JPH07307613A - 円偏波マイクロストリップアンテナ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 １点給電タイプで２点給電タイプに匹敵する
広帯域で良好な軸比特性、ＶＳＷＲ特性及び利得特性を
得ることができ、小型で構造が単純、高信頼性、かつ安
価な円偏波マイクロストリップアンテナを提供する。 【構成】 第１の誘電体基板１１の下側全面に導体地板
１２が形成され、上面に導体励振素子１３及び１点給電
の給電線路１４がエッチング等の手段により形成され
る。上記導体励振素子１３は、円形状に形成され、その
周縁部に２つの縮退分離素子１５ａ，１５ｂが相対向す
るように設けられる。この縮退分離素子１５ａ，１５ｂ
は、給電線路１４の軸に対して４５°偏位して設けられ
る。また、上記第１の誘電体基板１１の上面には、第２
の誘電体基板１６が所定の間隔を保って設けられる。こ
の第２の誘電体基板１６の下面には、導体励振素子１３
に対向するように導体無給電素子１７が形成される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、導体無給電素子を備え
た円偏波マイクロストリップアンテナに関する。

【０００２】

【従来の技術】円偏波マイクロストリップアンテナは、
小型、軽量であり、且つ単純な構造であるために各分野
で広く使用されている。この円偏波マイクロストリップ
アンテナとしては、１点給電タイプ及び２点給電タイプ
のものがある。

【０００３】図１１は、従来の１点給電タイプの円偏波
マイクロストリップアンテナの構成例を示したものであ
る。図１１（ａ）において、１は誘電体基板で、その下
面に導体地板２が形成され、上面に導体励振素子３及び
給電線路４が形成されている。上記導体励振素子３は、
円形状に形成され、その周縁部に２つの凹部状の縮退分
離素子５ａ，５ｂが相対向するように設けられている。
この縮退分離素子５ａ，５ｂは、給電線路４の軸に対し
て４５°偏位して設けられる。

【０００４】上記のように導体励振素子３の形状を給電
点から見て非対称とし、図１１図（ｂ）に示すように導
体励振素子３上に互いに直交する励振モード＃１及び＃
２を発生させ、それらの振幅と位相差を円偏波が発生す
る条件である等振幅、９０°位相差の状態になるように
各部の寸法を設定することで円偏波を発生させている。

【０００５】図１２（ａ），（ｂ）は、上記円偏波マイ
クロストリップアンテナにおける２つの励振モードの振
幅と位相の周波数特性の例であり、周波数ｆ0 よりも少
し低い周波数ｆ1 で共振する励振モード＃１と、ｆ0 よ
りも少し高い周波数ｆ2 で共振する励振モード＃２が存
在する。これら２つの励振モードは、図から明らかなよ
うに中心周波数ｆ0 においてのみ、等振幅、９０°位相
差の状態になっており、ｆ0 でしか円偏波が発生する条
件を満たしていないことが分かる。

【０００６】また、これらの振幅と位相の周波数特性は
各励振モードのインピーダンスに関係しており、もとも
とＱが高いマイクロストリップアンテナでは、インピー
ダンスの変化が急激なために振幅と位相の変化も急激な
ものになっている。この結果、このタイプの円偏波マイ
クロストリップアンテナでは、中心周波数ｆ0 及びｆ0
に極めて近い周波数でしか良好な円偏波を発生させるこ
とが出来ない。

【０００７】図１３は、上記アンテナの軸比特性の例で
あり、軸比３ｄＢ以下の実用的な帯域は２％程度と狭帯
域なものである。図１４は、従来の２点給電タイプの円
偏波マイクロストリップアンテナの構成例を示したもの
である。このアンテナは、導体地板２を備えた誘電体基
板１上に円偏波発生機構を持たない導体励振素子３Ａ及
び、この導体励振素子３Ａに２点給電する給電回路４Ａ
が形成され、この給電回路４Ａに終端抵抗６が接続され
る。

【０００８】このタイプの円偏波マイクロストリップア
ンテナは、導体励振素子３Ａに２カ所から等振幅、９０
°位相差の電力を給電し、導体励振素子３Ａ上に２つの
直交する励振モード＃１及び＃２を共振させて円偏波を
発生させている。このアンテナの軸比特性は、給電され
る電力の振幅と位相によって決定されるので、給電回路
４Ａの特性に依存し、一般に広帯域で良好な軸比特性を
持っている。しかし、このアンテナは、Ｑが高いために
インピーダンス特性が狭帯域であり、ｆ0 から離れた周
波数では給電回路４Ａとの不整合損が生じ、広帯域で良
好な利得が得られないという問題がある。

