JPH0730453B2 - Method and apparatus for partial plating of ceramic package - Google Patents

Method and apparatus for partial plating of ceramic package

Info

Publication number
JPH0730453B2
JPH0730453B2 JP7045187A JP7045187A JPH0730453B2 JP H0730453 B2 JPH0730453 B2 JP H0730453B2 JP 7045187 A JP7045187 A JP 7045187A JP 7045187 A JP7045187 A JP 7045187A JP H0730453 B2 JPH0730453 B2 JP H0730453B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plating
ceramic package
plated
tank
holes
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP7045187A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS63238283A (en
Inventor
健治 山本
Original Assignee
日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤ−ス株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤ−ス株式会社 filed Critical 日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤ−ス株式会社
Priority to JP7045187A priority Critical patent/JPH0730453B2/en
Publication of JPS63238283A publication Critical patent/JPS63238283A/en
Publication of JPH0730453B2 publication Critical patent/JPH0730453B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/02Electroplating of selected surface areas
    • C25D5/026Electroplating of selected surface areas using locally applied jets of electrolyte

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〈発明の利用分野〉 この発明は、セラミックパッケージのメッキ方法、特に
そのメッキ対象面部にのみ金等の貴金属をメッキする部
分メッキ方法及びその装置に関する。ここで、第5図に
示すセラミックパッケージ1とは、段々状に形成された
シーリング部2、リード部3及びダイパッド部4から成
るマウント部5を有し、両サイドにはサイドリード部6
が設けられているもので、このうちマウント部5がメッ
キ対象面部とされるものである。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for plating a ceramic package, and more particularly to a partial plating method and apparatus for plating a noble metal such as gold only on the surface to be plated. Here, the ceramic package 1 shown in FIG. 5 has a mount portion 5 composed of a sealing portion 2, a lead portion 3 and a die pad portion 4 which are formed stepwise, and side lead portions 6 on both sides.
Are provided, and the mount portion 5 is the surface portion to be plated.

尚、本明細書における「メッキ」とは、「電解メッキ」
又は「無電解メッキ」の何れであってもよい。
The term "plating" used in this specification means "electrolytic plating".
Alternatively, either "electroless plating" may be used.

〈従来の技術〉 従来、セラミックパッケージのメッキ方法としては、例
えば、ラックメッキ方法が、またその部分メッキ方法と
しては、メジストシール法、あるいは機械的マスキング
方法(モジュールマスク;日本エレクトロプレイテイン
グ・エンジニヤース株式会社の登録商標)等が知られて
いる。
<Prior Art> Conventionally, as a plating method of a ceramic package, for example, a rack plating method, and as a partial plating method thereof, a megisto seal method or a mechanical masking method (module mask; Nippon Electroplating Engineering Co., Ltd.) The company's registered trademark) etc. are known.

〈発明が解決しようとする問題点〉 しかしながら、上記ラックメッキ方法は、メッキ処理作
業自体は簡単・容易であるものの、不必要な部分(具体
的には、サイドリード部6)にもメッキされてしまい金
等の高価なメッキ材料を徒に浪費してしまうという点で
不十分であり、また上記レジストシール法は、レジスト
処理作業が大変であるため作業性において劣り、また上
記機械的シール法は、セラミックパッケージ1の特性、
即ちマウント部5とサイドリード部6との間が非常に狭
い(通常1mm以下)という特性故に、この部分について
充分なシールのスペースを採ることができないため確実
なシールを行うことができず、結局、シール漏れによっ
て生じた不要部分のメッキを剥離しなければならないこ
とになり、結果として、経済性及び作業性とも不十分な
ものとなってしまう。
<Problems to be Solved by the Invention> However, in the rack plating method, although the plating process itself is simple and easy, unnecessary portions (specifically, the side lead portions 6) are also plated. It is insufficient in that expensive plating material such as gold is wasted, and the resist sealing method is inferior in workability because the resist processing work is difficult, and the mechanical sealing method is , The characteristics of the ceramic package 1,
That is, since the space between the mount portion 5 and the side lead portion 6 is very narrow (usually 1 mm or less), a sufficient sealing space cannot be taken for this portion, so reliable sealing cannot be performed, and eventually, However, it is necessary to remove the plating of the unnecessary portion caused by the seal leakage, resulting in insufficient economic efficiency and workability.

