JPH07285983A - 不斉エポキシ化反応 - Google Patents
不斉エポキシ化反応Info
- Publication number
- JPH07285983A JPH07285983A JP6041076A JP4107694A JPH07285983A JP H07285983 A JPH07285983 A JP H07285983A JP 6041076 A JP6041076 A JP 6041076A JP 4107694 A JP4107694 A JP 4107694A JP H07285983 A JPH07285983 A JP H07285983A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- formula
- alkyl
- hydrogen atom
- alkyl group
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Heterocyclic Carbon Compounds Containing A Hetero Ring Having Oxygen Or Sulfur (AREA)
- Catalysts (AREA)
- Epoxy Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 式［Ｉ］及び［I'］
【化１】
〔式中、R1、R2、R3及びR4は、それぞれ独立して水素原
子、C1-C4アルキル基、フェニル基（該フェニル基は、
ハロゲン原子、C1-C4アルキル基、C1-C4アルコキシ基、
シアノ基又はニトロ基で置換されていてもよい。）を意
味し、又、いずれか２つが一緒になってC4-C8の環を形
成してもよい。Ｘ-は塩を形成しうる陰イオン対を意味
する。Ｙは水素原子、ハロゲン原子、C1-C4アルキル
基、C1-C4アルコキシ基、ニトロ基又はシアノ基を意味
する。Ｒは水素原子、C1-C4アルキル基、フェニル基
（該フェニル基は、ハロゲン原子、C1-C4アルキル基、C
1-C4アルコキシ基で置換されていてもよい。）又は置換
シリル基を意味する。〕で表される光学活性マンガン錯
体。 【効果】 この化合物は、近傍官能基を有しないオレフ
ィン化合物を原料とする光学活性エポキシ化合物の製造
に有用な新規な触媒であり、光学活性な医薬品中間体の
工業的製造法として有用である。
子、C1-C4アルキル基、フェニル基（該フェニル基は、
ハロゲン原子、C1-C4アルキル基、C1-C4アルコキシ基、
シアノ基又はニトロ基で置換されていてもよい。）を意
味し、又、いずれか２つが一緒になってC4-C8の環を形
成してもよい。Ｘ-は塩を形成しうる陰イオン対を意味
する。Ｙは水素原子、ハロゲン原子、C1-C4アルキル
基、C1-C4アルコキシ基、ニトロ基又はシアノ基を意味
する。Ｒは水素原子、C1-C4アルキル基、フェニル基
（該フェニル基は、ハロゲン原子、C1-C4アルキル基、C
1-C4アルコキシ基で置換されていてもよい。）又は置換
シリル基を意味する。〕で表される光学活性マンガン錯
体。 【効果】 この化合物は、近傍官能基を有しないオレフ
ィン化合物を原料とする光学活性エポキシ化合物の製造
に有用な新規な触媒であり、光学活性な医薬品中間体の
工業的製造法として有用である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高血圧症、喘息症等の治
療に有効な光学活性ベンゾピラン化合物を初めとして、
医薬の重要合成中間体である光学活性エポキシ化合物の
製造法に関する。
療に有効な光学活性ベンゾピラン化合物を初めとして、
医薬の重要合成中間体である光学活性エポキシ化合物の
製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】光学活
性な医薬品の製造にエポキシ化合物が利用される場合の
最も一般的な方法は、さらに工程が進んだ段階（例えば
アンモニアと反応させて得られるアミノアルコール化合
物）でジアステレオマー分割する方法であり、具体的に
は特開平3-141286 号公報、EP409165号公報及び米国特
許 5097037号公報に記載されているピラノベンゾオキサ
ジアゾール化合物の光学分割法やJ. Med. Chem., 35, 1
685-1701 (1992) の文献に記載の光学活性インデンオキ
サイドの合成例を挙げることができる。第二の方法とし
てはエポキシ化合物の前駆体であるハロヒドリン化合物
を誘導体化し、その段階でジアステレオマー分割する
か、または酵素の立体選択性を利用する方法であり、具
体的には Circulation Research, 62, 4, 679-686 (198
8)に記載されているベンゾピラン化合物の光学分割法を
挙げることができる。これら２つの方法はいずれもラセ
ミ体を分離するため不必要な側の対掌体が全く無駄にな
るという経済的には大きな問題を抱えている。
性な医薬品の製造にエポキシ化合物が利用される場合の
最も一般的な方法は、さらに工程が進んだ段階（例えば
アンモニアと反応させて得られるアミノアルコール化合
物）でジアステレオマー分割する方法であり、具体的に
は特開平3-141286 号公報、EP409165号公報及び米国特
許 5097037号公報に記載されているピラノベンゾオキサ
ジアゾール化合物の光学分割法やJ. Med. Chem., 35, 1
685-1701 (1992) の文献に記載の光学活性インデンオキ
サイドの合成例を挙げることができる。第二の方法とし
てはエポキシ化合物の前駆体であるハロヒドリン化合物
を誘導体化し、その段階でジアステレオマー分割する
か、または酵素の立体選択性を利用する方法であり、具
体的には Circulation Research, 62, 4, 679-686 (198
8)に記載されているベンゾピラン化合物の光学分割法を
挙げることができる。これら２つの方法はいずれもラセ
ミ体を分離するため不必要な側の対掌体が全く無駄にな
るという経済的には大きな問題を抱えている。
【０００３】それに対し、最近、光学活性なマンガン錯
体を用いる不斉触媒合成法が見いだされており、効率的
な光学活性エポキシ体の製造法として注目されている。
例えば J. Am. Chem. Soc., 113, 7063-7064, (1991)に
記載されている Jacobsen らの触媒や特開平5-301878号
公報、欧州公開特許535377号公報に記載されている香月
らの触媒である。この方法はラセミ体の分割法と異なり
不要な側の対掌体が無駄になるという問題が解消され、
原料となるオレフィンの種類によっては良好な化学収率
と光学収率を与えるために効率的な製造法を提供する。
しかし、これまで報告された触媒だけではすべての光学
活性エポキシ体の製造において良好な結果を与えるとは
限らず、現在も改善を計るための研究が盛んに行なわれ
ているというのが現状である。
体を用いる不斉触媒合成法が見いだされており、効率的
な光学活性エポキシ体の製造法として注目されている。
例えば J. Am. Chem. Soc., 113, 7063-7064, (1991)に
記載されている Jacobsen らの触媒や特開平5-301878号
公報、欧州公開特許535377号公報に記載されている香月
らの触媒である。この方法はラセミ体の分割法と異なり
不要な側の対掌体が無駄になるという問題が解消され、
原料となるオレフィンの種類によっては良好な化学収率
と光学収率を与えるために効率的な製造法を提供する。
しかし、これまで報告された触媒だけではすべての光学
活性エポキシ体の製造において良好な結果を与えるとは
限らず、現在も改善を計るための研究が盛んに行なわれ
ているというのが現状である。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者は、近傍官能基
を有しないオレフィン化合物［II］
を有しないオレフィン化合物［II］
【０００５】
【化１４】
【０００６】〔式中、R5及びR6は、それぞれ独立して、
水素原子、シアノ基、ニトロ基、アセチル基などの保護
基で保護されていてもよいアミノ基、ハロゲン原子、C1
-C4アルキル基、C1-C4アルコキシ基、ハロC1-C4アルキ
ル基、カルボキシ基、ホルミル基、C1-C4アルカノイル
基、アロイル基、ハロC1-C4アルカノイル基、カルバモ
イル基、C1-C4アルキルスルフィニル基、アリールスル
フィニル基、C1-C4アルキルスルホニル基、アリールス
ルホニル基、スルホンアミド基、モノ又はジC1-C4アル
キルスルホンアミド基を意味するか、又はR5とR6がオル
ト位のとき両者が一緒になって、結合する環とともに
水素原子、シアノ基、ニトロ基、アセチル基などの保護
基で保護されていてもよいアミノ基、ハロゲン原子、C1
-C4アルキル基、C1-C4アルコキシ基、ハロC1-C4アルキ
ル基、カルボキシ基、ホルミル基、C1-C4アルカノイル
基、アロイル基、ハロC1-C4アルカノイル基、カルバモ
イル基、C1-C4アルキルスルフィニル基、アリールスル
フィニル基、C1-C4アルキルスルホニル基、アリールス
ルホニル基、スルホンアミド基、モノ又はジC1-C4アル
キルスルホンアミド基を意味するか、又はR5とR6がオル
ト位のとき両者が一緒になって、結合する環とともに
【０００７】
【化１５】
【０００８】（式中、ｎは０又は１の整数を表す。）を
意味する。R7は水素原子、C1-C4アルキル基又はC1-C4ア
ルコキシ基を意味する。R8はC1-C4アルキル基又はC1-C4
アルコキシ基を意味する。又は、R7とR8が一緒になって
意味する。R7は水素原子、C1-C4アルキル基又はC1-C4ア
ルコキシ基を意味する。R8はC1-C4アルキル基又はC1-C4
アルコキシ基を意味する。又は、R7とR8が一緒になって
【０００９】
【化１６】
【００１０】（R9、R10、R11及びR12は、それぞれ独立
して、水素原子又はC1-C4アルキル基を意味する。）を
意味する。〕を原料とする光学活性エポキシ化合物［II
I］
して、水素原子又はC1-C4アルキル基を意味する。）を
意味する。〕を原料とする光学活性エポキシ化合物［II
I］
【００１１】
【化１７】
【００１２】（R5、R6、R7及びR8は前記に同じ。＊で示
された炭素原子の絶対配位はＲかＳを意味する。）の製
造法を鋭意検討した結果、式［Ｉ］又は［I'］
された炭素原子の絶対配位はＲかＳを意味する。）の製
造法を鋭意検討した結果、式［Ｉ］又は［I'］
【００１３】
【化１８】
【００１４】〔式中、R1、R2、R3及びR4は、それぞれ独
立して水素原子、C1-C4アルキル基、フェニル基（該フ
ェニル基は、ハロゲン原子、C1-C4アルキル基、C1-C4ア
