JPH07300670A - プラズマを用いたスパッタリング装置 - Google Patents
プラズマを用いたスパッタリング装置Info
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- JPH07300670A JPH07300670A JP9274494A JP9274494A JPH07300670A JP H07300670 A JPH07300670 A JP H07300670A JP 9274494 A JP9274494 A JP 9274494A JP 9274494 A JP9274494 A JP 9274494A JP H07300670 A JPH07300670 A JP H07300670A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 絶縁性膜をも、基板上に成膜できるプラズマ
を用いたスパッタリング装置を提供すること。 【構成】 陰極１１と陽極１７との間にプラズマ１０を
発生させ、スパッタリングを行う装置において、前記陽
極を前記プラズマを受容するための開口部１７−３を形
成するフランジ部１７−２と、該フランジ部と結合され
た陽極本体１７−１とで構成する。前記開口部の内部に
は前記フランジ部と前記陽極本体とで形成した空間部が
１７−９設けられ、該空間部は前記開口部から前記陽極
本体方向に平行又は広がるように形成されている。
を用いたスパッタリング装置を提供すること。 【構成】 陰極１１と陽極１７との間にプラズマ１０を
発生させ、スパッタリングを行う装置において、前記陽
極を前記プラズマを受容するための開口部１７−３を形
成するフランジ部１７−２と、該フランジ部と結合され
た陽極本体１７−１とで構成する。前記開口部の内部に
は前記フランジ部と前記陽極本体とで形成した空間部が
１７−９設けられ、該空間部は前記開口部から前記陽極
本体方向に平行又は広がるように形成されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はプラズマを使用したスパ
ッタリング装置に関し、特に、絶縁性膜を形成するのに
有効なスパッタリング装置に関する。
ッタリング装置に関し、特に、絶縁性膜を形成するのに
有効なスパッタリング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近、マグネトロンスパッタリング装置
に代わり、陰極から発生した円柱状のプラズマをシート
状に成形して、陽極に導くと共に、陰極と陽極の間に置
かれたターゲットをシート状のプラズマによってスパッ
タすることにより、ターゲットと対向して配置された基
板上に、成膜するシートプラズマスパッタリング装置が
提案されている（例えば、特開平２−７３９６７号）。
このシートプラズマスパッタリング装置では、ターゲッ
トのエロージョンが均一に行われるため、ターゲット寿
命をマグネトロンスパッタリング装置に比較して長くで
きるという利点がある。また、シート状プラズマを利用
して、種々の膜を被着させることも試みられている。
に代わり、陰極から発生した円柱状のプラズマをシート
状に成形して、陽極に導くと共に、陰極と陽極の間に置
かれたターゲットをシート状のプラズマによってスパッ
タすることにより、ターゲットと対向して配置された基
板上に、成膜するシートプラズマスパッタリング装置が
提案されている（例えば、特開平２−７３９６７号）。
このシートプラズマスパッタリング装置では、ターゲッ
トのエロージョンが均一に行われるため、ターゲット寿
命をマグネトロンスパッタリング装置に比較して長くで
きるという利点がある。また、シート状プラズマを利用
して、種々の膜を被着させることも試みられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
シートプラズマスパッタリング装置を用いてスパッタリ
ングを行い、絶縁性膜を基板上に成膜した場合、陽極の
シート状プラズマの受容側表面に絶縁膜が堆積してシー
ト状プラズマが数分程度の短時間で停止してしまうとい
う現象が観察された。これは以下のような理由によると
考えられる。すなわち、シート状プラズマを用いてスパ
