JPH0728206B2 - 単安定マルチバイブレ−タ - Google Patents
単安定マルチバイブレ−タInfo
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- JPH0728206B2 JPH0728206B2 JP60117762A JP11776285A JPH0728206B2 JP H0728206 B2 JPH0728206 B2 JP H0728206B2 JP 60117762 A JP60117762 A JP 60117762A JP 11776285 A JP11776285 A JP 11776285A JP H0728206 B2 JPH0728206 B2 JP H0728206B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、フリップフロップの出力によりコンデンサ
を充放電し、このコンデンサの端子電圧をフリップフロ
ップに供給するようにした構成の単安定マルチバイブレ
ータに関するもので、特に、コンデンサの充放電の電流
源を制御し、時定数を可変させる構成に係わる。
を充放電し、このコンデンサの端子電圧をフリップフロ
ップに供給するようにした構成の単安定マルチバイブレ
ータに関するもので、特に、コンデンサの充放電の電流
源を制御し、時定数を可変させる構成に係わる。
この発明は、フリップフロップの出力によりコンデンサ
を充放電し、このコンデンサの端子電圧をフリップフロ
ップに供給するようにした単安定マルチバイブレータに
おいて、コンデンサの充放電を定電流Ｉと制御電圧によ
り可変する電流ｉとを合成してなる電流（Ｉ±ｉ）によ
り行うことにより単安定マルチバイブレータの時定数及
び制御電圧に対する時定数の変化率を広く設定できるよ
うにしたものである。
を充放電し、このコンデンサの端子電圧をフリップフロ
ップに供給するようにした単安定マルチバイブレータに
おいて、コンデンサの充放電を定電流Ｉと制御電圧によ
り可変する電流ｉとを合成してなる電流（Ｉ±ｉ）によ
り行うことにより単安定マルチバイブレータの時定数及
び制御電圧に対する時定数の変化率を広く設定できるよ
うにしたものである。
直流レベルの異なる論理振幅を用いることにより、リフ
ァレンス電圧が省略された構成のECL回路が提案されて
いる。第３図は、かかるECL回路を用いて構成されたフ
リップフロップの一例である。
ァレンス電圧が省略された構成のECL回路が提案されて
いる。第３図は、かかるECL回路を用いて構成されたフ
リップフロップの一例である。
第３図において、51及び52,53及び54が夫々差動回路を
構成するトランジスタである。トランジスタ51及び52の
互いのエミッタが共通接続され、この接続点が定電流源
として動作するトランジスタ55,抵抗56を介して接地端
子59に接続される。トランジスタ53及び54の互いのエミ
ッタが共通接続され、この接続点が定電流源として動作
するトランジスタ57,抵抗58を介して接地端子59に接続
される。
構成するトランジスタである。トランジスタ51及び52の
互いのエミッタが共通接続され、この接続点が定電流源
として動作するトランジスタ55,抵抗56を介して接地端
子59に接続される。トランジスタ53及び54の互いのエミ
ッタが共通接続され、この接続点が定電流源として動作
するトランジスタ57,抵抗58を介して接地端子59に接続
される。
トランジスタ51のコレクタが電源端子60に接続される。
トランジスタ51のベースから入力端子61が導出される。
トランジスタ52のコレクタが抵抗62を介して電源端子60
に接続されると共に、エミッタフォロワトランジスタ63
のベースに接続される。トランジスタ63のコレクタが電
源端子60に接続される。トランジスタ63のエミッタがダ
イオード64を介してトランジスタ53のベースに接続され
る。このダイオード64とトランジスタ53のベースの接続
点から出力端子66が導出されると共に、この接続点が定
電流源として動作するトランジスタ65,抵抗75を介して
接地端子59に接続される。
トランジスタ51のベースから入力端子61が導出される。
トランジスタ52のコレクタが抵抗62を介して電源端子60
に接続されると共に、エミッタフォロワトランジスタ63
のベースに接続される。トランジスタ63のコレクタが電
源端子60に接続される。トランジスタ63のエミッタがダ
イオード64を介してトランジスタ53のベースに接続され
る。このダイオード64とトランジスタ53のベースの接続
点から出力端子66が導出されると共に、この接続点が定
電流源として動作するトランジスタ65,抵抗75を介して
接地端子59に接続される。
トランジスタ54のコレクタが電源端子60に接続される。
トランジスタ54のベースから入力端子67が導出される。
トランジスタ53のコレクタが抵抗68を介して電源端子60
に接続されると共に、エミッタフォロワトランジスタ69
のベースに接続される。トランジスタ69のコレクタが電
源端子60に接続される。トランジスタ69のエミッタがダ
イオード70を介してトランジスタ52のベースに接続され
る。このダイオード70とトランジスタ52のベースの接続
点から出力端子71が導出されると共に、この接続点が定
電流源として動作するトランジスタ72,抵抗73を介して
接地端子59に接続される。定電流源として動作するトラ
ンジスタ55,57,65,72のベースが電源端子74に共通接続
される。
トランジスタ54のベースから入力端子67が導出される。
トランジスタ53のコレクタが抵抗68を介して電源端子60
に接続されると共に、エミッタフォロワトランジスタ69