そこで、この発明では、確実なシール高価を以て、しか
も正確且つ迅速にメッキ対象面部へのメッキを行なえる
セラミックパッケージの部分メッキ方法及びその装置を
提供することを目的としている。
Therefore, it is an object of the present invention to provide a partial plating method for a ceramic package and a device therefor which can reliably and accurately perform plating on the surface to be plated accurately and quickly.

〈問題点を解決するための手段〉 上記目的を達成するための手段として、第1発明〔特許
請求の範囲(1)記載の発明、以下同じ〕では、メッキ
液を噴射状態にてオーバーフロー型のメッキ処理槽内へ
供給すると共に、所定液面レベルを保たせつつこのメッ
キ処理槽から排出・回収せしめ且つ、セラミックパッケ
ージのメッキ対象面部を前記液面に対し傾斜させた状態
でメッキ液と接触せしめることを要旨とし、また第2発
明〔特許請求の範囲(2)記載の発明、以下同じ〕で
は、メッキ装置に、噴射状態にて供給されるメッキ液を
オーバーフロー堰にて所定液面レベルを保ちながら排出
するメッキ処理槽及びメッキ液の液面に対し傾斜状態で
配される上蓋を設け、メッキ対象物たるセラミックパッ
ケージのメッキ対象面部に相応する第1メッキ開口及び
この第1メッキ開口へ一端を臨ませる複数の第1通孔を
備えるマスキングパッドを前記上蓋の上面に装着し且
つ、この上蓋に前記第1メッキ開口に連通する第2メッ
キ開口及び一端を前記各第1通行に連通し他端をメッキ
処理槽内へ臨ませる複数の第2通孔を設けることを要旨
としている。
<Means for Solving Problems> As means for achieving the above-mentioned object, in the first invention [the invention according to claim (1), the same applies hereinafter], an overflow type plating solution in which a plating solution is sprayed is used. The liquid is supplied into the plating tank and discharged and collected from this plating tank while maintaining a predetermined liquid level, and the surface of the ceramic package to be plated is brought into contact with the plating liquid while being inclined with respect to the liquid surface. In the second invention [the invention described in claim (2), the same applies hereinafter], the plating solution supplied to the plating apparatus in an injection state is kept at a predetermined liquid level by an overflow weir. While providing a plating tank to be discharged and an upper lid arranged in an inclined state with respect to the liquid surface of the plating liquid, the first metal corresponding to the surface to be plated of the ceramic package that is the object to be plated. A masking pad having a kick opening and a plurality of first through-holes, one end of which faces the first plating opening, is attached to the upper surface of the upper lid, and the second lid has a second plating opening communicating with the first plating opening. The gist is to provide a plurality of second through holes, one end of which communicates with each of the first passages and the other end of which faces the plating tank.

〈作用〉 即ち、噴射状態にてオーバーフロー型のメッキ処理槽内
へ供給することにより常に十分な撹拌をメッキ液に与え
ているので、正確且つ迅速なメッキに好適な条件を得ら
れると同時に、メッキ液を所定液面レベルを保たせつつ
このオーバーフロー型のメッキ処理槽から排出・回収で
しめると共に、このメッキ液へメッキ対象面部を液面に
対し傾斜させた状態で接触せしめたことにより、前記噴
射状態による撹拌の圧力が必要以上にメッキ対象面部へ
及ぶことのないようにしているので、僅かなシールスペ
ースであっても十分なシール効果を得られることになる
(第1発明、第2発明)。
<Operation> That is, since the plating solution is constantly supplied with sufficient agitation by being supplied into the overflow-type plating treatment tank in a jet state, it is possible to obtain conditions suitable for accurate and rapid plating, and at the same time, to perform plating. The liquid can be discharged and collected from this overflow type plating treatment tank while maintaining a predetermined liquid level, and the plating target surface portion is brought into contact with the plating liquid in a state of being inclined with respect to the liquid surface. Since the stirring pressure is prevented from unnecessarily reaching the surface to be plated depending on the condition, a sufficient sealing effect can be obtained even with a small sealing space (first invention, second invention). .

