JPH0730052A - 電子計算機用モジュール基板 - Google Patents

電子計算機用モジュール基板

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JPH0730052A
JPH0730052A JP15215593A JP15215593A JPH0730052A JP H0730052 A JPH0730052 A JP H0730052A JP 15215593 A JP15215593 A JP 15215593A JP 15215593 A JP15215593 A JP 15215593A JP H0730052 A JPH0730052 A JP H0730052A
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JP
Japan
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noise
transmission
signal
electronic computer
lsi
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Application number
JP15215593A
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English (en)
Inventor
Koichi Shinohara
浩一 篠原
Akira Tanaka
明 田中
Hitoshi Yoshitome
等 吉留
Masao Inoue
雅雄 井上
Takao Oba
隆夫 大場
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
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    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors

Landscapes

  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Waveguides (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 電子計算機の信号線のインピーダンスに不連
続な部分が存在することによる及び電源のイングクタン
スに起因して発生する同時切替ノイズを低減すること。 【構成】 電子計算機の信号線を伝わる信号の周波数と
信号線に発生する主要なノイズの周波数は異なる。そこ
で電子計算機を構成するモジュール基板にノイズの周波
数成分のみを回路的に伝送させないように構成し、また
は上記モジュール基板の信号線等の導線近傍に電波吸収
材を設けることにより、発生しているノイズの周波数と
信号線上を波形が伝播しにくくなる周波数を合わせるよ
うに構成する。 【効果】 電子計算機の信号線に発生しているノイズが
低減されることによって、信号の立上がり時間を早める
ことができ、演算速度の高速化が達成できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、LSIを搭載する基板
やコネクタなどの接続部から構成された計算機の実装構
造に係り、特に電子計算機の信号伝送系を構成するモジ
ュール基板に関する。
【0002】
【従来の技術】モジュール基板に使用されるコネクタと
しては、挿入型コネクタ、面付けタイプのコネクタ、コ
ネクタのピンの特性インピーダンスを50Ω付近に調整
したコネクタなどが知られている。
【0003】樹脂とガラスクロスやガラスフィラなどを
複合化した材料を絶縁材としたプリント板が知られてい
る。
【0004】またアルミナをフィラとして、ガラスをマ
トリックスとした材料を絶縁材としたセラミック基板が
知られている。
【0005】更にノイズを防止する手段として、信号の
反射をなくすために終端抵抗を回路部に設置すること
や、通信機の分野ではノイズフィルタのような部品を設
置することが行われていた。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】近年、ワークステーシ
ョンなどの中小型計算機の演算速度が高速化するのと共
に、同時に切り替わる論理回路の増加によって、同時切
替ノイズの発生が問題となってきている。
【0007】LSIの出力回路が同時に切替わると、電
源線又はグランド線には、同時切替本数にほぼ比例した
電流が流れる。
【0008】この電源系に発生するノイズ△Vは、電源
からLSIまでのコネクタなどの配線のイングクタンス
をLとすると、抵抗やキャパシタンスの影響を考えない
場合には、△V=ーLdI/dt(I:電流)と表され
る。つまりノイズ△Vは、イングクタンスL及び電流I
の時間変化に比例して発生する。したがってこの電源線
に発生するノイズ△Vを低減するためにイングクタンス
Lを下げることは、当然のことながら有効である。
【0009】しかしコネクタなどのイングクタンスを下
げることは容易ではない。
【0010】また電源線及びグランド線に発生するノイ
