JPH07302965A - プリント回路基板の製造方法 - Google Patents
プリント回路基板の製造方法Info
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- JPH07302965A JPH07302965A JP6330188A JP33018894A JPH07302965A JP H07302965 A JPH07302965 A JP H07302965A JP 6330188 A JP6330188 A JP 6330188A JP 33018894 A JP33018894 A JP 33018894A JP H07302965 A JPH07302965 A JP H07302965A
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- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 プリント回路基板の製造方法は、望ましい回
路が基板に形成される前に、基板を調整し、触媒金属で
活性化し、後活性化し、銅表面を安定化およびエッチン
グすることから構成され、提供される。このプロセス
は、映写レジストおよびはんだマスクなどの保護被覆を
使用する前に通過穴に銅をフラッシュ被覆する必要性を
排除する。
路が基板に形成される前に、基板を調整し、触媒金属で
活性化し、後活性化し、銅表面を安定化およびエッチン
グすることから構成され、提供される。このプロセス
は、映写レジストおよびはんだマスクなどの保護被覆を
使用する前に通過穴に銅をフラッシュ被覆する必要性を
排除する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はプリント回路基板の製造
方法に関し、特に、メッキ防食剤およびはんだマスクな
どの保護被覆剤を使用する前に通過穴の最初の無電解フ
ラッシュ金属メッキの必要性を排除することによる前記
方法の改善に関する。
方法に関し、特に、メッキ防食剤およびはんだマスクな
どの保護被覆剤を使用する前に通過穴の最初の無電解フ
ラッシュ金属メッキの必要性を排除することによる前記
方法の改善に関する。
【0002】
【従来の技術】プラスチックおよび他の非導電(誘電)
基板の金属メッキは当業で周知であり、以下の説明はプ
ラスチック、特にエポキシ樹脂、およびプリント回路基
板の作成の便益を目的とする。
基板の金属メッキは当業で周知であり、以下の説明はプ
ラスチック、特にエポキシ樹脂、およびプリント回路基
板の作成の便益を目的とする。
【0003】プリント回路基板の作成には、通常は銅で
ある導電金属層のプリント回路基板のプラスチック基板
上へのメッキが必要である。これらのプリント回路基板
の設計は多様で、(両面基板)エポキシの各面に銅層が
ある場合もあれば、複数の挟まれた平面状の銅層および
エポキシ層を持つ複数層の基板である場合もある。どち
らのタイプも、銅層の回路間の接触を容易にするために
基板に通過穴があけられ、金属メッキされる。
ある導電金属層のプリント回路基板のプラスチック基板
上へのメッキが必要である。これらのプリント回路基板
の設計は多様で、(両面基板)エポキシの各面に銅層が
ある場合もあれば、複数の挟まれた平面状の銅層および
エポキシ層を持つ複数層の基板である場合もある。どち
らのタイプも、銅層の回路間の接触を容易にするために
基板に通過穴があけられ、金属メッキされる。
【0004】基板の作成には、基本的に、「減法」法お
よび「加算」法の2つの方法があり、その方法には、希
望のタイプ基板に応じて採用される処理段階における多
くのバリエーションがある。しかし、使用される方法に
関係なく、その処理中に基板上に保護フィルムを塗布
し、取り除く必要性が存在する。
よび「加算」法の2つの方法があり、その方法には、希
望のタイプ基板に応じて採用される処理段階における多
くのバリエーションがある。しかし、使用される方法に
関係なく、その処理中に基板上に保護フィルムを塗布
し、取り除く必要性が存在する。
【0005】本発明は他の製造方法にも適用可能ではあ
るが、図解のために、半加算法が記述される。紙エポキ
シ材またはガラス・エポキシ材などから作られる商業的
に入手可能な銅覆ラミネート、またはマルチラミネート
で始めて、事前に設計された一連の通過穴を従来の方法
で基板に形成し、次に、望ましくは、金属メッキの前に
汚れをとるまたはエッチングするためにプラスチックを
処理する。膨潤手順およびエッチング手順は、通常、基
板を処理するために使用され、1回の処理で、基板は最
初に、エポキシ樹脂を膨潤し、例えば過マンガン酸塩水
溶液エッチング・ステップなどのそれ以降の酸化の効果
を高めるための溶剤と接触される。エッチング後に、基
板は水ですすがれてから、酸化状態を弱めることによっ
てマンガン残査の溶解度を高めるための還元剤で中和さ
れる。還元剤には、エポキシ樹脂内のガラス繊維を分解
するための酸性フッ化物が含まれるのが望ましい。その
後で、基板は、スズ−パラジウム溶液などの触媒の中に
浸され、無電解銅メッキのためにエポキシ樹脂の表面が
活性化される。水ですすいだ後に、ラミネートが、板状
の金属パラジウム・イオンを遊離することにより、触媒