ルコキシ基、シアノ基又はニトロ基で置換されていても
よい。）を意味し、又、いずれか２つが一緒になって環
を形成してもよい。Ｘ-は塩を形成しうる陰イオン対を
意味する。
立して水素原子、C1-C4アルキル基、フェニル基（該フ
ェニル基は、ハロゲン原子、C1-C4アルキル基、C1-C4ア
ルコキシ基、シアノ基又はニトロ基で置換されていても
よい。）を意味し、又、いずれか２つが一緒になって環
を形成してもよい。Ｘ-は塩を形成しうる陰イオン対を
意味する。
【００１５】Ｙは水素原子、ハロゲン原子、C1-C4アル
キル基、C1-C4アルコキシ基、ニトロ基又はシアノ基を
意味する。Ｒは水素原子、C1-C4アルキル基、フェニル
基（該フェニル基は、ハロゲン原子、C1-C4アルキル
基、C1-C4アルコキシ基で置換されていてもよい。）又
は置換シリル基を意味する。〕で表される光学活性マン
ガン錯体を不斉触媒として用いることにより、高い不斉
収率で目的とする式［III］で表される光学活性エポキ
シ化合物が得られることを見出し本発明を完成させた。
キル基、C1-C4アルコキシ基、ニトロ基又はシアノ基を
意味する。Ｒは水素原子、C1-C4アルキル基、フェニル
基（該フェニル基は、ハロゲン原子、C1-C4アルキル
基、C1-C4アルコキシ基で置換されていてもよい。）又
は置換シリル基を意味する。〕で表される光学活性マン
ガン錯体を不斉触媒として用いることにより、高い不斉
収率で目的とする式［III］で表される光学活性エポキ
シ化合物が得られることを見出し本発明を完成させた。
【００１６】光学活性マンガン錯体［Ｉ］及び［I'］の
置換基であるR1、R2、R3及びR4としては水素原子、メチ
ル基、エチル基、ノルマルプロピル基、イソプロピル
基、ノルマルブチル基、イソブチル基、セカンダリーブ
チル基、ターシャリーブチル基等のC1-C4アルキル基
か、あるいは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、メチ
ル基、エチル基、ノルマルプロピル基、イソプロピル
基、ノルマルブチル基、イソブチル基、セカンダリーブ
チル基、ターシャリーブチル基、メトキシ基、エトキシ
基、ノルマルプロポキシ基、イソプロポキシ基、ノルマ
ルブトキシ基、イソブトキシ基、セカンダリーブトキシ
基、ターシャリーブトキシ基、シアノ基及びニトロ基の
中から選ばれた置換基によって置換されていてもよいフ
ェニル基が挙げられ、好ましくは、水素原子、エチル
基、ターシャリーブチル基、フェニル基、3,5-ジメチル
フェニル基が挙げられる。
置換基であるR1、R2、R3及びR4としては水素原子、メチ
ル基、エチル基、ノルマルプロピル基、イソプロピル
基、ノルマルブチル基、イソブチル基、セカンダリーブ
チル基、ターシャリーブチル基等のC1-C4アルキル基
か、あるいは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、メチ
ル基、エチル基、ノルマルプロピル基、イソプロピル
基、ノルマルブチル基、イソブチル基、セカンダリーブ
チル基、ターシャリーブチル基、メトキシ基、エトキシ
基、ノルマルプロポキシ基、イソプロポキシ基、ノルマ
ルブトキシ基、イソブトキシ基、セカンダリーブトキシ
基、ターシャリーブトキシ基、シアノ基及びニトロ基の
中から選ばれた置換基によって置換されていてもよいフ
ェニル基が挙げられ、好ましくは、水素原子、エチル
基、ターシャリーブチル基、フェニル基、3,5-ジメチル
フェニル基が挙げられる。
【００１７】又、R1、R2、R3及びR4のいずれか２つが一
緒になって、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘ
キサン、シクロヘプタン、シクロオクタン等C4-C8の環
を形成してもよい。
緒になって、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘ
キサン、シクロヘプタン、シクロオクタン等C4-C8の環
を形成してもよい。
【００１８】Ｒとしてはフェニル基の他、フルオロフェ
ニル、クロロフェニル、ブロモフェニル、トリル、エチ
ルフェニル、ターシャリーブチルフェニル、3,5-ジメチ
ルフェニル基、メトキシフェニル（いずれもオルト体、
メタ体、パラ体が存在する。）、水素原子、メチル基、
エチル基、ノルマルプロピル基、イソプロピル基、ノル
マルブチル基、イソブチル基、セカンダリーブチル基、
ターシャリーブチル基、置換シリル等が挙げられる。
ニル、クロロフェニル、ブロモフェニル、トリル、エチ
ルフェニル、ターシャリーブチルフェニル、3,5-ジメチ
ルフェニル基、メトキシフェニル（いずれもオルト体、
メタ体、パラ体が存在する。）、水素原子、メチル基、
エチル基、ノルマルプロピル基、イソプロピル基、ノル
マルブチル基、イソブチル基、セカンダリーブチル基、
ターシャリーブチル基、置換シリル等が挙げられる。
【００１９】置換シリルとしては、例えば、トリメチル
シリル、トリエチルシリル、トリノルマルプロピルシリ
ル、トリイソプロピルシリル、トリノルマルブチルシリ
ル、トリイソブチルシリル、トリノルマルヘキシルシリ
ル、ジメチルエチルシリル、ジメチルノルマルプロピル
シリル、ジメチルノルマルブチルシリル、ジメチルイソ
ブチルシリル、ジメチルターシャリーブチルシリル、ジ
メチルノルマルペンチルシリル、ジメチルノルマルオク
チルシリル、ジメチルシクロヘキシルシリル、ジメチル
テキシルシリル、ジメチル-2,3- ジメチルプロピルシリ
ル、ジメチル-2-(ビシクロヘプチル) シリル、ジメチル
ベンジルシリル、ジメチルフェニルシリル、ジメチルパ
ラトリルシリル、ジメチルフロフェメシルシリル、メチ
ルジフェニルシリル、トリフェニルシリル、ジフェニル
ターシャリーブチルシリル、トリベンジルシリル、ジフ
ェニルビニルシリル、ジフェニルノルマルブチルシリ
ル、フェニルメチルビニルシリル等を挙げることができ
る。
シリル、トリエチルシリル、トリノルマルプロピルシリ
ル、トリイソプロピルシリル、トリノルマルブチルシリ
ル、トリイソブチルシリル、トリノルマルヘキシルシリ
ル、ジメチルエチルシリル、ジメチルノルマルプロピル
シリル、ジメチルノルマルブチルシリル、ジメチルイソ
ブチルシリル、ジメチルターシャリーブチルシリル、ジ
メチルノルマルペンチルシリル、ジメチルノルマルオク
チルシリル、ジメチルシクロヘキシルシリル、ジメチル
テキシルシリル、ジメチル-2,3- ジメチルプロピルシリ
ル、ジメチル-2-(ビシクロヘプチル) シリル、ジメチル
ベンジルシリル、ジメチルフェニルシリル、ジメチルパ
ラトリルシリル、ジメチルフロフェメシルシリル、メチ
ルジフェニルシリル、トリフェニルシリル、ジフェニル
ターシャリーブチルシリル、トリベンジルシリル、ジフ
ェニルビニルシリル、ジフェニルノルマルブチルシリ
ル、フェニルメチルビニルシリル等を挙げることができ
る。
【００２０】Ｙは水素原子、ハロゲン原子（フッ素原
子、塩素原子、臭素原子）、メチル基、エチル基、ノル
マルプロピル基、イソプロピル基、ノルマルブチル基、
イソブチル基、セカンダリーブチル基、ターシャリーブ
チル基、メトキシ基、エトキシ基、ノルマルプロポキシ
基、イソプロポキシ基、ノルマルブトキシ基、イソブト
キシ基、セカンダリーブトキシ基、ターシャリーブトキ
シ基、ニトロ基又はシアノ基を意味する。
子、塩素原子、臭素原子）、メチル基、エチル基、ノル
マルプロピル基、イソプロピル基、ノルマルブチル基、
イソブチル基、セカンダリーブチル基、ターシャリーブ
チル基、メトキシ基、エトキシ基、ノルマルプロポキシ
基、イソプロポキシ基、ノルマルブトキシ基、イソブト
キシ基、セカンダリーブトキシ基、ターシャリーブトキ
シ基、ニトロ基又はシアノ基を意味する。
【００２１】光学活性マンガン錯体［Ｉ］及び［I'］は
中心金属であるマンガンが１価から５価までの酸化状態
をとり得るため、種々の陰イオン対（Ｘ-) 塩を形成す
ることができる。塩を形成するイオン対としては１価の
OH-、F-、Cl-、Br-、I-、CH3CO2 -、PF6 -、ClO4 -、B
F4 -、２価のCO3 2-、SO4 2-、３価のPO4 3-イオン等が挙げ
られるが、いずれも、本目的の不斉触媒として利用でき
る。
中心金属であるマンガンが１価から５価までの酸化状態
をとり得るため、種々の陰イオン対（Ｘ-) 塩を形成す
ることができる。塩を形成するイオン対としては１価の
OH-、F-、Cl-、Br-、I-、CH3CO2 -、PF6 -、ClO4 -、B
F4 -、２価のCO3 2-、SO4 2-、３価のPO4 3-イオン等が挙げ
られるが、いずれも、本目的の不斉触媒として利用でき
る。
【００２２】光学活性マンガン錯体［Ｉ］及び［I'］の
代表的な合成例を次に説明する。スキームには［Ｉ］
｛R1＝R3＝Ｒ＝Ph（フェニル基）、R2＝R4＝Ｈ、Ｘ＝CH
3CO2 -｝のみの合成法を示すが、［Ｉ］と［I'］は互い
に対掌体の関係であるため、［I'］R1＝R3＝Ｒ＝Ph（フ
ェニル基）、R2＝R4＝Ｈ、Ｘ＝CH3CO2 -｝を合成するに
は、出発原料である光学活性ビナフトール化合物及びジ
アミン化合物を逆の立体配置を持つものに変更するだけ
でよい。
代表的な合成例を次に説明する。スキームには［Ｉ］
｛R1＝R3＝Ｒ＝Ph（フェニル基）、R2＝R4＝Ｈ、Ｘ＝CH
3CO2 -｝のみの合成法を示すが、［Ｉ］と［I'］は互い
に対掌体の関係であるため、［I'］R1＝R3＝Ｒ＝Ph（フ
ェニル基）、R2＝R4＝Ｈ、Ｘ＝CH3CO2 -｝を合成するに
は、出発原料である光学活性ビナフトール化合物及びジ
アミン化合物を逆の立体配置を持つものに変更するだけ
でよい。
【００２３】すなわち、分子不斉を持つ光学活性ビナフ
トール化合物を（ａ）コリジン存在下、Ｎ−フェニルト
リフルオロメタンスルホンイミドを反応させて一方の水
酸基をトリフレートとし、（ｂ）塩化［１，２−ビス
（ジフェニルホスフィノ）エタン］ニッケル（II）を触
媒としてフェニルグリニャール試薬で置換する。次いで
（ｃ）塩基性条件下、クロロメチルメチルエーテルでメ
トキシメチル化した後、（ｄ）ｔ−ブチルリチウムでの
リチオ化、（ｅ）ジメチルホルムアミドでのホルミル
化、（ｆ）トリメチルシリルブロミドでの脱メトキシメ
チル化を経てサリチルアルデヒド化合物を合成する。Ｒ
部分が異なる化合物の合成は上記（ｂ）の段階でグリニ
ャール試薬の種類を代えればよい。（スキーム１）
トール化合物を（ａ）コリジン存在下、Ｎ−フェニルト
リフルオロメタンスルホンイミドを反応させて一方の水
酸基をトリフレートとし、（ｂ）塩化［１，２−ビス
（ジフェニルホスフィノ）エタン］ニッケル（II）を触
媒としてフェニルグリニャール試薬で置換する。次いで