ズの影響で、状態遷移がない信号系にもノイズが発生す
る。これは状態遷移がない出力回路の電源線及びグラン
ド線と、動作している出力回路の電源線及びグランド線
が共通となっているため、電源線及びグランド線のイン
グクタンスの影響で発生したノイズが、信号線にも伝わ
り、ノイズとなるものである。
【0011】そして、この状態遷移がない信号線に発生
するノイズの主要な周波数成分は、信号線の周囲の誘電
率及び配線長さ等によって決まるほぼ一定の値となる。
【0012】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
ものであり、電子計算機の信号線のインピーダンスの大
きさの不連続な部分が存在すること及び電源線のインダ
クタンスに起因して発生する同時切替ノイズの低減を図
った電子計算機用モジュール基板を提供することを目的
とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】信号線に発生するノイズ
について詳細に検討した結果、ノイズの周波数は、ある
特定の周波数成分が主要なものであることが判った。こ
れは信号によって誘導されるノイズの中で、信号系の長
さや信号の伝播速度によって決まるある周波数のノイズ
の成分のみが残り、その他は減衰してしまうためだと考
えられる。
【0014】また信号波形をフーリエ級数展開によって
周波数成分に分解して得られるものと、ノイズの主要な
成分は異なる周波数成分から構成されていることが判明
した。
【0015】LSIを搭載した基板をコネクタ等のイン
グクタンスを有する部材を介して、ボードに接続するよ
うな場合、二つ以上のLSI間で信号の授受をする時に
は、あるLSIのドライバの出力回路から信号線に発生
したノイズ電流は、コネクタ及び信号線を通して他のL
SIの入力回路に伝わり、電源線またはグランド線を通
って、その電流ループは閉じる。
【0016】そこで、電源線または信号系を含む電流ル
ープのどこかで、ノイズの周波数成分のみが伝送されな
いようにすれば、信号波形のみを伝送できてノイズをな
くすことが可能となる。つまり、信号線に発生するノイ
ズが伝播する経路のどこかで、ノイズの周波数成分のみ
を回路的に伝送しないようにするか、または、ノイズ周
波数成分のみを周囲のの媒質によって吸収してしまうこ
とによって、目的は達成される。
【0017】ノイズを防止する手段として、ノイズフィ
ルタや終端抵抗のような部品をモジュール基板に搭載す
ることは、従来から行われていた。
【0018】しかし現在の電子計算機では配線本数が多
く、かつ高密度に実装されるようになってきて、それら
の部品を搭載する領域が確保できなくなってきた。また
終端抵抗を薄膜で形成するようなことも行われている
が、コストが高くなってしまう欠点があった。
【0019】そこで、コネクタなどの電気的接続部品や
プリント板、セラミック基板にそのようなノイズを防止
する機能をもたせることを考えた。
【0020】コネクタの伝送特性を数GHz 程度まで
測定した結果、ある周波数において信号の伝送量が非常
に少なくなることが判明した。これは、コネクタの伝送
線とその周囲のイングクタンス及びキャパシタンスの関
係で、ある特定の周波数で信号が伝送されにくくなるも
のと考えられる。
【0021】そこで伝送線の周囲の電気的構造を変える
ことによって、伝送量が小さくなる周波数をコントロー
ルできるのではないかと考えた。その一つの方法として
検討した結果、リード線またはコネクタピンなどの伝送
線近傍に伝送線の幅より幅が広い導体層を形成すること
によって、伝送量が小さくなる周波数を変化させられる
ことが判明した。
【0022】この導体層は、金属板または金属膜であれ
ばよく、伝送線に絶縁層を介して存在していればよい。
そして伝送量が極小となる周波数を変化させるには、導
線と導体層の間の絶縁層の厚さと導体層の幅を変えれば
よいことが判明した。
【0023】またこの導体層には以下に示すようなこと
が要求される。コネクタピンまたはリードなどの導線
は、図3に示すように複数本からなり、信号線、グラン
ド線、電源線などに割り当てられる。導線近傍に絶縁層
を介して形成される導体層は、一つにつながっている
と、絶縁層が薄くなった場合、電源線とグランド線の間
で絶縁破壊を起こす可能性が出てくるので一つにつなが
っているのは好ましくない。少なくとも電源線付近の導
体層とグランド線付近の導体層は、電気的に分離されて
いる方がよい。そしてこの二つの導体層間の間隙は、絶
縁破壊を起こさない程度にあけておく必要がある。
【0024】なお、導体層は導線近傍にあればよく、零
電位またはある電源電位にしておく必要はなく、電気的
に浮いている状態、つまり電位が定まらない状態でよ
い。
【0025】このような実装構造とすることによって、
信号の伝送量が極小を示す周波数が変化する理由として
は、伝送線の周囲のキャパシタンスやイングクタンスが
変化したことによるものと考えられる。
【0026】そこで伝送線の周囲の導体層の配置を絶縁
層の厚さ、金属層の幅、長さに応じて調整して回路に発
生するノイズの周波数に一致させることにより、ノイズ
を伝送しないようにすることが可能となる。
【0027】なお絶縁層は絶縁性のものなら何でもよい
