FI121040B - Moodilukittu kuitulaser - Google Patents
Moodilukittu kuitulaser Download PDFInfo
- Publication number
- FI121040B FI121040B FI20055220A FI20055220A FI121040B FI 121040 B FI121040 B FI 121040B FI 20055220 A FI20055220 A FI 20055220A FI 20055220 A FI20055220 A FI 20055220A FI 121040 B FI121040 B FI 121040B
- Authority
- FI
- Finland
- Prior art keywords
- att
- och
- cavity
- fiber laser
- fabry
- Prior art date
Links
- 239000000835 fiber Substances 0.000 title claims description 27
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 45
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 29
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 17
- 238000013016 damping Methods 0.000 claims description 14
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 14
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 3
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims description 3
- RYXPMWYHEBGTRV-UHFFFAOYSA-N Omeprazole sodium Chemical compound [Na+].N=1C2=CC(OC)=CC=C2[N-]C=1S(=O)CC1=NC=C(C)C(OC)=C1C RYXPMWYHEBGTRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 12
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 241001318750 Sagda Species 0.000 claims 1
- 230000003187 abdominal effect Effects 0.000 claims 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 claims 1
- 210000003484 anatomy Anatomy 0.000 claims 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims 1
- 235000019788 craving Nutrition 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims 1
- 239000002529 flux (metallurgy) Substances 0.000 claims 1
- 238000010147 laser engraving Methods 0.000 claims 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 9
- 238000009738 saturating Methods 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 4
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 2
- 241000961787 Josa Species 0.000 description 2
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011149 active material Substances 0.000 description 2
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 2
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 241001122767 Theaceae Species 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005138 cryopreservation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000009022 nonlinear effect Effects 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002685 pulmonary effect Effects 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 230000003584 silencer Effects 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
- 238000000411 transmission spectrum Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/35—Non-linear optics
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/35—Non-linear optics
- G02F1/3523—Non-linear absorption changing by light, e.g. bleaching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/06—Construction or shape of active medium
- H01S3/063—Waveguide lasers, i.e. whereby the dimensions of the waveguide are of the order of the light wavelength
- H01S3/067—Fibre lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/06—Construction or shape of active medium
- H01S3/063—Waveguide lasers, i.e. whereby the dimensions of the waveguide are of the order of the light wavelength
- H01S3/067—Fibre lasers
- H01S3/06791—Fibre ring lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/11—Mode locking; Q-switching; Other giant-pulse techniques, e.g. cavity dumping
- H01S3/1106—Mode locking
- H01S3/1112—Passive mode locking
- H01S3/1115—Passive mode locking using intracavity saturable absorbers
- H01S3/1118—Semiconductor saturable absorbers, e.g. semiconductor saturable absorber mirrors [SESAMs]; Solid-state saturable absorbers, e.g. carbon nanotube [CNT] based
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/21—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour by interference
- G02F1/213—Fabry-Perot type
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/30—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 grating
- G02F2201/307—Reflective grating, i.e. Bragg grating
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Lasers (AREA)
Description
MOODILUKITTU KUITULASER
KEKSINNÖN ALA
5 Nyt esillä oleva keksintö koskee yleisesti puolijohdelaitteita ja erityisesti saturoituvia resonanssivaimentimia, jotka toimivat valonsiirrossa suurella modulaatiosyvyydellä ja dispersiolla, sekä tällaisen laitteen käyttöä moodilukituissa lasereissa. Puolijohdelaite voi käsittää ensimmäisen DBR-heijastimen (engl. distributed Bragg reflector), toisen DBR-10 heijastimen ja vaimenninalueen. Esitetään menetelmä Fabry-Perot-puolijohderesonanssivaimentimen valmistamiseksi muodostamalla puolijohdesubstraatille ensimmäinen ja toinen DBR-heijastin ja muodostamalla vaimenninalue.
15 KEKSINNÖN TAUSTA
Saturoituvat puolijohdevaimentimet ovat epälineaarisia optisia elementtejä, joilla saadaan tuleva valonsäde vaimenemaan voimakkuuden mukaan: pienitehoinen tuleva säteily sopivimmin absorboituu, kun taas 20 suuritehoinen säteily kulkee saturoituvan vaimentimen läpi ja vaimenee paljon vähemmän. Näitä laitteita on sovellettu hyvin erilaisilla aloilla. Erityisesti saturoituvaan puolijohdevaimentimeen perustuva passiivinen moodilukitus on tehokas tapa tuottaa lyhyitä optisia pulsseja, ja samalla se yksinkertaistaa laseronteloiden rakennetta.