また、マスキングパッド及びこのマスキングパッドが装
着される上蓋に、相互に連通する第1、第2の両通孔を
各々設け、第1通孔の一端を第1メッキ開口へ臨ませる
と同時に第2通孔の他端をメッキ処理槽内へ臨ませてい
るので、この両通孔を通ってメッキ液が循環することに
よりメッキ対象面部が有する凸凹(段々)の隅々までも
撹拌効果が及ぶと共に、この循環により凸凹(段々)の
隅に滞留し易い気泡を排除できることになり、より迅速
且つ正確なメッキを行えることになる(第2発明)。
Further, the masking pad and the upper lid on which the masking pad is mounted are each provided with first and second through holes communicating with each other, and one end of the first through hole is exposed to the first plating opening and at the same time the second through hole is formed. Since the other end of the through hole is exposed to the inside of the plating tank, the plating solution circulates through both of these through holes, and the stirring effect extends to every unevenness (step) of the surface to be plated. By this circulation, it is possible to eliminate bubbles that tend to stay in the corners of unevenness (steps), and it is possible to perform more rapid and accurate plating (second invention).

〈実施例〉 以下、この発明の実施例を、第1図〜第7図を参照して
説明する。尚、以下の説明では、第2発明を主体とし、
第1発明については、適宜言及するものとする。
<Embodiment> An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. 1 to 7. In the following description, the second invention will be the main subject,
The first invention will be appropriately referred to.

このセラミックパッケージの部分メッキ装置10では、オ
−バーフロー型のメッキ処理槽11、このメッキ処理11か
ら排出されるメッキ液12を回収する回収槽13及びこの両
槽11,13を覆う上蓋14を備えるスパージャー15を設けて
いる。
In this ceramic package partial plating apparatus 10, an overflow type plating treatment tank 11, a collection tank 13 for collecting the plating solution 12 discharged from the plating processing 11, and an upper lid 14 for covering both tanks 11, 13 are provided. A sparger 15 is provided.

メッキ処理槽11は、メッキ液12の液面16に対し傾斜状態
とされたその底部18に噴射体19を備えており、メッキ処
理槽11と噴射体19の接続は、噴射ノズル20及び複数の補
助噴射孔21を備える陽極化された噴射プレート22を介し
てなされている。ここで、噴射プレート22に突出する噴
射ノズル20と共に複数の補助噴射孔21を設け、両者の組
合せによりメッキ液12の撹拌をいわば立体的に効率よく
行えるようにしているのに応じて、噴射ノズル20の先端
開口をマウント部5(メッキ対象面部)より15〜50mm
と、通常のジェットメッキの場合の3〜12mmに比べ大き
く離している。このことは、後述のメッキ液面16に対す
るマウント部5(メッキ対象面部)の傾斜設定と同様
に、必要以上の撹拌圧がマウント部5、具体的にはマウ
ント部5とサイドリード部6との間をマスキングパッド
28がシールしている部分へ及ぶのを防ぐ作用を有するも
のである。また、複数の補助噴射孔21を設けることは、
メッキ液12のメッキ処理槽11への供給乃至メッキ処理槽
11からの排出を迅速に行えるという点でも有用である。
尚、噴射ノズル20は、個々のメッキ条件での要求に応じ
て選択的に陽極化されるものである。
The plating treatment tank 11 is provided with an injector 19 at its bottom portion 18 that is inclined with respect to the liquid surface 16 of the plating liquid 12, and the plating treatment tank 11 and the injector 19 are connected by an injection nozzle 20 and a plurality of nozzles. This is done via an anodized injection plate 22 with auxiliary injection holes 21. Here, a plurality of auxiliary injection holes 21 are provided together with the injection nozzle 20 projecting on the injection plate 22, and the combination of the two makes it possible to efficiently agitate the plating solution 12, so to speak, three-dimensionally efficiently. Twenty tip openings are 15 to 50 mm from mount 5 (surface to be plated)
And, it is far apart from 3 to 12 mm in the case of normal jet plating. This is similar to the setting of the inclination of the mount portion 5 (plating target surface portion) with respect to the plating liquid surface 16 which will be described later. Masking pad between
It has a function of preventing 28 from reaching the sealed portion. In addition, providing a plurality of auxiliary injection holes 21
Supply of plating solution 12 to plating tank 11 or plating tank
It is also useful in that it can be quickly discharged from 11.
The injection nozzle 20 is selectively anodized according to the requirements of individual plating conditions.

