JPH07307511A - 半導体飽和可能吸収材を用いた衝突パルス・モード・ロック・リング状ファイバ・レーザ - Google Patents
半導体飽和可能吸収材を用いた衝突パルス・モード・ロック・リング状ファイバ・レーザInfo
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- JPH07307511A JPH07307511A JP7040593A JP4059395A JPH07307511A JP H07307511 A JPH07307511 A JP H07307511A JP 7040593 A JP7040593 A JP 7040593A JP 4059395 A JP4059395 A JP 4059395A JP H07307511 A JPH07307511 A JP H07307511A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/11—Mode locking; Q-switching; Other giant-pulse techniques, e.g. cavity dumping
- H01S3/1106—Mode locking
- H01S3/1112—Passive mode locking
- H01S3/1115—Passive mode locking using intracavity saturable absorbers
- H01S3/1118—Semiconductor saturable absorbers, e.g. semiconductor saturable absorber mirrors [SESAMs]; Solid-state saturable absorbers, e.g. carbon nanotube [CNT] based
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/06—Construction or shape of active medium
- H01S3/063—Waveguide lasers, i.e. whereby the dimensions of the waveguide are of the order of the light wavelength
- H01S3/067—Fibre lasers
- H01S3/06791—Fibre ring lasers
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
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- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】高い繰り返し周波数で偏光低感度の超短パルス
光を発生する小型レーザを提供する。 【構成】単一モード・ファイバ１６、Ｅｒドープ・ファ
イバ１８、フィルタ２４、半導体飽和可能吸収材３０、
及び第一、第二のレンズ２６，２８とでリング共振器を
構成する。光増幅特性を有するファイバ１８の自発放射
から生じたパルス光はファイバ増幅器で増幅され、飽和
可能吸収材３０により整形される。二つの互いに反対方
向に伝搬するパルスは飽和可能吸収材３０上で衝突して
モードロックされて、主レーザ発光モードのＰＳ、また
はそれ以下の超短パルス光となり出力カプラ２０から取
り出される。
光を発生する小型レーザを提供する。 【構成】単一モード・ファイバ１６、Ｅｒドープ・ファ
イバ１８、フィルタ２４、半導体飽和可能吸収材３０、
及び第一、第二のレンズ２６，２８とでリング共振器を
構成する。光増幅特性を有するファイバ１８の自発放射
から生じたパルス光はファイバ増幅器で増幅され、飽和
可能吸収材３０により整形される。二つの互いに反対方
向に伝搬するパルスは飽和可能吸収材３０上で衝突して
モードロックされて、主レーザ発光モードのＰＳ、また
はそれ以下の超短パルス光となり出力カプラ２０から取
り出される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザに関し、特に、
半導体飽和可能吸収材を用いた衝突パルス・モード・ロ
ックされた（ＣＰＭ）リング状ファイバ・レーザをもた
らすアセンブリに関する。
半導体飽和可能吸収材を用いた衝突パルス・モード・ロ
ックされた（ＣＰＭ）リング状ファイバ・レーザをもた
らすアセンブリに関する。
【０００２】
【従来の技術】光学ファイバ・システムでは、光学ファ
イバを介して情報を搬送するために、高い繰り返し速度
で信頼できる短い光パルスの供給源が必要となる。搬送
される情報は、電話音声からテレビジョン信号、デジタ
ル・コンピュータ・データまでの範囲にある。短い光パ
ルスの供給源は、また、光波計器にとって、及び一般的
に科学研究の分野で必要とされる。光学調整、及び位置
合わせの数が多く、複雑であるので、現在利用可能なピ
コ秒、及びサブ・ピコ秒期間のレーザには、レーザを操
作する高度の熟練者が要求される。サブ・ピコ秒の光パ
ルスを生成することが可能で、簡単に操作可能なレーザ
に対する必要性がある。
イバを介して情報を搬送するために、高い繰り返し速度
で信頼できる短い光パルスの供給源が必要となる。搬送
される情報は、電話音声からテレビジョン信号、デジタ
ル・コンピュータ・データまでの範囲にある。短い光パ
ルスの供給源は、また、光波計器にとって、及び一般的
に科学研究の分野で必要とされる。光学調整、及び位置
合わせの数が多く、複雑であるので、現在利用可能なピ
コ秒、及びサブ・ピコ秒期間のレーザには、レーザを操
作する高度の熟練者が要求される。サブ・ピコ秒の光パ
ルスを生成することが可能で、簡単に操作可能なレーザ
に対する必要性がある。
【０００３】短い光学パルスは、光学ファイバ通信シス
テムの時間応答を試験するための基本である。時間応答
は、伝送情報の最大速度に関係する。電話通信システム
の速度が増大すると、サブ・ピコ秒の試験インパルス供
給源に対する必要性は更に深刻になる。
テムの時間応答を試験するための基本である。時間応答
は、伝送情報の最大速度に関係する。電話通信システム
の速度が増大すると、サブ・ピコ秒の試験インパルス供
給源に対する必要性は更に深刻になる。
【０００４】モード・ロックは、超短パルスを生成する
ための重要な技術である。モード・ロックにより、レー
ザの縦方向モードの位相が固定される結果、レーザの発
振エネルギーが、レーザ空洞内部で後方、及び前方に進
む時間領域でのパケットに集められる。モード・ロック
・レーザは、サブ・ピコ秒の、又はそれより短いパルス
と同程度の短い光学パルスを生成することがよく知られ
ている。光学経路に飽和可能吸収材（光学強度の増加に
伴い吸収が減少する吸収材）が含まれる場合、モード・
ロックがいくつかのレーザで自然発生する。これは、色
素が、多モードのランダム位相発振よりもモード・ロッ
ク・パルス列から少ないパワーを吸収するという事実に
より、連続色素レーザにおいてモード・ロックを誘発す
るのに使用される方法である。というのは、発振の最初
の形態が、最も高い可能なピーク強度（レーザの所定平
均パワーに対して）へと導き、結果としてより厳しくな
く減衰されるからである。一般的な説明のために、Yari
v,A.,「Quantum Electronics」,2nd Ed.New York:Wiley
(1975);「Optical Electronics」,3rd Ed.New York:Hal
t,Rinehart & Winston(1985)を参照されたい。
ための重要な技術である。モード・ロックにより、レー
ザの縦方向モードの位相が固定される結果、レーザの発
振エネルギーが、レーザ空洞内部で後方、及び前方に進
む時間領域でのパケットに集められる。モード・ロック
・レーザは、サブ・ピコ秒の、又はそれより短いパルス
と同程度の短い光学パルスを生成することがよく知られ
ている。光学経路に飽和可能吸収材（光学強度の増加に
伴い吸収が減少する吸収材）が含まれる場合、モード・
ロックがいくつかのレーザで自然発生する。これは、色
素が、多モードのランダム位相発振よりもモード・ロッ
ク・パルス列から少ないパワーを吸収するという事実に
より、連続色素レーザにおいてモード・ロックを誘発す
るのに使用される方法である。というのは、発振の最初
の形態が、最も高い可能なピーク強度（レーザの所定平
均パワーに対して）へと導き、結果としてより厳しくな
く減衰されるからである。一般的な説明のために、Yari
v,A.,「Quantum Electronics」,2nd Ed.New York:Wiley
(1975);「Optical Electronics」,3rd Ed.New York:Hal
t,Rinehart & Winston(1985)を参照されたい。
【０００５】衝突パルス・モード・ロック（ＣＰＭ）色
素レーザが、１ピコ秒、又はそれより短い光パルスを生
成すると報告されている。（Forkその他による「衝突パ
ルス・モード・ロックによる0.1ピコ秒より短い光学パ
ルス生成（Generation of optical pulses shorter tha
n 0.1 psec by colliding pulse mode locking）」App
l.Phys.Lett.vol.38,No.9,pp671-2(1961)を参照された
い。）リング状レーザは、２つの異なった反対の伝搬方
向のどちらかで、同時、又は独立に発振する独自の能力
を有している。衝突パルス・モード・ロック（ＣＰＭ）
は、短いパルスを生成するために、薄い飽和可能吸収材
内で相互作用する２つの同期した反対方向伝搬パルスを
