JPH0728587Y2 - 光学式ピツクアツプ装置 - Google Patents

光学式ピツクアツプ装置

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JPH0728587Y2
JPH0728587Y2 JP1984030500U JP3050084U JPH0728587Y2 JP H0728587 Y2 JPH0728587 Y2 JP H0728587Y2 JP 1984030500 U JP1984030500 U JP 1984030500U JP 3050084 U JP3050084 U JP 3050084U JP H0728587 Y2 JPH0728587 Y2 JP H0728587Y2
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JP
Japan
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semiconductor laser
initial setting
threshold value
initial
optical pickup
Prior art date
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JP1984030500U
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JPS60142832U (ja
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省二 吉川
治彦 竹村
啓成 児玉
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Olympus Corp
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Olympus Optic Co Ltd
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Description

【考案の詳細な説明】 技術分野 本考案は、光学式記録再生装置の光ピックアップ装置、
特に光ディスク装置の光ピックアップに関するものであ
る。
従来の技術 この種の光学式ピックアップ装置には、光源として半導
体レーザが使用されているのが普通である。しかし従来
の光学式ピックアップ装置では、半導体レーザの特性バ
ラツキについては特に考慮が払われておらず、単に光ピ
ックアップを交換しただけでは自動出力調整回路(以
下、APC回路と称す)と半導体レーザの出射光とのマッ
チングがとれず、装置として機能しなくなる。
特に、半導体レーザをAPC回路に組み込んだ場合、通常
の使用においては第1図に示すように半導体レーザのし
きい値電流のバラツキを半導体レーザの寿命の判定装置
としてAPC回路に対して、良好に適合させる必要があっ
た。
目的 本考案は上述した欠点を除去し、半導体レーザの交換時
期を容易に判断することができると共に、半導体レーザ
の交換後もAPC回路が良好に作動することができる光学
式ピックアップ装置を提供することを目的とする。
考案の概要 本考案の光学式ピックアップ装置は、半導体レーザを光
源として用いピックアップ本体に内蔵させ、前記半導体
レーザのしきい値電流の初期設定値を保持する初期設定
値保持手段と、実しきい値と前記初期しきい値とを比較
する比較手段と、該比較手段の比較結果により前記実し
きい値が前記初期設定値より大きくなった場合において
半導体レーザの寿命がきたことを判定する寿命判定手段
とを備えた光学式情報記録再生装置において、前記初期
設定値保持手段は個々の半導体レーザの特性に基づく初
期設定値を保持し、前記ピックアップ本体に一体に設け
たことを特徴とするものである。
考案の実施例 以下図面を参照して本考案の実施例を説明する。
半導体レーザの個々の特性バラツキは予め調べておき、
その半導体レーザに見合ったしきい値電流の初期設定値
を初期設定値保持手段に換算しておく。半導体レーザの
しきい値電流の初期設定値に換算する手段を抵抗として
場合を第2図(a)に示し、読取り専用メモリROMとし
た場合を第2図(b)に示す。第2図(a),(b)に
おいて、点線で囲まれている部分は光ピックアップと一
体化していることを示している。即ち、抵抗あるいはRO
Mは半導体レーザとユニット化されている。
第2図(a)に示す例では、しきい値初期設定値を表す
抵抗Rを電流源ISに接続すると共に半導体レーザの寿命
判定装置DSに接続する。この寿命判定装置DSには、半導
体レーザの実しきい値をも供給して比較を行い、実しき
い値がしきい値初期設定値を越えた場合に半導体レーザ
が寿命であると判定すると、アラームを発生し得るよう
にする。
第2図(b)に示す例では、しきい値初期設定値を表す
読取り専用メモリROMを寿命判定装置DSに接続すると共
に、これに実しきい値のデジタル量を供給して上述した
所と同様にアラームを発生し得るようにする。
考案の効果 上述したように本考案によれば、装置管理者は半導体レ
ーザの交換時期を容易に知ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来技術の説明図、第2図(a),(b)は、
本願考案の実施例を示す構成図である。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭58−133643(JP,A) 特開 昭58−21886(JP,A) 特開 昭52−123185(JP,A) 実開 昭59−36035(JP,U)

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】半導体レーザを光源として用いピックアッ
    プ本体に内蔵させ、前記半導体レーザのしきい値電流の
    初期設定値を保持する初期設定値保持手段と、実しきい
    値と前記初期しきい値とを比較する比較手段と、該比較
    手段の比較結果により前記実しきい値が前記初期設定値
    より大きくなった場合において半導体レーザの寿命がき
    たことを判定する寿命判定手段とを備えた光学式情報記
    録再生装置において、前記初期設定値保持手段は個々の
    半導体レーザの特性に基づく初期設定値を保持し、前記
    ピックアップ本体に一体に設けたことを特徴とする光学
    式ピックアップ装置。
JP1984030500U 1984-03-02 1984-03-02 光学式ピツクアツプ装置 Expired - Lifetime JPH0728587Y2 (ja)

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JPS60142832U JPS60142832U (ja) 1985-09-21
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JPS5821886A (ja) * 1981-07-31 1983-02-08 Nec Corp レ−ザ・ダイオ−ド劣化判定回路
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