（ｃ）塩基性条件下、クロロメチルメチルエーテルでメ
トキシメチル化した後、（ｄ）ｔ−ブチルリチウムでの
リチオ化、（ｅ）ジメチルホルムアミドでのホルミル
化、（ｆ）トリメチルシリルブロミドでの脱メトキシメ
チル化を経てサリチルアルデヒド化合物を合成する。Ｒ
部分が異なる化合物の合成は上記（ｂ）の段階でグリニ
ャール試薬の種類を代えればよい。（スキーム１）
【００２４】もう一方の原料であるジアミン化合物は市
販の物も多いが、市販されていないジアミン化合物の合
成例として、R1＝R3＝３，５−ジメチルフェニル基、R2
＝R4＝Ｈの場合をスキーム２に示した。すなわち、
（ｇ）３，５−ジメチル安息香酸をリチウムアルミニウ
ムヒドリド還元によりアルコール体とし、（ｈ）二酸化
マンガンで酸化してアルデヒド体を合成する。これを
（ｉ）四塩化チタンと亜鉛末により二量化させ、（ｊ）
４−クロロ安息香酸ヒドロキニジンを不斉源とした四酸
化オスミウムによるシャープレス不斉ジオール化反応に
より、高純度の光学活性ジオール体に変換し、（ｋ）塩
基性条件下、メシルクロリドによる水酸基のメシル化、
（ｌ）アジ化ナトリウムによる置換反応、（ｍ）リチウ
ムアルミニウムヒドリドによるアジドの還元を経て目的
とするジアミン化合物を得る方法である。ただし、ジア
ミン化合物の合成法は置換基の種類により様々であるた
め、必ずしもこの方法に限定するものではない。
販の物も多いが、市販されていないジアミン化合物の合
成例として、R1＝R3＝３，５−ジメチルフェニル基、R2
＝R4＝Ｈの場合をスキーム２に示した。すなわち、
（ｇ）３，５−ジメチル安息香酸をリチウムアルミニウ
ムヒドリド還元によりアルコール体とし、（ｈ）二酸化
マンガンで酸化してアルデヒド体を合成する。これを
（ｉ）四塩化チタンと亜鉛末により二量化させ、（ｊ）
４−クロロ安息香酸ヒドロキニジンを不斉源とした四酸
化オスミウムによるシャープレス不斉ジオール化反応に
より、高純度の光学活性ジオール体に変換し、（ｋ）塩
基性条件下、メシルクロリドによる水酸基のメシル化、
（ｌ）アジ化ナトリウムによる置換反応、（ｍ）リチウ
ムアルミニウムヒドリドによるアジドの還元を経て目的
とするジアミン化合物を得る方法である。ただし、ジア
ミン化合物の合成法は置換基の種類により様々であるた
め、必ずしもこの方法に限定するものではない。
【００２５】以上のようにして得られたサリチリアルデ
ヒド化合物とジアミン化合物をエタノール、メタノール
などのアルコール系の溶媒、アセトニトリル、プロピオ
ニトリルのようなニトリル系の溶媒、ジクロロメタン、
クロロホルムのようなハロゲン系の溶媒、ベンゼン、ト
ルエンのような芳香族炭化水素系の溶媒、テトラヒドロ
フラン、ジエチルエーテルのようなエーテル系溶媒、ヘ
キサン、ヘプタンのような炭化水素系の溶媒中で混合さ
せイミン化合物を形成させる。好ましい溶媒としてはエ
タノール、メタノール、アセトニトリル、ジクロロメタ
ン、トルエン等を挙げることができる。この時、必要で
あれば、等モル以上の無水硫酸マグネシウムや無水ホウ
酸又はモレキュラーシーブのような脱水剤を共存させて
もよい。あるいは溶媒との共沸脱水により生成水の除去
を行ってもよい。反応温度については特に制限がなく、
−２０℃から使用する溶媒の沸点まで可能であるが、好
ましくは０℃から５０℃の範囲で行う。イミン化合物は
必ずしも反応系中から取り出す必要はなく、次のマンガ
ン錯体合成と連続して行うこともできる。
ヒド化合物とジアミン化合物をエタノール、メタノール
などのアルコール系の溶媒、アセトニトリル、プロピオ
ニトリルのようなニトリル系の溶媒、ジクロロメタン、
クロロホルムのようなハロゲン系の溶媒、ベンゼン、ト
ルエンのような芳香族炭化水素系の溶媒、テトラヒドロ
フラン、ジエチルエーテルのようなエーテル系溶媒、ヘ
キサン、ヘプタンのような炭化水素系の溶媒中で混合さ
せイミン化合物を形成させる。好ましい溶媒としてはエ
タノール、メタノール、アセトニトリル、ジクロロメタ
ン、トルエン等を挙げることができる。この時、必要で
あれば、等モル以上の無水硫酸マグネシウムや無水ホウ
酸又はモレキュラーシーブのような脱水剤を共存させて
もよい。あるいは溶媒との共沸脱水により生成水の除去
を行ってもよい。反応温度については特に制限がなく、
−２０℃から使用する溶媒の沸点まで可能であるが、好
ましくは０℃から５０℃の範囲で行う。イミン化合物は
必ずしも反応系中から取り出す必要はなく、次のマンガ
ン錯体合成と連続して行うこともできる。
【００２６】得られたイミン化合物を、エタノール、メ
タノールなどのアルコール系の溶媒、アセトニトリル、
プロピオニトリルのようなニトリル系の溶媒、ジクロロ
メタン、クロロホルムのようなハロゲン系の溶媒中に溶
解又は懸濁させ、０．５モル当量から１０モル当量、好
ましくは０．８モル当量から２モル当量の酢酸マンガン
を加え、酸素存在下で反応させると目的とする光学活性
マンガン錯体［Ｉ］を得ることができる。必要であれば
CH3CO2 -イオンをCl-、PF6 -その他の陰イオンと置き換え
ることも可能であり、たとえば反応系中に等モル以上の
塩化リチウムを追加することにより、Cl-イオンとの交
換をすることができる。好ましい溶媒としてはエタノー
ル、メタノール、アセトニトリル、ジクロロメタン等を
挙げることができる。反応温度については特に制限がな
く、−２０℃から使用する溶媒の沸点まで可能である
が、好ましくは０℃から５０℃の範囲で行う。酸素は大
過剰の空気又は酸素ガスを反応系中に吹き込むか、又は
大気中、開放系で撹拌することにより、供給される。
タノールなどのアルコール系の溶媒、アセトニトリル、
プロピオニトリルのようなニトリル系の溶媒、ジクロロ
メタン、クロロホルムのようなハロゲン系の溶媒中に溶
解又は懸濁させ、０．５モル当量から１０モル当量、好
ましくは０．８モル当量から２モル当量の酢酸マンガン
を加え、酸素存在下で反応させると目的とする光学活性
マンガン錯体［Ｉ］を得ることができる。必要であれば
CH3CO2 -イオンをCl-、PF6 -その他の陰イオンと置き換え
ることも可能であり、たとえば反応系中に等モル以上の
塩化リチウムを追加することにより、Cl-イオンとの交
換をすることができる。好ましい溶媒としてはエタノー
ル、メタノール、アセトニトリル、ジクロロメタン等を
挙げることができる。反応温度については特に制限がな
く、−２０℃から使用する溶媒の沸点まで可能である
が、好ましくは０℃から５０℃の範囲で行う。酸素は大
過剰の空気又は酸素ガスを反応系中に吹き込むか、又は
大気中、開放系で撹拌することにより、供給される。
【００２７】具体例として、スキーム３には、ジアミン
化合物が（１Ｓ，２Ｓ）−１，２−ジフェニル−１，２
−エタンジアミンである光学活性マンガン錯体［Ｉ］
｛R1＝R3＝Ｒ＝Ph（フェニル基）、R2＝R4＝Ｈ、Ｘ＝CH
3CO2 -｝の合成例を示した。
化合物が（１Ｓ，２Ｓ）−１，２−ジフェニル−１，２
−エタンジアミンである光学活性マンガン錯体［Ｉ］
｛R1＝R3＝Ｒ＝Ph（フェニル基）、R2＝R4＝Ｈ、Ｘ＝CH
3CO2 -｝の合成例を示した。
【００２８】
【化１９】
【００２９】
【化２０】
【００３０】〔式中、Phはフェニルを、Tf2NPhは、Ｎ−
フェニルトリフルオロメタンスルホンイミドを、PhMgBr
は、フェニルマグネシウムブロミドを、NiCl2(dppe)
は、塩化［１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタ
ン］ニッケル（II）を、MOMClは、クロロメチルメチル
エーテルを、(i-Pr)2NEtは、ジイソプロピルエチルアミ
ンを、THF はテトラヒドロフランを、DMF はジメチルホ
ルムアミドを、TMSBrは臭化トリメチルシリルを、LAH
は、リチウムアルミニウムヒドリドを、Et2Oは、ジエチ
ルエーテルを、各々意味する。〕
フェニルトリフルオロメタンスルホンイミドを、PhMgBr
は、フェニルマグネシウムブロミドを、NiCl2(dppe)
は、塩化［１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタ
ン］ニッケル（II）を、MOMClは、クロロメチルメチル
エーテルを、(i-Pr)2NEtは、ジイソプロピルエチルアミ
ンを、THF はテトラヒドロフランを、DMF はジメチルホ
ルムアミドを、TMSBrは臭化トリメチルシリルを、LAH
は、リチウムアルミニウムヒドリドを、Et2Oは、ジエチ
ルエーテルを、各々意味する。〕
【００３１】次に、不斉エポキシ化反応の具体的な方法
について説明する。
について説明する。
【００３２】
【化２１】
【００３３】不斉触媒として用いる光学活性マンガン錯
体［Ｉ］及び［I'］の使用量は原料であるオレフィン化
合物［II］に対して通常０．１ｍｏｌ％〜１００ｍｏｌ
％の範囲、好ましくは１ｍｏｌ％〜５ｍｏｌ％の範囲で
ある。酸化剤の種類としては、ヨードシルベンゼン、２
−ヨードシル安息香酸、次亜塩素酸ナトリウム、過ヨウ
素酸テトラブチルアンモニウム、過酸化水素、酸素、空
気等を使用することができる。酸化剤がヨードシルベン
ゼン又は２−ヨードシル安息香酸の場合の使用量は原料
であるオレフィン化合物［II］に対して通常１当量〜１
０当量、好ましくは１当量〜３当量の範囲である。酸化
剤が次亜塩素酸ナトリウム、過ヨウ素酸テトラブチルア
ンモニウム及び過酸化水素の場合の使用量は原料である
オレフィン化合物［II］に対して通常１当量〜１００当
量の範囲、好ましくは３当量〜３０当量の範囲である。
酸化剤として、空気又は酸素ガスを用いる場合は、大過
剰の空気又は酸素ガスを反応系中に吹き込むか、又は大
気中、開放系で撹拌することにより、供給される。
体［Ｉ］及び［I'］の使用量は原料であるオレフィン化
合物［II］に対して通常０．１ｍｏｌ％〜１００ｍｏｌ
％の範囲、好ましくは１ｍｏｌ％〜５ｍｏｌ％の範囲で
ある。酸化剤の種類としては、ヨードシルベンゼン、２
−ヨードシル安息香酸、次亜塩素酸ナトリウム、過ヨウ
素酸テトラブチルアンモニウム、過酸化水素、酸素、空
気等を使用することができる。酸化剤がヨードシルベン
ゼン又は２−ヨードシル安息香酸の場合の使用量は原料
であるオレフィン化合物［II］に対して通常１当量〜１
０当量、好ましくは１当量〜３当量の範囲である。酸化
剤が次亜塩素酸ナトリウム、過ヨウ素酸テトラブチルア
ンモニウム及び過酸化水素の場合の使用量は原料である
オレフィン化合物［II］に対して通常１当量〜１００当
量の範囲、好ましくは３当量〜３０当量の範囲である。
酸化剤として、空気又は酸素ガスを用いる場合は、大過
剰の空気又は酸素ガスを反応系中に吹き込むか、又は大
気中、開放系で撹拌することにより、供給される。