のベースに接続される。トランジスタ69のコレクタが電
源端子60に接続される。トランジスタ69のエミッタがダ
イオード70を介してトランジスタ52のベースに接続され
る。このダイオード70とトランジスタ52のベースの接続
点から出力端子71が導出されると共に、この接続点が定
電流源として動作するトランジスタ72,抵抗73を介して
接地端子59に接続される。定電流源として動作するトラ
ンジスタ55,57,65,72のベースが電源端子74に共通接続
される。
このフリップフロップは、トランジスタ51をオフさせ、
トランジスタ52をオンさせることで、トランジスタ53が
オフし、トランジスタ54がオンし、これにより、出力端
子71からの出力Ｑが論理、“H"になり、出力端子66から
の出力が論理“L"になり、セット状態となる。セット
状態の時のトランジスタ52のベース電圧VB52は、トラン
ジスタ53がオフであるから、電源電圧をVCC,トランジス
タ69のベース・エミッタ間電圧をVBE,ダイオード70の両
端電圧をVBEとすると、 VB52＝VCC−2VBE ‥‥（11） となる。また、この時、トランジスタ53のベース電圧V
B53は、トランジスタ52がオンしているので、抵抗62に
電流が流れ、抵抗62の抵抗値をＲ、抵抗62を流れる電流
をI10,トランジスタ63のベース・エミッタ間電圧をVBE,
ダイオード64の両端電圧をVBEとすると、 VB53＝VCC−2VBE−I10R ‥‥（12） となる。
トランジスタ52をオンさせることで、トランジスタ53が
オフし、トランジスタ54がオンし、これにより、出力端
子71からの出力Ｑが論理、“H"になり、出力端子66から
の出力が論理“L"になり、セット状態となる。セット
状態の時のトランジスタ52のベース電圧VB52は、トラン
ジスタ53がオフであるから、電源電圧をVCC,トランジス
タ69のベース・エミッタ間電圧をVBE,ダイオード70の両
端電圧をVBEとすると、 VB52＝VCC−2VBE ‥‥（11） となる。また、この時、トランジスタ53のベース電圧V
B53は、トランジスタ52がオンしているので、抵抗62に
電流が流れ、抵抗62の抵抗値をＲ、抵抗62を流れる電流
をI10,トランジスタ63のベース・エミッタ間電圧をVBE,
ダイオード64の両端電圧をVBEとすると、 VB53＝VCC−2VBE−I10R ‥‥（12） となる。
トランジスタ54がオフし、トランジスタ53がオンする
と、トランジスタ52がオフし、トランジスタ51がオン
し、これにより出力端子71からの出力Ｑが論理“L"にな
り、出力端子66からの出力が論理“H"になり、リセッ
ト状態になる。リセット状態の時のトランジスタ52のベ
ース電圧VB52は、トランジスタ53がオンしているので、
抵抗68の抵抗値をＲ、抵抗68を流れる電流をI10とする
と、 VB52＝VCC−2VBE−I10R ‥‥（13） となり、トランジスタ53のベース電圧VB53は、トランジ
スタ52がオフしているので、 VB53＝VCC−2VBE ‥‥（14） となる。このように、出力Ｑ及びの論理振幅VLは、論
理“H"が（VCC−2VBE）で論理“L"が（VCC−2VBE−I
10R）で、（VL＝I10R）である。
と、トランジスタ52がオフし、トランジスタ51がオン
し、これにより出力端子71からの出力Ｑが論理“L"にな
り、出力端子66からの出力が論理“H"になり、リセッ
ト状態になる。リセット状態の時のトランジスタ52のベ
ース電圧VB52は、トランジスタ53がオンしているので、
抵抗68の抵抗値をＲ、抵抗68を流れる電流をI10とする
と、 VB52＝VCC−2VBE−I10R ‥‥（13） となり、トランジスタ53のベース電圧VB53は、トランジ
スタ52がオフしているので、 VB53＝VCC−2VBE ‥‥（14） となる。このように、出力Ｑ及びの論理振幅VLは、論
理“H"が（VCC−2VBE）で論理“L"が（VCC−2VBE−I
10R）で、（VL＝I10R）である。
この出力の論理振幅VLに対して、入力端子61及び入力端
子67に供給される論理振幅は、第４図に示すように、直
流レベルが1/2VLだけ低い論理振幅のものが用いられ
る。この直流レベルが低い論理振幅を、論理“Ｈ＊”論
理“Ｌ＊”で夫々示すことにする。
子67に供給される論理振幅は、第４図に示すように、直
流レベルが1/2VLだけ低い論理振幅のものが用いられ
る。この直流レベルが低い論理振幅を、論理“Ｈ＊”論
理“Ｌ＊”で夫々示すことにする。
入力端子61に“Ｌ＊”が供給されると、フリップフロッ
プがセット状態となる。つまり、“Ｌ＊”は“L"よりも
低いレベルにあるので、トランジスタ51は必ずオフとな
り、トランジスタ52がオンとなる。トランジスタ52がオ
ンすると、トランジスタ53のベースが“L"になり、トラ
ンジスタ53がオフし、トランジスタ54がオンし、セット
状態となる。
プがセット状態となる。つまり、“Ｌ＊”は“L"よりも
低いレベルにあるので、トランジスタ51は必ずオフとな
り、トランジスタ52がオンとなる。トランジスタ52がオ
ンすると、トランジスタ53のベースが“L"になり、トラ
ンジスタ53がオフし、トランジスタ54がオンし、セット
状態となる。
入力端子67に“Ｌ＊”が供給されると、フリップフロッ
プがリセット状態となる。つまり、“Ｌ＊”は“L"より
も低いレベルにあるので、トランジスタ54は必ずオフと
なり、トランジスタ53がオンとなる。トランジスタ53が
オンすると、トランジスタ52のベースが“L"になり、ト
ランジスタ52がオフし、トランジスタ51がオンし、リセ
ット状態となる。
プがリセット状態となる。つまり、“Ｌ＊”は“L"より
も低いレベルにあるので、トランジスタ54は必ずオフと
