JPH07306182A - 昇温脱離ガス分析装置 - Google Patents

昇温脱離ガス分析装置

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JPH07306182A
JPH07306182A JP6099579A JP9957994A JPH07306182A JP H07306182 A JPH07306182 A JP H07306182A JP 6099579 A JP6099579 A JP 6099579A JP 9957994 A JP9957994 A JP 9957994A JP H07306182 A JPH07306182 A JP H07306182A
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JP
Japan
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sample
stage
desorption gas
sample stage
gas analyzer
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JP6099579A
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English (en)
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Norio Hirashita
紀夫 平下
Taizo Uchiyama
泰三 内山
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DENSHI KAGAKU KK
Oki Electric Industry Co Ltd
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DENSHI KAGAKU KK
Oki Electric Industry Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 低温で試料表面から脱離したガスが試料ステ
ージに吸着及び試料ステージの温度の上昇を抑えるとと
もに、昇温脱離ガスを再現性良く測定できる昇温脱離ガ
ス分析装置を提供する。 【構成】 昇温脱離ガス分析装置において、透明材料か
らなる石英製ロッド31と、この石英製ロッド31上に
形成されるとともに、試料の設定位置にホール33が形
成される透明材料からなる石英製試料ステージ32と、
この石英製試料ステージ32に導入される試料導入ステ
ージと、この試料導入ステージから試料ステージ32上
へ試料を設定する試料移載装置とを設ける。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、昇温脱離ガス分析装
置、特にその試料昇温部における試料ステージ及び試料
導入ステージの構造に関するものである。
【0002】
【従来の技術】昇温脱離ガス分析装置とは、真空中で試
料を加熱した時に放出されるガスを、質量分析計により
分析するものである。従来、この種の装置としては、
「真空,第34巻,第11号,第813−819頁(1
991)」に開示されるものがあり、ロードロック方式
の採用により、外気が加熱部に直接導入されないこと
や、外部から試料を直接加熱することにより、試料ステ
ージからの脱ガスの影響が少なく、試料からの脱ガス
を、直接短時間に質量分析計により測定できる。
【0003】図4はかかる従来の昇温脱離ガス分析装置
の試料ステージの構成図であり、図4(a)はその斜視
図、図4(b)はその一部破断側面図である。図4に示
すように、試料ステージ2に、測定のための試料3(例
えば、ウエハ1cm角程度に劈開したもの)をセットす
る。試料3の外部の真空度は、典型的には10-7Tor
r以下であり、真空中に存在するガスを質量分析計によ
り測定できる。
【0004】測定は、赤外線を、赤外線導入用の透明石
英ロッド1を介して、試料3の裏面より照射して、試料
3を直接昇温し、その時に放出されるガスを前記質量分
析計(図示なし)により測定する。前記透明石英ロッド
1や試料ステージ2は、赤外線に対して透明な石英で形
成され、試料3だけが赤外光の吸収により加熱される。
【0005】次に、試料ステージ2への試料3の導入に
ついて説明する。図5は試料ステージへの試料を導入す
るための試料導入ステージの構成図であり、図5(a)
はその試料導入ステージの斜視図、図5(b)はその試
料導入ステージの平面図である。図6はその試料導入ス
テージから試料ステージへの試料の移載方法の説明図で
