JPH07312376A - Method of manufacturing resin sealing type semiconductor device - Google Patents

Method of manufacturing resin sealing type semiconductor device

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JPH07312376A
JPH07312376A JP10507994A JP10507994A JPH07312376A JP H07312376 A JPH07312376 A JP H07312376A JP 10507994 A JP10507994 A JP 10507994A JP 10507994 A JP10507994 A JP 10507994A JP H07312376 A JPH07312376 A JP H07312376A
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JP
Japan
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tab
lead
resin
sealing portion
pellet
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Application number
JP10507994A
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Japanese (ja)
Inventor
Yasuki Tsutsumi
安己 堤
Atsushi Honda
厚 本多
Teruo Kitamura
輝夫 北村
Hiroyuki Hozoji
裕之 宝蔵寺
Kenji Sato
健司 佐藤
Fujiaki Nose
藤明 野瀬
Eiji Yamaguchi
栄次 山口
Yuji Watanabe
祐二 渡辺
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Renesas Semiconductor Package and Test Solutions Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Hokkai Semiconductor Ltd
Hitachi Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To enhance manufacturing yield in an assembling process by a method where the sealing part of a tab and a tab suspending lead, a sealing part of a lead, a semiconductor pellet and a bonding wire are arranged within the cavity of a molding die, and then resin is filled. CONSTITUTION:When a region arranging each of tape dams 3D of a tab suspending lead 3B and a lead 3C is interposed between an upper die 6A and a lower die 6B of a molding die 6, it is possible to prevent the location slippage of the tab 3A caused by the bend of the tab suspending lead 3B due to the elastic force of the tape dam 3D by using a support member 5. Accordingly, it is possible to prevent the generation of the difference in speeds between the flowing speed of resin 1A flowing on a main surface of a semiconductor pellet 2 and a flowing speed of resin 1A flowing on the rear surface of the tab 3A. As a result, as it is possible to prevent a short-circuit between bonding wires due to wire flowing or the generation of voids due to enfolding of bubbles, it is possible to increase manufacturing yield in an assembling process of a resin sealing type semiconductor device.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止型半導体装置
の製造方法に関し、特に、テープダム方式のリードフレ
ームを使用する樹脂封止型半導体装置の製造方法に適用
して有効な技術に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a resin-sealed semiconductor device, and more particularly to a technique effectively applied to a method of manufacturing a resin-sealed semiconductor device using a tape dam type lead frame. Is.

【0002】[0002]

【従来の技術】樹脂封止型半導体装置として、例えばQ
FP(uad lat ackage)構造を採用する樹脂封止型
半導体装置がある。この種の樹脂封止型半導体装置は、
タブ吊りリードが一体化されたタブのペレット塔載面上
に半導体ペレットを搭載する。
2. Description of the Related Art As a resin-sealed semiconductor device, for example, Q
FP (Q uad F lat P ackage ) resin-sealed semiconductor device which employs the structure is. This type of resin-sealed semiconductor device
The semiconductor pellets are mounted on the pellet tower mounting surface of the tab in which the tab suspension leads are integrated.

【0003】前記QFP構造を採用する樹脂封止型半導
体装置は、その組立プロセスにおいて、テープダム方式
のリードフレームを使用する。このテープダム方式のリ
ードフレームを使用する樹脂封止型半導体装置は、一般
的に以下の組立プロセスで形成される。
The resin-sealed semiconductor device adopting the QFP structure uses a tape dam type lead frame in its assembly process. A resin-sealed semiconductor device using this tape dam type lead frame is generally formed by the following assembly process.

【0004】まず、テープダム方式のリードフレームを
準備する。このテープダム方式のリードフレームは、枠
体で周囲を規定された領域内に、前記枠体にタブ吊りリ
ードを介在して支持されるタブ及び前記枠体に支持され
るリードを配置し、前記タブ吊りリードの封止部と非封
止部との間の領域上、前記リードの封止部(インナーリ
ード)と非封止部(アウターリード)との間の領域上の夫
々にテープダムを配置する。テープダムは、タブの外周
形状に沿ったリング形状で形成され、各リード間及びリ
ードとタブ吊りリードとの間を連結している。
First, a tape dam type lead frame is prepared. In this tape dam type lead frame, a tab supported by interposing a tab suspension lead on the frame body and a lead supported by the frame body are arranged in an area defined by a frame body, A tape dam is arranged on the region between the sealing part and the non-sealing part of the suspension lead, and on the region between the sealing part (inner lead) and the non-sealing part (outer lead) of the lead. . The tape dam is formed in a ring shape along the outer peripheral shape of the tab, and connects between the leads and between the lead and the tab suspension lead.

【0005】次に、前記リードフレームのタブのペレッ
ト塔載面上に半導体ペレットを塔載(ダイボンディング)
する。
Next, semiconductor pellets are mounted on the pellet mounting surface of the tab of the lead frame (die bonding).
To do.