を活性化するために、促進剤に浸される。水ですすいだ
後に、基板は乾燥され、通過穴接続部分上の銅をフラッ
シュ・メッキするのに十分な時間、無電解銅メッキ溶液
に浸される。
るが、図解のために、半加算法が記述される。紙エポキ
シ材またはガラス・エポキシ材などから作られる商業的
に入手可能な銅覆ラミネート、またはマルチラミネート
で始めて、事前に設計された一連の通過穴を従来の方法
で基板に形成し、次に、望ましくは、金属メッキの前に
汚れをとるまたはエッチングするためにプラスチックを
処理する。膨潤手順およびエッチング手順は、通常、基
板を処理するために使用され、1回の処理で、基板は最
初に、エポキシ樹脂を膨潤し、例えば過マンガン酸塩水
溶液エッチング・ステップなどのそれ以降の酸化の効果
を高めるための溶剤と接触される。エッチング後に、基
板は水ですすがれてから、酸化状態を弱めることによっ
てマンガン残査の溶解度を高めるための還元剤で中和さ
れる。還元剤には、エポキシ樹脂内のガラス繊維を分解
するための酸性フッ化物が含まれるのが望ましい。その
後で、基板は、スズ−パラジウム溶液などの触媒の中に
浸され、無電解銅メッキのためにエポキシ樹脂の表面が
活性化される。水ですすいだ後に、ラミネートが、板状
の金属パラジウム・イオンを遊離することにより、触媒
を活性化するために、促進剤に浸される。水ですすいだ
後に、基板は乾燥され、通過穴接続部分上の銅をフラッ
シュ・メッキするのに十分な時間、無電解銅メッキ溶液
に浸される。
【0006】それから、基板は(通常は通過穴を覆う
[カバーする]ことにより)フォトレジストで被覆さ
れ、映写され、不必要な銅は、過硫酸塩アンモニウムま
たはその他のエッチング液を使用しエッチングされる。
フォトレジストはKOHなどの溶剤を使用して除去さ
れ、はんだマスクが希望の回路を覆うために塗布され
る。その後、この場合、無電解銅がパッドおよび通過穴
上に約12−15時間メッキされ、最高約1−1.5ミ
ルの銅の厚さを形成する。
[カバーする]ことにより)フォトレジストで被覆さ
れ、映写され、不必要な銅は、過硫酸塩アンモニウムま
たはその他のエッチング液を使用しエッチングされる。
フォトレジストはKOHなどの溶剤を使用して除去さ
れ、はんだマスクが希望の回路を覆うために塗布され
る。その後、この場合、無電解銅がパッドおよび通過穴
上に約12−15時間メッキされ、最高約1−1.5ミ
ルの銅の厚さを形成する。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】活性化システムはこの
手順に耐えることができなかったため、映写処理の後に
メッキを行えるようにするには、フラッシュ・メッキが
必要である。また、前記手順は時間がかかり、費用もか
かるので、映写フィルムなどの被覆剤の塗布およびそれ
に関連する手順の前の基板のフラッシュ無電解銅メッキ
の必要性を排除することにより処理を改善することが望
まれる。
手順に耐えることができなかったため、映写処理の後に
メッキを行えるようにするには、フラッシュ・メッキが
必要である。また、前記手順は時間がかかり、費用もか
かるので、映写フィルムなどの被覆剤の塗布およびそれ
に関連する手順の前の基板のフラッシュ無電解銅メッキ
の必要性を排除することにより処理を改善することが望
まれる。
【0008】
【課題を解決するための具体的手段】本発明は、基板作
成処理中に、通過穴上で銅のフラッシュ被覆が必要とさ
れないプリント回路基板の製造のための改善されたプロ
セスを提供することを目的とする。
成処理中に、通過穴上で銅のフラッシュ被覆が必要とさ
れないプリント回路基板の製造のための改善されたプロ
セスを提供することを目的とする。
【0009】本発明の第2の目的は、改善されたプロセ
スによって作成されるプリント回路基板を提供すること
である。
スによって作成されるプリント回路基板を提供すること
である。
【0010】その他の目的および優位点は、以下の説明
で明らかになるであろう。
で明らかになるであろう。
【0011】いま、プリント回路基板が、(a)基板表
面を清掃するために、基板を調整剤と接触させること
と、(b)メッキのために基板表面を活性化する(に触
媒作用を及ぼす)ために、活性化剤溶液を含む金属と調
整された基板を接触させることと、(c)活性化された
基板を後活性化剤溶液で処理することと、(d)結果と
して生じる基板を安定させるために、酸などの安定剤で
処理することと、(e)銅表面をエッチングするため
に、安定化された基板をエッチング液で処理することか
ら成るプロセスを使用して、作成されることができるこ
とが明かになった。
面を清掃するために、基板を調整剤と接触させること
と、(b)メッキのために基板表面を活性化する(に触
媒作用を及ぼす)ために、活性化剤溶液を含む金属と調
整された基板を接触させることと、(c)活性化された
基板を後活性化剤溶液で処理することと、(d)結果と
して生じる基板を安定させるために、酸などの安定剤で
処理することと、(e)銅表面をエッチングするため
に、安定化された基板をエッチング液で処理することか
ら成るプロセスを使用して、作成されることができるこ
とが明かになった。
【0012】実施例では、活性化剤は、その特許が本明
細書には参照により取り入れられる米国特許番号3,0