が、取り扱いの点から有機物が良い。導体層は、導電性
のものならよく、抵抗率の小さな金属がよい。そして本
発明に係るモジュール基板の実装構造、すなわち導線と
導体層の間に絶縁層が存在する実装構造は、伝送線の片
側だけでもよく、両側すなわち絶縁層を介して導線を導
体層ではさむようにしてもよい。
【0028】以上は回路的な工夫によって、ノイズを防
止する方法であるが、その他の方法として、ノイズの周
波数において吸収を示すような電波吸収材を伝送線の周
囲に配置してもよい。具体的には、コネクタのピンやワ
イヤボンディングのワイヤ部などの電気的接続部の周囲
に、樹脂中に分散した電波吸収材を充填すること、また
は有機物を絶縁材としたプリント板やセラミックを絶縁
材とした基板の絶縁材中に電波吸収材をフィラとして複
合化すればよい。
【0029】なお電波吸収材は、電界のエネルギを吸収
するような誘電体でも、磁界のエネルギを吸収するよう
な磁性体でもどちらでもよい。また電波吸収材は、ある
周波数の交流電流または交流電圧を一定量以上吸収する
ようなものであればよく、セラミックスや金属、有機物
など何でもよい。
【0030】またあるLSIの出力バッファから出され
た信号を、他のLSIの入力バッファで受けるような回
路で、終端抵抗を用いない場合には、出力バッファの出
力インピーダンスは低く、入力バッファの入力インピー
ダンスは高くなるようになる。このような伝送線にノイ
ズが乗った場合には、伝送線の出力バッファ側では、ノ
イズ電流が最大で、入力バッファ側では、ノイズ電圧が
最大となる。よってノイズを効果的に低減するには、ノ
イズ電流が大きな所では電流による磁界のエネルギを吸
収するような物質を配置し、ノイズ電圧が最大となる所
では電界のエネルギを吸収するような物質を配置した方
がよい。
【0031】ここでいうノイズとは、信号系に存在する
周波数成分の中で、情報伝達に不必要な周波数成分をい
い、伝送理論から信号系に発生する主要なノイズの周波
数fは、f=C/√(Er)×4/L×n(n=1,
3,5,・・・)となる。ここでCは真空中の光の速
度、Erは信号が伝送される信号線の周囲の媒質の比誘
電率、Lはノイズが発生している信号線において、ある
LSIの出力バッファから他のLSIの入力バッファま
での長さを示す。つまり、信号線に発生するノイズの主
成分は、回路の配線長さ等の実装構造によって決まるあ
る値となる。そしてこのノイズの周波数は、一般的な配
線では、数十MHz 〜数GHz となる。
【0032】LSI間のドライバ側からレシーバ側を見
た時の伝送線のインピーダンスは、終端抵抗等によって
完全に終端されて、反射波が生じない場合には、伝送線
の特性インピーダンスに等しい。
【0033】しかし終端抵抗がない場合や、終端抵抗が
伝送線の特性インピーダンスに一致していない場合に
は、インピーダンスの大きさの分布が不連続な部分で、
反射波を生じてしまう。そしてその反射波の影響でドラ
イバ側からレシーバ側を見た伝送線の定常状態でのイン
ピーダンスは周波数と共に変化する。このインピーダン
スの大きさの差が大きい場合には、インピーダンスが小
さくなったある特定な周波数において、ノイズが伝送線
の中に発生しやすくなる。よってドライバ側からレシー
バ側を見たインピーダンスの周波数に対する変化はでき
るだけ小さくなるようにする必要がある。
【0034】このインピーダンスの最小値は、通常、伝
送線の特性インピーダンスの1/2以下となるため、イ
ンピーダンスが最小となる周波数でのノイズ電流は、完
全に終端されたものに対して2倍以上伝送線に流れやす
くなる。よって完全に終端されたものと同じ程度にノイ
ズを抑制するには、インピーダンスが最小となり、ノイ
ズが発生しやすくなる周波数で、少なくとも伝送量を1
/2以下にするような実装構造とすればよい。または、
インピーダンスが最小になる原因が反射波によるもので
あるため、反射波を生じないようにする実装構造とすれ
ばよい。その一つには、例えば電波吸収材を利用して反
射波を生じないようにすればよい。
【0035】
【作用】電子計算機の信号線には、信号線のインピーダ
ンスの大きさの分布に不連続な部分が存在すること及び
電源線のイングクタンスに起因してノイズが発生する。
そして、信号線に発生する主要なノイズは信号線におけ
るインピーダンスの大きさの分布が不連続な部分で反射
を繰り返し、ある特定な周波数となる。この周波数は、
信号線の長さ、配線パターン、信号線の周囲の絶縁体の
誘電率によって決定される。
【0036】(1)そこで信号線のどこかにイングクタ
ンス及びキャパシタンス等で回路を形成し、発生してい
るノイズの周波数において、ノイズが信号線を通過しに
くいようにすることによりノイズを低減できる。
【0037】(2)また発生しているノイズの周波数に
おいて、ノイズを吸収する電波吸収材を信号線の周囲に
近接させることにより、ノイズを除去し、信号線に発生
しているノイズを低減できる。
【0038】(3)また発生しているノイズの周波数に
おいて、ノイズを吸収する電波吸収材と導線から終端構
造体を作り、LSIのレシーバ近傍に設置する。そして
ノイズの周波数における終端構造体の配線のインピーダ
ンスを信号線のインピーダンスに一致させることによ