【0006】次に、前記リードフレームのリードの封止
部側と前記半導体ペレットの外部端子(ボンディングパ
ッド)とをボンディングワイヤで電気的に接続する。
Next, the lead sealing side of the lead frame and the external terminal (bonding pad) of the semiconductor pellet are electrically connected by a bonding wire.

【0007】次に、前記リードフレームを成形金型の上
型と下型との間に配置し、この上型と下型とで形成され
るキャビティ内に前記タブ、タブ吊りリードの封止部、
リードの封止部、半導体ペレット及びボンディングワイ
ヤ等を配置した後、前記タブ吊りリード及びリードのテ
ープダム配置領域を前記成形金型の上型と下型とで挾み
込む。
Next, the lead frame is placed between an upper die and a lower die of a molding die, and a sealing portion for the tab and the tab suspension lead is provided in a cavity formed by the upper die and the lower die. ,
After the lead sealing portion, the semiconductor pellet, the bonding wire, and the like are arranged, the tab suspension lead and the tape dam arrangement region of the lead are sandwiched between the upper die and the lower die of the molding die.

【0008】次に、前記成形金型のキャビティ内に樹脂
を充填し、この樹脂で前記タブ、タブ吊りリードの封止
部、リードの封止部(インナーリード)、半導体ペレッ
ト、ボンディングワイヤ等を封止する。
Next, a resin is filled in the cavity of the molding die, and the resin is used to seal the tab, the tab suspension lead sealing portion, the lead sealing portion (inner lead), the semiconductor pellet, the bonding wire, and the like. Seal.

【0009】次に、リードフレームの枠体からタブ吊り
リードの封止部及びリードの非封止部(アウターリード)
を切断し、その後、前記リードの非封止部を所定の形状
(例えばガルウィング形状)に成形する。これにより、
テープダム方式のリードフレームを使用する樹脂封止型
半導体装置がほぼ完成する。
Next, from the frame of the lead frame, the tab suspension lead sealing portion and the lead non-sealing portion (outer leads)
After that, the non-sealing portion of the lead is formed into a predetermined shape (eg, gull wing shape). This allows
A resin-sealed semiconductor device using a tape dam type lead frame is almost completed.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】本発明者は、前述のテ
ープダム方式のリードフレームを使用する樹脂封止型半
導体装置について以下の問題点を見出した。
The present inventor has found the following problems with respect to the resin-sealed semiconductor device using the above-mentioned tape dam type lead frame.

【0011】前記樹脂封止型半導体装置の組立プロセス
において、タブ吊りリード、リードの夫々のテープダム
配置領域を成形金型の上型と下型とで挾み込む際、テー
プダムの弾性力により、タブ吊りリードに反りが発生
し、半導体ペレットの主面に対して垂直方向(上下方向)
にタブの位置がずれる。このタブの位置ずれは、成形金
型のキャビティ内に樹脂を充填する際、半導体ペレット
の主面上を流れる樹脂の流速とタブの裏面上を流れる樹
脂の流速に速度差を生じさせる。このため、ワイヤ流れ
によるボンディングワイヤ間の短絡や気泡の巻き込みに
よるボイド等が発生し、樹脂封止型半導体装置の組立プ
ロセスでの歩留まりが低下するという問題があった。
In the process of assembling the resin-encapsulated semiconductor device, when the tape dam placement regions of the tab suspension lead and the lead are sandwiched between the upper mold and the lower mold of the molding die, the tab dam is elastically driven by the elastic force of the tape dam. Warping occurs in the suspension leads, and it is perpendicular to the main surface of the semiconductor pellet (vertical direction).
The tab position is shifted to. The displacement of the tab causes a velocity difference between the flow velocity of the resin flowing on the main surface of the semiconductor pellet and the flow velocity of the resin flowing on the back surface of the tab when the resin is filled in the cavity of the molding die. For this reason, there is a problem that a short circuit between bonding wires due to wire flow, a void due to entrainment of air bubbles, and the like occur, and the yield in the assembly process of the resin-sealed semiconductor device decreases.

【0012】本発明の目的は、樹脂封止型半導体装置の
組立プロセスでの歩留まりを高めることが可能な技術を
提供することにある。
An object of the present invention is to provide a technique capable of increasing the yield in the assembly process of resin-sealed semiconductor devices.

【0013】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。
The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
Among the inventions disclosed in the present application, a brief description will be given to the outline of typical ones.
It is as follows.