使用する。
素レーザが、１ピコ秒、又はそれより短い光パルスを生
成すると報告されている。（Forkその他による「衝突パ
ルス・モード・ロックによる0.1ピコ秒より短い光学パ
ルス生成（Generation of optical pulses shorter tha
n 0.1 psec by colliding pulse mode locking）」App
l.Phys.Lett.vol.38,No.9,pp671-2(1961)を参照された
い。）リング状レーザは、２つの異なった反対の伝搬方
向のどちらかで、同時、又は独立に発振する独自の能力
を有している。衝突パルス・モード・ロック（ＣＰＭ）
は、短いパルスを生成するために、薄い飽和可能吸収材
内で相互作用する２つの同期した反対方向伝搬パルスを
使用する。
【０００６】市販品が入手可能となってきているので、
能動的、及び受動的なモード・ロック・レーザにおいて
短い光学パルスを生成するために、エルビウム・ドープ
・ファイバが好適な利得媒体となっている。エルビウム
・ファイバ・レーザのモードロックは、能動変調器、飽
和可能吸収材、偏光スイッチ、及び非線形増幅ループ・
ミラーを使用して証明されている。
能動的、及び受動的なモード・ロック・レーザにおいて
短い光学パルスを生成するために、エルビウム・ドープ
・ファイバが好適な利得媒体となっている。エルビウム
・ファイバ・レーザのモードロックは、能動変調器、飽
和可能吸収材、偏光スイッチ、及び非線形増幅ループ・
ミラーを使用して証明されている。
【０００７】飽和（分布差が定常状態に到達している状
態）は、レーザ理論にとって非常に重要である。反転分
布差の飽和、従って増幅レーザ媒体の利得が、レーザ・
パワー出力を決定するものである。レーザ発振器が発振
し始めると、空洞内部の強度が飽和する、従ってレーザ
利得を減少させるのに充分になるまで、発振増幅度が最
初は大きくなる。次に、飽和レーザ利得が、全空洞損失
にちょうど等しくなると、定常状態が生じ、そのために
総往復利得が正確に１となる。従って、利得飽和は、レ
ーザが発振するパワーレベルを決定する主たる機構であ
る。Siegmanによる「レーザ（Lasers）」,University S
cience Books,p207-8(1986)を参照されたい。
態）は、レーザ理論にとって非常に重要である。反転分
布差の飽和、従って増幅レーザ媒体の利得が、レーザ・
パワー出力を決定するものである。レーザ発振器が発振
し始めると、空洞内部の強度が飽和する、従ってレーザ
利得を減少させるのに充分になるまで、発振増幅度が最
初は大きくなる。次に、飽和レーザ利得が、全空洞損失
にちょうど等しくなると、定常状態が生じ、そのために
総往復利得が正確に１となる。従って、利得飽和は、レ
ーザが発振するパワーレベルを決定する主たる機構であ
る。Siegmanによる「レーザ（Lasers）」,University S
cience Books,p207-8(1986)を参照されたい。
【０００８】半導体が、２つの特性、すなわち電子的と
光学的な範疇を有していることはよく知られている。
（「レーザの理解」（Understanding Lasers）,ch8,IEE
E,1992を参照されたい。）飽和可能吸収材として半導体
を使用するファイバ・レーザにとって、光学特性は重要
である。鍵となるパラメータはバンドギャップ、及びキ
ャリア寿命である。バンドギャップは、伝導帯と価電子
帯の間のエネルギー間隔であり、半導体内で電子と正孔
を生成し始める光のエネルギー（周波数）を表す。バン
ドギャップの端部の近くでは、電子／正孔の生成に利用
可能な状態数が制限される。「ギャップ」という用語
は、光周波数があまりにも低い場合、伝導帯と価電子帯
間の電子と正孔に対するエネルギー・レベルの不足を説
明するために用いている。
光学的な範疇を有していることはよく知られている。
（「レーザの理解」（Understanding Lasers）,ch8,IEE
E,1992を参照されたい。）飽和可能吸収材として半導体
を使用するファイバ・レーザにとって、光学特性は重要
である。鍵となるパラメータはバンドギャップ、及びキ
ャリア寿命である。バンドギャップは、伝導帯と価電子
帯の間のエネルギー間隔であり、半導体内で電子と正孔
を生成し始める光のエネルギー（周波数）を表す。バン
ドギャップの端部の近くでは、電子／正孔の生成に利用
可能な状態数が制限される。「ギャップ」という用語
は、光周波数があまりにも低い場合、伝導帯と価電子帯
間の電子と正孔に対するエネルギー・レベルの不足を説
明するために用いている。
【０００９】半導体材料において、電子は、通常の状況
下では価電子帯にある。半導体のバンドギャップ・エネ
ルギーに等しい、又はそれより大きなエネルギー・レベ
ルを有する光が半導体と出くわすと、光エネルギーが吸
収され、それにより、いくつかの電子が伝導帯へ遷移さ
せられ、電子−正孔対が作り出される。電子−正孔対は
最終的には消滅し、平均寿命は「キャリア寿命」と呼ば
れる。
下では価電子帯にある。半導体のバンドギャップ・エネ
ルギーに等しい、又はそれより大きなエネルギー・レベ
ルを有する光が半導体と出くわすと、光エネルギーが吸
収され、それにより、いくつかの電子が伝導帯へ遷移さ
せられ、電子−正孔対が作り出される。電子−正孔対は
最終的には消滅し、平均寿命は「キャリア寿命」と呼ば
れる。
【００１０】放射と非放射の２種類の消滅過程がある。
放射消滅過程では、バンドギャップ・エネルギーに比例
した周波数で放射される光子を伴い、電子が、伝導帯か
ら価電子帯へと落下して戻る。放射消滅過程は、特定の
半導体材料に固有である数ナノ秒（10-9s）の時定数を
有する。
放射消滅過程では、バンドギャップ・エネルギーに比例
した周波数で放射される光子を伴い、電子が、伝導帯か
ら価電子帯へと落下して戻る。放射消滅過程は、特定の
半導体材料に固有である数ナノ秒（10-9s）の時定数を
有する。
【００１１】非放射消滅は、光を生成することなく電子
と正孔が結合することによる過程である。非放射再結合
に対する通常の機構は、半導体内の欠陥と不純物であ
る。非放射消滅過程の時定数は、不純物と欠陥の濃度に
依存し、１ピコ秒より短くありえる。半導体飽和可能吸
収材は、吸収飽和の機構を利用している。前述したよう
に、半導体が光を吸収すると、電子が、価電子帯から伝
導帯へと遷移し、従って電子−正孔対を作り出す。入射
光の強度が高いと、非常に多くの遷移が発生し、価電子
帯は殆ど空となり、伝導帯は満たされ、光を吸収する半
導体の能力が弱くなる。この現象は、飽和可能吸収材効
果として知られている。飽和可能吸収材の特性はそのキ
ャリア寿命に依存する。キャリア寿命が短くなると、電
子−正孔対の消滅が速くなり、そして飽和可能吸収材の
回復が速くなる。飽和可能吸収材効果は、モード・ロッ
ク・レーザを製作するのに利用することができる。光強
度が高い場合には損失の減少により、内部に飽和可能吸
収材を有するレーザは、モード・ロックにより、比較的
低強度の連続波長（ＣＷ）のレーザ発光というより、む
しろ高い瞬時強度を有する短いパルスを生成する傾向が
ある。
と正孔が結合することによる過程である。非放射再結合
に対する通常の機構は、半導体内の欠陥と不純物であ
る。非放射消滅過程の時定数は、不純物と欠陥の濃度に
依存し、１ピコ秒より短くありえる。半導体飽和可能吸
収材は、吸収飽和の機構を利用している。前述したよう
に、半導体が光を吸収すると、電子が、価電子帯から伝
導帯へと遷移し、従って電子−正孔対を作り出す。入射
光の強度が高いと、非常に多くの遷移が発生し、価電子
帯は殆ど空となり、伝導帯は満たされ、光を吸収する半
導体の能力が弱くなる。この現象は、飽和可能吸収材効
果として知られている。飽和可能吸収材の特性はそのキ
ャリア寿命に依存する。キャリア寿命が短くなると、電
子−正孔対の消滅が速くなり、そして飽和可能吸収材の
回復が速くなる。飽和可能吸収材効果は、モード・ロッ
ク・レーザを製作するのに利用することができる。光強
度が高い場合には損失の減少により、内部に飽和可能吸
収材を有するレーザは、モード・ロックにより、比較的
低強度の連続波長（ＣＷ）のレーザ発光というより、む
しろ高い瞬時強度を有する短いパルスを生成する傾向が
ある。
【００１２】最近、半導体飽和可能吸収材を有するファ
イバ・レーザが報告されている。Reddyその他による
「ターンキー1.5μｍＰｓ Er/Yb ファイバ・レーザ（A
Turnkey1.5 micrometer Picosecond Er/Yb Fiber lase
r）」,Optical Fiber Communication Conference,PD17,
pp71-4(1993)を参照されたい。Reddyその他は、ネオジ
ム（Ｎｄ）によりエネルギー供給されたエルビウム・ド
ープ・ファイバを用いるファイバ・レーザ、つまりダイ
オード・レーザによりエネルギー供給されたＹＬＦ（1.
053μｍ）マイクロ・レーザを報告している。モード・
ロックは、InP基板上に蒸着されたInGaAsP飽和可能吸収
材を用いて達成される。
イバ・レーザが報告されている。Reddyその他による
「ターンキー1.5μｍＰｓ Er/Yb ファイバ・レーザ（A
Turnkey1.5 micrometer Picosecond Er/Yb Fiber lase
r）」,Optical Fiber Communication Conference,PD17,
pp71-4(1993)を参照されたい。Reddyその他は、ネオジ
ム（Ｎｄ）によりエネルギー供給されたエルビウム・ド
ープ・ファイバを用いるファイバ・レーザ、つまりダイ
オード・レーザによりエネルギー供給されたＹＬＦ（1.
