JPH07307070A - 磁気ヘッド及びこの製造方法及び磁気ディスク装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は記録媒体に対して情報の記録再生を
行う磁気ディスク装置に使用される磁気ヘッドに関し、
記録媒体に対して低浮上を図ることを目的とする。 【構成】 コアスライダ３２の空気流出端に薄膜素子３
５が形成され、薄膜素子３５上に保護膜３６が形成され
る。そして、保護膜３６に、浮上面における薄膜素子３
５の近傍より空気流出方向に段差面の切り欠き形状の切
欠部４３ａを形成する構成とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、記録媒体に対して情報
の記録再生を行う磁気ディスク装置に使用される磁気ヘ
ッドに関する。近年、磁気ディスク装置の小型化、大容
量化に伴って記録媒体が高密度化してきており、磁気ヘ
ッドの低浮上化が要求されているが、磁気ヘッドの耐衝
撃性や記録媒体への接触を少なくするのに限界を生じて
いる。そのため、磁気ヘッドの記録媒体への接触を少な
くする構造にする必要がある。

【０００２】

【従来の技術】図２０に、従来の磁気ヘッドの構成図を
示す。図２０（Ａ）において、磁気ヘッド１１はコアス
ライダ１２の記録媒体としての磁気ディスクに対して浮
上する浮上面に、空気流方向に２つのレール面１３ａ，
１３ｂが形成され、空気流入側に浮上を導くためのテー
パ面１４ａ，１４ｂが形成される。

【０００３】レール面１３ａの空気流出側の端面には記
録再生を行うための薄膜素子１５が形成される。薄膜素
子１５は、図２０（Ｂ）に示すように、コアスライダ１
２（レール面１３ａ）の端面に絶縁膜（アルミナ）１６
が形成され、絶縁膜１６上に磁性膜１７が形成される。
この磁性膜１７上に絶縁膜１８が形成され、この絶縁膜
１８内にコイル１９が巻回状に形成される。そして、絶
縁膜１８上に磁性膜２０が形成される。磁性膜１７，２
０で形成されるギャップ２２で記録再生が行われる。ま
た、薄膜素子１５における磁性膜２０上に保護膜（絶縁
膜）２１が形成される。

【０００４】一方、レール面１３ａ，１３ｂには、図２
０（Ｃ）の破線で示すように空気の流れの円滑化を図る
などのために面取り加工（ラッピング加工）が施されて
いる。面取りの幅と高さはそれぞれ0 〜10μm 程度であ
る。この場合、コアスライダ１２の端面から保護膜２１
の端部までの距離をＬとすると、Ｌ≧0.025 mmで設定さ
れ、磁性膜２０から保護膜２１の端部までの距離（保護
膜の膜厚）をＳとすると、Ｓ≒0.015 〜0.02mmに設定さ
れる。

【０００５】このような磁気ヘッド１１は、回転する磁
気ディスクで生じる空気流を取り込み磁気ディスク上に
浮上する。この場合、磁気ヘッド１１と磁気ディスクと
が接触してもダメージが少なくなるように、レール面１
３ａ，１３ｂ（テーパ面１４ａ，１４ｂを含む）及び磁
気ディスク表面にＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボ
ン）などの薄い膜を形成したり、また上述のレール面１
３ａ，１３ｂの面取り加工によりバリを除去している。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ここで、図２１に、従
来の磁気ヘッドにおける保護膜の熱膨脹の説明図を示
す。図２１において、磁気ヘッド１１を動作（記録）さ
せる場合、コイル１９に電流を流すため薄膜素子１５の
温度が上昇し、保護膜２１の端部２１’のように熱膨脹
により隆起する。例えば、保護膜２１がアルミナで形成
される場合には１０℃上昇当たりの隆起量が６nmとなっ
た。

【０００７】このため、磁気ヘッド１１の磁気ディスク
への最少浮上量がこの保護膜２１の隆起量及びスペーシ
ングに依存することとなり、接触が頻繁に起こりやすく
なり、その際発生する磨耗粉により、薄膜素子１５やデ
ィスクを損傷してしまうため低浮上化を図ることが困難
であるという問題がある。

【０００８】また、コアスライダ１２のレール面１３
ａ，１３ｂの面取り加工は、薄膜素子１５を形成したウ
エハを切断し、レール面１３ａ，１３ｂを形成した後に
施されるもので、薄膜素子１５の近傍まで加工すると加
工圧力等により当該薄膜素子１５を加工することになっ
て電磁変換特性の悪化などのばらつきが大きくなるとい
う問題がある。

【０００９】そこで、本発明は上記課題に鑑みなされた
もので、第１の目的は記録媒体に対して低浮上化を図
り、第２の目的は素子の均一化を図る磁気ヘッドを提供
することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１は、記録媒体に対して浮上するスライダの
空気流出端に、情報の記録再生を行うための薄膜素子部
が形成され、前記薄膜素子部上に保護膜が形成された磁
気ヘッドにおいて、前記保護膜は、前記スライダの浮上
面における前記薄膜素子部近傍より前記空気流出方向に
かけて形成された切欠部を有する構成とする。