ッタリングを行うと、ターゲット部表面から成膜分子が
放出されて基板上に堆積する。そして、反応性ガスとし
て、例えば酸素ガスをスパッタリング室に導入すると、
基板上には酸化膜が絶縁膜として堆積する。この時、陽
極の表面が成膜環境に直接さらされていると、陽極表面
にも絶縁膜が堆積することとなり、シート状プラズマを
発生するための放電の維持を困難にする。しかも、絶縁
膜は基板より陽極の方へよく堆積する。この結果とし
て、従来のシートプラズマスパッタリング装置により実
用に耐える絶縁性膜を形成することは、実質上不可能で
あった。
シートプラズマスパッタリング装置を用いてスパッタリ
ングを行い、絶縁性膜を基板上に成膜した場合、陽極の
シート状プラズマの受容側表面に絶縁膜が堆積してシー
ト状プラズマが数分程度の短時間で停止してしまうとい
う現象が観察された。これは以下のような理由によると
考えられる。すなわち、シート状プラズマを用いてスパ
ッタリングを行うと、ターゲット部表面から成膜分子が
放出されて基板上に堆積する。そして、反応性ガスとし
て、例えば酸素ガスをスパッタリング室に導入すると、
基板上には酸化膜が絶縁膜として堆積する。この時、陽
極の表面が成膜環境に直接さらされていると、陽極表面
にも絶縁膜が堆積することとなり、シート状プラズマを
発生するための放電の維持を困難にする。しかも、絶縁
膜は基板より陽極の方へよく堆積する。この結果とし
て、従来のシートプラズマスパッタリング装置により実
用に耐える絶縁性膜を形成することは、実質上不可能で
あった。
【０００４】本発明の目的は、絶縁性膜をもスパッタリ
ングにより、基板上に成膜できるプラズマを用いたスパ
ッタリング装置を提供することである。
ングにより、基板上に成膜できるプラズマを用いたスパ
ッタリング装置を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明では、プラズマを
使用したスパッタリング装置を用いて、絶縁性膜を成膜
した場合、プラズマが短時間で停止してしまう原因を究
明し、その解決策を提案するものである。
使用したスパッタリング装置を用いて、絶縁性膜を成膜
した場合、プラズマが短時間で停止してしまう原因を究
明し、その解決策を提案するものである。
【０００６】本発明によれば、陰極及び陽極を備え、こ
れら陰極及び陽極間にプラズマを発生させ、該プラズマ
を用いて、スパッタリングを行う装置において、前記陽
極は前記プラズマを受容するための開口部を形成するフ
ランジ部と、該フランジ部と結合された陽極本体とを有
し、前記開口部の内部には前記フランジ部と前記陽極本
体とで形成した空間部が設けられ、該空間部は前記開口
部から前記陽極本体方向に平行又は広がるように形成さ
れていることを特徴とするプラズマを用いたスパッタリ
ング装置が得られる。
れら陰極及び陽極間にプラズマを発生させ、該プラズマ
を用いて、スパッタリングを行う装置において、前記陽
極は前記プラズマを受容するための開口部を形成するフ
ランジ部と、該フランジ部と結合された陽極本体とを有
し、前記開口部の内部には前記フランジ部と前記陽極本
体とで形成した空間部が設けられ、該空間部は前記開口
部から前記陽極本体方向に平行又は広がるように形成さ
れていることを特徴とするプラズマを用いたスパッタリ
ング装置が得られる。
【０００７】
【作用】本発明では、絶縁性膜をスパッタリングにより
基板上に成膜した場合、ターゲットと陽極との間の電界
によって、陽極にもスパッタリングされた物質が被着
し、結果として、陽極が絶縁性膜によって覆われ、以後
のプラズマの発生が抑制されることを見出し、スパッタ
リング中にも、絶縁性膜によって覆われるのを防止でき
るように、陽極を構成している。
基板上に成膜した場合、ターゲットと陽極との間の電界
によって、陽極にもスパッタリングされた物質が被着
し、結果として、陽極が絶縁性膜によって覆われ、以後
のプラズマの発生が抑制されることを見出し、スパッタ
リング中にも、絶縁性膜によって覆われるのを防止でき
るように、陽極を構成している。
【０００８】
【実施例】図１を参照すると、本発明の一実施例に係る
シート状プラズマを用いたスパッタリング装置は、プラ
