。
また、この場合、薄膜が絶縁性の薄膜であるという好ま
しい構成によれば、ダイヤモンド層と支持体層とを電気
的に分離することができるので、使用できる支持体層の
選択性を広めることが可能となる。

【００２０】また、前記本発明方法の第１又は第２の構
成において、基板素材の所定の領域を除去する際に、同
時に前記基板素材とダイヤモンド層との界面領域をも除
去するという好ましい構成によれば、基板素材とダイヤ
モンド層との間に界面層が存在した場合においても、そ
の影響を除外することができる。

【００２１】また、前記本発明方法の第１又は第２の構
成において、基板素材の所定の領域を除去した後に、ダ
イヤモンド層のうち基板素材と接していた側の面の表層
領域を除去するという好ましい構成によれば、基板素材
とダイヤモンド層との間に界面層が存在した場合におい
ても、その影響を除外することができる。

【００２２】

【実施例】以下、実施例を用いて本発明をさらに具体的
に説明する。図１は本発明に係るダイヤモンド素子の一
実施例を示す模式図である。ここでは、代表例として３
つの電極パターン（ａ）、（ｂ）、（ｃ）を挙げてい
る。

【００２３】図１（ａ）の構造は、ＣＶＤ法等の方法に
よって形成されたダイヤモンド層１の第２の表面１ｂの
上に２つの平行な電極２を配置したものである。また、
図１（ｂ）の構造は、同心円状の２つの電極２を配置し
たものであり、図１（ｃ）の構造は、櫛形のインターデ
ィジタルトランスデュサー（ＩＤＴ）電極２を配置した
ものである。

【００２４】尚、図１においては、ダイヤモンド層１の
形成時に用いた基板素材を全て除去したものとなってい
るが、電極を形成する領域以外の部分は残しておいても
よい。

【００２５】ダイヤモンド層１の第２の表面１ｂの上に
形成される電極２の材質は特に限定されるものではない
が、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン
（Ｍｏ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）などが主
に用いられる。また、複数個の電極を形成する場合に
は、全て同じ材質のものを用いてもよいし、異なる材質
のものが混在していてもよい。

【００２６】また、導電性の基板素材を用いてダイヤモ
ンド層１を形成すれば、所定の電極構造の形状が残るよ
うに基板素材を除去することにより、電極を形成する工
程を新たに導入する必要がなくなる。

【００２７】また、図１においては、電極２の全てが直
接ダイヤモンド層１に接して配置されているが、必ずし
もこの構成に限定されるものではなく、一部の電極はダ
イヤモンド層１の第２の表面１ｂの上に堆積された膜を
介して配置してもよい。

【００２８】また、ダイヤモンド層１の構造は単層でも
よいし、タイプの異なるダイヤモンドを積層してもよ
い。言い換えれば、絶縁性のダイヤモンド層１や不純物
を添加した伝導性のダイヤモンド層１のみで構成しても
よいし、それらを積層したものであってもよい。

【００２９】以上のように電極２の形状として３つのパ
ターンを示したが、パターン形状やサイズ、数などは作
製する素子に合わせて任意に決定することができる。い
ずれの場合にも、電極の材質等については上記したもの
と同様である。また、ダイヤモンド素子の構造として
は、図１に示したようなダイヤモンド層１の第２の表面
１ｂの上に電極２を配置するだけでよいものもあるが、
配置された電極２の上に保護膜や圧電性の膜を形成して
素子を作製してもよい。また、使用する基板素材の材質
によっては、基板素材とダイヤモンド層１との間に界面
層が存在し、基板素材の除去のみではダイヤモンド層１
の第２の表面１ｂの上に残留する場合が起こり得るが、
その場合には基板素材を除去する際に、同時に基板素材
とダイヤモンド層１との界面領域を除去するか、あるい
は基板素材の所定の領域を除去した後に、ダイヤモンド
層のうち基板素材と接していた側の面の表層領域を除去
することにより、界面層の影響を取り除くことができ
る。尚、除去領域の厚さの上限は１μｍ程度である。

【００３０】以下、上記のような構成を有するダイヤモ
ンド素子の製造方法について説明する。 ＜第１の実施例＞図２は本発明に係るダイヤモンド素子
の製造方法の第１の実施例を示す工程図である。

【００３１】まず、工程（ａ）において、ダイヤモンド
層４を形成させるための所定の平滑度を有する基板素材
３を準備する。基板素材３としては、ダイヤモンド層４
を形成可能なものであれば、いかなるものを用いてもよ
い。しかし、後工程で基板素材３の所定の領域を除去す
ることを考慮すると、シリコン又は金属であるのが好ま
しい。また、ダイヤモンド層４を容易に堆積させるため
に、基板素材３の前処理として、超音波処理（ダイヤモ
ンド砥粒を含んだ溶液中に基板素材３を浸し、超音波を
印加する処理）を行ってもよい。

【００３２】次いで、工程（ｂ）において、基板素材３
の表面上に、所定の膜厚のダイヤモンド層４を形成す
る。ダイヤモンド層４の形成方法としては、いかなる方
法であってもよいが、容易に大面積化を図ることができ
る点でマイクロ波プラズマＣＶＤ法などの気相合成法で
あるのが好ましい。また、形成されるべきダイヤモンド
層４の膜厚は、応用される用途によって異なるが、数十
μｍ〜数百μｍ程度である。また、ダイヤモンド層４と
しては、絶縁性のものでもよいし、形成時に不純物元素
を添加してｐ形あるいはｎ形にした導電性のものでもよ
い。また、それらを積層したものでもよい。