053μｍ）マイクロ・レーザを報告している。モード・
ロックは、InP基板上に蒸着されたInGaAsP飽和可能吸収
材を用いて達成される。
【００１３】Reddyその他のレーザは、自己始動モード
・ロックを提供し、ファイバの偏光ドリフトに不感に動
作するとされている。従って、そのレーザは、「ターン
キー」動作をなすべく製作することができ、すなわち言
うなら、レーザは鍵を回すような何らかのキーにより動
作する。しかし、いくつかの重大な欠点がいまだ存在し
ており、短パルス・レーザに関する未解決の市場ニーズ
が残されている。
・ロックを提供し、ファイバの偏光ドリフトに不感に動
作するとされている。従って、そのレーザは、「ターン
キー」動作をなすべく製作することができ、すなわち言
うなら、レーザは鍵を回すような何らかのキーにより動
作する。しかし、いくつかの重大な欠点がいまだ存在し
ており、短パルス・レーザに関する未解決の市場ニーズ
が残されている。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】必要な半導体飽和可能
吸収材は、市販品が入手可能ではない。モード・ロック
・ファイバ・レーザを構成するために、半導体飽和可能
吸収材は、正確なバンドギャップとキャリア寿命の両方
を備えていなければならない。半導体飽和可能吸収材
は、ＭＢＥ（分子線）、又はＭＯＣＶＤ（金属有機化学
蒸着）を用いて成長させることができるが、これらの機
械により成長させられる半導体材料のキャリア寿命は通
常、エルビウム・ドープ・ファイバ・レーザのモード・
ロックを可能にするためには長過ぎる。
吸収材は、市販品が入手可能ではない。モード・ロック
・ファイバ・レーザを構成するために、半導体飽和可能
吸収材は、正確なバンドギャップとキャリア寿命の両方
を備えていなければならない。半導体飽和可能吸収材
は、ＭＢＥ（分子線）、又はＭＯＣＶＤ（金属有機化学
蒸着）を用いて成長させることができるが、これらの機
械により成長させられる半導体材料のキャリア寿命は通
常、エルビウム・ドープ・ファイバ・レーザのモード・
ロックを可能にするためには長過ぎる。
【００１５】短いキャリア寿命は、低温ＭＢＥ、又はＭ
ＯＣＶＤ技法を用いて達成されているが、その技法は再
現、及び制御するには困難である。モード・ロック・フ
ァイバ・レーザ、又は他の固体レーザのための半導体飽
和可能吸収材の製作は、「魔術」の類として受け取られ
てきたと言うべきであろう。従って、ターンキー・モー
ド・ロック・レーザの市販品の入手を可能にするため
に、市販品の入手可能な半導体飽和可能吸収材に対する
必要性が依然としてある。
ＯＣＶＤ技法を用いて達成されているが、その技法は再
現、及び制御するには困難である。モード・ロック・フ
ァイバ・レーザ、又は他の固体レーザのための半導体飽
和可能吸収材の製作は、「魔術」の類として受け取られ
てきたと言うべきであろう。従って、ターンキー・モー
ド・ロック・レーザの市販品の入手を可能にするため
に、市販品の入手可能な半導体飽和可能吸収材に対する
必要性が依然としてある。
【００１６】更に必要とされるのは、イオン注入の市販
品として利用可能な手段である。半導体飽和可能吸収材
に関するイオン注入は、電子−正孔対のキャリア寿命を
制御するために使用される。変更なしに、InGaAsP/In
P、又はGaAlAs/GaAsのような半導体材料は、1から8ナノ
秒（ナノ秒は10-9に等しい）の自然なキャリア寿命を有
している。この程度のキャリア寿命は、エルビウム・ド
ープ・ファイバ・レーザで短い光学パルスを生成するに
はあまりにも長い。半導体材料のキャリア寿命を短くす
るための１つの方法が、イオン注入を使用することであ
る。イオン注入は、半導体材料中に変異、即ち「欠陥」
を生み出す。欠陥は、電子−正孔対に対する再結合中心
に役立つ。イオン注入の線量、及びエネルギーを制御す
ることにより、キャリア寿命を所要値に短縮することが
可能となる。通常必要とされる値は１から100ピコ秒
（ピコ秒は10-12に等しい）であろう。イオン注入は、
低温ＭＢＥ、又はＭＯＣＶＤを用いた技法より、半導体
飽和可能吸収材内に欠陥を生成するためには良い技法で
ある。イオン注入により、欠陥濃度、及び分散を注入線
量、及びエネルギーを変化させることでうまく制御する
ことが可能となる。更に、半導体飽和可能吸収材の低温
成長は、極端に困難なプロセスである。たいていのＭＢ
Ｅ、又はＭＯＣＶＤ機械装置は、通常、低欠陥材料を生
成するのに用いられる。従って、高欠陥材料を作り出す
低温操作は、ＭＢＥ、又はＭＯＣＶＤ機械装置の「異常
操作」であり、そのために広範な校正が要求される。
品として利用可能な手段である。半導体飽和可能吸収材
に関するイオン注入は、電子−正孔対のキャリア寿命を
制御するために使用される。変更なしに、InGaAsP/In
P、又はGaAlAs/GaAsのような半導体材料は、1から8ナノ
秒（ナノ秒は10-9に等しい）の自然なキャリア寿命を有
している。この程度のキャリア寿命は、エルビウム・ド
ープ・ファイバ・レーザで短い光学パルスを生成するに
はあまりにも長い。半導体材料のキャリア寿命を短くす
るための１つの方法が、イオン注入を使用することであ
る。イオン注入は、半導体材料中に変異、即ち「欠陥」
を生み出す。欠陥は、電子−正孔対に対する再結合中心
に役立つ。イオン注入の線量、及びエネルギーを制御す
ることにより、キャリア寿命を所要値に短縮することが
可能となる。通常必要とされる値は１から100ピコ秒
（ピコ秒は10-12に等しい）であろう。イオン注入は、
低温ＭＢＥ、又はＭＯＣＶＤを用いた技法より、半導体
飽和可能吸収材内に欠陥を生成するためには良い技法で
ある。イオン注入により、欠陥濃度、及び分散を注入線
量、及びエネルギーを変化させることでうまく制御する
ことが可能となる。更に、半導体飽和可能吸収材の低温
成長は、極端に困難なプロセスである。たいていのＭＢ
Ｅ、又はＭＯＣＶＤ機械装置は、通常、低欠陥材料を生
成するのに用いられる。従って、高欠陥材料を作り出す
低温操作は、ＭＢＥ、又はＭＯＣＶＤ機械装置の「異常
操作」であり、そのために広範な校正が要求される。
【００１７】Lamprechtその他は、損傷線量の関数とし
て光励起されたキャリアの寿命を測定するために、陽子
で衝撃を与えたInP（インジウム・リン酸塩）における
時分解発光を研究した。（Lamprechtその他による「水
素陽子で衝撃を与えたInPにおける超短キャリア寿命」
（Ultrashort carrier lifetimes in H+ Bombarded In
P）,Appl.Phys.Lett.59(8),pp926-928,Aug 19,1991を参
照されたい。）結果は、寿命の減少は衝撃により生成さ
れるトラップ、及び再結合中心の欠陥の直接的帰結であ
るという意味に解釈された。陽子で衝撃を与えたInPに
おける光励起キャリアは、下限95フェムト秒の超短寿命
を明示した。
て光励起されたキャリアの寿命を測定するために、陽子
で衝撃を与えたInP（インジウム・リン酸塩）における
時分解発光を研究した。（Lamprechtその他による「水
素陽子で衝撃を与えたInPにおける超短キャリア寿命」
（Ultrashort carrier lifetimes in H+ Bombarded In
P）,Appl.Phys.Lett.59(8),pp926-928,Aug 19,1991を参
照されたい。）結果は、寿命の減少は衝撃により生成さ
れるトラップ、及び再結合中心の欠陥の直接的帰結であ
るという意味に解釈された。陽子で衝撃を与えたInPに
おける光励起キャリアは、下限95フェムト秒の超短寿命
を明示した。
【００１８】Van der Zielその他は、飽和可能吸収の領
域が陽子衝撃によりもたらされるという、モード・ロッ
ク半導体レーザを製作するためにイオン注入を用いるこ
とを報告した。「外部リング状空洞における能動的モー
ド・ロックGaAsレーザからのサブ・ピコ秒パルスの生
成」（Generation of subpicosecond pulses from an a
ctively mode-locked GaAs laser in external ring ca
vity）,Appl.Phys.Lett.39(11),pp867-869,Dec 1,1981
を参照されたい。陽子衝撃を介した飽和可能吸収を誘発
する処理は、未処理サンプル（衝撃の前）からの初期安
定放射を、処理済みサンプルからの振動出力に変換す
る。Van der Zielの外部空洞は、コリメータ・レンズと
反射ミラーからなる。鏡状切開面の陽子衝撃は、飽和可
能損失をもたらし、モード・ロック半導体レーザにおい
てサブ・ピコ秒のパルスを生じさせる。
域が陽子衝撃によりもたらされるという、モード・ロッ
ク半導体レーザを製作するためにイオン注入を用いるこ
とを報告した。「外部リング状空洞における能動的モー
ド・ロックGaAsレーザからのサブ・ピコ秒パルスの生
成」（Generation of subpicosecond pulses from an a
ctively mode-locked GaAs laser in external ring ca
vity）,Appl.Phys.Lett.39(11),pp867-869,Dec 1,1981
を参照されたい。陽子衝撃を介した飽和可能吸収を誘発
する処理は、未処理サンプル（衝撃の前）からの初期安
定放射を、処理済みサンプルからの振動出力に変換す
る。Van der Zielの外部空洞は、コリメータ・レンズと
反射ミラーからなる。鏡状切開面の陽子衝撃は、飽和可
能損失をもたらし、モード・ロック半導体レーザにおい
てサブ・ピコ秒のパルスを生じさせる。
【００１９】イオン注入技法を用いたモード・ロック半
導体レーザは、Van der Zielその他により明示された
が、半導体レーザは短い利得回復時間（10-9秒であるナ
ノ秒の程度の）を有している。モード・ロックは、半導
体制御媒体、及び飽和可能吸収材による損失飽和によっ
て利得飽和を伴う。