ある。
【0006】これらの図に示すように、測定室内の試料
ステージ2への試料3の導入はロードロック室をN2
ージした後、試料導入ステージ4に試料3を載せた後、
真空引きし、10-5Torr以下とする。次いで、分析
室へ試料導入ステージ4を移動させ、試料ステージ2へ
は移載フォーク5を所定の位置まで移動させ、a方向へ
試料3にかかる位置まで下げた後、試料ステージ2の方
向(b方向)へ移載フォーク5を移動させ、試料3を試
料ステージ2の中央にセットする。これにより、分析室
では大気に戻すことなく、試料3の導入から測定までを
行うことができる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の昇温脱離ガス分析装置では、昇温中に試料3か
ら脱離したガスが、試料ステージ2に再付着し、それ
が、より高温になった時に放出され、見かけ上試料3か
らの脱ガスとして測定されるという問題点があった。
【0008】また、試料3からの脱ガスそのものや、上
記したいわゆる“ゴーストピーク”と呼ばれる脱ガスが
放出される固有の温度が、外部から透明石英ロッド1を
介して導入される、赤外線に対する試料位置の違いによ
り変化するという再現性の低さに問題があった。これら
の例を、図7に示す。図7は従来の昇温脱離ガス分析装
置を用いた昇温脱離ガス分光スペクトル図であり、横軸
に温度℃、縦軸に脱離強度(任意スケール)を示してい
る。
【0009】すなわち、Siウエハをフッ酸により処理
し、Si表面のダングリングボンド(未結合手)を、す
べて水素(H)で終端した試料を、昇温した時に得られ
る水素ガス(H2 )分圧の変化を温度の関数としてプロ
ットした、いわゆるTDS(昇温脱離ガス分光)スペク
トルである。2回の繰り返し測定結果を図に示してあ
る。
【0010】図中、斜線を引いた領域は、同一試料を測
定したにもかかわらず、再現性に乏しく、低温で試料表
面から脱離した水素ガス(H2 )が、試料ステージに吸
着したものが、試料温度がさらに上昇したため、ステー
ジから脱離したものである。すなわち、見かけ上は試料
から脱離したように見えるが、試料固有の脱離ではな
く、ゴーストピークと呼ばれるものである。
【0011】また、低温側の試料固有の2つの脱離ピー
クについても、脱離ピーク温度が2回の測定で異なって
おり、再現性に乏しいことが分かる。本発明は、上記問
題点を除去し、低温で試料表面から脱離したガスが、試
料ステージに吸着及び試料ステージの温度の上昇を抑え
るとともに、昇温脱離ガスを再現性良く測定できる昇温
脱離ガス分析装置を提供することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、昇温脱離ガス分析装置において、透明材
料からなるロッドと、このロッド上に形成されるととも
に、試料の設定位置にホールが形成される透明材料から
なる試料ステージと、この試料ステージに導入される試
料導入ステージと、この試料導入ステージから前記試料
ステージ上へ試料を設定する試料移載装置とを設けるよ
うにしたものである。
【0013】
【作用】本発明によれば、上記したように、試料を透明
材料からなるロッドを介して、赤外光により加熱する。
その際、試料の裏面の試料ステージにはホールが形成さ
れているので、低温での試料からのガスは、試料ステー
ジに付着することが低減されるとともに、試料ステージ
の温度上昇は抑えられ、従来のような“ゴーストピー
ク”が生じることはなくなる。
【0014】また、試料を試料ステージの所定位置に設
定することにより、赤外線光路に対する試料位置を正確
に設定することができ、再現性良く測定することができ
る。
【0015】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら詳細に説明する。図1は本発明の第1の実施例を
示す昇温脱離ガス分析装置の試料ステージの構成図であ
り、図1(a)はその斜視図、図1(b)は一部破断側
面図、図2は試料導入ステージから試料ステージへの試
料の移載方法を示す図、図3は本発明が適用される昇温
脱離ガス分析装置の構成図である。
【0016】本発明が適用される昇温脱離ガス分析装置
は、図3に示すように、ロードロック方式であり、ロー
ドロックチャンバー10と、分析チャンバー20からな
っている。そのロードロックチャンバー10は、試料移
載用ユニット11を有し、そのチャンバーには、磁気浮
上型のターボ分子ポンプ(TMP)12、ロータリーポ
ンプ(RP)13が接続されるとともに、真空ゲージ
(VG)14が設けられている。
【0017】一方、分析チャンバー20の全容積は約1
7リットルである。チャンバー内面は複合電解研磨が施