11,920、3,532,518、および3,67
2,938に例示されるように、当業で周知のスズ−パ
ラジウム触媒溶液である。米国特許番号4,933,0
10に示される別の実施例では、活性化剤溶液は、塩化
第1スズ、および飽和塩化ナトリウムの水溶液内にコロ
イド状で分散される塩化パラジウムから成る、濃縮HC
1遊離活性化剤である。
細書には参照により取り入れられる米国特許番号3,0
11,920、3,532,518、および3,67
2,938に例示されるように、当業で周知のスズ−パ
ラジウム触媒溶液である。米国特許番号4,933,0
10に示される別の実施例では、活性化剤溶液は、塩化
第1スズ、および飽和塩化ナトリウムの水溶液内にコロ
イド状で分散される塩化パラジウムから成る、濃縮HC
1遊離活性化剤である。
【0013】
【実施例】本発明のプロセスは、ポリイミド、ABS、
ポリカーボネート、およびNorylR などの他の適切
な重合樹脂も利用できるが、エポキシ樹脂の処理に特に
有効であることが判明した。
ポリカーボネート、およびNorylR などの他の適切
な重合樹脂も利用できるが、エポキシ樹脂の処理に特に
有効であることが判明した。
【0014】樹脂には、フィルタ、顔料、離型剤、補強
剤などとして、ガラス繊維、紙、合成繊維、カーボンブ
ラック、アルミナパウダー、ワックスなどが含まれる。
剤などとして、ガラス繊維、紙、合成繊維、カーボンブ
ラック、アルミナパウダー、ワックスなどが含まれる。
【0015】樹脂は、最初は、前記に注記されるように
調整され、活性化の準備がされる。その実証済みの効果
のため、イソプロパノール、トリエタノールアミン、お
よびモノエタノールアミンを含む、Enthone−O
MI Inc.が供給するEnvision DPS
Conditioner 5625を使用するのが望ま
しい。事前浴からの持ち込みを防ぐために、調整後に予
備ディップを使用するのが望ましい。通常は、予備ディ
ップの組成には、活性化剤溶液に共通の陰イオンがほぼ
同じ割合で含まれる。例えば、塩化パラジウム−塩化第
1スズ−塩化ナトリウムの活性化剤が使用される場合、
予備ディップには活性化剤溶液とほぼ同じ量の塩化ナト
リウムがきわだって含まれるであろう。Envisio
ns DPS Carrier 5630のような組成
が、この目的のために利用される可能性がある。
調整され、活性化の準備がされる。その実証済みの効果
のため、イソプロパノール、トリエタノールアミン、お
よびモノエタノールアミンを含む、Enthone−O
MI Inc.が供給するEnvision DPS
Conditioner 5625を使用するのが望ま
しい。事前浴からの持ち込みを防ぐために、調整後に予
備ディップを使用するのが望ましい。通常は、予備ディ
ップの組成には、活性化剤溶液に共通の陰イオンがほぼ
同じ割合で含まれる。例えば、塩化パラジウム−塩化第
1スズ−塩化ナトリウムの活性化剤が使用される場合、
予備ディップには活性化剤溶液とほぼ同じ量の塩化ナト
リウムがきわだって含まれるであろう。Envisio
ns DPS Carrier 5630のような組成
が、この目的のために利用される可能性がある。
【0016】活性化剤溶液を含む、貴金属などの適切な
触媒金属が、本発明のプロセスで利用されることがあ
る。一般的には、活性化剤は、塩化第1スズ、および乾
燥してあるいはHCl中の濃縮溶液として販売される塩
化パラジウムの、周知の安定化された反応生成物であ
る。以前の2−ステップのプロセスは、塩化第1スズお
よび塩化パラジウムの分離したHCl溶液から構成さ
れ、利用することはできるが、大部分の使用に対して経
済的ではないため望ましくない。それ以外の貴金属は利
用できるが、通常は費用効果が低い。例の活性化剤の組
成は、米国特許番号3,011,920、3,532,
518および3,672,938に示されている。一般
的には、商用の活性化剤の組成には、0.1−1g/l
のPdCl2 、20−50g/lのSnCl2 、および
15−50g/lのHClが含まれる。
触媒金属が、本発明のプロセスで利用されることがあ
る。一般的には、活性化剤は、塩化第1スズ、および乾
燥してあるいはHCl中の濃縮溶液として販売される塩
化パラジウムの、周知の安定化された反応生成物であ
る。以前の2−ステップのプロセスは、塩化第1スズお
よび塩化パラジウムの分離したHCl溶液から構成さ
れ、利用することはできるが、大部分の使用に対して経
済的ではないため望ましくない。それ以外の貴金属は利
用できるが、通常は費用効果が低い。例の活性化剤の組
成は、米国特許番号3,011,920、3,532,
518および3,672,938に示されている。一般
的には、商用の活性化剤の組成には、0.1−1g/l
のPdCl2 、20−50g/lのSnCl2 、および
15−50g/lのHClが含まれる。
【0017】望ましい活性化剤タイプの組成は、その特
許が本明細書に参照によって取り入れられる、米国特許
番号4,933,010に開示されている。この特許で
は、第1塩化スズ、および飽和された塩化ナトリウムの
水溶液内にコロイド状に分散される塩化パラジウムを含
む、化学メッキ用の濃縮HCl遊離活性化剤が示されて
いる。活性化剤が5−10g/lの第1塩化スズ、0.