導体レーザは、Van der Zielその他により明示された
が、半導体レーザは短い利得回復時間（10-9秒であるナ
ノ秒の程度の）を有している。モード・ロックは、半導
体制御媒体、及び飽和可能吸収材による損失飽和によっ
て利得飽和を伴う。
【００２０】10ミリ秒（10ミリ秒は10-3秒である）の利
得回復時間を有するエルビウム・ドープ・ファイバ増幅
器のようなかなり遅い利得回復時間を有するモード・ロ
ック・レーザに対する必要性がいまだに残っている。更
に、高い繰り返し速度で短い光学パルスを生成可能な小
型レーザの容易な操作（すなわち、自己始動、及び偏光
低感度性）に対する不適な必要性がいまだに残ってい
る。
得回復時間を有するエルビウム・ドープ・ファイバ増幅
器のようなかなり遅い利得回復時間を有するモード・ロ
ック・レーザに対する必要性がいまだに残っている。更
に、高い繰り返し速度で短い光学パルスを生成可能な小
型レーザの容易な操作（すなわち、自己始動、及び偏光
低感度性）に対する不適な必要性がいまだに残ってい
る。
【００２１】
【課題を解決するための手段】本発明は、高い繰り返し
速度で短い光学パルス（1-2ピコ秒、又はそれ以下程度
の）を供給可能である衝突パルス・モード・ロック（Ｃ
ＰＭ）リング状ファイバ・レーザを提供する。本発明
は、数10MHzの繰り返し速度で短い光学パルスが可能
な、小型で、操作し易いＣＰＭリング状ファイバ・レー
ザを提供する。ＣＰＭファイバ・レーザは、同一ファイ
バ長を備える線形レーザより４倍速く、同一長の単方向
リング状レーザの２倍の速度である繰り返し速度を有す
ることが可能である。このより高い繰り返し速度は、出
力カプラの両側からの出力計時を合計することにより達
成される。更に、ＣＰＭはパルスの 揺動（chirping）
を削減するので、出力パルス幅をより短くすることが可
能である。本明細書で説明される本発明は、トランプの
一組と同じ位小型であり、長テーブル（ｂａｎｑｕｅｔ
ｔａｂｌｅ）と等しい、又はそれより大きな空間を占
めるＣＰＭ色素レーザよりも寸法が途方もなく縮小され
た、偏光低感度ＣＰＭファイバ・レーザを提供する。Ｃ
ＰＭ色素レーザは開放ビームであり、光ビームをリング
状に曲げるためにミラーを必要とする。ファイバは、リ
ングに容易に巻き付けられ、光の閉じ込め度合いが高い
という固有性がある。更に、本発明が提供することは、
半導体飽和可能吸収材におけるイオン注入の優れた技法
である。
速度で短い光学パルス（1-2ピコ秒、又はそれ以下程度
の）を供給可能である衝突パルス・モード・ロック（Ｃ
ＰＭ）リング状ファイバ・レーザを提供する。本発明
は、数10MHzの繰り返し速度で短い光学パルスが可能
な、小型で、操作し易いＣＰＭリング状ファイバ・レー
ザを提供する。ＣＰＭファイバ・レーザは、同一ファイ
バ長を備える線形レーザより４倍速く、同一長の単方向
リング状レーザの２倍の速度である繰り返し速度を有す
ることが可能である。このより高い繰り返し速度は、出
力カプラの両側からの出力計時を合計することにより達
成される。更に、ＣＰＭはパルスの 揺動（chirping）
を削減するので、出力パルス幅をより短くすることが可
能である。本明細書で説明される本発明は、トランプの
一組と同じ位小型であり、長テーブル（ｂａｎｑｕｅｔ
ｔａｂｌｅ）と等しい、又はそれより大きな空間を占
めるＣＰＭ色素レーザよりも寸法が途方もなく縮小され
た、偏光低感度ＣＰＭファイバ・レーザを提供する。Ｃ
ＰＭ色素レーザは開放ビームであり、光ビームをリング
状に曲げるためにミラーを必要とする。ファイバは、リ
ングに容易に巻き付けられ、光の閉じ込め度合いが高い
という固有性がある。更に、本発明が提供することは、
半導体飽和可能吸収材におけるイオン注入の優れた技法
である。
【００２２】手短に、及び一般的な言葉で言うと、本発
明に従ったＣＰＭリング状ファイバ・レーザには、単モ
ード・ファイバと一部のエルビウム・ドープ・ファイバ
からなるリング、半導体飽和可能吸収材、出力カプラ、
波長分割マルチプレクサ、及び複数のレンズが含まれ
る。本発明の意図、及び目的の更なる理解と認識は、以
下の好適実施例の説明、及び添付図面を参照することに
より達成されるであろう。
明に従ったＣＰＭリング状ファイバ・レーザには、単モ
ード・ファイバと一部のエルビウム・ドープ・ファイバ
からなるリング、半導体飽和可能吸収材、出力カプラ、
波長分割マルチプレクサ、及び複数のレンズが含まれ
る。本発明の意図、及び目的の更なる理解と認識は、以
下の好適実施例の説明、及び添付図面を参照することに
より達成されるであろう。
【００２３】
【実施例】例示の目的のために図面で示すように、本発
明は、半導体飽和可能吸収材（図１の符号３０）を含む
リングで実施される。高い繰り返し速度を有する短い光
学パルスを生成し、しかし、又小型で、使いやすいレー
ザに対する必要性がある。
明は、半導体飽和可能吸収材（図１の符号３０）を含む
リングで実施される。高い繰り返し速度を有する短い光
学パルスを生成し、しかし、又小型で、使いやすいレー
ザに対する必要性がある。
【００２４】本発明によれば、半導体飽和可能吸収材
（図１の符号30）を含むように、ＣＰＭリング状ファイ
バ・レーザが組み立てられる。結果としてレーザはアイ
ソレータ、又はミラーを必要としない。（これにより、
製造コストが低くなる。）レーザはリング構成により小
型になり、数10MHzの繰り返し速度を有するサブ・ピコ
秒の光学パルスを生成する。
（図１の符号30）を含むように、ＣＰＭリング状ファイ
バ・レーザが組み立てられる。結果としてレーザはアイ
ソレータ、又はミラーを必要としない。（これにより、
製造コストが低くなる。）レーザはリング構成により小
型になり、数10MHzの繰り返し速度を有するサブ・ピコ
秒の光学パルスを生成する。
【００２５】図１に示すように、本発明によるＣＰＭリ
ング状ファイバ・レーザ12には、一般的に、単モード・
ファイバ16とエルビウム・ドープ増幅ファイバ18の両方
からなるファイバ・ループ14が含まれる。ファイバ・ル
ープ14には、出力カプラ20、波長分割多重カプラ22、フ
ィルタ24、第１と第２のレンズ26,28、及び半導体飽和
可能吸収材30が含まれる。フィルタ24はレーザを安定に
するのに役立つが、フィルタなしで動作するレーザの機
能に本質的ではない。同様に、レンズ26,28は本質的で
はない。図１に縮尺がないのは明らかである。
ング状ファイバ・レーザ12には、一般的に、単モード・
ファイバ16とエルビウム・ドープ増幅ファイバ18の両方
からなるファイバ・ループ14が含まれる。ファイバ・ル
ープ14には、出力カプラ20、波長分割多重カプラ22、フ
ィルタ24、第１と第２のレンズ26,28、及び半導体飽和
可能吸収材30が含まれる。フィルタ24はレーザを安定に
するのに役立つが、フィルタなしで動作するレーザの機
能に本質的ではない。同様に、レンズ26,28は本質的で
はない。図１に縮尺がないのは明らかである。
【００２６】ＣＰＭファイバ・レーザは、以下のように
作動する。たいていのレーザの場合のように、ＣＰＭフ
ァイバ・レーザにおける光学パルスは、ファイバ増幅器
からの自発的な放射（又は雑音）から始動される。パル
スはファイバ増幅器により増幅され、飽和可能吸収材が
パルスを整形する。２つの反対の伝搬方向パルスが半導
体飽和可能吸収材上で衝突すると、損失が最小であるの
で、最終的に、２つの反対の伝搬方向パルスが、ＣＰＭ
ファイバ・レーザの主レーザ発光モードとなる。
作動する。たいていのレーザの場合のように、ＣＰＭフ
ァイバ・レーザにおける光学パルスは、ファイバ増幅器
からの自発的な放射（又は雑音）から始動される。パル
スはファイバ増幅器により増幅され、飽和可能吸収材が
パルスを整形する。２つの反対の伝搬方向パルスが半導
体飽和可能吸収材上で衝突すると、損失が最小であるの
で、最終的に、２つの反対の伝搬方向パルスが、ＣＰＭ
ファイバ・レーザの主レーザ発光モードとなる。
【００２７】衝突パルス・モード・ロック構成は、ファ
イバ・レーザにとって特に有用である。リング構成への
ファイバ巻き付けは容易になされ、高い度合いに光を閉
じ込めるファイバの能力により、線形空洞よりしばしば
好適である。衝突パルス効果は、飽和可能吸収材のパル
ス整形機構を高める。
イバ・レーザにとって特に有用である。リング構成への
ファイバ巻き付けは容易になされ、高い度合いに光を閉
じ込めるファイバの能力により、線形空洞よりしばしば
好適である。衝突パルス効果は、飽和可能吸収材のパル
ス整形機構を高める。
【００２８】飽和可能吸収材を除いて、上述した構成部
品は、市販品が入手可能である。エルビウム・ドープ・
ファイバ増幅器はAT&Tから購入可能で、300ppmのエルビ
ウム不純物濃度を有するほぼ８mのファイバが、ここで
説明する本発明で使用される。1553nmの中心波長と5.0n
mの帯域幅を有する帯域通過フィルタは、Omega Optical
Inc.から入手可能である。波長分割マルチプレクサ（9
80nm/1550nm）は、Amphenol Corp.から入手可能であ
り、出力カプラ（比率17％）も同様である。ＧＲＩＮレ
ンズ（0.22ピッチ）は、NSG American, Inc.を介して入
手可能である。
品は、市販品が入手可能である。エルビウム・ドープ・
ファイバ増幅器はAT&Tから購入可能で、300ppmのエルビ
ウム不純物濃度を有するほぼ８mのファイバが、ここで
説明する本発明で使用される。1553nmの中心波長と5.0n
mの帯域幅を有する帯域通過フィルタは、Omega Optical
Inc.から入手可能である。波長分割マルチプレクサ（9
80nm/1550nm）は、Amphenol Corp.から入手可能であ
り、出力カプラ（比率17％）も同様である。ＧＲＩＮレ
ンズ（0.22ピッチ）は、NSG American, Inc.を介して入
手可能である。
【００２９】半導体飽和可能吸収材は、ＭＯＣＶＤ機械
装置（Swan,Inc.から入手可能）、及び Sumitomo,Inc.