回収槽13は、傾斜状態のメッキ処理槽11の上側(A側)
に設けられており、メッキ処置槽11の傾斜上端に設けた
オーバーフロー堰24にて所定液面レベルを保ちながら排
出するメッキ液12を回収し貯液槽25へ戻すためのもので
ある。ここで、「所定液面レベル」とは、第1図の如き
状態においてセラミックパッケージ1のマウント部5
(メッキ対象面部)全体がメッキ液16に接触し得る状
態、即ちマウント部5(メッキ対象面部)の上端以上
で、好ましくはこの上端より数mm高い液面レベルをい
う。
The recovery tank 13 is on the upper side (A side) of the plating processing tank 11 in the inclined state.
The overflow weir 24 provided at the upper end of the slope of the plating treatment tank 11 collects the plating liquid 12 to be discharged while maintaining a predetermined liquid level and returns it to the storage tank 25. Here, the "predetermined liquid surface level" means the mounting portion 5 of the ceramic package 1 in the state as shown in FIG.
It means a state where the whole (surface to be plated) can contact the plating solution 16, that is, a liquid level above the upper end of the mount 5 (surface to be plated), preferably a few mm higher than this upper end.

上蓋14には、マウント部5に相応する第1メッキ開口26
及びこの第1メッキ開口26へ一端を臨ませる複数の第1
通孔27を備え、セラミックパッケージ1のマウンド部5
以外をメッキ液12からシールするマスキングパッド28が
装着されると共に、第1メッキ開口26に連通する第2メ
ッキ開口29及び一端を各第1通孔27に連通し他端をメッ
キ処理槽11内へ臨ませる複数の第2通孔30が設けれてい
る。しかも、この上蓋14は、メッキ処理槽11の底部18と
平行状態で配され、同様にメッキ液12の液面16に対し傾
斜状態とされている。メッキ液12の液面16に対する上蓋
14の傾斜角度Θは、5°〜45°である。尚、この実施例
では、第1、第2両通孔27,30を各々第1、第2両メッ
キ開口26、29各々の両面に設けているが、上側(A側)
のみに設けるものであってもよい。ただ、後述の如き両
通孔27、30の気泡排出機能からすると、上側(A側)の
第2通孔30は、気泡が排出し易いように、第1図中で水
平乃至右上がりの状態にして設けられるのがより一層好
ましいものである。また、マスキングパッド13の第1メ
ッキ開口26に形状は、セラミックパッケージ1との接触
側へ向かって広がる錐体状とされているが、このような
形状にすると、マウント部5のシーリング部2のメッキ
厚がリード部3乃至ダイパッド部4のメッキ厚より厚く
なってしまうのを防止できるという点で好ましいが、必
ずしもこれに限られず、例えば第7図に示すような直体
状であってもよい。
The upper lid 14 has a first plating opening 26 corresponding to the mount portion 5.
And a plurality of first platings, one end of which faces the first plating opening 26.
The mound part 5 of the ceramic package 1 is provided with a through hole 27.
A masking pad 28 for sealing the other components from the plating liquid 12 is attached, and a second plating opening 29 communicating with the first plating opening 26 and one end communicating with each first through hole 27 and the other end inside the plating treatment tank 11 A plurality of second through holes 30 facing each other are provided. Moreover, the upper lid 14 is arranged in parallel with the bottom portion 18 of the plating treatment tank 11 and is also inclined with respect to the liquid surface 16 of the plating liquid 12. Top cover for plating surface 16 of plating solution 12
The inclination angle Θ of 14 is 5 ° to 45 °. In this embodiment, the first and second through holes 27 and 30 are provided on both sides of the first and second plating openings 26 and 29, respectively.
It may be provided only on. However, in view of the bubble discharging function of both through holes 27, 30 as described later, the second through hole 30 on the upper side (A side) is in a horizontal or upward rising state in FIG. 1 so that bubbles can be easily discharged. It is even more preferable to be provided as. Further, the shape of the first plating opening 26 of the masking pad 13 is a cone shape that widens toward the contact side with the ceramic package 1. However, with such a shape, the sealing portion 2 of the mount portion 5 This is preferable in that the plating thickness can be prevented from becoming thicker than the plating thickness of the lead portion 3 to the die pad portion 4, but the plating thickness is not necessarily limited to this, and may be, for example, a direct shape as shown in FIG. .