【００３４】反応溶媒としては、水、アセトニトリル、
ジクロロメタン、ジクロロエタン及びこれらの混合溶媒
などを使用することができる。特に酸化剤が次亜塩素酸
ナトリウムの場合は水とジクロロメタンのように２相系
で実施する方が好ましい場合がある。
ジクロロメタン、ジクロロエタン及びこれらの混合溶媒
などを使用することができる。特に酸化剤が次亜塩素酸
ナトリウムの場合は水とジクロロメタンのように２相系
で実施する方が好ましい場合がある。
【００３５】又、反応系にピリジンＮ−オキシド、４−
フェニルピリジンＮ−オキシド、ルチジンＮ−オキシド
又は２−メチルイミダゾールなどのマンガン錯体に配位
能力を持つ成分を共存させることができる。使用量につ
いては特に制限がない。
フェニルピリジンＮ−オキシド、ルチジンＮ−オキシド
又は２−メチルイミダゾールなどのマンガン錯体に配位
能力を持つ成分を共存させることができる。使用量につ
いては特に制限がない。
【００３６】反応温度は通常−５０℃〜５０℃の範囲、
好ましくは−２０℃〜２５℃の範囲がよい。
好ましくは−２０℃〜２５℃の範囲がよい。
【００３７】反応終了後は有機溶媒を減圧濃縮し、シリ
カゲルカラムクロマトグラフィーあるいは蒸留により分
離精製すれば、目的とする光学活性化合物［III］を単
離することができる。それらの光学純度は光学活性液体
クロマトグラフィーカラム（ダイセル化学工業社、キラ
ルセル ＯＪなど）や旋光度によって分析することがで
きる（分析条件は実施例参照）。
カゲルカラムクロマトグラフィーあるいは蒸留により分
離精製すれば、目的とする光学活性化合物［III］を単
離することができる。それらの光学純度は光学活性液体
クロマトグラフィーカラム（ダイセル化学工業社、キラ
ルセル ＯＪなど）や旋光度によって分析することがで
きる（分析条件は実施例参照）。
【００３８】本不斉エポキシ化反応を適用できるオレフ
ィン化合物［II］として、式［IV］
ィン化合物［II］として、式［IV］
【００３９】
【化２２】
【００４０】（式中、R5及びR6は、それぞれ独立して、
水素原子、シアノ基、ニトロ基、アセチル基などの保護
基で保護されていてもよいアミノ基、ハロゲン原子、C1
-C4アルキル基、C1-C4アルコキシ基、ハロC1-C4アルキ
ル基、カルボキシ基、ホルミル基、C1-C4アルカノイル
基、アロイル基、ハロC1-C4アルカノイル基、カルバモ
イル基、C1-C4アルキルスルフィニル基、アリールスル
フィニル基、C1-C4アルキルスルホニル基、アリールス
ルホニル基、スルホンアミド基、モノ又はジC1-C4アル
キルスルホンアミド基を意味するか、又はR5とR6が一緒
になって、結合する環とともに
水素原子、シアノ基、ニトロ基、アセチル基などの保護
基で保護されていてもよいアミノ基、ハロゲン原子、C1
-C4アルキル基、C1-C4アルコキシ基、ハロC1-C4アルキ
ル基、カルボキシ基、ホルミル基、C1-C4アルカノイル
基、アロイル基、ハロC1-C4アルカノイル基、カルバモ
イル基、C1-C4アルキルスルフィニル基、アリールスル
フィニル基、C1-C4アルキルスルホニル基、アリールス
ルホニル基、スルホンアミド基、モノ又はジC1-C4アル
キルスルホンアミド基を意味するか、又はR5とR6が一緒
になって、結合する環とともに
【００４１】
【化２３】
【００４２】（式中、ｎは０又は１の整数を表す。）を
意味する。R9及びR10は、それぞれ独立して、水素原子
又はC1-C4アルキル基を意味する。）で表されるベンゾ
ピラン誘導体や式［VI］
意味する。R9及びR10は、それぞれ独立して、水素原子
又はC1-C4アルキル基を意味する。）で表されるベンゾ
ピラン誘導体や式［VI］
【００４３】
【化２４】
【００４４】で示したインデン誘導体が挙げられる。
【００４５】ベンゾピラン誘導体として好ましくは、
【００４６】
【化２５】
【００４７】（式中、R5及びR6は、それぞれ独立して、
水素原子、シアノ基、ニトロ基、アセチル基などの保護
基で保護されていてもよいアミノ基、ハロゲン原子、C1
-C4アルキル基、C1-C4アルコキシ基、ハロC1-C4アルキ
ル基、カルボキシ基、ホルミル基、C1-C4アルカノイル
基、アロイル基、ハロC1-C4アルカノイル基、カルバモ
イル基、C1-C4アルキルスルフィニル基、アリールスル
フィニル基、C1-C4アルキルスルホニル基、アリールス
ルホニル基、スルホンアミド基、モノ又はジC1-C4アル
キルスルホンアミド基を意味する。）及び
水素原子、シアノ基、ニトロ基、アセチル基などの保護
基で保護されていてもよいアミノ基、ハロゲン原子、C1
-C4アルキル基、C1-C4アルコキシ基、ハロC1-C4アルキ
ル基、カルボキシ基、ホルミル基、C1-C4アルカノイル
基、アロイル基、ハロC1-C4アルカノイル基、カルバモ
イル基、C1-C4アルキルスルフィニル基、アリールスル
フィニル基、C1-C4アルキルスルホニル基、アリールス
ルホニル基、スルホンアミド基、モノ又はジC1-C4アル
キルスルホンアミド基を意味する。）及び
【００４８】
【化２６】
【００４９】（式中、ｎは０又は１の整数を表す。）が
挙げられる。
挙げられる。
【００５０】インデン誘導体としては、式
【００５１】
【化２７】
【００５２】で示されるインデンが挙げられる。
【００５３】いずれの化合物も、上記の方法により、そ
れぞれ目的とするエポキシ化合物が得られる。
れぞれ目的とするエポキシ化合物が得られる。
【００５４】
【化２８】
【００５５】式［IV］及び［Ｖ］で表される化合物の置
換基であるR5及びR6は、それぞれ独立して、水素原子、
シアノ基、ニトロ基、アセチル基などの保護基で保護さ
れていてもよいアミノ基、ハロゲン原子、C1-C4アルキ
ル基、C1-C4アルコキシ基、ハロC1-C4アルキル基、カル
ボキシ基、ホルミル基、C1-C4アルカノイル基、アロイ
ル基、ハロC1-C4アルカノイル基、カルバモイル基、C1-
C4アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、
C1-C4アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、
スルホンアミド基、モノ又はジC1-C4アルキルスルホン
アミド基を意味するか、又はR5とR6が一緒になって
換基であるR5及びR6は、それぞれ独立して、水素原子、
シアノ基、ニトロ基、アセチル基などの保護基で保護さ
れていてもよいアミノ基、ハロゲン原子、C1-C4アルキ
ル基、C1-C4アルコキシ基、ハロC1-C4アルキル基、カル
ボキシ基、ホルミル基、C1-C4アルカノイル基、アロイ
ル基、ハロC1-C4アルカノイル基、カルバモイル基、C1-
C4アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、
C1-C4アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、
スルホンアミド基、モノ又はジC1-C4アルキルスルホン
アミド基を意味するか、又はR5とR6が一緒になって
【００５６】
【化２９】
【００５７】（式中、ｎは０又は１の整数を表す。）を
意味する。R9及びR10は、それぞれ独立して、水素原子
又はC1-C4アルキル基を意味する。
意味する。R9及びR10は、それぞれ独立して、水素原子
又はC1-C4アルキル基を意味する。
【００５８】アミノ基の保護基としてはアセチル基、プ
ロピオニル基、トリフルオロアセチル基、ベンゾイル基
などのアシル基の他、メトキシカルボニル基、エトキシ
カルボニル基、ターシャリーブトキシカルボニル基、な
どのアルコキシカルボニル基、トシル基、ベンジル基な
どが挙げられる。好ましくは、アセチル基、ターシャリ
ーブトキシカルボニル基である。
ロピオニル基、トリフルオロアセチル基、ベンゾイル基
などのアシル基の他、メトキシカルボニル基、エトキシ
カルボニル基、ターシャリーブトキシカルボニル基、な
どのアルコキシカルボニル基、トシル基、ベンジル基な
どが挙げられる。好ましくは、アセチル基、ターシャリ
ーブトキシカルボニル基である。
【００５９】ハロゲン原子とはフッ素原子、塩素原子、
臭素原子、ヨウ素原子である。
臭素原子、ヨウ素原子である。
【００６０】C1-C4アルキル基は、メチル基、エチル
基、ノルマルプロピル基、イソプロピル基、ノルマルブ
チル基、イソブチル基、セカンダリーブチル基、ターシ
ャリーブチル基を意味する。
基、ノルマルプロピル基、イソプロピル基、ノルマルブ
チル基、イソブチル基、セカンダリーブチル基、ターシ
ャリーブチル基を意味する。
【００６１】C1-C4アルコキシ基は、メトキシ基、エト
キシ基、ノルマルプロポキシ基、イソプロポキシ基、ノ
ルマルブトキシ基、イソブトキシ基、セカンダリーブト
キシ基、ターシャリーブトキシ基を意味する。
キシ基、ノルマルプロポキシ基、イソプロポキシ基、ノ
ルマルブトキシ基、イソブトキシ基、セカンダリーブト
キシ基、ターシャリーブトキシ基を意味する。
【００６２】ハロC1-C4アルキル基とはハロゲン原子で
置換された上記のC1-C4アルキル基を意味し、トリフル
オロメチル基、モノクロロメチル基、ペンタフルオロエ
チル基などが挙げられる。
置換された上記のC1-C4アルキル基を意味し、トリフル
オロメチル基、モノクロロメチル基、ペンタフルオロエ
チル基などが挙げられる。
【００６３】C1-C4アルカノイル基の例としてはアセチ
ル基、プロピオニル基などが挙げられる。
ル基、プロピオニル基などが挙げられる。
【００６４】アロイル基の例としてはベンゾイル基、ト
ルオイル基、ナフトイル基などが挙げられる。
ルオイル基、ナフトイル基などが挙げられる。
【００６５】ハロC1-C4アルカノイル基の例としてはト
リフルオロアセチル基、モノクロロアセチル基、ペンタ
フルオロプロピオニル基などが挙げられる。
リフルオロアセチル基、モノクロロアセチル基、ペンタ
フルオロプロピオニル基などが挙げられる。
【００６６】C1-C4アルキルスルフィニル基、C1-C4アル
キルスルホニル基及びモノまたはジC1-C4アルキルスル
ホンアミド基におけるC1-C4アルキルとは上記と同じで
あり、アリールスルフィニル、アリールスルホニルにお
けるアリールとしてはフェニル基、トリル基などを挙げ
ることができる。
キルスルホニル基及びモノまたはジC1-C4アルキルスル
ホンアミド基におけるC1-C4アルキルとは上記と同じで
あり、アリールスルフィニル、アリールスルホニルにお
けるアリールとしてはフェニル基、トリル基などを挙げ
ることができる。
【００６７】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているので、近傍官能基を有しないオレフィン化合物を