なり、トランジスタ53がオンとなる。トランジスタ53が
オンすると、トランジスタ52のベースが“L"になり、ト
ランジスタ52がオフし、トランジスタ51がオンし、リセ
ット状態となる。
上述のように構成されたフリップフロップに、第５図に
示すように、コンデンサ82を接続して、コンデンサ82の
端子電圧をフリップフロップに供給するようにすれば、
単安定マルチバイブレータが構成できる。つまり、第５
図に示すように、トランジスタ52のコレクタと抵抗62の
接続点をトランジスタ81のベースに接続し、トランジス
タ81のコレクタを電源端子60に接続する。電源端子60と
トランジスタ81のエミッタとの間にコンデンサ82を接続
し、コンデンサ82の充放電のために、トランジスタ81の
エミッタとコンデンサ82の接続点を電流源として動作す
るトランジスタ83及び抵抗84を介して接地端子59に接続
する。トランジスタ83からは、端子85を導出し、この端
子85に印加する制御電圧を可変することで、コンデンサ
82の充放電電流を可変するようにする。トランジスタ81
のエミッタとコンデンサ82の接続点をエミッタフォロワ
トランジスタ86のベースに接続し、トランジスタ86のコ
レクタを電源端子60に接続する。トランジスタ86のエミ
ッタを抵抗87を介してトランジスタ54のベースに接続
し、抵抗87とトランジスタ54のベースの接続点を定電流
源として動作するトランジスタ89及び抵抗90を介して接
地端子59に接続する。
示すように、コンデンサ82を接続して、コンデンサ82の
端子電圧をフリップフロップに供給するようにすれば、
単安定マルチバイブレータが構成できる。つまり、第５
図に示すように、トランジスタ52のコレクタと抵抗62の
接続点をトランジスタ81のベースに接続し、トランジス
タ81のコレクタを電源端子60に接続する。電源端子60と
トランジスタ81のエミッタとの間にコンデンサ82を接続
し、コンデンサ82の充放電のために、トランジスタ81の
エミッタとコンデンサ82の接続点を電流源として動作す
るトランジスタ83及び抵抗84を介して接地端子59に接続
する。トランジスタ83からは、端子85を導出し、この端
子85に印加する制御電圧を可変することで、コンデンサ
82の充放電電流を可変するようにする。トランジスタ81
のエミッタとコンデンサ82の接続点をエミッタフォロワ
トランジスタ86のベースに接続し、トランジスタ86のコ
レクタを電源端子60に接続する。トランジスタ86のエミ
ッタを抵抗87を介してトランジスタ54のベースに接続
し、抵抗87とトランジスタ54のベースの接続点を定電流
源として動作するトランジスタ89及び抵抗90を介して接
地端子59に接続する。
入力端子61に、第６図Ａに示すように、“Ｌ＊”のパル
ス入力が供給されると、トランジスタ51がオフし、トラ
ンジスタ52がオンする。これにより、トランジスタ53が
オフし、トランジスタ54がオンし、端子66からの出力Ｑ
が第６図Ａに示すように論理“H"になり、トランジスタ
53のベース電圧VB53が、第６図Ｂに示すように論理“L"
（VCC−2VBE−I10R）になる。
ス入力が供給されると、トランジスタ51がオフし、トラ
ンジスタ52がオンする。これにより、トランジスタ53が
オフし、トランジスタ54がオンし、端子66からの出力Ｑ
が第６図Ａに示すように論理“H"になり、トランジスタ
53のベース電圧VB53が、第６図Ｂに示すように論理“L"
（VCC−2VBE−I10R）になる。
この時、トランジスタ52がオンしているので、トランジ
スタ81がオフとなり、コンデンサ82に充電電流Itが流れ
る。この充電電流Itは、トランジスタ83、抵抗84よりな
る電流源を介して流れる。このようにコンデンサ82に充
電電Itが流れることにより、トランジスタ81のエミッタ
とコンデンサ82の一端の接続点の電圧が下降する。
スタ81がオフとなり、コンデンサ82に充電電流Itが流れ
る。この充電電流Itは、トランジスタ83、抵抗84よりな
る電流源を介して流れる。このようにコンデンサ82に充
電電Itが流れることにより、トランジスタ81のエミッタ
とコンデンサ82の一端の接続点の電圧が下降する。
トランジスタ81のエミッタとコンデンサ82の一端の接続
点の電圧は、エミッタフォロワトランジスタ86,抵抗87
を介してトランジスタ54のベースに供給されている。こ
のため、トランジスタ81のエミッタとコンデンサ82の一
端の接続点の電圧が下降すると、トランジスタ54のベー
ス電圧VB54が第３図Ｂに示すように、下降していく。
点の電圧は、エミッタフォロワトランジスタ86,抵抗87
を介してトランジスタ54のベースに供給されている。こ
のため、トランジスタ81のエミッタとコンデンサ82の一
端の接続点の電圧が下降すると、トランジスタ54のベー
ス電圧VB54が第３図Ｂに示すように、下降していく。
トランジスタ54のベース電圧VB54がトランジスタ53のベ
ース電圧VB53（この時、論理“L"で（VCC−2VBE−I
10R）である。）より低くなると、トランジスタ54がオ
フし、トランジスタ53がオンする。これにより、トラン
ジスタ52がオフし、トランジスタ51がオンし、端子66か
らの出力Ｑが第６図Ａに示すように論理“L"になる。こ
れと共に、トランジスタ52がオフすることにより、トラ
ンジスタ81がオンし、コンデンサ82に蓄えられていた電
荷が放電さる。これにより、トランジスタ81のエミッタ
の電圧が電源電圧VCCよりトランジスタ81のベース・エ
ミッタ間電圧VBEだけ低い電圧（VCC−VBE）になり、ト
ランジスタ54のベース電圧VB54が、第６図Ｂに示すよう
に、トランジスタ81のエミッタ電圧よりトランジスタ86
