JPH07296338A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 高い再生出力を維持し、かつＭＲ素子の摩
耗、汚染・腐食並びに放電破壊を防止して高い信頼性を
図り、記録媒体の高密度記録化を促進させる。 【構成】 磁気抵抗効果素子３と、磁気記録媒体からの
磁束を引き込む導磁路を構成する薄膜（下部磁性層５）
を有する薄膜磁気ヘッドにおいて、導磁路を構成する薄
膜５の膜面に磁気抵抗効果素子３の膜面を膜厚方向に１
ｎｍ以上１００ｎｍ以下に近接し、配置して構成する。
そして、導磁路を構成する薄膜５中、磁気抵抗効果素子
３と重なる部分の近傍に段差ｈを設ける。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は磁気ディスク装置や磁気
テープ装置等に対して情報信号の記録再生、及びトラッ
キング信号の再生を行なう磁気記録再生装置のための薄
膜磁気ヘッドに関する。

【０００２】

【従来の技術】長手磁気記録方式に比べて原理的により
高密度での記録が可能な方式として、垂直磁気記録方式
の研究が長年にわたり行なわれてきており、６００ｋＦ
ＣＩ（Flux Change per Inch）を超える密度で記録がで
きることが確認されている。

【０００３】しかし、一方でこの方式においては記録媒
体からの漏洩磁界が小さく、再生感度が得難いという問
題がある。しかもこの傾向は浮上方式をとるため非接触
再生を行なうハードディスク装置等では特に顕著であ
り、垂直磁気記録方式を実用化するためには高い再生感
度が必要となる。

【０００４】このような目的で、垂直磁気記録を行う磁
性層とその背面側に高透磁率層とが積層された２層膜媒
体を用いて、単磁極ヘッドの主磁極に補助磁極を並列配
置して、この補助磁極により磁性層の後方の高透磁率層
とによって閉磁路を形成する方式が検討されており、例
えば“Journal of the Magnetic Society of JapanVol.
15 Supplement,No.S2(1991),pp875-880 ”にみられるよ
うな発表例があるが、十分な再生レベルは得られていな
い。

【０００５】この場合、図１３にその一例を示すよう
に、例えば非磁性基板１０１上に、Ａｌ₂ Ｏ₃ 等の下地
層１０２を介して主磁極１０３が形成され、その一部が
膜厚を大とされてこの増厚部１０４において透磁率を高
められ、この上に絶縁層１０５を介してコイル導体１０
６がパターニング形成され、更に絶縁層１０５を介して
閉磁路を構成する上部磁性層１０７がその一部を主磁極
１０３に接続されて設けられ、更に磁気記録媒体との対
向面ａが研磨等により形成されて、主磁極１０３がこの
対向面ａに露出するように設けられて構成される。

【０００６】一方、再生ヘッドにおいては、より再生感
度を高める手段として磁気抵抗効果（ＭＲ）素子を用い
ることが考えられる。例えば長手記録を前提としたもの
として主として“IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS,vo
l.24,No.6,Nov.(1988),pp2612-2614 ”に記載されてい
るようなシールド型ヘッドと、「応用磁気学会磁気記録
研究会試料MR84-44,pp19-24 」に見られるようなヨーク
型ヘッドの２つの形式があり、これらに対応する構造を
垂直磁気記録用に適用した例として、例えば特開昭６２
−１４５７１８号公報、特開平２−１２８３１２号公
報、特開平３−１７１４１０号公報等がある。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の例では、ＭＲ素子の配置等によっては十分なＭＲ感度
を得難いとか、また記録効率を損なうおそれがあり、更
にまた上述したように垂直磁気記録に特有の２層膜媒体
の高透磁率層とヘッドとの間で閉磁路を形成して記録効
率を高めるという効果を得にくくなってしまう。

【０００８】即ち、例えばシールド型ヘッドにＭＲ素子
を組み込む例としては、図１４にその一例の略線的拡大
断面図を示すように、非磁性基板１０１上にＡｌ₂ Ｏ₃
等の下地層１０２を介して対の磁性層より成るシールド
１１１Ａ及び１１１Ｂを、その間にＭＲ素子１１２を絶
縁層１１３を介して設け、更に一方のシールド１１１Ｂ
上に、その膜厚部１０４、コイル導体１０６、上部磁性
層１０７を上述の図１３に示す例と同様の構成をもって
形成して、媒体との対向面ａにＭＲ素子１１２及び記録
用磁気ヘッドの主磁極となる一方のシールド１１１Ｂと
が露出するように構成される。

【０００９】この場合、ＭＲ素子１１２が媒体との対向
面ａの近傍に配置されているため高い感度が得られるも
のの、このＭＲ素子１１２の先端部が対向面ａに露出し
ているため、摩耗や汚染・腐食等により特性が変動する
おそれがあり、また、磁気記録媒体の表面の帯電に起因
するＭＲ素子１１２の放電破壊を引き起こすという心配
もあった。

【００１０】本発明は、このような課題に鑑みてなされ
たもので、その目的とするところは、高い再生出力を維
持し、かつＭＲ素子の摩耗、汚染・腐食並びに放電破壊
を防止して、高い信頼性を図るとともに、記録媒体の高
密度記録化を促進させることができる薄膜磁気ヘッドを
提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明は、図１にその一
例を示すように、磁気抵抗効果素子３と、磁気記録媒体
からの磁束を引き込む導磁路を構成する薄膜（下部磁性
層５）を有する薄膜磁気ヘッドにおいて、導磁路を構成
する薄膜５の膜面に磁気抵抗効果素子３の膜面を膜厚方
向に１ｎｍ以上１００ｎｍ以下に近接し、配置して構成
する。

【００１２】この場合、上記導磁路を構成する薄膜５
中、磁気抵抗効果素子３と重なる部分５ａあるいはその
一部５ｂを後処理によって非磁性化あるいは硬質化させ
てもよいし、上記導磁路を構成する薄膜５中、磁気抵抗
効果素子３と重なる部分の近傍に段差ｈを設けるように
してもよい。

【００１３】また、上記構成において、例えば図５に示
すように、導磁路を構成する薄膜５を単磁極型としても
よいし、図６に示すように、該導磁路を構成する薄膜５
中、磁気抵抗効果素子３と近接して配置された部分を、
磁気抵抗効果素子３の感磁部の膜面にほぼ平行とし、か
つ導磁路を構成する薄膜５の膜厚方向両側に磁気シール
ド層（１２及び２１）を配置して構成してもよい。

【００１４】また、上記構成において、磁気抵抗効果素
子３に近接して配置された導磁路を構成する薄膜５にて
リング型磁気コアの一部を構成させ、その磁気ギャップ
ｇを再生ギャップとするようにしてもよい。この場合、
上記リング型磁気コアの磁気ギャップｇを記録再生兼用
のギャップとし、リング型磁気コアにコイル３２を巻回
して構成するようにしてもよい。

【００１５】

【作用】本発明に係る薄膜磁気ヘッドにおいては、磁気
記録媒体からの磁束が導磁路を構成する薄膜５によって
引き込まれることになる。この引き込まれた磁束は、導
磁路を構成する薄膜５に近接して配置された磁気抵抗効
果素子（以下、単にＭＲ素子と記す）３に漏洩し、この
漏洩磁束が該ＭＲ素子３によって検出され、ＭＲ素子３
自体の電気抵抗が変化することになる。そして、例えば
センス電流が供給されているＭＲ素子３の端子間電圧が
上記漏洩磁束によるＭＲ素子３自体の抵抗変化によって
変化し、これによって、磁気記録媒体に記録された磁化
情報が端子間電圧の変化として電気的に検出されること
になる。

【００１６】このように、磁気記録媒体からの磁束を引
き込む導磁路を設け、この導磁路からの漏洩磁束をＭＲ
素子３にて検出するようにしたので、ＭＲ素子３を磁気
記録媒体との対向面ａに露出させなくとも、十分に磁気
記録媒体からの磁束を導磁路を通じて検出することが可
能となる。その結果、摩耗や汚染・腐食等により特性が
変動するおそれはなくなり、また、磁気記録媒体の表面
の帯電に起因するＭＲ素子３の放電破壊を引き起こすと
いう心配もない。

【００１７】特に、この発明においては、導磁路を構成
する薄膜５の膜面に磁気抵抗効果素子３の膜面を膜厚方
向に１ｎｍ以上１００ｎｍ以下に近接し、配置するよう
にしているため、ＭＲ素子３と導磁路を構成する薄膜５
間の電気的絶縁性が十分にとれ、かつ導磁路を構成する
薄膜５からＭＲ素子３への磁束の漏洩が効率よく行なわ
れることになる。

【００１８】そして、上記導磁路を構成する薄膜５中、
磁気抵抗効果素子３と重なる部分５ａあるいはその一部
５ｂを後処理によって非磁性化あるいは硬質化した場合
においては、その非磁性化あるいは硬質化された部分５
ａあるいは５ｂの磁気抵抗が高くなり、該部分５ａある
いは５ｂの透磁率が低下することになる。この透磁率の
低下によって、導磁路を構成する薄膜５から磁気抵抗の
低いＭＲ素子３への磁束の漏洩量が多くなる。これは、
磁気抵抗効果素子３と重なる部分５ａあるいはその一部
５ｂを後処理によって非磁性化あるいは硬質化すること
により、ＭＲ素子３への磁束の漏洩量を制御できること
につながり、ＭＲ素子３の抵抗−磁界（Ｒ−Ｈ）特性
上、不感帯領域を避けて、磁界変化に対する抵抗変化が
最も高い範囲（線形状に変化する範囲）を選ぶことが可
能となる。これによって、磁気記録媒体に記録された磁
化情報を高感度に検出することができ、ＭＲ素子３を備
えた磁気ヘッドの特性向上を図ることが可能となる。

