JPH07294927A - 液晶素子の製造方法 - Google Patents
液晶素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH07294927A JPH07294927A JP10919094A JP10919094A JPH07294927A JP H07294927 A JPH07294927 A JP H07294927A JP 10919094 A JP10919094 A JP 10919094A JP 10919094 A JP10919094 A JP 10919094A JP H07294927 A JPH07294927 A JP H07294927A
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- Japan
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- liquid crystal
- crystal molecules
- alignment
- substrates
- alignment film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 液晶分子に対する配向規制力を均一にし、液
晶分子のプレチルト角のバラツキを防ぎ、液晶分子の配
向を安定させることのできる液晶素子の製造方法を提供
する。 【構成】 一対の基板１、２の対向面それぞれに透明電
極３、４およびこの透明電極３、４を覆ってラビング処
理が施された配向膜７、８が形成され、一対の基板１、
２間に液晶１０が配向膜７、８で挾まれて封入された液
晶セルの製造方法において、配向膜７、８が配向処理さ
れた後で液晶１０を封入する前に、配向膜７、８を所定
温度（１００℃〜２００℃の範囲）で熱処理する。した
がって、液晶分子１１に対する配向膜７、８の配向規制
力が均一になり、このため液晶分子１１のプレチルト角
のバラツキを防ぐことができ、液晶分子１１の配向を安
定させることができる。
晶分子のプレチルト角のバラツキを防ぎ、液晶分子の配
向を安定させることのできる液晶素子の製造方法を提供
する。 【構成】 一対の基板１、２の対向面それぞれに透明電
極３、４およびこの透明電極３、４を覆ってラビング処
理が施された配向膜７、８が形成され、一対の基板１、
２間に液晶１０が配向膜７、８で挾まれて封入された液
晶セルの製造方法において、配向膜７、８が配向処理さ
れた後で液晶１０を封入する前に、配向膜７、８を所定
温度（１００℃〜２００℃の範囲）で熱処理する。した
がって、液晶分子１１に対する配向膜７、８の配向規制
力が均一になり、このため液晶分子１１のプレチルト角
のバラツキを防ぐことができ、液晶分子１１の配向を安
定させることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、液晶表示装置に用い
られる液晶素子の製造方法に関する。
られる液晶素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、液晶素子には、一対のガラス基板
の対向面それぞれに透明電極およびこの透明電極を覆っ
て所定方向に配向処理が施された配向膜を形成し、これ
ら一対のガラス基板間に液晶を配向膜で挾んで封入して
なる液晶セルがある。このような液晶セルでは、配向膜
としてポリイミドなどの高分子材料を用い、この高分子
材料をガラス基板の表面にコーティングして焼成した
後、ラビング処理を行ない、これにより所定方向に配向
処理が施された配向膜を形成している。
の対向面それぞれに透明電極およびこの透明電極を覆っ
て所定方向に配向処理が施された配向膜を形成し、これ
ら一対のガラス基板間に液晶を配向膜で挾んで封入して
なる液晶セルがある。このような液晶セルでは、配向膜
としてポリイミドなどの高分子材料を用い、この高分子
材料をガラス基板の表面にコーティングして焼成した
後、ラビング処理を行ない、これにより所定方向に配向
処理が施された配向膜を形成している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな液晶セルの製造方法では、ラビング処理時における
ガラス基板自体の歪、これを載置するステージの傾き、
ラビング布の毛足の圧接度のバラツキ、ラビング装置の
振動などの様々な要因によって、所定のラビング強度を
安定して得ることが難しい。その為、液晶分子に対する
配向膜の配向規制力が不均一になり、液晶分子のプレチ
ルト角にバラツキが生じ、液晶分子に配向むらが発生す
るという問題がある。なお、このような液晶素子を液晶
表示装置に用いると、所望のプレチルト角が安定して得
られず液晶分子の配向むらが発生し、表示品位が低下す
るという問題が生じる。
うな液晶セルの製造方法では、ラビング処理時における
ガラス基板自体の歪、これを載置するステージの傾き、
ラビング布の毛足の圧接度のバラツキ、ラビング装置の
振動などの様々な要因によって、所定のラビング強度を
安定して得ることが難しい。その為、液晶分子に対する
配向膜の配向規制力が不均一になり、液晶分子のプレチ
ルト角にバラツキが生じ、液晶分子に配向むらが発生す
るという問題がある。なお、このような液晶素子を液晶
表示装置に用いると、所望のプレチルト角が安定して得
られず液晶分子の配向むらが発生し、表示品位が低下す
るという問題が生じる。
【０００４】この発明は、上記事情に鑑みてなされたも
ので、液晶分子に対する配向膜の配向規制力を均一に
し、液晶分子のプレチルト角のバラツキを防ぎ、液晶分
子の配向を安定させることのできる液晶素子の製造方法
を提供することを目的とする。
ので、液晶分子に対する配向膜の配向規制力を均一に
し、液晶分子のプレチルト角のバラツキを防ぎ、液晶分
子の配向を安定させることのできる液晶素子の製造方法
を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記目的を
達成するため、一対の基板の対向面それぞれに透明電極
およびこの透明電極を覆って配向処理が施された配向膜
が形成され、一対の基板間に液晶が配向膜で挾まれて封
入された液晶素子の製造方法において、配向膜が配向処
理された後で液晶を封入する前に、配向膜を所定温度で
熱処理することを特徴とするものである。
達成するため、一対の基板の対向面それぞれに透明電極
およびこの透明電極を覆って配向処理が施された配向膜
が形成され、一対の基板間に液晶が配向膜で挾まれて封
入された液晶素子の製造方法において、配向膜が配向処
理された後で液晶を封入する前に、配向膜を所定温度で
熱処理することを特徴とするものである。
【０００６】
【作用】この発明によれば、配向膜が配向処理された後
で液晶を封入する前に、配向膜を所定温度で熱処理する
ことにより、ラブング強度に基づく物理的特性のバラツ
キが緩和され、液晶分子に対する配向膜の配向規制力が
均一になり、このため液晶分子のプレチルト角のバラツ
キを防ぐことができ、液晶分子の配向を安定させること
ができる。
で液晶を封入する前に、配向膜を所定温度で熱処理する
ことにより、ラブング強度に基づく物理的特性のバラツ
キが緩和され、液晶分子に対する配向膜の配向規制力が
均一になり、このため液晶分子のプレチルト角のバラツ
キを防ぐことができ、液晶分子の配向を安定させること
ができる。
【０００７】
【実施例】以下、図１および図２を参照して、この発明
の液晶素子の製造方法の一実施例について説明する。図
１は液晶素子である液晶セルの断面図であり、図２はそ
の製造工程を示す図である。これらの図を参照して、液
晶セルの製造方法を製造工程順に説明する。まず、無機
ガラス、有機ガラス、または高分子フィルムなどからな
る一対の基板１、２を用意する。そして、各基板１、２
の表面を洗浄した後、各基板１、２の対向面それぞれに
ＩＴＯなどの透明な導電膜を被着し、この導電膜をフォ
トリソグラフィ法により所定の形状に形成する。これに
より、各基板１、２の対向面それぞれに透明電極３、４
が形成される。この場合、透明電極３、４は、セグメン
ト表示、単純マトリクス表示、アクティブマトリクス表
示などの表示形態に応じた形状に形成される。この後、
各基板１、２の対向面それぞれに透明電極３、４を覆っ
て透明な絶縁膜５、６を形成する。この絶縁膜５、６は
透明電極３、４よりも厚く形成され、その表面は透明電
極３、４によって盛り上がらないような平坦面に形成さ
れている。
の液晶素子の製造方法の一実施例について説明する。図
１は液晶素子である液晶セルの断面図であり、図２はそ
の製造工程を示す図である。これらの図を参照して、液
晶セルの製造方法を製造工程順に説明する。まず、無機
ガラス、有機ガラス、または高分子フィルムなどからな
る一対の基板１、２を用意する。そして、各基板１、２
の表面を洗浄した後、各基板１、２の対向面それぞれに
ＩＴＯなどの透明な導電膜を被着し、この導電膜をフォ
トリソグラフィ法により所定の形状に形成する。これに
より、各基板１、２の対向面それぞれに透明電極３、４
が形成される。この場合、透明電極３、４は、セグメン
ト表示、単純マトリクス表示、アクティブマトリクス表
示などの表示形態に応じた形状に形成される。この後、
各基板１、２の対向面それぞれに透明電極３、４を覆っ
て透明な絶縁膜５、６を形成する。この絶縁膜５、６は
透明電極３、４よりも厚く形成され、その表面は透明電
極３、４によって盛り上がらないような平坦面に形成さ
れている。
【０００８】次に、各基板１、２の絶縁膜５、６の表面
にそれぞれ配向膜７、８を以下のように形成する。ま
ず、ポリイミドをＮ、Ｎ、ジメチルホルムアミドなどの
溶媒で固形分濃度０〜１０％程度以内になるように溶解
し、これを絶縁膜５、６の表面にスピンコート法により
所定の回転数（１００〜５０００ｒｐｍ）で塗布した
後、静置して表面を平坦化させるレベリングを施し、焼
成によりイミド化処理する。この後、ラビング装置のド
ラムにラビング布をセットして一定方向に回転させなが
ら基板１、２を所定方向に移動させることにより、ラビ
ング処理を施す。この場合、ラビング装置は、ドラム回
転時の押し込み量（ラビング布と配向膜表面との接触度
合）が一定になるように制御できるようになっている。
この結果、基板１、２の各絶縁膜５、６の表面に膜厚が
数オングストローム〜数千オングストロームで所定方向
にラビング処理（配向処理）が施された配向膜７、８が
得られる。
にそれぞれ配向膜７、８を以下のように形成する。ま
ず、ポリイミドをＮ、Ｎ、ジメチルホルムアミドなどの
溶媒で固形分濃度０〜１０％程度以内になるように溶解
し、これを絶縁膜５、６の表面にスピンコート法により
所定の回転数（１００〜５０００ｒｐｍ）で塗布した
後、静置して表面を平坦化させるレベリングを施し、焼
成によりイミド化処理する。この後、ラビング装置のド
ラムにラビング布をセットして一定方向に回転させなが
ら基板１、２を所定方向に移動させることにより、ラビ
ング処理を施す。この場合、ラビング装置は、ドラム回
転時の押し込み量（ラビング布と配向膜表面との接触度
合）が一定になるように制御できるようになっている。
この結果、基板１、２の各絶縁膜５、６の表面に膜厚が
数オングストローム〜数千オングストロームで所定方向
にラビング処理（配向処理）が施された配向膜７、８が
得られる。
【０００９】次に、配向膜７、８の材質つまりポリイミ
ドに応じて配向膜７、８を所定温度で熱処理する。この
熱処理温度は、１００℃以下であると十分な熱処理がで
きず、２００℃以上であるとカラー表示用のカラーフィ
ルタが劣化するため、１００℃〜２００℃の範囲が好ま
しい。また、この熱処理温度は、ポリイミドの材料によ
って異なり、例えば後述する液晶分子１１のプレチルト
角を大きくしたい場合には低い温度で熱処理し、またプ
レチルト角を小さくしたい場合には高い温度で熱処理す
る。なお、ポリイミドの材料によってはこの逆の場合も
ある。
ドに応じて配向膜７、８を所定温度で熱処理する。この
熱処理温度は、１００℃以下であると十分な熱処理がで
きず、２００℃以上であるとカラー表示用のカラーフィ
ルタが劣化するため、１００℃〜２００℃の範囲が好ま
しい。また、この熱処理温度は、ポリイミドの材料によ
って異なり、例えば後述する液晶分子１１のプレチルト
角を大きくしたい場合には低い温度で熱処理し、またプ
レチルト角を小さくしたい場合には高い温度で熱処理す
る。なお、ポリイミドの材料によってはこの逆の場合も
ある。
【００１０】この後、一対の基板１、２の各配向膜７、
８を対向させるとともに各配向膜７、８のラビング方向
が互いに平行で同じ方向を向くように、一対の基板１、
２を対向配置し、これら一対の基板１、２を所定間隔離
してシール材９で接合し、これら一対の基板１、２とシ
ール材９とで囲われた領域内に液晶１０を真空注入法に
より注入して封止する。これにより、液晶分子１１がホ
モジニアス配向された液晶セルが形成される。なお、こ
の液晶セルを液晶表示装置として用いる場合には、液晶
セルの外側に液晶セルを挾むように一対の偏光板を配置
したり、また一方の偏光板の外側に反射板を設けたりす
れば良い。
８を対向させるとともに各配向膜７、８のラビング方向
が互いに平行で同じ方向を向くように、一対の基板１、
２を対向配置し、これら一対の基板１、２を所定間隔離
してシール材９で接合し、これら一対の基板１、２とシ
ール材９とで囲われた領域内に液晶１０を真空注入法に
より注入して封止する。これにより、液晶分子１１がホ
モジニアス配向された液晶セルが形成される。なお、こ
の液晶セルを液晶表示装置として用いる場合には、液晶
セルの外側に液晶セルを挾むように一対の偏光板を配置
したり、また一方の偏光板の外側に反射板を設けたりす
れば良い。
【００１１】このような液晶セルの製造方法では、配向
膜７、８がラビング処理された後で液晶１０を封入する
前に、配向膜７、８を１００℃〜２００℃の範囲の所定
温度で熱処理しているので、液晶分子１１に対する配向
膜７、８の配向規制力が均一になり、これにより液晶分
子１１のプレチルト角のバラツキを防ぐことができ、液
晶分子１１の配向を安定させることができる。したがっ
て、このような液晶セルを液晶表示装置に用いた場合に
は、液晶分子１１の配向が安定しているので、電圧印加
時における液晶分子１１の動作が安定し、表示品位の高
いものを得ることができる。
膜７、８がラビング処理された後で液晶１０を封入する
前に、配向膜７、８を１００℃〜２００℃の範囲の所定
温度で熱処理しているので、液晶分子１１に対する配向
膜７、８の配向規制力が均一になり、これにより液晶分
子１１のプレチルト角のバラツキを防ぐことができ、液
晶分子１１の配向を安定させることができる。したがっ
て、このような液晶セルを液晶表示装置に用いた場合に
は、液晶分子１１の配向が安定しているので、電圧印加
時における液晶分子１１の動作が安定し、表示品位の高
いものを得ることができる。
【００１２】なお、上記実施例では、一対の基板１、２
を貼り合わせた後、真空注入法により液晶１０を注入す
るため、基板１、２を貼り合わせる前に配向膜７、８を
熱処理したが、これに限らず、液晶１０を滴下法により
封入する場合には、液晶１０を滴下する前に熱処理を行
なえば良い。また、上記実施例では、各配向膜７、８の
ラビング方向が平行で同じ方向を向いたホモニジアス配
向の液晶セルについて述べたが、これに限らず、例えば
各配向膜７、８のラビング方向が互いに直角に交差する
ように一対の基板１、２を対向配置させたツイステッド
ネマティック型の液晶セル、あるいは各配向膜７、８の
ラビング方向が所定角度で交差し、液晶分子１１のツイ
スト角が１８０°以上のスーパーツイステッドネマティ
ック型の液晶セルなどにも適用することができる。
を貼り合わせた後、真空注入法により液晶１０を注入す
るため、基板１、２を貼り合わせる前に配向膜７、８を
熱処理したが、これに限らず、液晶１０を滴下法により
封入する場合には、液晶１０を滴下する前に熱処理を行
なえば良い。また、上記実施例では、各配向膜７、８の
ラビング方向が平行で同じ方向を向いたホモニジアス配
向の液晶セルについて述べたが、これに限らず、例えば
各配向膜７、８のラビング方向が互いに直角に交差する
ように一対の基板１、２を対向配置させたツイステッド
ネマティック型の液晶セル、あるいは各配向膜７、８の
ラビング方向が所定角度で交差し、液晶分子１１のツイ
スト角が１８０°以上のスーパーツイステッドネマティ
ック型の液晶セルなどにも適用することができる。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、配向膜が配向処理された後で液晶を封入する前に、
配向膜を所定温度で熱処理することにより、液晶分子に
対する配向膜の配向規制力が均一になり、このため液晶
分子のプレチルト角のバラツキを防ぐことができ、液晶
分子の配向を安定させることができる。
ば、配向膜が配向処理された後で液晶を封入する前に、
配向膜を所定温度で熱処理することにより、液晶分子に
対する配向膜の配向規制力が均一になり、このため液晶
分子のプレチルト角のバラツキを防ぐことができ、液晶
分子の配向を安定させることができる。
【図１】この発明の液晶セルの一実施例を示す断面図。
【図２】図１の液晶セルの製造工程を示す図。
１、２ 基板 ３、４ 透明電極 ７、８ 配向膜 １０ 液晶
Claims (2)
- 【請求項１】 一対の基板の対向面それぞれに透明電極
およびこの透明電極を覆って配向処理が施された配向膜
が形成され、前記一対の基板間に液晶が前記配向膜で挾
まれて封入された液晶素子の製造方法において、 前記配向膜が配向処理された後で前記液晶を封入する前
に、前記配向膜を所定温度で熱処理することを特徴とす
る液晶素子の製造方法。 - 【請求項２】 前記配向膜はポリイミドで、前記熱処理
温度は１００℃〜２００℃であることを特徴とする請求
項１記載の液晶素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10919094A JPH07294927A (ja) | 1994-04-26 | 1994-04-26 | 液晶素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10919094A JPH07294927A (ja) | 1994-04-26 | 1994-04-26 | 液晶素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07294927A true JPH07294927A (ja) | 1995-11-10 |
Family
ID=14503926
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10919094A Pending JPH07294927A (ja) | 1994-04-26 | 1994-04-26 | 液晶素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07294927A (ja) |
-
1994
- 1994-04-26 JP JP10919094A patent/JPH07294927A/ja active Pending
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