から入手可能な基板を用いて成長させることができる。
例えば、InPの基板上に、InGaAsPの2.0(+/-0.2)μｍの
エピタキシャル成長か望ましく、1.567μｍ(+/-0.030μ
ｍ)のバンドギャップを有する。エルビウム・ドープ・
ファイバ長、エルビウム・ドープ濃度、及び空洞内損失
のような要因に依存して、エピタキシャル成長層は 6μ
ｍほどの厚みになる。
装置（Swan,Inc.から入手可能）、及び Sumitomo,Inc.
から入手可能な基板を用いて成長させることができる。
例えば、InPの基板上に、InGaAsPの2.0(+/-0.2)μｍの
エピタキシャル成長か望ましく、1.567μｍ(+/-0.030μ
ｍ)のバンドギャップを有する。エルビウム・ドープ・
ファイバ長、エルビウム・ドープ濃度、及び空洞内損失
のような要因に依存して、エピタキシャル成長層は 6μ
ｍほどの厚みになる。
【００３０】未反射コーティングが、1.55μｍの波長
で、SixNxを使用して、飽和可能吸収材の両側に適用さ
れる。未反射コーティング供給は、Denton Vacuum,Inc.
を介して有償で得ることができる。
で、SixNxを使用して、飽和可能吸収材の両側に適用さ
れる。未反射コーティング供給は、Denton Vacuum,Inc.
を介して有償で得ることができる。
【００３１】半導体飽和可能吸収材を用いたＣＰＭ構成
は、実験を通して発見されたように、ファイバに対する
偏光妨害に敏感でないという利点を提供する。本発明の
飽和可能吸収材を有するＣＰＭファイバは、大きな量の
偏光妨害を許容できるということが分かっている。単方
向リング構成と衝突パルス構成の比較を通して、ＣＰＭ
構成が、ずっとより大きな偏光妨害に耐えられることが
実験的に分かった。
は、実験を通して発見されたように、ファイバに対する
偏光妨害に敏感でないという利点を提供する。本発明の
飽和可能吸収材を有するＣＰＭファイバは、大きな量の
偏光妨害を許容できるということが分かっている。単方
向リング構成と衝突パルス構成の比較を通して、ＣＰＭ
構成が、ずっとより大きな偏光妨害に耐えられることが
実験的に分かった。
【００３２】図２は、飽和可能吸収材の断面図を示し、
活性層34と基板層32を含む。活性層34は2.0μｍの厚み
で、基板層32は0.3ｍｍの厚みである。飽和可能吸収材3
0の各側36上の未反射コーティングは、反射を表面に対
し1％未満に減少させる。
活性層34と基板層32を含む。活性層34は2.0μｍの厚み
で、基板層32は0.3ｍｍの厚みである。飽和可能吸収材3
0の各側36上の未反射コーティングは、反射を表面に対
し1％未満に減少させる。
【００３３】吸収層は、元素周期表のIII族、及びIV族
から選択される材料の組み合わせで構成される。好適な
組み合わせには、InGaAsP、InPAs、及びInGaAsが含まれ
る。
から選択される材料の組み合わせで構成される。好適な
組み合わせには、InGaAsP、InPAs、及びInGaAsが含まれ
る。
【００３４】飽和可能吸収材上のより高い線量注入は、
ペデスタルを有する品質の落ちたパルスを生成するレー
ザを製作することになる。飽和可能吸収材上のより低い
線量注入は、幅の広いパルスを生成することになる。好
適なプロトコルは、短い、ペデスタルのないパルスが可
能な飽和可能吸収材を製作するものである。
ペデスタルを有する品質の落ちたパルスを生成するレー
ザを製作することになる。飽和可能吸収材上のより低い
線量注入は、幅の広いパルスを生成することになる。好
適なプロトコルは、短い、ペデスタルのないパルスが可
能な飽和可能吸収材を製作するものである。
【００３５】図３は、ファイバ端部15と飽和可能吸収材
30の関係に関連して、本発明の最適な焦点合わせの仕組
みを表現している。ファイバ端部15は、約10゜の角度で
磨き取られている。ファイバ端部15間の光学経路には、
フィルタ24、第１のＧＲＩＮレンズ26（0.22ピッチ、φ
3.0ｍｍ）、飽和可能吸収材30、第２のＧＲＩＮレンズ2
8（第１のレンズ26と同一）が配置されている。ファイ
バ端部15と第１のＧＲＩＮレンズ26間の最適な間隔は、
図３で符号42により表され、好適実施例では、42は７ｍ
ｍの値を有する。第１のＧＲＩＮレンズ26と飽和可能吸
収材間の間隔は、図３で符号44により表され、好適実施
例では、44は２ｍｍの値を有する。同様に、飽和可能吸
収材30と第２のＧＲＩＮレンズ28間の距離は、符号46に
より表され、好適実施例では、46は２ｍｍの値を有す
る。レンズ構成は、飽和可能吸収材上で３：１の画像縮
小を生成する。
30の関係に関連して、本発明の最適な焦点合わせの仕組
みを表現している。ファイバ端部15は、約10゜の角度で
磨き取られている。ファイバ端部15間の光学経路には、
フィルタ24、第１のＧＲＩＮレンズ26（0.22ピッチ、φ
3.0ｍｍ）、飽和可能吸収材30、第２のＧＲＩＮレンズ2
8（第１のレンズ26と同一）が配置されている。ファイ
バ端部15と第１のＧＲＩＮレンズ26間の最適な間隔は、
図３で符号42により表され、好適実施例では、42は７ｍ
ｍの値を有する。第１のＧＲＩＮレンズ26と飽和可能吸
収材間の間隔は、図３で符号44により表され、好適実施
例では、44は２ｍｍの値を有する。同様に、飽和可能吸
収材30と第２のＧＲＩＮレンズ28間の距離は、符号46に
より表され、好適実施例では、46は２ｍｍの値を有す
る。レンズ構成は、飽和可能吸収材上で３：１の画像縮
小を生成する。
【００３６】レンズを使用しないで、飽和可能吸収材を
光学経路に直接に挿入することが可能である。これは、
半導体飽和可能吸収材の基板層の重ね量を100μｍ未満
に落とし、次に２つのファイバ端部を飽和可能吸収材と
直接接触させて配置することにより達成される。飽和可
能吸収材は非常に薄いので、２つのファイバ端部間の効
率的な結合が、レンズを使用しないで達成可能となる。
光学経路に直接に挿入することが可能である。これは、
半導体飽和可能吸収材の基板層の重ね量を100μｍ未満
に落とし、次に２つのファイバ端部を飽和可能吸収材と
直接接触させて配置することにより達成される。飽和可
能吸収材は非常に薄いので、２つのファイバ端部間の効
率的な結合が、レンズを使用しないで達成可能となる。
【００３７】衝突パルス構成は、偏光変化に対するモー
ド・ロック・ファイバ・レーザの感度を減少させる。図
４と図５に示す２つの構成を比較する。図５におけるア
イソレータ40を除いて、図４と図５で表現される構成は
同一構成であり、ファイバ・ループ14（単モード・ファ
イバ16とエルビウム・ドープ・ファイバ18の両方を含
む）、及び光学経路のファイバに関して、出力カプラ2
0、波長分割マルチプレクス・カプラ22、偏光制御器3
8、フィルタ24、一対のＧＲＩＮレンズ26,28、及び半導
体飽和可能吸収材30からなる。図４で表現される構成
は、大きな偏光変化を許容可能である。偏光制御器38は
３つのファイバ・ループからなる。各ファイバ・ループ
は、1/4波長プレートをシミュレートする。偏光調整
は、０から180゜の範囲でファイバ・ループの配向を変
えることにより達成される。図４のレーザがモード・ロ
ックされていると、偏光制御器が０から120゜の範囲に
ある場合、安定モード・ロック出力を維持するすること
ができる。
ド・ロック・ファイバ・レーザの感度を減少させる。図
４と図５に示す２つの構成を比較する。図５におけるア
イソレータ40を除いて、図４と図５で表現される構成は
同一構成であり、ファイバ・ループ14（単モード・ファ
イバ16とエルビウム・ドープ・ファイバ18の両方を含
む）、及び光学経路のファイバに関して、出力カプラ2
0、波長分割マルチプレクス・カプラ22、偏光制御器3
8、フィルタ24、一対のＧＲＩＮレンズ26,28、及び半導
体飽和可能吸収材30からなる。図４で表現される構成
は、大きな偏光変化を許容可能である。偏光制御器38は
３つのファイバ・ループからなる。各ファイバ・ループ
は、1/4波長プレートをシミュレートする。偏光調整
は、０から180゜の範囲でファイバ・ループの配向を変
えることにより達成される。図４のレーザがモード・ロ
ックされていると、偏光制御器が０から120゜の範囲に
ある場合、安定モード・ロック出力を維持するすること
ができる。
【００３８】図５のレーザ構成は、ずっと少ない偏光変
化を許容することができる。図５のレーザがモード・ロ
ックされると、偏光制御器が５゜以内（図４のレーザ構
成における120゜と比較して）で変化する場合のみ、安
定モード・ロック出力が維持される。
化を許容することができる。図５のレーザがモード・ロ
ックされると、偏光制御器が５゜以内（図４のレーザ構
成における120゜と比較して）で変化する場合のみ、安
定モード・ロック出力が維持される。
【００３９】従って、ＣＰＭ（衝突パルス・モード・ロ
ック）構成は、単方向リング構成よりもずっと大きな偏
光変化を許容する。
ック）構成は、単方向リング構成よりもずっと大きな偏
光変化を許容する。
【００４０】以上の説明から、本発明は、数10MHzの繰
り返し速度を有し、1-2ピコ秒の程度、又はそれ以下の
短い光学パルスを生成するための方法、及び装置を提供
し、自己始動で偏光に低感度であることが認識されるで
あろう。
り返し速度を有し、1-2ピコ秒の程度、又はそれ以下の
短い光学パルスを生成するための方法、及び装置を提供
し、自己始動で偏光に低感度であることが認識されるで
あろう。
【００４１】本発明の原理を実施するレーザ・システム
は、偏光変化に対しより低感度で、より高い繰り返し速
度が可能で、より少ない構成部品しか必要とせず、従っ
て、製造コストを削減する。本明細書で本発明により提
供されるこれらの、及び他の利点のために、本発明は、
利用し易さにおいて一般に入手可能なレーザに対し優れ
ている。
は、偏光変化に対しより低感度で、より高い繰り返し速
度が可能で、より少ない構成部品しか必要とせず、従っ
て、製造コストを削減する。本明細書で本発明により提
供されるこれらの、及び他の利点のために、本発明は、
利用し易さにおいて一般に入手可能なレーザに対し優れ
ている。
【００４２】広範囲で別の作用をする実施例が、本発明
の精神および範囲から逸脱することなく形成されること
は明白である。従って、本発明は、特許請求項で制限さ
れる以外に、本明細書中で説明し、例示した特定の実施
例により限定されない。
の精神および範囲から逸脱することなく形成されること
は明白である。従って、本発明は、特許請求項で制限さ
れる以外に、本明細書中で説明し、例示した特定の実施
例により限定されない。
【００４３】以下に、本発明の実施態様を列挙する。
【００４４】１．レーザを発振させるためにレーザ光学
経路における光信号を増幅する利得媒体からなる光出力
開口を有するファイバ・ループと、利得媒体を励起する
ためのエネルギー供給手段と、半導体飽和可能吸収材で
ある、光学経路のパルス手段と、から構成されるリング
・レーザ。
経路における光信号を増幅する利得媒体からなる光出力
開口を有するファイバ・ループと、利得媒体を励起する
ためのエネルギー供給手段と、半導体飽和可能吸収材で
ある、光学経路のパルス手段と、から構成されるリング
・レーザ。
【００４５】２．利得媒体がドープ・ファイバであるこ
とを特徴とする前項１に記載のリング・レーザ。
とを特徴とする前項１に記載のリング・レーザ。
【００４６】３．ドープ・ファイバがエルビウム・ドー
プ・ファイバであることを特徴とする前項２に記載のリ
ング・レーザ。
プ・ファイバであることを特徴とする前項２に記載のリ
ング・レーザ。
【００４７】４．エネルギー供給手段が、光学エネルギ