されており、400リットル/秒の排気速度を持つ磁気
浮上型のターボ分子ポンプ(TMP)21、ロータリー
ポンプ(RP)22で排気され、到達真空速度は1×1
-7Pa以下(<1×10-9Torr)に達する。ま
た、脱離ガス測定用の四重極質量分析計(QMS)2
3、及びコンパクトタイプの二重収束型質量分析計(D
F−MS)24、並びに試料加熱用の赤外線加熱ユニッ
ト25、イオンゲージ(IG)26等から構成されてい
る。なお、赤外線加熱ユニット25の温度はコンピュー
タユニット28で制御される温度制御装置27で制御さ
れる。また、四重極質量分析計(QMS)23及び二重
収束型質量分析計(DF−MS)24にはコンピュータ
ユニット28が接続されている。
【0018】ここで、試料は、Siウエハを、約1cm
角に劈開したものを用い、ロードロックチャンバー10
から分析チャンバー20に導入される。試料は、分析チ
ャンバー20内の、詳細は後述するが、本発明の透明石
英製試料ステージ32にセットされる。試料の加熱は、
外部の赤外線加熱ユニット25から赤外光を透明石英ロ
ッド31を通して試料裏面から照射することにより行
う。赤外光は波長0.9μmにピークを持っており、透
明石英を透過して、Siに吸収されることにより、試料
を直接加熱することができる。
【0019】図1に示すように、本発明の第1の実施例
を示す赤外線導入用の透明石英ロッド31上には、上記
試料ステージ32が設けられ、その試料ステージ32の
1cm角程度の試料(Siウエハ)が載る部分に、直径
(φ)1cm未満のホール33を1個形成する。そこ
で、分析チャンバー20へ、試料導入ステージ34を移
動させ、図2に示すように、上記試料ステージ32へは
移載フォーク36を所定の位置まで移動させ、試料35
にかかる位置まで下げた後(a方向)、上記試料ステー
ジ32の方向(b方向)へ移載フォーク36を移動さ
せ、試料35を上記試料ステージ32中央のホール33
の上部にセットする。これにより、分析室では大気に戻
すことなく、試料35の導入から測定までを行うことが
できる。
【0020】測定は、試料35が、直接昇温され、その
時に放出されるガスを前記質量分析計により測定する。
すなわち、前記透明石英ロッド31や上記試料ステージ
32は、赤外線に対して透明な石英で形成され、試料3
5だけが赤外光の吸収により加熱される。前述したよう
に、ゴーストピークの主な原因は、低温で試料からでた
ガスが上記試料ステージ32に付着し、試料温度が上昇
した時、試料からの放射によって試料ステージ温度が上
昇し、そのガスが脱離することによる。
【0021】したがって、本発明の場合は、試料ステー
ジにホールを形成することにより、放射熱の影響は試料
とステージの距離の二乗に反比例することから、試料ス
テージの温度の上昇は大幅に低減される。そして、低温
で試料表面から脱離した水素ガス(H2 )は、ホール3
3を介して放出され、上記試料ステージ32には吸着さ
れることはなくなり、試料温度がさらに上昇しても、従
来のようなゴーストピークが生じることはなくなる。
【0022】この実施例によれば、試料ステージには開
孔率が最大になる大きなホールを開孔したので、試料か
らでるガスの放出及びステージ温度の上昇を大幅に低減
することができる。図8は本発明の第2の実施例を示す
昇温脱離ガス分析装置の試料ステージの構成図であり、
図8(a)はその試料ステージの斜視図、図8(b)は
その試料ステージの一部破断側面図である。
【0023】図に示すように、赤外線導入用の透明石英
ロッド41上には、透明石英製試料ステージ42が設け
られ、その試料ステージ42の1cm角程度の試料が載
る部分に、多数の小さい径のホール43を形成する。こ
のように、試料が載る部分に多数の小さい径のホール4
3を形成することにより、透明石英ロッド41を介した
赤外光により、上記試料ステージ42上の試料は直接加
熱されるが、試料からの放射による熱は、上記試料ステ
ージ42に形成された多数の小さい径のホール43を介
して放散され、試料ステージ温度の上昇は抑えられる。
【0024】この実施例によれば、試料ステージにホー
ル径の小さいホールを多数開孔したので、試料の設定位
置が少々ずれても、試料からでるガスの放出及び試料ス
テージの放熱効果が低減するのを防止することができ、
試料ステージへの試料の設定操作を容易に行うことがで
きる。図9は本発明の第3の実施例を示す昇温脱離ガス
分析装置の試料ステージの構成図であり、図9(a)は
その試料ステージの斜視図、図9(b)はその試料ステ
ージの一部破断(A−A線破断)側面図である。
【0025】図に示すように、赤外線導入用の透明石英
ロッド51上には、透明石英製試料ステージ52が設け
られ、その試料ステージ52の1cm角程度の試料が載