【００１９】また、上記構成において、上記導磁路を構
成する薄膜５中、磁気抵抗効果素子３と重なる部分５ａ
の近傍に段差ｈを設けた場合においては、その段差部分
５ａにおいて磁気抵抗が高くなり、該部分５ａの透磁率
が低下することになる。その結果、上記非磁性化あるい
は硬質化した場合と同様に、段差部分５ａにおける透磁
率の低下によって、導磁路を構成する薄膜５から磁気抵
抗の低いＭＲ素子３への磁束の漏洩量が増加し、ＭＲ素
子３への磁束の漏洩量を制御できることになる。これに
よって、ＭＲ素子３の抵抗−磁界（Ｒ−Ｈ）特性上、不
感帯領域を避けて、磁界変化に対する抵抗変化が最も高
い範囲（線形状に変化する範囲）を選ぶことが可能とな
り、磁気記録媒体に記録された磁化情報を高感度に検出
することができ、ＭＲ素子３を備えた磁気ヘッドの特性
向上を図ることが可能となる。

【００２０】なお、本発明の具体的な構成例は以下の各
実施例及び変形例において詳細に説明するが、本発明
は、これら各実施例及び変形例に限定されるものではな
く、その他種々の材料構成を採り得ることはいうまでも
ない。

【００２１】

【実施例】以下、本発明に係る薄膜磁気ヘッドを磁気抵
抗効果型再生ヘッドに適用した実施例（以下、単に第１
実施例に係る薄膜磁気ヘッドと記す）について図１〜図
１２を参照しながら説明する。

【００２２】この第１実施例に係る薄膜磁気ヘッドは、
図１に示すように、Ａｌ₂ Ｏ₃ −ＴｉＯ₃ 等の非磁性基
板１上に、例えばＡｌ₂ Ｏ₃ 等よりなる下地層２を介し
て例えばＦｅ−Ｎｉ合金等よりなるＭＲ素子３が積層形
成され、更にこのＭＲ素子３上に例えばＡｌ₂ Ｏ₃ 等よ
りなる絶縁層４を介して例えばＦｅ−Ｎｉ等よりなり、
かつ導磁路を構成する下部磁性層５がＭＲ素子３と互い
に略平行に膜厚方向に重なる部分をもって配置され、こ
の下部磁性層５とＭＲ素子３との間隔が絶縁層４の膜厚
を制御することにより、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下程度
として構成される。なお、上記下地層２は、非磁性基板
１の平滑性を高め、その上に形成されるＭＲ素子３の磁
気的特性を損なわないように形成されるものである。

【００２３】そして、この第１実施例においては、ＭＲ
素子３を、その長手方向が磁気記録媒体との対向面（以
下、単に対向面と記す）ａと平行となるように、横方向
に形成し、いずれの端面も摺動面に露出させないかた
ち、即ち奥行き方向における所定の箇所に埋め込むかた
ちとする。

【００２４】また、図２にも示すように、下部磁性層５
のＭＲ素子３と膜厚方向に重なる部分において段差ｈが
形成されて、該重なる部分５ａがＭＲ素子３を跨いでこ
れとは異なる平面上に配置されたかたちとなり、ＭＲ素
子３と重なる部分５ａ以外は、ＭＲ素子３とほぼ同一平
面上に設けられた構成となっている。

【００２５】そして、上記下部磁性層５中、ＭＲ素子３
と重なる部分５ａの後方に該下部磁性層５の磁気抵抗を
低下させるための例えばＦｅ−Ｎｉ合金等よりなる導磁
路増厚部６が形成され、更にこの上に例えばＡｌ₂ Ｏ₃
等よりなる絶縁層７を介して例えばＦｅ−Ｎｉ合金等よ
りなる上部磁性層８が形成され、この上部磁性層８上に
例えばＡｌ₂ Ｏ₃ 等よりなる保護層９が形成されて構成
されている。

【００２６】この第１実施例に係る薄膜磁気ヘッドにお
いては、上部磁性層８、導磁路増厚部６及び下部磁性層
５にてリング型磁気コアが構成される。

【００２７】次に、上記第１実施例に係る薄膜磁気ヘッ
ドの構成を製造過程に基づいて詳細に説明する。

【００２８】まず、Ａｌ₂ Ｏ₃ −ＴｉＯ₃ よりなる非磁
性基板１上にＡｌ₂ Ｏ₃ よりなる下地層２を介して３つ
の膜、具体的には、Ｆｅ−Ｎｉ（これに限らず磁気抵抗
効果を示す金属であればよい）、Ｍｏ（これに限らず非
磁性金属であればよい）及びＣｏＺｒＰｄ（これに限ら
ず軟磁性金属であればよい）をそれぞれ厚み４５ｎｍ、
６０ｎｍ及び４５ｎｍほど磁場中蒸着あるいは磁場中ス
パッタ等の方法により例えばトラック幅方向に磁気異方
性を付与して順次成膜し、その後、この積層膜を所定形
状、例えば平面短冊形状に例えばイオンエッチング等に
より一体にパターニングして、上記積層膜によるＭＲ素
子３を形成する。

【００２９】その後、図３に示すように、ＭＲ素子３の
両端部分に非磁性金属膜による電極１０ａ及び１０ｂを
例えばスパッタ法等によって被着形成する。

【００３０】その後、上記ＭＲ素子３を含む全面にＡｌ
₂ Ｏ₃ （これに限らず電気的絶縁材であればよい）より
なる絶縁層４を例えばスパッタ法により厚み約３００ｎ
ｍほど成膜する。この場合、該絶縁層４の膜厚の許容範
囲としては、５０〜５００ｎｍとすることが好ましい。
その理由は、５０ｎｍ未満では上記ＭＲ素子とその後に
形成される下部磁性層（導磁路）５との電気的絶縁が十
分にとれなくなるという問題が生じ、反対に５００ｎｍ
以上では、下部磁性層５からＭＲ素子３への磁束の漏洩
が十分でなくなる可能性があるからである。

【００３１】上記絶縁層４の成膜後の厚みは、下層の下
地層２上では３００ｎｍとなるが、ＭＲ素子３上では、
成膜時の熱とＭＲ素子３による段差によって約５０ｎｍ
程度となる。ここで、絶縁層４の厚みを５０ｎｍ〜５０
０ｎｍとした場合、ＭＲ素子３に実際に成膜される絶縁
層４の厚みは、１ｎｍ〜１００ｎｍとなる。

【００３２】また、上記絶縁層４の成膜によって、ＭＲ
素子３が形成されていない部分とＭＲ素子３が形成され
た部分とで段差が生じる（図２参照）。

【００３３】その後、上記絶縁層４上にＦｅ−Ｎｉ膜
（これに限らず軟磁性金属膜であればよい）５をスパッ
タ法により厚み約３００ｎｍほど成膜し、その後、この
Ｆｅ−Ｎｉ膜５を、図３に示すように、所定形状、例え
ばその長手方向が下層のＭＲ素子３と直交する帯状に例
えばイオンエッチング等によりパターニングして、Ｆｅ
−Ｎｉ膜５による下部磁性層（導磁路）を形成する。

【００３４】このとき、ＭＲ素子３と下部磁性層５との
間隔は、ＭＲ素子３上の絶縁層４の厚み分、即ち５０ｎ
ｍ程度となる。もちろん絶縁層４を厚み５０ｎｍ〜５０
０ｎｍの範囲で形成した場合は、ＭＲ素子３と下部磁性
層５との間隔は、１ｎｍ〜１００ｎｍとなる。

【００３５】また、ＭＲ素子３上に形成された絶縁層４
において、ＭＲ素子３が形成されている部分と、ＭＲ素
子３が形成されていない部分とで段差が形成されている
ことから、この下部磁性層５においてもＭＲ素子３が形
成されている部分５ａと、ＭＲ素子３が形成されていな
い部分とで同様の高さを有する段差ｈが形成されること
になる。

【００３６】その後、下部磁性層５を含む全面に、Ｆｅ
−Ｎｉ膜（これに限らず軟磁性金属膜であればよい）６
をスパッタ法により厚み約５μｍほど成膜し、その後、
このＦｅ−Ｎｉ膜６を、例えばイオンエッチング等によ
り例えば時間制御によって所定形状にパターニングし
て、下部磁性層５中、ＭＲ素子３との重なり部分５ａよ
りも後方（奥行き方向）に残存させる。この残存したＦ
ｅ−Ｎｉ膜６が導磁路増厚部となる。

【００３７】その後、上記導磁路増厚部６を含む全面
に、Ａｌ₂ Ｏ₃ （これに限らず電気的絶縁性材であれば
よい）よりなる絶縁層７を例えばスパッタ法により厚み
約５μｍほど成膜する。

【００３８】その後、上記絶縁層７中、導磁路増厚部６
に対応する部分を例えばイオンミリング等の手法により
除去して導磁路増厚部６にまで達するコンタクトホール
７ａを形成する。

【００３９】その後、全面にＦｅ−Ｎｉ膜（これに限ら
ず軟磁性金属膜であればよい）８を例えばスパッタ法に
より厚み約１０μｍほど成膜し、このＦｅ−Ｎｉ膜８を
例えばイオンエッチング等によって所定形状にパターニ
ングして、Ｆｅ−Ｎｉ膜８による上部磁性層を形成す
る。このとき、上記上部磁性層８がコンタクトホール７
ａを通じて下層の導磁路増厚部６に磁気的に接続される
ことになる。

【００４０】その後、Ａｌ₂ Ｏ₃ （これに限らず電気的
絶縁材であればよい）よりなる絶縁層９を例えばスパッ
タ法により厚み約３０μｍほど成膜して、Ａｌ₂ Ｏ₃ よ
りなる保護層を形成する。その後、磁気記録媒体と対向
する部分を鏡面研磨を施して対向面ａを形成することに
より、上記第１実施例に係る薄膜磁気ヘッドが完成す
る。