原料に光学活性な医薬品やその中間体として有用な光学
活性エポキシ化合物を製造する新規な触媒を提供するこ
とができる。
ているので、近傍官能基を有しないオレフィン化合物を
原料に光学活性な医薬品やその中間体として有用な光学
活性エポキシ化合物を製造する新規な触媒を提供するこ
とができる。
【００６８】
【００６９】参考例１
【００７０】
【化３０】
【００７１】〔式中、Phはフェニルを、Tf2NPhは、Ｎ−
フェニルトリフルオロメタンスルホンイミドを、PhMgBr
は、フェニルマグネシウムブロミドを、NiCl2(dppe)
は、塩化［１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタ
ン］ニッケル（II）を、MOMClは、クロロメチルメチル
エーテルを、(i-Pr)2NEtは、ジイソプロピルエチルアミ
ンを、THF はテトラヒドロフランを、DMF はジメチルホ
ルムアミドを、TMSBr は臭化トリメチルシリルを、DMAP
はジメチルアミノピリジンを、Et2Oはジエチルエーテル
を、各々意味する。〕
フェニルトリフルオロメタンスルホンイミドを、PhMgBr
は、フェニルマグネシウムブロミドを、NiCl2(dppe)
は、塩化［１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタ
ン］ニッケル（II）を、MOMClは、クロロメチルメチル
エーテルを、(i-Pr)2NEtは、ジイソプロピルエチルアミ
ンを、THF はテトラヒドロフランを、DMF はジメチルホ
ルムアミドを、TMSBr は臭化トリメチルシリルを、DMAP
はジメチルアミノピリジンを、Et2Oはジエチルエーテル
を、各々意味する。〕
【００７２】１の合成 （Ｒ）−（＋）−ビナフトール（２８６ｍｇ，１．０ｍ
ｍｏｌ）のジクロロメタン溶液（４ｍＬ）に２，４，６
−コリジン（１３２μＬ，１．０ｍｍｏｌ）、ジメチル
アミノピリジン（１５ｍｇ，０．１２ｍｍｏｌ）、Ｎ−
フェニルトリフルオロメタンスルホンイミド（３５７ｍ
ｇ，１．０ｍｍｏｌ）を順次加えて１２時間還流した。
反応混合物を濃縮した後、残渣をシリカゲルカラムクロ
マトグラフィー（溶出溶媒：トルエン）により精製し
た。１の収量（収率）：３７８ｍｇ（９０％）。無色結
晶。
ｍｏｌ）のジクロロメタン溶液（４ｍＬ）に２，４，６
−コリジン（１３２μＬ，１．０ｍｍｏｌ）、ジメチル
アミノピリジン（１５ｍｇ，０．１２ｍｍｏｌ）、Ｎ−
フェニルトリフルオロメタンスルホンイミド（３５７ｍ
ｇ，１．０ｍｍｏｌ）を順次加えて１２時間還流した。
反応混合物を濃縮した後、残渣をシリカゲルカラムクロ
マトグラフィー（溶出溶媒：トルエン）により精製し
た。１の収量（収率）：３７８ｍｇ（９０％）。無色結
晶。
【００７３】２の合成１ （２０９ｍｇ，０．５ｍｍｏｌ）と塩化［１，２−ビ
ス（ジフェニルホスフィノ）エタン］ニッケル（II）
（５．３ｍｇ，０．０１ｍｍｏｌ）の混合物にフェニル
マグネシウムブロミド（２．５ｍＬ，ジエチルエーテル
中０．８Ｍ、２．０ｍｍｏｌ）をゆっくり加えた。１時
間還流した後、室温まで冷却し、飽和塩化アンモニウム
水溶液水溶液を加えて反応を停止した。反応混合物をジ
エチルエーテルで抽出して、有機層を飽和炭酸水素ナト
リウム、飽和食塩水で順次洗浄した後、無水硫酸マグネ
シウムで乾燥し、次いで濃縮した。残渣をシリカゲルカ
ラムクロマトグラフィー（溶出溶媒：ヘキサン／トルエ
ン＝４／６）により精製した。２の収量（収率）：１５
６ｍｇ（９０％）。無色結晶。
ス（ジフェニルホスフィノ）エタン］ニッケル（II）
（５．３ｍｇ，０．０１ｍｍｏｌ）の混合物にフェニル
マグネシウムブロミド（２．５ｍＬ，ジエチルエーテル
中０．８Ｍ、２．０ｍｍｏｌ）をゆっくり加えた。１時
間還流した後、室温まで冷却し、飽和塩化アンモニウム
水溶液水溶液を加えて反応を停止した。反応混合物をジ
エチルエーテルで抽出して、有機層を飽和炭酸水素ナト
リウム、飽和食塩水で順次洗浄した後、無水硫酸マグネ
シウムで乾燥し、次いで濃縮した。残渣をシリカゲルカ
ラムクロマトグラフィー（溶出溶媒：ヘキサン／トルエ
ン＝４／６）により精製した。２の収量（収率）：１５
６ｍｇ（９０％）。無色結晶。
【００７４】1H NMR(400MHz):8.10(d, J=8.30Hz, 1H),
7.79(d, J=8.30Hz, 1H), 7.78(d, J=9.28Hz, 2H), 7.72
(d, J=8.79Hz, 1H), 7.54-7.50(m, 1H), 7.36-7.20(m,
4H), 7.15-7.04(m, 7H).
7.79(d, J=8.30Hz, 1H), 7.78(d, J=9.28Hz, 2H), 7.72
(d, J=8.79Hz, 1H), 7.54-7.50(m, 1H), 7.36-7.20(m,
4H), 7.15-7.04(m, 7H).
【００７５】３の合成２ （３６５ｍｇ，１．１ｍｍｏｌ）のジクロロメタン溶
液（４ｍＬ）にジイソプロピルエチルアミン（５３０μ
Ｌ，３．０ｍｍｏｌ）、クロロメチルメチルエーテル
（２３０μＬ，３．０ｍｍｏｌ）を順次加えて、室温で
１日撹拌した。反応混合物を水で洗浄した後、無水硫酸
ナトリウムで乾燥し、次いで濃縮した。残渣をシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィー（溶出溶媒：ヘキサン／ジ
エチルエーテル＝１９／１）により精製した。３の収量
（収率）：３４６ｍｇ（８３％）。無色結晶。
液（４ｍＬ）にジイソプロピルエチルアミン（５３０μ
Ｌ，３．０ｍｍｏｌ）、クロロメチルメチルエーテル
（２３０μＬ，３．０ｍｍｏｌ）を順次加えて、室温で
１日撹拌した。反応混合物を水で洗浄した後、無水硫酸
ナトリウムで乾燥し、次いで濃縮した。残渣をシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィー（溶出溶媒：ヘキサン／ジ
エチルエーテル＝１９／１）により精製した。３の収量
（収率）：３４６ｍｇ（８３％）。無色結晶。
【００７６】1H NMR(90MHz):7.00-8.22(m, 18H), 4.90
(ABq, J=7.07Hz, 2H), 2.11(s, 3H).
(ABq, J=7.07Hz, 2H), 2.11(s, 3H).
【００７７】４の合成３ （１４０ｍｇ，０．３６ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフ
ラン（１．５ｍＬ）に溶かした後、−７８℃に冷却し
た。ｔ−ブチルリチウム（５３０μＬ，ペンタン中１．
５Ｍ、０．８ｍｍｏｌ）を加えて−７８℃で３時間撹拌
した後、ジメチルホルムアミド（１４０μＬ，１．８ｍ
ｍｏｌ）を加えて、冷却浴をはずしてさらに１時間撹拌
を続けた。飽和塩化アンモニウム水溶液を滴下して反応
を停止して、反応混合物をジエチルエーテルで抽出し
た。有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩
水で順次洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、次
いで濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィー（溶出溶媒：ヘキサン／ジエチルエーテル＝１９／
１）により精製した。４の収量（収率）：１３９ｍｇ
（９１％）。黄色結晶。
ラン（１．５ｍＬ）に溶かした後、−７８℃に冷却し
た。ｔ−ブチルリチウム（５３０μＬ，ペンタン中１．
５Ｍ、０．８ｍｍｏｌ）を加えて−７８℃で３時間撹拌
した後、ジメチルホルムアミド（１４０μＬ，１．８ｍ
ｍｏｌ）を加えて、冷却浴をはずしてさらに１時間撹拌
を続けた。飽和塩化アンモニウム水溶液を滴下して反応
を停止して、反応混合物をジエチルエーテルで抽出し
た。有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩
水で順次洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、次
いで濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィー（溶出溶媒：ヘキサン／ジエチルエーテル＝１９／
１）により精製した。４の収量（収率）：１３９ｍｇ
（９１％）。黄色結晶。
【００７８】1H NMR(90MHz):10.42(s, 1H), 8.50-7.00
(m, 17H), 4.53(ABq, J=6.17Hz, 2H),2.94(s, 3H).
(m, 17H), 4.53(ABq, J=6.17Hz, 2H),2.94(s, 3H).
【００７９】５の合成４ （１５４ｍｇ，０．３７ｍｍｏｌ）とモレキュラーシ
ーブス４Ａの混合物にジクロロメタン（１．５ｍＬ）を
加えて、０℃に冷却した後、臭化トリメチルシリル（１
９５μＬ，１．５ｍｍｏｌ）を加えて４時間撹拌した。
飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を加えて反応を停止した
後、ジクロロメタンで抽出して有機層を無水硫酸マグネ
シウムで乾燥し、次いで濃縮した。残渣をシリカゲルカ
ラムクロマトグラフィー（溶出溶媒：ヘキサン／トルエ
ン＝３／７）により精製した。５の収量（収率）：１３
２ｍｇ（９５％）。黄色結晶。
ーブス４Ａの混合物にジクロロメタン（１．５ｍＬ）を
加えて、０℃に冷却した後、臭化トリメチルシリル（１
９５μＬ，１．５ｍｍｏｌ）を加えて４時間撹拌した。
飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を加えて反応を停止した
後、ジクロロメタンで抽出して有機層を無水硫酸マグネ
シウムで乾燥し、次いで濃縮した。残渣をシリカゲルカ
ラムクロマトグラフィー（溶出溶媒：ヘキサン／トルエ
ン＝３／７）により精製した。５の収量（収率）：１３
２ｍｇ（９５％）。黄色結晶。
【００８０】1H NMR(400MHz):10.41(s, 1H), 10.10(s,
1H), 8.17(s, 1H), 8.05(d, J=8.30Hz, 1H), 7.97(d, J
=8.30Hz, 1H), 7.85(d, J=7.81Hz, 1H), 7.49(t, J=3.4
2Hz, 1H), 7.34-7.19(m, 6H), 7.02-7.00(m, 3H).
1H), 8.17(s, 1H), 8.05(d, J=8.30Hz, 1H), 7.97(d, J
=8.30Hz, 1H), 7.85(d, J=7.81Hz, 1H), 7.49(t, J=3.4
2Hz, 1H), 7.34-7.19(m, 6H), 7.02-7.00(m, 3H).