のベース・エミッタ間電圧VBE,抵抗87の両端電圧Vdだけ
低い電圧（VCC−2VBE−Vd）まで上昇する。
ース電圧VB53（この時、論理“L"で（VCC−2VBE−I
10R）である。）より低くなると、トランジスタ54がオ
フし、トランジスタ53がオンする。これにより、トラン
ジスタ52がオフし、トランジスタ51がオンし、端子66か
らの出力Ｑが第６図Ａに示すように論理“L"になる。こ
れと共に、トランジスタ52がオフすることにより、トラ
ンジスタ81がオンし、コンデンサ82に蓄えられていた電
荷が放電さる。これにより、トランジスタ81のエミッタ
の電圧が電源電圧VCCよりトランジスタ81のベース・エ
ミッタ間電圧VBEだけ低い電圧（VCC−VBE）になり、ト
ランジスタ54のベース電圧VB54が、第６図Ｂに示すよう
に、トランジスタ81のエミッタ電圧よりトランジスタ86
のベース・エミッタ間電圧VBE,抵抗87の両端電圧Vdだけ
低い電圧（VCC−2VBE−Vd）まで上昇する。
第５図に示す従来の単安定マルチバイブレータの時定数
τは、第６図Ｂに示すように、コンデンサ82が充電され
ることで、トランジスタ54のベース電圧VB54が（VCC−2
VBE−Vd）から（VCC−2VBE−I10R）に下降するまでの時
間により定められる。この時、コンデンサ82の端子電圧
は、 （VCC−2VBE−Vd）−（VCC−2VBE−I10R） ＝I10R−Vd ‥‥（15） だけ変化する。I10Rは、論理振幅VLに等しい。したがっ
て、コンデンサ82の端子電圧は、この時、（VL−Vd）だ
け変化する。
τは、第６図Ｂに示すように、コンデンサ82が充電され
ることで、トランジスタ54のベース電圧VB54が（VCC−2
VBE−Vd）から（VCC−2VBE−I10R）に下降するまでの時
間により定められる。この時、コンデンサ82の端子電圧
は、 （VCC−2VBE−Vd）−（VCC−2VBE−I10R） ＝I10R−Vd ‥‥（15） だけ変化する。I10Rは、論理振幅VLに等しい。したがっ
て、コンデンサ82の端子電圧は、この時、（VL−Vd）だ
け変化する。
コンデンサ82の充電電流は、トランジスタ83,抵抗84を
介して流れる。コンデンサ82の端子電圧Vtは、コンデン
サ82の静電容量をCt,コンデンサ82の充電電流をIt,時間
をｔとすると、 Vt＝（1/Ct）・It・ｔ ‥‥（16） として求められる。
介して流れる。コンデンサ82の端子電圧Vtは、コンデン
サ82の静電容量をCt,コンデンサ82の充電電流をIt,時間
をｔとすると、 Vt＝（1/Ct）・It・ｔ ‥‥（16） として求められる。
したがって、時定数τは、次式により求められる。
VL−Vd＝（1/Ct）It・τ ‥‥（17） よって、 τ＝Ct（VL−Vd）/It ‥‥（18） （18）式に示すように、時定数τは、充電電流Itを変化
させることにより可変できる。充電電流Itは、端子85に
供給される制御電圧をVtc,トランジスタ83のベース・エ
ミッタ間電圧をVBE、抵抗84の抵抗値をRtとすると、 It＝（Vtc−VBE）/Rt ‥‥（19） として求められる。（19）式を（18）に代入すると τ＝Ct・Rt（VL−Vd）／（Vtc−VBE） ‥‥（20） となる。（20）式より、制御電圧Vtcを変化させること
により時定数τを可変することができ、これにより時定
数の調整が行える。
させることにより可変できる。充電電流Itは、端子85に
供給される制御電圧をVtc,トランジスタ83のベース・エ
ミッタ間電圧をVBE、抵抗84の抵抗値をRtとすると、 It＝（Vtc−VBE）/Rt ‥‥（19） として求められる。（19）式を（18）に代入すると τ＝Ct・Rt（VL−Vd）／（Vtc−VBE） ‥‥（20） となる。（20）式より、制御電圧Vtcを変化させること
により時定数τを可変することができ、これにより時定
数の調整が行える。
単安定マルチバイブレータは、ビデオディスク等の記録
媒体から再生されたビデオ信号中の時間軸変動分を除去
するようにした時間軸補正装置に用いられる。つまり、
水平同期信号の前縁により単安定マルチバイブレータを
トリガーし、水平同期信号から所定時間後例えば５〜８
μｓ後のバースト信号の所定一波を抜き取り、このバー
スト信号の所定の一波と基準信号とを比較することによ
り、時間軸変動分が検出され、CCDの遅延時間が検出さ
れた時間軸変動部分を除去するように制御される。
媒体から再生されたビデオ信号中の時間軸変動分を除去
するようにした時間軸補正装置に用いられる。つまり、
水平同期信号の前縁により単安定マルチバイブレータを
トリガーし、水平同期信号から所定時間後例えば５〜８
μｓ後のバースト信号の所定一波を抜き取り、このバー
スト信号の所定の一波と基準信号とを比較することによ
り、時間軸変動分が検出され、CCDの遅延時間が検出さ
れた時間軸変動部分を除去するように制御される。
このように、バースト信号の所定の一波を抜き取る場合
には、比較的時定数の長い例えば時定数が５〜８μｓの
単安定マルチバイブレータが必要となる。これに対し
て、バースト１波分の時間は300ns程度である。このた
め、時定数が微調整できるように、制御電圧の変化に対
する時定数の変化の小さい変化率小の単安定マルチバイ
ブレータが望ましい。
には、比較的時定数の長い例えば時定数が５〜８μｓの
単安定マルチバイブレータが必要となる。これに対し
て、バースト１波分の時間は300ns程度である。このた
め、時定数が微調整できるように、制御電圧の変化に対
する時定数の変化の小さい変化率小の単安定マルチバイ
ブレータが望ましい。
第５図に示す従来の単安定マルチバイブレータの時定数
