JPH07307256A - 半導体ウエハ識別用パターン読取り方法 - Google Patents
半導体ウエハ識別用パターン読取り方法Info
- Publication number
- JPH07307256A JPH07307256A JP10111594A JP10111594A JPH07307256A JP H07307256 A JPH07307256 A JP H07307256A JP 10111594 A JP10111594 A JP 10111594A JP 10111594 A JP10111594 A JP 10111594A JP H07307256 A JPH07307256 A JP H07307256A
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- Japan
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- identification pattern
- region
- semiconductor wafer
- dots
- wafer identification
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 高い読み取り率を実現する。
【構成】 斜光照明を用いた半導体ウエハＩＤ読み取り
装置において、角度可変の照明固定アーム２７に固定さ
れた照明２６が設けられている。ドットと基板の散乱光
の比からＳ／Ｎ比を算出するＳ／Ｎ算出装置３１が設け
られている。さらに、算出したＳ／Ｎ比が基準値に満た
ない場合に光強度、照明角度を変更するための光強度照
射角度変更装置３２が設けられている。これらにより、
ウエハ２８上に設けた評価領域でＳ／Ｎ比を測定し、Ｓ
／Ｎ比が所望の基準値に満たない場合には、照明光の強
度、照射角度を変更することで、読み取り画像を改善し
た。
装置において、角度可変の照明固定アーム２７に固定さ
れた照明２６が設けられている。ドットと基板の散乱光
の比からＳ／Ｎ比を算出するＳ／Ｎ算出装置３１が設け
られている。さらに、算出したＳ／Ｎ比が基準値に満た
ない場合に光強度、照明角度を変更するための光強度照
射角度変更装置３２が設けられている。これらにより、
ウエハ２８上に設けた評価領域でＳ／Ｎ比を測定し、Ｓ
／Ｎ比が所望の基準値に満たない場合には、照明光の強
度、照射角度を変更することで、読み取り画像を改善し
た。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハを識別す
るために、通常、レーザーでマーキングされたドットの
集合体で形成されるウエハ識別用パターン（ウエハＩ
Ｄ）を、画像認識技術を用いて自動で認識する半導体ウ
エハ識別用パターン読取り装置に関し、特に、Ｓ／Ｎ比
（ドット領域と基板領域の散乱光強度の比）の測定によ
る読取り画像の評価方法、およびその評価にもとづく照
明の光強度、角度の最適化による読取り率向上に関する
ものである。
るために、通常、レーザーでマーキングされたドットの
集合体で形成されるウエハ識別用パターン（ウエハＩ
Ｄ）を、画像認識技術を用いて自動で認識する半導体ウ
エハ識別用パターン読取り装置に関し、特に、Ｓ／Ｎ比
（ドット領域と基板領域の散乱光強度の比）の測定によ
る読取り画像の評価方法、およびその評価にもとづく照
明の光強度、角度の最適化による読取り率向上に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】図４は従来の半導体ウエハ識別用パター
ン読取り装置の構成を示す概略図である。図４におい
て、１はカメラで、２はカメラ１で得た画像情報を伝達
する同軸ケーブルである。３はカメラ１およびランプハ
ウス４を支える支柱である。ランプハウス４は光源であ
るハロゲンランプの入ったランプハウスである。５は光
源の光を照明６まで伝達する光ファイバーケーブルであ
る。また、照明６は光ファイバーケーブル５で伝達され
た光をウエハ面に直線状にして照射するライン型の照明
である。７は半導体ウエハであり、カメラ１直下にウエ
ハ識別用パターンがくるようにアライメントされてい
る。８は半導体ウエハ７を載せるウエハステージであ
る。９はカメラ１から同軸ケーブル２を経て入力される
ウエハ識別用パターンの画面情報からウエハ識別用パタ
ーンを読み取る読取り装置である。これは斜光照明を用
いて、ウエハ識別用パターンを形成するドットからの散
乱光を画像情報とするものである。
ン読取り装置の構成を示す概略図である。図４におい