25
Saturoituva puolijohdevaimennin käsittää puolijohdemateriaalia (-materiaaleja), jonka kielletty energiavyö on riittävän pieni kontrolloitavan optisen signaalin vaimentamiseksi. Vaimentava materiaali on yleensä upotettu puolijohdemateriaaliin (-materiaaleihin), jolla on suu-30 rempi energiavyö ja joka ei vaimenna optista signaalia. Yksittäisen vaimennuskerroksen paksuus on tyypillisesti muutamien nanometrien luokkaa kvanttimekaanisten vaikutuksien mahdollistamiseksi (tässä tapauksessa vaimennuskerroksista käytetään nimitystä kvanttikaivot, engl. quantum well, QW). Koko vaimenninalue voi käsittää useita 35 kvanttikaivokerroksia, jotka muodostavat ns. monikvanttikaivoraken-teen. Saturoituvia puolijohdevaimentimia valmistetaan tyypillisesti voimakkaasti heijastavien puolijohde-, dielektri- tai metallipeilien pinnalle, 2 jolloin muodostuu saturoituvia puolijohdevaimenninpeilejä (engl. semiconductor saturable absorber mirror, SESAM). Rakenteeltaan erilaisia SESAM-peilejä on käytetty erilaisten laserien moodilukitukseen, katso esimerkiksi julkaisut E. A. De Souza ym., IEE Electron. Lett., voi. 29, 5 s. 447-448, 1993, ja F. X. Kärtner ym., IEEE J. Sei. Top. Quantum Electron., voi. 2, s. 540-556, 1996, ja B. C. Collings ym., IEEE J. Sei. Topics Quantum Electron, voi. 3, s. 1065-1075, 1997.
Saturoituvan puolijohdevaimentimen vielä yhtenä rakenteellisena piir-10 teenä on epälineaarisen vaimennuskerroksen sijoittaminen Fabry-Perofn kaviteettiin. Fabry-Perofn kaviteetti on yleisesti rajattu vaimennuskerroksen (-kerroksien) eli vaimenninalueen alapuolelle sijoitetun puolijohdepeilin eli DBR-peilin ja puolijohde-ilmarajapinnan tai laitteen yläpinnan määrittävän dielektri- tai puolijohdepeilin väliin. Saturoituvan 15 Fabry-Perot-vaimentimen (FPSA) rakenneparametreja ovat kaviteetin pituuden valinta ja aktiivisen materiaalin sijoituskohta kaviteetissa. Muuttamalla kaviteetin pituutta vaimentimella voi olla ei-resonoiva (A-FPSA) tai resonoiva (R-FPSA) käyttäytyminen toiminta-aallonpituudella, katso esimerkiksi U. Keller ym., IEEE J. Sei. Topics Quant. Elec-20 tron., voi. 2, s. 435-452, 1996. Anti resonanssi saavutetaan, jos vaimentimien käsittävässä Fabry-Perofn kaviteetissa etenevän valonsäteen kokema vaihemuutos edestakaisella matkalla, fa, täyttää seuraa-van relaation: 25 </>rt = 2nkd + <j)b + (f>t = (lm + ΐ)π , jossa k = 2π/λ, & on yläpeilin aiheuttama vaihemuutos ja ^ on alemman, puolijohde-, dielektri- tai metallipeilin aiheuttama vaihemuutos, n on kaviteetin keskimääräinen taitekerroin ja d on Fabry-Perofn kavi-30 teetin paksuus. A-FPSA-vaimentimella on suuri heijastavuus laajalla spektrialueella ja olemattoman pieni ryhmäviivedispersio. Epälineaarisen heijastavuuden muutos on kuitenkin suhteellisen pieni, mikä johtuu optisen kentän ja vaimentimen välisestä lyhyestä vaikutuspituudesta (L.R. Brovelli, ym., JOSA B, voi. 12, s. 311-322, 1995). A-FPSA-vai-35 mentimessa on pieni häviö mutta myös pieni modulaatiosyvyys, yleensä alle 1 %. Nämä ominaisuudet ovat toivottavia oskillaattoreissa, 3 joiden yhden läpäisykerran vahvistus (engl. single-pass gain) on pieni, kuten kiinteän olomuodon lasereissa.
Voimakkaasti vahvistavia lasereita, kuten kuituoskillaattoreita varten 5 voidaan järjestää suurempi modulaatiosyvyys moodilukitustoiminnan itsekäynnistyvyyden parantamiseksi. Vastaresonanssivaimennin ei ilmeisestikään ole sopiva ratkaisu. Modulaatiosyvyyttä voidaan kasvattaa oleellisesti käyttämällä R-FPSA-vaimenninta, katso esimerkiksi J. F. Heffernan ym., Appi. Phys. Lett., voi. 58, s. 2877-2879, 1991. 10 Tässä tapauksessa Fabry-Perofn kaviteetin paksuus valitaan siten, että edestakaisen matkan vaihe lähellä signaalin aallonpituutta on 2tc.n monikerta. Resonoivaa tyyppiä olevat vaimentimet eivät sovi kiinteän olomuodon lasereihin, koska ne tuovat laseronteloon liian suuria häviöitä, kun toiminta-aallonpituus on lähellä Fabry-Perofn resonanssiaal-15 lonpituutta.