τは、（20）式より、コンデンサ82の静電容量Ct,抵抗8
4の抵抗値Rt、電圧（VL−Vd）、電圧（Vtc−VBE）によ
り決まる。ここで、電圧（VL−Vd）は回路内の電圧によ
り決定され、制御電圧Vtcの可変範囲は制限がある。し
たがって、時定数τは、抵抗84の抵抗値Rtとコンデンサ
82の静電容量Ctにより決められる。
τは、（20）式より、コンデンサ82の静電容量Ct,抵抗8
4の抵抗値Rt、電圧（VL−Vd）、電圧（Vtc−VBE）によ
り決まる。ここで、電圧（VL−Vd）は回路内の電圧によ
り決定され、制御電圧Vtcの可変範囲は制限がある。し
たがって、時定数τは、抵抗84の抵抗値Rtとコンデンサ
82の静電容量Ctにより決められる。
（20）式より、時定数を大きくする場合には、抵抗84の
抵抗値Rt及びコンデンサ82の静電容量Ctを大きくする必
要がある。抵抗値Rt及び静電容量Ctの値を大きくしてい
くと、（20）式より、制御電圧Vtcの変化に対する時定
数τの変化が大きくなる。このため、時定数τを調整す
るために調整電圧Vtcを可変させると、時定数τが大き
く動いてしまい、時定数τを微調整することができなく
なってしまう。また、従来の単安定アルチバイブレータ
は制御電圧Vtcと抵抗Rtより静電容量Ctの充電電流が定
められる。したがって、制御電圧Vtcを可変した場合の
時定数τの変化率が大きく、上述のように大きな時定数
でかつ時定数を微調することが困難であった。
抵抗値Rt及びコンデンサ82の静電容量Ctを大きくする必
要がある。抵抗値Rt及び静電容量Ctの値を大きくしてい
くと、（20）式より、制御電圧Vtcの変化に対する時定
数τの変化が大きくなる。このため、時定数τを調整す
るために調整電圧Vtcを可変させると、時定数τが大き
く動いてしまい、時定数τを微調整することができなく
なってしまう。また、従来の単安定アルチバイブレータ
は制御電圧Vtcと抵抗Rtより静電容量Ctの充電電流が定
められる。したがって、制御電圧Vtcを可変した場合の
時定数τの変化率が大きく、上述のように大きな時定数
でかつ時定数を微調することが困難であった。
このように、第５図に示す従来の単安定マルチバイブレ
ータは、時定数と制御電圧に対する時定数の変化率を独
立に広範囲に設定することができないものであった。
ータは、時定数と制御電圧に対する時定数の変化率を独
立に広範囲に設定することができないものであった。
したがって、この発明は、時定数及び変化率の夫々を広
範囲に設定することができる単安定マルチバイブレータ
の提供を目的とするものである。
範囲に設定することができる単安定マルチバイブレータ
の提供を目的とするものである。
この発明は、コンデンサの端子電圧が供給されるフリッ
プフロップと、フリップフロップの出力により充放電が
制御されるコンデンサと、コンデンサに対する充放電用
の電流源とを有する単安定マルチバイブレータにおい
て、定電流Ｉに対して制御電圧により可変する電流ｉを
合成してなる電流（Ｉ±ｉ）によりコンデンサの充放電
を行うことを特徴とする単安定マルチバイブレータであ
る。
プフロップと、フリップフロップの出力により充放電が
制御されるコンデンサと、コンデンサに対する充放電用
の電流源とを有する単安定マルチバイブレータにおい
て、定電流Ｉに対して制御電圧により可変する電流ｉを
合成してなる電流（Ｉ±ｉ）によりコンデンサの充放電
を行うことを特徴とする単安定マルチバイブレータであ
る。
コンデンサ32に対する充電電流は、抵抗34を介して流れ
る電流Ｉから抵抗42、トランジスタ41を介して流れる電
流ｉを減じた電流である。電流ｉは、端子35に供給され
る制御電圧により可変される。電流Ｉにより時定数が主
として決められ、電流ｉを可変することで、時定数の調
整がなされる。
る電流Ｉから抵抗42、トランジスタ41を介して流れる電
流ｉを減じた電流である。電流ｉは、端子35に供給され
る制御電圧により可変される。電流Ｉにより時定数が主
として決められ、電流ｉを可変することで、時定数の調
整がなされる。
以下、この発明の一実施例について図面を参照して説明
する。第１図において、１及び2,3及び４が夫々差動回
路を構成するトランジスタである。トランジスタ１及び
２の互いのエミッタが共通接続され、この接続点が定電
流源として動作するトランジスタ5,抵抗６を介して接地
端子９に接続される。トランジスタ３及び４の互いのエ
ミッタが共通接続され、この接続点が定電流源として動
作するトランジスタ7,抵抗８を介して接地端子９に接続
される。
する。第１図において、１及び2,3及び４が夫々差動回
路を構成するトランジスタである。トランジスタ１及び
２の互いのエミッタが共通接続され、この接続点が定電
流源として動作するトランジスタ5,抵抗６を介して接地
端子９に接続される。トランジスタ３及び４の互いのエ
ミッタが共通接続され、この接続点が定電流源として動
作するトランジスタ7,抵抗８を介して接地端子９に接続
される。
トランジスタ１のコレクタが電源端子10に接続される。
トランジスタ１のベースから入力端子11が導出される。
トランジスタ２のコレクタが抵抗12を介して電源端子10
に接続されると共に、エミッタフォロワトランジスタ13
のベース及びトランジスタ31のベースに接続される。ト
ランジスタ13のコレクタが電源端子10に接続される。ト
ランジスタ13のエミッタがダイオード14を介してトラン
ジスタ３のベースに接続される。このダイオード14とト
ランジスタ３のベースの接続点から出力端子16が導出さ
ると共に、この接続点が定電流源として動作するトラン
ジスタ15,抵抗25を介して接地端子９に接続される。
トランジスタ１のベースから入力端子11が導出される。