【００３３】次いで、工程（ｃ）において、基板素材３
の所定の領域を除去する。これにより、基板素材３に接
していたダイヤモンド層４の平滑性の高い第２の表面４
ｂが露出する。図２においては、基板素材３の全体を除
去した場合を示しているが、電極５ａ、５ｂを形成する
部分のみを除去してもよい。基板素材３を除去する方法
としては、酸などの薬品によるエッチングや機械的な研
磨処理等を挙げることができる。

【００３４】次いで、工程（ｄ）において、この露出し
たダイヤモンド層４の第２の表面４ｂを基体表面とする
ことにより、平滑性の高い表面を得ることができる。
尚、基体表面に界面層が存在し、悪影響を及ぼす虞れが
ある場合には、前記したような除去工程を導入してもよ
い。

【００３５】最後に、工程（ｅ）において、第２の表面
４ｂの上に、所定の形状及びサイズを有する電極５ａ、
５ｂを所定の位置に形成することにより、ダイヤモンド
素子１１を作製する。このようにダイヤモンド層４の面
のうち基板素材３と接していた側の第２の表面（基板素
材３の表面と同程度の平滑度を有する表面）４ｂの上に
電極５ａ、５ｂを配置するようにしたので、良好な特性
を有するダイヤモンド素子１１を実現することができ
る。また、この場合、電極５ａ、５ｂに用いる材料を選
択することにより、オーミック電極あるいはショットキ
ー電極のいずれをも形成することができる。

【００３６】以下に、上記第１の実施例の工程に基づい
て行った具体的な実験例を示す。 （実験例１）まず、工程（ａ）において、２０ｍｍ×２
０ｍｍ×０．５ｍｍの板状のシリコン（Ｓｉ）からなる
基板素材３を準備した。ダイヤモンド層４の形成を容易
にするために、Ｓｉからなる基板素材３は超音波処理に
よる前処理を施したものを用いた。

【００３７】次いで、工程（ｂ）において、Ｓｉからな
る基板素材３の上に多結晶ダイヤモンド層４を形成し
た。多結晶ダイヤモンド層４を形成する方法としては、
マイクロ波プラズマＣＶＤ法を用いた。この方法は、原
料ガスにマイクロ波を印加することによってプラズマを
生成させることにより、ダイヤモンドを形成するもので
ある。原料ガスとしては、水素で２〜１０％程度に希釈
された一酸化炭素ガスにジボランを添加したものを用い
た。形成されたダイヤモンド層４はｐ形であり、その膜
厚は２００μｍであった。得られたダイヤモンド層４の
第１の表面（成長面）４ａを観察したところ、数μｍ程
度の凹凸が存在していた。

【００３８】次いで、工程（ｃ）において、Ｓｉからな
る基板素材３の上に形成されたダイヤモンド層４の全体
を弗硝酸水溶液に浸すことにより、Ｓｉからなる基板素
材３の除去を行った。この工程により、基板素材３と接
していたダイヤモンド層４の第２の表面（基板素材３の
表面と同程度の平滑度を有する表面）４ｂが露出した。

【００３９】次いで、工程（ｄ）において、この露出し
た第２の表面４ｂを基体表面とすることにより、凹凸が
ほとんどなく表面平滑性に優れたダイヤモンド層４を得
ることができた。

【００４０】最後に、工程（ｅ）において、ダイヤモン
ド層４の第２の表面４ｂの上に、チタン（Ｔｉ）からな
るオーミック電極５ａとタングステン（Ｗ）からなるシ
ョットキー電極５ｂとを平行に形成した。その結果、良
好なショットキー特性を有するショットーキーダイオー
ドを作製することができた。

【００４１】尚、本実験例１においては、Ｓｉからなる
基板素材３を用いているが、必ずしもこれに限定される
ものではなく、他の材料からなる基板素材を用いても同
様の結果を得ることができた。

【００４２】また、本実験例１においては、マイクロ波
プラズマＣＶＤ法を用いてダイヤモンド層４を形成して
いるが、他のＣＶＤ法でダイヤモンド層４を形成した場
合であっても同様の結果を得ることができた。

【００４３】＜第２の実施例＞図３は本発明に係るダイ
ヤモンド素子の製造方法の第２の実施例を示す工程図で
ある。

【００４４】まず、工程（ａ）において、ダイヤモンド
層４を形成させるための所定の平滑度を有する基板素材
３を準備する。次いで、工程（ｂ）において、基板素材
３の上に、所定の膜厚を有するダイヤモンド層４を形成
する。

【００４５】次いで、工程（ｃ）において、ダイヤモン
ド層４の第１の表面（成長面）４ａの上に支持体層６を
形成する。ダイヤモンド層４の上に形成される支持体層
６は、ダイヤモンド層４の強度を確保する観点から、硬
質のものであるのが望ましい。また、実際上ある程度の
厚さが必要であることから、堆積レートが大きい形成方
法及び材質を選択する必要がある。このため、支持体層
６は、ダイヤモンド膜を燃焼炎法によって形成したもの
であるのが好ましい。また、支持体層６の形成方法とし
ては、上記のような堆積の代わりに、接着剤を介して支
持体を接着する方法を用いてもよい。