1から0.2g/lの塩化パラジウム、0.05−10
体積/体積パーセントの硫酸、および50−280g/
lの塩化ナトリウム、およびオプションで、0.015
−0.03g/lのバニリンを含むのが望ましい。
許が本明細書に参照によって取り入れられる、米国特許
番号4,933,010に開示されている。この特許で
は、第1塩化スズ、および飽和された塩化ナトリウムの
水溶液内にコロイド状に分散される塩化パラジウムを含
む、化学メッキ用の濃縮HCl遊離活性化剤が示されて
いる。活性化剤が5−10g/lの第1塩化スズ、0.
1から0.2g/lの塩化パラジウム、0.05−10
体積/体積パーセントの硫酸、および50−280g/
lの塩化ナトリウム、およびオプションで、0.015
−0.03g/lのバニリンを含むのが望ましい。
【0018】その実証済みの効果のために望まれる別の
活性化剤は、Envision DPS活性化剤563
5と呼ばれ、塩化パラジウム、第1塩化スズ、HClお
よびレソルシノールを含む。体積単位でDPS 563
5、290g/lのNaCl、5ml/lのHCl37
%から成る組成は、優れた結果を提供することが判明し
た。現在、活性化された樹脂は、無電解で、あるいは電
解で樹脂をメッキするために必要となる樹脂上の表面導
電率を得るために、後活性化剤を用いて適切な時間、効
果的な温度で処理される。無電解メッキ用に活性化され
た樹脂の(促進とも呼ばれる)後活性化は、当業で周知
であり、このステップが、パラジウム核、および酸化水
和第1スズおよび酸化水和第2スズならびに酸塩化水和
第1スズおよび酸塩化水和第2スズの表面層を修正する
ことが一般的に認められている。過剰なスズがかなり溶
けており、触媒パラジウム原子核が露呈するあらゆる酸
性またはアルカリ性の溶液が従来の技術で利用されてい
た。商用パラジウム−スズHCl溶液を用いて活性化さ
れた樹脂は、通常、室温で約5分間浸漬することにより
(体積単位で10%の)希硫酸で後活性化される。
活性化剤は、Envision DPS活性化剤563
5と呼ばれ、塩化パラジウム、第1塩化スズ、HClお
よびレソルシノールを含む。体積単位でDPS 563
5、290g/lのNaCl、5ml/lのHCl37
%から成る組成は、優れた結果を提供することが判明し
た。現在、活性化された樹脂は、無電解で、あるいは電
解で樹脂をメッキするために必要となる樹脂上の表面導
電率を得るために、後活性化剤を用いて適切な時間、効
果的な温度で処理される。無電解メッキ用に活性化され
た樹脂の(促進とも呼ばれる)後活性化は、当業で周知
であり、このステップが、パラジウム核、および酸化水
和第1スズおよび酸化水和第2スズならびに酸塩化水和
第1スズおよび酸塩化水和第2スズの表面層を修正する
ことが一般的に認められている。過剰なスズがかなり溶
けており、触媒パラジウム原子核が露呈するあらゆる酸
性またはアルカリ性の溶液が従来の技術で利用されてい
た。商用パラジウム−スズHCl溶液を用いて活性化さ
れた樹脂は、通常、室温で約5分間浸漬することにより
(体積単位で10%の)希硫酸で後活性化される。
【0019】しかし、本主題のプロセスでは、樹脂表面
の抵抗率が、約250オーム以下となる、できれば約1
00オーム以下、もっとも望ましいのは約20オーム、
または10オームとなることが重要である。抵抗率は、
導電性メーター・ピンを用いてプリント回路基板の側面
から側面の接触により測定される。前述のように、無電
解メッキ用の従来のステップを使用すると、得られる抵
抗率は、通常、約1000オーム以上である。
の抵抗率が、約250オーム以下となる、できれば約1
00オーム以下、もっとも望ましいのは約20オーム、
または10オームとなることが重要である。抵抗率は、
導電性メーター・ピンを用いてプリント回路基板の側面
から側面の接触により測定される。前述のように、無電
解メッキ用の従来のステップを使用すると、得られる抵
抗率は、通常、約1000オーム以上である。
【0020】広義に言って、後活性化剤は、11.5−
12.5などの約11以上のpHを持つアルカリ溶液で
あるのが望ましく、処理の間に不均化を経る銀および銅
などの効果的な量の金属イオンから構成される。望まれ
る組成は、1989年2月の電子化学学会誌、第136
巻、第2号、378−382ページのA.Molena
arおよびJ.W.G.de Bakkerによる「ス
ズの自触媒分解」という題の記事に開示されている。
12.5などの約11以上のpHを持つアルカリ溶液で
あるのが望ましく、処理の間に不均化を経る銀および銅
などの効果的な量の金属イオンから構成される。望まれ
る組成は、1989年2月の電子化学学会誌、第136
巻、第2号、378−382ページのA.Molena
arおよびJ.W.G.de Bakkerによる「ス
ズの自触媒分解」という題の記事に開示されている。
【0021】別の望まれる実施例では、後活性化剤溶液
は、銅IIイオンを含有する炭酸ナトリウム溶液から成
る。望まれる溶液は、炭酸ナトリウムおよび炭酸カリウ
ムおよび硫酸銅を含むEnvision DPS Ge
nerator 5640である。
は、銅IIイオンを含有する炭酸ナトリウム溶液から成
る。望まれる溶液は、炭酸ナトリウムおよび炭酸カリウ
ムおよび硫酸銅を含むEnvision DPS Ge
nerator 5640である。
【0022】本発明の方法を実施するには、活性化され
たプラスチック基板を、無電解または電解メッキのため
に表面が十分に導電性となるほどの時間、上昇した温度
で後活性化剤組成と接触させる。接触手順は幅広く異な
り、エポキシ樹脂の満足行く結果は、35℃から50℃
またはそれ以上で、5分から15分間パーツを活性化剤
溶液に浸漬させることにより提供される。樹脂の後活性
化剤溶液での接触も、55℃から70℃またはそれ以
上、できれば60℃から65℃で、約5分から15分、
できれば8分から12分である。回数および温度は、前
述より長いか、あるいは低いか高い場合があり、当業者
により理解されるように、処理中の基板および溶液の組