る部分に、複数の長尺状のホール53を形成する。この
ように試料が載る部分に複数の長尺状のホール53を形
成することにより、透明石英ロッド51を介した赤外光
により、上記試料ステージ52上の試料は直接加熱され
るが、試料からの放射による熱は、上記試料ステージ5
2に形成された複数の長尺状のホール53を介して放散
され、上記試料ステージ52の温度の上昇は抑えられ
る。
【0026】この実施例によれば、試料ステージに長尺
状のホールを多数開孔したので、第1の実施例よりは、
試料ステージへの試料の設定操作性に優れるとともに、
開孔率のアップにより、第2の実施例よりゴーストピー
クの出現を低減することができる。図10は本発明の第
4の実施例を示す試料ステージの斜視図、図11はその
試料ステージへの試料の移載工程図である。
【0027】この実施例では、上記したように、赤外線
導入用の透明石英ロッド61上の透明石英製試料ステー
ジ62にホール63を形成するとともに、赤外線に対す
る試料の設定位置を正しくして、再現性良くするため
に、位置決めテーパ付の凹所66を形成するようにした
ものである。すなわち、上記試料ステージ62の中央部
には試料の寸法よりは若干大きめの略同じ形状の凹部6
4を形成し、その開口側には外側へ広がるガイド用テー
パ面65が形成されている。
【0028】上記試料ステージ62への試料の移載の様
子を図11を用いて説明する。図11は試料導入ステー
ジと上記試料ステージを上から見た図である。試料67
は、予めロードロック室内で予備排気した時に、試料導
入ステージ68の凹所69内で位置が動くことが多い。
この試料67を移載フォーク(図2参照)を用いて、上
記試料ステージ62まで滑らせて移載を行うときに、こ
の試料ステージ62表面に形成した外側へ広がるガイド
用テーパ面65によって、自動的に上記試料ステージ6
2の中央の所定の設定位置に移載される。当然、その設
定位置の試料ステージにはホール63が開孔されている
ので、ゴーストピークの出現を回避することができる。
【0029】ここで、上記試料ステージ62に形成され
るホール63の形状は、前記したように、試料より若干
小さい1つのホール(第1の実施例参照)でもよいし、
多数の小さいホール(第2の実施例参照)、複数の長尺
状のホール(第3の実施例参照)であってもよい。上記
実施例によれば、試料の載置位置を正確に設定できるの
で、ゴーストピークの出現のない昇温脱離ガス分析を再
現性良く行うことができる。
【0030】図12は本発明の第5の実施例を示す試料
導入ステージの構成図であり、図12(a)はその試料
導入ステージの平面図、図12(b)はその試料導入ス
テージの斜視図、図13はその試料ステージへの試料の
移載工程図である。この実施例では、試料導入ステージ
の構造を改善して、図12に示すように、試料導入ステ
ージ71の凹所72の開口側に、外側に狭まるガイド用
テーパ面73を形成するようにしている。
【0031】すなわち、前述した第4の実施例と同様
に、試料導入ステージ71から透明石英製試料ステージ
82へ、移載フォーク(図2参照)を用いて滑らせて試
料を移載する際に、本実施例では、試料導入ステージ7
1の凹所72の開口側に外側に狭まるガイド用テーパ面
73が形成されており、図13(a)に示すように、試
料導入ステージ71の凹所72の任意の位置に載ってい
た試料74は、移載フォークを用いて滑らせると、、図
13(b)に示すように、ガイド用テーパ面73にガイ
ドされながら、移載され、図13(c)に示すように、
上記試料ステージ82の中央の所定位置へと設定され
る。
【0032】当然、その所定位置には、ホール、ここで
は試料74の寸法よりは僅かに小さいホール83が形成
されている。この実施例によれば、試料導入ステージの
構造を改善することにより、簡単に試料の載置位置を正
確に設定できるので、簡便にゴーストピークの出現のな
い昇温脱離ガス分析を再現性良く行うことができる。
【0033】このように、第4及び第5実施例によれ
ば、ゴーストピークの出現をなくすとともに、試料載置
位置を正確に設定できるようにしたので、赤外線に対す
る位置の再現性をも向上させることができ、信頼性の高
い昇温脱離ガス分析を行うことができる。そして、本発
明によれば、前述したSiウエハをフッ酸処理し、Si
表面のダングリングボンドを、すべて水素で終端した試
料から得られる水素ガス(H2 )のTDSスペクトル
は、図14のように示される。
【0034】図7との比較から明らかなように、図7で
現れていた高温側のピークは認められなくなるととも
に、ゴーストピークの出現のない昇温脱離ガス分析を再
現性良く行うことができる。なお、本発明は上記実施例