尚、図中、32はポンプ、33は整流器である。また、36は
メッキ処理槽11内を大気圧と平行させるための通気孔で
ある。
In the figure, 32 is a pump and 33 is a rectifier. Further, 36 is a vent hole for making the inside of the plating tank 11 parallel to the atmospheric pressure.

以下、このセラミックパッケージの部分メッキ装置10の
作動状態を説明する。
The operating state of the partial plating apparatus 10 for this ceramic package will be described below.

メッキ液12は、貯液槽25よりポンプ32にて送られ、噴射
体19を介して噴射状態にてメッキ処理槽11へ供給され
る。このようにメッキ処理槽11へ供給されたメッキ液12
は、オーバーフロー堰24にて所定液面レベルを保ちつつ
回収槽13へ排出せしめられている。そして、メッキ対象
物としてのセラミックパッケージ1は、第1メッキ開口
26へそのマウント部5を合わされて図示せぬ押圧手段に
より矢示B方向より押し付けられながら上蓋14、具体的
にはマスキンングパッド28にセットされることにより、
メッキ液12の液面16に対し傾斜状態とされると共に、マ
スキングパッド28にてシールされ、マウント部5のみを
メッキ液12に接触させて部分メッキされることになる。
この際、マウント部5にある凸凹(段々)がメッキ状態
に微妙な影響を及ぼすと同時に、凸凹(段々)の隅にマ
ウント部5に付着していた気泡やメッキにより生じる気
泡が滞留し易いものであるが、マスキングパッド28及び
上蓋14の第1、第2両通孔27、30を通ってメッキ液12が
循環することにより、凸凹(段々)の隅々までの撹拌効
果がよくいきわたり凸凹(段々)の微妙な影響を抑える
ことができ、さらにこの循環により凸凹(段々)の隅に
滞留する気泡を排除できることになる。
The plating liquid 12 is sent from the liquid storage tank 25 by the pump 32, and is supplied to the plating treatment tank 11 in an injection state via the injection body 19. The plating solution 12 thus supplied to the plating treatment tank 11
Is discharged to the recovery tank 13 while maintaining a predetermined liquid level at the overflow weir 24. Then, the ceramic package 1 as an object to be plated has the first plating opening.
By mounting the mount portion 5 on the 26 and pressing it from the direction B shown by the arrow by pressing means (not shown), it is set on the upper lid 14, specifically, on the mating pad 28,
While being inclined with respect to the liquid surface 16 of the plating liquid 12, it is sealed by a masking pad 28, and only the mount portion 5 is brought into contact with the plating liquid 12 for partial plating.
At this time, the unevenness (steps) on the mount 5 has a subtle influence on the plating state, and at the same time, the bubbles attached to the mount 5 or the bubbles generated by the plating tend to stay at the corners of the unevenness (steps). However, since the plating solution 12 circulates through the masking pad 28 and the first and second through holes 27, 30 of the upper lid 14, the stirring effect up to every corner of the unevenness (steps) is well distributed. It is possible to suppress the delicate influence of (steps), and by this circulation, it is possible to eliminate bubbles that stay at the corners of the bumps (steps).