成に応じて変化する。吹き付け、浸漬、またはフラッジ
ングなどのそれ以外の手段は、プラスチックパーツの活
性化または後活性化あるいはその両方に使用できる。
たプラスチック基板を、無電解または電解メッキのため
に表面が十分に導電性となるほどの時間、上昇した温度
で後活性化剤組成と接触させる。接触手順は幅広く異な
り、エポキシ樹脂の満足行く結果は、35℃から50℃
またはそれ以上で、5分から15分間パーツを活性化剤
溶液に浸漬させることにより提供される。樹脂の後活性
化剤溶液での接触も、55℃から70℃またはそれ以
上、できれば60℃から65℃で、約5分から15分、
できれば8分から12分である。回数および温度は、前
述より長いか、あるいは低いか高い場合があり、当業者
により理解されるように、処理中の基板および溶液の組
成に応じて変化する。吹き付け、浸漬、またはフラッジ
ングなどのそれ以外の手段は、プラスチックパーツの活
性化または後活性化あるいはその両方に使用できる。
【0023】今度は、後活性化された表面を安定化させ
るために、できれば基板を酸性溶液と接触させることが
仮定される。室温で最高約3分間使用される、体積で1
0%の硫酸溶液が、優れた結果を提供し、体積で最高約
20%までのレベルまたはそれ以上が利用可能である。
HCl、酢酸のような他の適切な酸も利用できる。望ま
れる溶液は、硫酸を含むEnvision DPS S
tabilizer5645である。
るために、できれば基板を酸性溶液と接触させることが
仮定される。室温で最高約3分間使用される、体積で1
0%の硫酸溶液が、優れた結果を提供し、体積で最高約
20%までのレベルまたはそれ以上が利用可能である。
HCl、酢酸のような他の適切な酸も利用できる。望ま
れる溶液は、硫酸を含むEnvision DPS S
tabilizer5645である。
【0024】安定化された基板は、今度は、銅表面を、
マイクロエッチング等のエッチングを行うために溶液で
処理される。望ましい溶液は、過硫酸塩ナトリウムを含
むEnvision DPS Micro Etch
5655で、吹き付け、浸漬などによって塗布できる。
銅表面から活性化剤フィルムを清掃するので、吹き付け
の方が好ましい。浸漬手順は、できれば吹き付けすすぎ
を使用する。最高15から30マイクロインチあるいは
それ以上、通常は20から25マイクロインチのエッチ
ングが利用できる。この時点では、メタノール、ベンゾ
トリアゾール、メタニトロベンゼンスルホン酸塩ナトリ
ウムを含むENTEK Antitarnish Cu
−56のようなさび止め組成も利用することができる。
マイクロエッチング等のエッチングを行うために溶液で
処理される。望ましい溶液は、過硫酸塩ナトリウムを含
むEnvision DPS Micro Etch
5655で、吹き付け、浸漬などによって塗布できる。
銅表面から活性化剤フィルムを清掃するので、吹き付け
の方が好ましい。浸漬手順は、できれば吹き付けすすぎ
を使用する。最高15から30マイクロインチあるいは
それ以上、通常は20から25マイクロインチのエッチ
ングが利用できる。この時点では、メタノール、ベンゾ
トリアゾール、メタニトロベンゼンスルホン酸塩ナトリ
ウムを含むENTEK Antitarnish Cu
−56のようなさび止め組成も利用することができる。
【0025】ここで、希望の回路パターンが、防食材を
用いた映写、エッチング、現像、はんだマスクの適用な
どにより、基板上で形成できる。
用いた映写、エッチング、現像、はんだマスクの適用な
どにより、基板上で形成できる。
【0026】ここで、基板は、両方が水酸化ナトリウ
ム、酸化銅、EDTAおよびパラホアルムアルデヒドを
含む、ENPLATE CU−9005およびENPL
ATECU−9011などの従来の無電解浴または電解
浴を使用して金属メッキできる。ただし、メッキを行う
前に、基板は、(硫酸、リン酸、または塩酸を含む)E
NPLATE PC−471を用いた清掃、(無機塩の
独占的な混合物を含む)ENPLATE AD−485
を使用するマイクロエッチング、およびエッチング残査
の溶解度を高めるための10%のH2 SO4 溶液などの
従来のステップなどを使用して基板を調整する標準的な
技法を使用して、さらに処理できる。
ム、酸化銅、EDTAおよびパラホアルムアルデヒドを
含む、ENPLATE CU−9005およびENPL
ATECU−9011などの従来の無電解浴または電解
浴を使用して金属メッキできる。ただし、メッキを行う
前に、基板は、(硫酸、リン酸、または塩酸を含む)E
NPLATE PC−471を用いた清掃、(無機塩の
独占的な混合物を含む)ENPLATE AD−485
を使用するマイクロエッチング、およびエッチング残査
の溶解度を高めるための10%のH2 SO4 溶液などの
従来のステップなどを使用して基板を調整する標準的な
技法を使用して、さらに処理できる。
【0027】本発明は、ここで、以下の例を参照するこ
とにより、詳細に説明される。
とにより、詳細に説明される。
【0028】例1 通過穴を具備する両面銅覆エポキシ樹脂ガラスFR−4
ラミネート板は、以下の手順を使用して金属被覆され
た。 (1)80℃で10分間、Envision DPS
Conditioner5625(10%)に浸漬す
る。 (2)冷水で5分間すすぐ。 (3)室温で1分間Envision DPS Car
rier 5630に予備ディップする。 (4)46℃で10分間、Envision DPS
Activator 5635(9%)に浸漬する。 (5)冷水で3分間すすぐ。 (6)63℃で10分間Envision DPS G
enerator 5640(21%A、150 g/
lBおよび0.4%C)に浸漬する。 (7)冷水で1分間すすぐ。 (8)室温で3分間Envision DPS Sta
bilizer 5645(22%)に浸漬する。 (9)冷水で1分間すすぐ。 (10)Envision DPS Micro Et
ch 5655で吹き付ける−25マイクロインチ吹き
付けエッチング。 (11)ENTEK Antitarnish Cu−
56を吹き付け、すすぎ、乾燥する。 (12)乾燥フィルムで覆い、映写し、現像する。 (13)不必要な銅をアンモニアのエッチング液でエッ
チングする。 (14)5分間、ENLATE PC471(35%)
に浸漬する。 (15)冷水で5分間すすぐ。 (16)銅を銅接着まで高めるために、Envisio
n DPS MicroEtch 5655に浸漬す
る。 (17)冷水で2分間すすぐ。 (18)マイクロエッチング溶液絵の残査の溶解度を高
めるために、室温で2分間10%のH2 SO4 に浸漬す
る。 (19)冷水で2分間すすぐ。 (20)約20マイクロインチのメッキ厚さのために、
ENPLATE CU−9005に浸漬する。および (21)約1.2ミリのメッキ厚さのために、ENPL
ATE CU−9011に浸漬する。
ラミネート板は、以下の手順を使用して金属被覆され
た。 (1)80℃で10分間、Envision DPS
Conditioner5625(10%)に浸漬す
る。 (2)冷水で5分間すすぐ。 (3)室温で1分間Envision DPS Car
rier 5630に予備ディップする。 (4)46℃で10分間、Envision DPS
Activator 5635(9%)に浸漬する。 (5)冷水で3分間すすぐ。 (6)63℃で10分間Envision DPS G
enerator 5640(21%A、150 g/
lBおよび0.4%C)に浸漬する。 (7)冷水で1分間すすぐ。 (8)室温で3分間Envision DPS Sta
bilizer 5645(22%)に浸漬する。 (9)冷水で1分間すすぐ。 (10)Envision DPS Micro Et
ch 5655で吹き付ける−25マイクロインチ吹き
付けエッチング。 (11)ENTEK Antitarnish Cu−
56を吹き付け、すすぎ、乾燥する。 (12)乾燥フィルムで覆い、映写し、現像する。 (13)不必要な銅をアンモニアのエッチング液でエッ
チングする。 (14)5分間、ENLATE PC471(35%)
に浸漬する。 (15)冷水で5分間すすぐ。 (16)銅を銅接着まで高めるために、Envisio
n DPS MicroEtch 5655に浸漬す
る。 (17)冷水で2分間すすぐ。 (18)マイクロエッチング溶液絵の残査の溶解度を高
めるために、室温で2分間10%のH2 SO4 に浸漬す
る。 (19)冷水で2分間すすぐ。 (20)約20マイクロインチのメッキ厚さのために、
ENPLATE CU−9005に浸漬する。および (21)約1.2ミリのメッキ厚さのために、ENPL
ATE CU−9011に浸漬する。
【0029】
【発明の効果】メッキされた基板は、完全に通過穴が覆
われていることを示し、優れた表面から穴への壁分布お
よび物理特性を示す。このプロセスを使用すると、最高
約10:1(板厚さ:穴直径)およびそれ以上の比など
の高アスペクト比の基板が作成できる。
われていることを示し、優れた表面から穴への壁分布お
よび物理特性を示す。このプロセスを使用すると、最高
約10:1(板厚さ:穴直径)およびそれ以上の比など
の高アスペクト比の基板が作成できる。
【0030】このようにして、先行する説明から明かと
なった目的の中で、前記に規定された目的は、効率的に
達成され、本発明の精神および範囲から逸脱することな
く前記構成からある種の変更を行うことができるので、
前記説明に記載されるすべての事項は実例として解釈さ
れ、限定的な意味で解釈されないものとすることが意図
される。
なった目的の中で、前記に規定された目的は、効率的に
達成され、本発明の精神および範囲から逸脱することな
く前記構成からある種の変更を行うことができるので、
前記説明に記載されるすべての事項は実例として解釈さ
れ、限定的な意味で解釈されないものとすることが意図
される。
【0031】本発明は、最も実際的かつ好ましい実施例
であると見なされるもので図解され、説明されたが、多
くのバリエーションが可能で、その範囲内で現れ、した
がって添付の請求項は同等なものの完全な範囲に与えら
れることが認識されるであろう。
であると見なされるもので図解され、説明されたが、多
くのバリエーションが可能で、その範囲内で現れ、した
がって添付の請求項は同等なものの完全な範囲に与えら
れることが認識されるであろう。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジェイ ビー.コンロッド アメリカ合衆国 06410 コネチカット州 チェシア アルペェイン ドライブ 525
Claims (14)
- 【請求項1】 プリント回路基板を作成するための方法
であって、 a.基板表面を清掃するために、基板を調整剤と接触さ
せることと、 b.メッキのために基板表面を活性化するために、調整
された基板を、活性化剤を含む金属と接触させること
と、 c.活性化された基板を後活性化剤で処理することと、 d.結果として生じる基板を安定剤で処理することと、 e.基板表面をエッチングするために、安定化された表
面をエッチング液で処理することと、 f.望ましい回路パターンを基板上に形成することと、 g.基板を望ましい厚さにメッキすることと、から成る
方法。 - 【請求項2】 請求項1記載の方法であって、活性化剤
がパラジウムおよびスズを含む方法。 - 【請求項3】 請求項2記載の方法であって、後活性化
剤が、約11以上のpHを持つアルカリ性溶液である方
法。 - 【請求項4】 請求項3記載の方法であって、後活性化
剤が炭酸ナトリウムおよび銅IIイオンを含む方法。 - 【請求項5】 請求項3記載の方法であって、安定化剤
が酸性である方法。 - 【請求項6】 請求項5記載の方法であって、約15−
30マイクロインチのエッチングを行うためにエッチン
グ液が使用される方法。 - 【請求項7】 請求項6記載の方法であって、基板が、
無電解銅メッキ浴を使用してメッキされる方法。 - 【請求項8】 請求項1記載の方法に従って作成される
製品。 - 【請求項9】 請求項7記載の方法に従って作成される
製品。 - 【請求項10】 請求項3記載の方法であって、後活性
化剤が、処理中に不均化反応を経る効果的な量の金属イ
オンを含む方法。 - 【請求項11】 請求項10記載の方法であって、金属
イオンが銅または銀である方法。 - 【請求項12】 請求項4記載の方法であって、後活性
化剤がさらに炭酸カリウムを含む方法。 - 【請求項13】 請求項1記載の方法に従って作成され
る製品であって、メッキの前に望ましい回路を覆うため
に、はんだマスクが塗布される製品。 - 【請求項14】 請求項7記載の方法に従って作成され
る製品であって、メッキの前に望ましい回路を覆うため
に、はんだマスクが塗布される製品。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/163,042 US5358602A (en) | 1993-12-06 | 1993-12-06 | Method for manufacture of printed circuit boards |
US08/163042 | 1993-12-06 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07302965A true JPH07302965A (ja) | 1995-11-14 |
Family
ID=22588221
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6330188A Pending JPH07302965A (ja) | 1993-12-06 | 1994-12-06 | プリント回路基板の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5358602A (ja) |
EP (1) | EP0658075A1 (ja) |
JP (1) | JPH07302965A (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5802714A (en) * | 1994-07-19 | 1998-09-08 | Hitachi, Ltd. | Method of finishing a printed wiring board with a soft etching solution and a preserving treatment or a solder-leveling treatment |
US5620612A (en) * | 1995-08-22 | 1997-04-15 | Macdermid, Incorporated | Method for the manufacture of printed circuit boards |
US5648125A (en) * | 1995-11-16 | 1997-07-15 | Cane; Frank N. | Electroless plating process for the manufacture of printed circuit boards |
US5738776A (en) * | 1996-01-19 | 1998-04-14 | Shipley Company, L.L.C. | Electroplating process |
US5998237A (en) * | 1996-09-17 | 1999-12-07 | Enthone-Omi, Inc. | Method for adding layers to a PWB which yields high levels of copper to dielectric adhesion |
US5770032A (en) * | 1996-10-16 | 1998-06-23 | Fidelity Chemical Products Corporation | Metallizing process |
US5792248A (en) * | 1996-10-16 | 1998-08-11 | Fidelity Chemical Products Corporation, A Division Of Auric Corporation | Sensitizing solution |
US5851302A (en) * | 1997-02-19 | 1998-12-22 | Vlsi Technology, Inc. | Method for dry etching sidewall polymer |
US5925577A (en) * | 1997-02-19 | 1999-07-20 | Vlsi Technology, Inc. | Method for forming via contact hole in a semiconductor device |
US6086779A (en) * | 1999-03-01 | 2000-07-11 | Mcgean-Rohco, Inc. | Copper etching compositions and method for etching copper |
US6268070B1 (en) * | 1999-03-12 | 2001-07-31 | Gould Electronics Inc. | Laminate for multi-layer printed circuit |
US6592625B2 (en) * | 1999-10-20 | 2003-07-15 | Anulex Technologies, Inc. | Spinal disc annulus reconstruction method and spinal disc annulus stent |
WO2007122869A1 (ja) * | 2006-04-18 | 2007-11-01 | Okuno Chemical Industries Co., Ltd. | 樹脂成形体に対するエッチング処理用組成物 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3011920A (en) * | 1959-06-08 | 1961-12-05 | Shipley Co | Method of electroless deposition on a substrate and catalyst solution therefor |
JPH02303181A (ja) * | 1989-05-01 | 1990-12-17 | Enthone Inc | プリント回路基板の製造方法 |
JPH03201592A (ja) * | 1989-12-28 | 1991-09-03 | Hitachi Chem Co Ltd | プリント配線板の製造法 |
JPH05239660A (ja) * | 1991-10-15 | 1993-09-17 | Enthone Omi Inc | プラスチックス基板を金属メッキ処理のために電気導電性にする方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3099608A (en) * | 1959-12-30 | 1963-07-30 | Ibm | Method of electroplating on a dielectric base |
US3982045A (en) * | 1974-10-11 | 1976-09-21 | Macdermid Incorporated | Method of manufacture of additive printed circuitboards using permanent resist mask |
US4171225A (en) * | 1976-01-23 | 1979-10-16 | U.S. Philips Corporation | Electroless copper plating solutions |
DE2932536A1 (de) * | 1979-08-09 | 1981-02-26 | Schering Ag | Verfahren zur herstellung von gedruckten schaltungen |
GB2118369B (en) * | 1982-04-06 | 1986-05-21 | Kanto Kasei Company Limited | Making printed circuit boards |
US4608275A (en) * | 1983-07-01 | 1986-08-26 | Macdermid, Incorporated | Oxidizing accelerator |
JPH01176079A (ja) * | 1987-12-29 | 1989-07-12 | Hitachi Chem Co Ltd | 無電解めっき法 |
JPH0686666B2 (ja) * | 1988-01-12 | 1994-11-02 | 清 岡林 | 化学メッキ用増感活性剤 |
US4895739A (en) * | 1988-02-08 | 1990-01-23 | Shipley Company Inc. | Pretreatment for electroplating process |
US5037482A (en) * | 1990-02-16 | 1991-08-06 | Macdermid, Incorporated | Composition and method for improving adhesion of coatings to copper surfaces |
US5213841A (en) * | 1990-05-15 | 1993-05-25 | Shipley Company Inc. | Metal accelerator |
US5158645A (en) * | 1991-09-03 | 1992-10-27 | International Business Machines, Inc. | Method of external circuitization of a circuit panel |
-
1993
- 1993-12-06 US US08/163,042 patent/US5358602A/en not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-12-06 JP JP6330188A patent/JPH07302965A/ja active Pending
- 1994-12-06 EP EP94309049A patent/EP0658075A1/en not_active Withdrawn
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3011920A (en) * | 1959-06-08 | 1961-12-05 | Shipley Co | Method of electroless deposition on a substrate and catalyst solution therefor |
JPH02303181A (ja) * | 1989-05-01 | 1990-12-17 | Enthone Inc | プリント回路基板の製造方法 |
JPH03201592A (ja) * | 1989-12-28 | 1991-09-03 | Hitachi Chem Co Ltd | プリント配線板の製造法 |
JPH05239660A (ja) * | 1991-10-15 | 1993-09-17 | Enthone Omi Inc | プラスチックス基板を金属メッキ処理のために電気導電性にする方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0658075A1 (en) | 1995-06-14 |
US5358602A (en) | 1994-10-25 |
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