【００１１】請求項２は、前記切欠部が、前記薄膜素子
部の空気流出端側近傍より段差面、テーパ面、又は曲面
の切り欠き形状で形成される。請求項３は、記録媒体に
対して浮上するスライダの空気流出端に、情報の記録又
は再生を行うための薄膜素子部が形成された磁気ヘッド
の製造方法において、厚さが前記スライダの長さ方向と
なるウエハ表面に、コイルと磁性膜と記録再生のための
ギャップ部分を形成して前記薄膜素子部を形成する工程
と、前記磁極上に保護膜を形成する工程と、前記ギャッ
プ部分に、前記保護膜の切欠部となる所定形状の溝を形
成する工程と、前記ウエハの厚さ方向に各前記薄膜素子
部ごとに切断して加工する工程と、を含む構成とする。

【００１２】請求項４は、前記薄膜素子部は、両端に導
電部材が接続された磁気抵抗効果素子が含んで形成され
る。請求項５は、前記溝は、エッチング又は所定切断面
形状の切断部材により形成される。

【００１３】請求項６は、記録媒体に対して浮上するス
ライダの空気流出端に、情報の記録再生を行うための薄
膜素子部が形成され、前記薄膜素子部上に保護膜が形成
された磁気ヘッドにおいて、前記スライダの浮上面にお
ける前記薄膜素子部の側端部の近傍より前記保護膜の前
記空気流出方向にかけて形成された切欠部を有する構成
とする。請求項７は、前記切欠部は凹形状又はＶ溝形状
で形成される。

【００１４】請求項８は、前記薄膜素子部が、電磁誘導
性型による、又は磁気抵抗効果型と電磁誘導性型との組
合わせによる構成で形成される。請求項９は、記録媒体
に対して浮上して情報の記録再生を行う請求項１，２，
６，７又は８記載の磁気ヘッドを搭載するヘッド支持部
と、前記ヘッド支持部が取り付けられるアーム部と、前
記アーム部を前記記録媒体上で移動させる駆動部と、を
備えて磁気ディスク装置を構成する。

【００１５】

【作用】上述のように、請求項１及び２の発明では、ス
ライダの浮上面における保護膜に切欠部が形成される。
これにより、温度上昇によって保護膜が浮上面上に隆起
される部分が減少することから、磁気ヘッドの記録媒体
に対する低浮上化を図ることが可能となる。

【００１６】請求項３〜５の発明では、薄膜素子の２つ
の磁極のギャップ部分をエッチング又は切断部材により
保護膜の切欠部となる溝を形成し切断、加工する。これ
により、保護膜の切欠部を高度な面取り加工を行なうこ
となく容易に形成することが可能になると共に、磁極の
ギャップ又は端面より保護膜の端部までの距離を十分縮
小でき、かつ薄膜素子のばらつきが減少して電磁変換特
性の均一化を図ることが可能となる。

【００１７】請求項６及び７の発明では、スライダの浮
上面の薄膜素子の両側端の近傍から保護膜の空気流出方
向にかけて凹形状又はＶ溝形状の切欠部が形成される。
これにより、薄膜素子周辺の表面積が増大して冷却が促
進されて温度上昇による保護膜の隆起が抑制され、磁気
ヘッドの記録媒体に対する低浮上化を図ることが可能に
なる。

【００１８】請求項８の発明では、スライダに形成され
る薄膜素子が電磁誘導性型による、又は磁気抵抗効果型
と電磁誘導性型との組合わせによる構成で形成される。
これにより、何れの型のものであっても低浮上化を実現
でき記録再生に対する電磁変換特性の向上を図ることが
可能である。

【００１９】請求項９の発明では、磁気ディスク装置に
上述の磁気ヘッドを搭載する。これにより、磁気ヘッド
の記録媒体へのヘッドタッチが減少され、低浮上化を図
ることが可能となる。

【００２０】

【実施例】図１に、本発明の第１実施例における磁気ヘ
ッドの構成図を示す。図１（Ａ）において、磁気ヘッド
３１は、コアスライダ３２の記録媒体としての磁気ディ
スクに対して浮上する浮上面に、空気流方向に２つのレ
ール面３３ａ，３３ｂが形成され、該レール面３３ａ，
３３ｂの空気流入側に浮上を導くためのテーパ面３４
ａ，３４ｂが形成される。

【００２１】レール面３３ａ，３３ｂのそれぞれの空気
流出側の端面には記録再生を行うための薄膜素子３５及
び保護膜３６が形成される。薄膜素子３５は、図１
（Ｂ）に示すように、コアスライダ３２（レール面３３
ａ，３３ｂ）の端面に絶縁膜３７が形成され、絶縁膜３
７上に磁極となる磁性膜３８が形成される。この磁性膜
３８上に絶縁膜３９が形成され、この絶縁膜３９内にコ
イル４０が所定層巻回状に形成される。

【００２２】そして、絶縁膜３９上に磁極となる磁性膜
４１が形成される。磁性膜３８，４１で形成されるギャ
ップ４２で記録再生が行われる。また、薄膜素子３５に
おける磁性膜４１上に保護膜（絶縁膜）３６が形成され
る。保護膜３６は、レール面３３ａ，３３ｂにおける薄
膜素子３５の近傍より空気流出方向に段差面の切り欠き
形状の切欠部４３ａが形成される。この場合、磁性膜４
１から保護膜３６の端部までの距離Ｓ（図１（Ｂ））
は、例えば可能な限り零に近い値より0.015 mm未満で形
成される。

【００２３】また、レール面３３ａ，３３ｂは、図１
（Ａ）の破線で示すように、空気の流れを円滑にすると
共に磁気ディスクの接触時の磨耗粉の発生を軽減させる
ための面取り加工（ラッピング加工）が施される。な
お、薄膜素子３５は、レール面３３ａ，３３ｂの両方の
端面に形成されているが、通常使用時は何れか一方が駆
動される。これは、磁気ディスクの両面に当該磁気ヘッ
ド３１の薄膜素子３５の位置を対向させて配置するため
である。尚、コアスライダ先端中央部に一つの素子を設
けてもよい。

【００２４】図１（Ａ）に示すように、第１実施例にお
ける磁気ヘッドの各部の寸法は、ａ≧0.03μm 、ｂ＝0.
045 mm、ｃ＝25μm 、ｄ＝40μm 、ｅ＝2 mm、ｆ＝1.6
mm、ｇ＝0.385 mm、ｈ＝0.054 mm、ｉ＝0.255 mmと設定
されている。尚、0.01mm≦ｃ≦0.25mm、Ｌ≧0.02mmで形
成してもよい。

【００２５】ここで、切り欠きを設けた保護膜における
面取りについて検討する。図２（Ａ）は本発明の第１実
施例における磁気ヘッドと記録媒体との位置関係を模式
的に示した簡略図である。図２（Ｂ）は磁気ヘッドの流
出端を拡大して示した図である。図１（Ａ）において、
ａで示された寸法を図２（Ａ）ではＲＥで示す。ＲＥの
値としては、0.03μm 以上が望ましい。

【００２６】図２（Ａ）において、ＦＨＴは記録媒体と
磁気ヘッドの間の距離を示し、ＦＨＬはコアスライダの
平坦部分の流入端と記録媒体との距離を表す。さらに、
ＳＬはコアスライダの流入端に形成されたテーパ部を除
く長手方向におけるレール面３３ａ、３３ｂの長さを表
し、ＡＨは保護膜の厚さを表す。

【００２７】図２（Ａ）と図２（Ｂ）を参照するに、ｘ
は保護膜先端と記録媒体との距離を表し、θは磁気ヘッ
ドの傾きを表す。ｘおよびθの値はそれぞれ以下の式で
与えられる。 θ＝ｓｉｎ^-1｛（ＦＨＬ−ＦＨＴ）／ＳＬ｝ ｘ＝ＲＥｃｏｓθ−ＡＨｓｉｎθ＋ＦＨＴ （ＥＪ＝ＲＥｃｏｓθ， Ｅｊ＝ＡＨｓｉｎθ） 仮にＲＥの値が0.03μm 未満の場合、保護膜の先端を面
取りした方が良い。言い換えれば保護膜の先端にテーパ
を形成するのが良い。

【００２８】今、ＲＥ＝0.02μm 、ＦＨＴ＝0.1 μm 、
ＦＨＬ＝0.35μm 、ＳＬ＝1.85×10 ³ μm 、ＡＨ＝45μ
m の磁気ヘッドを持つ磁気ディスク装置を装置１とする
と、装置１におけるｘおよびθの値はそれぞれ次のよう
になる。 θ＝ｓｉｎ^-1｛（ＦＨＬ−ＦＨＴ）／ＳＬ｝ ＝ｓｉｎ^-1｛（0.35−0.1 ）／（1.85×10³ ）｝ ＝0.00774 ［deg ］ ｘ＝ＲＥｃｏｓθ−ＡＨｓｉｎθ＋ＦＨＴ ＝0.02ｃｏｓθ−45ｓｉｎθ＋0.1 ＝0.11392 ［μm ］ さらに、ＲＥ＝0.01μm 、ＦＨＴ＝0.07μm 、ＦＨＬ＝
0.245 μm 、ＳＬ＝1.85×10³ μm 、ＡＨ＝45μm の磁
気ヘッドを持つ磁気ディスク装置を装置２とすると、装
置２におけるｘおよびθの値はそれぞれ次のようにな
る。

【００２９】 θ＝ｓｉｎ^-1｛（ＦＨＬ−ＦＨＴ）／ＳＬ｝ ＝ｓｉｎ^-1｛（0.245 −0.07）／（1.85×10³ ）｝ ＝0.00542 ［deg ］ ｘ＝ＲＥｃｏｓθ−ＡＨｓｉｎθ＋ＦＨＴ ＝0.01ｃｏｓθ−45ｓｉｎθ＋0.07 ＝0.07574 ［μm ］ このような装置において素子に電流を流すと、コイルの
温度が上昇し、それにともなって保護膜は媒体に近づく
方向に盛り上がる。図３は温度の上昇に伴うｘとＦＨＴ
の差（以下リセス量という）の変化を表し、リセス量の
負の値は、保護膜の先端の方がＦＨＴギャップよりも媒
体に近いことを示している。10℃の温度上昇ごとにリセ
ス量が約6 nm減少することを図３は示している。温度が
50℃上昇した時保護膜先端がＦＨＴギャップよりも25nm
分媒体に近いことがわかるが、このことから図２（Ｂ）
中のＧＤの長さを約30nm短くすれば保護膜の突き出しは
なくなることがわかる。

【００３０】保護膜の突き出しを抑えるためには、保護
膜の先端にテーパを形成すればよい。図４（Ａ）および
４（Ｂ）は、本発明の第１実施例の変形例における磁気
ヘッドの構成およびヘッドと記録媒体の位置関係を模式
的に示す簡略図であり、図４（Ａ）における破線はテー
パを示している。図４（Ｂ）における点Ｄ’は突き出し
た保護膜の端を示している。ＤＥを１とした時、ＡＥが
0.8 、0.6 、0.4 、0.2 となるようにテーパを形成した
４種類の場合を考える。

【００３１】理論的に言えば、三角形Ａ’ＦＤと三角形
Ａ’Ｄ’Ｄとの相似関係から、保護膜の盛り上がりの程
度はＡ’ＥのＤＥに対する比率と反比例する。すなわ
ち、Ａ’Ｅが短いほど保護膜の盛り上がりも少ない。図
５は各温度条件における非テーパ部の長さ（Ａ’Ｅ）と
リセス量との関係を示す図である。10℃の温度上昇ごと
にリセス量が約6 nm減少することを図は示している。図
５において陰影を施した範囲は、保護膜の浮上量がＦＨ
Ｔギャップの浮上量より大きな範囲である。

【００３２】通電による素子部の温度上昇が30℃までと
すると、Ａ’Ｅを25μm にすればよい。またこの時の浮
上面からの位置関係は図６のようになる。ここで、図７
に薄膜素子形成のウエハプロセスの説明図を示すと共
に、図８に薄膜素子の部分説明図を示す。図７及び図８
において、厚さがコアスライダ３２の長さ方向となるウ
エハ４４の表面上に下地膜としてアルミナスパッタによ
り絶縁膜３７が形成され（ステップ（ＳＴ）１）、絶縁
膜３７上にクロム等のめっき、エッチングにより下部の
磁性膜３８が形成される（ＳＴ２）。

【００３３】この磁性膜３８は、ウエハ４４に形成され
る薄膜素子３５の個数に応じて形成されるもので、磁性
膜３８で形成されるギャップ４２部分が規則的に配列さ
れて形成される。すなわち、ギャップ４２部分が直線的
になるように配列されて形成される。

【００３４】続いて、磁性膜３８上にアルミナスパッ
タ、ミリングによりギャップ膜３９ａを形成され（ＳＴ
３）、このギャップ膜３９ａ上にアルミナのフォトエッ
チングにより下部絶縁膜３９ｂが形成される（ＳＴ
４）。この下部絶縁膜３９ｂ上にクロムスパッタ、フォ
トエッチングによりコイル膜４０ａが形成される（ＳＴ
５）。コイル４０を２層とする場合にはＳＴ４及びＳＴ
５を行い絶縁膜３９ｃを挟んで上部コイル膜４０ｂが形
成され、上部コイル膜４０ｂ上にアルミナのフォトエッ
チングにより上部絶縁膜３９ｄが形成される（ＳＴ
６）。

【００３５】この上部絶縁膜３９ｄ上にクロム等のめっ
き、エッチングにより上部絶縁膜４１が形成される（Ｓ
Ｔ７）。この上部磁性膜４１と下部絶縁膜３８によりギ
ャップ膜３９ａが形成されたギャップ４２を形成する。
一方、磁性膜３８，４１及びコイル膜４０ａ，４０ｂの
リード線取出し部としてのバンプがクロムスパッタ等に
より形成されて薄膜素子３５が形成される。この薄膜素
子３５の全体上にアルミナスパッタにより保護膜３６が
形成される（ＳＴ９）。

【００３６】そして、保護膜３６をエッチング（又は砥
石などのブレード）により切欠部４３ａ（図８（Ａ）の
破線部分）が形成される（ＳＴ１０，図８（Ｂ））。そ
こで、図９に磁気ヘッドの加工プロセス、アセンブリ組
立ての説明図を示し、図１０に薄膜素子が形成されたウ
エハの部分図を示す。

【００３７】図９において、薄膜素子３５及び保護膜３
６（切欠部４３）が形成されたウエハ４４は、薄膜素子
３５におけるギャップ４２部分の突き合わされた部分で
切断されて切断ウエハ片４４ａとされる（図９
（Ａ））。この切断ウエハ片４４ａにおいて、レール面
３３ａ，３３ｂが研削により形成される（図９
（Ｂ））。

【００３８】この状態が図５に示される。図１０（Ａ）
はレール面３３ａ，３３ｂからの平面図であり、図１０
（Ｂ）は空気流出側の端面からの平面図である。図１０
（Ａ），（Ｂ）に示すように切断ウエハ片４４ａが長さ
方向に切欠部４３ａを有する所定数のコアスライダ３２
が配列された状態でレール面３３ａ，３３ｂが所定高さ
で形成される。

【００３９】図９に戻って、レール面３３ａ，３３ｂが
形成された切断ウエハ片４４ａを、個々の磁気ヘッド３
１（コアスライダ３２）ごとに切断され、レール面３３
ａ，３３ｂの空気流入側にテーパ面３４ａ，３４ｂが形
成されると共に、前述のようにレール面３３ａ，３３ｂ
の面取り加工が行われる（図９（Ｃ））。

【００４０】このようにして形成された磁気ヘッド３１
がヘッド支持部であるジンバル５２の先端に搭載され
て、ヘッドアセンブリ５１が組立てられる（図９
（Ｄ））。磁気ヘッド３１における薄膜素子３５の上記
バンプよりリード線５３により接続端子５４に導かれ
る。なお、５５は後述するキャリッジアームに取り付け
るための取着部である。

【００４１】続いて、図１１に、図１の磁気ヘッドが使
用される磁気ディスク装置の平面構成図を示す。図１１
に示す磁気ディスク装置６１において、アクチュエータ
６２のアーム６３にヘッドアセンブリ５１が取り付けら
れており、アーム６３の基部がピボット６４に回転自在
に軸支される。

【００４２】また、アーム６３のピボット６４の反対側
には回動支持部６５が形成され、該回動支持部６５に巻
回されたコイル６６が設けられる。そして、コイル６６
の下方には２つのマグネット６７ａ，６７ｂが固定配置
される。このコイル６６及びマグネット６７ａ，６７ｂ
により駆動部としてＶＣＭ（ボイスコイルモータ）を構
成する。

【００４３】この様なアクチュエータ６２は、センサレ
スタイプのスピンドルモータ（図に表われず）のスピン
ドル６８に固定されて回転される磁気ディスク６９に対
し、コイル６６に配線基板７０よりフレキシブルプリン
ト板７１を介して通電することにより磁気ヘッド３１を
磁気ディスク６９の半径方向に移動させるようにアーム
６３が回動されるものである。

【００４４】このような磁気ディスク装置６１におい
て、アクチュエータ６２により磁気ヘッド３１を磁気デ
ィスク６９の所定トラック上に位置決めして記録（又は
再生）を行う場合に薄膜素子３５におけるコイル４０
（４０ａ，４０ｂ）に電流が供給される。このとき、薄
膜素子３５が温度上昇して保護膜３６が熱膨脹して隆起
を生じるが、図１（Ｂ）の破線のように、切欠部４３ａ
において生じることから、ギャップ４２面での隆起が微
小となる。具体的には図１（Ｂ）における幅Ｓを基準と
して考えると保護膜３６の１０℃あたりの隆起量が２nm
（従来は６nm）となった。

【００４５】従って、磁気ディスク６９面での磁気ヘッ
ド３１の接触を減少させることができ、これによって磨
耗粉などの磁気ヘッド３１（薄膜素子３５）への付着に
よる損傷が軽減され、信頼性を向上させることができ
る。また、これに伴って磁気ディスク６９面に対して磁
気ヘッド３１の浮上量を低減させることができる。さら
に、磁気ヘッド３１の製造時、ウエハ段階で容易に切欠
部４３ａが形成することができると共に、切欠部４３に
よりギャップ４２より保護膜３６の端部までの距離が縮
小されて、レール面３３ａ，３３ｂの従来の面取り加工
法で切欠部を形成するよりも薄膜素子３５への影響が少
なくなり、ばらつきが減少して均一化を図ることができ
る。

【００４６】また、切欠部４３ａにより、磁気ヘッド３
１のロールによるエッジ部分が磁気ディスク６９に接触
することを減少させることができる。次に、図１２に、
本発明の第２実施例における磁気ヘッドの構成図を示
す。図１２（Ａ），（Ｂ）に示す磁気ヘッド３１は、切
欠部４３ｂを、コアスライダ３２におけるレール面３３
ａ，３３ｂ（浮上面）の薄膜素子３５の近傍より空気流
出方向に、テーパ面の切り欠き形状で形成したもので、
他の構成は図１の第１実施例と同様であり、同様の作用
効果を有するものである。そして、図１１に示す磁気デ
ィスク装置６１に搭載される。図中、ｘの寸法はおよそ
0.020 mm、ｙの寸法は0.045 mmと設定されるのが望まし
い。

【００４７】ここで、図１３に、第２実施例の製造説明
図を示す。図１３（Ａ），（Ｂ）において、図７と同様
にウエハ４４上に所定数の薄膜素子３５が形成され、薄
膜素子３５上に保護膜３６が形成される。そして、各薄
膜素子３５ごとのギャップ４２の近傍に断面Ｖ形状のブ
レード（砥石等）７２によりＶ溝７３ａが形成される。
例えば、ステージ上にウエハを搭載して固定し、ロボッ
トハンドで固定された砥石がセンサによる印の判別でＸ
方向に各ブロック位置の素子形成部に位置合わせされ、
Ｙ方向に駆動して切削するものである。

【００４８】このＶ溝７３ａの部分を切断すると、図１
２に示すように薄膜素子３５近傍より保護膜３６にテー
パ面の切欠部４３ｂが形成されるものである。このよう
に、ブレード７２によりウエハ段階で容易にテーパ面形
状の切欠部４３ｂが形成されるものである。

【００４９】そして、前述のように磁気ヘッド３１の駆
動時にコイル電流が流れて温度上昇して保護膜３６が熱
膨脹しても、図１２（Ｂ）の破線で示すように、レール
面３３ａ，３３ｂ（ギャップ４２面）上での隆起を軽減
させることができ、磁気ヘッド３１の低浮上化を図るこ
とができるものである。

【００５０】次に、図１４に本発明の第３実施例におけ
る磁気ヘッドの構成図を示し、図１５に第３実施例の溝
形状の説明図を示す。図１４（Ａ），（Ｂ）に示す磁気
ヘッド３１は、切欠部４３ｃを、コアスライダ３２にお
けるレール面３３ａ，３３ｂ（浮上面）の薄膜素子３５
の近傍より空気流出方向に、曲面の切り欠き形状で形成
したもので、他の構成は図１の第１実施例と同様であ
り、同様の作用効果を有するものである。そして、図１
１に示す磁気ディスク装置６１に搭載される。

【００５１】この場合、図１５に示すように、各薄膜素
子３５ごとのギャップ４２の近傍で、断面形状が曲面の
ブレードにより逆Ｒ溝７３ｂが形成され、この中心部分
を切断することにより保護膜３６に逆Ｒの曲面の切欠部
４３ｃが形成されるものである。

【００５２】このような形状の切欠部４３ｃを形成する
ことによっても、図１４（Ｂ）の破線に示すように保護
膜３６の熱膨脹によるレール面３３ａ，３３ｂ（浮上
面）からの隆起を軽減させることができ、磁気ヘッド３
１の低浮上化を図ることができるものである。

【００５３】次に、図１６に、第１〜第３実施例の他の
溝形状の説明図を示す。図１６（Ａ）は、ウエハ段階で
の薄膜素子３５におけるギャップ４２の近傍で、断面形
状が逆台形状のブレードにより逆台形溝７３ｃが形成さ
れる場合を示している。そして、逆台形溝７３ｃの中心
部分を切断することにより、保護膜３６にテーパ面状の
切欠部が形成されるものである。

【００５４】また、図１６（Ｂ）は、ウエハ段階でギャ
ップ４２の近傍で、ブーレドにより底面を備える逆Ｒ溝
７３ｄが形成される場合を示している。そして、この中
心部を切断することにより、保護膜３６に逆Ｒ状の切欠
部が形成されるものである。続いて、図１７に、磁気ヘ
ッドを薄膜ＭＲ素子を用いて構成した場合の構成図を示
す。図１７（Ａ）は部分構成図、図１７（Ｂ）は部分断
面図である。図１７（Ａ），（Ｂ）に示す磁気ヘッド８
１は、コアスライダ３２上に下地層としてアルミナ等の
絶縁膜３７が形成され、絶縁膜３７上にＦｅＭｎ（マン
ガン鉄）等のシールド膜（磁性膜）８２が形成されて、
さらにアルミナ等の絶縁膜８３ａが形成される。

【００５５】この絶縁膜８３ａ上にＭＲ素子（磁気抵抗
効果素子）８４及びその両端に接続される導電部材８５
ａ，８５ｂ（８５ｂは図に表われず）が形成され、これ
らに絶縁膜８３ｂが形成される。そして、絶縁膜８３ｂ
上にシールド膜を兼ねる下部磁性膜３８が形成され、こ
の磁性膜３８上に図１と同様に絶縁膜３９，コイル４
０，上部磁性膜４１が形成されて薄膜素子３５ａを構成
し、この上に保護膜３６が形成される。同様に、この保
護膜３６には段差面（テーパ面、曲面であってもよい）
の切り欠き状の切欠部４３ａが形成される。

【００５６】このような磁気ヘッド８１は、薄膜素子３
５ａにおけるギャップ４２が記録専用素子となり、ＭＲ
素子８４が再生専用素子となる。このようにＭＲ素子８
４を用いる場合であっても、保護膜３６に形成された切
欠部４３ａにより、温度上昇時における磁気ヘッド８１
と磁気ディスク６９との接触が軽減され、磁気ヘッド８
１の低浮上化を図ることができる。

【００５７】なお、ＭＲ素子８４を用いるものとして、
後述する第４実施例においても同様に適用することがで
きるものである。次に、図１８に、本発明の第４実施例
の部分構成図を示す。図１８（Ａ）は薄膜部分の平面
図、図１８（Ｂ）は保護膜の端面の背面図、図１８
（Ｃ）は薄膜素子部分の側面図である。図１８（Ａ）〜
（Ｃ）に示す磁気ヘッド９１ａは、前述の図２０（Ａ）
に示す構成と同様であって、薄膜素子３５に保護膜３６
が形成されており、浮上面の薄膜素子３５周辺より保護
膜３６の空気流出端にかけて凹凸部として２つのＶ溝９
２ａ，９２ｂが徐々に深くなるように形成される。ま
た、図１８（Ｃ）に示すように、空気流出方向の両側面
に凹凸部としてそれぞれＶ溝９３ａ，９３ｂ（９３ｂは
図に表われず）が徐々に深くなるように形成されたもの
である。この磁気ヘッド９１ａは、図６に示す磁気ディ
スク装置６１に搭載される。

【００５８】この浮上面と両側面に形成されたＶ溝９２
ａ，９２ｂ，９３ａ，９３ｂとが形成されることで、薄
膜素子３５の周辺での表面積が増大されることになり、
冷却効果が向上して温度上昇による保護膜３６の浮上面
への隆起が抑制される。これによって、磁気ヘッド９１
ａの磁気ディスクに対する低浮上化を図ることができ
る。

【００５９】続いて、図１９に、第４実施例の他の形状
の構成図を示す。図１９（Ａ）は薄膜素子部分の平面
図、図１９（Ｂ）は保護膜の端面の背面図、図１９
（Ｃ）は薄膜素子部分の側面図である。図１９（Ａ）〜
（Ｃ）に示す磁気ヘッド９１ｂは、薄膜素子３５の周辺
であって両側より空気流出方向にかけて切欠部として凹
形状で段差９４ａ，９４ｂが例えばマスクイオンミルに
より形成される。また、図１９（Ｃ）に示すように空気
流出方向の両側に切欠部としてそれぞれＶ溝９５ａ，９
５ｂ（９５ｂは図に表われず）が徐々に深くなるように
例えば切削により形成されたものである。

【００６０】この段差９４ａ，９４ｂと両側面のＶ溝９
５ａ，９５ｂにより薄膜素子３５の周辺での表面積が増
大されて冷却効果が向上され、温度上昇による保護膜３
６の浮上面への隆起が抑制されて磁気ヘッド９２ｂの磁
気ディスクに対する低浮上化を図ることができる。

【００６１】なお、第４実施例では薄膜素子３５より保
護膜３６にかけて凹凸部としてＶ溝９２ａ，９２ｂ，９
３ａ，９３ｂ，９５ａ，９５ｂや段差９４ａ，９４ｂを
形成した場合を示したが、表面積を増大させる形状であ
れば、何れの形状であってもよい。

【００６２】また、図１８及び図１９に示す第４実施例
と、第１〜第３実施例を適宜組み合わせることにより、
さらなる磁気ヘッドの低浮上化を図ることができるもの
である。

【００６３】

【発明の効果】以上のように、請求項１及び２の発明に
よれば、スライダの浮上面における保護膜に切欠部が形
成されることにより、温度上昇によって保護膜が浮上面
方向に隆起しても浮上面上に突出する部分が減少するこ
とから、磁気ヘッドの記録媒体に対する低浮上化を図る
ことができる。

【００６４】請求項３〜５の発明によれば、薄膜素子の
２つの磁極のギャップ部分をエッチング又は切断部材に
より保護膜の切欠部となる溝を形成し切断、加工するこ
とにより、保護膜の切欠部を容易に形成することができ
ると共に、ギャップ又は端面より保護膜の端部までの距
離が縮小でき、薄膜素子のばらつきが減少して均一化を
図ることができる。

【００６５】請求項６及び７の発明によれば、スライダ
の浮上面の薄膜素子の両側端の近傍から保護膜の空気流
出方向にかけて凹形状又はＶ溝形状の切欠部が形成され
ることにより、薄膜素子周辺の表面積が増大し、冷却が
促進されて温度上昇による保護膜の隆起が抑制され、磁
気ヘッドの記録媒体に対する低浮上化を図ることができ
る。

【００６６】請求項８の発明によれば、スライダに形成
される薄膜素子が電磁誘導性型による、又は磁気抵抗効
果型と電磁誘導性型との組み合わせによる構成で形成さ
れることにより、何れの型のものであっても記録媒体に
対して低浮上化を図ることができる。

【００６７】請求項９の発明によれば、磁気ディスク装
置に上述の磁気ヘッドを搭載することにより、磁気ヘッ
ドの記録媒体へのヘッドタッチが減少され、低浮上化を
図ることができる。また、磁気ヘッドと記録媒体との浮
上ギャップを小さく設定でき、より効率的に再生出力を
得ることができると共に、ヘッド媒体間をより小さくし
て小型化することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例における磁気ヘッドの構成
図である。