【００８１】参考例２
【００８２】
【化３１】
【００８３】〔式中、LAHは、水素化アルミニウムリチ
ウムを、THFは、テトラヒドロフランを、Et2Oはジエチ
ルエーテルを、MsClはメシルクロリドを、DMFはジメチ
ルホルムアミドを、各々意味する。〕
ウムを、THFは、テトラヒドロフランを、Et2Oはジエチ
ルエーテルを、MsClはメシルクロリドを、DMFはジメチ
ルホルムアミドを、各々意味する。〕
【００８４】６の合成 ３，５−ジメチル安息香酸（４．５ｇ，３０ｍｍｏｌ）
のテトラヒドロフラン溶液（１２０ｍＬ）を０℃に冷却
して、水素化アルミニウムリチウム（１．７ｇ，４５ｍ
ｍｏｌ）をゆっくり加えた。２時間還流した後、メタノ
ール（８ｍＬ）と３Ｎ塩酸（５０ｍＬ）を加えて反応を
停止した。反応混合物をジエチルエーテルで抽出して、
有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で
順次洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、次い
で濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィ
ー（溶出溶媒：ヘキサン／酢酸エチル＝８／２）により
精製した。６の収量（収率）：３．０ｇ（７４％）。無
色オイル。
のテトラヒドロフラン溶液（１２０ｍＬ）を０℃に冷却
して、水素化アルミニウムリチウム（１．７ｇ，４５ｍ
ｍｏｌ）をゆっくり加えた。２時間還流した後、メタノ
ール（８ｍＬ）と３Ｎ塩酸（５０ｍＬ）を加えて反応を
停止した。反応混合物をジエチルエーテルで抽出して、
有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で
順次洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、次い
で濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィ
ー（溶出溶媒：ヘキサン／酢酸エチル＝８／２）により
精製した。６の収量（収率）：３．０ｇ（７４％）。無
色オイル。
【００８５】７の合成６ （８．６０ｇ，６３ｍｍｏｌ）のジエチルエーテル溶
液にγ−酸化マンガン（５４．８ｇ，６３０ｍｍｏｌ）
を加えて、室温で１６時間撹拌した。反応混合物をセラ
イトろ過して濃縮した。得られた粗生成物（８．０５
ｇ）を精製せずに次の反応に用いた。
液にγ−酸化マンガン（５４．８ｇ，６３０ｍｍｏｌ）
を加えて、室温で１６時間撹拌した。反応混合物をセラ
イトろ過して濃縮した。得られた粗生成物（８．０５
ｇ）を精製せずに次の反応に用いた。
【００８６】８の合成 粗生成物７（８．０５ｇ，６０ｍｍｏｌ）のジオキサン
溶液（４００ｍＬ）に四塩化チタン（９．９ｍｌ，９０
ｍｍｏｌ）と亜鉛粉末（１１．８ｇ，１８０ｍｍｏｌ）
をジオキサン（２００ｍＬ）に懸濁させたものを加えて
４時間還流した。反応混合物を水とジエチルエーテルに
分配した後、有機層を分離して無水硫酸マグネシウムで
乾燥し、次いで濃縮した。残渣をエタノールより再結晶
した。８の収量（収率）：３．４５ｇ（６より４８
％）。無色結晶。
溶液（４００ｍＬ）に四塩化チタン（９．９ｍｌ，９０
ｍｍｏｌ）と亜鉛粉末（１１．８ｇ，１８０ｍｍｏｌ）
をジオキサン（２００ｍＬ）に懸濁させたものを加えて
４時間還流した。反応混合物を水とジエチルエーテルに
分配した後、有機層を分離して無水硫酸マグネシウムで
乾燥し、次いで濃縮した。残渣をエタノールより再結晶
した。８の収量（収率）：３．４５ｇ（６より４８
％）。無色結晶。
【００８７】1H NMR(90MHz):7.24(s, 4H), 7.14(s, 2
H), 7.00(s, 2H), 2.36(s, 12H).
H), 7.00(s, 2H), 2.36(s, 12H).
【００８８】９の合成 ４−クロロ安息香酸ヒドロキニジン（１８６ｍｇ，０．
４ｍｍｏｌ）、フェリシアン化カリウム（２．９６ｇ，
９．０ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（１．２４ｇ，９．０
ｍｍｏｌ）の混合物にｔ−ブタノール（２０ｍＬ）、水
（２０ｍＬ）、オスミウム酸カリウム２水和物（１１．
１ｍｇ，０．０３ｍｍｏｌ）と８（７０９ｍｇ，３．０
ｍｍｏｌ）を順次加えて室温で２４時間撹拌した。亜硫
酸ナトリウム（１５ｇ，０．１２ｍｍｏｌ）を加えてさ
らに３０分間撹拌した後、２層を分離して水層をジクロ
ロメタンで抽出し、有機層を合わせて濃縮した。残渣を
酢酸エチルで希釈して、１Ｍ硫酸、飽和炭酸水素ナトリ
ウム水溶液、飽和食塩水で順次洗浄した後、無水硫酸ナ
トリウムで乾燥し、次いで濃縮した。残渣をシリカゲル
カラムクロマトグラフィー（溶出溶媒：ヘキサン／酢酸
エチル＝９／１〜７／３）により精製した。９の収量
（収率）：５５０ｍｇ（６７％）。無色結晶。９の光学
純度は、キラルカラムを用いる高速液体クロマトグラフ
ィー分析（ＤＡＩＣＥＬ ＣＨＩＲＡＬＣＥＬ ＯＤ、
溶出溶媒：ヘキサン／イソプロパノール＝１５／１）に
より９９％ｅ．ｅ．以上と決定された。
４ｍｍｏｌ）、フェリシアン化カリウム（２．９６ｇ，
９．０ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（１．２４ｇ，９．０
ｍｍｏｌ）の混合物にｔ−ブタノール（２０ｍＬ）、水
（２０ｍＬ）、オスミウム酸カリウム２水和物（１１．
１ｍｇ，０．０３ｍｍｏｌ）と８（７０９ｍｇ，３．０
ｍｍｏｌ）を順次加えて室温で２４時間撹拌した。亜硫
酸ナトリウム（１５ｇ，０．１２ｍｍｏｌ）を加えてさ
らに３０分間撹拌した後、２層を分離して水層をジクロ
ロメタンで抽出し、有機層を合わせて濃縮した。残渣を
酢酸エチルで希釈して、１Ｍ硫酸、飽和炭酸水素ナトリ
ウム水溶液、飽和食塩水で順次洗浄した後、無水硫酸ナ
トリウムで乾燥し、次いで濃縮した。残渣をシリカゲル
カラムクロマトグラフィー（溶出溶媒：ヘキサン／酢酸
エチル＝９／１〜７／３）により精製した。９の収量
（収率）：５５０ｍｇ（６７％）。無色結晶。９の光学
純度は、キラルカラムを用いる高速液体クロマトグラフ
ィー分析（ＤＡＩＣＥＬ ＣＨＩＲＡＬＣＥＬ ＯＤ、
溶出溶媒：ヘキサン／イソプロパノール＝１５／１）に
より９９％ｅ．ｅ．以上と決定された。
【００８９】1H NMR(90MHz):6.96(m, 6H), 4.76(s, 2
H), 2.63(br s, 2H), 2.30(s, 12H).
H), 2.63(br s, 2H), 2.30(s, 12H).
【００９０】１０の合成９ （５５０ｍｇ，２．０ｍｍｏｌ）のジクロロメタン溶
液（８ｍＬ）にトリエチルアミン（６１０μＬ，４．４
ｍｍｏｌ）、メシルクロリド（３４０μＬ，４．４ｍｍ
ｏｌ）を順次加えて、室温で３時間撹拌した。反応混合
物を水で洗浄した後、濃縮した。残渣をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー（溶出溶媒：ジエチルエーテル）
により精製した。１０の収量（収率）：８３９ｍｇ（９
８％）。無色結晶。
液（８ｍＬ）にトリエチルアミン（６１０μＬ，４．４
ｍｍｏｌ）、メシルクロリド（３４０μＬ，４．４ｍｍ
ｏｌ）を順次加えて、室温で３時間撹拌した。反応混合
物を水で洗浄した後、濃縮した。残渣をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー（溶出溶媒：ジエチルエーテル）
により精製した。１０の収量（収率）：８３９ｍｇ（９
８％）。無色結晶。
【００９１】1H NMR(90MHz):6.80-7.10(m, 6H), 5.74
(s, 2H), 2.86(s, 6H), 2.23(s, 12H).
(s, 2H), 2.86(s, 6H), 2.23(s, 12H).
【００９２】１１の合成１０ （１．７ｇ，４．０ｍｍｏｌ）とアジ化ナトリウム
（５７２ｍｇ，８．８ｍｍｏｌ）の混合物にジメチルホ
ルムアミド（１６ｍＬ）を加えて、８０℃で７時間撹拌
した。反応混合物を水と酢酸エチルに分配し後、有機層
を分離して無水硫酸ナトリウムで乾燥し、次いで濃縮し
た。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出
溶媒：ヘキサン）により精製した。１１の収量（収
率）：５６８ｍｇ（４８％）。無色結晶。
（５７２ｍｇ，８．８ｍｍｏｌ）の混合物にジメチルホ
ルムアミド（１６ｍＬ）を加えて、８０℃で７時間撹拌
した。反応混合物を水と酢酸エチルに分配し後、有機層
を分離して無水硫酸ナトリウムで乾燥し、次いで濃縮し
た。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出
溶媒：ヘキサン）により精製した。１１の収量（収
率）：５６８ｍｇ（４８％）。無色結晶。
【００９３】1H NMR(90MHz):7.00(br s, 2H), 6.84(br
s, 2H), 4.63(s, 2H), 2.28(s, 12H).
s, 2H), 4.63(s, 2H), 2.28(s, 12H).
【００９４】実施例１
【００９５】
【化３２】
【００９６】〔式中、EtOHはエタノールを意味する。〕
【００９７】［I-1］の合成１１ （３２ｍｇ，０．１ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラ
ン溶液（１ｍＬ）を０℃に冷却して、水素化アルミニウ
ムリチウム（７．６ｍｇ，０．２ｍｍｏｌ）を加えた。
混合物を室温で３０分間撹拌した後、飽和フッ化カリウ
ム水溶液（３８０μＬ，１．５９Ｎ，０．６ｍｍｏｌ）
を加えて反応を停止した。反応混合物をセライトろ過し
た後、酢酸エチルで抽出して無水硫酸ナトリウムで乾燥
し次いで濃縮した。得られた粗生成物１２と５（７５．
８ｍｇ，０．２ｍｍｏｌ）をエタノール（４ｍＬ）に溶
かして、室温で１時間撹拌した。反応混合物を一旦濃縮
した後、酢酸マンガン４水和物（２４．６ｍｇ，０．１
ｍｍｏｌ）とエタノール（４ｍＬ）を加えて空気中で６
時間撹拌した。生成した結晶をろ取して、エタノール次
いでヘキサンで洗浄することにより［I-1］を３９．３
ｍｇ得た。さらに濾液を濃縮した後、残渣をジクロロメ
タン−ヘキサンより再結晶して［I-1］を７．７ｍｇ得
た。［I-1］の合計収量（収率）：４７．０ｍｇ（１１
より４３％）。 IR(KBr):3053, 2920, 1599, 1493, 1425, 1333, 1296,
1223, 1188, 1148, 1128, 1045, 1028, 953, 860, 733,
700, 575, 548 cm-1.
ン溶液（１ｍＬ）を０℃に冷却して、水素化アルミニウ
ムリチウム（７．６ｍｇ，０．２ｍｍｏｌ）を加えた。
混合物を室温で３０分間撹拌した後、飽和フッ化カリウ
ム水溶液（３８０μＬ，１．５９Ｎ，０．６ｍｍｏｌ）
を加えて反応を停止した。反応混合物をセライトろ過し
た後、酢酸エチルで抽出して無水硫酸ナトリウムで乾燥
し次いで濃縮した。得られた粗生成物１２と５（７５．
８ｍｇ，０．２ｍｍｏｌ）をエタノール（４ｍＬ）に溶
かして、室温で１時間撹拌した。反応混合物を一旦濃縮
した後、酢酸マンガン４水和物（２４．６ｍｇ，０．１
ｍｍｏｌ）とエタノール（４ｍＬ）を加えて空気中で６
時間撹拌した。生成した結晶をろ取して、エタノール次
いでヘキサンで洗浄することにより［I-1］を３９．３
ｍｇ得た。さらに濾液を濃縮した後、残渣をジクロロメ
タン−ヘキサンより再結晶して［I-1］を７．７ｍｇ得
た。［I-1］の合計収量（収率）：４７．０ｍｇ（１１
より４３％）。 IR(KBr):3053, 2920, 1599, 1493, 1425, 1333, 1296,
1223, 1188, 1148, 1128, 1045, 1028, 953, 860, 733,
700, 575, 548 cm-1.