に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づいて種
々の変形が可能であり、これらを本発明の範囲から排除
するものではない。
【0035】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、試料ステージ上の試料からでるガスを放出する
とともに、試料ステージの放熱を兼ねるホールを形成す
ることにより、試料からでるガスの付着と試料ステージ
の温度の上昇を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例を示す昇温脱離ガス分析
装置の試料ステージの構成図である。
【図2】本発明の第1の実施例を示す試料導入ステージ
から試料ステージへの試料の移載方法の説明図である。
【図3】本発明が適用される昇温脱離ガス分析装置の構
成図である。
【図4】従来の昇温脱離ガス分析装置の試料ステージの
構成図である。
【図5】従来の昇温脱離ガス分析装置の試料導入ステー
ジの構成図である。
【図6】従来の昇温脱離ガス分析装置の試料導入ステー
ジから試料ステージへの試料の移載方法の説明図であ
る。
【図7】従来の昇温脱離ガス分析装置を用いた昇温脱離
ガス分光スペクトル図である。
【図8】本発明の第2の実施例を示す昇温脱離ガス分析
装置の試料ステージの構成図である。
【図9】本発明の第3の実施例を示す昇温脱離ガス分析
装置の試料ステージの構成図である。
【図10】本発明の第4の実施例を示す試料ステージの
斜視図である。
【図11】本発明の第4の実施例を示す試料ステージへ
の試料の移載工程図である。
【図12】本発明の第5の実施例を示す試料導入ステー
ジの構成図である。
【図13】本発明の第5の実施例を示す試料導入ステー
ジを用いた試料の試料ステージへの移載工程図である。
【図14】本発明の昇温脱離ガス分析装置を用いた昇温
脱離ガス分光スペクトル図である。
【符号の説明】
10 ロードロックチャンバー 11 試料移載用ユニット 12,21 ターボ分子ポンプ(TMP) 13,22 ロータリーポンプ(RP) 14 真空ゲージ(VG) 20 分析チャンバー 23 四重極質量分析計(QMS) 24 二重収束型質量分析計(DF−MS) 25 赤外線加熱ユニット 26 イオンゲージ(IG) 27 温度制御装置 28 コンピュータユニット 31,41,51,61 透明石英ロッド 32,42,52,62,82 試料ステージ 33,43,53,63,83 ホール 34,68,71 試料導入ステージ 35,67,74 試料 36 移載フォーク 66,69,72 凹所 64 凹部 65,73 ガイド用テーパ面

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】(a)透明材料からなるロッドと、(b)
    該ロッド上に形成されるとともに、試料の設定位置にホ
    ールが形成される透明材料からなる試料ステージと、
    (c)該試料ステージに導入される試料導入ステージ
    と、(d)該試料導入ステージから前記試料ステージ上
    へ試料を設定する試料移載装置とを具備する昇温脱離ガ
    ス分析装置。
  2. 【請求項2】 前記ホールは前記試料の寸法より僅かに
    小さい単一のホールである請求項1記載の昇温脱離ガス
    分析装置。
  3. 【請求項3】 前記ホールは多数の小さいホールである
    請求項1記載の昇温脱離ガス分析装置。
  4. 【請求項4】 前記試料ステージの試料の設定位置に凹
    所が形成され、該凹所の開口側に外に向かって広がる試
    料ガイド用テーパ面を具備する請求項1記載の昇温脱離
    ガス分析装置。
  5. 【請求項5】 前記試料導入ステージの試料が載置され
    る凹所の開口側に、外に向かって狭まる試料ガイド用テ
    ーパ面を具備する請求項1又は4記載の昇温脱離ガス分
    析装置。
JP6099579A 1994-05-13 1994-05-13 昇温脱離ガス分析装置 Withdrawn JPH07306182A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010054498A (ja) * 2008-07-31 2010-03-11 Denshi Kagaku Kk 試料分析方法、試料搬入部材、試料搬入方法および昇温脱離分析装置
JP2013253970A (ja) * 2012-06-04 2013-12-19 Boeing Co:The 試料中の水素含有量測定のためのシステム及び方法

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