【００４６】次いで、工程（ｄ）において、基板素材３
の所定の領域を除去する。これにより、基板素材３に接
していたダイヤモンド層４の平滑性の高い第２の表面４
ｂが露出する。

【００４７】次いで、工程（ｅ）において、この露出し
たダイヤモンド層４の第２の表面４ｂを基体表面とする
ことにより、平滑性の高い表面を得ることができる。最
後に、工程（ｆ）において、第２の表面４ｂの上に、所
定の形状及びサイズを有する電極５ａ、５ｂを所定の位
置に形成することにより、ダイヤモンド素子１２を作製
する。また、前記工程（ｃ）において、ダイヤモンド層
４の第１の表面４ａの上に支持体層６を形成したので、
基板強度の大きなダイヤモンド素子を作製することがで
きる。

【００４８】尚、この第２の実施例において用いられる
基板素材３の材質及び除去方法、ダイヤモンド層４の構
成及び形成方法、電極５ａ、５ｂの材質等は、前記第１
の実施例の場合と同様であるので、その説明は省略す
る。

【００４９】以下に、上記第２の実施例の工程に基づい
て行った具体的な実験例を示す。 （実験例２−１）まず、工程（ａ）において、２０ｍｍ
×２０ｍｍ×０．５ｍｍのシリコン（Ｓｉ）からなる基
板素材３を準備した。

【００５０】次いで、工程（ｂ）において、Ｓｉからな
る基板素材３の上に絶縁性の多結晶ダイヤモンド層４を
形成した。ダイヤモンド層４の形成方法としては、上記
実験例１の場合と同様にマイクロ波プラズマＣＶＤ法を
用いた。原料ガスとしては、水素で２〜１０％程度に希
釈された一酸化炭素ガスにジボランを添加しないものを
用いた。形成されたダイヤモンド層４の膜厚は５０μｍ
であった。

【００５１】次いで、工程（ｃ）において、ダイヤモン
ド層４の第１の表面（成長面）４ａに、ダイヤモンド膜
を燃焼炎法によって形成することにより、支持体層６と
なるダイヤモンド層を形成した。燃焼炎法は、マイクロ
波プラズマＣＶＤ法と比較して、形成される膜質が若干
劣ることやドーピングが困難であるなどの欠点を有する
が、大気圧中でダイヤモンドを合成することができ、堆
積速度が早いという点で有用である。本実験例２におい
ては、酸素とアセチレンがほぼ１：１の混合比の反応ガ
スを用いて５００μｍの厚さの支持体層６を形成した。

【００５２】次いで、工程（ｄ）において、基板素材３
の上に形成されたダイヤモンド層４及び支持体層６の全
体を弗硝酸水溶液に浸すことにより、Ｓｉからなる基板
素材３の除去を行った。この工程により、Ｓｉからなる
基板素材３と接していたダイヤモンド層４の第２の表面
（基板素材３の表面と同程度の平滑度を有する表面）４
ｂが露出した。

【００５３】次いで、工程（ｅ）において、この露出し
た第２の表面４ｂを基体表面とすることにより、基体強
度が大きく、かつ、凹凸がほとんどなく表面平滑性に優
れたダイヤモンド層４を得ることができた。

【００５４】最後に、工程（ｆ）において、ダイヤモン
ド層４の第２の表面４ｂの上に、アルミニウム（Ａｌ）
からなるＩＤＴ電極パターン５ａ、５ｂを形成した後、
その上に圧電性の膜を堆積することにより、良好な特性
を有する表面弾性波（ＳＡＷ）フィルターを作製するこ
とができた。

【００５５】尚、本実験例２−１においては、Ｓｉから
なる基板素材３を用いているが、必ずしもこれに限定さ
れるものではなく、他の材料からなる基板素材を用いて
も同様の結果を得ることができた。

【００５６】また、本実験例２−１においては、マイク
ロ波プラズマＣＶＤ法を用いてダイヤモンド層４を形成
しているが、他のＣＶＤ法でダイヤモンド層４を形成し
た場合であっても同様の結果を得ることができた。

【００５７】（実験例２−２）まず、工程（ａ）におい
て、２０ｍｍ×２０ｍｍ×０．５ｍｍのシリコン（Ｓ
ｉ）からなる基板素材３を準備した。

【００５８】次いで、工程（ｂ）において、Ｓｉからな
る基板素材３の上にｐ形の多結晶ダイヤモンド層４を形
成した。ダイヤモンド層４の形成方法としては、上記実
験例１の場合と同様にマイクロ波プラズマＣＶＤ法を用
いた。原料ガスとしては、上記実験例１の場合と同様に
水素で２〜１０％程度に希釈された一酸化炭素ガスにジ
ボランを添加したものを用いた。形成されたダイヤモン
ド層４の膜厚は５０μｍであった。

【００５９】次いで、工程（ｃ）において、ダイヤモン
ド層４の第１の表面（成長面）４ａに支持体層を堆積す
る代わりに、アルミナからなる支持体６を接着した。接
着剤としては、セラミック系の接着剤を用いた。

【００６０】次いで、工程（ｄ）において、基板素材３
の上に形成されたダイヤモンド層４及び支持体６の全体
を弗硝酸水溶液に浸すことにより、Ｓｉからなる基板素
材３の除去を行った。この工程により、Ｓｉからなる基
板素材３と接していたダイヤモンド層４の第２の表面
（基板素材３の表面と同程度の平滑度を有する表面４
ｂ）が露出した。

【００６１】次いで、工程（ｅ）において、この露出し
た第２の表面４ｂを基体表面とすることにより、基体強
度が大きく、かつ、凹凸がほとんどなく表面平滑性に優
れたダイヤモンド層４を得ることができた。

【００６２】最後に、工程（ｆ）において、ダイヤモン
ド層４の第２の表面４ｂの上に、チタン（Ｔｉ）からな
るオーミック電極５ａとタングステン（Ｗ）からなるシ
ョットキー電極５ｂとを平行に形成した。その結果、良
好なショットキー特性を有するショットーキーダイオー
ドを作製することができた。

【００６３】＜第３の実施例＞図４は本発明に係るダイ
ヤモンド素子の製造方法の第３の実施例を示す工程図で
ある。

【００６４】まず、工程（ａ）において、ダイヤモンド
層４を形成させるための所定の平滑度を有する基板素材
３を準備する。次いで、工程（ｂ）において、基板素材
３の上に、所定の膜厚を有するダイヤモンド層４を形成
する。

【００６５】次いで、工程（ｃ）において、ダイヤモン
ド層４の第１の表面（成長面）４ａの上に薄膜７を形成
する。次いで、工程（ｄ）において、薄膜７の成長表面
上に支持体層６を形成する。このようにダイヤモンド層
４の第１の表面４ａに支持体層６を形成する前に、前記
工程（ｃ）において第１の表面４ａの上に薄膜７を形成
したので、ダイヤモンド層４と支持体層６との接着強度
を高めることができる。

【００６６】次いで、工程（ｅ）において、基板素材３
の所定の領域を除去する。これにより、基板素材３に接
していたダイヤモンド層４の平滑性の高い第２の表面４
ｂが露出する。

【００６７】次いで、工程（ｆ）において、この露出し
たダイヤモンド層４の第２の表面４ｂを基体表面とする
ことにより、平滑性の高い表面を得ることができる。最
後に、工程（ｇ）において、第２の表面４ｂの上に、所
定の形状及びサイズを有する電極５ａ、５ｂを所定の位
置に形成することにより、ダイヤモンド素子１３を得る
ことができる。また、前記工程（ｃ）において、ダイヤ
モンド層４の第１の表面４ａの上に薄膜７を介して支持
体６を接着したので、基板強度の大きなダイヤモンド素
子１３を作製することができる。

【００６８】尚、ダイヤモンド層４の上に堆積される薄
膜７は、支持体層６とダイヤモンド層４の接着強度を高
める目的だけでなく、支持体層６が導電性の物質の場合
のダイヤモンド層４と支持体層６との電気的な分離のた
めにも用いられる。従って、薄膜７としては、酸化珪素
膜や窒化珪素膜等の絶縁性の高い膜を用いるのが好まし
い。

【００６９】また、この第３の実施例において用いられ
る基板素材３の材質及び除去方法、支持体６の材質、ダ
イヤモンド層４の構成及び形成方法、電極５ａ、５ｂの
材質等は、前記第１及び第２の実施例の場合と同様であ
るので、その説明は省略する。

【００７０】以下に、上記第３の実施例の工程に基づい
て行った具体的な実験例を示す。 （実験例３）まず、工程（ａ）において、２０ｍｍ×２
０ｍｍ×０．５ｍｍのシリコン（Ｓｉ）からなる基板素
材３を準備した。

【００７１】次いで、工程（ｂ）において、Ｓｉからな
る基板素材３の上にｐ形の多結晶ダイヤモンド層４を形
成した。ダイヤモンド層４の形成方法としては、上記実
験例１の場合と同様にマイクロ波プラズマＣＶＤ法を用
いた。原料ガスとしては、上記実験例１の場合と同様に
水素で２〜１０％程度に希釈された一酸化炭素ガスにジ
ボランを添加したものを用いた。形成されたダイヤモン
ド層４の膜厚は１００μｍであった。

【００７２】次いで、工程（ｃ）において、ダイヤモン
ド層４を形成した後に、続けて膜厚１０μｍ程度の酸化
珪素からなる薄膜７を堆積させ、ダイヤモンド層４と支
持体層６との間を電気的に絶縁した。この工程（ｃ）を
導入することにより、使用できる支持体層６の選択性を
広めることが可能となった。

【００７３】次いで、工程（ｄ）において、接着剤を用
いて酸化珪素からなる薄膜７の成長表面にモリブデン
（Ｍｏ）からなる支持体６を接着した。次いで、工程
（ｅ）において、Ｓｉからなる基板素材３の除去を行っ
た。この工程により、基板素材３と接していたダイヤモ
ンド層４の第２の表面（基板素材３の表面と同程度の平
滑度を有する表面）４ｂが露出した。

【００７４】次いで、工程（ｆ）において、この露出し
た第２の表面４ｂを基体表面とすることにより、支持体
層６との電気絶縁性が保たれ、かつ、凹凸がほとんどな
く表面平滑性に優れたダイヤモンド層４を得ることがで
きた最後に、工程（ｇ）において、ダイヤモンド層４の
第２の表面４ｂの上に、チタン（Ｔｉ）からなるオーミ
ック電極５ａとタングステン（Ｗ）からなるショットキ
ー電極５ｂとを平行に形成した。その結果、良好なショ
ットキー特性を有するショットーキーダイオードを作製
することができた。

【００７５】尚、薄膜７として窒化珪素膜を用いた場合
やダイヤモンド層４としてｎ形の特性を有するものを形
成した場合でも、同様の結果を得ることができた。 ＜第４の実施例＞図５は本発明に係るダイヤモンド素子
の製造方法の第４の実施例を示す工程図である。

【００７６】まず、工程（ａ）において、ダイヤモンド
層４を形成させるための所定の平滑度を有する導電性の
基板素材８を準備する。導電性の基板素材８としては、
主に金属や低抵抗のシリコンなどが好ましい。

【００７７】次いで、工程（ｂ）において、導電性の基
板素材８の上に、所定の膜厚を有するダイヤモンド層４
を形成する。次いで、工程（ｃ）において、導電性の基
板素材８の所定の領域を除去して、電極となる領域のみ
を残す。これにより、電極となる部分以外においては、
導電性の基板素材８に接していたダイヤモンド層４の平
滑性の高い第２の表面４ｂが露出する。導電性の基板素
材８に電極パターンを形成する方法としては、リソグラ
フィー技術等を用いて選択的なエッチング処理を行えば
よい。

【００７８】最後に、工程（ｄ）において、この露出し
たダイヤモンド層４の第２の表面４ｂを表面とすること
により、平滑性の高い表面を得ることができると共に、
所定の形状及びサイズの電極９ａ、９ｂを所定の位置に
備えたダイヤモンド素子１４を得ることができる。この
ように、所定の平滑度を有する導電性の基板素材８の表
面上にダイヤモンド層４を形成し、次いで、基板素材８
に電極パターンを形成した後に、電極パターンを残して
基板素材８の所定の領域を除去するようにしたので、新
たに電極を形成する工程を導入することなく、平滑性の
高いダイヤモンド層４の表面上に電極を配置することが
できる。そして、使用する基板素材８の材料を選択する
ことにより、オーミック電極あるいはショットキー電極
のいずれも形成することができる。また、このような工
程によって形成した電極９ａ、９ｂに加えて、露出した
ダイヤモンド層４の第２の表面４ｂの上に新たに電極等
を形成することによって様々なタイプのダイヤモンド素
子を作製することができる。

【００７９】以下に、上記第４の実施例の工程に基づい
て行った具体的な実験例を示す。 （実験例４）まず、工程（ａ）において、２０ｍｍ×２
０ｍｍ×０．５ｍｍのチタン（Ｔｉ）からなる基板素材
８を準備した。ダイヤモンド層の形成を容易にするため
に、Ｔｉからなる基板素材８は超音波処理による前処理
を施したものを用いた。

【００８０】次いで、工程（ｂ）において、Ｔｉからな
る基板素材８の上にｐ形の多結晶ダイヤモンド層４を形
成した。ダイヤモンド層４の形成方法としては、上記実
験例１の場合と同様にマイクロ波プラズマＣＶＤ法を用
いた。原料ガスとしては、上記実験例１の場合と同様に
水素で２〜１０％程度に希釈された一酸化炭素ガスにジ
ボランを添加したものを用いた。形成されたダイヤモン
ド層の膜厚は２００μｍであった。

【００８１】次いで、工程（ｃ）において、Ｔｉからな
る基板素材８の裏面に電極パターンを形成し、選択的に
エッチング処理を施すことによって電極部分となる領域
以外のＴｉからなる基板素材８を除去した。この工程に
より、電極部分以外の箇所においては、Ｔｉからなる基
板素材８と接していたダイヤモンド層４の第２の表面
（基板素材８の表面と同程度の平滑度を有する表面）４
ｂが露出した。

【００８２】次いで、工程（ｄ）において、この露出し
た第２の表面４ｂを基体表面とすることにより、所望の
Ｔｉ電極９ａ、９ｂを有し、かつ、電極部以外では凹凸
がほとんどなく表面平滑性に優れたダイヤモンド素子１
４を作製することができた。

【００８３】尚、本実験例５においては、基板素材８と
してチタン（Ｔｉ）からなるものを用いているが、必ず
しもこれに限定されるものではなく、例えば、低抵抗シ
リコンなどからなる基板素材を用いても同様の結果を得
ることができた。

【００８４】また、本実験例５においては、ダイヤモン
ド層４の形成方法としてマイクロ波プラズマＣＶＤ法を
用いているが、必ずしもこの方法に限定されるものでは
なく、他のＣＶＤ法を用いてダイヤモンド層４を形成し
た場合であっても同様の結果を得ることができた。

【００８５】＜第５の実施例＞図６は本発明に係るダイ
ヤモンド素子の製造方法の第５の実施例を示す工程図で
ある。

【００８６】まず、工程（ａ）において、ダイヤモンド
層４を形成させるための所定の平滑度を有する導電性の
基板素材８を準備する。次いで、工程（ｂ）において、
導電性の基板素材８の上に、所定の膜厚を有するダイヤ
モンド層４を形成する。

【００８７】次いで、工程（ｃ）において、ダイヤモン
ド層４の第１の表面（成長面）４ａの上に支持体層６を
形成する。次いで、工程（ｄ）において、導電性の基板
素材８の所定の領域を除去して、電極となる領域のみを
残す。これにより、電極となる部分以外においては、導
電性の基板素材８に接していたダイヤモンド層４の平滑
性の高い第２の表面４ｂが露出する。

【００８８】最後に、工程（ｅ）において、この露出し
たダイヤモンド層４の第２の表面４ｂを表面とすること
により、平滑性の高い表面を得ることができると共に、
所定の形状及びサイズの電極９ａ、９ｂを所定の位置に
備えたダイヤモンド素子１５を得ることができる。

【００８９】尚、この第５の実施例において用いられる
導電性の基板素材８の材質及び除去方法、ダイヤモンド
層４の構成及び形成方法等は、前記第１の実施例及び第
４の実施例の場合と同様であるので、その説明は省略す
る。

【００９０】以下に、上記第５の実施例の工程に基づい
て行った具体的な実験例を示す。 （実験例５−１）まず、工程（ａ）において、２０ｍｍ
×２０ｍｍ×０．５ｍｍのチタン（Ｔｉ）からなる基板
素材８を準備した。

【００９１】次いで、工程（ｂ）において、Ｔｉからな
る基板素材８の上に多結晶ダイヤモンド層４を形成し
た。ダイヤモンド層４の形成方法としては、有磁場マイ
クロ波プラズマＣＶＤ法を用いた。この方法は、原料ガ
スに磁場とマイクロ波を印加することによって高密度な
プラズマを生成させることにより、ダイヤモンドを形成
するものである。原料ガスとしては、水素で２〜１０％
程度に希釈されたアルコールを用いた。形成されたダイ
ヤモンド層４の膜厚は５０μｍであった。

【００９２】次いで、工程（ｃ）において、ダイヤモン
ド層４の第１の表面（成長面）４ａに、ダイヤモンド膜
を燃焼炎法によって形成することにより、５００μｍ程
度の厚さの支持体層６となるダイヤモンド層を形成し
た。

【００９３】次いで、工程（ｄ）において、Ｔｉからな
る基板素材８の裏面にＩＤＴ電極パターンを形成し、電
極部分となる領域以外のＴｉからなる基板素材８を除去
した。この工程により、電極部分以外の箇所ではＴｉか
らなる基板素材８と接していたダイヤモンド層４の第２
の表面（基板素材８の表面と同程度の平滑度を有する表
面）４ｂが露出した。

【００９４】最後に、工程（ｅ）において、この露出し
た第２の表面４ｂを基体表面とすることにより、所望の
Ｔｉ電極９ａ、９ｂを有し、かつ、電極部分以外では凹
凸がほとんどなく表面平滑性に優れたダイヤモンド素子
１５を作製することができた。

【００９５】（実験例５−２）まず、工程（ａ）におい
て、２０ｍｍ×２０ｍｍ×０．５ｍｍのアルミニウム
（Ａｌ）からなる基板素材８を準備した。

【００９６】次いで、工程（ｂ）において、Ａｌからな
る基板素材８の上に多結晶ダイヤモンド層４を形成し
た。ダイヤモンド層４の形成方法としては、実験例５−
１の場合と同様に有磁場マイクロ波プラズマＣＶＤ法を
用いた。形成されたダイヤモンド層４の膜厚は５０μｍ
であった。

【００９７】次いで、工程（ｃ）において、ダイヤモン
ド層４の第１の表面（成長面）４ａにアルミナからなる
支持体６を接着した。接着剤としては、セラミック系の
接着剤を用いた。

【００９８】次いで、工程（ｄ）において、Ａｌからな
る基板素材８の裏面にＩＤＴ電極パターンを形成し、電
極部分となる領域以外のＡｌを除去した。この工程によ
り、電極部分以外の箇所においては、Ａｌからなる基板
素材８と接していたダイヤモンド層４の第２の表面（基
板素材８の表面と同程度の平滑度を有する表面）４ｂが
露出した。

【００９９】最後に、工程（ｅ）において、この露出し
た第２の表面４ｂを基体表面とすることにより、所望の
Ａｌ電極９ａ、９ｂを有し、かつ電極部以外では凹凸が
ほとんどなく表面平滑性に優れたダイヤモンド素子１５
を作製することができた。

【０１００】＜第６の実施例＞図７は本発明に係るダイ
ヤモンド素子の製造方法の第６の実施例を示す工程図で
ある。

【０１０１】まず、工程（ａ）において、ダイヤモンド
層４を形成させるための所定の平滑度を有する導電性の
基板素材８を準備する。次いで、工程（ｂ）において、
導電性の基板素材８の上に、所定の膜厚を有するダイヤ
モンド層４を形成する。

【０１０２】次いで、工程（ｃ）において、ダイヤモン
ド層４の第１の表面（成長面）４ａの上に薄膜７を形成
する。次いで、工程（ｄ）において、薄膜７の成長表面
上に支持体層６を形成する。

【０１０３】次いで、工程（ｅ）において、導電性の基
板素材８の所定の領域を除去して、電極となる領域のみ
を残す。これにより、電極となる部分以外においては、
導電性の基板素材８に接していたダイヤモンド層４の平
滑性の高い第２の表面４ｂが露出する。

【０１０４】最後に、工程（ｆ）において、この露出し
たダイヤモンド層４の第２の表面４ｂを基体表面とする
ことにより、平滑性の高い表面を得ることができると共
に、所定の形状及びサイズの電極９ａ、９ｂを所定の位
置に備えたダイヤモンド素子１６を得ることができる。
尚、この第６の実施例において用いられる導電性の基板
素材８の材質及び除去方法、ダイヤモンド層４の構成及
び形成方法等は、前記第１の実施例及び第５の実施例の
場合と同様であるので、その説明は省略する。

【０１０５】以下に、上記第６の実施例の工程に基づい
て行った具体的な実験例を示す。 （実験例６）まず、工程（ａ）において、２０ｍｍ×２
０ｍｍ×０．５ｍｍのアルミニウム（Ａｌ）からなる基
板素材８を準備した。

【０１０６】次いで、工程（ｂ）において、Ａｌからな
る基板素材８の上にｐ形の多結晶ダイヤモンド層４を形
成した。ダイヤモンド層４の形成方法としては、実験例
５−１の場合と同様に有磁場マイクロ波プラズマＣＶＤ
法を用いた。形成されたダイヤモンド層４の膜厚は１０
０μｍであった。

【０１０７】次いで、工程（ｃ）において、ダイヤモン
ド層４を形成した後に、続けて膜厚１０μｍ程度の酸化
珪素からなる薄膜７を堆積させ、ダイヤモンド層４と支
持体層６との間を電気的に絶縁した。この工程（ｃ）を
導入することにより、使用することのできる支持体層６
の選択性を広めることが可能となった。

【０１０８】次いで、工程（ｄ）において、接着剤を用
いて酸化珪素からなる薄膜７の成長表面にモリブデン
（Ｍｏ）の支持体６を接着した。次いで、工程（ｅ）と
して、Ａｌからなる基板素材８の裏面に電極パターンを
形成し、電極部分となる領域以外のＡｌを除去した。こ
の工程により、電極部分以外の箇所においては、Ａｌか
らなる基板素材８と接していたダイヤモンド層４の第２
の表面（基板素材８の表面と同程度の平滑度を有する表
面）４ｂが露出した。

【０１０９】最後に、工程（ｆ）において、この露出し
た第２の表面４ｂを基体表面とすることにより、所望の
Ａｌ電極９ａ、９ｂを有し、かつ電極部以外では凹凸が
ほとんどなく平滑性に優れたダイヤモンド素子１６を作
製することができた。

【０１１０】尚、薄膜として窒化珪素膜を用いた場合や
ダイヤモンド層としてｎ形の特性を有するものを形成さ
せた場合であっても、同様の結果が得られた。

【０１１１】

【発明の効果】基板素材の表面上に形成される多結晶ダ
イヤモンド層の表面（成長面：以下「第１の表面」とい
う）には、凹凸が存在する。一方、基板素材と接する面
（以下「第２の表面」という）は、用いられた基板素材
の表面と同程度の平滑度を有している。このため、ＣＶ
Ｄ法などの方法によって基板素材の表面上にダイヤモン
ド層を形成した後に、基板素材の所定の領域を除去する
ことにより、表面平滑性の高い第２の表面を得ることが
できる。従って、本発明に係るダイヤモンド素子によれ
ば、ダイヤモンド層の面のうち基板素材と接していた側
の面（第２の表面）の上に電極を配置するようにしたの
で、良好な特性を有するダイヤモンド素子を実現するこ
とができる。

【０１１２】また、前記本発明の構成において、基板素
材が導電性を有し、電極が基板素材からなるという好ま
しい構成によれば、新たに電極を形成する必要がないの
で、良好な特性を有するダイヤモンド素子を容易に実現
することができる。

【０１１３】また、本発明に係るダイヤモンド素子の第
１の製造方法によれば、所定の平滑度を有する基板素材
の表面上にダイヤモンド層を形成し、次いで、前記基板
素材の所定の領域を除去した後に、前記ダイヤモンド層
の面のうち前記基板素材と接していた側の面上に電極を
形成するようにしたので、基板素材の表面と同程度の平
滑度を有するダイヤモンドの表面上に電極を備えたダイ
ヤモンド素子を容易に再現性良く作製することができ
る。

【０１１４】また、本発明に係るダイヤモンド素子の第
２の製造方法によれば、所定の平滑度を有する導電性の
基板素材の表面上にダイヤモンド層を形成し、次いで、
前記基板素材に電極パターンを形成した後に、前記電極
パターンを残して前記基板素材の所定の領域を除去する
ようにしたので、新たに電極を形成する工程を導入する
ことなく、平滑性の高いダイヤモンドの表面上に電極を
配置することができる。

【０１１５】また、前記本発明方法の第１又は第２の構
成において、基板素材の所定の領域を除去する前に、ダ
イヤモンド層の上に支持体層を形成するという好ましい
構成によれば、基板強度の大きなダイヤモンド素子を作
製することができる。この場合、さらに、支持体層がダ
イヤモンドを主成分とする層であるという好ましい構成
によれば、ダイヤモンドのみあるいは大部分がダイヤモ
ンドで構成された高品質なダイヤモンド素子を実現する
ことができる。

【０１１６】また、前記本発明方法の第１又は第２の構
成において、支持体層を形成する前に、ダイヤモンド層
の上に薄膜を形成するという好ましい構成によれば、ダ
イヤモンド層と支持体層との接着強度を高めることがで
きる。この場合、さらに、支持体層がダイヤモンドを主
成分とする層であるという好ましい構成によれば、ダイ
ヤモンドのみあるいは大部分がダイヤモンドで構成され
た高品質なダイヤモンド素子を実現することができる。
また、この場合、薄膜が絶縁性の薄膜であるという好ま
しい構成によれば、ダイヤモンド層と支持体層とを電気
的に分離することができるので、使用できる支持体層の
選択性を広めることが可能となる。

【０１１７】また、前記本発明方法の第１又は第２の構
成において、基板素材の所定の領域を除去する際に、同
時に前記基板素材とダイヤモンド層との界面領域をも除
去するという好ましい構成によれば、基板素材とダイヤ
モンド層との間に界面層が存在した場合においても、そ
の影響を除外することができる。

【０１１８】また、前記本発明方法の第１又は第２の構
成において、基板素材の所定の領域を除去した後に、ダ
イヤモンド層のうち基板素材と接していた側の面の表層
領域を除去するという好ましい構成によれば、基板素材
とダイヤモンド層との間に界面層が存在した場合におい
ても、その影響を除外することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るダイヤモンド素子の一実施例を示
す模式図である。

【図２】本発明に係るダイヤモンド素子の製造方法の第
１の実施例を示す工程図である。

【図３】本発明に係るダイヤモンド素子の製造方法の第
２の実施例を示す工程図である。

【図４】本発明に係るダイヤモンド素子の製造方法の第
３の実施例を示す工程図である。

【図５】本発明に係るダイヤモンド素子の製造方法の第
４の実施例を示す工程図である。

【図６】本発明に係るダイヤモンド素子の製造方法の第
５の実施例を示す工程図である。

【図７】本発明に係るダイヤモンド素子の製造方法の第
６の実施例を示す工程図である。

【符号の説明】

１、４ ダイヤモンド層 １ａ、４ａ 第１の表面（成長面） １ｂ、４ｂ 第２の表面 ２、５ａ、５ｂ 電極 ３ 基板素材 ６ 支持体層 ７ 薄膜 ８ 導電性の基板素材 ９ａ、９ｂ 基板素材からなる電極 １１、１２、１３、１４、１５、１６ ダイヤモンド素
子

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板素材の上に形成したダイヤモンド層
   と電極とを備えたダイヤモンド素子であって、前記ダイ
   ヤモンド層の面のうち前記基板素材と接していた側の面
   上に前記電極を配置したことを特徴とするダイヤモンド
   素子。
2. 【請求項２】 基板素材が導電性を有し、電極が基板素
   材からなる請求項１に記載のダイヤモンド素子。
3. 【請求項３】 所定の平滑度を有する基板素材の表面上
   にダイヤモンド層を形成し、次いで、前記基板素材の所
   定の領域を除去した後に、前記ダイヤモンド層の面のう
   ち前記基板素材と接していた側の面上に電極を形成する
   ダイヤモンド素子の製造方法。
4. 【請求項４】 所定の平滑度を有する導電性の基板素材
   の表面上にダイヤモンド層を形成し、次いで、前記基板
   素材に電極パターンを形成した後に、前記電極パターン
   を残して前記基板素材の所定の領域を除去するダイヤモ
   ンド素子の製造方法。
5. 【請求項５】 基板素材が金属からなる請求項４に記載
   のダイヤモンド素子の製造方法。
6. 【請求項６】 基板素材の所定の領域を除去する前に、
   ダイヤモンド層の上に支持体層を形成する請求項３又は
   ４に記載のダイヤモンド素子の製造方法。
7. 【請求項７】 支持体層を形成する前に、ダイヤモンド
   層の上に薄膜を形成する請求項３又は４に記載のダイヤ
   モンド素子の製造方法。
8. 【請求項８】 基板素材の所定の領域を除去する際に、
   同時に前記基板素材とダイヤモンド層との界面領域をも
   除去する請求項３又は４に記載のダイヤモンド素子の製
   造方法。
9. 【請求項９】 基板素材の所定の領域を除去した後に、
   ダイヤモンド層のうち基板素材と接していた側の面の表
   層領域を除去する請求項３又は４に記載のダイヤモンド
   素子の製造方法。
10. 【請求項１０】 ダイヤモンド層の上あるいは薄膜の上
    に形成する支持体層が、ダイヤモンドを主成分とする層
    である請求項６又は７に記載のダイヤモンド素子の製造
    方法。
11. 【請求項１１】 ダイヤモンド層の上に形成される薄膜
    が、絶縁性の薄膜である請求項７に記載のダイヤモンド
    素子の製造方法。