て、１はカメラで、２はカメラ１で得た画像情報を伝達
する同軸ケーブルである。３はカメラ１およびランプハ
ウス４を支える支柱である。ランプハウス４は光源であ
るハロゲンランプの入ったランプハウスである。５は光
源の光を照明６まで伝達する光ファイバーケーブルであ
る。また、照明６は光ファイバーケーブル５で伝達され
た光をウエハ面に直線状にして照射するライン型の照明
である。７は半導体ウエハであり、カメラ１直下にウエ
ハ識別用パターンがくるようにアライメントされてい
る。８は半導体ウエハ７を載せるウエハステージであ
る。９はカメラ１から同軸ケーブル２を経て入力される
ウエハ識別用パターンの画面情報からウエハ識別用パタ
ーンを読み取る読取り装置である。これは斜光照明を用
いて、ウエハ識別用パターンを形成するドットからの散
乱光を画像情報とするものである。
【０００３】図５は従来の半導体ウエハ識別用パターン
読取り方法を示す流れ図である。カメラ１直下にウエハ
識別用パターンがくるようにウエハを設置し、照明光を
ウエハ識別用パターンに照射する（ステップ１１）。カ
メラ１から同軸ケーブル２を経てウエハ識別用パターン
読取り装置９に画像の取り込みが行われる（ステップ１
２）。次に取り込まれた画像をデジタル化した後、ノイ
ズを低減するためのフィルタ処理、画像の傾斜を補正す
るアフィン変換等の画像処理により画質を向上する（ス
テップ１３）。さらに、画像から文字部の切り出しを行
い、パターンマッチングにより文字の識別を行う（ステ
ップ１４）。
読取り方法を示す流れ図である。カメラ１直下にウエハ
識別用パターンがくるようにウエハを設置し、照明光を
ウエハ識別用パターンに照射する（ステップ１１）。カ
メラ１から同軸ケーブル２を経てウエハ識別用パターン
読取り装置９に画像の取り込みが行われる（ステップ１
２）。次に取り込まれた画像をデジタル化した後、ノイ
ズを低減するためのフィルタ処理、画像の傾斜を補正す
るアフィン変換等の画像処理により画質を向上する（ス
テップ１３）。さらに、画像から文字部の切り出しを行
い、パターンマッチングにより文字の識別を行う（ステ
ップ１４）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記の従来の半導体ウ
エハ識別用パターン読取り方法では、半導体ウエハの状
態により、基板の散乱光強度が上昇する、または、ウエ
ハ識別用パターンを構成するドットの光散乱強度が低下
することにより、Ｓ／Ｎ比（基板の散乱光強度に対する
ドットの散乱光強度）が低下して、正確なウエハ識別用
パターンの読み取りが行えないという問題がある。
エハ識別用パターン読取り方法では、半導体ウエハの状
態により、基板の散乱光強度が上昇する、または、ウエ
ハ識別用パターンを構成するドットの光散乱強度が低下
することにより、Ｓ／Ｎ比（基板の散乱光強度に対する
ドットの散乱光強度）が低下して、正確なウエハ識別用
パターンの読み取りが行えないという問題がある。
【０００５】これは、対象となる半導体ウエハ上には、
シリコン酸化膜、ポリシリコン膜、アルミニウム膜に代
表される多種多様な膜が多層構造で形成されるため照明
光の反射率が変動し、基板の散乱光強度が変動すること
による。また、ウエハ識別用パターンを構成するドット
は半導体ウエハにレーザー光を照射して局所的に溶解し
て形成される直径２０〜４０μｍ、深さ２μｍ前後の凹
状をしているが、ドット形状のばらつき、およびドット
上に形成される前記多種多様な膜の影響により、光散乱
特性（特に散乱光強度の照射角度依存性）が変化するこ
とによる。
シリコン酸化膜、ポリシリコン膜、アルミニウム膜に代
表される多種多様な膜が多層構造で形成されるため照明
光の反射率が変動し、基板の散乱光強度が変動すること
による。また、ウエハ識別用パターンを構成するドット
は半導体ウエハにレーザー光を照射して局所的に溶解し
て形成される直径２０〜４０μｍ、深さ２μｍ前後の凹
状をしているが、ドット形状のばらつき、およびドット
上に形成される前記多種多様な膜の影響により、光散乱
特性（特に散乱光強度の照射角度依存性）が変化するこ
とによる。
【０００６】本発明はかかる問題を解決するためになさ
れたもので、読み取り画像のＳ／Ｎ比を評価する方法を
提供し、さらに、Ｓ／Ｎ比にもとづいて照射光の強度、
角度を変更することで画質を改善し、読み取り率の向上
をはかることを目的とする。
れたもので、読み取り画像のＳ／Ｎ比を評価する方法を
提供し、さらに、Ｓ／Ｎ比にもとづいて照射光の強度、
角度を変更することで画質を改善し、読み取り率の向上
をはかることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記問題を解決するため
に本発明の半導体ウエハ識別用パターン読み取り方法
は、半導体ウエハ上に表記したドットの集合体で形成さ
れるウエハ識別用パターンに隣接して、ドットの密集し
たドット領域とドットの全くない基板領域とからなる評
価領域を設け、ウエハ識別用パターン読取り処理前に、
前記評価領域内の読取り画像情報から得られる前記ドッ
ト領域および前記基板領域からの反射光強度を比較する
ことにより読取り画像のＳ／Ｎ比を評価する方法であ
る。
に本発明の半導体ウエハ識別用パターン読み取り方法
は、半導体ウエハ上に表記したドットの集合体で形成さ
れるウエハ識別用パターンに隣接して、ドットの密集し
たドット領域とドットの全くない基板領域とからなる評
価領域を設け、ウエハ識別用パターン読取り処理前に、
前記評価領域内の読取り画像情報から得られる前記ドッ
ト領域および前記基板領域からの反射光強度を比較する
ことにより読取り画像のＳ／Ｎ比を評価する方法であ
る。
【０００８】また、半導体ウエハ上に表記したドットの
集合体で形成されるウエハ識別用パターンに隣接して、
ドットの密集したドット領域とドットの全くない基板領
域とからなる評価領域を設け、ウエハ識別用パターン読
取り処理前に、前記評価領域内の読取り画像情報から得
られる前記ドット領域および前記基板領域からの反射光
強度を比較することにより読取り画像のＳ／Ｎ比を評価
し、評価結果にもとづいて照明光の強度、照射角度を変
更することで読取り画像を改善する方法である。
集合体で形成されるウエハ識別用パターンに隣接して、
ドットの密集したドット領域とドットの全くない基板領
域とからなる評価領域を設け、ウエハ識別用パターン読
取り処理前に、前記評価領域内の読取り画像情報から得
られる前記ドット領域および前記基板領域からの反射光
強度を比較することにより読取り画像のＳ／Ｎ比を評価
し、評価結果にもとづいて照明光の強度、照射角度を変
更することで読取り画像を改善する方法である。
【０００９】
【作用】上記本発明により、ウエハ上に設けた評価領域
の画像情報からドットと基板の散乱光強度を求め、画像
のＳ／Ｎ比を評価できる。
の画像情報からドットと基板の散乱光強度を求め、画像
のＳ／Ｎ比を評価できる。
【００１０】また、評価したＳ／Ｎ比にもとづいて、照
明光の強度、照射角度を変更することで読取り画像の改
善をはかることができる。
明光の強度、照射角度を変更することで読取り画像の改
善をはかることができる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の一実施例について、図面を参
照しながら説明する。
照しながら説明する。
【００１２】図１は本実施例を説明するための半導体ウ
エハ識別用パターン読取り装置の概略図である。図１に
おいて、２１はカメラで、２２は同軸ケーブルである。
２３はカメラ２１および照明２６を支える支柱である。
２４は光源であるハロゲンランプの入ったランプハウス
であり、２５は光源の光を照明まで伝達する光ファイバ
ーケーブルであり、２６は光ファイバーケーブル２５で
伝達された光をウエハ面に直線状にして照射するライン
型の照明である。２７は照明２６をウエハ識別用パター
ンに等距離から等角度で照明できるように固定し、か
つ、照射角度を自在に変更できる角度可変の照明固定ア
ームである。２８は半導体ウエハで、２９は半導体ウエ
ハ８を載せるウエハステージである。３０はカメラ１か
ら同軸ケーブル１２を経て入力されるウエハ識別用パタ
ーンの画面情報からウエハ識別用パターンを読み取る読
取り装置である。３１は後述する評価領域の画像情報か
らＳ／Ｎ比を算出する装置である。３２は３１で算出し
たＳ／Ｎ比を基準値と比較して、基準値に満たないとき
は照明２６の光強度、照射角度を変更するための光強度
照射角度変更装置である。
エハ識別用パターン読取り装置の概略図である。図１に
おいて、２１はカメラで、２２は同軸ケーブルである。
２３はカメラ２１および照明２６を支える支柱である。
２４は光源であるハロゲンランプの入ったランプハウス
であり、２５は光源の光を照明まで伝達する光ファイバ
ーケーブルであり、２６は光ファイバーケーブル２５で
伝達された光をウエハ面に直線状にして照射するライン
型の照明である。２７は照明２６をウエハ識別用パター
ンに等距離から等角度で照明できるように固定し、か
つ、照射角度を自在に変更できる角度可変の照明固定ア
ームである。２８は半導体ウエハで、２９は半導体ウエ
ハ８を載せるウエハステージである。３０はカメラ１か
ら同軸ケーブル１２を経て入力されるウエハ識別用パタ
ーンの画面情報からウエハ識別用パターンを読み取る読
取り装置である。３１は後述する評価領域の画像情報か
らＳ／Ｎ比を算出する装置である。３２は３１で算出し
たＳ／Ｎ比を基準値と比較して、基準値に満たないとき
は照明２６の光強度、照射角度を変更するための光強度
照射角度変更装置である。
【００１３】図２はウエハ上に設けた評価領域の概略図
である。４１は評価領域である。４２は評価領域４１内
のドットの密集したドット領域である。４３は評価領域
４１内のドットの全くない基板領域である。
である。４１は評価領域である。４２は評価領域４１内
のドットの密集したドット領域である。４３は評価領域
４１内のドットの全くない基板領域である。
【００１４】次に、本実施例の半導体ウエハ識別用パタ
ーン読取り方法における読取り動作を図３に示すフロー
チャートを参照しながら説明する。
ーン読取り方法における読取り動作を図３に示すフロー
チャートを参照しながら説明する。
【００１５】半導体ウエハ２８を別置きまたはウエハス
テージ２９に付属のプリアライナでアライメントして、
ウエハ識別用パターンおよびウエハ識別用パターンに隣
接した評価領域４１がカメラ直下に位置するようにウエ
ハステージ２９に設置し、照明２６より光を照射する
（ステップ５１）。カメラ２１から同軸ケーブル２２を
経てウエハ識別用パターン読み取り装置３０にウエハ識
別用パターンおよび評価領域４１の画像が取り込まれる
（ステップ５２）。取り込まれた画像をデジタル化した
後、ノイズを低減するためのフィルタ処理により画質を
向上する（ステップ５３）。事前に取り込み画像内の評
価領域４１、およびドット領域４２、基板領域４３の位
置情報は登録されているものとする。この位置情報にも
とづいてドット領域部の画像、基板領域部の画像を切り
とる（ステップ５４）。Ｓ／Ｎ算出装置３１にて、切り
取った各画像内の輝度から光強度を求め、Ｓ／Ｎ比を算
出する（ステップ５５）。Ｓ／Ｎ比を読み取りが可能な
レベルを示す基準値と比較する（ステップ５６）。Ｓ／
Ｎ比が基準値を下回る場合、光強度照射角度変更装置３
２にて照明２６の光強度と照射角度を変更する（ステッ
プ５７）。Ｓ／Ｎ比が基準値を越える場合は、画像から
文字部の切り出しを行い、パターンマッチングにより文
字の識別を行う（ステップ５８）。
テージ２９に付属のプリアライナでアライメントして、
ウエハ識別用パターンおよびウエハ識別用パターンに隣
接した評価領域４１がカメラ直下に位置するようにウエ
ハステージ２９に設置し、照明２６より光を照射する
（ステップ５１）。カメラ２１から同軸ケーブル２２を
経てウエハ識別用パターン読み取り装置３０にウエハ識
別用パターンおよび評価領域４１の画像が取り込まれる
（ステップ５２）。取り込まれた画像をデジタル化した
後、ノイズを低減するためのフィルタ処理により画質を
向上する（ステップ５３）。事前に取り込み画像内の評
価領域４１、およびドット領域４２、基板領域４３の位
置情報は登録されているものとする。この位置情報にも
とづいてドット領域部の画像、基板領域部の画像を切り
とる（ステップ５４）。Ｓ／Ｎ算出装置３１にて、切り
取った各画像内の輝度から光強度を求め、Ｓ／Ｎ比を算
出する（ステップ５５）。Ｓ／Ｎ比を読み取りが可能な
レベルを示す基準値と比較する（ステップ５６）。Ｓ／
Ｎ比が基準値を下回る場合、光強度照射角度変更装置３
２にて照明２６の光強度と照射角度を変更する（ステッ
プ５７）。Ｓ／Ｎ比が基準値を越える場合は、画像から
文字部の切り出しを行い、パターンマッチングにより文
字の識別を行う（ステップ５８）。
【００１６】
【発明の効果】本発明では、Ｓ／Ｎ比を基に画質を評価
し、Ｓ／Ｎ比を良好にするように照明の光強度、照射角
度を変更できるので、ウエハ識別用パターンの読取り率
を向上できる。
し、Ｓ／Ｎ比を良好にするように照明の光強度、照射角
度を変更できるので、ウエハ識別用パターンの読取り率
を向上できる。
【図１】本発明の一実施例を説明するための半導体ウエ
ハ識別用パターン読取り装置の概略図
ハ識別用パターン読取り装置の概略図
【図２】本発明の一実施例のウエハ上に設けた評価領域
の概略図
の概略図
【図３】本発明の一実施例の半導体ウエハ識別用パター
ン読取り方法を示す流れ図
ン読取り方法を示す流れ図
【図４】従来の半導体ウエハ識別用パターン読取り装置
の概略図
の概略図
【図５】従来の半導体ウエハ識別用パターン読取り方法
を示す流れ図
を示す流れ図