トランジスタ２のコレクタが抵抗12を介して電源端子10
に接続されると共に、エミッタフォロワトランジスタ13
のベース及びトランジスタ31のベースに接続される。ト
ランジスタ13のコレクタが電源端子10に接続される。ト
ランジスタ13のエミッタがダイオード14を介してトラン
ジスタ３のベースに接続される。このダイオード14とト
ランジスタ３のベースの接続点から出力端子16が導出さ
ると共に、この接続点が定電流源として動作するトラン
ジスタ15,抵抗25を介して接地端子９に接続される。
トランジスタ３のコレクタが抵抗18を介して電源端子10
に接続されると共に、エミッタフォロワトランジスタ19
のベースに接続される。トランジスタ19のコレクタが電
源端子10に接続される。トランジスタ19のエミッタがダ
イオード20を介してトランジスタ２のベースに接続され
る。このダイオード20とトランジスタ２のベースの接続
点から出力端子21が導出されると共に、この接続点が定
電流源として動作するトランジスタ22及び抵抗23を介し
て接地端子９に接続される。
に接続されると共に、エミッタフォロワトランジスタ19
のベースに接続される。トランジスタ19のコレクタが電
源端子10に接続される。トランジスタ19のエミッタがダ
イオード20を介してトランジスタ２のベースに接続され
る。このダイオード20とトランジスタ２のベースの接続
点から出力端子21が導出されると共に、この接続点が定
電流源として動作するトランジスタ22及び抵抗23を介し
て接地端子９に接続される。
トランジスタ４のコレクタが電源端子10に接続される。
トランジスタ４のベースが定電流源として動作するトラ
ンジスタ39及び抵抗40を介して接地端子９に接続される
と共に、抵抗37を介してトランジスタ36のエミッタに接
続される。
トランジスタ４のベースが定電流源として動作するトラ
ンジスタ39及び抵抗40を介して接地端子９に接続される
と共に、抵抗37を介してトランジスタ36のエミッタに接
続される。
トランジスタ36のコレクタが電源端子10に接続される。
トランジスタ36のベースがトランジスタ31のエミッタ及
びコンデンサ32の一端に接続されると共に、トランジス
タ33のコレクタに接続される。トランジスタ31のコレク
タ及びコンデンサ32の他端が電源端子10に接続される。
トランジスタ36のベースがトランジスタ31のエミッタ及
びコンデンサ32の一端に接続されると共に、トランジス
タ33のコレクタに接続される。トランジスタ31のコレク
タ及びコンデンサ32の他端が電源端子10に接続される。
トランジスタ33は定電流源として動作し、このトランジ
スタ33のエミッタが抵抗34を介して接地端子９に接続さ
れると共に、PNP形トランジスタ41のコレクタに接続さ
れる。トランジスタ41のエミッタが抵抗42を介して電源
端子10に接続される。トランジスタ41のベースがトラン
ジスタ43のエミッタに接続されると共に、定電流源とし
て動作するトランジスタ44のコレクタに接続される。ト
ランジスタ43のコレクタが電源端子10に接続される。ト
ランジスタ43のベースから制御電圧VVRが供給される端
子35が導出される。トランジスタ44は定電流源として動
作し、このトランジスタ44のエミッタが抵抗45を介して
接地端子９に接続される。定電流源として動作するトラ
ンジスタ5,15,22,7,39,33,44のベースが端子24に接続さ
れる。
スタ33のエミッタが抵抗34を介して接地端子９に接続さ
れると共に、PNP形トランジスタ41のコレクタに接続さ
れる。トランジスタ41のエミッタが抵抗42を介して電源
端子10に接続される。トランジスタ41のベースがトラン
ジスタ43のエミッタに接続されると共に、定電流源とし
て動作するトランジスタ44のコレクタに接続される。ト
ランジスタ43のコレクタが電源端子10に接続される。ト
ランジスタ43のベースから制御電圧VVRが供給される端
子35が導出される。トランジスタ44は定電流源として動
作し、このトランジスタ44のエミッタが抵抗45を介して
接地端子９に接続される。定電流源として動作するトラ
ンジスタ5,15,22,7,39,33,44のベースが端子24に接続さ
れる。
前述の従来例と同様に、端子11に“Ｌ＊”のパルス入力
が供給されると、トランジスタ１がオフし、トランジス
タ２がオンする。これにより、トランジスタ３ガオフ
し、トランジスタ４がオンし、端子21からの出力Ｑが論
理“H"になり、端子16からの出力が論理“L"になる。
が供給されると、トランジスタ１がオフし、トランジス
タ２がオンする。これにより、トランジスタ３ガオフ
し、トランジスタ４がオンし、端子21からの出力Ｑが論
理“H"になり、端子16からの出力が論理“L"になる。
この時、トランジスタ２がオンしているので、トランジ
スタ31がオフとなり、コンデンサ32に充電電流Itが流れ
る。このように、コンデンサ32が充電電流Itにより充電
されることにより、トランジスタ31のエミッタとコンデ
ンサ32の一端の接続点の電圧が下降していく。
スタ31がオフとなり、コンデンサ32に充電電流Itが流れ
る。このように、コンデンサ32が充電電流Itにより充電
されることにより、トランジスタ31のエミッタとコンデ
ンサ32の一端の接続点の電圧が下降していく。
トランジスタ31のエミッタとコンデンサ32の接続点の電
圧は、エミッタフォロワトランジスタ36、抵抗37を介し
てトランジスタ４のベースに供給されている。このた
め、トランジスタ31のエミッタとコンデンサ32の接続点
の電圧が下降すると、トランジスタ４のベース電圧が下
降していく。
圧は、エミッタフォロワトランジスタ36、抵抗37を介し