このように、メッキ液12に常に十分な撹拌を与えている
ので、正確且つ迅速なメッキに好適な条件を得られると
同時に、噴射状態による撹拌の圧力が必要以上にマウン
ト部5、具体的にはマウント部5とサイドリード部6と
の間をマスキングパッド28がシールしている部分へ及ぶ
ことのないようにしているので、僅かなシールスペース
であっても十分なシール効果を得られることになる。迅
速なメッキ条件の一つの具体的数値例としては、1〜3A
/dm2の電流密度が可能となり、通常0.25A/dm2の電流密
度しか与えることのできないラックメッキ方法に比べ非
常に秀れたものとなっている点が挙げられる。また、第
1、第2の両通孔27、30により、マウント部5が有する
凸凹(段々)の隅々までも撹拌効果が及ぶと共に、凸凹
(段々)の隅に滞留し易い気泡を排除できることにな
り、より迅速且つ正確なメッキを行えることにもなる。
In this way, since the plating solution 12 is always given sufficient agitation, conditions suitable for accurate and speedy plating can be obtained, and at the same time, the agitation pressure depending on the jetting state is unnecessarily high. Since the masking pad 28 does not extend between the mount portion 5 and the side lead portion 6 to the sealed portion, a sufficient sealing effect can be obtained even with a small sealing space. Become. One specific numerical example of rapid plating conditions is 1-3A.
/ current density dm 2 becomes possible, and the point that has become a normal was very Xiu than a rack plating method that can not be given only a current density of 0.25A / dm 2. In addition, the first and second through holes 27, 30 allow the stirring effect to reach even the corners of the unevenness (steps) of the mount portion 5 and eliminate bubbles that tend to stay in the corners of the unevenness (steps). Therefore, the plating can be performed more quickly and accurately.

第6図には、他の実施例を示す。この実施例は第2通孔
30に接続するサブ通孔34を設け、このサブ通孔34より第
2通孔30を介してマウント部5へエアを噴き出し、メッ
キ処理槽11からメッキ液12を排出した後にものなおマウ
ント部5に付着しているメッキ液12を除去し、ドラッグ
アウト(回収工程へのメッキ液の持ち出し)の量をでき
るだけ少なくしている点に特徴がある。尚、図中35は、
セラミックパケージ1を位置決めするためのピンであ
る。その他の点については、前記実施例と同様なのでそ
の説明を省略する。
FIG. 6 shows another embodiment. This embodiment has a second through hole
A sub through hole 34 connected to 30 is provided, and air is blown from the sub through hole 34 to the mount portion 5 through the second through hole 30, and after the plating solution 12 is discharged from the plating treatment tank 11, the mount portion 5 is also removed. The feature is that the plating liquid 12 adhering to the is removed, and the amount of dragout (takeout of the plating liquid to the recovery process) is minimized. In the figure, 35 is
It is a pin for positioning the ceramic package 1. The other points are the same as those of the above-described embodiment, and the description thereof is omitted.