り、LSIのレシーバからのノイズの反射がなくなり、
ノイズを低減することができる。
【0039】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。
【0040】〔実施例1〕まず電気回路的に本発明の原
理的な確認をした。コネクタの導線と導線の間に100
pFのチップコンデンサをリード線で接続した。導線の
片側は信号線に、もう一方はグランド線に相当する。こ
のコネクタについて、ベクトルネットワークアナライザ
を用いて伝送特性(SパラメータのS21)を測定した。
測定系は等価回路的には図2に示すようになる。ここで
リード線を含んだチップコンデンサの回路定数は、イン
グクタンスが10nH、電極抵抗は、0.05Ωであっ
た。図1に測定結果を示す。図1から判るように160
MHz の周波数で、図2に示す等価回路の1次側から
2次側への信号は、約1%に減衰した。
【0041】次にこのコネクタを100〜200MHz
のノイズが発生しているLSIパッケージのコネクタ
として適用した。このコネクタを用いることによって、
信号線に発生している100〜200MHz のノイズ
は、10%に低減できた。また基本周波数約30MHz
の信号波形は、ほとんど減衰していなかった。
【0042】本実施例では本発明の原理を確認するため
に、コネクタにチップコンデンサを接続したが、実際に
は量産性などの点で問題がある。この場合にはコネクタ
部分にチップコンデンサと電気的に同じ効果をもつよう
な構造を形成すればよい。つまり、信号線に発生してい
るノイズの主要な成分を伝送しないような構造とすれば
よい。
【0043】〔実施例2〕まずコネクタを用意する。コ
ネクタは図3に示すようにピッチが1.9mmで46本
並んでいて、その列を1列とすると4列並んでいるもの
である。コネクタピン3は、4列が樹脂で固定されてい
る。コネクタピン3の断面は0.5mm角である。この
コネクタの伝送特性を測定したところ、図2に示す等価
回路上で1次側から2次側への伝送量は、1.5GHz
において極小値を示し、約5%であった。
【0044】次に厚さ0.5mmのポリイミドフィルム
2をパラジウム処理した後にNiを1μm,Cuを4μ
mの厚さに無電解メッキで膜を形成した。そしてフォト
リソプロセスを用いてパターニングして、幅50μmの
溝を形成した。次にカップリング剤の蒸気中で処理した
後に、ポリイミドを塗布し、熱処理をして、10μm厚
さのポリイミド層を形成した。
【0045】次に上記で作製した導体層を形成したポリ
イミドフィルム2をコネクタピン3にシリコーン樹脂系
接着剤で接着し、図3に示すようなコネクタを作製し
た。
【0046】このコネクタの伝送特性を測定したとこ
ろ、1次側から2次側への伝送量は、1.5GHz 以
外に2.8GHz においても極小値を示した。2.8
GHzにおける1次側から2次側への伝送量は約5%で
あった。導体層を絶縁層を介して接着したこのコネクタ
を、2.8GHz のノイズが発生しているモジュール
に適用したところ、ノイズ量は100mVから5mVに
低減した。
【0047】〔実施例3〕実施例2と同様にして厚さ
0.2mmのポリイミドフィルムをパラジウム処理した
後に、Niを1μm、Auを2μmの厚さに無電解メッ
キで膜を形成した。そしてフォトリソプロセスを用いて
パターニングして、幅30μmの溝を形成した。
【0048】このようにして作製した導体層を長さ5m
mに切断し、図4に示すようにLSIパッケージ7のリ
ード部5にシリコーン樹脂系接着剤で接着した。
【0049】LSIのリード部分を通ったLSI側から
基板の配線への伝送量は、1GHzにおいて極小値を示
し約10%であった。この接続構造を用いることによっ
て、1GHz のノイズは約10%に低減した。
【0050】〔実施例4〕厚さ0.5mmのポリイミド
フィルム上に実施例2と同様にして、Niを0.5μm
メッキした後にCuを1μmメッキした。さらにフォト
リソプロセスを用いてパターニングした。パターニング
して形成した溝の幅は20μmであった。次にその上に
ポリイミドを0.5μm塗布した。作製した導体層は、
電気的に絶縁されており、ある特定の電位に接続されて
いない。
【0051】次にTAB方式に用いられるフィルムリー
ド8上に上記で作製したフィルム、つまり導体層を形成
したポリイミドフィルムを図5に示すようにポリイミド
系接着剤で接着した。TAB接続部分を通ったLSI側
から基板の配線への伝送量は予め、1GHz において
極小値を示し、約5%であった。この接続構造を用いる
ことによって、1.2GHz のノイズは約20%に低
減した。
【0052】〔実施例5〕以上の実施例は回路的な工夫
によって、ある周波数のノイズを伝送しないようにする
方法である。次に電波吸収材によってノイズを伝送しな
いようにする方法について検討した。電波吸収材は平均
粒径1μmのフェライト粉末を使用した。この粉末をエ
ポキシ系樹脂と混合して、実施例1で使用したコネクタ
に充填した。ここで使用したコネクタは、4列の伝送路
を固定するために図6のように樹脂で固定してある。し
かし伝送路の一部は露出しているため、その部分に充填
した。充填した概要を示したものが図6である。
【0053】このコネクタの伝送特性を測定した結果1
20MHz で最も高い吸収を示した。この吸収を示す
周波数は、フェライトの材料組成や添加量などによって
調整が可能である。この電波吸収材を伝送線まわりに配
置したコネクタを、LSIを実装しているプリント板と
プリント板の接続に用いた。
【0054】電波吸収材を適用しない場合には、100
〜150MHz のノイズが状態繊維がない信号線に発
生していたが、電波吸収材を用いたコネクタを適用する
ことにより、100〜150MHz のノイズは約20
%に低減した。
【0055】本実施例では、市販されているコネクタを
用いたため空隙部に電波吸収材を充填したが、コネクタ
の製造段階まで遡れば、コネクタの固定に用いている樹
脂4中に電波吸収材を添加するようにしてもよい。
【0056】〔実施例6〕ワイヤーボンディング法を用
いて、LSIを実装しているモジュール基板を用意し
た。このモジュール基板の信号線には約200MHz
のノイズが発生していた。このノイズは、ドライバの出
力バッファから出された信号が、レシーバ側の入力バッ
ファに達した時、レシーバ側の入力インピーダンスが、
伝送線の特性インピーダンスと一致しないことによっ
て、反射が起こるために発生するものである。そこで、
この反射波を生じないようにするために、ワイヤーボン
ディング周辺に電波吸収材を配置した。
【0057】電波吸収材は、実施例5で使用した平均粒
径1μmのフェライト粉末をシリコーンゲル中に分散し
たものを用いた。次にこの混合物をワイヤボンディング
24のワイヤ部へ充填した。このモジュールの実装構造
の概要を図7に示す。
【0058】CPUの論理LSIとRAMは、アルミ板
16上に接着剤で接着してある。またアルミ板16上に
はCuを配線導体とし、ポリイミドを絶縁体とした薄膜
多層回路13が形成されている。信号線に発生している
約300MHz のノイズは、40%に低減して計算機
は誤動作を起こさないようになった。
【0059】信号波形をフーリエ級数展開して得られる
周波数成分は、150MHz にピークを有している。
【0060】これに対してノイズの主要成分は約300
MHz である。そして本実施例で適用したフェライト
粉末とシリコーンゲルの混合物は約300MHz に吸
収ピークを有するものである。よって、信号成分を余り
減衰させることなしにノイズ成分のみを除去することが
可能となる。
【0061】〔実施例7〕プリント板にLSI7や冷却
フィン17等を実装して、モジュールを作製した。モジ
ュール基板は、図8に示すように内部に配線がなされた
多層プリント板の中央部に穴があけられており、LSI
チップ7が冷却フィン17に接着されている。 また、
LSIとプリント板は、ワイヤボンディング24で電気
的接続がされている。プリント板と他のプリント板12
の接続は、コネクタ15を用いている。 次にワイヤボ
ンディング部24に実施例6で使用したフェライト粉末
を添加したシリコーンゲルを充填した。
【0062】このようにフェライト粉末を分散したシリ
コーンゲルを充填することにより、モジュールに発生し
ている300MHz のノイズは、約30%に低減でき
た。
【0063】〔実施例8〕レジン中にフェライト粉末を
混合してプリント板を作製した。次にこのプリント板に
メッキプロセス等の一般的方法で配線を形成し、多層プ
リント板を作製した。
【0064】次にこのプリント板を用いて実施例7で作
製したものと同様にしてモジュールを制作した。このプ
リント板を使用することにより、モジュールに発生して
いる400MHz のノイズは約10%に低減できた。
【0065】〔実施例9〕一般に市販されている平均粒
径5μmのホウケイ酸ガラス粉と平均粒径5μmのフェ
ライト粉末をガラス粉末80重量%、フェライト粉末2
0重量%の混合比で配合した。この粉末100重量部に
アクリル系の水溶性バインダ20重量部、分散剤1〜2
重量部、蒸留水100重量部を加え、ボールミルで24
時間、湿式混合してスラリーを作る。
【0066】次に真空脱気処理により適当な粘度に調整
する。次にこのスラリーをドクターブレードを用いてシ
リコーンコートしたポリエステルフィルム上に0.5m
m厚さに塗布し、その後乾燥してグリーンシートを作製
した。次にグリーンシートに100μmφの穴をあけ、
銀ペーストを埋め込んだ。
【0067】更にこのグリーンシートに銀ペーストでラ
イン配線及び表面パターンを印刷した。使用した銀ペー
ストは有機物を除いた成分の95%以上が銀である一般
の銀ペーストである。
【0068】次に作製したグリーンシートを30層、積
層した後、熱間プレスにより圧着した、圧着条件は、温
度120℃、圧力は30〜50kgf/mm2である。
このようにして作製した積層板を、バインダ抜きのため
100℃/h以下の昇温速度で昇温し、900℃で1時
間、焼成した。雰囲気は大気中である。
【0069】更に薄膜多層回路13を積層し、LSIを
接続してモジュールを作製した。モジュールの概要を図
9に示す。
【0070】ガラスセラミックスのフィラとしてフェラ
イトを用いているため伝送線に発生している150MH
z のノイズをフェライトが吸収し、ノイズ量は約50
%に低減した。
【0071】〔実施例10〕セラミックス原料として平
均粒径1μmのAl2 O3 粉末99重量%とMg0粉末
1重量%の混合化の原料粉末100重量部に、アクリル
系の水溶性バインダ20重量部、分散剤1〜2重量部、
蒸留水100重量部を加えボールミルで24時間、湿式
混合してスラリーを作る。
【0072】次に真空脱気処理により適当な粘度に調整
する。次にそのスラリーをドクターブレードを用いてシ
リコーンコートしたポリエステルフィルム上に1mm厚
さに塗布し、その後乾燥してグリーンシートを作製し
た。
【0073】次にグリーンシートに100μmφの穴を
あけ、タングステンペーストを埋め込んだ。使用したタ
ングステンペーストは、有機物を除いた成分の95%以
上がタングステンである一般のタングステンペーストで
ある。
【0074】更に、作製したグリーンシートを4層、積
層した後、熱間プレスにより圧着した。圧着条件は温度
120℃、圧力は30〜50kgf/mm2である。こ
のようにして作製した積層板をバインダ抜きのため10
0℃/h以下の昇温速度で昇温し1600℃で1時間、
焼成した。雰囲気は水蒸気を含んだ窒素中である。
【0075】次に作製したアルミナ基板上に銅導体をメ
タライズし、アルミをメッキして、Ta25をスパッタ
した。更にTa25をパターニングした後にアルミをス
パッタして電極とし、薄膜コンデンサ28を形成した。
【0076】更にゾルゲル法で作製した平均粒径0.1
μmのフェライト粉末をフィラとして樹脂の中に50重
量%添加してシート化した。そしてそのシートに通常の
プロセスで配線を形成し、アルミナ基板18上に圧着し
た。次にフィラを含まずに有機系シート26を作製し
た。そして、その有機系シートにビアホール及び配線を
形成し、接着シートを介して圧着し、積層した。
【0077】更にLSIチップ7と冷却フィン17を接
続して図10のモジュールを作製した。また上記と同様
にして図11のモジュールを作製した。フェライトをフ
ィラとして含んだ有機絶縁層を設けたことにより、この
層でノイズが吸収されるため、多層板中の350MHz
のノイズは、約50%に減少した。
【0078】図14に電気回路的に本実施例の原理を示
す。つまり、ドライバ35としレシーバ36を接続する
伝送線の周囲に電波吸収材を含む絶縁材が近接している
構造となっている。
【0079】〔実施例11〕実施例10と同様にアルミ
ナのグリーンシートに穴をあけ、タングステンペースト
を埋め込んだ。更にタングステンペーストでグランド層
を印刷し、焼成してアルミナ基板18を作製した。
【0080】次にゾルゲル法で作製した平均粒径0.1
μmのペロブスカイト型結晶構造を有する誘電体粉末3
0重量%と平均粒径0.1μmのフェライト系磁性体粉
末30重量%をフィラとして樹脂の中に添加してシート
化した。そのシートに通常のフォトリソグラフィープロ
セスで配線を形成した。そのシートをアルミナ基板上に
接着シートを介して接着し、終端構造体とした。
【0081】次に実施例10と同様にフィラを含まない
有機系シート26を作製した。更に通常のフォトリソグ
ラフィープロセスで配線を形成して信号配線を形成し
た。そして接着シートを介して基板に圧着した。
【0082】次に圧着した有機系シートにビアホール2
5を形成し、終端構造体と電気的に接続した。更に上記
と同様にLSI7を接着し、ワイヤボンディングで基板
の配線と接続した。図15に電気回路的な接続状況を示
す。つまり、有機系シート上の信号配線は、LSIのレ
シーバ35に接続されている。
【0083】更に終端構造体40上の配線は、信号配線
に電気的に並列に接続されている。終端構造体40上の
配線のインピーダンスは、低周波では高いインピーダン
ス特性を有する。しかし高周波ではある特定の値の特性
インピーダンスとなる。また終端構造体40上の配線を
伝わる信号またはノイズ波形の減衰も比較的大きい。図
15の構成で終端構造体40の配線の特性インピーダン
スZ2の大きさは、10MHz 〜1GHz で信号配線
の特性インピーダンスZ1とほぼ同じ50Ωであった。
【0084】終端構造体40を設けたことにより、レシ
ーバ部における反射が少なくなった。そして信号配線上
に反射される反射波が少なくなったことで、LSIのド
ライバ35から見た配線のインピーダンスは、ほぼ一定
となった。信号及びノイズの周波数において、ドライバ
側から見たインピーダンスがほぼ一定となったことで、
反射をくり返すことによって発生ノイズは、約50%に
低減した。
【0085】〔実施例12〕平均粒径1μmのフェライ
ト粉末とエポキシ樹脂からなる混合物を作製した。次に
図12に示すようにフリップチップ接続20により基板
に接続されているパッケージに充填した。発生している
ノイズ量は、この混合物を充填することにより、約50
0MHz のノイズは約20%に低減した。LSI近傍
のノイズ電流が大きい箇所に、磁界のエネルギを吸収す
るタイプの電波吸収材を配置することにより、電波吸収
材の量に対する効果は最も大きかった。
【0086】〔実施例13〕電波吸収材としてフェライ
ト粉末を使用した。平均粒径1μmのフェライト粉末と
エポキシ樹脂を混合し厚さ2mmのシート34とした。
【0087】次にこのシートにドリルを用いて、モジュ
ール基板のピンを通すための直径0.3mmの穴をあけ
た。次にこの穴をあけたシートを図13に示すように、
セラミック多層回路基板のピン23に通した。
【0088】作製したシート34は、約300MHz
のノイズを吸収した。このシート34を用いることによ
り、信号線に発生するノイズは40%に低減した。
【0089】〔実施例14〕電子計算機の信号線に発生
しているノイズの周波数(約100MHz )におい
て、最も吸収が大きいノイズフィルタを信号線上にはん
だで接着した。ノイズフィルタの使用により、信号線上
のノイズは約30%に低減した。
【0090】信号線に発生するノイズが大きくなると、
ノイズと信号の区別がつかなくなり、計算機が正常に動
作できなくなる。そこで本実施例では回路的工夫または
電波吸収材の使用により、信号線に発生しているノイズ
を低減した。
【0091】一般的にノイズは、信号の立上がり時間を
小さくしたり、LSI内の回路の同時切替本数を多くす
ればするほど大きくなる。そしてこのノイズは、ある許
容レベル以下にしなければならない。つまりノイズを低
減できれば、立上がり時間を小さくしたり、同時切替本
数を増加させることができるため、演算速度の高速化が
達成できる。
【0092】
【発明の効果】以上に説明したように本発明によれば、
電子計算機を構成するモジュール基板にノイズの周波数
成分のみを回路的に伝送させないように構成し、または
上記モジュール基板の信号線等の導線近傍に電波吸収材
を設けることにより、発生しているノイズの周波数と信
号線上を波形が伝播しにくくなる周波数を合わせるよう
にしたので、電子計算機の信号線のインピーダンスに不
連続な部分があることによる影響と電源のイングクタン
スの影響で発生する同時切替ノイズを低減することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図1】周波数と信号線上の波形の伝送量の関係を示す
特性図である。
【図2】信号線上のノイズを伝送させないようにする回
路モデルを示す図である。
【図3】金属層の設置により特定周波数のノイズを伝送
しないようにしたコネクタの概要図である。
【図4】導体層の設置により、特定周波数のノイズを伝
送しないようにしたLSIパッケージの概要図である。
【図5】導体層の設置により、特定周波数のノイズを伝
送しないようにしたTAB接続部の概要図である。
【図6】電波吸収材の使用により、特定周波数のノイズ
を伝送しないようにしたコネクタの概要図である。
【図7】電波吸収材をワイヤボンディング部に使用する
ことにより、特定周波数のノイズを伝送しないようにし
たモジュールの概要図である。
【図8】電波吸収材をワイヤボンディング部に使用する
ことにより、特定周波数のノイズを伝送しないようにし
たモジュールの概要図である。
【図9】セラミック多層回路基板のフィラとして電波吸
収材を使用したモジュールの概要図である。
【図10】有機系薄膜多層回路基板の有機シートのフィ
ラとして電波吸収材を使用したモジュールの概要図であ
る。
【図11】有機系薄膜多層回路基板の有機シートのフィ
ラとして電波吸収材を使用したモジュールの概要図であ
る。
【図12】フリップチップ接続部の周囲に電波吸収材を
充填したモジュールの概要図である。
【図13】セラミック多層回路基板の電気信号入出力用
のピンの周囲に電波吸収材をフィラとした有機系シート
を設けたモジュールの概要図である。
【図14】信号線のノイズを電波吸収材で吸収する方法
の原理図である。
【図15】レシーバ近くに設置した終端構造体の原理図
である。
【符号の説明】
1 金属層 2 ポリイミドフィルム 3 コネクタピン 4 固定用樹脂 5 パッケージリード 6 基板 7 LSI 8 フィルムリード 9 シリコーン樹脂 10 フェライト粉末 11 電波吸収体 12 プリント板 13 薄膜多層回路 14 エポキシ樹脂 15 コネクタ 16 アルミ板 17 冷却フィン 18 アルミナ基板 19 はんだ 20 フリップチップ接続 22 セラミック多層回路基板 23 電気信号入出力用ピン 24 ワイヤボンディング 25 ビアホール 26 有機系シート 27 フェライト添加薄膜シート 28 薄膜コンデンサ 29 メッシュ状冷却フィン 30 キャリア基板 31 スルーホール 32 配線導体 33 導体層 34 電波吸収材添加シート 35 ドライバ 36 レシーバ 37 配線 38 グランド層 39 伝送線 40 終端構造体 41 シリコーン樹脂
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H05K 9/00 M (72)発明者 井上 雅雄 神奈川県海老名市下今泉810番地 株式会 社日立製作所オフィスシステム事業部内 (72)発明者 大場 隆夫 神奈川県秦野市堀山下1番地 株式会社日 立製作所汎用コンピュータ事業部内

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 LSIのドライバから信号波形を出力
    し、LSIのレシーバで信号波形を受けて情報伝達をす
    る電子計算機の信号伝送系を構成するモジュール基板に
    おいて、信号またはノイズ波形の伝送量をドライバの出
    力エネルギに対するレシーバ入力エネルギとすると、情
    報伝達に必要な信号波形の伝送量をA、情報伝達に不必
    要なある特定周波数のノイズ波形の伝送量をBとする場
    合、信号の伝送量に対するノイズの伝送量の比:B/A
    が50%以下であることを特徴とする電子計算機用モジ
    ュール基板。
  2. 【請求項2】 信号波形をフーリエ級数展開して得られ
    る成分の主要な成分の伝送量をA、ノイズ波形をフーリ
    エ級数展開して得られる成分の主要な成分の伝送量をB
    とすると伝送量に対するノイズの伝送量の比:B/Aが
    50%以下であることを特徴とする請求項1に記載の電
    子計算機用モジュール基板。
  3. 【請求項3】 LSIのドライバから信号波形を出力
    し、LSIのレシーバで信号波形を受けて情報伝達をす
    る電子計算機の信号伝送系を構成するモジュール基板に
    おいて、伝送量をドライバの出力エネルギに対するレシ
    ーバの入力エネルギとすると、10MHz 〜10GH
    z の周波数の範囲で、最大伝送量に対する最小伝送量
    の比が、50%以下であることを特徴とする電子計算機
    用モジュール基板。
  4. 【請求項4】 LSIのドライバから信号波形を出力
    し、LSIのレシーバで信号波形を受けて情報伝達をす
    る電子計算機の信号伝送系を構成するモジュール基板に
    おいて、ドライバ側からレシーバ側を見た時の伝送線の
    インピーダンスの最大値(Zmax)に対する最小値(Zm
    in)の比(Zmin/Zmax )が、10MHz 〜10GH
    z の範囲で0.5以上で有ることを特徴とする電子計
    算機用モジュール基板。
  5. 【請求項5】 ノイズの周波数が10MHz 〜10G
    Hz であることを特徴とする請求項1に記載の電子計
    算機用モジュール基板。
  6. 【請求項6】 電気回路的にノイズを伝送しないように
    する構造を、伝送系内に設けることを特徴とした請求項
    1に記載の電子計算機用モジュール基板。
  7. 【請求項7】 ノイズの伝送量を小さくする構造が、コ
    ネクタ、リード、ピン、フリップチップ接続部などの電
    子部品と、電子部品の電気的接続部、または基板に設け
    られたことを特徴とする請求項1に記載の電子計算機用
    モジュール基板。
  8. 【請求項8】 ノイズの伝送量を小さくする構造が、コ
    ネクタ、リードなどの電気的接続部の近傍に有機物を介
    して金属を近接させた構造であることを特徴とする請求
    項1に記載の電子計算機。
  9. 【請求項9】 ノイズの伝送量を小さくする方法とし
    て、ノイズの周波数において、ノイズを吸収する電波吸
    収材を含む絶縁材が、部品と部品の電気的接続部または
    基板の伝送路に近接して設けられていることを特徴とす
    る請求項1に記載の電子計算機用モジュール基板。
  10. 【請求項10】 LSIのドライバから信号波形を出力
    し、LSIのレシーバで信号波形を受けて情報伝達をす
    る電子計算機の信号伝送系において、レシーバ近傍の信
    号線と並列に、電波吸収材を含む絶縁材から構成された
    終端構造体が形成されていることを特徴とする電子計算
    機用モジュール基板。
  11. 【請求項11】 電波吸収材を含む絶縁材と伝送部から
    なる回路の特性インピーダンスが10MHz 〜1GH
    z において伝送路の特性インピーダンスにほぼ一致す
    るように構成したことを特徴とする請求項9または請求
    項10のいずれかに記載の電子計算機用モジュール基
    板。
  12. 【請求項12】 信号またはノイズ波形の吸収量をドラ
    イバの出力エネルギに対する電波吸収材の吸収エネルギ
    とすると、信号波形の吸収量をC、ノイズ波形の吸収量
    をDとした場合、ノイズ波形と信号波形の吸収量の比:
    C/Dが50%以下であることを特徴とする請求項9ま
    たは請求項10のいずれかに記載の電子計算機用モジュ
    ール基板。
  13. 【請求項13】 電波吸収材は磁性体であることを特徴
    とする請求項9または請求項10のいずれかに記載の電
    子計算機用モジュール基板。
  14. 【請求項14】 電波吸収材はフェライト系材料または
    ペロブスカイト型結晶構造を有する材料を含むことを特
    徴とする請求項9または請求項10のいずれかに記載の
    電子計算機用モジュール基板。
  15. 【請求項15】 コネクタピンより幅が広い導体層が絶
    縁材を介して形成され、前記導体層は同一層内で複数個
    に分割され、電気的に絶縁されている構造を有するコネ
    クタ。
  16. 【請求項16】 電波吸収材と有機物からなる絶縁材
    が、コネクタピンに近接している構造を有するコネク
    タ。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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