【００９８】同様の反応を行い本発明化合物［I-2］〜
［I-8］を得た。
［I-8］を得た。
【００９９】
【化３３】
【０１００】［I-2］ IR(KBr):3447, 3422, 3049, 3013, 2916, 2680, 1655,
1603, 1558, 1506, 1420, 1387, 1333, 1296, 1257, 12
23, 1186, 1148, 1117, 1057, 1024, 953, 887,851, 81
8, 785, 746, 706, 683 cm-1. ［I-3］ IR(KBr):3431, 3053, 1599, 1493, 1443, 1425, 1385,
1333, 1296, 1223, 1188, 1148, 1128, 1090, 1072, 10
45, 1028, 999, 982, 953, 860, 733, 700, 681cm-1. ［I-4］ IR(KBr):3447, 3422, 3057, 3041, 2928, 1611, 1558,
1491, 1452, 1420, 1389, 1342, 1310, 1281, 1229, 12
13, 1188, 1150, 1126, 1016, 955, 799, 775, 746, 70
0 cm-1. ［I-5］ IR(KBr):3053, 2922, 2853, 1609, 1555, 1508, 1454,
1423, 1387, 1344, 1327, 1300, 1227, 1188, 1148, 81
0, 746, 702 cm-1. Calcd. for C60H45N2O4Mn:C, 78.94; H, 4.97; N, 3.07
%. Found:C, 79.80; H,5.32; N, 3.07%. ［I-6］ IR(KBr):3051, 2920, 1605, 1555, 1508, 1454, 1389,
1344, 1327, 1300, 1221, 1188, 1150, 1126, 810, 77
0, 704, 687 cm-1. Calcd. for C60H45N2O4Mn・1.5H2O:C, 76.67; H, 5.15;
N, 2.98%. Found:C, 76.50; H, 5.22; N, 3.06%. ［I-7］ IR(KBr):3422, 3053, 2932, 2858, 1609, 1583, 1558,
1493, 1423, 1346, 1327, 1223, 1188, 1150, 1124, 10
28, 951, 866, 820, 760, 700, 658 cm-1. ［I-8］ IR(KBr):3447, 3051, 2936, 2860, 1611, 1583, 1558,
1508, 1489, 1448, 1423, 1394, 1346, 1329, 1304, 12
73, 1225, 1190, 1169, 1150, 1124, 810, 783,760, 68
7 cm-1.
1603, 1558, 1506, 1420, 1387, 1333, 1296, 1257, 12
23, 1186, 1148, 1117, 1057, 1024, 953, 887,851, 81
8, 785, 746, 706, 683 cm-1. ［I-3］ IR(KBr):3431, 3053, 1599, 1493, 1443, 1425, 1385,
1333, 1296, 1223, 1188, 1148, 1128, 1090, 1072, 10
45, 1028, 999, 982, 953, 860, 733, 700, 681cm-1. ［I-4］ IR(KBr):3447, 3422, 3057, 3041, 2928, 1611, 1558,
1491, 1452, 1420, 1389, 1342, 1310, 1281, 1229, 12
13, 1188, 1150, 1126, 1016, 955, 799, 775, 746, 70
0 cm-1. ［I-5］ IR(KBr):3053, 2922, 2853, 1609, 1555, 1508, 1454,
1423, 1387, 1344, 1327, 1300, 1227, 1188, 1148, 81
0, 746, 702 cm-1. Calcd. for C60H45N2O4Mn:C, 78.94; H, 4.97; N, 3.07
%. Found:C, 79.80; H,5.32; N, 3.07%. ［I-6］ IR(KBr):3051, 2920, 1605, 1555, 1508, 1454, 1389,
1344, 1327, 1300, 1221, 1188, 1150, 1126, 810, 77
0, 704, 687 cm-1. Calcd. for C60H45N2O4Mn・1.5H2O:C, 76.67; H, 5.15;
N, 2.98%. Found:C, 76.50; H, 5.22; N, 3.06%. ［I-7］ IR(KBr):3422, 3053, 2932, 2858, 1609, 1583, 1558,
1493, 1423, 1346, 1327, 1223, 1188, 1150, 1124, 10
28, 951, 866, 820, 760, 700, 658 cm-1. ［I-8］ IR(KBr):3447, 3051, 2936, 2860, 1611, 1583, 1558,
1508, 1489, 1448, 1423, 1394, 1346, 1329, 1304, 12
73, 1225, 1190, 1169, 1150, 1124, 810, 783,760, 68
7 cm-1.
【０１０１】実施例２−１ インデンのエポキシ化
【０１０２】
【化３４】
【０１０３】インデン（１０μＬ，８６μｍｏｌ）をピ
リジンＮ−オキシドのアセトニトリル溶液（０．０２
Ｍ，１．１ｍＬ，２２μｍｏｌ）に溶かした後、［I-
1］（２．３ｍｇ，２．１μｍｏｌ）を加えた。この溶
液にヨードシルベンゼン（３７．８ｍｇ，０．１７ｍｍ
ｏｌ）を一度に加えて、室温で２４時間撹拌した。反応
混合物を慎重に濃縮した後、残渣をシリカゲルカラムク
ロマトグラフィー（溶出溶媒：ペンタン〜ペンタン／ジ
エチルエーテル１０／１）により精製した。エポキシド
の収量（収率）：６．０ｍｇ（５３％）。不斉収率：９
２％ ｅ．ｅ．
リジンＮ−オキシドのアセトニトリル溶液（０．０２
Ｍ，１．１ｍＬ，２２μｍｏｌ）に溶かした後、［I-
1］（２．３ｍｇ，２．１μｍｏｌ）を加えた。この溶
液にヨードシルベンゼン（３７．８ｍｇ，０．１７ｍｍ
ｏｌ）を一度に加えて、室温で２４時間撹拌した。反応
混合物を慎重に濃縮した後、残渣をシリカゲルカラムク
ロマトグラフィー（溶出溶媒：ペンタン〜ペンタン／ジ
エチルエーテル１０／１）により精製した。エポキシド
の収量（収率）：６．０ｍｇ（５３％）。不斉収率：９
２％ ｅ．ｅ．
【０１０４】実施例２−２ ベンゾピラン化合物のエポキシ化
【０１０５】
【化３５】
【０１０６】［IV-1］（２６．２ｍｇ，０．１０ｍｍｏ
ｌ）と［I-1］（２．６ｍｇ，２．５μｍｏｌ）をピリ
ジン Ｎ−オキシドのアセトニトリル溶液（０．０２
Ｍ，１．２５ｍＬ， ０．０２５ｍｍｏｌ）に溶かした
後、０℃に冷却した。この溶液に窒素雰囲気下でヨード
シルベンゼン（４４．０ｍｇ，０．２０ｍｍｏｌ）を一
度に加えて、０℃で２４時間撹拌した。不溶物をセライ
トを通してろ去した後、ろ液を濃縮して残渣をシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィー（溶出溶媒：ヘキサン／酢
酸エチル＝８：２〜４：６）により精製した。エポキシ
ドの収量（収率）：２０．１ｍｇ（７２％）。不斉収
率：９８％ｅ．ｅ．（ＤＡＩＣＥＬ ＣＨＩＲＡＬＣＥ
Ｌ ＯＪ，ヘキサン／イソプロパノール＝１：１，流速
＝０．５ｍＬ／分）。
ｌ）と［I-1］（２．６ｍｇ，２．５μｍｏｌ）をピリ
ジン Ｎ−オキシドのアセトニトリル溶液（０．０２
Ｍ，１．２５ｍＬ， ０．０２５ｍｍｏｌ）に溶かした
後、０℃に冷却した。この溶液に窒素雰囲気下でヨード
シルベンゼン（４４．０ｍｇ，０．２０ｍｍｏｌ）を一
度に加えて、０℃で２４時間撹拌した。不溶物をセライ
トを通してろ去した後、ろ液を濃縮して残渣をシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィー（溶出溶媒：ヘキサン／酢
酸エチル＝８：２〜４：６）により精製した。エポキシ
ドの収量（収率）：２０．１ｍｇ（７２％）。不斉収
率：９８％ｅ．ｅ．（ＤＡＩＣＥＬ ＣＨＩＲＡＬＣＥ
Ｌ ＯＪ，ヘキサン／イソプロパノール＝１：１，流速
＝０．５ｍＬ／分）。
【０１０７】実施例２−３ ベンゾピラン化合物のエポキシ化
【０１０８】
【化３６】
【０１０９】［IV-1］（２０．０ｍｇ，７６．３μｍｏ
ｌ）と［I-1］（１．７ｍｇ，１．６μｍｏｌ）をＮ−
メチルイミダゾールのアセトニトリル溶液（０．０２
Ｍ，７６０μＬ，７．６μｍｏｌ）に溶かした後、３０
％過酸化水素水（８６μＬ，０．７６ｍｍｏｌ）を５分
間かけて滴下した。室温で２４時間撹拌した後、反応混
合物を濃縮して得られた残渣をシリカゲルカラムクロマ
トグラフィー（溶出溶媒：ヘキサン／酢酸エチル＝１：
１）により精製した。エポキシドの収量（収率）：７．
１ｍｇ（３３％）。不斉収率：９４％ｅ．ｅ．（ＤＡＩ
ＣＥＬ ＣＨＩＲＡＬＣＥＬ ＯＪ，ヘキサン／イソプ
ロパノール＝１：１，流速＝０．５ｍＬ／分）。
ｌ）と［I-1］（１．７ｍｇ，１．６μｍｏｌ）をＮ−
メチルイミダゾールのアセトニトリル溶液（０．０２
Ｍ，７６０μＬ，７．６μｍｏｌ）に溶かした後、３０
％過酸化水素水（８６μＬ，０．７６ｍｍｏｌ）を５分
間かけて滴下した。室温で２４時間撹拌した後、反応混
合物を濃縮して得られた残渣をシリカゲルカラムクロマ
トグラフィー（溶出溶媒：ヘキサン／酢酸エチル＝１：
１）により精製した。エポキシドの収量（収率）：７．
１ｍｇ（３３％）。不斉収率：９４％ｅ．ｅ．（ＤＡＩ
ＣＥＬ ＣＨＩＲＡＬＣＥＬ ＯＪ，ヘキサン／イソプ
ロパノール＝１：１，流速＝０．５ｍＬ／分）。
【０１１０】実施例２−４ 実施例２−３と同様に各種オレフィンに対して本発明化
合物［Ｉ］を触媒として用い、アセトニトリル中ヨード
シルベンゼン(PhIO)、次亜塩素酸ナトリウム(NaOCl)又
は２−ヨードシル安息香酸(IBA)で不斉エポキシ化した
時の試験結果を下表に示す。
合物［Ｉ］を触媒として用い、アセトニトリル中ヨード
シルベンゼン(PhIO)、次亜塩素酸ナトリウム(NaOCl)又
は２−ヨードシル安息香酸(IBA)で不斉エポキシ化した
時の試験結果を下表に示す。
【０１１１】
【化３７】
【０１１２】
【化３８】
Claims (5)
- 【請求項１】 式［Ｉ］及び［I'］ 【化１】 〔式中、R1、R2、R3及びR4は、それぞれ独立して水素原
子、C1-C4アルキル基、フェニル基（該フェニル基は、
ハロゲン原子、C1-C4アルキル基、C1-C4アルコキシ基、
シアノ基又はニトロ基で置換されていてもよい。）を意
味し、又、いずれか２つが一緒になってC4-C8の環を形
成してもよい。Ｘ-は塩を形成しうる陰イオン対を意味
する。Ｙは水素原子、ハロゲン原子、C1-C4アルキル
基、C1-C4アルコキシ基、ニトロ基又はシアノ基を意味
する。Ｒは水素原子、C1-C4アルキル基、フェニル基
（該フェニル基は、ハロゲン原子、C1-C4アルキル基、C
1-C4アルコキシ基で置換されていてもよい。）又は置換
シリル基を意味する。（ただし、R1及びR3がフェニル基
でかつR2及びR4が水素原子の時並びにR1及びR3が水素原
子でかつR2及びR4がフェニル基の時、Ｒが水素原子及び
メチル基である場合を除く。）〕で表される光学活性マ
ンガン錯体。 - 【請求項２】 式［II］ 【化２】 〔式中、R5及びR6は、それぞれ独立して、水素原子、シ
アノ基、ニトロ基、アセチル基などの保護基で保護され
ていてもよいアミノ基、ハロゲン原子、C1-C4アルキル
基、C1-C4アルコキシ基、ハロC1-C4アルキル基、カルボ
キシ基、ホルミル基、C1-C4アルカノイル基、アロイル
基、ハロC1-C4アルカノイル基、カルバモイル基、C1-C4
アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、C1
-C4アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、ス
ルホンアミド基、モノ又はジC1-C4アルキルスルホンア
ミド基を意味するか、又はR5とR6がオルト位のとき両者
が一緒になって、結合する環とともに 【化３】 （式中、ｎは０又は１の整数を表す。）を意味する。R7
は水素原子、C1-C4アルキル基又はC1-C4アルコキシ基を
意味する。R8はC1-C4アルキル基又はC1-C4アルコキシ基
を意味する。又は、R7とR8が一緒になって 【化４】 （R9、R10、R11及びR12は、それぞれ独立して、水素原
子又はC1-C4アルキル基を意味する。）を意味する。〕
で表されるオレフィン化合物に対し、請求項１記載の式
［Ｉ］又は［I'］で表される光学活性マンガン錯体のい
ずれかを触媒として不斉エポキシ化反応を行ない、式
［III］ 【化５】 （R5、R6、R7及びR8は前記に同じ。）で表される光学活
性エポキシ化合物を製造する方法。 - 【請求項３】 式［IV］ 【化６】 （式中、R5及びR6は、それぞれ独立して、水素原子、シ
アノ基、ニトロ基、アセチル基などの保護基で保護され
ていてもよいアミノ基、ハロゲン原子、C1-C4アルキル
基、C1-C4アルコキシ基、ハロC1-C4アルキル基、カルボ
キシ基、ホルミル基、C1-C4アルカノイル基、アロイル
基、ハロC1-C4アルカノイル基、カルバモイル基、C1-C4
アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、C1
-C4アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、ス
ルホンアミド基、モノ又はジC1-C4アルキルスルホンア
ミド基を意味するか、又はR5とR6が一緒になって、結合
する環とともに 【化７】 （式中、ｎは０又は１の整数を表す。）を意味する。R9
及びR10は、それぞれ独立して、水素原子又はC1-C4アル
キル基を意味する。）で表されるオレフィン化合物に対
し、請求項１記載の式［Ｉ］又は［I'］で表される光学
活性マンガン錯体のいずれかを触媒として不斉エポキシ
化反応を行ない、式［Ｖ］ 【化８】 （式中、R5、R6、R9及びR10は前記に同じ。＊で示され
た炭素原子の絶対配位はＲかＳを意味する。）で表され
る光学活性ベンゾピラン化合物を製造する方法。 - 【請求項４】式［VI］ 【化９】 （式中、R9及びR10は、それぞれ独立して、水素原子又
はC1-C4アルキル基を意味する。）で示した化合物に対
し、式［Ｉ］又は［I'］ 【化１０】 〔式中、R1、R2、R3及びR4は、それぞれ独立して水素原