てトランジスタ４のベースに供給されている。このた
め、トランジスタ31のエミッタとコンデンサ32の接続点
の電圧が下降すると、トランジスタ４のベース電圧が下
降していく。
トランジスタ４のベース電圧がトランジスタ３のベース
電圧（この時、論理“L"の電圧（Vcc−2VBE−I10Rであ
る））より低くなるとトランジスタ４がオフし、トラン
ジスタ３がオンする。
電圧（この時、論理“L"の電圧（Vcc−2VBE−I10Rであ
る））より低くなるとトランジスタ４がオフし、トラン
ジスタ３がオンする。
このため、トランジスタ２がオフし、トランジスタ１が
オンする。トランジスタ２がオフすることにより、トラ
ンジスタ31がオンし、コンデンサ32に蓄えられていた電
荷が放電される。このため、トランジスタ４のベース電
圧が、電源電圧よりトランジスタ31及びトランジスタ36
のベース・エミッタ間電圧VBEと抵抗37の両端電圧Vdだ
け低い電圧（VCC−2VBE−Vd）まで上昇する。
オンする。トランジスタ２がオフすることにより、トラ
ンジスタ31がオンし、コンデンサ32に蓄えられていた電
荷が放電される。このため、トランジスタ４のベース電
圧が、電源電圧よりトランジスタ31及びトランジスタ36
のベース・エミッタ間電圧VBEと抵抗37の両端電圧Vdだ
け低い電圧（VCC−2VBE−Vd）まで上昇する。
上述の一実施例の時定数τは、コンデンサ32が充電され
ることで、トランジスタ４のベース電圧が（VCC−2VBE
−Vd）からトランジスタ３のベース電圧（VCC−2VBE−I
10R）より低くなるまでの時間により決定される。この
時、コンデンサ32の端子電圧は、（VL−Vd）だけ変化す
る。
ることで、トランジスタ４のベース電圧が（VCC−2VBE
−Vd）からトランジスタ３のベース電圧（VCC−2VBE−I
10R）より低くなるまでの時間により決定される。この
時、コンデンサ32の端子電圧は、（VL−Vd）だけ変化す
る。
コンデンサ32の端子電圧Vtは、コンデンサ32の静電容量
をCt、充電電流をIt、時間をｔとすると、 Vt＝（1/Ct）・ｔ ‥‥（１） として求められる。したがって、時定数τは、次式によ
り求められる。
をCt、充電電流をIt、時間をｔとすると、 Vt＝（1/Ct）・ｔ ‥‥（１） として求められる。したがって、時定数τは、次式によ
り求められる。
VL−Vd＝（1/Ct）It・τ ‥‥（２） よって、 τ＝Ct（VL−Vd）/It ‥‥（３） 充電電流Itは、第２図に示すように、トランジスタ33,
抵抗34を介して流れる。抵抗34には、抵抗42,トランジ
スタ41を介された電流ｉが流れている。したがって、充
電電流Itは、抵抗34を流れる電流Ｉから抵抗42,トラン
ジスタ41を介して流れる電流ｉを減じた電流 It＝Ｉ−ｉ ‥‥（４） である。（４）式を用いて（３）式を書き換えると、 τ＝Ct（VL−Vd）／（Ｉ−ｉ） ‥‥（５） となる。
抵抗34を介して流れる。抵抗34には、抵抗42,トランジ
スタ41を介された電流ｉが流れている。したがって、充
電電流Itは、抵抗34を流れる電流Ｉから抵抗42,トラン
ジスタ41を介して流れる電流ｉを減じた電流 It＝Ｉ−ｉ ‥‥（４） である。（４）式を用いて（３）式を書き換えると、 τ＝Ct（VL−Vd）／（Ｉ−ｉ） ‥‥（５） となる。
電流Ｉは、端子24に供給される電圧をVBB、抵抗34の抵
抗値をRt、トランジスタ33のベース・エミッタ間電圧を
VBEとすると、 Ｉ＝（VBB−VBE）/Rt ‥‥（６） として求められる。電流ｉは、端子35に供給される制御
電圧VVR、電源電圧をVCC、抵抗42の抵抗値をRiとする
と、 ｉ＝（VCC−VVR）/Ri ‥‥（７） として求められる。
抗値をRt、トランジスタ33のベース・エミッタ間電圧を
VBEとすると、 Ｉ＝（VBB−VBE）/Rt ‥‥（６） として求められる。電流ｉは、端子35に供給される制御
電圧VVR、電源電圧をVCC、抵抗42の抵抗値をRiとする
と、 ｉ＝（VCC−VVR）/Ri ‥‥（７） として求められる。
電流Ｉは、電流ｉに比べて大きい値に設定され、時定数
τは、（５）式より、主としてこの電流Ｉにより決めら
れる。つまり、電流Ｉは、時定数τから（５）式，
（６）式に基づいて、抵抗34の抵抗値Rtにより設定され
る。
τは、（５）式より、主としてこの電流Ｉにより決めら
れる。つまり、電流Ｉは、時定数τから（５）式，
（６）式に基づいて、抵抗34の抵抗値Rtにより設定され
る。
（５）式より、電流ｉを可変することにより、時定数τ
が変化する。電流ｉは、（７）式より、制御電圧VVRを
可変することにより変化する。この端子35に供給される
制御電圧VVRを可変させることで、時定数τの調整が行
える。
が変化する。電流ｉは、（７）式より、制御電圧VVRを
可変することにより変化する。この端子35に供給される
制御電圧VVRを可変させることで、時定数τの調整が行
える。
制御電圧VVRの変化に対する電流ｉの変化率は、抵抗42
の抵抗値Riにより決まる。主たる時定数τは、電流Ｉに
より決定される。このため、制御電圧VVRを可変するこ
とにより変化する時定数の変化率は、主たる時定数とは
独立して決められる。このため、時定数及び変化率を夫
々広範囲に設定できる。
の抵抗値Riにより決まる。主たる時定数τは、電流Ｉに
より決定される。このため、制御電圧VVRを可変するこ
とにより変化する時定数の変化率は、主たる時定数とは
独立して決められる。このため、時定数及び変化率を夫
々広範囲に設定できる。
なお、上述の一実施例は、主たる時定数を決める定電流
Ｉから制御電圧により可変する電流ｉを減じた電流によ
りコンデンサ82を充電させる構成であるが、定電流Ｉに