ー供給レーザと波長分割マルチプレクサからなることを
特徴とする前項１に記載のリング・レーザ。
ー供給レーザと波長分割マルチプレクサからなることを
特徴とする前項１に記載のリング・レーザ。
【００４８】５．半導体飽和可能吸収材が、吸収層と基
板層からなり、該吸収層はIII−IV族半導体であり、基
板層はInPおよびGaAsからなるグループから選択される
ことを特徴とする前項１に記載のリング・レーザ。
板層からなり、該吸収層はIII−IV族半導体であり、基
板層はInPおよびGaAsからなるグループから選択される
ことを特徴とする前項１に記載のリング・レーザ。
【００４９】６．吸収層が、InGaAs、InPAs、およびInG
aAsからなるグループから選択されることを特徴とする
前項５に記載のリング・レーザ。
aAsからなるグループから選択されることを特徴とする
前項５に記載のリング・レーザ。
【００５０】７．半導体飽和可能吸収材が、光学信号が
通過する飽和可能吸収材上の領域にイオン種で埋め込ま
れることを特徴とする前項６に記載のリング・レーザ。
通過する飽和可能吸収材上の領域にイオン種で埋め込ま
れることを特徴とする前項６に記載のリング・レーザ。
【００５１】８．イオン種が、10keVよりは少なくない
エネルギーを有し、3×1013 1/cm2よりは少なくない線
量のイオンとの、半導体飽和可能吸収材の衝撃に対応し
た濃度を有することを特徴とする前項７に記載のリング
・レーザ。
エネルギーを有し、3×1013 1/cm2よりは少なくない線
量のイオンとの、半導体飽和可能吸収材の衝撃に対応し
た濃度を有することを特徴とする前項７に記載のリング
・レーザ。
【００５２】９．イオン種が、複数のエネルギー・レベ
ル、及び線量レベルを有するイオンとの、半導体飽和可
能吸収材の衝撃に対応した濃度を有することを特徴とす
る前項７に記載のリング・レーザ。
ル、及び線量レベルを有するイオンとの、半導体飽和可
能吸収材の衝撃に対応した濃度を有することを特徴とす
る前項７に記載のリング・レーザ。
【００５３】１０．飽和可能吸収材上の所定領域に光の
焦点合わせをするために、光学経路内のパルス手段の各
側に焦点合わせ手段を更に備えることを特徴とする前項
１に記載のリング・レーザ。
焦点合わせをするために、光学経路内のパルス手段の各
側に焦点合わせ手段を更に備えることを特徴とする前項
１に記載のリング・レーザ。
【００５４】１１．焦点合わせ手段が、飽和可能吸収材
のどちらかの側にその一方が、および光学経路内に配置
される一対のレンズを備えることを特徴とする前項１０
に記載のリング・レーザ。
のどちらかの側にその一方が、および光学経路内に配置
される一対のレンズを備えることを特徴とする前項１０
に記載のリング・レーザ。
【００５５】１２．リングが、希土類元素および遷移金
属からなる元素グループから選択される不純物を含む単
モード・ファイバを備えることを特徴とする前項１に記
載のリング・レーザ。
属からなる元素グループから選択される不純物を含む単
モード・ファイバを備えることを特徴とする前項１に記
載のリング・レーザ。
【００５６】１３．リングが更に、単モードおよび非ド
ープのファイバからなることを特徴とする前項１２に記
載のリング・レーザ。
ープのファイバからなることを特徴とする前項１２に記
載のリング・レーザ。
【００５７】１４．リング・レーザの偏光状態を変化さ
せるために、光学経路内に偏光制御手段を備えることを
特徴とする前項１に記載のリング・レーザ。
せるために、光学経路内に偏光制御手段を備えることを
特徴とする前項１に記載のリング・レーザ。
【００５８】１５．リングが、光信号発振は双方向（時
計方向および反時計方向）である衝突パルス・モード・
ロック・ファイバであることを特徴とする前項１に記載
のリング・レーザ。
計方向および反時計方向）である衝突パルス・モード・
ロック・ファイバであることを特徴とする前項１に記載
のリング・レーザ。
【００５９】１６．希土類元素および遷移金属からなる
グループから選択される元素でドープされ、光出力開口
を有するファイバ・ループを選択するステップと、エネ
ルギー供給レーザ、及びIII−IV族半導体グループから
選択される半導体飽和可能吸収材からなる光学的結合構
成にファイバ・ループを組み立てるステップと、1MHzを
越える繰り返し速度を有するサブ・ピコ秒のパルスによ
り特徴づけられる操作状態に置くステップとからなるリ
ング・レーザで光を生成する方法。
グループから選択される元素でドープされ、光出力開口
を有するファイバ・ループを選択するステップと、エネ
ルギー供給レーザ、及びIII−IV族半導体グループから
選択される半導体飽和可能吸収材からなる光学的結合構
成にファイバ・ループを組み立てるステップと、1MHzを
越える繰り返し速度を有するサブ・ピコ秒のパルスによ
り特徴づけられる操作状態に置くステップとからなるリ
ング・レーザで光を生成する方法。
【００６０】１７．吸収層と基板層からなり、吸収層は
InGaAs、InPAs、およびInGaAsからなるグループから選
択され、基板層はInPおよびGaAsからなるグループから
選択される半導体飽和可能吸収材を選択するステップ
を、ファイバ・ループ組み立てステップは更に含むこと
を特徴とする前項１６に記載の方法。
InGaAs、InPAs、およびInGaAsからなるグループから選
択され、基板層はInPおよびGaAsからなるグループから
選択される半導体飽和可能吸収材を選択するステップ
を、ファイバ・ループ組み立てステップは更に含むこと
を特徴とする前項１６に記載の方法。
【００６１】１８．3×1013 1/cm2よりは少なくない線
量で、10kevよりは少なくないエネルギーを有するイオ
ン種との、半導体飽和可能吸収材の衝撃に対応した濃度
をイオン種が有するイオン注入に耐える半導体飽和可能
吸収材を選択するステップを、半導体飽和可能吸収材を
選択するステップは更に含むことを特徴とする前項１７
に記載の方法。
量で、10kevよりは少なくないエネルギーを有するイオ
ン種との、半導体飽和可能吸収材の衝撃に対応した濃度
をイオン種が有するイオン注入に耐える半導体飽和可能
吸収材を選択するステップを、半導体飽和可能吸収材を
選択するステップは更に含むことを特徴とする前項１７
に記載の方法。
【００６２】１９．イオン種が、複数のエネルギー・レ
ベル、及び線量レベルに対応した濃度を有するイオン注
入に耐える半導体飽和可能吸収材を選択するステップ
を、半導体飽和可能吸収材を選択するステップは更に含
むことを特徴とする前項１７に記載の方法。
ベル、及び線量レベルに対応した濃度を有するイオン注
入に耐える半導体飽和可能吸収材を選択するステップ
を、半導体飽和可能吸収材を選択するステップは更に含
むことを特徴とする前項１７に記載の方法。
【００６３】２０．ファイバ・ループを光学的結合構成
に組み立てるステップが、更に半導体飽和可能吸収材の
所定領域に光の焦点合わせをするために、一対のレンズ
を選択し、及び光学的に結合するステップからなること
を特徴とする前項１６に記載の方法。
に組み立てるステップが、更に半導体飽和可能吸収材の
所定領域に光の焦点合わせをするために、一対のレンズ
を選択し、及び光学的に結合するステップからなること
を特徴とする前項１６に記載の方法。
【００６４】２１．ファイバ・ループを光学的結合構成
に組み立てるステップが、更にリング・レーザにおける
偏光状態を変化させるために、偏光制御器を選択し、及
び光学的に結合するステップからなることを特徴とする
前項１６に記載の方法。
に組み立てるステップが、更にリング・レーザにおける
偏光状態を変化させるために、偏光制御器を選択し、及
び光学的に結合するステップからなることを特徴とする
前項１６に記載の方法。
【００６５】
【発明の効果】本発明は上述のように構成したので、Ｃ
ＰＭリング状ファイバ・レーザには、単モード・ファイ
バと一部のエルビウム・ドープ・ファイバからなるリン
グ、半導体飽和可能吸収材、出力カプラ、波長分割マル
チプレクサ、及び複数のレンズが含まれ、本発明は、数
10MHzの繰り返し速度を有し、1-2ピコ秒の程度の短い光
学パルスを生成するための方法、及び装置を提供し、ア
イソレータ、又はミラーを用いなくてよいため少ない構
成部品しか必要とせず、従って、製造コストを削減する
ことが可能となる。また、自己始動で偏光に低感度であ
るという操作性の向上が図れるという効果がある。
ＰＭリング状ファイバ・レーザには、単モード・ファイ
バと一部のエルビウム・ドープ・ファイバからなるリン
グ、半導体飽和可能吸収材、出力カプラ、波長分割マル
チプレクサ、及び複数のレンズが含まれ、本発明は、数
10MHzの繰り返し速度を有し、1-2ピコ秒の程度の短い光
学パルスを生成するための方法、及び装置を提供し、ア
イソレータ、又はミラーを用いなくてよいため少ない構
成部品しか必要とせず、従って、製造コストを削減する
ことが可能となる。また、自己始動で偏光に低感度であ
るという操作性の向上が図れるという効果がある。
【図１】本発明に従ったＣＰＭリング状ファイバ・レー
ザを示す。
ザを示す。
【図２】飽和可能吸収材の詳細断面図である。
【図３】焦点合わせの仕組みを詳解する図である。
【図４】ＣＰＭ構成の偏光低感度を明示するために用い
られる構成を示す。
られる構成を示す。
【図５】ＣＰＭ構成の偏光低感度を明示するために用い
られる構成を示す。
られる構成を示す。
12 ＣＰＭリング状ファイバ・レーザ 14 ファイバ・ループ 16 単モード・ファイバ 18 エルビウム・ドープ増幅ファイバ 20 出力カプラ 22 波長分割多重カプラ 24 フィルタ 26 第１のレンズ 28 第２のレンズ 30 半導体飽和可能吸収材 32 吸収層 34 基板層 36 未反射コーティング面 38 偏光制御器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 デイヴィッド・ケイ・ドナルド アメリカ合衆国カリフォルニア州94306パ ロ・アルト，ピー・オー・ボックス・ 60096
Claims (1)
- 【請求項１】レーザを発振させるためにレーザ光学経路
における光信号を増幅する利得媒体からなる光出力開口
を有するファイバ・ループと、 利得媒体を励起するためのエネルギー供給手段と、 半導体飽和可能吸収材である、光学経路のパルス手段
と、から構成されるリング・レーザ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/205,671 US5436925A (en) | 1994-03-01 | 1994-03-01 | Colliding pulse mode-locked fiber ring laser using a semiconductor saturable absorber |
| US205671 | 1994-03-01 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07307511A true JPH07307511A (ja) | 1995-11-21 |
Family
ID=22763164
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7040593A Pending JPH07307511A (ja) | 1994-03-01 | 1995-02-28 | 半導体飽和可能吸収材を用いた衝突パルス・モード・ロック・リング状ファイバ・レーザ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5436925A (ja) |
| EP (1) | EP0670617B1 (ja) |
| JP (1) | JPH07307511A (ja) |
| DE (1) | DE69502642T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012047641A (ja) * | 2010-08-27 | 2012-03-08 | Canon Inc | 光パルス発生装置、テラヘルツ分光装置およびトモグラフィ装置 |
Families Citing this family (63)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5689519A (en) * | 1993-12-20 | 1997-11-18 | Imra America, Inc. | Environmentally stable passively modelocked fiber laser pulse source |
| IL109102A (en) * | 1994-03-24 | 1998-06-15 | Technion Res & Dev Foundation | Method and device for narrowing line-width and single-action operation of lasers with non-linear wave mixing within the resonator |
| US5828682A (en) * | 1996-12-13 | 1998-10-27 | Massachusetts Institute Of Technology | Rational-harmonic apparatus and technique |
| US6097741A (en) | 1998-02-17 | 2000-08-01 | Calmar Optcom, Inc. | Passively mode-locked fiber lasers |
| US6072811A (en) * | 1998-02-11 | 2000-06-06 | Imra America | Integrated passively modelocked fiber lasers and method for constructing the same |
| US6034975A (en) * | 1998-03-09 | 2000-03-07 | Imra America, Inc. | High power, passively modelocked fiber laser, and method of construction |
| US6252892B1 (en) * | 1998-09-08 | 2001-06-26 | Imra America, Inc. | Resonant fabry-perot semiconductor saturable absorbers and two photon absorption power limiters |
| US6275512B1 (en) | 1998-11-25 | 2001-08-14 | Imra America, Inc. | Mode-locked multimode fiber laser pulse source |
| US7190705B2 (en) | 2000-05-23 | 2007-03-13 | Imra America. Inc. | Pulsed laser sources |
| US7088756B2 (en) * | 2003-07-25 | 2006-08-08 | Imra America, Inc. | Polarization maintaining dispersion controlled fiber laser source of ultrashort pulses |
| US20040161006A1 (en) * | 2003-02-18 | 2004-08-19 | Ying-Lan Chang | Method and apparatus for improving wavelength stability for InGaAsN devices |
| US7804864B2 (en) | 2004-03-31 | 2010-09-28 | Imra America, Inc. | High power short pulse fiber laser |
| US7602825B1 (en) | 2004-10-20 | 2009-10-13 | Calmar Optcom, Inc. | Tunable passively mode-locked lasers with phase-lock feedback for low timing jitters |
| FI121040B (fi) * | 2005-05-10 | 2010-06-15 | Reflekron Oy | Moodilukittu kuitulaser |
| US7560758B2 (en) * | 2006-06-29 | 2009-07-14 | International Business Machines Corporation | MOSFETs comprising source/drain recesses with slanted sidewall surfaces, and methods for fabricating the same |
| DE102007022561B4 (de) * | 2007-05-14 | 2010-09-16 | Meos Ag | Aktiver Rotationssensor |
| US8036537B2 (en) | 2007-06-13 | 2011-10-11 | International Business Machines Corporation | Optical pulse amplication apparatus and method |
| DE102007057856B4 (de) * | 2007-11-29 | 2017-08-10 | Toptica Photonics Ag | Faserlaser mit ringförmigem Resonator |
| US7680372B2 (en) * | 2008-06-27 | 2010-03-16 | Honeywell International Inc. | Micro-optics photonic bandgap fiber coupler |
| US20110064096A1 (en) * | 2009-09-16 | 2011-03-17 | University Of Central Florida Research Foundation, Inc. | Mid-IR laser employing Tm fiber laser and optical parametric oscillator |
| JP5368360B2 (ja) * | 2010-04-09 | 2013-12-18 | 浜松ホトニクス株式会社 | パルスファイバレーザ装置 |
| CN102074880B (zh) * | 2010-12-20 | 2012-06-27 | 北京交通大学 | 微型谐振腔体结构的单模光纤激光器 |
| CN102684794A (zh) * | 2012-06-06 | 2012-09-19 | 苏州旭创科技有限公司 | 应用于高速并行长距离传输的新型波分复用解复用光组件 |
| WO2014079478A1 (en) | 2012-11-20 | 2014-05-30 | Light In Light Srl | High speed laser processing of transparent materials |
| US9701564B2 (en) | 2013-01-15 | 2017-07-11 | Corning Incorporated | Systems and methods of glass cutting by inducing pulsed laser perforations into glass articles |
| EP2754524B1 (de) | 2013-01-15 | 2015-11-25 | Corning Laser Technologies GmbH | Verfahren und Vorrichtung zum laserbasierten Bearbeiten von flächigen Substraten, d.h. Wafer oder Glaselement, unter Verwendung einer Laserstrahlbrennlinie |
| EP2781296B1 (de) | 2013-03-21 | 2020-10-21 | Corning Laser Technologies GmbH | Vorrichtung und verfahren zum ausschneiden von konturen aus flächigen substraten mittels laser |
| US9815730B2 (en) | 2013-12-17 | 2017-11-14 | Corning Incorporated | Processing 3D shaped transparent brittle substrate |
| US11556039B2 (en) | 2013-12-17 | 2023-01-17 | Corning Incorporated | Electrochromic coated glass articles and methods for laser processing the same |
| US9687936B2 (en) | 2013-12-17 | 2017-06-27 | Corning Incorporated | Transparent material cutting with ultrafast laser and beam optics |
| US10442719B2 (en) | 2013-12-17 | 2019-10-15 | Corning Incorporated | Edge chamfering methods |
| US9676167B2 (en) | 2013-12-17 | 2017-06-13 | Corning Incorporated | Laser processing of sapphire substrate and related applications |
| US20150165560A1 (en) | 2013-12-17 | 2015-06-18 | Corning Incorporated | Laser processing of slots and holes |
| US9517963B2 (en) | 2013-12-17 | 2016-12-13 | Corning Incorporated | Method for rapid laser drilling of holes in glass and products made therefrom |
| US9701563B2 (en) | 2013-12-17 | 2017-07-11 | Corning Incorporated | Laser cut composite glass article and method of cutting |