【００４１】上記例では、ＭＲ素子３へのバイアス磁界
の印加方式については、説明していないが、バイアス磁
界を印加する方式としては、シャントバイアス方式、Ｓ
ＡＬバイアス法、ハード膜バイアス法等があり、上記第
１実施例においては、上記の方式のうち、どのような方
式を採用しても、バイアス磁界を印加することによるＭ
Ｒ素子３の効果、即ち、ＭＲ素子３の外部磁界による抵
抗変化を示す抵抗−磁界（Ｒ−Ｈ）特性のうち、ＭＲ素
子３の抵抗値をその特性曲線の線形領域の中点部分に対
応した部分に設定でき、磁界変化に対しての高感度化を
達成できるという効果は同じである。

【００４２】そして、上記構成を有する第１実施例に係
る薄膜磁気ヘッドを実際に動作（再生動作）させたと
き、下部磁性層５と上部磁性層８との対向面ａでのギャ
ップｇが再生用の磁気ギャップとして機能することが確
認された。

【００４３】この再生原理は、まず、ＭＲ素子３に対
し、上記バイアス磁界が印加されて、ＭＲ素子３は、そ
の抵抗値が抵抗−磁界（Ｒ−Ｈ）特性上、最も感度の高
い線形領域における中点部分に設定される。このとき、
ＭＲ素子３には、図示しない定電流源あるいは定電圧源
からのセンス電流が供給され、各電極１０ａ及び１０ｂ
間には、バイアス磁界による設定抵抗値とセンス電流に
よって決定される電圧が発生する。

【００４４】その後、磁気記録媒体、例えばハードディ
スク用の磁気ヘッドを対象とした場合を主体に説明する
と、磁気ディスクの板面に薄膜磁気ヘッドの対向面ａが
近接して対向し、かつ一定の相対速度にて所定のトラッ
クが磁気ヘッドの対向面ａ上を移動することによって、
上記磁気ディスクに記録されている磁化情報（磁束）
が、リング型磁気コアを構成する下部磁性層５を通じて
順次引き込まれることになる。

【００４５】下部磁性層５に引き込まれた磁束は、磁気
抵抗の低いＭＲ素子３側に漏洩し、その漏洩磁束がＭＲ
素子３により検出されることになる。具体的には、下部
磁性層５からの漏洩磁束によってＭＲ素子３の抵抗値が
変化し、電極１０ａ及び１０ｂ間の電圧値がその抵抗変
化に伴って変化することになる。この電圧変化が図示し
ない後段のアンプにて増幅されて漏洩磁束に応じた電気
信号として取り出されることになる。

【００４６】特に、上記第１実施例においては、下部磁
性層５とＭＲ素子３との間に絶縁層４が介在され、更に
下部磁性層５とＭＲ素子３との間隔が１ｎｍ〜１００ｎ
ｍとされているため、ＭＲ素子３と下部磁性層５間の電
気的絶縁性が十分にとれ、かつ下部磁性層５からＭＲ素
子３への磁束の漏洩が効率よく行なわれることになる。

【００４７】この様子を、一つの実験例（シミュレーシ
ョン）に基づいて説明する。この実験例は、下部磁性層
５とＭＲ素子３との間隔を１ｎｍから３００ｎｍに変化
させて、そのときの漏洩磁束量の変化をみたものであ
り、この実験結果を図４に示す。

【００４８】この特性曲線から、ＭＲ素子３の再生感度
が十分に得られる漏洩磁束量は、通常、Ｍｘ＝６ｋＡ／
ｍであり、この値以上の漏洩磁束量が得られる下部磁性
層５とＭＲ素子３の間隔の範囲は、１ｎｍ〜１００ｎｍ
であることが判明した。

【００４９】また、上記第１実施例においては、下部磁
性層５中、ＭＲ素子３と重なる部分５ａの近傍に段差ｈ
が設けられているため、その段差部分５ａにおいて下部
磁性層５の磁気抵抗が高くなり、該部分５ａの透磁率が
低下することになる。その結果、この段差部分５ａにお
ける透磁率の低下によって、下部磁性層５から磁気抵抗
の低いＭＲ素子３への磁束の漏洩量が増加し、ＭＲ素子
３への磁束の漏洩量を制御できることになる。これによ
って、ＭＲ素子３の抵抗−磁界（Ｒ−Ｈ）特性上、不感
帯領域を避けて、磁界変化に対する抵抗変化が最も高い
範囲（線形状に変化する範囲）を選ぶことが可能とな
り、磁気記録媒体に記録された磁化情報を高感度に検出
することができ、ＭＲ素子３を備えた薄膜磁気ヘッドの
特性向上を図ることが可能となる。

【００５０】また、ＭＲ素子３が対向面ａから露出する
ことがないため、摩耗や汚染・腐食等により特性が変動
するおそれはなくなり、また、磁気記録媒体の表面の帯
電に起因するＭＲ素子３の放電破壊を引き起こすという
心配もない。

【００５１】次に、上記第１実施例に係る薄膜磁気ヘッ
ドのいくつかの変形例を図５〜図１０を参照しながら説
明する。

【００５２】図５は、第１の変形例に係る薄膜磁気ヘッ
ドを示すもので、下地層２上に横型のＭＲ素子３が形成
され、その上に絶縁層１１を介して、奥行き方向を長手
方向とする帯状の導磁路を構成する上部磁性層１２が形
成されて構成されている。この場合も、ＭＲ素子３は、
その長手方向が対向面と平行となるように、横方向に形
成され、いずれの端面も摺動面に露出させないかたち、
即ち奥行き方向における所定の箇所に埋め込むかたちと
されている。

【００５３】この第１の変形例に係る薄膜磁気ヘッドの
作り方は、まず、下地層２上に、上記第１実施例で示し
た積層膜（Ｆｅ−Ｎｉ，Ｍｏ及びＣｏＺｒＰｂよりな
る）を磁場中蒸着あるいは磁場中スパッタ等の方法によ
り例えばトラック幅方向に磁気異方性を付与して成膜
し、その後、この積層膜を所定形状、例えば平面短冊形
状に例えばイオンエッチング等により一体にパターニン
グして、上記積層膜によるＭＲ素子３を形成する。その
後、ＭＲ素子３を含む全面にＡｌ₂ Ｏ₃ よりなる絶縁層
１３を例えばスパッタ法にて例えば１０μｍほど形成し
た後、この絶縁層１３を、下層のＭＲ素子３が露出する
まで、研磨等の手法により平坦化する。

【００５４】その後、上記平坦化された絶縁層１３上
に、例えばＡｌ₂ Ｏ₃ 等からなる絶縁層１１を例えばス
パッタ法にて形成した後、この絶縁層１１に対してバフ
研磨加工を行うことにより、この絶縁層１１の厚みを例
えば５０ｎｍ程度にする。この厚みの範囲も第１実施例
と同様に１ｎｍ〜１００ｎｍとすることができる。

【００５５】その後、全面にＦｅ−Ｎｉ膜１２を例えば
スパッタ法により厚み約１０μｍほど成膜し、このＦｅ
−Ｎｉ膜１２を例えばイオンエッチング等によって所定
形状、例えばその長手方向が下層のＭＲ素子３と直交す
る帯状に例えばイオンエッチング等によりパターニング
して、Ｆｅ−Ｎｉ膜５による上部磁性層（導磁路）１２
を形成する。

【００５６】その後、Ａｌ₂ Ｏ₃ よりなる絶縁層９を例
えばスパッタ法により厚み約３０μｍほど成膜して、Ａ
ｌ₂ Ｏ₃ よりなる保護層を形成する。そして、磁気記録
媒体と対向する部分を鏡面研磨を施して対向面ａを形成
することにより、この第１の変形例に係る薄膜磁気ヘッ
ドが完成する。

【００５７】なお、この第１の変形例に係る薄膜磁気ヘ
ッドにおいても、ＭＲ素子３へのバイアス磁界の印加方
式として、シャントバイアス方式、ＳＡＬバイアス法、
ハード膜バイアス法等を採用することができる。

【００５８】そして、この第１の変形例に係る薄膜磁気
ヘッドにおいては、磁気記録媒体からの磁化情報（磁
束）が単磁路を構成する上部磁性層（導磁路）１２によ
って引き込まれ、その漏洩磁束がＭＲ素子３によって検
出されて、上記磁化情報が電気信号（電圧信号）として
取り出されることになる。

【００５９】また、この第１の変形例に係る薄膜磁気ヘ
ッドにおいては、上記第１実施例と異なり、上部磁性層
１２に段差がないため、ＭＲ素子３への漏洩磁束量を制
御することはできないが、ＭＲ素子３が対向面ａから露
出することがないため、摩耗や汚染・腐食等により特性
が変動するおそれはなくなり、また、磁気記録媒体の表
面の帯電に起因するＭＲ素子３の放電破壊を引き起こす
という心配もない。

【００６０】次に、第２の変形例に係る薄膜磁気ヘッド
について図６を参照しながら説明する。なお、図５と対
応するものについては同符号を記す。

【００６１】この第２の変形例に係る薄膜磁気ヘッド
は、図示するように、下地層２上に例えばＦｅ−Ｎｉに
よる下部磁性層２１が形成され、この下部磁性層２１上
に絶縁層２２を介して横型のＭＲ素子３が形成され、こ
のＭＲ素子３上に絶縁層１１を介して奥行き方向を長手
方向とする帯状の導磁路を構成する中間磁性層２３が形
成され、更にこの中間磁性層２３上に絶縁層２４を介し
てＦｅ−Ｎｉよりなる上部磁性層１２が形成されて構成
されている。中間磁性層２３の後方には、上部磁性層１
２と磁気的に結合させるためのコンタクトホール２４ａ
が形成されている。また、この場合も、ＭＲ素子３は、
その長手方向が対向面ａと平行となるように、横方向に
形成され、いずれの端面も摺動面に露出させないかた
ち、即ち奥行き方向における所定の箇所に埋め込むかた
ちとされている。

