JPH0730279A - 電波吸収体およびその作製方法 - Google Patents
電波吸収体およびその作製方法Info
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- JPH0730279A JPH0730279A JP5175192A JP17519293A JPH0730279A JP H0730279 A JPH0730279 A JP H0730279A JP 5175192 A JP5175192 A JP 5175192A JP 17519293 A JP17519293 A JP 17519293A JP H0730279 A JPH0730279 A JP H0730279A
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Abstract
大きい材料、すなわち電波を効率良く吸収する材料で、
厚みが薄く、フレキシビリティーを有する電波吸収体と
その作製方法を提供する。 【構成】電波を吸収するアモルファス合金等の金属材料
の粉末もしくはフレークを、高分子材料中に分散させて
形成した1GHz以下の周波数帯の電波を吸収する電波
吸収体。および、電波を吸収する金属材料の粉末もしく
はフレークを、高分子材料を溶解した溶液中に混合撹拌
して電波吸収体の組成物を含むスラリーを調製し、この
スラリーから溶媒を蒸発させて所望形状の電波吸収体を
形成する。または、電波吸収体の混練組成物を調製し、
この混練組成物を型に注入して硬化させ所望形状の電波
吸収体を成形する。 【効果】電子機器に適用することにより、機器の内部か
ら外部への電波の流出と、不要な電波の機器筐体内部で
の反射を抑制し、さらに電子機器の外部から内部への電
波の流入を抑止することができ、電子機器の動作が安定
する。
Description
は電波吸収体に適用できるメガヘルツ帯〔1MHz(メ
ガヘルツ)〜1GHz(ギガヘルツ)以下の周波数帯〕
の範囲内で、反射減衰率および透過減衰率が大きく、厚
みが薄く、かつフレキシブルな電波吸収体およびその作
製方法に関する。
の電波によるEMC(Electro-Magnetic Compatibilit
y)環境が問題となっている。この対策として、電波シ
ールド材料の検討が広く行われている。これは、機器中
のノイズ源から発生する不要電波が機器の外部に漏れる
ことや、逆に外部のノイズ源から機器内部に不要電波が
侵入するのを防止するもので、伝導性の材料を高分子材
料中に分散させた複合材料が用いられていた。また、電
子機器の筐体上に金属メッキを施したり、導電性物質を
含む塗料を塗布して伝導層からなる電波シールド層を形
成する電波吸収材料が挙げられる(清水康敬監修:電磁
波の吸収と遮蔽:日経技術図書1989年)。これらの
伝導性材料を含む電波シールド材料は、電波を伝導性の
損失(オーム損)によって吸収することが可能である
が、伝導率が大きく、空気とのインピーダンスのミスマ
ッチが生じ、空気中から入射してきた電波の大部分は反
射されるという効果により電波の透過を防止するもので
ある。一方、反射、透過を同時に抑える材料としてメガ
ヘルツ帯(1MHz〜1GHzの周波数帯)では、フェラ
イトをベースに用いた電波吸収材料が挙げられる(清水
康敬監修:電磁波の吸収と遮蔽:日経技術図書1989
年)。
いて、反射による電波シールド材料では不要な電波は機
器の筐体内部に閉じ込められ、機器内部の電子回路に干
渉し電子機器の誤動作を招くという問題があり、また電
波シールドが十分でない場合には、筐体の通気孔などか
らノイズ電波が流出、あるいは流入するという問題があ
った。一方、メガヘルツ帯の電波を吸収するフェライト
ベースの電波吸収体は、その厚さが大きくフレキシビリ
ティーに欠けるため扱い難いという問題があった。この
ため、透過減衰率が大きく、かつ反射減衰率も大きい材
料、すなわち電波を効率良く吸収する材料で厚みが薄
く、フレキシビリティーのあるメガヘルツ帯の電波吸収
体の開発が強く望まれている。
点を解消し、電波の透過減衰率が大きく、かつ反射減衰
率も大きい材料、すなわち電波を効率良く吸収する材料
で、厚みが薄く、かつフレキシビリティーを有する電波
吸収体とその作製方法を提供することにある。
するために、第1に、メガヘルツ帯あるいはそれ以下の