２１ カメラ ２２ 同軸ケーブル ２３ 支柱 ２４ ランプハウス ２５ 光ファイバーケーブル ２６ ライン型の照明 ２７ 角度可変の照明固定アーム ２８ 半導体ウエハ ２９ ウエハステージ ３０ 読取り装置 ３１ Ｓ／Ｎ比算出装置 ３２ 光強度照射角度変更装置
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体ウエハ上に表記したドットの集合
体で形成されるウエハ識別用パターンに隣接して、ドッ
トの密集したドット領域とドットのない基板領域とから
なる評価領域を設け、ウエハ識別用パターン読取り処理
前に、前記評価領域内の読取り画像情報から得られる前
記ドット領域および前記基板領域からの反射光強度を比
較することにより読取り画像のＳ／Ｎ比を評価すること
を特徴とする半導体ウエハ識別用パターン読取り方法。 - 【請求項２】 半導体ウエハ上に表記したドットの集合
体で形成されるウエハ識別用パターンに隣接して、ドッ
トの密集したドット領域とドットのない基板領域とから
なる評価領域を設け、ウエハ識別用パターン読取り処理
前に、前記評価領域内の読取り画像情報から得られる前
記ドット領域および前記基板領域からの反射光強度を比
較することにより読取り画像のＳ／Ｎ比を評価し、評価
結果にもとづいて照明光の強度、照射角度を変更するこ
とで読取り画像を改善することを特徴とする半導体ウエ
ハ識別用パターン読取り方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10111594A JPH07307256A (ja) | 1994-05-16 | 1994-05-16 | 半導体ウエハ識別用パターン読取り方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10111594A JPH07307256A (ja) | 1994-05-16 | 1994-05-16 | 半導体ウエハ識別用パターン読取り方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07307256A true JPH07307256A (ja) | 1995-11-21 |
Family
ID=14292082
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10111594A Pending JPH07307256A (ja) | 1994-05-16 | 1994-05-16 | 半導体ウエハ識別用パターン読取り方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07307256A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002080771A1 (en) * | 2001-04-03 | 2002-10-17 | Polartechnics Limited | Disposable calibrated camera for skin lesion examination |
| JP2016517970A (ja) * | 2013-04-10 | 2016-06-20 | ディーシージー システムズ、 インコーポレイテッドＤｃｇ Ｓｙｓｔｅｍｓ Ｉｎｃ． | Ｖｌｓｉ装置用の最適波長光子放射顕微鏡［関連出願の参照］本出願は、２０１３年４月１０日に出願された米国仮出願第６１／８１０，６４５号の優先権利益を主張し、そのすべての内容が本明細書に参考として援用される。 |
-
1994
- 1994-05-16 JP JP10111594A patent/JPH07307256A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002080771A1 (en) * | 2001-04-03 | 2002-10-17 | Polartechnics Limited | Disposable calibrated camera for skin lesion examination |
| JP2016517970A (ja) * | 2013-04-10 | 2016-06-20 | ディーシージー システムズ、 インコーポレイテッドＤｃｇ Ｓｙｓｔｅｍｓ Ｉｎｃ． | Ｖｌｓｉ装置用の最適波長光子放射顕微鏡［関連出願の参照］本出願は、２０１３年４月１０日に出願された米国仮出願第６１／８１０，６４５号の優先権利益を主張し、そのすべての内容が本明細書に参考として援用される。 |
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