【図２】本発明の第１実施例における磁気ヘッドと記録
媒体との位置関係を示す図である。

【図３】本発明の第１実施例おける磁気ヘッドにおける
温度上昇とリセス量減少の関係を示した図。

【図４】本発明の第１実施例の変形例における磁気ヘッ
ドの構成およびヘッドと記録媒体の位置関係を示す図。

【図５】各温度条件における非テーパ部の長さとリセス
量の関係を示す図。

【図６】浮上面から見た素子まわりを示す図。

【図７】薄膜素子部分の形成のウエハプロセスの説明図
である。

【図８】薄膜素子の部分説明図である。

【図９】薄膜素子が形成されたウエハの部分図である。

【図１０】磁気ヘッドの加工プロセス、アセンブリ組立
ての説明図である。

【図１１】図１の磁気ヘッドが使用される磁気ディスク
装置の平面構成図である。

【図１２】本発明の第２実施例における磁気ヘッドの構
成図である。

【図１３】第２実施例の製造説明図である。

【図１４】本発明の第３実施例における磁気ヘッドの構
成図である。

【図１５】第３実施例の溝形状の説明図である。

【図１６】第１〜第３実施例の他の溝形状の説明図であ
る。

【図１７】磁気ヘッドを薄膜ＭＲ素子を用いて構成した
場合の構成図である。

【図１８】本発明の第４実施例の部分構成図である。

【図１９】第４実施例の他の形状の構成図である。

【図２０】従来の磁気ヘッドの構成図である。

【図２１】従来の磁気ヘッドにおける保護膜の熱膨脹を
示した説明図である。

【符号の説明】

３１，８１，９１ａ，９１ｂ 磁気ヘッド ３２ コアスライダ ３３ａ，３３ｂ レール面 ３４ａ，３４ｂ テーパ面 ３５，３５ａ 薄膜素子 ３６ 保護膜 ４２ ギャップ ４３ａ〜４３ｃ 切欠部 ４４ ウエハ ５１ ヘッドアセンブリ ６１ 磁気ディスク装置 ６２ アクチュエータ ６３ アーム ６９ 磁気ディスク ７２ ブレード ７３ａ Ｖ溝 ８４ ＭＲ素子

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 記録媒体（６９）に対して浮上するスラ
   イダ（３２）の空気流出端に、情報の記録再生を行うた
   めの薄膜素子部（３５，３５ａ）が形成され、前記薄膜
   素子部（３５，３５ａ）上に保護膜（３６）が形成され
   た磁気ヘッドにおいて、 前記保護膜（３６）は、前記スライダ（３２）の浮上面
   における前記薄膜素子部（３５，３５ａ）近傍より前記
   空気流出方向にかけて形成された切欠部（４３ａ〜４３
   ｃ）を有することを特徴とする磁気ヘッド。
2. 【請求項２】 前記切欠部（４３ａ〜４３ｂ）は、前記
   薄膜素子部の空気流出端側近傍より段差面、テーパ面、
   又は曲面の切り欠き形状で形成されてなることを特徴と
   する請求項１記載の磁気ヘッド。
3. 【請求項３】 記録媒体（６９）に対して浮上するスラ
   イダ（３２）の空気流出端に、情報の記録又は再生を行
   うための薄膜素子部（３５，３５ａ）が形成された磁気
   ヘッドの製造方法において、 厚さが前記スライダの長さ方向となるウエハ（４４）表
   面に、コイル（４０）と、磁性膜（３８，４１）と記録
   再生のためのギャップ（４２）部分を形成して前記薄膜
   素子部（３５）を形成する工程と、 前記磁極（３８，４１）上に保護膜（３６）を形成する
   工程と、 前記ギャップ部分に、前記保護膜（３６）の切欠部（４
   ３ａ〜４３ｃ）となる所定形状の溝（７３ａ〜７３ｄ）
   を形成する工程と、 前記ウエハ（４４）の厚さ方向に各前記薄膜素子部（３
   ５）ごとに切断して加工する工程と、 を含むことを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
4. 【請求項４】 前記薄膜素子部（３５）は、両端に導電
   部材（８５ａ，８５ｂ）が接続された磁気抵抗効果素子
   （８４）を含んで形成されることを特徴とする請求項３
   記載の磁気ヘッドの製造方法。
5. 【請求項５】 前記溝（７３ａ〜７３ｄ）は、エッチン
   グ又は所定切断面形状の切断部材（７２）により形成さ
   れることを特徴とする請求項３又は４記載の磁気ヘッド
   の製造方法。
6. 【請求項６】 記録媒体（６９）に対して浮上するスラ
   イダ（３２）の空気流出端に、情報の記録再生を行うた
   めの薄膜素子部（３５，３５ａ）が形成され、前記薄膜
   素子部（３５，３５ａ）上に保護膜（３６）が形成され
   た磁気ヘッドにおいて、 前記スライダ（３２）の浮上面における前記薄膜素子部
   （３５，３５ａ）の側端部の近傍より前記保護膜（３
   ６）の前記空気流出方向にかけて形成された切欠部（９
   ３ａ，９３ｂ，９４ａ，９４ｂ）を有することを特徴と
   する磁気ヘッド。
7. 【請求項７】 前記切欠部（９３ａ，９３ｂ，９４ａ，
   ９４ｂ）は凹形状又はＶ溝形状で形成されてなることを
   特徴とする請求項６記載の磁気ヘッド。
8. 【請求項８】 前記薄膜素子部（３５，３５ａ）は、電
   磁誘導性型による、又は磁気抵抗効果型と電磁誘導性型
   との組合わせによる構成で形成されることを特徴とする
   請求項１，２，６又は７記載の磁気ヘッド。
9. 【請求項９】 記録媒体（６９）に対して浮上して情報
   の記録再生を行う請求項１，２，６，７又は８記載の磁
   気ヘッド（３１，８１，９１ａ，９１ｂ）を搭載するヘ
   ッド支持部（５２）と、 前記ヘッド支持部（５２）が取り付けられるアーム部
   （６３）と、 前記アーム部（６３）を前記記録媒体（６９）上で移動
   させる駆動部（６６，６７ａ，６７ｂ）と、 を備えることを特徴とする磁気ディスク装置。