K. Weingarten ym. ovat US-patentissa 6 538 298 B1 esittäneet resonoivan SESAM-rakenteen, jolla parannetaan epälineaarisia vaikutuksia laitteissa, joissa aktiiviset alueet ovat hyvin ohuita. US-patentissa 20 6 252 892 B1 on raportoitu toinen R-FPSA-vaimennin, jossa saturoita vissa oleva vaimennus ja tehonrajoitustoiminto yhdistetään kaksifotoni-absorption perusteella. R-FPSA-vaimentimen yksi tärkeä ominaisuus on lähellä resonanssiaallonpituutta esiintyvä suuri dispersioarvo. Viime aikoina on osoitettu, että heijastuksessa käytetyn R-FPSA-vaimenti-25 men aiheuttama dispersio voi olla riittävän suuri kompensoimaan kui-tulaserontelon dispersion, katso esim. M. Guina ym, Appi. Phys. B., voi. 74, s. S193-S200, 2002 ja L. Orsila ym., Appi. Opt. voi. 43, s. 1902-1906, 2004. R-FPSA-vaimentimen dispersio-ominaisuudet ovat erityisen kiinnostavia ajatellen moodilukituslasereita, joissa kaviteetilla 30 on normaali keskimääräinen dispersio, jolloin epänormaali dispersio voitaisiin tuottaa R-FPSA-vaimentimella.
On tärkeää huomata, että näitä kaikkia tekniikan tason mukaisia rakenteita käytetään resonoivissa vaimentimissa heiiastusmoodissa eli 35 SESAM-peileissä. R-FPSA-vaimentimen käyttö heijastukseen on ilmeisen ongelmallista, koska häviöt kasvavat, kun toiminta on lähellä resonanssialuetta, mikä vaikeuttaa moodilukituksen saavuttamista lähellä 4
Fabry-Perot’n resonanssiaallonpituutta. Erityisesti on havaittu (D. Korf ym., Opt. Lett., vol. 21, s. 486-488, 1996), että vaimennuksen lisääminen lähellä resonanssiaallonpituutta sai laserin toimimaan spektrialueen ulkopuolella poikkeavalla dispersiolla, jolloin ei saavutettu disper-5 sion asianmukaista kompensoitumista. Laser voidaan pakottaa toimimaan lähellä R-FPSA-vaimentimen resonanssiaallonpituutta käyttämällä kaviteetin rakenteessa aallonpituuden valintaan vaikuttavia lisä-elementtejä, kuten optisia suodattimia.
10 Tavanomaisen ratkaisun lisäksi, jossa saturoitavia puolijohdevaimenti-mia käytetään SESAM-peileinä heijastusmoodissa, saturoitavaa vai-mennusvaikutusta voidaan käyttää hyväksi myös valonsiirrossa. Aikaisempia tutkimustuloksia, jotka liittyvät saturoitavien puolijohdevaimen-timien käyttöön moodilukittujen kuitulaserien valonsiirrossa, on rapor-15 toitu julkaisuissa M. Zirngbil ym, IEE Electron. Lett., voi. 27, s. 1734-1735 (1991), M.E. Fermann ym, US-patentti 5 414 725, ja H. Lin ym, US-patentti 5 436 925. Missään näistä tapauksista ei kuitenkaan ole havaittu etuja, jotka saadaan, kun R-FPSA-vaimenninrakenteita käytetään valonsiirrossa.
20
Julkaisussa WO 02/11256 on esitetty passiivisesti moodilukittu puolijohde-laser, joka on suunniteltu emittoimaan jatkuvaa pulssijonoa, jossa pulssitaa-juus on yli 1 GHz. Laserissa on optinen resonaattori, jonka sisälle on sijoitettu vahvistava puolijohde-elementti, välineet puolijohde-elementin käynnistämi-25 seksi, ja saturoituvan vaimentimen. Optinen resonaattori käsittää Braggsin peilit sekä niiden väliin sijoitetun vaimentimen.
Julkaisu DE 1 000 09 309 esittää kyllästettävää puolijohdeabsorbaattoria, jossa on suurihäviöinen kyllästysalue ja pienihäviöinen ei-kyllästysalue. Kyl-30 lästysalue käsittää Braggsin peilit ja niiden välissä olevan vaimentimen. Julkaisussa ei ole esitetty välikerroksia tai että onteloresonanssin eräänä määrittävänä tekijänä olisivat nämä välikerrokset.
KEKSINNÖN YHTEENVETO 35 Tämän keksinnön mukaan R-FPSA-vaimenninta käytetään valonsiirrossa itsekäynnistyvän jatkuvan aallon moodilukituksen aikaansaami- 5 seksi. Toisin kuin käytettäessä R-FPSA-vaimenninta heijastuksessa, tässä tapauksessa laserin toiminnan pienin häviötila syntyy ontelo-resonanssissa. Näin ollen on odotettavissa, että toiminta-aallonpituus asettuu itsestään (ilman ontelonsisäisiä suodattimia) R-FPSA-vaimen-5 timen resonanssiin, jossa laitteella on suurin modulaatiosyvyys, minkä näin ollen pitäisi parantaa moodilukituksen itsekäynnistyvyyttä. Normaalissa toiminnassa olevan, dispersioltaan keskimääräisen laseron-telon numeeriset simulaatiot osoittivat myös, että laser toimii automaattisesti lähellä onteloresonanssin aallonpituudella, jolla Fabry-Perofn 10 kaviteetin dispersio kompensoi hyvin laserontelon normaalin dispersion. Itse asiassa asianmukainen dispersion kompensoituminen johtaa lyhyempiin moodilukittuihin pulsseihin ja näin ollen suurempaan huipputehoon. Tästä puolestaan seuraa vaimennuksen täydellisempi saturoituminen ja näin ollen edullinen pienihäviöinen toiminta. Suuren mo-15 dulaatiosyvyyden ja dispersion kompensoinnin ansiosta siirtotoiminnossa toimiva Fabry-Perot-vaimennin on erittäin lupaava komponentti ultranopeaa laseria varten.
Tarkemmin sanoen valonsiirrossa toimivan saturoituvan Fabry-Perot-20 vaimentimen resonanssiaallonpituus asettaa laserin aallonpituuden, koska se takaa pienihäviöisen toiminnan tällä aallonpituudella ja aiheuttaa suuria häviöitä resonanssista poikkeavilla aallonpituuksilla. Tämä rajaa toiminta-aallonpituuden tiukasti ilman, että lisäksi tarvittaisiin spektrisuodatinta.
25
Tarkemmin sanoen valonsiirrossa toimivan saturoituvan Fabry-Perot-vaimentimen resonanssiaallonpituus asettaa laserin aallonpituuden lähelle resonanssiaallonpituutta, jolloin Fabry-Perofn kaviteetti synnyttää dispersion, joka voi kompensoida muiden onteloelementtien 30 synnyttämän dispersion.
Tarkemmin sanoen valonsiirrossa toimivan saturoituvan Fabry-Perot-vaimentimen resonanssiaallonpituus määräytyy Fabry-Perofn kaviteetin kokonaispaksuuden mukaan, ja se voidaan säätää läpinäkyvällä 35 välikerroksella, joka muodostetaan kaviteettiin yhdessä vaimenninalu-een kanssa.
6
Tarkemmin sanoen Fabry-Perot-vaimentimen kaviteetin aiheuttama dispersio säädetään tarvittavaan arvoon muuttamalla Fabry-Perofn kaviteettia rajaavien peilien heijastavuusarvoja ja Fabry-Perofn kaviteetin paksuutta.
5
Tarkemmin sanoen Fabry-Perot-vaimentimen ontelo synnyttää sekä epänormaalia että normaalia dispersiota onteloresonanssin vastakkaisilla reunoilla. Dispersion itseisarvo määräytyy Fabry-Perofn kaviteetin finessin ja vapaan spektrialueen mukaan.
10
Tarkemmin sanoen yhden edullisen suoritusmuodon mukaan ylä- ja ala-DBR-heijastimilla on sama heijastavuus, jolloin saadaan symmetrinen Fabry-Perofn rakenne.
15 Tarkemmin sanoen siirtotoiminnossa toimiva Fabry-Perot-vaimennin takaa itsekäynnistyvän passiivisen moodilukitun toiminnan ja samalla kompaktin dispersionkompensointitavan.
Tarkemmin sanoen siirtotoiminnossa toimiva Fabry-Perot-vaimennin 20 takaa, että pulssin aallonpituus asettuu itsestään arvoon, jolla on oikea dispersio, sillä se vastaa laserontelon pienihäviöistä tilaa moodilukitus-sa toiminnassa.
Tarkemmin sanoen tämän keksinnön mukainen Fabry-Perot-vaimennin 25 kompensoi synnyttämänsä aallonpituuden ja dispersion määrän.
Tarkemmin sanoen yhden edullisen suoritusmuodon mukaan R-FPSA-vaimenninta käytetään passiivisesti moodilukitun laserin rengasonte-lossa, mikä parantaa itsekäynnistyvyyttä minimoimalla häiriöheijastuk-30 siä.
Tarkemmin sanoen yhden suoritusmuodon mukaan R-FPSA-vaimen-ninta käytetään seisovan aallon lineaarisessa ontelossa, jotta saavutetaan suuren toistotiheyden harmoninen moodilukitus käyttämällä 35 R-FPSA-vaimentimessa hyväksi optisen pulssin törmäystä.
7
Nyt esillä olevan keksinnön mukaiselle moodilukitulle kuitulaserille on pääasiassa tunnusomaista se, että puolijohdelaite on järjestetty käytettäväksi valonsiirrossa itsekäynnistyvän jatkuvan aallon moodilukituk-sen aikaansaamiseksi, että puolijohdelaitteen resonanssiaallonpituus 5 on puolijohdelaitteen suurimman dispersion aallonpituusalueella, ja että dispersio on säädetty peilien heijastavuusarvojen ja/tai Fabry-Perofn vaimentimen paksuuden avulla.
10 PIIRUSTUSTEN LYHYT KUVAUS
Keksintöä havainnollistetaan yksityiskohtaisesti seuraavassa selityksessä, jossa selostetaan esimerkkeinä useita erityisiä suoritusmuotoja ja vastaavia piirustuksia, joissa: 15 kuva 1 esittää poikkileikkauksena tämän keksinnön mukaan muodostetun saturoituvan resonoivan puolijohdevaimentimen yleisrakennetta. Kuvassa on esitetty myös heijastustoimin-non ja siirtotoiminnon väliset toiminnalliset erot.
20
Kuvissa 2a ja 2b on esitetty R-FPSA-vaimentimen kaksi suoritusmuotoa, jotka on tarkoitettu käytettäviksi siirtotoiminnossa.
Kuva 3 esittää esimerkkiä tämän keksinnön mukaan käytetyn 25 R-FPSA-vaimentimen pienen voimakkuuden siirtospektristä ja dispersiosta 1050 nm sovelluksia varten.
Kuva 4a esittää yksisuuntaisen, rengasonteloisen, passiivisesti moodilukitun kuitulaserin suoritusmuotoa, jossa käytetään 30 tämän keksinnön mukaan valmistettua, saturoitavissa ole vaa puolijohdevaimenninta.
Kuva 4b esittää kaksisuuntaisen, rengasonteloisen, passiivisesti moodilukitun kuitulaserin suoritusmuotoa, jossa käytetään 35 tämän keksinnön mukaan valmistettua, saturoitavissa ole vaa puolijohdevaimenninta.
8
Kuva 5 esittää lineaarionteloisen, passiivisesti moodilukitun kuitu-laserin yhtä suoritusmuotoa, jossa käytetään tämän keksinnön mukaan valmistettua, saturoitavissa olevaa puolijohde-vaimenninta harmonisen moodilukituksen käynnistämiseksi 5 pulssitörmäyksen avulla.
KEKSINNÖN YKSITYISKOHTAINEN KUVAUS
Kuvaan 1 viitaten tämän keksinnön mukaan suunnitellun saturoituvan 10 puolijohdevaimentimen 12 yleinen rakenne käsittää ensimmäisen DBR-heijastimen 1 ja toisen DBR-heijastimen 2, jotka määrittävät Fabry-Pe-rot’n kaviteetin, jossa on vaimenninalue 3 ja välikerrokset 4 ja 5.
Kummankin DBR-kerroksen paksuus on neljäsosa siitä optisesta 15 aallonpituudesta, jota DBR-heijastimen on suunniteltu heijastavan tietyllä tavalla. Heijastavuutta voidaan säätää muuttamalla osakerroksien lukumäärää. Monikerroksinen vaimennusalue (eli vaimenninalue 3) käsittää kerroksen (kerroksia), jonka kielletty energiavyö on riittävän pieni vaimentamaan optinen signaali ja toimimaan epälineaarisessa vuoro-20 vaikutuksessa signaalin kanssa. Alan ammattilaisille on selvää, että vaimennuksen elpymisajan lyhentämiseksi on tehtävä tiettyjä teknisiä toimenpiteitä. Seospuolijohdekerrokset 4 ja 5 ovat läpinäkyviä toiminta-aallonpituudella. Niiden avulla säädetään DBR-peilien määrittämän Fabry-Perofn kaviteetin paksuutta ja näin ollen resonanssiaallonpi-25 tuutta sekä vaimenninalueen sijaintia ontelossa olevan optisen kentän seisovan aallon kuvion maksimikohtien suhteen.
Kuvissa 2a ja 2b on esitetty kaksi R-FPSA-vaimentimen rakenteellista suoritusmuotoa. Kuvassa 2a esitetyn ensimmäisen rakenteen mukaan 30 laite kasvatetaan puolijohdesubstraatille 6, jonka pinta on päällystetty heijastamattomaksi (engl. antireflection, AR), jotta vältetään ei-toivotut Fabry-Perot-vaikutukset vaimentimen peilien 1 ja 2 ja substraatti-ilma-rajapinnan välillä. Kuvassa 2b esitetyn toisen suoritusmuodon mukaan substraatti on poistettu ensimmäiseen DBR-kerrokseen 2 saakka.
Kuten alan ammattilaisille on selvää, sopivalla materiaalien valinnalla tässä keksinnössä esitettyä rakennetta voidaan käyttää R-FPSA- 35 9 vaimentimen valmistamiseksi eri aallonpituuksilla. Aktiivinen materiaali on esimerkiksi InGaAs tai InGaAsP tai InGaAsN, substraatti on GaAs tai InP ja DBR-peilit sopivimmin AIGaAs-GaAs-pareja.
5 Valonsiirtoon käytettävän R-FPSA-vaimentimen tärkeä ominaisuus on se, että pienihäviöinen spektri-ikkuna lähellä resonanssiaallonpituutta vastaa suurimman dispersion aallonpituusaluetta, joka voi riittää kompensoimaan muiden onteloelementtien synnyttämää dispersiota. Näiden vaatimuksien perustelemiseksi kuvassa 3 on esitetty esimerkit) kinä lasketut siirto- ja dispersio-ominaisuudet sellaisesta R-FPSA-vai-mentimesta, jonka Fabry-Perot-resonanssiaa II on pituus on noin 1050 nm. Käyrät on piirretty eri absorptioarvoilla.
Siirtotoiminnossa toimiva R-FPSA-vaimennin on luonteva ratkaisu sel-15 laisia moodilukittuja kuitulasereita varten, joilla on rengasontelora-kenne, kuten on esitetty esimerkiksi kuvissa 4a ja 4b. On tunnustettu tosiasia, että toisin kuin seisovan aallon lineaarinen ontelo, kuvan 4a mukainen yksisuuntainen rengasontelo on vähemmän herkkä ontelon sisäisille häiriöheijastuksille ja sillä on näin ollen paremmat mahdolli-20 suudet itsekäynnistyvään moodilukitukseen. Kun siirrossa toimivaa R-FPSA-vaimenninta käytetään kaksisuuntaisessa rengasontelossa, kuten kuvassa 4b on esitetty, voidaan vaimentimessa käyttää hyväksi pulssin törmäystä ja näin ollen saada pulssi vieläkin lyhyemmäksi törmäävän pulssin moodilukituksen ansiosta, kuten on aiemmin esitetty 25 US-patentissa 5 414 725 (Fermann ym).
Toisen sovellusesimerkin mukaan siirrossa toimiva R-FPSA-vaimennin sijoitetaan lineaariseen onteloon siten, että se määrää kaksi alionteloa, kuten kuvassa 5 on esitetty, joiden optiset pituudet LA ja LB on valittu 30 siten, että LA = nl_B. Tässä tapauksessa harmoninen moodilukitus paranee, mikä johtuu pulssin törmäyksestä R-FPSA-vaimentimessa.
Tässä vahvistusväliainetta 7, esimerkiksi erbiumilla tai ytterbiumilla seostettu kuitu, pumpataan optisesti signaalisäteen muodostamiseksi. 35 Pumppu muodostaa pumppusignaalin, joka lähetetään kuituun kytkin-elementin, esimerkiksi kuidun aallonpituuden kanavointilaitteen avulla. Laserin rengasontelo voi käsittää optisia eristimiä, joilla varmistetaan 10 yksisuuntainen eteneminen laserontelossa. Siirrossa toimiva Fabry-Perot-vaimennin on liitetty ontelon kuituosaan päittäin tai linssin avulla.
11
VIITEJULKAISUT
US-patenttijulkaisut 5 6,538,298 3/2003 Weingarten 257/436 5,701,327 12/1997 Cunningham 372/99 6,252,892 06/2001 Jiang 372/11 5,414,725 05/1995 Fermann 372/18 5,436,925 05/1995 Lin 372/92 10
Muut julkaisut E. A. De Souza ym, “Saturable absorber ”, IEE Electron. Lett. , vol. 29, s. 447-448, 1993.
15 F. X. Kärtner ym., “Soliton mode-locking with saturable absorbers”, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron., vol. 2, s. 540-556, 1996.
B.C. Collings ym, “Short cavity Erbium/Ytterbium fiber laser mode-20 locked with a saturable Bragg reflector”, IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron, vol. 3, s. 1065-1075, 1997.
U. Keller ym. “Semiconductor Saturable Aborber Mirrors (SESAMs) for femtosecond to nanosecond pulse genartion in solid-state lasers”, 25 IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron., 2, s. 435-452, 1996.
L.R. Brovelli, ym. “Design and operation of antiresonant Fabry-Perot saturable semiconductor absorbers for mode-locked solid-state lasers”, JOSA B, vol. 12, s. 311-322, 1995.
30 J. F. Heffernan, M. H. Moloney ym, “All optical, high contrast absorptive modulation in an asymmetric Fabry-Perot etalon”, Appi. Phys. Lett., vol. 58, s. 2877-2879, 1991.
35 M. Guina, ym, "Stretched-Pulse Fiber Lasers Based on Semiconductor Saturable Absorbers", Appi. Phys. B., 74, s. S193-S200, 2002.
12 L. Orsila ym., “Mode-locked ytterbium fiber lasers”, Appi. Opt. vol. 43, s. 1902-1906, 2004.
D. Korf, ym, “All-in-one dispersion-compensating saturable absorber 5 mirror for compact femtosecond laser sources”, Opt. Lett., vol. 21, s. 486-488, 1996.
M. Zirngbil ym, “1.2 ps pulses from passively mode-locked laser diode pumped Er-doped fiber ring laser”, IEE Electron. Lett., vol. 27, s. 1734- 10 1735,1991.
Claims (10)
1. Moodilukittu kuitulaser, joka käsittää: - vahvistusväliaineen (7), 5. välineet vahvistusväliaineen (7) pumppaamiseksi, - ulostulokytkimen, ja - puolijohdelaitteen (12), joka käsittää: - ensimmäisen DBR-heijastimen (1), - toisen DBR-heijastimen (2), 10. ensimmäisen (1) ja toisen (2) DBR-heijastimen välissä ainakin yh den vaimenninalueen (3), jolloin kuitulaser muodostaa ontelorakenteen ja joka laserin puolijohdelaite (12) käsittää: - puolijohdesubstraatin (6), - ensimmäisen välikerroksen (4) vaimenninalueen (3) ja ensimmäisen DBR-heijastimen (1) välissä, - toisen välikerroksen (5) vaimenninalueen (3) ja toisen DBR-heijastimen (2) välissä, jolloin rakenne muodostaa Fabry-Perofn vaimentimen, joka on järjestetty toimimaan onteloresonanssin aallonpituudella, joka onteloreso-nanssi määräytyy mainittujen ensimmäisen välikerroksen (4), toisen välikerroksen (5), ja mainitun ainakin yhden vaimenninalueen (3) paksuuden perusteella, tunnettu siitä, että puolijohdelaite (12) on järjestetty käytettäväksi valonsiirrossa itsekäynnistyvän jatkuvan aallon moodilukituksen aikaansaamiseksi, että puolijohdelaitteen (12) reso-nanssiaallonpituus on puolijohdelaitteen (12) suurimman dispersion aallonpituusalueella, ja että dispersio on säädetty peilien heijasta-vuusarvojen ja/tai Fabry-Perofn vaimentimen paksuuden avulla.
2. Fiberlaser enligt patentkrav 1, kännetecknad av, att det första (1) och det andra (2) DBR-reflektorskiktet är bildade monolitiskt samman med 15 dämpningsomrädet (3) som ligger pä halvledarsubstratet.
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen kuitulaser, tunnettu siitä, että ensimmäinen (1) ja toinen (2) DBR-heijastinkerros on kasvatettu monoliit- 15 tisesti yhteen puolijohdesubstraatin päällä olevan vaimenninalueen (3) kanssa.
3. Fiberlaser enligt patentkrav 1 eller 2, kännetecknad av, att dämpningsomrädet (3) omfattar kvantbrunnar, kvantpunkter eller halvledar-basmaterial.
3. Patenttivaatimuksen 1 tai 2 mukainen kuitulaser, tunnettu siitä, että vaimenninalue (3) käsittää kvantti ka ivoja, kvanttipisteitä tai puolijohde-perusmateriaalia.
4. Fiberlaser enligt patentkrav 2, kännetecknad av, att halvledarsubstratet kan korroderas bort genom att använda ett korrosionspärrskikt som har bildats pä substratet.
4. Patenttivaatimuksien 2 mukainen kuitulaser, tunnettu siitä, että puo-lijohdesubstraatti voidaan syövyttää pois käyttämällä substraatille kasvatettua syövytyksen pysäytyskerrosta.
5. Fiberlaser enligt nägot av patentkraven 1-4, kännetecknad av, att den omfattar minst ett genomskinligt mellanskikt (4, 5) som är placerat i en Fabry-Perot-kavitet tillsammans med dämpningsomrädet (3).
5. Jonkin patenttivaatimuksen 1-4 mukainen kuitulaser, tunnettu siitä, että se käsittää ainakin yhden läpinäkyvän välikerroksen (4, 5), joka on sijoitettu Fabry-Perofn kaviteettiin yhdessä vaimenninalueen (3) kanssa.
6. Fiberlaser enligt nägot av patentkraven 1-3, kännetecknad av, att 10 halvledaranordningen (12) omfattar en reflexionsspärrbeläggning för att undvika oönskade reflexioner frän gränsytan mellan halvledarsubstratet och luft.
6. Jonkin patenttivaatimuksen 1-3 mukainen kuitulaser, tunnettu siitä, että puolijohdelaite (12) käsittää heijastuksenestopinnoitteen, jotta vältetään ei-toivotut heijastukset puolijohdesubstraatin ja ilman rajapinnalta.
7. Fiberlaser enligt nägot av patentkraven 1-6, kännetecknad av, att den 15 första (1) och den andra (2) DBR-reflektorn bestär av AlAs- och GaAs- eller AIGaAs- och GaAs-paren
7. Jonkin patenttivaatimuksen 1-6 mukainen kuitulaser, tunnettu siitä, että ensimmäinen (1) ja toinen (2) DBR-heijastin koostuvat AlAs- ja GaAs- tai AIGaAs-ja GaAs-pareista.
8. Fiberlaser enligt patentkrav 1, kännetecknad av, att reflektionsförmägan av den första (1) och den andra (2) DBR-reflektorn är densamma, varvid man 20 fär en symmetrisk Fabry-Perot-konstruktion.
8. Patenttivaatimuksen 1 mukainen kuitulaser, tunnettu siitä, että en-20 simmäisen (1) ja toisen (2) DBR-heijastimen heijastavuus on sama, jolloin saadaan symmetrinen Fabry-Perofn rakenne.
9. Fiberlaser enligt nägot av patentkraven 1-8, kännetecknad av, att hälrumskonstruktionen är en enkelriktad ringkonstruktion, en dubbelriktad ringkonstruktion eller en linjär konstruktion. 25
9. Jonkin patenttivaatimuksen 1—8 mukainen kuitulaser, tunnettu siitä, että ontelorakenne on yksisuuntainen rengasrakenne, kaksi- 25 suuntainen rengasrakenne tai lineaarinen rakenne.
10. Jonkin patenttivaatimuksen 1—8 mukainen kuitulaser, tunnettu siitä, että ontelorakenne on lineaarinen laserontelo, ja että puolijohde-laite (12) on sijoitettu lineaariseen laseronteloon siten, että se määrää 30 kaksi alionteloa, joiden optiset pituudet LA ja LB on valittu siten, että La - nLB. . 1. Modläst fiberlaser som omfattar: - ett förstärkningsmedium (7), 5. medel för pumpning av förstärkningsmediet (7), - en utgängskoppling, och -en halvledaranordning (12) som omfattar: - en första DBR-reflektor (1), - en andra DBR-reflektor (2), 10. minst ett dämpningsomräde (3) mellan den första (1) och den andra (2) DBR-reflektorn, varvid fiberlasern bildar en hälrumskonstruktion och vilken halvledaranordningen (12) av lasern omfattar: - ett halvledarsubstrat (6), - ett första mellanskikt (4) mellan dämpningsomrädet (3) och den första DBR-reflektorn (1), - ett andra mellanskikt (5) mellan dämpningsomrädet (3) och den andra DBR-reflektorn (2), varvid konstruktionen bildar en Fabry-Perot-dämpare som är anordnad att fungera pä väglängden av en hälrumsresonans, vilken hälrumsresonans bestäms pä basis av sagda första mellanskikt (4), andra mellanskikt (5) och pä basis av tjockleken av sagda minst ett dämpningsomräde (3), kännetecknad av, att halvledaranordningen (12) är anordnad att användas vid ljusöverföring för att ästadkomma en självstartande modläsning för en kontinuerlig väg, att halvledaranordningens (12) resonansväglängd ligger pä väglängdomrädet av halvledaranordningens (12) största dispersion, och att dispersionen är justerad med hjälp av reflexionsvärden av speglar och/eller med hjälp av tjockleken av Fabry-Perot-dämparen.
10. Fiberlaser enligt nägot av patentkraven 1-8, kännetecknad av, att hälrumskonstruktionen är ett linjärt laserhälrum, och att halvledaranordningen (12) är placerad i det linjära laserhälrum met sä att det bestämmer tvä underhälrum, vars optiska längder LA och Lb är valde sä att LÄ = nl_B. 30
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI20055220A FI121040B (fi) | 2005-05-10 | 2005-05-10 | Moodilukittu kuitulaser |
| PCT/FI2006/050184 WO2006120301A1 (en) | 2005-05-10 | 2006-05-10 | A mode-locked fiber laser |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI20055220 | 2005-05-10 | ||
| FI20055220A FI121040B (fi) | 2005-05-10 | 2005-05-10 | Moodilukittu kuitulaser |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FI20055220A0 FI20055220A0 (fi) | 2005-05-10 |
| FI20055220A FI20055220A (fi) | 2007-01-09 |
| FI121040B true FI121040B (fi) | 2010-06-15 |
Family
ID=34630156
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FI20055220A FI121040B (fi) | 2005-05-10 | 2005-05-10 | Moodilukittu kuitulaser |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| FI (1) | FI121040B (fi) |
| WO (1) | WO2006120301A1 (fi) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5278855A (en) * | 1992-05-11 | 1994-01-11 | At&T Bell Laboratories | Broadband semiconductor saturable absorber |
| US5436925A (en) * | 1994-03-01 | 1995-07-25 | Hewlett-Packard Company | Colliding pulse mode-locked fiber ring laser using a semiconductor saturable absorber |
| US6393035B1 (en) * | 1999-02-01 | 2002-05-21 | Gigatera Ag | High-repetition rate passively mode-locked solid-state laser |
| DE10009309B4 (de) * | 2000-02-26 | 2004-05-19 | Richter, Wolfgang, Dr. | Sättigbarer Halbleiterabsorber |
-
2005
- 2005-05-10 FI FI20055220A patent/FI121040B/fi not_active IP Right Cessation
-
2006
- 2006-05-10 WO PCT/FI2006/050184 patent/WO2006120301A1/en active Application Filing
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FI20055220A0 (fi) | 2005-05-10 |
| WO2006120301A1 (en) | 2006-11-16 |
| FI20055220A (fi) | 2007-01-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6778565B2 (en) | Pulse-generating laser | |
| US7933300B2 (en) | Resonant fabry-perot semiconductor saturable absorbers and two photon absorption power limiters | |
| EP1735681B1 (en) | Surface emitting laser with an integrated absorber | |
| JP2847006B2 (ja) | 光学装置 | |
| JP2003521106A (ja) | 可飽和ブラッグ反射器を含む反射鏡を有する半導体レーザ | |
| EP1606863B1 (en) | Improvements in and relating to vertical-cavity semiconductor optical devices | |
| US20030058904A1 (en) | Pulse-generating laser | |
| US6628695B1 (en) | Monolithically integrated mode-locked vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) | |
| JP6215907B2 (ja) | セルフモード同期半導体ディスクレーザ（ｓｄｌ） | |
| US6538298B1 (en) | Semiconductor saturable absorber mirror | |
| US20030174741A1 (en) | Semiconductor saturable absorber device, and laser | |
| JPH08262380A (ja) | 非共鳴ファブリ・ペローｐｉｎ変調装置 | |
| US6741619B1 (en) | Semiconductor elements for stabilizing laser output | |
| JP2016540387A (ja) | 改良型自動モード・ロック半導体ディスクレーザ（ｓｄｌ） | |
| FI121040B (fi) | Moodilukittu kuitulaser | |
| JP6688218B2 (ja) | モード同期半導体ディスクレーザ（ｓｄｌ） | |
| JP6997518B2 (ja) | 改良型受動的モードロック同期半導体ディスクレーザ（ｓｄｌ） | |
| JP2009016607A (ja) | モードロックレーザ装置 | |
| US7558299B2 (en) | Semiconductor saturable absorber and fabrication method thereof | |
| Vorobiev et al. | Single-frequency-mode Q-switched Nd: YAG laser controlled by volume Bragg gratings | |
| Guina et al. | Mode-locked fiber lasers based on semiconductor saturable absorbers | |
| WO2000055949A1 (en) | Saturable bragg reflector with increased modulation depth |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FG | Patent granted |
Ref document number: 121040 Country of ref document: FI |
|
| MM | Patent lapsed |