子、C1-C4アルキル基、フェニル基（該フェニル基は、
ハロゲン原子、C1-C4アルキル基、C1-C4アルコキシ基、
シアノ基又はニトロ基で置換されていてもよい。）を意
味し、又、いずれか２つが一緒になってC4-C8の環を形
成してもよい。Ｘ-は塩を形成しうる陰イオン対を意味
する。Ｙは水素原子、ハロゲン原子、C1-C4アルキル
基、C1-C4アルコキシ基、ニトロ基又はシアノ基を意味
する。Ｒは水素原子、C1-C4アルキル基、フェニル基
（該フェニル基は、ハロゲン原子、C1-C4アルキル基、C
1-C4アルコキシ基で置換されていてもよい。）又は置換
シリル基を意味する。〕で表される光学活性マンガン錯
体のいずれかを触媒として不斉エポキシ化反応を行な
い、式［VII］ 【化１１】 （式中、R9及びR10は、前記に同じ。＊で示された炭素
原子の絶対配位はＲかＳを意味する。）で表される光学
活性エポキシ化合物を製造する方法。 - 【請求項５】式［VIII］ 【化１２】 で示したインデンに対し、請求項４記載の式［Ｉ］又は
［I'］で表される光学活性マンガン錯体のいずれかを触
媒として不斉エポキシ化反応を行ない、式［IX］ 【化１３】 （＊で示された炭素原子の絶対配位はＲかＳを意味す
る。）で表される光学活性エポキシ化合物を製造する方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6041076A JP2734457B2 (ja) | 1994-02-23 | 1994-03-11 | 不斉エポキシ化反応 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2533794 | 1994-02-23 | ||
| JP6-25337 | 1994-02-23 | ||
| JP6041076A JP2734457B2 (ja) | 1994-02-23 | 1994-03-11 | 不斉エポキシ化反応 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07285983A true JPH07285983A (ja) | 1995-10-31 |
| JP2734457B2 JP2734457B2 (ja) | 1998-03-30 |
Family
ID=26362937
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6041076A Expired - Fee Related JP2734457B2 (ja) | 1994-02-23 | 1994-03-11 | 不斉エポキシ化反応 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2734457B2 (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997020789A1 (fr) * | 1995-12-06 | 1997-06-12 | Japan Science And Technology Corporation | Procede de preparation de composes optiquement actifs |
| JPH1029958A (ja) * | 1996-07-15 | 1998-02-03 | Nissan Chem Ind Ltd | 置換ビナフチル化合物及びその製造法 |
| US6066631A (en) * | 1996-07-19 | 2000-05-23 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Chroman derivatives |
| US6486178B1 (en) | 1998-06-03 | 2002-11-26 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Indane derivatives |
| US6555574B1 (en) | 1999-09-24 | 2003-04-29 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | 4-oxybenzopyran derivative |
| US6677371B1 (en) | 1999-10-05 | 2004-01-13 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | 4-oxybenzopyran derivative |
| US6887820B1 (en) | 1995-12-06 | 2005-05-03 | Japan Science And Technology Corporation | Method for producing optically active compounds |
| WO2005090357A1 (en) | 2004-03-23 | 2005-09-29 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Tricyclic benzopyran compound as anti-arrhythmic agents |
| US7041700B2 (en) | 2001-06-25 | 2006-05-09 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Substituted benzopyran derivatives against arrhythmia |
| WO2007105658A1 (ja) | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | 光学活性クロメンオキシド化合物の製造方法 |
| WO2014092188A1 (ja) * | 2012-12-14 | 2014-06-19 | 株式会社Ihi | 磁性体、及び、磁性体の製造方法 |
-
1994
- 1994-03-11 JP JP6041076A patent/JP2734457B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6887820B1 (en) | 1995-12-06 | 2005-05-03 | Japan Science And Technology Corporation | Method for producing optically active compounds |
| US6184381B1 (en) * | 1995-12-06 | 2001-02-06 | Japan Science & Technology Corp. | Process for preparing optically active compounds |
| WO1997020789A1 (fr) * | 1995-12-06 | 1997-06-12 | Japan Science And Technology Corporation | Procede de preparation de composes optiquement actifs |
| JPH1029958A (ja) * | 1996-07-15 | 1998-02-03 | Nissan Chem Ind Ltd | 置換ビナフチル化合物及びその製造法 |
| US6066631A (en) * | 1996-07-19 | 2000-05-23 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Chroman derivatives |
| US6486178B1 (en) | 1998-06-03 | 2002-11-26 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Indane derivatives |
| US6555574B1 (en) | 1999-09-24 | 2003-04-29 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | 4-oxybenzopyran derivative |
| US6677371B1 (en) | 1999-10-05 | 2004-01-13 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | 4-oxybenzopyran derivative |
| US7041700B2 (en) | 2001-06-25 | 2006-05-09 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Substituted benzopyran derivatives against arrhythmia |
| WO2005090357A1 (en) | 2004-03-23 | 2005-09-29 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Tricyclic benzopyran compound as anti-arrhythmic agents |
| WO2007105658A1 (ja) | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | 光学活性クロメンオキシド化合物の製造方法 |
| US8394974B2 (en) | 2006-03-10 | 2013-03-12 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Process for producing optically active chromene oxide compound |
| WO2014092188A1 (ja) * | 2012-12-14 | 2014-06-19 | 株式会社Ihi | 磁性体、及び、磁性体の製造方法 |
| JP6023217B2 (ja) * | 2012-12-14 | 2016-11-09 | 株式会社Ihi | 磁性体、及び、磁性体の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2734457B2 (ja) | 1998-03-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5929232A (en) | Stereoselective ring opening reactions | |
| JP3497165B2 (ja) | キラル触媒、接触酸化及び不均化反応並びにエポキシクロマン及びタキソルの製造方法 | |
| US5637739A (en) | Chiral catalysts and catalytic epoxidation catalyzed thereby | |
| Sasaki et al. | Rational design of Mn-salen catalyst (2): highly enantioselective epoxidation of conjugated cis olefins | |
| AU648301B2 (en) | Chiral catalysts and epoxidation reactions catalyzed thereby | |
| US6130340A (en) | Asymmetric cycloaddition reactions | |
| JP2734457B2 (ja) | 不斉エポキシ化反応 | |
| JP5229441B2 (ja) | 光学活性チタンサラレン化合物の製造方法 | |
| JP3801626B2 (ja) | プロキラルなオレフィンのエポキシ化法およびそのエポキシ化に用いる触媒ならびにその触媒を調製するための中間体 | |
| US5420314A (en) | Asymmetric epoxidation reaction | |
| EP0315886A2 (en) | Isoquinoline derivatives, their manufacture and use | |
| JPWO2006003795A1 (ja) | 光学活性なアジリジン化合物及びアミン化合物の製造方法、並びに該方法に用いる錯体及びその中間体 | |
| JP4131035B2 (ja) | 光学活性マンガン錯体及び不斉エポキシ化反応 | |
| EP1650212B1 (en) | Optically active quaternary ammonium salt, process for producing the same, and process for producing optically active alpha-amino acid derivative with the same | |
| JPH0680656A (ja) | 光学活性エポキシドの製造方法 | |
| US5599957A (en) | Asymmetric epoxidation reaction | |
| JPH08245668A (ja) | 不斉エポキシ化反応触媒 | |
| JPH10330389A (ja) | 光学活性クロム錯体及び不斉エポキシ化反応 | |
| JP3505766B2 (ja) | 光学活性α−ヒドロキシケトン誘導体の製造方法 | |
| JP4061433B2 (ja) | 光学活性マンガン錯体及び不斉アジリジン化反応 | |
| JPS58144367A (ja) | ２−アゼチジノン誘導体の製造法 | |
| JP2001294564A (ja) | 光学活性コバルト錯体及び不斉シクロプロパン化反応 | |
| JPH07233175A (ja) | 金属置換シクロプロピルメタノール誘導体の不斉製造法 | |
| JPH0334954A (ja) | アルコキシカルボニル化合物の製法 | |
| JPS62158222A (ja) | 光学活性なホモアリルアルコ−ルの製造法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090109 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090109 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100109 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110109 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110109 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120109 Year of fee payment: 14 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |