JPH0730116Y2 - ガス処理装置 - Google Patents
ガス処理装置Info
- Publication number
- JPH0730116Y2 JPH0730116Y2 JP9404090U JP9404090U JPH0730116Y2 JP H0730116 Y2 JPH0730116 Y2 JP H0730116Y2 JP 9404090 U JP9404090 U JP 9404090U JP 9404090 U JP9404090 U JP 9404090U JP H0730116 Y2 JPH0730116 Y2 JP H0730116Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- reaction tower
- casing
- reactant
- gas treatment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Gas Separation By Absorption (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は、集じん装置を反応塔ケーシング内に設けるよ
うにした脱硫用，脱硝用等のガス処理装置に関する。
うにした脱硫用，脱硝用等のガス処理装置に関する。
従来の脱硫装置の１方式であるスプレードライ（半乾
式）方式においては、排ガス中に反応剤を噴霧する反応
塔と集じん装置は別置であり、また、集じん装置として
は、通常バグフイルタ又は電気集じん装置が用いられて
いる。
式）方式においては、排ガス中に反応剤を噴霧する反応
塔と集じん装置は別置であり、また、集じん装置として
は、通常バグフイルタ又は電気集じん装置が用いられて
いる。
更に、従来の脱硝装置においても、反応塔と集じん装置
は別置されている。
は別置されている。
従来のガス処理装置では、前記のように、反応塔と集じ
ん装置は別々に設置されているため、設置面積が大きく
配置上の制約を招くと共に、両者を接続するためのダク
ト類など余分の付属設備を要する。
ん装置は別々に設置されているため、設置面積が大きく
配置上の制約を招くと共に、両者を接続するためのダク
ト類など余分の付属設備を要する。
本考案は、従来のガス処理装置の以上の欠点を解決しよ
うとするものである。
うとするものである。
本考案のガス処理装置は、次の手段を講じた。
（１）ガス中に反応剤が噴霧される半乾式又は乾式の反
応塔のケーシング内に、多孔質フイルタで区画され反応
剤が噴霧されたガスが同フイルタを通過する複数のガス
通路を設けた。
応塔のケーシング内に、多孔質フイルタで区画され反応
剤が噴霧されたガスが同フイルタを通過する複数のガス
通路を設けた。
（２）前記多孔質フイルタ内に脱硝触媒を担持した。
ガス中に反応剤を噴霧する反応塔は、ガス中の有害成分
と噴霧物質とを輸送気中で反応させるだけであるので反
応塔ケーシング内部は空洞であって、反応生成物は空洞
内にほぼ均等に発生している。
と噴霧物質とを輸送気中で反応させるだけであるので反
応塔ケーシング内部は空洞であって、反応生成物は空洞
内にほぼ均等に発生している。
前記本考案（１）では、反応塔内の反応剤と反応生成物
等を含むガスの流れは、多孔質フイルタで区画された複
数のガス通路に導入され、多孔質フイルタを通過するこ
とによって、反応生成物がフイルタに捕集される。
等を含むガスの流れは、多孔質フイルタで区画された複
数のガス通路に導入され、多孔質フイルタを通過するこ
とによって、反応生成物がフイルタに捕集される。
また、ガスの脱硝の場合にはガス中にアンモニアが噴霧
されるが、前記本考案（２）では多孔質フイルタ内に脱
硝触媒を担持することによって、以上の作用に加えて、
ガス中の窒素酸化物が脱硫触媒においてアンモニアと選
択接触反応を行なって窒素と酸素に分解され無害化され
る。
されるが、前記本考案（２）では多孔質フイルタ内に脱
硝触媒を担持することによって、以上の作用に加えて、
ガス中の窒素酸化物が脱硫触媒においてアンモニアと選
択接触反応を行なって窒素と酸素に分解され無害化され
る。
本考案の一実施例を、第１図によって説明する。
１は上部にガス入口２と反応剤噴霧用のアトマイザ10を
設けた円筒状のスプレ反応塔６のケーシングであり、そ
の下側部には断面矩形状のガス出口３が設けられてい
る。同ケーシング６の下部には以下説明するガス通路が
設けられている。
設けた円筒状のスプレ反応塔６のケーシングであり、そ
の下側部には断面矩形状のガス出口３が設けられてい
る。同ケーシング６の下部には以下説明するガス通路が
設けられている。
即ち、反応塔６のケーシング１の下部には、前記ガス出
口３に接続された開口部を有し他の３面が形をなして
上下方向へ延びる３個の隔壁15で取囲まれた直方体の部
分が形成され、同直方体の部分の下部は隔壁14で閉鎖さ
れている。前記直方体の部分は上下方向に延びガス出口
３に平行に等間隔に配置された複数の多孔質の１枚又は
積層形の平板のセラミツクフイルタ９によって複数の室
に区画されている。前記室のうち一つおきの一方の室の
上方は開放されて複数の第１のガス通路７が形成され、
同ガス通路７の各々のガス出口３側は隔壁16で閉鎖され
ている。また、一つおきの上記第１のガス通路７に挟ま
れる他方の室の上部は隔壁11によって閉鎖されて第２の
ガス通路８が形成される。このようにして、前記直方体
の室内には、互いに交互に配置され上方のみが開放され
た第１のガス通路７と側方のみがガス出口３に向って開
放された第２のガス通路８が形成され、両通路7,8は前
記セラミツクフイルタ９によって区画されている。前記
直方体の室の上部と反応塔１との間は隔壁11aによって
閉鎖されている。また、前記ガス通路７はその横方向中
央に配置された上下方向の仕切板12によって左右の上下
方向へ延びる２部分に分割され、ガス通路８はその上下
方向中央に配置された水平方向の仕切板13によって上下
の水平方向へ延びる２部分に分割されている。
口３に接続された開口部を有し他の３面が形をなして
上下方向へ延びる３個の隔壁15で取囲まれた直方体の部
分が形成され、同直方体の部分の下部は隔壁14で閉鎖さ
れている。前記直方体の部分は上下方向に延びガス出口
３に平行に等間隔に配置された複数の多孔質の１枚又は
積層形の平板のセラミツクフイルタ９によって複数の室
に区画されている。前記室のうち一つおきの一方の室の
上方は開放されて複数の第１のガス通路７が形成され、
同ガス通路７の各々のガス出口３側は隔壁16で閉鎖され
ている。また、一つおきの上記第１のガス通路７に挟ま
れる他方の室の上部は隔壁11によって閉鎖されて第２の
ガス通路８が形成される。このようにして、前記直方体
の室内には、互いに交互に配置され上方のみが開放され
た第１のガス通路７と側方のみがガス出口３に向って開
放された第２のガス通路８が形成され、両通路7,8は前
記セラミツクフイルタ９によって区画されている。前記
直方体の室の上部と反応塔１との間は隔壁11aによって
閉鎖されている。また、前記ガス通路７はその横方向中
央に配置された上下方向の仕切板12によって左右の上下
方向へ延びる２部分に分割され、ガス通路８はその上下
方向中央に配置された水平方向の仕切板13によって上下
の水平方向へ延びる２部分に分割されている。
また、前記直方体の室の下方のケーシング１の部分に
は、ダスト排出口５をもつホッパ４が形成されている。
は、ダスト排出口５をもつホッパ４が形成されている。
以上のように構成された本実施例では、ガス入口２から
ケーシング１内へ導入された含じんガス中に、ケーシン
グ１の頂上に設けられたアトマイザー10から反応剤、例
えばCa(OH)2が噴射され、同ガス中の有害成分、例えばS
O2は反応剤と次のように反応して生成物を作る。
ケーシング１内へ導入された含じんガス中に、ケーシン
グ１の頂上に設けられたアトマイザー10から反応剤、例
えばCa(OH)2が噴射され、同ガス中の有害成分、例えばS
O2は反応剤と次のように反応して生成物を作る。
Ca(OH)2＋SO2→CaSO3＋H2O 生成物とダストを含むガスは、上方が開放されたガス通
路７へ入り、フイルタ９で生成物とダストがろ過された
上、ガスだけがガス通路８へ入り、同ガス通路８内を水
平に流れてガス出口３へ排出される。一方フイルタ９で
ろ過された生成物とダストは、ガス通路８側より逆洗す
る（特に図示せず）ことにより剥離脱落し、ホッパ４へ
降下捕集される。
路７へ入り、フイルタ９で生成物とダストがろ過された
上、ガスだけがガス通路８へ入り、同ガス通路８内を水
平に流れてガス出口３へ排出される。一方フイルタ９で
ろ過された生成物とダストは、ガス通路８側より逆洗す
る（特に図示せず）ことにより剥離脱落し、ホッパ４へ
降下捕集される。
以上のように、本実施例では、スプレ反応塔６のケーシ
ング１内にろ過機能をもつガス通路7,8を形成したこと
によって、同反応塔６内において、ガスの反応剤による
浄化を行ない、かつダストと反応生成物を除去すること
ができ、ダクト類などの付属設備を必要とせずに、その
設置面積を小さくすることができる。
ング１内にろ過機能をもつガス通路7,8を形成したこと
によって、同反応塔６内において、ガスの反応剤による
浄化を行ない、かつダストと反応生成物を除去すること
ができ、ダクト類などの付属設備を必要とせずに、その
設置面積を小さくすることができる。
また、反応塔６の上部において反応剤が噴霧されたガス
は、ケーシング１内を下降して上下方向のガス通路７へ
導入されるために流れが乱されることもない。
は、ケーシング１内を下降して上下方向のガス通路７へ
導入されるために流れが乱されることもない。
なお、本実施例において、更にガスの脱硝をも合わせ行
う場合には、ガス入口２において予めNH3を吹き込み、
フイルタ９として多孔質内にTiO2，V2O5等の脱硝触媒を
あらかじめ担持させたフイルタを用いることにより、脱
硫・脱じん後の清浄ガスが多孔質内の触媒上でアンモニ
アとの選択接触反応による分解反応を行い、ガス中のNO
をN2とO2に分解した脱硝を行なうことができる。
う場合には、ガス入口２において予めNH3を吹き込み、
フイルタ９として多孔質内にTiO2，V2O5等の脱硝触媒を
あらかじめ担持させたフイルタを用いることにより、脱
硫・脱じん後の清浄ガスが多孔質内の触媒上でアンモニ
アとの選択接触反応による分解反応を行い、ガス中のNO
をN2とO2に分解した脱硝を行なうことができる。
以上説明したように、本考案においては、ガス中に反応
剤を噴射する反応塔ケーシング内に多孔質フイルタで区
画されガスが同フイルタを通過する複数のガス通路を設
けたことによって、反応塔内に多孔質フイルタが内蔵さ
れ、その設置スペースがほぼ反応塔に必要とするスペー
ス程度のみで納まり、大幅に省スペースを図ることがで
きると共に、付属ダクト等の設備も不用となり、大幅な
コストダウンを図ることができる。
剤を噴射する反応塔ケーシング内に多孔質フイルタで区
画されガスが同フイルタを通過する複数のガス通路を設
けたことによって、反応塔内に多孔質フイルタが内蔵さ
れ、その設置スペースがほぼ反応塔に必要とするスペー
ス程度のみで納まり、大幅に省スペースを図ることがで
きると共に、付属ダクト等の設備も不用となり、大幅な
コストダウンを図ることができる。
また、本考案は、多孔質フイルタ内に脱硝触媒を担持さ
せることによって、集じんと共に脱硝を行なうことがで
きる。
せることによって、集じんと共に脱硝を行なうことがで
きる。
第１図は本考案の一実施例の説明図である。 １……ケーシング,2……ガス入口,3……ガス出口,4……
ダストホツパ,5……ダスト排出口,6……反応塔,7,8……
ガス通路,9……フイルタ,10……アトマイザ,11,11a,14,
15……隔壁,12,13……仕切板。
ダストホツパ,5……ダスト排出口,6……反応塔,7,8……
ガス通路,9……フイルタ,10……アトマイザ,11,11a,14,
15……隔壁,12,13……仕切板。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｂ０１Ｄ 53/34 ＺＡＢ 53/50 53/81 53/86 ＺＡＢ 53/94 Ｂ０１Ｄ 53/36 １０１ Ａ ＺＡＢ
Claims (2)
- 【請求項１】ガス中に反応剤が噴霧される反応塔ケーシ
ング内に、多孔質フイルタで区画され反応剤が噴霧され
たガスが同多孔質フイルタを通過する複数のガス通路を
設けたことを特徴とするガス処理装置。 - 【請求項２】前記多孔質フイルタ内に脱硝触媒を担持し
たことを特徴とする請求項（１）に記載のガス処理装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9404090U JPH0730116Y2 (ja) | 1990-09-10 | 1990-09-10 | ガス処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9404090U JPH0730116Y2 (ja) | 1990-09-10 | 1990-09-10 | ガス処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0453419U JPH0453419U (ja) | 1992-05-07 |
| JPH0730116Y2 true JPH0730116Y2 (ja) | 1995-07-12 |
Family
ID=31831683
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9404090U Expired - Lifetime JPH0730116Y2 (ja) | 1990-09-10 | 1990-09-10 | ガス処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0730116Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8337761B2 (en) * | 2007-12-21 | 2012-12-25 | Volvo Technology Corp. | Particulate filtration device |
-
1990
- 1990-09-10 JP JP9404090U patent/JPH0730116Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0453419U (ja) | 1992-05-07 |
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