| US9850160B2 (en) | 2013-12-17 | 2017-12-26 | Corning Incorporated | Laser cutting of display glass compositions |
| JP2017521259A (ja) | 2014-07-08 | 2017-08-03 | コーニング インコーポレイテッド | 材料をレーザ加工するための方法および装置 |
| US9617180B2 (en) | 2014-07-14 | 2017-04-11 | Corning Incorporated | Methods and apparatuses for fabricating glass articles |
| US11648623B2 (en) * | 2014-07-14 | 2023-05-16 | Corning Incorporated | Systems and methods for processing transparent materials using adjustable laser beam focal lines |
| JP6788571B2 (ja) | 2014-07-14 | 2020-11-25 | コーニング インコーポレイテッド | 界面ブロック、そのような界面ブロックを使用する、ある波長範囲内で透過する基板を切断するためのシステムおよび方法 |
| CN208586209U (zh) | 2014-07-14 | 2019-03-08 | 康宁股份有限公司 | 一种用于在工件中形成限定轮廓的多个缺陷的系统 |
| US10335902B2 (en) | 2014-07-14 | 2019-07-02 | Corning Incorporated | Method and system for arresting crack propagation |
| DE102014114733B4 (de) * | 2014-10-10 | 2016-11-24 | Trumpf Laser Gmbh | Herstellungsverfahren eines sättigbaren halbleiter-absorberelements und sättigbares halbleiter-absorberelement |
| US10047001B2 (en) | 2014-12-04 | 2018-08-14 | Corning Incorporated | Glass cutting systems and methods using non-diffracting laser beams |
| KR20170105562A (ko) | 2015-01-12 | 2017-09-19 | 코닝 인코포레이티드 | 다중 광자 흡수 방법을 사용한 열적 템퍼링된 기판의 레이저 절단 |
| EP3848334A1 (en) | 2015-03-24 | 2021-07-14 | Corning Incorporated | Alkaline earth boro-aluminosilicate glass article with laser cut edge |
| EP3274313A1 (en) | 2015-03-27 | 2018-01-31 | Corning Incorporated | Gas permeable window and method of fabricating the same |
| CN107835794A (zh) | 2015-07-10 | 2018-03-23 | 康宁股份有限公司 | 在挠性基材板中连续制造孔的方法和与此相关的产品 |
| KR20220078719A (ko) | 2016-05-06 | 2022-06-10 | 코닝 인코포레이티드 | 투명 기판들로부터의 윤곽 형상들의 레이저 절단 및 제거 |
| US10410883B2 (en) | 2016-06-01 | 2019-09-10 | Corning Incorporated | Articles and methods of forming vias in substrates |
| ES2649046A1 (es) * | 2016-06-06 | 2018-01-09 | Universidad De Alcalá | Láser pulsado anclado en modos con absorbente saturable |
| US10794679B2 (en) | 2016-06-29 | 2020-10-06 | Corning Incorporated | Method and system for measuring geometric parameters of through holes |
| JP7090594B2 (ja) | 2016-07-29 | 2022-06-24 | コーニング インコーポレイテッド | レーザ加工するための装置および方法 |
| KR102423775B1 (ko) | 2016-08-30 | 2022-07-22 | 코닝 인코포레이티드 | 투명 재료의 레이저 가공 |
| WO2018064409A1 (en) | 2016-09-30 | 2018-04-05 | Corning Incorporated | Apparatuses and methods for laser processing transparent workpieces using non-axisymmetric beam spots |
| EP3848333A1 (en) | 2016-10-24 | 2021-07-14 | Corning Incorporated | Substrate processing station for laser-based machining of sheet-like glass substrates |
| US10752534B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-08-25 | Corning Incorporated | Apparatuses and methods for laser processing laminate workpiece stacks |
| US10688599B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-06-23 | Corning Incorporated | Apparatus and methods for laser processing transparent workpieces using phase shifted focal lines |
| CN107248692B (zh) * | 2017-05-19 | 2020-01-14 | 武汉理工大学 | 一种超窄线宽波长可调的复合腔光纤激光器 |
| US10580725B2 (en) | 2017-05-25 | 2020-03-03 | Corning Incorporated | Articles having vias with geometry attributes and methods for fabricating the same |
| US11078112B2 (en) | 2017-05-25 | 2021-08-03 | Corning Incorporated | Silica-containing substrates with vias having an axially variable sidewall taper and methods for forming the same |
| US10626040B2 (en) | 2017-06-15 | 2020-04-21 | Corning Incorporated | Articles capable of individual singulation |
| US11554984B2 (en) | 2018-02-22 | 2023-01-17 | Corning Incorporated | Alkali-free borosilicate glasses with low post-HF etch roughness |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4504950A (en) * | 1982-03-02 | 1985-03-12 | California Institute Of Technology | Tunable graded rod laser assembly |
| GB2236426B (en) * | 1989-09-20 | 1994-01-26 | Stc Plc | Laser source |
| US5237577A (en) * | 1991-11-06 | 1993-08-17 | At&T Bell Laboratories | Monolithically integrated fabry-perot saturable absorber |
| US5251230A (en) * | 1992-05-08 | 1993-10-05 | Honeywell, Inc. | Resonant cavity dither with index of refraction modulator |
| US5278855A (en) * | 1992-05-11 | 1994-01-11 | At&T Bell Laboratories | Broadband semiconductor saturable absorber |
| US5276701A (en) * | 1992-09-18 | 1994-01-04 | Fujitsu Limited | Ring laser employing unidirectional attenuator |
-
1994
- 1994-03-01 US US08/205,671 patent/US5436925A/en not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-02-17 DE DE69502642T patent/DE69502642T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1995-02-17 EP EP95301031A patent/EP0670617B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-02-28 JP JP7040593A patent/JPH07307511A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012047641A (ja) * | 2010-08-27 | 2012-03-08 | Canon Inc | 光パルス発生装置、テラヘルツ分光装置およびトモグラフィ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0670617A1 (en) | 1995-09-06 |
| US5436925A (en) | 1995-07-25 |
| DE69502642T2 (de) | 1998-09-17 |
| EP0670617B1 (en) | 1998-05-27 |
| DE69502642D1 (de) | 1998-07-02 |
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