周波数帯で電波の吸収特性を示す金属材料の粉末もしく
はフレークを用い、これを高分子材料中に分散させて、
厚みの薄いフレキシビリティーを有する電波吸収体とす
るものである。そして、メガヘルツ帯で電波の吸収特性
を示す金属材料として、特にアモルファス合金を用いる
ことが好ましい。そして、本発明の電波吸収体は、1G
Hz以下の周波数帯の電波を吸収する特性を有するもの
である。第2に、本発明の電波吸収体の作製方法は、電
波を吸収する性能を有する金属材料の粉末もしくはフレ
ークを、高分子樹脂材料を溶解した溶液中に混合撹拌し
て電波吸収体のスラリー組成物を調製する工程と、上記
スラリー組成物を所定の基体上に、例えば塗布法などで
展開し、溶媒を蒸発させて電波吸収体を形成する工程
を、少なくとも用いて所望する性状および厚さの電波吸
収体を作製するものである。あるいは、電波を吸収する
性能を有する金属材料の粉末もしくはフレークを、高分
子樹脂材料と共に混練して電波吸収体の混練組成物を調
製し、この混練組成物を、所定の型に注入し硬化させ
て、所望の性状および厚さを持つ電波吸収体を成形し作
製することもできる。本発明の電波吸収体に用いる高分
子材料は、金属粉末あるいはフレークと濡れ性良く、よ
く馴染んで混合分散し、電波吸収性能に障害とならない
ものであればいずれの高分子材料であっても良く、まず
合成樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピ
レン、ポリスチレン、ポリアクリロニトリル、ポリ塩化
ビニル等のハロゲンポリマ、およびナイロン、ポリエチ
レンテレフタレート、ポリエステル、ポリ弗化ビニリデ
ン、ポリフェニレンオキシド、ポリスルホン、ポリテト
ラフルオロエチレン、ポリメタクリル酸メチル、アクリ
ル樹脂、ポリ酢酸ビニル、エポキシ樹脂、フェノール樹
脂、不飽和ポリエステル、ポリウレタン、メラニン樹脂
の単体およびこれらの共重合体(ブロック共重合体も含
む)もしくはそれらの混合物が好適に用いられる。ま
た、合成ゴムとしては、ポリスチレン−ブタジエンゴ
ム、ポリアクリロニトリル−ブタジエンゴム、ポリイソ
プレンゴム、ポリエチレン−プロピレンゴム、シリコー
ンゴム、クロロプレンゴム、ならびにこれらの変性体の
単体または共重合体(ブロック共重合体も含む)もしく
はそれらの混合物が好適に用いられる。次に、本発明の
電波吸収体に用いられるメガヘルツ帯あるいはそれ以下
の周波数帯で吸収特性を示す金属材料としては、それら
の周波数領域で高い磁性損失を有するもの、すなわち複
素透磁率の虚部が大きい材料であれば良く、パーマロ
イ、スーパーマロイ、センダスト、アモルファス合金等
が好適に用いられる。本発明の金属粉末またはフレーク
と高分子材料との混合物よりなる電波吸収体中の金属粉
末またはフレークの充填率は、容積率(vol%)で5〜
80%の範囲であることが好適である。また、本発明の
電波吸収体の伝導率は10~6〜104S/cmの範囲であ
ることが望ましい。この伝導率が10~6S/cmを下回
ると、電波シールド効果、すなわち透過減衰率が低くな
り、伝導率が104S/cmを越えると反射量が増大し反
射減衰率が低くなる。反射減衰率をできるだけ上げなが
ら透過減衰率も上げるという本発明の目的に対しては、
電波吸収体の伝導率は10~6〜104S/cmの範囲であ
ることが望ましい。特に、アモルファス合金は一般の金
属と比較して2〜3桁伝導率が小さく、透過減衰率を上
げるために充填率を上げても比較的反射量の増加は少な
いため、高反射減衰率、高透過減衰率を同時に満足させ
る材料として優れている。本発明の電波吸収体に使用す
るアモルファス合金としては、メガヘルツ帯あるいはそ
れ以下の周波数帯の領域で高い磁性損失を有するもの、
すなわち複素透磁率の虚部が大きい材料であれば良く、
例えば、Ni‐Si‐B系、Fe‐Ni‐P‐B系、Fe‐
Ni‐Mo‐B系、Fe‐Ni‐Si‐B系、Fe‐Co‐Si
‐B系、Fe‐Co‐Cr‐Si‐B系、Fe‐Co‐Ni‐
Nb‐Si‐B系等が好適に用いられる。また、これらの
粉末、フレークの作製方法は急冷法が主に用いられる。
この作製方法は、基本的に3工程からなり、適当な組成
に配合された原材料を溶融ルツボで高周波誘電加熱によ
り溶解し、先端に設置されたノズルから溶湯を噴出する
溶融工程、噴出させた溶湯が単ロール、双ロールまたは