〈発明の効果〉 この発明は、以上説明してきた如く、噴射状態による供
給とオーバーフロー(排出)とを組合せ、しかもメッキ
液の液面に対し傾斜状態とさせてメッキ対象面部をメッ
キ液と接触させることとし、これらの3条件を有機的に
協働させ微妙なバランスのメッキ条件を形成しているの
で、秀れがシール性を以て、しかも正確且つ迅速にセラ
ミックパッケージの部分メッキを行えるという秀れた効
果がある(第1発明、第2発明)。
<Effect of the Invention> As described above, according to the present invention, the supply and the overflow (discharging) depending on the injection state are combined, and the surface to be plated is brought into contact with the plating liquid by making the surface inclined with respect to the liquid surface of the plating liquid. Since these three conditions are organically cooperated to form a delicately balanced plating condition, it is excellent because it has a sealing property and can accurately and promptly perform partial plating of a ceramic package. It is effective (first invention, second invention).

また、マスキングパッド及び上蓋に、相互に連通する第
1、第2の両通孔を設け、この両通孔を介してメッキ液
の循環によりメッキ対象面部が有する凸凹の隅々までも
撹拌効果が及ぶようにすると共に、この環境により凸凹
の隅に滞留し易い気泡を排除することとしているので、
より正確且つ迅速なメッキを行えるという秀れた効果も
ある(第2発明)。
In addition, the masking pad and the upper lid are provided with first and second through holes that communicate with each other, and the circulation of the plating solution through these through holes has a stirring effect even on the unevenness of the surface to be plated. In addition to making it possible to extend, this environment is to eliminate bubbles that tend to stay in the uneven corners,
There is also an excellent effect that more accurate and quick plating can be performed (second invention).

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は、第2発明の実施例に係るセラミックパッケー
ジの部分メッキ装置の要部を示す概略側面図、 第2図は、マスキングパッドの概略斜視図、 第3図は、第2図中の矢示III−III線に沿う断面図、 第4図は、第2図中の矢示IV−IV線に沿う断面図、 第5図は、セラミックパッケージの概略斜視図、 第6図は、他の実施例に係るセラミックパッケージの部
分メッキ装置の要部を示す概略側断面図、そして 第7図は、他の実施例に係るマスキングパッドの概略断
面図である。 1……セラミックパッケージ 5……マウント部(メッキ対象画面)、 10……セラミックパッケージの部分メッキ装置 11……メッキ処理槽 12……メッキ液 13……回収槽 14……上蓋 16……液面 24……オーバーフロー堰 26……第1メッキ開口 27……第1通孔 28……マスキングパッド 29……第2メッキ開口 30……第2通孔
1 is a schematic side view showing an essential part of a partial plating apparatus for a ceramic package according to an embodiment of the second invention, FIG. 2 is a schematic perspective view of a masking pad, and FIG. 3 is a schematic perspective view of FIG. Sectional drawing along the arrow III-III line, FIG. 4 is a sectional view along the arrow IV-IV line in FIG. 2, FIG. 5 is a schematic perspective view of the ceramic package, and FIG. FIG. 7 is a schematic side sectional view showing an essential part of a partial plating apparatus for a ceramic package according to this embodiment, and FIG. 7 is a schematic sectional view of a masking pad according to another embodiment. 1 …… ceramic package 5 …… mount part (screen to be plated), 10 …… partial plating device for ceramic package 11 …… plating tank 12 …… plating solution 13 …… collection tank 14 …… top cover 16 …… liquid level 24 …… Overflow weir 26 …… First plating opening 27 …… First through hole 28 …… Masking pad 29 …… Second plating opening 30 …… Second through hole

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】メッキ液を噴射状態にてオーバーフロー型
のメッキ処理槽内へ供給すると共に、所定液面レベルを
保たせつつこのメッキ処理槽から排出・回収せしめ且
つ、セラミックパッケージのメッキ対象面部を前記液面
に対し傾斜させた状態でメッキ液と接触せしめるセラミ
ックパッケージの部分メッキ方法。
1. A plating solution is supplied into an overflow-type plating treatment tank in a jet state, and is discharged and collected from the plating treatment tank while maintaining a predetermined liquid level, and a surface of a ceramic package to be plated is covered. A method for partially plating a ceramic package, which is brought into contact with a plating solution while being inclined with respect to the liquid surface.
【請求項2】噴射状態にて供給されるメッキ液をオーバ
ーフロー堰にて所定液面レベルを保ちながら排出するメ
ッキ処理槽と、 メッキ液の液面に対し傾斜状態で配される上蓋とを設
け、そして メッキ対象物たるセラミックパッケージのメッキ対象面
部に相応する第1メッキ開口及びこの第1メッキ開口へ
一端を臨ませる複数の第1通孔を備えるマスキングパッ
ドを前記上蓋の上面に装着し且つ、この上蓋に前記第1
メッキ開口に連通する第2メッキ開口及び一端を前記各
第1通孔に連通し他端をメッキ処理槽内へ臨ませる複数
の第2通孔を設けたセラミックパッケージの部分メッキ
装置。
2. A plating treatment tank for discharging a plating solution supplied in an injection state at an overflow weir while maintaining a predetermined liquid level, and an upper lid arranged in an inclined state with respect to the liquid level of the plating solution. A masking pad having a first plating opening corresponding to a surface to be plated of a ceramic package, which is an object to be plated, and a plurality of first through holes exposing one end to the first plating opening is mounted on the upper surface of the upper lid; This top cover has the first
A partial plating apparatus for a ceramic package having a second plating opening communicating with the plating opening and a plurality of second through holes communicating one end with each of the first through holes and exposing the other end into the plating tank.
JP7045187A 1987-03-26 1987-03-26 Method and apparatus for partial plating of ceramic package Expired - Lifetime JPH0730453B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7045187A JPH0730453B2 (en) 1987-03-26 1987-03-26 Method and apparatus for partial plating of ceramic package

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7045187A JPH0730453B2 (en) 1987-03-26 1987-03-26 Method and apparatus for partial plating of ceramic package

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS63238283A JPS63238283A (en) 1988-10-04
JPH0730453B2 true JPH0730453B2 (en) 1995-04-05

Family

ID=13431881

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7045187A Expired - Lifetime JPH0730453B2 (en) 1987-03-26 1987-03-26 Method and apparatus for partial plating of ceramic package

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0730453B2 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4923224B2 (en) * 2007-10-01 2012-04-25 Dowaメタルテック株式会社 Plating method for metal ceramic composite member and pattern manufacturing method for metal ceramic composite member

Also Published As

Publication number Publication date
JPS63238283A (en) 1988-10-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3308333B2 (en) Electroplating apparatus and electrolytic plating method
US5437777A (en) Apparatus for forming a metal wiring pattern of semiconductor devices
EP0869549A3 (en) Solder bump formation
CZ278956B6 (en) Process for cleaning and/or metal coating of bored holes in horizontally guided guide plates and device for carrying out said process
JP2628886B2 (en) Electroplating equipment
JPH0730453B2 (en) Method and apparatus for partial plating of ceramic package
JPH0959795A (en) Plating jig
JPH05209298A (en) Electroplating apparatus for printed-wiring board
JPH0772357B2 (en) Electroplating method
JP2593638Y2 (en) Semiconductor manufacturing equipment
JPH08253891A (en) Plating method and plating device
JP2617637B2 (en) Partial plating apparatus and lead frame for semiconductor device
JPH0243399A (en) Electroplating tank
JPH03202488A (en) Plating device
JPH09287095A (en) Electroplating device
JP2541481B2 (en) Jet plating equipment
JPH049500A (en) Electroplating device
JPH03285098A (en) Electroplating device
JP2513357B2 (en) Lead solder plating equipment
JP3103542U (en) Plating solution stirrer
JPH01289143A (en) Bump plating method
JPH02217429A (en) Plating method and apparatus
JPH039330Y2 (en)
JP3167782B2 (en) High-speed solder plating equipment for electronic components
JP3275487B2 (en) Plating apparatus and plating method