【００６２】この第２の変形例に係る薄膜磁気ヘッドの
作り方は、まず、下地層２上全面に、Ｆｅ−Ｎｉ膜２１
を例えばスパッタ法により厚み約１０μｍほど成膜し、
このＦｅ−Ｎｉ膜２１を例えばイオンエッチング等によ
って所定形状、例えばその長手方向がその後に形成され
るＭＲ素子３と直交する帯状に例えばイオンエッチング
等によりパターニングして、Ｆｅ−Ｎｉ膜２１による下
部磁性層を形成する。

【００６３】その後、上記下部磁性層２１を含む全面に
Ａｌ₂ Ｏ₃ よりなる絶縁層２２を例えばスパッタ法にて
例えば５μｍほど形成した後、この絶縁層２２に対して
バフ研磨加工を行うことにより、上面を平坦化する。

【００６４】その後、上記絶縁層２２上に、上記第１実
施例で示した積層膜（Ｆｅ−Ｎｉ，Ｍｏ及びＣｏＺｒＰ
ｂよりなる）を磁場中蒸着あるいは磁場中スパッタ等の
方法により例えばトラック幅方向に磁気異方性を付与し
て成膜し、その後、この積層膜を所定形状、例えば平面
短冊形状に例えばイオンエッチング等により一体にパタ
ーニングして、上記積層膜によるＭＲ素子３を形成す
る。その後、ＭＲ素子３を含む全面にＡｌ₂ Ｏ₃ よりな
る絶縁層１３を例えばスパッタ法にて例えば１０μｍほ
ど形成した後、この絶縁層１３を、下層のＭＲ素子３が
露出するまで、研磨等の手法により平坦化する。

【００６５】その後、上記平坦化された絶縁層１３上
に、例えばＡｌ₂ Ｏ₃ 等からなる絶縁層１１を例えばス
パッタ法にて形成した後、この絶縁層１１に対してバフ
研磨加工を行うことにより、この絶縁層１１の厚みを例
えば５０ｎｍ程度にする。この厚みの範囲も第１実施例
と同様に１ｎｍ〜１００ｎｍとすることができる。

【００６６】その後、上記絶縁層１１上にＦｅ−Ｎｉ膜
２３をスパッタ法により厚み約３００ｎｍほど成膜し、
その後、このＦｅ−Ｎｉ膜２３を、所定形状、例えばそ
の長手方向が下層のＭＲ素子３と直交する帯状に例えば
イオンエッチング等によりパターニングして、Ｆｅ−Ｎ
ｉ膜２３による中間磁性層（導磁路）を形成する。

【００６７】その後、上記中間磁性層２３を含む全面に
Ａｌ₂ Ｏ₃ よりなる絶縁層２４を例えばスパッタ法によ
り厚み約５μｍほど成膜した後、この絶縁層２４に対し
てバフ研磨加工を行うことにより、上面を平坦化する。

【００６８】その後、上記絶縁層２４における下層の中
間磁性層２３の後方に対応する箇所を例えばイオンミリ
ング等の手法により除去して下層の中間磁性層２３まで
達するコンタクトホール２４ａを形成する。

【００６９】その後、全面にＦｅ−Ｎｉ膜１２を例えば
スパッタ法により厚み約１０μｍほど成膜し、このＦｅ
−Ｎｉ膜１２を例えばイオンエッチング等によって所定
形状にパターニングして、Ｆｅ−Ｎｉ膜１２による上部
磁性層を形成する。このとき、上記上部磁性層１２がコ
ンタクトホール２４ａを通じて下層の中間磁性層２３後
部に磁気的に接続されることになる。

【００７０】その後、Ａｌ₂ Ｏ₃ よりなる絶縁層９を例
えばスパッタ法により厚み約３０μｍほど成膜して、Ａ
ｌ₂ Ｏ₃ よりなる保護層を形成する。そして、磁気記録
媒体と対向する部分を鏡面研磨を施して対向面ａを形成
することにより、この第２の変形例に係る薄膜磁気ヘッ
ドが完成する。

【００７１】なお、この第２の変形例に係る薄膜磁気ヘ
ッドにおいても、ＭＲ素子３へのバイアス磁界の印加方
式として、シャントバイアス方式、ＳＡＬバイアス法、
ハード膜バイアス法等を採用することができる。

【００７２】そして、この第２の変形例に係る薄膜磁気
ヘッドにおいては、磁気記録媒体からの磁化情報（磁
束）が単磁路を構成する中間磁性層（導磁路）によって
引き込まれ、その漏洩磁束がＭＲ素子３によって検出さ
れて、上記磁化情報が電気信号（電圧信号）として取り
出されることになる。

【００７３】この第２の変形例に係る薄膜磁気ヘッドに
おいては、上記第１実施例と異なり、導磁路となる中間
磁性層２３に段差がないため、ＭＲ素子３への漏洩磁束
量を制御することはできないが、ＭＲ素子３が対向面ａ
から露出することがないため、摩耗や汚染・腐食等によ
り特性が変動するおそれはなくなり、また、磁気記録媒
体の表面の帯電に起因するＭＲ素子３の放電破壊を引き
起こすという心配もない。

【００７４】次に、第３の変形例に係る薄膜磁気ヘッド
について図７を参照しながら説明する。なお、図１と対
応するものについては同符号を記し、その重複説明を省
略する。

【００７５】この第３の変形例に係る薄膜磁気ヘッド
は、図１で示す上記第１実施例に係る薄膜磁気ヘッドと
ほぼ同じ構成を有するが、以下の点で異なる。それは、
導磁路となる下部磁性層５中、ＭＲ素子３と重なる部分
に段差がないこと、及び該重なる部分の一部５ｂが非磁
性化あるいは硬質化されていることである。なお、この
第３の変形例においても、上記第１実施例と同様に、上
部磁性層８、導磁路増厚部６及び下部磁性層５によっ
て、リング型磁気コアが構成されることになる。

【００７６】下部磁性層５の非磁性化あるいは硬質化
は、ＭＲ素子３の直上部分を酸化プラズマ、もしくはイ
オンビーム等により酸化させるか、又はレーザ等を用い
て磁気特性を変えるなどの手段により行なうことができ
る。この下部磁性層５中、非磁性化あるいは硬質化され
た部分５ｂは、磁気抵抗が大きくなり、透磁率が低下し
たものとなる。

【００７７】この第３の変形例に係る薄膜磁気ヘッドの
作り方は、まず、下地層２上に、上記第１実施例で示し
た積層膜（Ｆｅ−Ｎｉ，Ｍｏ及びＣｏＺｒＰｂよりな
る）を磁場中蒸着あるいは磁場中スパッタ等の方法によ
り例えばトラック幅方向に磁気異方性を付与して成膜
し、その後、この積層膜を所定形状、例えば平面短冊形
状に例えばイオンエッチング等により一体にパターニン
グして、上記積層膜によるＭＲ素子３を形成する。その
後、ＭＲ素子３を含む全面にＡｌ₂ Ｏ₃ よりなる絶縁層
１３を例えばスパッタ法にて例えば１０μｍほど形成し
た後、この絶縁層１３を、下層のＭＲ素子３が露出する
まで、研磨等の手法により平坦化する。

【００７８】その後、上記平坦化された絶縁層１３上
に、例えばＡｌ₂ Ｏ₃ 等からなる絶縁層１１を例えばス
パッタ法にて形成した後、この絶縁層１１に対してバフ
研磨加工を行うことにより、この絶縁層１１の厚みを例
えば５０ｎｍ程度にする。この厚みの範囲も第１実施例
と同様に１ｎｍ〜１００ｎｍとすることができる。

【００７９】その後、上記絶縁層１１上にＦｅ−Ｎｉ膜
５をスパッタ法により厚み約３００ｎｍほど成膜し、そ
の後、このＦｅ−Ｎｉ膜５を、所定形状、例えばその長
手方向が下層のＭＲ素子３と直交する帯状に例えばイオ
ンエッチング等によりパターニングして、Ｆｅ−Ｎｉ膜
５による下部磁性層を形成する。

【００８０】その後、上記下部磁性層５中、ＭＲ素子３
の直上部分５ｂに対して例えばイオンビームを選択的に
照射して、上記直上部分５ｂの透磁率を低下させ、磁気
抵抗を大きくする。

【００８１】その後、下部磁性層５を含む全面に、Ｆｅ
−Ｎｉ膜６をスパッタ法により厚み約５μｍほど成膜
し、その後、このＦｅ−Ｎｉ膜６を、例えばイオンエッ
チング等により例えば時間制御によって所定形状にパタ
ーニングして、下部磁性層５中、ＭＲ素子３との重なり
部分よりも後方（奥行き方向）に残存させる。この残存
したＦｅ−Ｎｉ膜６が導磁路増厚部となる。

【００８２】その後、上記導磁路増厚部６を含む全面
に、Ａｌ₂ Ｏ₃ よりなる絶縁層７を例えばスパッタ法に
より厚み約５μｍほど成膜する。

【００８３】その後、上記絶縁層７中、導磁路増厚部６
に対応する部分を例えばイオンミリング等の手法により
除去して導磁路増厚部６まで達するコンタクトホール７
ａを形成する。

【００８４】その後、全面にＦｅ−Ｎｉ膜８を例えばス
パッタ法により厚み約１０μｍほど成膜し、このＦｅ−
Ｎｉ膜８を例えばイオンエッチング等によって所定形状
にパターニングして、Ｆｅ−Ｎｉ膜８による上部磁性層
を形成する。このとき、上記上部磁性層８がコンタクト
ホール７ａを通じて下層の導磁路増厚部６に磁気的に接
続されることになる。

【００８５】その後、Ａｌ₂ Ｏ₃ よりなる絶縁層９を例
えばスパッタ法により厚み約３０μｍほど成膜して、Ａ
ｌ₂ Ｏ₃ よりなる保護層を形成する。その後、磁気記録
媒体と対向する部分を鏡面研磨を施して対向面ａを形成
することにより、この第３の変形例に係る薄膜磁気ヘッ
ドが完成する。

【００８６】なお、この第３の変形例に係る薄膜磁気ヘ
ッドにおいても、ＭＲ素子３へのバイアス磁界の印加方
式として、シャントバイアス方式、ＳＡＬバイアス法、
ハード膜バイアス法等を採用することができる。

【００８７】そして、この第３の変形例に係る薄膜磁気
ヘッドにおいては、磁気記録媒体からの磁化情報（磁
束）がリング磁気コアを構成する上部磁性層８、導磁路
増厚部６及び下部磁性層５によって引き込まれ、その漏
洩磁束がＭＲ素子３によって検出されて、上記磁化情報
が電気信号（電圧信号）として取り出されることにな
る。

【００８８】特に、この第３の変形例においては、下部
磁性層５中、ＭＲ素子３と重なる部分の一部５ｂが非磁
性化あるいは硬質化されているため、その部分５ｂにお
いて磁気抵抗が高くなり、該部分５ｂの透磁率が低下す
ることになる。その結果、この部分５ｂにおける透磁率
の低下によって、下部磁性層５から磁気抵抗の低いＭＲ
素子３への磁束の漏洩量が増加し、ＭＲ素子３への磁束
の漏洩量を制御できることになる。これによって、ＭＲ
素子３の抵抗−磁界（Ｒ−Ｈ）特性上、不感帯領域を避
けて、磁界変化に対する抵抗変化が最も高い範囲（線形
状に変化する範囲）を選ぶことが可能となり、磁気記録
媒体に記録された磁化情報を高感度に検出することがで
き、ＭＲ素子３を備えた薄膜磁気ヘッドの特性向上を図
ることが可能となる。

【００８９】また、ＭＲ素子３が対向面ａから露出する
ことがないため、摩耗や汚染・腐食等により特性が変動
するおそれはなくなり、また、磁気記録媒体の表面の帯
電に起因するＭＲ素子３の放電破壊を引き起こすという
心配もない。

【００９０】次に、第４の変形例に係る薄膜磁気ヘッド
について図８を参照しながら説明する。なお、図７と対
応するものについては同符号を記し、その重複説明を省
略する。

【００９１】この第４の変形例に係る薄膜磁気ヘッド
は、図７で示す上記第３の変形例に係る薄膜磁気ヘッド
とほぼ同じ構成を有するが、導磁路となる下部磁性層５
上に絶縁層３１を介してＭＲ素子３が形成されている点
で異なる。

【００９２】この第４の変形例に係る薄膜磁気ヘッドの
作り方は、まず、下地層２上に、Ｆｅ−Ｎｉ膜５をスパ
ッタ法により厚み約３００ｎｍほど成膜し、その後、こ
のＦｅ−Ｎｉ膜５を、所定形状、例えばその長手方向が
下層のＭＲ素子３と直交する帯状に例えばイオンエッチ
ング等によりパターニングして、Ｆｅ−Ｎｉ膜５による
下部磁性層（導磁路）を形成する。

【００９３】その後、上記下部磁性層５中、その後に形
成されるＭＲ素子３と重なる部分の一部に対応した部分
５ｂに例えばイオンビームを選択的に照射して、該部分
５ｂの透磁率を低下させ、磁気抵抗を大きくする。

【００９４】その後、下部磁性層５を含む全面に、Ｆｅ
−Ｎｉ膜６をスパッタ法により厚み約５μｍほど成膜
し、その後、このＦｅ−Ｎｉ膜６を、例えばイオンエッ
チング等により例えば時間制御によって所定形状にパタ
ーニングして、下部磁性層５中、上記非磁性化あるいは
硬質化された部分５ｂよりも後方（奥行き方向）に残存
させる。この残存したＦｅ−Ｎｉ膜６が導磁路増厚部と
なる。

【００９５】その後、上記導磁路増厚部６を含む全面に
Ａｌ₂ Ｏ₃ よりなる絶縁層３１を例えばスパッタ法にて
厚み約５０ｎｍほど成膜する。この絶縁層３１の成膜厚
の範囲も第１実施例と同様に１ｎｍ〜１００ｎｍとする
ことができる。

【００９６】その後、全面に上記第１実施例で示した積
層膜（Ｆｅ−Ｎｉ，Ｍｏ及びＣｏＺｒＰｂよりなる）を
磁場中蒸着あるいは磁場中スパッタ等の方法により例え
ばトラック幅方向に磁気異方性を付与して成膜し、その
後、この積層膜を所定形状、例えば平面短冊形状に例え
ばイオンエッチング等により一体にパターニングして、
上記積層膜によるＭＲ素子３を形成する。この場合、Ｍ
Ｒ素子３を、下部磁性層５中、非磁性化あるいは硬質化
された部分５ｂの直上部分に形成する。

【００９７】その後、上記導磁路増厚部６を含む全面
に、Ａｌ₂ Ｏ₃ よりなる絶縁層７を例えばスパッタ法に
より厚み約５μｍほど成膜した後、上記絶縁層７中、導
磁路増厚部６に対応する部分を例えばイオンミリング等
の手法により除去して導磁路増厚部６まで達するコンタ
クトホール７ａを形成する。

【００９８】その後、全面にＦｅ−Ｎｉ膜８を例えばス
パッタ法により厚み約１０μｍほど成膜し、このＦｅ−
Ｎｉ膜８を例えばイオンエッチング等によって所定形状
にパターニングして、Ｆｅ−Ｎｉ膜８による上部磁性層
を形成する。このとき、上記上部磁性層８がコンタクト
ホール７ａを通じて下層の導磁路増厚部６に磁気的に接
続されることになる。

【００９９】その後、Ａｌ₂ Ｏ₃ よりなる絶縁層９を例
えばスパッタ法により厚み約３０μｍほど成膜して、Ａ
ｌ₂ Ｏ₃ よりなる保護層を形成する。その後、磁気記録
媒体と対向する部分を鏡面研磨を施して対向面ａを形成
することにより、この第４の変形例に係る薄膜磁気ヘッ
ドが完成する。

【０１００】なお、この第４の変形例に係る薄膜磁気ヘ
ッドにおいても、ＭＲ素子３へのバイアス磁界の印加方
式として、シャントバイアス方式、ＳＡＬバイアス法、
ハード膜バイアス法等を採用することができる。

【０１０１】そして、この第４の変形例に係る薄膜磁気
ヘッドにおいては、磁気記録媒体からの磁化情報（磁
束）がリング磁気コアを構成する上部磁性層８、導磁路
増厚部６及び下部磁性層５によって引き込まれ、その漏
洩磁束がＭＲ素子３によって検出されて、上記磁化情報
が電気信号（電圧信号）として取り出されることにな
る。

【０１０２】また、下部磁性層５中、ＭＲ素子３と重な
る部分の一部５ｂが非磁性化あるいは硬質化されている
ため、その部分５ｂにおいて下部磁性層５の磁気抵抗が
高くなり、該部分５ｂの透磁率が低下することになる。
その結果、上記部分５ｂにおける透磁率の低下によっ
て、下部磁性層５から磁気抵抗の低いＭＲ素子３への磁
束の漏洩量が増加し、ＭＲ素子３への磁束の漏洩量を制
御できることになる。これによって、ＭＲ素子３の抵抗
−磁界（Ｒ−Ｈ）特性上、不感帯領域を避けて、磁界変
化に対する抵抗変化が最も高い範囲（線形状に変化する
範囲）を選ぶことが可能となり、磁気記録媒体に記録さ
れた磁化情報を高感度に検出することができ、ＭＲ素子
３を備えた薄膜磁気ヘッドの特性向上を図ることが可能
となる。

【０１０３】また、この場合も、ＭＲ素子３が対向面ａ
から露出することがないため、摩耗や汚染・腐食等によ
り特性が変動するおそれはなくなり、また、磁気記録媒
体の表面の帯電に起因するＭＲ素子３の放電破壊を引き
起こすという心配もない。

【０１０４】次に、第５の変形例に係る薄膜磁気ヘッド
について図９を参照しながら説明する。なお、図１と対
応するものについては同符号を記し、その重複説明を省
略する。

【０１０５】この第５の変形例に係る薄膜磁気ヘッド
は、図１で示す第１実施例に係る薄膜磁気ヘッドとほぼ
同じ構成を有するが、導磁路となる下部磁性層５に形成
される段差ｈが上方への段差ではなく、下方への段差で
あることで異なる。

【０１０６】この第５の変形例に係る薄膜磁気ヘッドの
作り方は、まず、下地層２の上面中、その後にＭＲ素子
３が形成される部分を選択的にエッチング除去して、一
定深さのくぼみあるいは溝３２を形成する。

【０１０７】その後、全面にＦｅ−Ｎｉ膜５をスパッタ
法により厚み約３００ｎｍほど成膜し、その後、このＦ
ｅ−Ｎｉ膜５を、所定形状、例えばその長手方向が下層
のＭＲ素子３と直交する帯状に例えばイオンエッチング
等によりパターニングして、Ｆｅ−Ｎｉ膜５による下部
磁性層（導磁路）を形成する。このとき、下部磁性層５
中、後にＭＲ素子３が形成される部分がくぼみあるいは
溝３２に沿って形成されるため、下方への段差が形成さ
れたかたちとなる。

【０１０８】その後、下部磁性層５を含む全面に、Ｆｅ
−Ｎｉ膜６をスパッタ法により厚み約５μｍほど成膜
し、その後、このＦｅ−Ｎｉ膜６を、例えばイオンエッ
チング等により例えば時間制御によって所定形状にパタ
ーニングして、下部磁性層５中、くぼみや溝３２に対応
した部分５ａよりも後方（奥行き方向）に残存させる。
この残存したＦｅ−Ｎｉ膜６が導磁路増厚部となる。

【０１０９】その後、上記導磁路増厚部６を含む全面に
Ａｌ₂ Ｏ₃ よりなる絶縁層３１を例えばスパッタ法にて
厚み約５０ｎｍほど成膜する。この絶縁層３１の成膜厚
の範囲も第１実施例と同様に１ｎｍ〜１００ｎｍとする
ことができる。

【０１１０】その後、全面に上記第１実施例で示した積
層膜（Ｆｅ−Ｎｉ，Ｍｏ及びＣｏＺｒＰｂよりなる）を
磁場中蒸着あるいは磁場中スパッタ等の方法により例え
ばトラック幅方向に磁気異方性を付与して成膜し、その
後、この積層膜を所定形状、例えば平面短冊形状に例え
ばイオンエッチング等により一体にパターニングして、
上記積層膜によるＭＲ素子３を形成する。この場合、Ｍ
Ｒ素子３を、下部磁性層５中、段差が形成された部分５
ａの直上部分に形成する。

【０１１１】その後、全面に、Ａｌ₂ Ｏ₃ よりなる絶縁
層７を例えばスパッタ法により厚み約５μｍほど成膜し
た後、上記絶縁層７中、導磁路増厚部６に対応する部分
を例えばイオンミリング等の手法により除去して導磁路
増厚部６まで達するコンタクトホール７ａを形成する。

【０１１２】その後、全面にＦｅ−Ｎｉ膜８を例えばス
パッタ法により厚み約１０μｍほど成膜し、このＦｅ−
Ｎｉ膜８を例えばイオンエッチング等によって所定形状
にパターニングして、Ｆｅ−Ｎｉ膜８による上部磁性層
を形成する。このとき、上記上部磁性層８がコンタクト
ホール７ａを通じて下層の導磁路増厚部６に磁気的に接
続されることになる。

【０１１３】その後、Ａｌ₂ Ｏ₃ よりなる絶縁層９を例
えばスパッタ法により厚み約３０μｍほど成膜して、Ａ
ｌ₂ Ｏ₃ よりなる保護層を形成する。その後、磁気記録
媒体と対向する部分を鏡面研磨を施して対向面ａを形成
することにより、この第５の変形例に係る薄膜磁気ヘッ
ドが完成する。

【０１１４】なお、この第５の変形例に係る薄膜磁気ヘ
ッドにおいても、ＭＲ素子３へのバイアス磁界の印加方
式として、シャントバイアス方式、ＳＡＬバイアス法、
ハード膜バイアス法等を採用することができる。

【０１１５】そして、この第５の変形例に係る薄膜磁気
ヘッドにおいては、上記第４の変形例と同様に、磁気記
録媒体からの磁化情報（磁束）がリング磁気コアを構成
する上部磁性層８、導磁路増厚部６及び下部磁性層５に
よって引き込まれ、その漏洩磁束がＭＲ素子３によって
検出されて、上記磁化情報が電気信号（電圧信号）とし
て取り出されることになる。

【０１１６】また、下部磁性層５中、ＭＲ素子３と重な
る部分５ａに下方への段差が形成され、その段差部分５
ａにおいて下部磁性層５の磁気抵抗が高くなり、該部分
５ａの透磁率が低下することになる。その結果、この段
差部分５ａにおける透磁率の低下によって、下部磁性層
５から磁気抵抗の低いＭＲ素子３への磁束の漏洩量が増
加し、ＭＲ素子３への磁束の漏洩量を制御できることに
なる。これによって、ＭＲ素子３の抵抗−磁界（Ｒ−
Ｈ）特性上、不感帯領域を避けて、磁界変化に対する抵
抗変化が最も高い範囲（線形状に変化する範囲）を選ぶ
ことが可能となり、磁気記録媒体に記録された磁化情報
を高感度に検出することができ、ＭＲ素子３を備えた薄
膜磁気ヘッドの特性向上を図ることが可能となる。

【０１１７】また、ＭＲ素子３が対向面ａから露出する
ことがないため、摩耗や汚染・腐食等により特性が変動
するおそれはなくなり、また、磁気記録媒体の表面の帯
電に起因するＭＲ素子の放電破壊を引き起こすという心
配もない。

【０１１８】次に、第６の変形例に係る薄膜磁気ヘッド
について図１０を参照しながら説明する。なお、図１と
対応するものについては同符号を記し、その重複説明を
省略する。

【０１１９】この第６の変形例に係る薄膜磁気ヘッド
は、図１で示す第１実施例に係る薄膜磁気ヘッドとほぼ
同じ構成を有するが、以下の点でその構成が異なる。そ
れは、導磁路となる下部磁性層５に段差が形成されてい
ない点と、上部磁性層８が下層の下部磁性層５とほぼ平
行に対向面ａから奥行き方向に例えば帯状に形成される
点と、下部磁性層５のみで単磁路が構成されている点で
ある。

【０１２０】この第６の変形例に係る薄膜磁気ヘッドの
作り方は、まず、下地層２上に、上記第１実施例で示し
た積層膜（Ｆｅ−Ｎｉ，Ｍｏ及びＣｏＺｒＰｂよりな
る）を磁場中蒸着あるいは磁場中スパッタ等の方法によ
り例えばトラック幅方向に磁気異方性を付与して成膜
し、その後、この積層膜を所定形状、例えば平面短冊形
状に例えばイオンエッチング等により一体にパターニン
グして、上記積層膜によるＭＲ素子３を形成する。その
後、ＭＲ素子３を含む全面にＡｌ₂ Ｏ₃ よりなる絶縁層
１３を例えばスパッタ法にて例えば１０μｍほど形成し
た後、この絶縁層１３を、下層のＭＲ素子３が露出する
まで、研磨等の手法により平坦化する。

【０１２１】その後、上記平坦化された絶縁層１３上
に、例えばＡｌ₂ Ｏ₃ 等からなる絶縁層１１を例えばス
パッタ法にて形成した後、この絶縁層１１に対してバフ
研磨加工を行うことにより、この絶縁層１１の厚みを例
えば５０ｎｍ程度にする。この厚みの範囲も第１実施例
と同様に１ｎｍ〜１００ｎｍとすることができる。

【０１２２】その後、全面にＦｅ−Ｎｉ膜５を例えばス
パッタ法により厚み約３００ｎｍほど成膜し、このＦｅ
−Ｎｉ膜５を例えばイオンエッチング等によって所定形
状、例えばその長手方向が下層のＭＲ素子３と直交する
帯状に例えばイオンエッチング等によりパターニングし
て、Ｆｅ−Ｎｉ膜５による下部磁性層（導磁路）５を形
成する。

【０１２３】その後、下部磁性層５を含む全面に、Ｆｅ
−Ｎｉ膜６をスパッタ法により厚み約５μｍほど成膜
し、その後、このＦｅ−Ｎｉ膜６を、例えばイオンエッ
チング等により例えば時間制御によって所定形状にパタ
ーニングして、下部磁性層５中、ＭＲ素子３との重なり
部分よりも後方（奥行き方向）に残存させる。この残存
したＦｅ−Ｎｉ膜６が導磁路増厚部となる。

【０１２４】その後、上記導磁路増厚部６を含む全面
に、Ａｌ₂ Ｏ₃ よりなる絶縁層１７を例えばスパッタ法
により厚み約１０μｍほど成膜した後、この絶縁層１７
を、下層の導磁路増厚部６が露出するまで、研磨等の手
法により平坦化する。

【０１２５】その後、全面にＦｅ−Ｎｉ膜８を例えばス
パッタ法により厚み約１０μｍほど成膜し、このＦｅ−
Ｎｉ膜８を例えばイオンエッチング等によって所定形
状、例えばその長手方向が下層のＭＲ素子３と直交する
帯状に例えばイオンエッチング等によりパターニングし
て、Ｆｅ−Ｎｉ膜８による上部磁性層を形成する。

【０１２６】その後、Ａｌ₂ Ｏ₃ よりなる絶縁層９を例
えばスパッタ法により厚み約３０μｍほど成膜して、Ａ
ｌ₂ Ｏ₃ よりなる保護層を形成する。そして、磁気記録
媒体と対向する部分を鏡面研磨を施して対向面ａを形成
することにより、この第６の変形例に係る薄膜磁気ヘッ
ドが完成する。

【０１２７】なお、この第６の変形例に係る薄膜磁気ヘ
ッドにおいても、ＭＲ素子３へのバイアス磁界の印加方
式として、シャントバイアス方式、ＳＡＬバイアス法、
ハード膜バイアス法等を採用することができる。

【０１２８】そして、この第６の変形例に係る薄膜磁気
ヘッドにおいては、上記第１の変形例と同様に、磁気記
録媒体からの磁化情報（磁束）が単磁路を構成する下部
磁性層（導磁路）５によって引き込まれ、その漏洩磁束
がＭＲ素子３によって検出されて、上記磁化情報が電気
信号（電圧信号）として取り出されることになる。

【０１２９】また、この第６の変形例に係る薄膜磁気ヘ
ッドにおいては、上記第１実施例と異なり、導磁路とな
る下部磁性層５に段差がないため、ＭＲ素子３への漏洩
磁束量を制御することはできないが、ＭＲ素子３が対向
面ａから露出することがないため、摩耗や汚染・腐食等
により特性が変動するおそれはなくなり、また、磁気記
録媒体の表面の帯電に起因するＭＲ素子３の放電破壊を
引き起こすという心配もない。

【０１３０】次に、本発明に係る薄膜磁気ヘッドをＭＲ
素子３を有する記録再生兼用薄膜磁気ヘッドに適用した
実施例（以下、単に第２実施例に係る薄膜磁気ヘッドと
記す）について図１１及び図１２を参照しながら説明す
る。

【０１３１】この第２実施例に係る薄膜磁気ヘッドは、
図７で示す上記第１実施例の第３の変形例に係る薄膜磁
気ヘッドとほぼ同じ構成を有するが、導磁路増厚部６と
上部磁性層８との間に、コンタクトホール７ａを螺旋中
心とするコイル導体３２が形成されている点で異なる。
即ち、この薄膜磁気ヘッドは、上部磁性層８、導磁路増
厚部６及び下部磁性層（導磁路）５からなるリング型磁
気コアにＭＲ素子３が形成され、対向面ａにおける下部
磁性層５と上部磁性層８間のギャップｇを再生ギャップ
とした再生用の薄膜磁気ヘッドと、上記リング型磁気コ
アにコイル導体３２が形成され、対向面ａ上記ギャップ
ｇを記録ギャップとした記録用の薄膜磁気ヘッドとが並
存したかたちとなっている。

【０１３２】この第２実施例に係る薄膜磁気ヘッドの作
り方は、コイル導体３２の形成が付加されるほかは、上
記第３の変形例とほぼ同じである。ここで、コイル導体
３２の形成を中心にその作り方を簡単に説明すると、ま
ず、導磁路増厚部６を形成した段階から、Ａｌ₂ Ｏ₃ よ
りなる絶縁層７Ａを例えばスパッタ法にて厚み約５μｍ
ほど形成した後、この絶縁層７Ａに対して研磨加工を施
して上面を平坦化する。

【０１３３】その後、後にコンタクトホール７ａが形成
される部分の周りを巻回するように、電気抵抗の低いＣ
ｕ等の導電材料をスパッタ、蒸着、電気メッキ等により
被着した後、フォトリソグラフィ等の適用によって巻回
パターンに形成してコイル導体３２を形成する。

【０１３４】その後、コイル導体３２を含む全面にＡｌ
₂ Ｏ₃ よりなる絶縁層７Ｂを例えばスパッタ法にて厚み
約１μｍほど成膜する。その後、この絶縁層７Ｂ中、導
磁路増厚部６に対応する部分を例えばイオンミリング等
の手法により除去して導磁路増厚部６まで達するコンタ
クトホール７ａを形成する。

【０１３５】その後、全面にＦｅ−Ｎｉ膜８を例えばス
パッタ法により厚み約１０μｍほど成膜し、このＦｅ−
Ｎｉ膜８を例えばイオンエッチング等によって所定形状
にパターニングして、Ｆｅ−Ｎｉ膜８による上部磁性層
を形成する。このとき、上記上部磁性層８がコンタクト
ホール７ａを通じて下層の導磁路増厚部６に磁気的に接
続されることになる。

【０１３６】その後、Ａｌ₂ Ｏ₃ よりなる絶縁層９を例
えばスパッタ法により厚み約３０μｍほど成膜して、Ａ
ｌ₂ Ｏ₃ よりなる保護層を形成する。その後、磁気記録
媒体と対向する部分を鏡面研磨を施して対向面ａを形成
することにより、この第２実施例に係る薄膜磁気ヘッド
が完成する。

【０１３７】なお、この第２実施例に係る薄膜磁気ヘッ
ドにおいても、ＭＲ素子３へのバイアス磁界の印加方式
として、シャントバイアス方式、ＳＡＬバイアス法、ハ
ード膜バイアス法等を採用することができる。

【０１３８】そして、この第２実施例に係る薄膜磁気ヘ
ッドにおいては、上記第１実施例における第３の変形例
に係る薄膜磁気ヘッドと同様に、磁気記録媒体からの磁
化情報（磁束）がリング磁気コアを構成する上部磁性層
８、導磁路増厚部６及び下部磁性層５によって引き込ま
れ、その漏洩磁束がＭＲ素子３によって検出されて、上
記磁化情報が電気信号（電圧信号）として取り出される
ことになる。

【０１３９】また、この第２実施例においても、下部磁
性層５中、ＭＲ素子３と重なる部分の一部５ｂが非磁性
化あるいは硬質化されているため、この部分５ｂにおい
て下部磁性層５の磁気抵抗が高くなり、該部分５ｂの透
磁率が低下することになる。その結果、上記部分５ｂに
おける透磁率の低下によって、下部磁性層５から磁気抵
抗の低いＭＲ素子３への磁束の漏洩量が増加し、ＭＲ素
子３への磁束の漏洩量を制御できることになる。これに
よって、ＭＲ素子３の抵抗−磁界（Ｒ−Ｈ）特性上、不
感帯領域を避けて、磁界変化に対する抵抗変化が最も高
い範囲（線形状に変化する範囲）を選ぶことが可能とな
り、磁気記録媒体に記録された磁化情報を高感度に検出
することができ、ＭＲ素子３を備えた薄膜磁気ヘッドの
特性向上を図ることが可能となる。

【０１４０】また、ＭＲ素子３が対向面ａから露出する
ことがないため、摩耗や汚染・腐食等により特性が変動
するおそれはなくなり、また、磁気記録媒体の表面の帯
電に起因するＭＲ素子３の放電破壊を引き起こすという
心配もない。

【０１４１】次に、第２実施例の変形例に係る薄膜磁気
ヘッドについて図１２を参照しながら説明する。なお、
図８及び図１１と対応するものについては同符号を記
し、その重複説明を省略する。

【０１４２】この変形例に係る薄膜磁気ヘッドは、図１
１で示す上記第２実施例に係る薄膜磁気ヘッドとほぼ同
じ構成を有するが、導磁路となる下部磁性層５とＭＲ素
子３との配置関係が図８で示す上記第１実施例の第４の
変形例に係る薄膜磁気ヘッドと同じ構成となっている点
で異なる。

【０１４３】そして、この変形例に係る薄膜磁気ヘッド
においても、上部磁性層８、導磁路増厚部６及び下部磁
性層５からなるリング型磁気コアにＭＲ素子３が形成さ
れ、対向面ａにおける下部磁性層５と上部磁性層８間の
ギャップｇを再生ギャップとした再生用の薄膜磁気ヘッ
ドと、上記リング型磁気コアにコイル導体３２が形成さ
れ、対向面ａにおける上記ギャップｇを記録ギャップと
した記録用の薄膜磁気ヘッドとが並存したかたちとなっ
ている。

【０１４４】この変形例に係る薄膜磁気ヘッドの作り方
は、コイル導体３２の形成が付加されるほかは、上記第
１実施例における第４の変形例とほぼ同じである。ここ
で、コイル導体３２の形成を中心にその作り方を簡単に
説明すると、まず、導磁路増厚部６を形成した段階か
ら、この導磁路増厚部６を含む全面にＡｌ₂ Ｏ₃ よりな
る絶縁層３１を例えばスパッタ法にて厚み約５０ｎｍほ
ど成膜する。この絶縁層３１の成膜厚の範囲も第１実施
例と同様に１ｎｍ〜１００ｎｍとすることができる。

【０１４５】その後、全面に上記第１実施例で示した積
層膜（Ｆｅ−Ｎｉ，Ｍｏ及びＣｏＺｒＰｂよりなる）を
磁場中蒸着あるいは磁場中スパッタ等の方法により例え
ばトラック幅方向に磁気異方性を付与して成膜し、その
後、この積層膜を所定形状、例えば平面短冊形状に例え
ばイオンエッチング等により一体にパターニングして、
上記積層膜によるＭＲ素子３を形成する。この場合、Ｍ
Ｒ素子３を、下部磁性層５中、非磁性化あるいは硬質化
された部分５ｂの直上部分に形成する。

【０１４６】その後、全面にＡｌ₂ Ｏ₃ よりなる絶縁層
７Ａを例えばスパッタ法にて厚み５μｍほど形成した
後、この絶縁層７Ａに対して研磨加工を施して上面を平
坦化する。その後、後にコンタクトホール７ａが形成さ
れる部分の周りを巻回するように、電気抵抗の低いＣｕ
等の導電材料をスパッタ、蒸着、電気メッキ等により被
着した後、フォトリソグラフィ等の適用によって巻回パ
ターンに形成してコイル導体３２を形成する。

【０１４７】その後、コイル導体３２を含む全面にＡｌ
₂ Ｏ₃ よりなる絶縁層７Ｂを例えばスパッタ法にて厚み
約１μｍほど成膜する。その後、上記絶縁層７Ｂ中、導
磁路増厚部６に対応する部分を例えばイオンミリング等
の手法により除去して導磁路増厚部６まで達するコンタ
クトホール７ａを形成する。

【０１４８】その後、全面にＦｅ−Ｎｉ膜８を例えばス
パッタ法により厚み約１０μｍほど成膜し、このＦｅ−
Ｎｉ膜８を例えばイオンエッチング等によって所定形状
にパターニングして、Ｆｅ−Ｎｉ膜８による上部磁性層
を形成する。このとき、上記上部磁性層８がコンタクト
ホール７ａを通じて下層の導磁路増厚部６に磁気的に接
続されることになる。

【０１４９】その後、Ａｌ₂ Ｏ₃ よりなる絶縁層９を例
えばスパッタ法により厚み約３０μｍほど成膜して、Ａ
ｌ₂ Ｏ₃ よりなる保護層を形成する。その後、磁気記録
媒体と対向する部分を鏡面研磨を施して対向面を形成す
ることにより、この変形例に係る薄膜磁気ヘッドが完成
する。

【０１５０】なお、この変形例に係る薄膜磁気ヘッドに
おいても、ＭＲ素子３へのバイアス磁界の印加方式とし
て、シャントバイアス方式、ＳＡＬバイアス法、ハード
膜バイアス法等を採用することができる。

【０１５１】そして、この変形例に係る薄膜磁気ヘッド
においては、上記第１実施例における第４の変形例に係
る薄膜磁気ヘッドと同様に、磁気記録媒体からの磁化情
報（磁束）がリング磁気コアを構成する上部磁性層８、
導磁路増厚部６及び下部磁性層５によって引き込まれ、
その漏洩磁束がＭＲ素子３によって検出されて、上記磁
化情報が電気信号（電圧信号）として取り出されること
になる。

【０１５２】また、この変形例においても、下部磁性層
５中、ＭＲ素子３と重なる部分の一部５ｂが非磁性化あ
るいは硬質化されているため、この部分５ｂにおいて下
部磁性層５の磁気抵抗が高くなり、該部分５ｂの透磁率
が低下することになる。その結果、上記部分５ｂにおけ
る透磁率の低下によって、下部磁性層５から磁気抵抗の
低いＭＲ素子３への磁束の漏洩量が増加し、ＭＲ素子３
への磁束の漏洩量を制御できることになる。これによっ
て、ＭＲ素子３の抵抗−磁界（Ｒ−Ｈ）特性上、不感帯
領域を避けて、磁界変化に対する抵抗変化が最も高い範
囲（線形状に変化する範囲）を選ぶことが可能となり、
磁気記録媒体に記録された磁化情報を高感度に検出する
ことができ、ＭＲ素子３を備えた薄膜磁気ヘッドの特性
向上を図ることが可能となる。

【０１５３】また、ＭＲ素子３が対向面ａから露出する
ことがないため、摩耗や汚染・腐食等により特性が変動
するおそれはなくなり、また、磁気記録媒体の表面の帯
電に起因するＭＲ素子３の放電破壊を引き起こすという
心配もない。

【０１５４】一方、上記第２実施例及びその変形例にお
いては、その記録時において、上記下部磁性層５におけ
る非磁性化あるいは硬質化された部分５ｂは、磁気回路
の磁気抵抗として作用するため、記録効率を減じること
になる。しかし、この部分５ｂは、下部磁性層５中、導
磁路増厚部６以外の部分に設けるようにしているため、
その非磁性化あるいは硬質化された部分５ｂの断面積は
小さく反磁界が小さい。

【０１５５】また、上部磁性層８と下部磁性層５との接
続部分（コンタクトホール７ａ）と下部磁性層の先端部
間の距離は、導磁路増厚部６の存在により等価的に短い
距離になることから、下部磁性層５の先端部は、導磁路
増厚部６に対して大きな立体角を有することとなる。そ
のため、対向する磁極が飽和する領域においても導磁路
増厚部６からの磁界で十分磁化される。

【０１５６】従って、記録時においては、薄膜磁気ヘッ
ドの閉磁路に対してＭＲ素子３が並列配置されているこ
とも相俟って、記録効率を損なう程度が少なく良好な記
録が実現できることになる。

【０１５７】なお、上記各実施例及び変形例において
は、導磁路を構成する薄膜を平坦形状とするか、あるい
は導磁路を構成する薄膜中、ＭＲ素子３と重なる部分５
ａに段差を設けるか、あるいは導磁路を構成する薄膜
中、ＭＲ素子と重なる部分の一部を非磁性化（あるいは
硬質化）するか、いずれか１つを選択して構成するよう
にしたが、もちろん、ＭＲ素子３と重なる部分５ａに段
差を設け、更にこの段差部分５ａの一部５ｂを非磁性化
あるいは硬質化するようにしてもよい。

【０１５８】この場合、導磁路を構成する薄膜中、ＭＲ
素子３と重なる部分５ａにおける磁気抵抗が更に大きく
なり、その部分５ａの透磁率が低下するため、導磁路を
構成する薄膜からＭＲ素子３への磁束の漏洩がより効率
よく行なわれることになる。

【０１５９】また、上記各実施例及び変形例において
は、ＭＲ素子３をその長手方向を対向面に沿っていわゆ
る横型に配置した例に適用した場合を示したが、その
他、ＭＲ素子３をその長手方向を対向面と直交する方向
にいわゆる縦型に配置した例にも適用させることができ
る。

【０１６０】

【発明の効果】本発明に係る薄膜磁気ヘッドによれば、
磁気抵抗効果素子と、磁気記録媒体からの磁束を引き込
む導磁路を有する薄膜磁気ヘッドにおいて、上記導磁路
の膜面に上記磁気抵抗効果素子の膜面を膜厚方向に１ｎ
ｍ以上１００ｎｍ以下に近接して配置するようにしたの
で、ＭＲ素子を磁気記録媒体との対向面に露出させなく
とも、十分に磁気記録媒体からの磁束を導磁路を通じて
検出することが可能となり、摩耗や汚染・腐食等により
特性が変動するというおそれや、磁気記録媒体の表面の
帯電に起因するＭＲ素子の放電破壊を引き起こすという
心配もなくなる。その結果、高い再生出力を維持し、か
つＭＲ素子の摩耗、汚染・腐食並びに放電破壊を防止す
ることができ、高い信頼性を図るとともに、記録媒体の
高密度記録化を促進させることができる。

【０１６１】また、本発明に係る薄膜磁気ヘッドによれ
ば、上記構成において、上記導磁路中、上記磁気抵抗効
果素子と重なる部分あるいはその一部を後処理によって
非磁性化あるいは硬質化させるようにしたので、ＭＲ素
子への磁束の漏洩量を制御できることになり、これによ
って、磁気記録媒体に記録された磁化情報を高感度に検
出することができ、ＭＲ素子を備えた磁気ヘッドの特性
向上を図ることが可能となる。

【０１６２】また、本発明に係る薄膜磁気ヘッドによれ
ば、上記構成において、上記導磁路中、上記磁気抵抗効
果素子と重なる部分の近傍に段差を設けるようにしたの
で、ＭＲ素子への磁束の漏洩量を制御できることにな
り、これによって、磁気記録媒体に記録された磁化情報
を高感度に検出することができ、ＭＲ素子を備えた磁気
ヘッドの特性向上を図ることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る薄膜磁気ヘッドを磁気抵抗効果型
再生ヘッドに適用した実施例（以下、単に第１実施例に
係る薄膜磁気ヘッドと記す）の構成を示す断面図であ
る。

【図２】第１実施例に係る薄膜磁気ヘッドの一部、特に
ＭＲ素子と下部磁性層との重なり部分を拡大して示す断
面図である。

【図３】第１実施例に係る薄膜磁気ヘッドのＭＲ素子、
下部磁性層及び電極の形成状態を示す斜視図である。

【図４】第１実施例に係る薄膜磁気ヘッドのＭＲ素子に
おける漏洩磁束量の導磁路−ＭＲ素子間距離依存性を示
す特性図である。

【図５】第１実施例に係る薄膜磁気ヘッドの第１の変形
例を示す断面図である。

【図６】第１実施例に係る薄膜磁気ヘッドの第２の変形
例を示す断面図である。

【図７】第１実施例に係る薄膜磁気ヘッドの第３の変形
例を示す断面図である。

【図８】第１実施例に係る薄膜磁気ヘッドの第４の変形
例を示す断面図である。

【図９】第１実施例に係る薄膜磁気ヘッドの第５の変形
例を示す断面図である。

【図１０】第１実施例に係る薄膜磁気ヘッドの第６の変
形例を示す断面図である。

【図１１】本発明に係る薄膜磁気ヘッドをＭＲ素子を有
する記録再生兼用薄膜磁気ヘッドに適用した実施例（以
下、単に第２実施例に係る薄膜磁気ヘッドと記す）の構
成を示す断面図である。

【図１２】第２実施例に係る薄膜磁気ヘッドの変形例を
示す断面図である。

【図１３】従来例に係る薄膜磁気ヘッドを示す断面図で
ある。

【図１４】他の従来例に係る薄膜磁気ヘッドを示す断面
図である。

【符号の説明】

１ 非磁性基板 ２ 下地層 ３ ＭＲ素子 ４，７，９ 絶縁層 ５ 下部磁性層（導磁路を構成する薄膜） ５ａ ＭＲ素子と重なる部分（段差部分） ５ｂ 非磁性化あるいは硬質化された部分 ６ 導磁路増厚部 ８ 上部磁性層 ｈ 段差 ｇ ギャップ １０ａ，１０ｂ 電極 ２３ 中間磁性層（導磁路を構成する薄膜）

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 磁気抵抗効果素子と、磁気記録媒体から
   の磁束を引き込む導磁路を構成する薄膜を有する薄膜磁
   気ヘッドにおいて、 上記導磁路を構成する薄膜の膜面に上記磁気抵抗効果素
   子の膜面を膜厚方向に１ｎｍ以上１００ｎｍ以下に近接
   して配置したことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
2. 【請求項２】 上記導磁路を構成する薄膜中、上記磁気
   抵抗効果素子と重なる部分あるいはその一部が、後処理
   によって非磁性化あるいは硬質化されていることを特徴
   とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
3. 【請求項３】 上記導磁路を構成する薄膜中、上記磁気
   抵抗効果素子と重なる部分の近傍に段差が設けられてい
   ることを特徴とする請求項１又は２記載の薄膜磁気ヘッ
   ド。
4. 【請求項４】 上記薄膜によって構成される導磁路が単
   磁極型であることを特徴とする請求項１、２又は３記載
   の薄膜磁気ヘッド。
5. 【請求項５】 上記導磁路を構成する薄膜中、上記磁気
   抵抗効果素子と近接して配置された部分が、上記磁気抵
   抗効果素子の感磁部の膜面にほぼ平行であり、 かつ上記導磁路を構成する薄膜の膜厚方向両側に磁気シ
   ールド層が配置されていることを特徴とする請求項１〜
   ４いずれか１記載の薄膜磁気ヘッド。
6. 【請求項６】 上記磁気抵抗効果素子に近接して配置さ
   れた上記導磁路を構成する薄膜がリング型磁気コアの一
   部を構成し、その磁気ギャップが再生ギャップとされて
   いることを特徴とする請求項１、２、３又は５記載の薄
   膜磁気ヘッド。
7. 【請求項７】 上記リング型磁気コアの磁気ギャップが
   記録再生兼用のギャップとされ、上記リング型磁気コア
   にコイルが巻回されていることを特徴とする請求項６記
   載の薄膜磁気ヘッド。