【０００９】図１５は、スタック型の２点給電タイプの
円偏波マイクロストリップアンテナの構成例を示したも
のである。このアンテナは、前記の利得特性が狭帯域で
あるという欠点を解決するために、誘電体基板１上に導
体無給電素子７を装荷した誘電体基板８を設けて、アン
テナのインピーダンス特性を広帯域化し、利得特性を広
帯域化したもので、利得、軸比等の実用的な帯域は、１
０％前後かそれ以上と広帯域である。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】近年、利用価値が益々
高まっている無線通信分野の多くでは、帯域が数％以上
の広帯域なアンテナが要求され、更に携帯電話等の移動
体通信分野では、小型、軽量、かつ安価であることが要
求されている。

【００１１】１点給電タイプの円偏波マイクロストリッ
プアンテナは、小型、軽量で構造が単純であるが、狭帯
域である為にこれらの無線通信分野では用いることが出
来ない。

【００１２】従って、従来では主に給電回路を必要とす
る２点給電タイプのアンテナが用いられているが、給電
回路部のスペースが必要で、その分だけ大きくなるとい
う問題がある。また、２点給電タイプのアンテナにおい
て、性能の良いものを求めるには、放射素子部と給電回
路部を空間的に遮蔽し、空間的な結合を避けなければな
らず、そのために大型化すると共に構造が複雑になり、
高価なものになっていた。

【００１３】本発明は上記の点に鑑みてなされたもの
で、広帯域に亘って２つの励振モードを等振幅、９０°
位相差の状態を保つことができ、１点給電タイプで２点
給電タイプに匹敵する広帯域で良好な軸比特性、ＶＳＷ
Ｒ特性及び利得特性を得ることができ、小型で構造が単
純、高信頼性、かつ安価な円偏波マイクロストリップア
ンテナを提供することを目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明に係る円偏波マイ
クロストリップアンテナは、導体地板と、導体励振素子
及び導体無給電素子を順次空間または誘電体層を介して
平行に配置する手段と、上記導体励振素子または導体無
給電素子の何れか一方に円偏波発生用の縮退分離素子を
形成する手段と、上記導体励振素子に１点給電する給電
手段とを具備したことを特徴とする。

【００１５】また、本発明は、上記円偏波マイクロスト
リップアンテナにおいて、上記導体励振素子における２
つの直交する励振モードのインピーダンスが少なくとも
一部の周波数帯において一定となるように上記各素子の
寸法を設定したことを特徴とする。

【００１６】また、本発明は、上記円偏波マイクロスト
リップアンテナにおいて、上記導体励振素子と導体無給
電素子のインピーダンスが複共振状態となるように上記
各素子の寸法を設定したことを特徴とする。

【００１７】

【作用】まず、本発明によるアンテナの原理的な作用に
ついて説明する。図２は、スタック型の直線偏波マイク
ロストリップアンテナの構成を示したものである。この
アンテナは、第１の誘電体基板１１の下側全面に導体地
板１２を形成し、上面に導体励振素子１３Ａを形成した
狭帯域な直線偏波マイクロストリップアンテナにおい
て、第２の誘電体基板１６に形成した導体無給電素子１
７を装荷することにより、導体励振素子１３Ａと導体無
給電素子１７のインピーダンスを複共振状態にし、イン
ピーダンスを広帯域化したもので、図３に示すように広
帯域なＶＳＷＲ特性を持っている。

【００１８】通常、このアンテナの導体励振素子１３Ａ
と導体無給電素子１７の寸法は、ｆ0 で共振するように
設定されるが、本発明では導体励振素子１３Ａの寸法を
ｆ0で共振する寸法からずらすことで得られる以下に述
べるような特性を利用している。

【００１９】即ち、図２に示すスタック型の直線偏波マ
イクロストリップアンテナにおいて、導体無給電素子１
７の大きさは変えずに、導体励振素子１３Ａの寸法のみ
を可変すると、インピーダンス特性は図４のように、導
体励振素子１３Ａを小さくしたときは誘導性になり、逆
に導体励振素子１３Ａを大きくしたときは容量性にな
る。そして、導体励振素子１３Ａ上の励振モード位相
も、これに伴って変化し、導体励振素子１３Ａを小さく
したときは位相は進み、逆に導体励振素子１３Ａを大き
くしたときは位相は遅れる。

【００２０】また、このとき励振モードのインピーダン
スは、導体励振素子１３Ａとの寸法をｆ0 で共振する寸
法からずらすことで、導体励振素子１３Ａと導体無給電
素子１７のインピーダンスの複共振状態により、周波数
による変化が極めて小さくなっているので、励振モード
の振幅も広帯域に亘り、ほぼ一定の状態を保つことが出
来る。

【００２１】従って、このアンテナは、導体無給電素子
１７の大きさは変えずに、導体励振素子１３Ａの大きさ
のみを変えることで、広帯域に亘り導体励振素子１３Ａ
上の励振モードの振幅をほぼ一定に保ちながら、励振モ
ードの位相を自由に調整できる特性を持っている。

【００２２】本発明は、このような特性を利用して広帯
域な円偏波アンテナを実現したものであり、円偏波を発
生させるために導体励振素子上に縮退分離素子を設けた
り、あるいは、導体励振素子の形状を給電点から見て非
対称にすることで、円偏波を発生させるための互いに直
交する２つの励振モードを導体励振素子上に発生させ、
導体励振素子、縮退分離素子等の寸法を可変し、２つの
励振モードそれぞれから見た導体励振素子の実効的な長
さを調節することで、広帯域に亘り導体励振素子上の２
つの励振モードの位相差を９０°、かつ等振幅の状態に
している。

【００２３】

【実施例】以下、図面を参照して本発明の一実施例を説
明する。 （第１実施例）図１は、本発明の第１実施例に係る１点
給電タイプの円偏波マイクロストリップアンテナの構成
を示し、（ａ）は斜視図、（ｂ）は断面図、（ｃ）は導
体励振素子及び給電線路部である。

【００２４】図１（ａ），（ｂ）において、１１は第１
の誘電体基板で、その下側全面に導体地板（アース板）
１２が形成され、上面に導体励振素子（パッチ素子）１
３及びこの導体励振素子１３に電力を供給するための給
電線路１４がエッチング等の手段により形成される。上
記導体励振素子１３は、円形状に形成され、その周縁部
に２つの凸部状の縮退分離素子１５ａ，１５ｂが相対向
するように設けられる。この縮退分離素子１５ａ，１５
ｂは、図１（ｃ）に示すように給電線路１４の軸に対し
て４５°偏位して設けられる。また、上記第１の誘電体
基板１１の上面には、第２の誘電体基板１６が所定の間
隔ｄを保って設けられる。この第２の誘電体基板１６の
下面には、上記導体励振素子１３に対向するように導体
無給電素子（パラスティック素子）１７がエッチング等
の手段で設けられる。上記第１の誘電体基板１１及び第
２の誘電体基板１６は平行に配置され、導体励振素子１
３及び導体無給電素子１７に電気的に影響を及ぼさない
位置で、誘電体または導体等からなる支柱等により固定
される。

【００２５】上記第１の誘電体基板１１としては、アン
テナの効率を悪化させない目的で誘電体損の比較的少な
い例えばテフロンガラス基板等が用いられる。この場合
の比誘電率εr は２．６程度である。そして、第１の誘
電体基板１１は、導体地板１２及び導体励振素子１３を
含む厚さｔが例えば０．８ｍｍ程度に設定され、第１の
誘電体基板１１と第２の誘電体基板１６との間隔ｄが
０．０８λ程度に設定される。また、導体励振素子１３
の直径は、中心周波数ｆ0 より高い周波数ｆ2 で共振す
る値、例えば０．３１λに設定され、縮退分離素子１５
ａ，１５ｂを含む長さＬは、中心周波数ｆ0 より低い周
波数ｆ1 で共振する値、例えば０．４５λに設定され
る。更に、導体無給電素子１７の直径は、中心周波数ｆ
0 に共振する値、例えば０．３６λに設定される。上記
周波数ｆ1 ，ｆ2 は、中心周波数ｆ0に対して例えば３
％〜１０％の範囲で設定される。

【００２６】上記第２の誘電体基板１６としては、例え
ばガラスエポキシ樹脂等が使用される。第２の誘電体基
板１６の材質及び厚さがアンテナの特性に及ぼす影響
は、第１の誘電体基板１１の材質及び厚さがアンテナの
特性に及ぼす影響に比較してかなり小さいので、材質及
び厚さの選択の自由度は大きくなる。ガラスエポキシ基
板は、テフロンガラス基板に比べて誘電体損は大きい
が、剛性が高く、また塗装等の表面処理も容易であり、
レドームの機能を持たせることが出来る。

【００２７】本発明は、上記したように円偏波を発生さ
せるために導体励振素子１３上に縮退分離素子１５ａ，
１５ｂを設け、また、導体励振素子１３の形状を給電点
から見て非対称にすることで、円偏波を発生させるため
の互いに直交する２つの励振モードを導体励振素子１３
上に発生させ、導体励振素子１３、縮退分離素子１５
ａ，１５ｂ等の寸法を可変し、２つの励振モードそれぞ
れから見た導体励振素子１３の実効的な長さを調節する
ことで、広帯域に亘り導体励振素子１３上の２つの励振
モードの位相差を９０°、かつ等振幅の状態にしてい
る。

【００２８】図５（ａ），（ｂ）は、上記第１実施例に
おける円偏波マイクロストリップアンテナの２つの励振
モードの振幅と位相の周波数特性を示したものである。
同図から明らかなように広帯域で等振幅、９０°位相差
を実現していることが分かる。

【００２９】また、図６は、第１実施例で示したアンテ
ナの軸比特性を示したものである。本発明の円偏波マイ
クロストリップアンテナは、軸比の３ｄＢ以下の帯域は
約１５％で、従来の２点給電タイプに匹敵する広帯域な
特性を得ており、図１３の従来の１点給電タイプの軸比
特性と比べると著しい広帯域化を実現していることがわ
かる。

【００３０】更に、図７は第１実施例で示したアンテナ
のＶＳＷＲ特性である。スタック化により励振モードの
インピーダンスが広帯域化しているので、それらを合成
したアンテナのインピーダンスは更に広帯域化し、同図
に見られるように極めて広い帯域で良好な特性となって
いる。

【００３１】図８は、第１実施例におけるアンテナの利
得特性である。スタック化により導体無給電素子１７が
導波器の様な働きをし、指向特性利得を向上させ、また
スタック化によって広帯域化されたＶＳＷＲ特性によ
り、広帯域に亘り不整合損が小さくなって高利得となっ
ている。

【００３２】上記のように導体地板１２、縮退分離素子
１５ａ，１５ｂを持つ導体励振素子１３、縮退分離素子
を持たない導体無給電素子１７により円偏波マイクロス
トリップアンテナを構成することで、広帯域に亘り２つ
の励振モードを等振幅、９０°位相差の状態にし、１点
給電タイプで２点給電タイプに匹敵する広帯域で良好な
軸比特性、極めて広帯域で良好なＶＳＷＲ特性、広帯域
で高い利得特性を得ることができる。

【００３３】また、誘電体基板１１の板厚については、
通常無給電素子が無いタイプのマイクロストリップアン
テナではＱを下げるために板厚の厚いものを用いる必要
があるが、本発明によるアンテナは導体無給電素子１７
を装荷することでＱが低下しているので、比較的薄いも
のを使用できる。基板の板厚と価格は一般に比例するの
で、本発明のように薄い基板を使用することでコストの
低下を図ることができ、かつ小型、軽量化することがで
きる。

【００３４】（第２実施例）図９（ａ）〜（ｃ）は、本
発明の第２実施例に係る円偏波マイクロストリップアン
テナの構成図である。

【００３５】図９（ａ），（ｂ）に示すように、誘電体
基板１１の下側全面に導体地板１２を設け、上面に導体
励振素子１３をエッチング等の手段により形成してい
る。この導体励振素子１３は、例えば同図（ｃ）に示す
ように正方形に形成したもので、その対向する２つの角
部分を切除することにより縮退分離素子を形成してい
る。そして、誘電体基板１１には、導体励振素子１３の
給電部ａの下側より同軸コネクタ２１を取り付け、この
同軸コネクタ２１の中心導体を給電ピン２２により導体
励振素子１３の給電部ａに接続している。

【００３６】また、誘電体基板１１の上側には、導体ま
たは誘電体からなる筒状の支柱２３を介して円形の導体
無給電素子１７を配置し、この導体無給電素子１７の上
側中心部より支柱２３内に導体または誘電体からなるネ
ジ２４を挿通させて誘電体基板１１の中心部に固定して
いる。

【００３７】電力の供給は同軸コネクタ２１から行なわ
れ、給電ピン２２を介して導体励振素子１３の給電点ａ
に給電される。この第２実施例は、導体無給電素子１７
を誘電体基板を用いずに構成することでコストの低減化
を図っており、第１実施例に対して給電方法、導体励振
素子１３の形状、導体無給電素子１７の構成等が異なる
が、アンテナの特性は第１実施例とほぼ同等である。

【００３８】（第３実施例）図１０（ａ）〜（ｃ）は、
本発明の第３実施例に係る円偏波マイクロストリップア
ンテナの構成図である。

【００３９】図１０（ａ）（ｂ）において、１１は第１
の誘電体基板で、その下面に導体地板１２を設けてい
る。この導体地板１２の中央部には、長方形のスロット
３１が形成されている。また、上記第１の誘電体基板１
１の上面には、導体励振素子１３を形成している。この
導体励振素子１３は、例えば図１０（ｃ）に示すように
十字形状に形成され、その十字の方向が第１の誘電体基
板１１の辺に対してほぼ４５°偏位して設けられる。ま
た、上記第１の誘電体基板１１の上面には、第２の誘電
体基板１６が所定の間隔を保って設けられ、その上面中
央に例えば正方形の導体無給電素子１７が設けられる。
上記第１の誘電体基板１１及び第２の誘電体基板１６は
平行に配置され、導体励振素子１３及び導体無給電素子
１７に電気的に影響を及ぼさない位置で、誘電体または
導体等からなる支柱等により固定される。

【００４０】更に、上記導体地板１２の下面には、第３
の誘電体基板３２が設けられ、この第３の誘電体基板３
２の下面に給電線路１４が形成される。この場合、給電
線路１４は、図１０（ｃ）に示すように導体地板１２に
形成されたスロット３１に対して直交するように設けら
れる。

【００４１】上記の構成において、導体励振素子１３に
は、給電線路１４からスロット３１を介して電力が供給
される。即ち、導体励振素子１３は、給電線路１４と電
磁的に結合されて電力が供給される。

【００４２】この第３実施例においても、前記第１実施
例と同等のアンテナ特性を得ることができる。以上、３
つの実施例につて説明したが、本発明の導体励振素子１
３への給電方法は、導体励振素子１３と同一面上のマイ
クロストリップラインから給電する方法、導体地板の側
から導体ピンにより導体励振素子１３に対して垂直に給
電する方法、また電磁結合的に給電する方法等、前記実
施例以外にも通常のマイクロストリップアンテナで使用
されるさまざまな方法が使用可能である。

【００４３】また、導体励振素子１３の形状も前記実施
例以外に、通常の１点給電タイプの円偏波マイクロスト
リップアンテナで使用される様々な形状が使用可能であ
り、導体無給電素子１７の形状も、円形、正方形、正多
角形等々、本発明の作用を生じさせる形状であれば使用
可能である。

【００４４】更に上記各実施例では、導体励振素子１３
に縮退分離素子を形成した場合について説明したが、導
体無給電素子１７に縮退分離素子を形成しても良く、こ
の場合においても、上記各実施例と同等のアンテナ特性
を得ることができる。

【００４５】また、上記実施例では、マイクロストリッ
プアンテナを単素子で構成した場合について示したが、
複数の素子を用いてアレーアンテナの構成としても良い
ことは勿論である。

【００４６】

【発明の効果】以上詳記したように本発明によれば、導
体地板、導体励振素子、導体無給電素子を順次空間また
は誘電体層を介して平行に配置すると共に、上記導体励
振素子または導体無給電素子の何れか一方に円偏波発生
用の縮退分離素子を形成して円偏波マイクロストリップ
アンテナを構成することで、広帯域に亘り２つの励振モ
ードを等振幅、９０°位相差の状態にし、１点給電タイ
プで２点給電タイプに匹敵する広帯域で良好な軸比特
性、極めて広帯域で良好なＶＳＷＲ特性、広帯域で高い
利得特性が得られるものである。

【００４７】従って、従来の給電回路を必要とするため
に構造が複雑で大型で高価であった２点給電タイプの円
偏波マイクロストリップアンテナに代わる、小型で構造
が単純、高信頼性、かつ安価な円偏波マイクロストリッ
プアンテナを実現し得るものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例に係る円偏波マイクロスト
リップアンテナの構成を示し、（ａ）は斜視図、（ｂ）
は断面図、（ｃ）は導体励振素子及び給電線路部の詳細
図。

【図２】本発明によるアンテナの作用を説明するための
スタック型の直線偏波マイクロストリップアンテナの構
成を示し、（ａ）は斜視図、（ｂ）は断面図。

【図３】図２に示したアンテナのＶＳＷＲ特性図。

【図４】図２に示したアンテナのインピーダンス特性
図。

【図５】図１の第１実施例におけるアンテナの２つの励
振モードの振幅と位相の周波数特性図。

【図６】第１実施例におけるアンテナの軸比特性図。

【図７】第１実施例におけるアンテナのＶＳＷＲ特性
図。

【図８】第１実施例におけるアンテナの利得特性図。

【図９】本発明の第２実施例に係る円偏波マイクロスト
リップアンテナの構成を示し、（ａ）は斜視図、（ｂ）
は断面図、（ｃ）は導体励振素子部分の詳細図。

【図１０】本発明の第３実施例に係る円偏波マイクロス
トリップアンテナの構成を示し、（ａ）は斜視図、
（ｂ）は断面図、（ｃ）は導体励振素子及び給電線路部
の詳細図。

【図１１】従来の１点給電タイプの円偏波マイクロスト
リップアンテナの構成を示し、（ａ）は斜視図、（ｂ）
は導体励振素子及び給電線路部の詳細図。

【図１２】図１１のアンテナにおける２つの励振モード
の振幅と位相の周波数特性図。

【図１３】図１１のアンテナにおける軸比特性図。

【図１４】従来の２点給電タイプの円偏波マイクロスト
リップアンテナの構成図。

【図１５】従来のスタック型２点給電タイプの円偏波マ
イクロストリップアンテナの構成図。

【符号の説明】

１１ 第１の誘電体基板 １２ 導体地板 １３，１３Ａ 導体励振素子 １４ 給電線路 １５ａ，１５ｂ 縮退分離素子 １６ 第２の誘電体基板 １７ 導体無給電素子 ２１ 同軸コネクタ ２２ 給電ピン ２３ 支柱 ２４ ネジ ３１ スロット ３２ 第３の誘電体基板

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 導体地板と、導体励振素子及び導体無給
   電素子を順次空間または誘電体層を介して平行に配置す
   る手段と、上記導体励振素子または導体無給電素子の何
   れか一方に円偏波発生用の縮退分離素子を形成する手段
   と、上記導体励振素子に１点給電する給電手段とを具備
   したことを特徴とする円偏波マイクロストリップアンテ
   ナ。
2. 【請求項２】 導体地板と、導体励振素子及び導体無給
   電素子を順次空間または誘電体層を介して平行に配置す
   る手段と、上記導体励振素子または導体無給電素子の何
   れか一方に円偏波発生用の縮退分離素子を形成する手段
   と、上記導体励振素子に１点給電する給電手段とを具備
   してなる円偏波マイクロストリップアンテナにおいて、
   上記導体励振素子における２つの直交する励振モードの
   インピーダンスが少なくとも一部の周波数帯において一
   定となるように上記各素子の寸法を設定したことを特徴
   とする円偏波マイクロストリップアンテナ。
3. 【請求項３】 導体地板と、導体励振素子及び導体無給
   電素子を順次空間または誘電体層を介して平行に配置す
   る手段と、上記導体励振素子または導体無給電素子の何
   れか一方に円偏波発生用の縮退分離素子を形成する手段
   と、上記導体励振素子に１点給電する給電手段とを具備
   してなる円偏波マイクロストリップアンテナにおいて、
   上記導体励振素子と導体無給電素子のインピーダンスが
   複共振状態となるように上記各素子の寸法を設定したこ
   とを特徴とする円偏波マイクロストリップアンテナ。