ズマ源として動作する陰極部１１を備え、この陰極部１
１は円柱状のプラズマを発生する。陰極部１１には、円
柱状プラズマをシート状に成形するシートプラズマ成形
室１２が開口部を介して接続されている。陰極部１１と
シートプラズマ成形室１２との間には、２つの中間電極
部１３が設けられており、これらの中間電極部１３によ
って、陰極部１１からのプラズマは陰極部より引き出さ
れる。この例では、シートプラズマ成形室１２の外側に
永久磁石（この例では上下１組）１４が配置されてお
り、この永久磁石１４によって形成される磁場により、
円柱状プラズマはシート状プラズマ１０に成形される。
結果として、プラズマは図の表面に対して垂直方向に広
がり、シート状プラズマ１０を形成する。この場合、プ
ラズマの一部は、図示するように、永久磁石１４によっ
てシートプラズマ成形室１２の内壁の方向に広がる。
シート状プラズマを用いたスパッタリング装置は、プラ
ズマ源として動作する陰極部１１を備え、この陰極部１
１は円柱状のプラズマを発生する。陰極部１１には、円
柱状プラズマをシート状に成形するシートプラズマ成形
室１２が開口部を介して接続されている。陰極部１１と
シートプラズマ成形室１２との間には、２つの中間電極
部１３が設けられており、これらの中間電極部１３によ
って、陰極部１１からのプラズマは陰極部より引き出さ
れる。この例では、シートプラズマ成形室１２の外側に
永久磁石（この例では上下１組）１４が配置されてお
り、この永久磁石１４によって形成される磁場により、
円柱状プラズマはシート状プラズマ１０に成形される。
結果として、プラズマは図の表面に対して垂直方向に広
がり、シート状プラズマ１０を形成する。この場合、プ
ラズマの一部は、図示するように、永久磁石１４によっ
てシートプラズマ成形室１２の内壁の方向に広がる。
【０００９】シートプラズマ成形室１２からのシート状
プラズマ１０は、スリット状の開口部１５を通して、ス
パッタリングを行うスパッタリング室１６に導かれる。
スパッタリング室１６内には、シート状プラズマ１０を
受けることができるように、図の表面に対して垂直方向
に延びる陽極部１７が設けられている。
プラズマ１０は、スリット状の開口部１５を通して、ス
パッタリングを行うスパッタリング室１６に導かれる。
スパッタリング室１６内には、シート状プラズマ１０を
受けることができるように、図の表面に対して垂直方向
に延びる陽極部１７が設けられている。
【００１０】また、スパッタリング室１６内の陽極部１
７前方、即ち、陽極部１７に対して陰極部１１側位置に
は、シート状プラズマを挟んで対向するように、ターゲ
ット部１８と、成膜されるべき基板を搭載したテーブル
１９とが設置されている。
７前方、即ち、陽極部１７に対して陰極部１１側位置に
は、シート状プラズマを挟んで対向するように、ターゲ
ット部１８と、成膜されるべき基板を搭載したテーブル
１９とが設置されている。
【００１１】更に、スパッタリング室１６の外側には、
スパッタリング室１６の陰極側と陽極側とにそれぞれ、
一対の外部磁場発生用の大径コイル２０が備えられてお
り、これらの大径コイル２０による磁場によって、シー
ト状プラズマ１０は陽極部１７方向に導かれている。
スパッタリング室１６の陰極側と陽極側とにそれぞれ、
一対の外部磁場発生用の大径コイル２０が備えられてお
り、これらの大径コイル２０による磁場によって、シー
ト状プラズマ１０は陽極部１７方向に導かれている。
【００１２】図示されているように、ターゲット部１８
には、バイアス電源２１によって、負のバイアス電圧が
印加されている。また、スパッタリング室１６、２つの
中間電極部１３は、それぞれ外部抵抗Ｒ１〜Ｒ３を介し
て、主放電電源２２の＋側に接続されている。
には、バイアス電源２１によって、負のバイアス電圧が
印加されている。また、スパッタリング室１６、２つの
中間電極部１３は、それぞれ外部抵抗Ｒ１〜Ｒ３を介し
て、主放電電源２２の＋側に接続されている。
【００１３】図２をも参照して、陽極部１７はシート状
プラズマ１０を受容するための開口部１７−３を形成す
るフランジ部１７−２と、このフランジ部１７−２と結
合された陽極本体１７−１とで構成され、開口部１７−
３の内部にはフランジ部１７−２と陽極本体１７−１と
で形成した空間部１７−９が設けられている。空間部１
７−９は、開口部１７−３から陽極本体１７−１方向に
平行又は広がるように形成されている。また、陽極本体
１７−１には、シート状プラズマ１０に対して所定の磁
極（ここではＳ極）が対向するように、永久磁石１７−
４が埋設されている。
プラズマ１０を受容するための開口部１７−３を形成す
るフランジ部１７−２と、このフランジ部１７−２と結
合された陽極本体１７−１とで構成され、開口部１７−
３の内部にはフランジ部１７−２と陽極本体１７−１と
で形成した空間部１７−９が設けられている。空間部１
７−９は、開口部１７−３から陽極本体１７−１方向に
平行又は広がるように形成されている。また、陽極本体
１７−１には、シート状プラズマ１０に対して所定の磁
極（ここではＳ極）が対向するように、永久磁石１７−
４が埋設されている。
【００１４】このようにフランジ部１７−２を設ける理
由を以下に説明する。前述したように、シート状プラズ
マ１０を用いてスパッタリングを行うと、ターゲット部
１８表面から成膜分子が放出されて基板上に堆積する。
そして、反応性ガスとして、例えば酸素ガスをスパッタ
リング室１６に導入すると、基板上には酸化膜が絶縁膜
として堆積する。この時、フランジ部１７−２が無くて
陽極部１７の表面が成膜環境に直接さらされていると、
陽極部１７表面にも絶縁膜が堆積することとなり、シー
ト状プラズマ１０を発生するための放電の維持を困難に
していた。しかも、絶縁膜は基板より陽極部の方へよく
堆積する。
由を以下に説明する。前述したように、シート状プラズ
マ１０を用いてスパッタリングを行うと、ターゲット部
１８表面から成膜分子が放出されて基板上に堆積する。
そして、反応性ガスとして、例えば酸素ガスをスパッタ
リング室１６に導入すると、基板上には酸化膜が絶縁膜
として堆積する。この時、フランジ部１７−２が無くて
陽極部１７の表面が成膜環境に直接さらされていると、
陽極部１７表面にも絶縁膜が堆積することとなり、シー
ト状プラズマ１０を発生するための放電の維持を困難に
していた。しかも、絶縁膜は基板より陽極部の方へよく
堆積する。
【００１５】そこで、上記のように陽極部１７のシート
状プラズマ１０の受容側をフランジ部１７−２により２
重構造にして、フランジ部１７−２にシート状プラズマ
１０通過のための最小限の隙間を有する、いわば蓋の機
能を持たせることにより、絶縁膜を形成する分子が直
接、陽極部１７の放電面（空間部１７−９の底方側）に
飛び込んで絶縁膜を形成することを抑制することができ
る。特に、陽極部１７の放電面は、開口部１７−３より
広くなっており、シート状プラズマ１０を発生するため
の放電を長時間維持することができる。なお、フランジ
部１７−２の表面には、図１に象徴的に示すように、絶
縁膜が形成されるが、これは問題ない。
状プラズマ１０の受容側をフランジ部１７−２により２
重構造にして、フランジ部１７−２にシート状プラズマ
１０通過のための最小限の隙間を有する、いわば蓋の機
能を持たせることにより、絶縁膜を形成する分子が直
接、陽極部１７の放電面（空間部１７−９の底方側）に
飛び込んで絶縁膜を形成することを抑制することができ
る。特に、陽極部１７の放電面は、開口部１７−３より
広くなっており、シート状プラズマ１０を発生するため
の放電を長時間維持することができる。なお、フランジ
部１７−２の表面には、図１に象徴的に示すように、絶
縁膜が形成されるが、これは問題ない。
【００１６】放電を長時間行うと空間部１７−９の底部
側である陽極本体１７−１にも絶縁膜が形成されるが、
しかし、空間部１７−９の側方側のフランジ部１７−２
が放電面となり、また、空間部１７−９の側方側のフラ
ンジ部に絶縁膜が形成されると空間部１７−９の開口部
１７−３側のフランジ部１７−２が放電面となり、長時
間の放電が可能となる。このようにして、陽極部１７の
機能を失うことなく、基板上に長時間絶縁膜の成膜が可
能となる。
側である陽極本体１７−１にも絶縁膜が形成されるが、
しかし、空間部１７−９の側方側のフランジ部１７−２
が放電面となり、また、空間部１７−９の側方側のフラ
ンジ部に絶縁膜が形成されると空間部１７−９の開口部
１７−３側のフランジ部１７−２が放電面となり、長時
間の放電が可能となる。このようにして、陽極部１７の
機能を失うことなく、基板上に長時間絶縁膜の成膜が可
能となる。
【００１７】図３は陽極部１７の第２の例を示す。この
例では、フランジ部１７−２´によりシート状プラズマ
１０を受容する開口部１７−３をそのまま陽極本体１７
−１まで延長した構造となっている。このような構造で
あっても、絶縁膜はフランジ部１７−２´表面に堆積
し、絶縁膜を形成する分子が開口部１７−３の奥部、す
なわち陽極部１７の放電面に到達して堆積するのを抑制
することができる。この実施例では、放電を長時間行う
と空間部１７−９の底部側である陽極本体１７−１にも
絶縁膜が形成されるが、しかし、空間部１７−９の側方
側のフランジ部１７−２´が放電面となり、長時間の放
電が可能となる。
例では、フランジ部１７−２´によりシート状プラズマ
１０を受容する開口部１７−３をそのまま陽極本体１７
−１まで延長した構造となっている。このような構造で
あっても、絶縁膜はフランジ部１７−２´表面に堆積
し、絶縁膜を形成する分子が開口部１７−３の奥部、す
なわち陽極部１７の放電面に到達して堆積するのを抑制
することができる。この実施例では、放電を長時間行う
と空間部１７−９の底部側である陽極本体１７−１にも
絶縁膜が形成されるが、しかし、空間部１７−９の側方
側のフランジ部１７−２´が放電面となり、長時間の放
電が可能となる。
【００１８】図４は陽極部１７の第３の例を示す。この
例では、フランジ部１７−５が陽極本体１７−１とは同
じ材料の別体にて構成されている。すなわち、フランジ
部１７−５は、陽極本体１７−１の放電面とは別の箇所
に接続され、且つ、互いに間隔をおいて延在する２枚の
板状部材１７−６と、これらの板状部材１７−６からシ
ート状プラズマ１０を挟み得るように、開口部１７−３
を規定している鍔部材１７−７とから成る。なお、この
例では、陽極本体１７−１に全長に亘って水冷用のジャ
ケット１７−８が形成されている。
例では、フランジ部１７−５が陽極本体１７−１とは同
じ材料の別体にて構成されている。すなわち、フランジ
部１７−５は、陽極本体１７−１の放電面とは別の箇所
に接続され、且つ、互いに間隔をおいて延在する２枚の
板状部材１７−６と、これらの板状部材１７−６からシ
ート状プラズマ１０を挟み得るように、開口部１７−３
を規定している鍔部材１７−７とから成る。なお、この
例では、陽極本体１７−１に全長に亘って水冷用のジャ
ケット１７−８が形成されている。
【００１９】図５は陽極部１７の第４の例を示し、図４
に示した２枚の板状部材１７−６に相当する２枚の板状
部材１７−６´を陽極本体１７−１の放電面に接続した
点を除けば、第３の例と同じである。
に示した２枚の板状部材１７−６に相当する２枚の板状
部材１７−６´を陽極本体１７−１の放電面に接続した
点を除けば、第３の例と同じである。
【００２０】図６は陽極部１７の第５の例を示し、図３
に示したフランジ部１７−２´を陽極本体１７−１と同
じ材料の別体にて構成し、陽極本体１７−１には水冷用
のジャケット１７−８を形成した例である。
に示したフランジ部１７−２´を陽極本体１７−１と同
じ材料の別体にて構成し、陽極本体１７−１には水冷用
のジャケット１７−８を形成した例である。
【００２１】図７は陽極部１７の第６の例を示し、図１
に示された例の変形例である。すなわち、陽極本体１７
−１に水冷用のジャケット１７−８を形成した点を除け
ば、図１の例と同じである。
に示された例の変形例である。すなわち、陽極本体１７
−１に水冷用のジャケット１７−８を形成した点を除け
ば、図１の例と同じである。
【００２２】図８は陽極部１７の第７の例を示し、図３
に示された例の変形例である。すなわち、陽極本体１７
−１に水冷用のジャケット１７−８を形成した点を除け
ば、図３の例と同じである。
に示された例の変形例である。すなわち、陽極本体１７
−１に水冷用のジャケット１７−８を形成した点を除け
ば、図３の例と同じである。
【００２３】図９は陽極部１７の第８の例を示し、図８
に示された例の変形例である。すなわち、陽極本体１７
−１とフランジ部１７−２との間に形成する空間を、開
口部１７−３から陽極本体１７−１に向けて漸次広がる
ように形成されている点に特徴を有する。このようにす
ることにより、陽極本体１７−１の放電面を広げること
ができるので、前述した理由でシート状プラズマ１０を
発生するための放電を長時間維持することができる。
に示された例の変形例である。すなわち、陽極本体１７
−１とフランジ部１７−２との間に形成する空間を、開
口部１７−３から陽極本体１７−１に向けて漸次広がる
ように形成されている点に特徴を有する。このようにす
ることにより、陽極本体１７−１の放電面を広げること
ができるので、前述した理由でシート状プラズマ１０を
発生するための放電を長時間維持することができる。
【００２４】以上、陽極部１７の構造についていくつか
の例を示したが、本発明の要旨は、陽極本体１７−１に
フランジ部１７−２を組み合わせることで、絶縁膜を形
成する分子が直接、陽極部１７の放電面に飛び込んで絶
縁膜を形成することを抑制するようになっていれば良い
のであり、上記以外にも様々な構造が考えられることは
言うまでも無い。また、前記実施例では、シート状プラ
ズマについて述べたが、円柱状のプラズマを用いたスパ
ッタリング装置にも適用することができる。この場合、
開口部の形状は円形であり、別の形状のプラズマの場合
は、そのプラズマ断面形状にあった開口部にすれば良
い。
の例を示したが、本発明の要旨は、陽極本体１７−１に
フランジ部１７−２を組み合わせることで、絶縁膜を形
成する分子が直接、陽極部１７の放電面に飛び込んで絶
縁膜を形成することを抑制するようになっていれば良い
のであり、上記以外にも様々な構造が考えられることは
言うまでも無い。また、前記実施例では、シート状プラ
ズマについて述べたが、円柱状のプラズマを用いたスパ
ッタリング装置にも適用することができる。この場合、
開口部の形状は円形であり、別の形状のプラズマの場合
は、そのプラズマ断面形状にあった開口部にすれば良
い。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば陽
極本体にフランジ部を組み合わせて、絶縁膜を形成する
分子が直接、陽極部の放電面に飛び込んで絶縁膜を形成
することを抑制するようにしたことにより、スパッタリ
ング中にも、陽極が絶縁性膜によって覆われることで以
後のプラズマの発生が抑制されてしまうようなことを防
止できる。その結果、本発明装置によれば絶縁性膜をも
スパッタリングにより基板上に成膜することができる。
極本体にフランジ部を組み合わせて、絶縁膜を形成する
分子が直接、陽極部の放電面に飛び込んで絶縁膜を形成
することを抑制するようにしたことにより、スパッタリ
ング中にも、陽極が絶縁性膜によって覆われることで以
後のプラズマの発生が抑制されてしまうようなことを防
止できる。その結果、本発明装置によれば絶縁性膜をも
スパッタリングにより基板上に成膜することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるスパッタリング装置を側面から見
た概略縦断面図である。
た概略縦断面図である。
【図２】図１に示された陽極部の斜視図である。
【図３】本発明の要部である陽極部の第２の例の断面図
である。
である。
【図４】本発明の要部である陽極部の第３の例を示した
図であり、図ａは平面図、図ｂは断面図、図ｃは正面図
である。
図であり、図ａは平面図、図ｂは断面図、図ｃは正面図
である。
【図５】本発明の要部である陽極部の第４の例の断面図
である。
である。
【図６】本発明の要部である陽極部の第５の例の断面図
である。
である。
【図７】本発明の要部である陽極部の第６の例の断面図
である。
である。
【図８】本発明の要部である陽極部の第７の例の断面図
である。
である。
【図９】本発明の要部である陽極部の第８の例の断面図
である。
である。
１０ シート状プラズマ １１ 陰極部 １２ シートプラズマ成形室 １３ 中間電極部 １４ 永久磁石 １５ 開口部 １６ スパッタリング室 １７ 陽極部 １７−１ 陽極本体 １７−２，１７−２´ フランジ部 １７−３ 開口部 １７−４ 永久磁石 １７−５ フランジ部 １７−６，１７−６´ 板状部材 １７−７ 鍔部材 １７−８ ジャケット １７−９ 空間部 １８ ターゲット部 １９ テーブル ２０ 大径コイル ２１ バイアス電源 ２２ 主放電電源
Claims (5)
- 【請求項１】 陰極及び陽極を備え、これら陰極及び陽
極間にプラズマを発生させ、該プラズマを用いて、スパ
ッタリングを行う装置において、前記陽極は前記プラズ
マを受容するための開口部を形成するフランジ部と、該
フランジ部と結合された陽極本体とを有し、前記開口部
の内部には前記フランジ部と前記陽極本体とで形成した
空間部が設けられ、該空間部は前記開口部から前記陽極
本体方向に平行又は広がるように形成されていることを
特徴とするプラズマを用いたスパッタリング装置。 - 【請求項２】 請求項１記載のスパッタリング装置にお
いて、前記フランジ部は前記陽極と別部材で形成されて
いることを特徴とするプラズマを用いたスパッタリング
装置。 - 【請求項３】 請求項１あるいは２記載のスパッタリン
グ装置において、前記空間部は前記開口部から前記陽極
本体方向に漸次広がるように形成されていることを特徴
とするプラズマを用いたスパッタリング装置。 - 【請求項４】 請求項１あるいは２記載のスパッタリン
グ装置において、前記空間部は前記開口部の奥部が開口
部に対して急激に広くなるように形成されていることを
特徴とするプラズマを用いたスパッタリング装置。 - 【請求項５】 請求項１〜４のいずれかに記載のスパッ
タリング装置において、前記陽極本体には、前記プラズ
マに対して所定の磁極が対向するように、永久磁石が埋
設されていることを特徴とするプラズマを用いたスパッ
タリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9274494A JPH07300670A (ja) | 1994-04-28 | 1994-04-28 | プラズマを用いたスパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9274494A JPH07300670A (ja) | 1994-04-28 | 1994-04-28 | プラズマを用いたスパッタリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07300670A true JPH07300670A (ja) | 1995-11-14 |
Family
ID=14062931
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9274494A Pending JPH07300670A (ja) | 1994-04-28 | 1994-04-28 | プラズマを用いたスパッタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07300670A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011502215A (ja) * | 2007-11-01 | 2011-01-20 | エリコン・トレーディング・アクチェンゲゼルシャフト，トリュープバッハ | 被処理面を作製するための方法および真空プラズマ源 |
-
1994
- 1994-04-28 JP JP9274494A patent/JPH07300670A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011502215A (ja) * | 2007-11-01 | 2011-01-20 | エリコン・トレーディング・アクチェンゲゼルシャフト，トリュープバッハ | 被処理面を作製するための方法および真空プラズマ源 |
| US9376747B2 (en) | 2007-11-01 | 2016-06-28 | Oerlikon Surface Solutions Ag, Pfaffikon | Method for manufacturing a treated surface and vacuum plasma sources |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20000216 |