回転ディスクに衝突する際に機械的に分断され溶滴とす
る溶湯分断工程、ならびに溶滴が金属ロールまたはディ
スクで凝固する冷却工程が用いられる(応用磁気研究会
資料MSJ45‐4)。なお、本発明のアモルファス合
金を電波吸収体として用いた電波吸収体組成物に、磁気
損失材料であるフェライトや誘電損失材料であるカーボ
ン、強誘電体セラミックスの粉末等を含有させてもよ
い。本発明の電波吸収体の製造方法は上述のように、電
波吸収体組成物のスラリーを、例えば塗布法により作製
するか、または電波吸収体組成物の混練物を成形法によ
り作製する方法がある。前者の方法は、まず、有機溶媒
中に高分子材料を溶解して高分子溶液を調製する。次
に、高分子溶液を撹拌しながら適量の電波を吸収する金
属材料の粉末あるいはフレークを少しずつ加え、電波吸
収体組成物のスラリーを調製する。このスラリーを基板
上に展開し、溶媒を加熱または減圧あるいはその両方の
組み合わせにより蒸発させ、電波吸収体を作製する。一
方、後者の成形方法は高分子と電波を吸収する金属材料
の粉末あるいはフレークを、バンバリーミキサー、ロー
ル、プラストミル等のバッチ式の混練り機や、押出成形
機等で混合して電波吸収体を成形する方法である。混練
りの順序は特に限定されるものでなく、また配合物を一
度に混合し、混練りしても良いし、一部を予め混練りし
ておき、その混練物と残部を混練りしてもよい。また、
例えば高分子にエポキシ樹脂等を用いる時は、あらかじ
めエポキシ樹脂に硬化剤を添加しておき、必要な場合は
適当な希釈剤等を加えるか、さらに電波を吸収する金属
材料の粉末あるいはフレークを加えてスラリー状態に調
製し、これを金型に入れ硬化させる。なお、上記硬化方
法は熱を加えるか、あるいは光照射してもよい。
説明する。しかし、本発明はこれら実施例の記載に限定
されるものではない。 〈実施例1〉ニトリル−ブタジエンゴム(日本ゼオン社
製超高純度NBR FN‐4001)0.72gを、テト
ラヒドロフラン溶媒(和光純薬社製)17ml中に溶解
した高分子溶液中に、Ni‐Feパーマロイ粉末(Ni:
Fe重量比80:20)(日立金属社製)3.1gを加
え、ボールミル中で24時間混合してスラリーを作製し
た。このスラリーを、外径7mm、内径3mmの円筒状
の金型(テフロン製)に流し込み、常温で12時間、7
0℃で5時間乾燥して溶媒を蒸発し、厚さ1mmのゴム
−パーマロイの複合組成物を得た。この複合組成物は、
高分子にゴムを使用しているためフレキシビリティーに
富んでいる。上記複合組成物を、外径7mm、内径3m
mの円筒状に成形し、これを同軸管中に設置し、Sパラ
メータ法により複合組成物(電波吸収体)の反射、透過
減衰量を測定した。測定周波数は30MHz、150M
Hz、500MHzとした。測定器は、HP‐8753C
ネットワークアナライザおよびHP‐85047A S
パラメータテストセット(ヒューレット・パッカード社
製)を使用した。この結果、30MHz、150MHz、
500MHzの反射減衰率は、それぞれ−7dB(デシベ
ル)/cm、−7dB/cm、−9dB/cmであり、一
方、透過減衰率はそれぞれ−20dB/cm、−16dB
/cm、−13dB/cmであった。
8(油化シェルエポキシ社製)0.5gに、熱硬化剤ト
リエチレンテトラアミン(和光純薬社製)0.06gを
混合した後、Ni‐Feパーマロイ粉末(Ni:Fe重量比
80:20)(日立金属社製)2.7gを加え、よく混
合撹拌して複合組成物のスラリーを作製した。この複合
組成物のスラリーを、外径7mm、内径3mmの円筒状
の金型(テフロン製)に流し込み、100℃、1hで硬
化させ、複合組成物の成形試料を作製した。この円筒状
の成形試料を、同軸管中に設置し、Sパラメータ法によ
り複合組成物(電波吸収体)の反射、透過減衰量を測定
した。測定周波数は30MHz、150MHz、500M
Hzとした。測定器は、HP‐8753Cネットワーク
アナライザおよびHP‐85047A Sパラメータテ
ストセット(ヒューレット・パッカード社製)を使用し
た。この結果、30MHz、150MHz、500MHz
の反射減衰率は、それぞれ−7dB/cm、−8dB/c
m、−10dB/cmであり、一方、透過減衰率は、それ
ぞれ−27dB/cm、−22dB/cm、−14dB/cm
であった。
(日本ゼオン社製超高純度NBR FN‐4001)0.
62gを、テトラヒドロフラン溶媒(和光純薬社製)1
5ml中に溶解した高分子溶液中に、アモルファス合金
粉末Co75Fe5Si4B16(リケン社製)3.3gを加え
(ゴム:アモルファス合金 重量比84:16、体積比
60:40)、ボールミル中で24時間混合してスラリ
ーを作製した。このスラリーを、外径7mm、内径3m
mの円筒状の金型(テフロン製)に流し込み、常温で1
2時間、70℃で5時間乾燥させ溶媒を蒸発して、厚さ
1mmのゴム−アモルファス合金の複合組成物を得た。
この複合組成物は、高分子にゴムを使用しているためフ
レキシビリティーに富んでいた。得た複合組成物を、外
径7mm、内径3mmの円筒状に成形し、これを同軸管
中に設置して、Sパラメータ法により複合組成物(電波
吸収体)の反射、透過減衰量を測定した。測定周波数は
30MHz、150MHz、500MHzとした。測定器
は、HP‐8753CネットワークアナライザおよびH
P‐85047A Sパラメータテストセット(ヒュー
レット・パッカード社製)を使用した。この結果、30
MHz、150MHz、500MHzの反射減衰率は、そ
れぞれ−8dB/cm、−8dB/cm、−10dB/cmで
あり、 一方、透過減衰率は、それぞれ−20dB/c
m、−15dB/cm、−10dB/cmであった。
8(油化シェルエポキシ社製)0.55gに、熱硬化剤
トリエチレンテトラアミン(和光純薬社製)0.07g
を混合した後、アモルファス合金粉末(Co75Fe5Si4
B16)3.3g(リケン社製)を加え(エポキシ+熱硬
化剤:アモルファス合金 重量比84:16、体積比6
0:40)、よく混合、撹拌して複合組成物のスラリー
を作製した。このスラリーを、外径7mm、内径3mm
の円筒状の金型(テフロン製)に流し込み、100℃、
1hで硬化して複合組成物の成形試料を作製した。この
円筒状の複合組成物の成形試料を、同軸管中に設置し、
Sパラメータ法により複合組成物(電波吸収体)の反
射、透過減衰量を測定した。測定周波数は、30MH
z、150MHz、500MHzとした。測定器はHP‐
8753CネットワークアナライザおよびHP‐850
47A Sパラメータテストセット(ヒューレット・パ
ッカード社製)を使用した。この結果、30MHz、1
50MHz、500MHzの反射減衰率はそれぞれ−8d
B/cm、−10dB/cm、−12dB/cmであり、一
方、透過減衰率は、それぞれ−25dB/cm、−20d
B/cm、−15dB/cmであった。
波吸収体によれば、メガヘルツ帯の電波を透過防止する
と共に、電波を吸収することによって反射も減衰させる
ことができる。さらに、電波吸収体中の高分子にゴム等
を用いることでフレキシブルな性質を持つ取扱の容易な
電波吸収体を得ることができる。これにより、電子機器
の内部から外部への電波の流出を抑えると共に、不要な
電波の機器筐体内部での反射を抑制し、さらに電子機器
外部から内部への電波の流入を抑えることができ、電子
機器の動作を安定させることができる。
Claims (5)
- 【請求項1】電波を吸収する性能を有する金属材料の粉
末もしくはフレークを、高分子材料中に分散してなるこ
とを特徴とする電波吸収体。 - 【請求項2】請求項1において、電波を吸収する性能を
有する金属材料は、アモルファス合金よりなることを特
徴とする電波吸収体。 - 【請求項3】電波を吸収する性能を有する金属材料の粉
末もしくはフレークを、高分子材料を溶解した溶液中に
混合撹拌して電波吸収体のスラリー組成物を調製する工
程と、上記スラリー組成物を、所定の基体上に展開して
溶媒を蒸発させ所望する形状の電波吸収体を形成する工
程を含むことを特徴とする電波吸収体の作製方法。 - 【請求項4】電波を吸収する性能を有する金属材料の粉
末もしくはフレークを、高分子樹脂材料と共に混練して
電波吸収体の混練組成物を調製する工程と、上記混練組
成物を所定の型に注入して硬化させ、所望する形状の電
波吸収体を成形する工程を含むことを特徴とする電波吸
収体の作製方法。 - 【請求項5】請求項1ないし請求項4のいずれか1項記
載の電波吸収体は、1GHz以下の周波数帯の電波を吸
収する性能を有することを特徴とする電波吸収体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5175192A JPH0730279A (ja) | 1993-07-15 | 1993-07-15 | 電波吸収体およびその作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5175192A JPH0730279A (ja) | 1993-07-15 | 1993-07-15 | 電波吸収体およびその作製方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0730279A true JPH0730279A (ja) | 1995-01-31 |
Family
ID=15991902
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5175192A Pending JPH0730279A (ja) | 1993-07-15 | 1993-07-15 | 電波吸収体およびその作製方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0730279A (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1993
- 1993-07-15 JP JP5175192A patent/JPH0730279A/ja active Pending
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