【0015】テープダム方式のリードフレームを使用す
る樹脂封止型半導体装置の製造方法において、(イ)枠
体で周囲を規定された領域内に、前記枠体にタブ吊りリ
ードを介在して支持されるタブ及び前記枠体に支持され
るリードが配置され、前記タブ吊りリードの封止部と非
封止部との間の領域上、前記リードの封止部と非封止部
との間の領域上の夫々にテープダムが配置されたリード
フレームを準備する工程と、(ロ)前記リードフレーム
のタブのペレット塔載面上に半導体ペレットを塔載する
工程と、(ハ)前記半導体ペレットの主面上、前記タブ
のペレット塔載面と対向するその裏面上の夫々に支持部
材を固定する工程、(ニ)前記リードフレームのリード
と前記半導体ペレットの外部端子とをボンディングワイ
ヤで電気的に接続する工程と、(ホ)前記リードフレー
ムを成形金型の上型と下型との間に配置し、この成形金
型の上型と下型とで形成されるキャビティ内に前記タ
ブ、タブ吊りリードの封止部、リードの封止部、半導体
ペレット及びボンディングワイヤを配置する工程と、
(ヘ)前記タブ吊りリード、リードの夫々のテープダム
が配置された領域を前記成形金型の上型と下型とで挾み
込むと共に、前記半導体ペレットの主面を支持部材を介
して前記半導体ペレットの主面と対向するキャビティの
内壁面に支持し、かつ前記タブの裏面を支持部材を介し
て前記タブの裏面と対向するキャビティの内壁面に支持
する工程と、(ト)前記成形金型のキャビティ内に樹脂
を充填し、前記タブ、タブ吊りリードの封止部、リード
の封止部、半導体ペレット及びボンディングワイヤを封
止する工程とを備える。
In a method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device using a tape dam type lead frame, (a) a tab suspension lead is supported by the frame body within a region defined by the frame body. A tab and a lead supported by the frame are arranged, and between the sealed portion and the non-sealed portion of the lead on the region between the sealed portion and the non-sealed portion of the tab suspension lead. A step of preparing a lead frame in which a tape dam is arranged in each of the areas; (b) a step of mounting semiconductor pellets on a pellet mounting surface of the tab of the lead frame; and (c) a main portion of the semiconductor pellets. Fixing a supporting member on each of the surfaces of the tub, which faces the pellet mounting surface of the tub, and (d) electrically connects the leads of the lead frame and the external terminals of the semiconductor pellets with bonding wires. (E) Placing the lead frame between the upper die and the lower die of the molding die, and suspending the tab and the tab in the cavity formed by the upper die and the lower die of the molding die. A step of arranging the lead sealing portion, the lead sealing portion, the semiconductor pellet and the bonding wire,
(F) The tab suspension lead and the region where each tape dam of the lead is arranged are sandwiched by the upper die and the lower die of the molding die, and the main surface of the semiconductor pellet is sandwiched by a supporting member to form the semiconductor. Supporting the inner wall surface of the cavity facing the main surface of the pellet, and supporting the back surface of the tab on the inner wall surface of the cavity facing the back surface of the tab through a supporting member; and (g) the molding die. Filling the inside of the cavity with a resin, and sealing the tab, the tab suspension lead sealing portion, the lead sealing portion, the semiconductor pellet, and the bonding wire.

【0016】[0016]

【作用】上述した手段によれば、タブ吊りリード、リー
ドの夫々のテープダム配置領域を成形金型の上型と下型
とで挾み込む際、テープダムの弾性力によるタブ吊りリ
ードの反りで発生するタブの位置ずれを支持部材で阻止
できるので、半導体ペレットの主面上を流れる樹脂の流
速とタブの裏面上を流れる樹脂の流速に速度差が生じる
のを防止できる。この結果、ワイヤ流れによるボンディ
ングワイヤ間の短絡や気泡の巻き込みによるボイドの発
生を防止できるので、樹脂封止型半導体装置の組立プロ
セスでの歩留まりを高めることができる。
According to the above-mentioned means, when the tape dam placement regions of the tab suspension lead and the lead are sandwiched between the upper mold and the lower mold of the molding die, the tab suspension lead warps due to the elastic force of the tape dam. Since the supporting member can prevent the tab from being displaced, a difference in speed between the flow rate of the resin flowing on the main surface of the semiconductor pellet and the flow rate of the resin flowing on the back surface of the tab can be prevented. As a result, it is possible to prevent a short circuit between the bonding wires due to the wire flow and the occurrence of voids due to the inclusion of air bubbles, so that the yield in the assembly process of the resin-sealed semiconductor device can be increased.

【0017】[0017]

【実施例】以下、本発明の構成について、テープダム方
式のリードフレームを使用する樹脂封止型半導体装置に
本発明を適用した一実施例とともに説明する。なお、実
施例を説明するための全図において、同一機能を有する
ものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略す
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The structure of the present invention will be described below together with an embodiment in which the present invention is applied to a resin-sealed semiconductor device using a tape dam type lead frame. In all the drawings for explaining the embodiments, parts having the same function are designated by the same reference numerals, and repeated description thereof will be omitted.

【0018】本発明の一実施例であるテープダム方式の
リードフレームを使用する樹脂封止型半導体装置の概略
構成を図1(樹脂封止体の上部を除去した状態の平面図)
及び図2(図1に示すA−A切断線で切った断面図)に示
す。
FIG. 1 is a schematic view of a resin-encapsulated semiconductor device using a tape dam type lead frame according to an embodiment of the present invention (a plan view of the resin encapsulant with an upper portion removed).
2 and FIG. 2 (a cross-sectional view taken along the line AA shown in FIG. 1).

【0019】図1及び図2に示すように、樹脂封止型半
導体装置はQFP型のパッケージ構造で構成される。樹
脂封止型半導体装置は、例えば平面形状が方形状に形成
されたタブ3Aのペレット塔載面上に半導体ペレット2
を塔載する。
As shown in FIGS. 1 and 2, the resin-sealed semiconductor device has a QFP type package structure. The resin-encapsulated semiconductor device has, for example, the semiconductor pellet 2 on the pellet-mounting surface of the tab 3A having a rectangular planar shape.
To install.

【0020】前記半導体ペレット2は、例えば平面が方
形状に形成された単結晶珪素基板を主体に構成される。
この半導体ペレット2の主面上には、方形状の各辺に沿
った最外周部分に複数の外部端子BPが配置される。
The semiconductor pellet 2 is composed mainly of, for example, a single crystal silicon substrate having a rectangular plane.
On the main surface of the semiconductor pellet 2, a plurality of external terminals BP are arranged in the outermost peripheral portion along each side of the rectangular shape.

【0021】前記半導体ペレット2の外部端子BPはリ
ード3Cの封止部(インナーリード)3C1側にボンディ
ングワイヤ4を介して電気的に接続される。このリード
3Cの封止部3C1は、タブ3Aの各辺に沿って複数配
置される。前記タブ3Cの4つの角部の夫々にはタブ吊
りリード3Bの封止部3B1が一体化される。
The external terminal BP of the semiconductor pellet 2 is electrically connected to the sealing portion (inner lead) 3C1 side of the lead 3C via a bonding wire 4. A plurality of sealing portions 3C1 of the lead 3C are arranged along each side of the tab 3A. The sealing portion 3B1 of the tab suspension lead 3B is integrated with each of the four corners of the tab 3C.

【0022】前記タブ3A、タブ吊りリード3Bの封止
部3B1、リード3Cの封止部3C1、半導体ペレット
2及びボンディングワイヤ4等は樹脂封止体1で封止さ
れる。この樹脂封止体1は、低応力化を図るために例え
ばフェノール系硬化剤、シリコーンゴム及びフィラーが
添加されたエポキシ系の樹脂1Aで形成され、トランス
ファモールド法に基づいて成形される。
The tab 3A, the sealing portion 3B1 of the tab suspension lead 3B, the sealing portion 3C1 of the lead 3C, the semiconductor pellet 2, the bonding wire 4, etc. are sealed with a resin sealing body 1. The resin encapsulant 1 is formed of, for example, an epoxy resin 1A to which a phenol-based curing agent, silicone rubber, and a filler are added in order to reduce stress, and is molded based on a transfer molding method.

【0023】前記半導体ペレット2の主面上、前記タブ
3Aのペレット塔載面と対向するその裏面上の夫々には
支持部材5が固定される。この支持部材5は例えば前述
の樹脂封止体1と同様に、エポキシ系の樹脂で形成され
る。
A support member 5 is fixed to each of the main surface of the semiconductor pellet 2 and the back surface of the tub 3A facing the pellet mounting surface of the tub 3A. The support member 5 is formed of an epoxy resin, for example, as in the resin sealing body 1 described above.

【0024】前記樹脂封止体1は例えば平面形状が方形
状で形成される。この樹脂封止体1の最外周囲の外側に
は、方形状の各辺に沿ってリード3Cの非封止部(アウ
ターリード)3C1が複数配置される。また、樹脂封止
体1の最外周囲には、方形状の各辺に沿って配置された
リング状のテープダム3Dが配置される。
The resin encapsulant 1 is formed, for example, in a rectangular planar shape. A plurality of non-sealing portions (outer leads) 3C1 of the leads 3C are arranged along each side of the rectangular shape on the outer side of the outermost periphery of the resin sealing body 1. Further, ring-shaped tape dams 3D arranged along the respective sides of the rectangular shape are arranged on the outermost periphery of the resin sealing body 1.

【0025】次に、前記樹脂封止型半導体装置の組立プ
ロセスについて、図3(組立プロセスを説明するための
平面図)及び図4(組立プロセスを説明するための要部
断面図)簡単に説明する。
Next, the assembly process of the resin-encapsulated semiconductor device will be briefly described with reference to FIG. 3 (a plan view for explaining the assembly process) and FIG. 4 (a cross-sectional view of an essential part for explaining the assembly process). To do.

【0026】まず、図3に示すように、テープダム方式
のリードフレーム3を準備する。このリードフレーム3
は、枠体3Eで周囲を規定された領域内に、前記枠体3
Eにタブ吊りリード3Bを介在して支持されるタブ3
A、前記枠体3Eに支持されるリード3Cの夫々を配置
し、前記タブ吊りリード3Bの封止部3B1と非封止部
3B2との間の領域上、前記リード3Cの封止部3C1
と非封止部3C2との間の領域上の夫々にテープダム3
Dを配置する。このテープダム3Dは、タブ3Aの最外
周形状に沿ったリング形状で形成され、各リード3C間
及びリード3Cとタブ吊りリード3Aとの間を連結して
いる。
First, as shown in FIG. 3, a tape dam type lead frame 3 is prepared. This lead frame 3
Is within the area defined by the frame 3E.
The tab 3 supported by E via the tab suspension lead 3B
A, each of the leads 3C supported by the frame 3E is arranged, and on the region between the sealing portion 3B1 and the non-sealing portion 3B2 of the tab suspension lead 3B, the sealing portion 3C1 of the lead 3C.
The tape dam 3 on the area between the non-sealing portion 3C2 and the non-sealing portion 3C2.
Place D. The tape dam 3D is formed in a ring shape along the outermost peripheral shape of the tab 3A, and connects between the leads 3C and between the lead 3C and the tab suspension lead 3A.

【0027】次に、前記リードフレーム3のタブ3Aの
ペレット塔載面上に半導体ペレット2を塔載(ダイボン
ディング)する。
Next, the semiconductor pellets 2 are mounted on the pellet mounting surface of the tab 3A of the lead frame 3 (die bonding).

【0028】次に、前記半導体ペレット2の主面上、前
記タブ3Aの裏面上の夫々に支持部材5を接着固定す
る。
Next, the supporting member 5 is adhered and fixed to the main surface of the semiconductor pellet 2 and the back surface of the tab 3A, respectively.

【0029】次に、前記インナーリード3のリード3C
の封止部3C1側と前記半導体ペレット2の外部端子B
Pとをボンディングワイヤ4で電気的に接続する。
Next, the lead 3C of the inner lead 3
And the external terminal B of the semiconductor pellet 2 on the side of the sealing portion 3C1.
It is electrically connected to P by a bonding wire 4.

【0030】次に、前記リードフレーム3を成形金型6
の上型6Aと下型6Bとの間に配置し、この成形金型6
の上型6Aと下型6Bとで形成されるキャビティ7内に
タブ3A、タブ吊りリード3Bの封止部3B1、リード
3Cの封止部3C1、半導体ペレット2及びボンディン
グワイヤ4等を配置する。
Next, the lead frame 3 is molded into a molding die 6.
The mold 6 is placed between the upper mold 6A and the lower mold 6B.
The tab 3A, the sealing portion 3B1 of the tab suspension lead 3B, the sealing portion 3C1 of the lead 3C, the semiconductor pellet 2, the bonding wire 4, and the like are arranged in the cavity 7 formed by the upper mold 6A and the lower mold 6B.

【0031】次に、図4に示すように、前記タブ吊りリ
ード3B、リード3Cの夫々のテープダム4Dが配置さ
れた領域を前記成形金型6の上型6Aと下型6Bとで挾
み込む(クランプする)と共に、前記半導体ペレット2の
主面上を支持部材5を介して前記半導体ペレット2の主
面と対向するキャビティ7の内壁面に支持し、かつ前記
タブ3Cの裏面を支持部材5を介して前記タブ3Cの裏
面と対向するキャビティ7の内壁面に支持する。この
時、テープダム3Dの弾性力によるタブ吊りリード3B
の反りで発生するタブ3Aの位置ずれを支持部材5で阻
止できる。半導体ペレット2の主面上に固定される支持
部材5の高さ(長さ)は、半導体ペレット2の主面とこの
主面に対向するキャビティ7の内壁面との間の距離とほ
ぼ同等で形成する。また、タブ3Aの裏面上に固定され
る支持部材5の高さは、タブ3Aの裏面とこの裏面に対
向するキャビティ7の内壁面との間の距離とほぼ同等で
形成する。
Next, as shown in FIG. 4, the regions in which the tape dams 4D of the tab suspension leads 3B and leads 3C are arranged are sandwiched between the upper die 6A and the lower die 6B of the molding die 6. Along with (clamping), the main surface of the semiconductor pellet 2 is supported by the inner wall surface of the cavity 7 facing the main surface of the semiconductor pellet 2 via the support member 5, and the back surface of the tab 3C is supported by the support member 5. It is supported on the inner wall surface of the cavity 7 opposed to the back surface of the tab 3C via. At this time, the tab suspension lead 3B due to the elastic force of the tape dam 3D
The support member 5 can prevent the tab 3A from being displaced due to the warp. The height (length) of the supporting member 5 fixed on the main surface of the semiconductor pellet 2 is almost equal to the distance between the main surface of the semiconductor pellet 2 and the inner wall surface of the cavity 7 facing the main surface. Form. Further, the height of the support member 5 fixed on the back surface of the tab 3A is formed to be substantially equal to the distance between the back surface of the tab 3A and the inner wall surface of the cavity 7 facing the back surface.

【0032】次に、前記成形金型6のキャビティ7内に
樹脂1Aを充填し、この樹脂1Aで前記タブ3A、タブ
吊りリード3Bの封止部3B1、リード3Cの封止部3
C1、半導体ペレット2、ボンディングワイヤ4等を封
止して樹脂封止体1を成形する。この時、タブ3Aの位
置ずれを支持部材5で阻止しているので、半導体ペレッ
ト2の主面上を流れる樹脂1Aの流速とタブ3Aの裏面
上を流れる樹脂1Aの流速に速度差が生じるのを防止で
きる。
Next, resin 1A is filled in the cavity 7 of the molding die 6, and the resin 1A is used to seal the tab 3A, the tab suspension lead 3B, the sealing portion 3B1, and the lead 3C.
The resin encapsulant 1 is molded by encapsulating C1, the semiconductor pellet 2, the bonding wire 4, and the like. At this time, since the displacement of the tab 3A is prevented by the support member 5, there is a speed difference between the flow rate of the resin 1A flowing on the main surface of the semiconductor pellet 2 and the flow rate of the resin 1A flowing on the back surface of the tab 3A. Can be prevented.

【0033】次に、前記リードフレーム3の枠体3Dか
らタブ吊りリード3Bの部止部3B1及びリード3Cの
非封止部(アウターリード)3C2を切断し、その後、前
記リード3Cの非封止部3C2を所定の形状(ガルウィ
ング形状)に成形する。これにより、テープダム方式の
リードフレームを使用する樹脂封止型半導体装置がほぼ
完成する。
Next, the stopper 3B1 of the tab suspension lead 3B and the non-sealing portion (outer lead) 3C2 of the lead 3C are cut from the frame 3D of the lead frame 3, and then the non-sealing of the lead 3C is performed. The portion 3C2 is formed into a predetermined shape (gull wing shape). As a result, the resin-sealed semiconductor device using the tape dam type lead frame is almost completed.

【0034】このように、テープダム方式のリードフレ
ームを使用する樹脂封止型半導体装置の組立プロセスに
おいて、枠体3Eで周囲を規定された領域内に、前記枠
体3Eにタブ吊りリード3Bを介在して支持されるタブ
3A及び前記枠体3Eに支持されるリード3Cが配置さ
れ、前記タブ吊りリード3Bの封止部3B1と非封止部
3B2との間の領域上、前記リード3Cの封止部(イン
ナーリード)3C1と非封止部(アウターリード)3C2
との間の領域上の夫々にテープダム3Dが配置されたリ
ードフレーム3を準備する工程と、前記リードフレーム
3のタブ3Aのペレット塔載面上に半導体ペレット2を
塔載する工程と、前記半導体ペレット2の主面上、前記
タブ3Aのペレット塔載面と対向するその裏面上の夫々
に支持部材5を固定する工程と、前記リードフレーム3
のリード3Cの封止部3C1側と前記半導体ペレット2
の外部端子BPとをボンディングワイヤ4で電気的に接
続する工程と、前記リードフレーム3を成形金型6の上
型6Aと下型6Bとの間に配置し、この成形金型6の上
型6Aと下型6Bとで形成されるキャビティ7内に前記
タブ3A、タブ吊りリード3Bの封止部3B1、リード
3の封止部3C1、半導体ペレット2及びボンディング
ワイヤ4を配置する工程と、前記タブ吊りリード3B、
リード3Cの夫々のテープダム3Dが配置された領域を
前記成形金型6の上型6Aと下型6Bとで挾み込むと共
に、前記半導体ペレット2の主面を支持部材5を介して
前記半導体ペレット2の主面と対向するキャビティ7の
内壁面に支持し、かつ前記タブ3Aの裏面を支持部材5
を介して前記タブ3Aの裏面と対向するキャビティ7の
内壁面に支持する工程と、前記成形金型6のキャビティ
7内に樹脂1Aを充填し、前記タブ3A、タブ吊りリー
ド3Bの封止部3B1、リード3Cの封止部3C1、半
導体ペレット2及びボンディングワイヤ4を封止する工
程とを備える。これにより、タブ吊りリード3B、リー
ド3Cの夫々のテープダム3Dが配置される領域を成形
金型6の上型6Aと下型6Bとで挾み込む際、テープダ
ム3Dの弾性力によるタブ吊りリード3Bの反りで発生
するタブ3Aの位置ずれを支持部材5で阻止できるの
で、半導体ペレット2の主面上を流れる樹脂1Aの流速
とタブ3Aの裏面上を流れる樹脂1Aの流速に速度差が
生じるのを防止できる。この結果、ワイヤ流れによるボ
ンディングワイヤ4間の短絡や気泡の巻き込みによるボ
イドの発生を防止できるので、樹脂封止型半導体装置の
組立プロセスでの歩留まりを高めることができる。
Thus, in the process of assembling the resin-sealed semiconductor device using the tape dam type lead frame, the tab suspension leads 3B are interposed in the frame 3E within the region defined by the frame 3E. The tab 3A supported by the frame 3E and the lead 3C supported by the frame 3E are arranged, and the lead 3C is sealed on the region between the sealing portion 3B1 and the non-sealing portion 3B2 of the tab suspension lead 3B. Stop part (inner lead) 3C1 and non-sealing part (outer lead) 3C2
A lead frame 3 in which a tape dam 3D is arranged in each of the regions between and, a step of mounting the semiconductor pellets 2 on the pellet mounting surface of the tab 3A of the lead frame 3, and the semiconductor Fixing the support member 5 to each of the main surface of the pellet 2 and the back surface of the tab 3A facing the pellet mounting surface of the tab 3A;
Side of the sealing portion 3C1 of the lead 3C and the semiconductor pellet 2
Of electrically connecting the external terminal BP with the bonding wire 4 and the lead frame 3 is disposed between the upper die 6A and the lower die 6B of the molding die 6, and the upper die of this molding die 6 is disposed. Placing the tab 3A, the sealing portion 3B1 of the tab suspension lead 3B, the sealing portion 3C1 of the lead 3, the semiconductor pellet 2 and the bonding wire 4 in the cavity 7 formed by 6A and the lower mold 6B; Tab suspension lead 3B,
The area where each tape dam 3D of the lead 3C is arranged is sandwiched between the upper die 6A and the lower die 6B of the molding die 6, and the main surface of the semiconductor pellet 2 is sandwiched by the support member 5 to form the semiconductor pellet. 2 is supported on the inner wall surface of the cavity 7 opposed to the main surface of the tab 2, and the back surface of the tab 3A is supported by the support member
Supporting on the inner wall surface of the cavity 7 facing the back surface of the tab 3A through the resin, and filling the resin 1A into the cavity 7 of the molding die 6 to seal the tab 3A and the tab suspension lead 3B. 3B1, the sealing portion 3C1 of the lead 3C, the semiconductor pellet 2, and the bonding wire 4 are sealed. Thus, when the upper die 6A and the lower die 6B of the molding die 6 sandwich the area where the tape dam 3D of the tab suspension lead 3B and the lead 3C are arranged, the tab suspension lead 3B due to the elastic force of the tape dam 3D. Since the displacement of the tab 3A caused by the warp of the resin can be prevented by the support member 5, a speed difference occurs between the flow rate of the resin 1A flowing on the main surface of the semiconductor pellet 2 and the flow rate of the resin 1A flowing on the back surface of the tab 3A. Can be prevented. As a result, it is possible to prevent a short circuit between the bonding wires 4 due to the wire flow and the generation of voids due to the inclusion of air bubbles, so that the yield in the assembly process of the resin-sealed semiconductor device can be increased.

【0035】なお、前記タブ3Aの裏面に固定される支
持部材5の替わりに、図5(要部断面図)に示すよう
に、タブ3Aの裏面に放熱フィン8を直接固定してもよ
い。この場合、タブ3Aの裏面に放熱フィン8が直接固
定されるので、樹脂封止型半導体装置の放熱効率を高め
ることができる。
Instead of the support member 5 fixed to the back surface of the tab 3A, the heat radiation fins 8 may be directly fixed to the back surface of the tab 3A as shown in FIG. In this case, since the radiation fin 8 is directly fixed to the back surface of the tab 3A, the radiation efficiency of the resin-sealed semiconductor device can be improved.

【0036】以上、本発明者によってなされた発明を、
前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前
記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能であることは勿論であ
る。
As described above, the inventions made by the present inventor are
Although the specific description has been given based on the above-described embodiments, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and it goes without saying that various modifications can be made without departing from the scope of the invention.

【0037】[0037]

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
The effects obtained by the typical ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.

【0038】テープダム方式のリードフレームを使用す
る樹脂封止型半導体装置の組立プロセスでの歩留まりを
高めることができる。
The yield in the assembly process of the resin-sealed semiconductor device using the tape dam type lead frame can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例であるテープダム方式のリー
ドフレームを使用する樹脂封止型半導体装置の樹脂封止
体の上部を除去した状態の平面図。
FIG. 1 is a plan view of a resin-sealed semiconductor device using a tape dam type lead frame according to an embodiment of the present invention with an upper portion of a resin-sealed body removed.

【図2】図1に示すA−A切断線で切った断面図。FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA shown in FIG.

【図3】前記樹脂封止型半導体装置の組立プロセスを説
明するためのリードフレームの平面図。
FIG. 3 is a plan view of a lead frame for explaining an assembly process of the resin-sealed semiconductor device.

【図4】前記樹脂封止型半導体装置の組立プロセスを説
明するための成形金型の要部断面図。
FIG. 4 is a sectional view of a main part of a molding die for explaining an assembly process of the resin-encapsulated semiconductor device.

【図5】本発明の他の実施例の樹脂封止型半導体装置の
組立プロセスを説明するための成形金型の要部断面図。
FIG. 5 is a sectional view of a main part of a molding die for explaining an assembly process of a resin-sealed semiconductor device according to another embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…樹脂封止体、1A…樹脂、2…半導体ペレット、3
…リードフレーム、3A…タブ、3B…タブ吊りリー
ド、3C…リード、3D…テープダム、3E…枠体、4
…ボンディングワイヤ、5…支持部材、6…成形金型、
7…キャビティ。
1 ... Resin encapsulant, 1A ... Resin, 2 ... Semiconductor pellet, 3
... lead frame, 3A ... tab, 3B ... tab suspension lead, 3C ... lead, 3D ... tape dam, 3E ... frame body, 4
... Bonding wire, 5 ... Support member, 6 ... Mold,
7 ... Cavity.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 北村 輝夫 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者 宝蔵寺 裕之 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者 佐藤 健司 北海道亀田郡七飯町字中島145番地 日立 北海セミコンダクタ株式会社内 (72)発明者 野瀬 藤明 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者 山口 栄次 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者 渡辺 祐二 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Teruo Kitamura 2326 Imai, Ome City, Tokyo Metropolitan area, Hitachi Device Development Center (72) Inventor Hiroyuki Hozoji 2326 Imai, Ome city, Tokyo Hitachi Device Development Center Co., Ltd. (72) Inventor Kenji Sato, Nakajima 145, Nanae-cho, Kameda-gun, Hokkaido Inside Hitachi Hokkai Semiconductor Co., Ltd. (72) Inventor Fujiaki Nose 2326 Imai, Ome-shi, Tokyo Inside Hitachi Device Development Center (72) Invention Eiji Yamaguchi 2326 Imai, Ome-shi, Tokyo Within Hitachi Device Development Center (72) Inventor Yuji Watanabe 2326 Imai, Ome-shi, Tokyo Within Hitachi Device Development Center

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 下記の工程(イ)乃至(ト)を備えたこ
とを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。 (イ)枠体で周囲を規定された領域内に、前記枠体にタ
ブ吊りリードを介在して支持されるタブ及び前記枠体に
支持されるリードが配置され、前記タブ吊りリードの封
止部と非封止部との間の領域上、前記リードの封止部と
非封止部との間の領域上の夫々にテープダムが配置され
たリードフレームを準備する工程、(ロ)前記リードフ
レームのタブのペレット塔載面上に半導体ペレットを塔
載する工程、(ハ)前記半導体ペレットの主面上、前記
タブのペレット塔載面と対向するその裏面上の夫々に支
持部材を固定する工程、(ニ)前記リードフレームのリ
ードと前記半導体ペレットの外部端子とをボンディング
ワイヤで電気的に接続する工程、(ホ)前記リードフレ
ームを成形金型の上型と下型との間に配置し、この成形
金型の上型と下型とで形成されるキャビティ内に前記タ
ブ、タブ吊りリードの封止部、リードの封止部、半導体
ペレット及びボンディングワイヤを配置する工程、
(ヘ)前記タブ吊りリード、リードの夫々のテープダム
が配置された領域を前記成形金型の上型と下型とで挾み
込むと共に、前記半導体ペレットの主面を支持部材を介
して前記半導体ペレットの主面と対向するキャビティの
内壁面に支持し、かつ前記タブの裏面を支持部材を介し
て前記タブの裏面と対向するキャビティの内壁面に支持
する工程、(ト)前記成形金型のキャビティ内に樹脂を
充填し、前記タブ、タブ吊りリードの封止部、リードの
封止部、半導体ペレット及びボンディングワイヤを封止
する工程。
1. A method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device, which comprises the following steps (a) to (g): (A) A tab supported by the frame body via a tab suspension lead and a lead supported by the frame body are arranged in a region defined by the frame body, and the tab suspension lead is sealed. Preparing a lead frame in which a tape dam is arranged on the region between the sealing portion and the non-sealing portion and on the region between the sealing portion and the non-sealing portion of the lead, respectively. A step of mounting semiconductor pellets on the pellet-column mounting surface of the tab of the frame; (c) fixing a supporting member on the main surface of the semiconductor pellet and on the back surface thereof facing the pellet-column mounting surface of the tab, respectively. Step (d) electrically connecting the leads of the lead frame and the external terminals of the semiconductor pellet with a bonding wire, (e) arranging the lead frame between an upper die and a lower die of a molding die Then, the upper and lower molds of this mold In the tub in a cavity formed, the sealing portion of the tab suspension leads, placing the sealing portion of the lead, the semiconductor pellet and the bonding wires,
(F) The tab suspension lead and the region where each tape dam of the lead is arranged are sandwiched by the upper die and the lower die of the molding die, and the main surface of the semiconductor pellet is sandwiched by a supporting member to form the semiconductor. Supporting the inner wall surface of the cavity facing the main surface of the pellet, and supporting the back surface of the tab on the inner wall surface of the cavity facing the back surface of the tab through a supporting member, (g) of the molding die A step of filling a resin into the cavity and sealing the tab, the tab suspension lead sealing portion, the lead sealing portion, the semiconductor pellet, and the bonding wire.
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