制御電圧により可変する電流ｉを加えた電流によりコン
デンサ82を充電するようにしても良い。
Ｉから制御電圧により可変する電流ｉを減じた電流によ
りコンデンサ82を充電させる構成であるが、定電流Ｉに
制御電圧により可変する電流ｉを加えた電流によりコン
デンサ82を充電するようにしても良い。
この発明に依れば、コンデンサの充放電電流を定電流Ｉ
と制御電圧により可変する電流ｉとを合成した電流（Ｉ
±ｉ）により行うものであるから、時定数と制御電圧に
対する時定数の変化率を夫々独立に広範囲に設定でき
る。
と制御電圧により可変する電流ｉとを合成した電流（Ｉ
±ｉ）により行うものであるから、時定数と制御電圧に
対する時定数の変化率を夫々独立に広範囲に設定でき
る。
第１図はこの発明の一実施例の接続図，第２図はこの発
明の一実施例の説明に用いる接続図，第３図はフリップ
フロップの一例の接続図，第４図はフリップフロップの
一例の説明に用いる略線図，第５図は従来の単安定マル
チバイブレータの一例の接続図，第６図は従来の単安定
マルチバイブレータの説明に用いる波形図である。 図面における主要な符号の説明 1,2,3,4,:差動回路を構成するトランジスタ,11:入力端
子,16,21:出力端子,32:コンデンサ,35:制御電圧の入力
端子。
明の一実施例の説明に用いる接続図，第３図はフリップ
フロップの一例の接続図，第４図はフリップフロップの
一例の説明に用いる略線図，第５図は従来の単安定マル
チバイブレータの一例の接続図，第６図は従来の単安定
マルチバイブレータの説明に用いる波形図である。 図面における主要な符号の説明 1,2,3,4,:差動回路を構成するトランジスタ,11:入力端
子,16,21:出力端子,32:コンデンサ,35:制御電圧の入力
端子。
Claims (1)
- 【請求項１】互いのエミッタが共通接続された第１及び
第２のトランジスタからなる第１の差動回路と、 互いのエミッタが共通接続された第３及び第４のトラン
ジスタからなる第２の差動回路と、 上記第２のトランジスタのコレクタと上記第３のトラン
ジスタのベースとの間に設けられ、上記第２のトランジ
スタのコレクタの出力をレベルシフトして上記第３のト
ランジスタのベースに供給するための第１のレベルシフ
ト回路と、 上記第３のトランジスタのコレクタと上記第２のトラン
ジスタのベースとの間に設けられ、上記第３のトランジ
スタのコレクタの出力をレベルシフトして上記第２のト
ランジスタのベースに供給するための第２のレベルシフ
ト回路と、 上記第２のトランジスタのコレクタの出力がそのベース
に供給される第５のトランジスタと、 上記第５のトランジスタのコレクタ・エミッタ間に接続
されたコンデンサと、 上記コンデンサに対する充電電流を設定する充電電流源
と、 上記充電電流源は、定電流源と、制御電圧に応じて電流
が変化する制御電流形成回路とからなり、上記定電流源
と上記制御電流形成回路で形成された電流により上記コ
ンデンサに対する充電電流を形成し、 上記コンデンサの一端と上記第４のトランジスタのベー
スとの間に設けられ、上記コンデンサの端子電圧に応じ
た電圧を上記第４のトランジスタのベースに供給する段
間回路と を備えるようにした単安定マルチバイブレータ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60117762A JPH0728206B2 (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | 単安定マルチバイブレ−タ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60117762A JPH0728206B2 (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | 単安定マルチバイブレ−タ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61276415A JPS61276415A (ja) | 1986-12-06 |
| JPH0728206B2 true JPH0728206B2 (ja) | 1995-03-29 |
Family
ID=14719692
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60117762A Expired - Fee Related JPH0728206B2 (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | 単安定マルチバイブレ−タ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0728206B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS607854B2 (ja) * | 1977-10-28 | 1985-02-27 | 株式会社東芝 | 単安定マルチバイブレ−タ回路 |
| JPS5647123A (en) * | 1979-09-25 | 1981-04-28 | Toshiba Corp | Monostable multivibrator |
-
1985
- 1985-05-31 JP JP60117762A patent/JPH0728206B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61276415A (ja) | 1986-12-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |