JPH07278703A - 真空インタラプタ用電極材料 - Google Patents

真空インタラプタ用電極材料

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JPH07278703A
JPH07278703A JP6075593A JP7559394A JPH07278703A JP H07278703 A JPH07278703 A JP H07278703A JP 6075593 A JP6075593 A JP 6075593A JP 7559394 A JP7559394 A JP 7559394A JP H07278703 A JPH07278703 A JP H07278703A
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JP
Japan
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electrode
average particle
chrome
powder
vacuum interrupter
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JP6075593A
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English (en)
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Nobuyuki Yoshioka
信行 吉岡
Nobunao Suzuki
伸尚 鈴木
Toshimasa Fukai
利眞 深井
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Meidensha Corp
Meidensha Electric Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Meidensha Corp
Meidensha Electric Manufacturing Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 遮断性能に優れ、しかも低コストである真空
インタラプタ用電極材料を提供する。 【構成】 CuとCrを主成分とし、Cuマトリックス
中にCrが微細に分散し、Crの組成範囲が13〜35
重量%でCuの組成範囲が65〜87重量%であり、し
かもCr粒子の平均粒子径が20μm以下で、かつ40
μm以下の含有量が90%以上である真空インタラプタ
用電極材料。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、銅(以下、Cuと記
す)とクロム(以下、Crと記す)を主成分とする真空
インタラプタ用電極材料に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、真空インタラプタ用の電極材料
は、従来主に使用されていたCu−ビスマス(以下、B
iと記す)系の材料よりも、遮断性能の優れたCu−C
r系材料が使用されている。
【0003】実験の結果、この優れた遮断性能は、Cu
−Cr電極中のCr粒子の粒径、分散状態に起因するこ
とがわかった。即ち、遮断電流は発生したアークがCr
粒子からCuへの移行が速やかに行われるほど遮断性能
は良好であるから、同一組成のCu−Cr電極において
も、その電極中の内部組織の違いにより遮断性能は著し
く異なるのである。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】電極内部に大きなCr
粒子を持つものは、遮断性能が優れているとはいえず、
このため電極の径が大きくなってしまい、真空インタラ
プタ自体も大きくなってしまう。また、真空インタラプ
タのコストも高くなっている。
【0005】微細なCrの均一分散組織からなる電極を
得る方法の一つに、原料粉をプレス成形後焼結する方法
があるが、溝を有するスパイラル形状にするためには機
械加工が必要である。このため、 切削加工による素材のロスが多く、 機械加工による加工費が高価であり、 加工による納期がかかるため製品の日程管理、在庫
調整が煩雑であった。更に、近年では、素材費の価格上
昇、人件費の増大が電極コストの上昇を招くことから、
機械加工を要さず、製作工数の少ない電極を得ることが
望まれている。
【0006】これらの問題を解決するため、特開平5−
242773号公報などに開示されているように、使用
する電極形状(例えば、スパイラル形状)でプレス成形
した後、焼結し、機械加工なしにそのまま電極とするこ
とが提案されている。
【0007】しかし、上記電極においては、その製造過
程において成形体を真空中で焼結すると、Cuの蒸気圧
が高いため選択的にCuが飛散し電極表面がCrリッチ
となり、接触抵抗が上昇することがあった。
【0008】また、炉内真空中で焼結する場合、加熱工
程で原料粉体に含有されていたガスの放出が生じ、炉内
の真空度が低下してしまう。そのため、 炉内に設置する成形体の数量が限定される、 昇温速度を緩やかにしたり、昇温過程での保持回
数、時間を多くとる必要がある、などの問題があり、生
産性の高い電極材料が望まれていた。
【0009】
【課題を解決するための手段】そこで、先ず、Crの含
有量が電極材料に及ぼす影響を調べるべく、粒径8μm
のCr粉体とCuの粉体とを配合比を変えて混合し、得
られた混合粉末を金型に充填し、5ton /cm2 の圧力で
加圧成形して成形体を得た。得られた成形体を炉内に設
置し、炉内を5×10-3Torrに排気し、次いで、アルゴ
ン(以下、Arと記す)ガスを炉内に導入し、分圧が1
×10-4Torrより大きい範囲となるように調整し、Ar
ガスを流しながら加熱した。加熱は、Cuの融点直下の
1060°Cで2時間行った。
【0010】焼結により得られた電極材料の充填密度は
98%であった。この電極材料を真空インタラプタの電
極として組み込み、接触抵抗を測定後、遮断試験を実施
した。その結果を表1及び図1に示す。
【0011】
【表1】
【0012】表1及び図1より、Crの含有量が13重
量%以上になると、遮断電流特性が向上することがわか
る。ただし、Crの割合が35重量%以上になると、初
期の接触抵抗が高くなり、遮断後は一層高くなり、接点
としての使用に向かないものとなる。従って、Crの含
有量は、13〜35重量%の範囲であることが必要であ
る。
【0013】次に、Cu粉と、平均粒径が8、15、4
0、100μmのCr粉を82:18の重量比で混合し
たものを金型に充填し、5ton /cm2 の圧力で加圧して
成形体を得、得られた成形体を炉内に設置し、1×10
-4Torrの真空中で加熱し、焼結体を得た。加熱は、融点
直下の1060°C下で2時間行った。
【0014】得られた焼結体を電極形状に機械加工し、
リード棒とろう付けして真空インタラプタを作製し、遮
断性能試験を実施し、Cr粒径の違いによる遮断性能を
比較した。これらの結果を表2に示す。尚、表2には、
Cu−Crアトマイズ粉体を用いた例も併せて示す。ア
トマイズ粉体の平均粒径は100μmであり、50〜1
50μmのものが粉体の90%を占めるものを採用し
た。得られた電極においては、Cuマトリックス中のC
rの平均粒径は8μmで、5〜20μmのものが全体の
90%を占めていた。
【0015】
【表2】
【0016】表2より、電極内部のCr粒径が微細なほ
ど遮断性能が良好なことがわかる。即ち、本発明に係る
真空インタラプタ用電極材料は、CuとCrを主成分と
し、Cuマトリックス中にCrが微細分散し、Crの組
成範囲が13〜35重量%でCuの組成範囲が65〜8
7重量%であり、しかもCr粒子の平均粒子径が20μ
m以下で、かつ40μm以下の含有量が90%以上であ
ることを特徴とするものである。尚、Cr粒子の粒径
は、20μm以下であるが、平均粒径5〜15μmが望
ましい。Cr粒子の径が20μmを越える場合には、遮
断性能が低下してしまう。また、加減の5μmより小さ
い場合は、製造が困難であり、かつ製造工程中に不純物
が混入するおそれがある。
【0017】
【実施例】次に、本発明に係る真空インタラプタ用電極
材料の一実施例について説明する。出発原料としてCu
粉と、平均粒径が8、15、40、100μmのCr粉
を82:18の重量比で、V形混合器で1時間十分に混
合した。使用したCr粉末における粒度分布は、表2に
示すように、平均粒径が8μmのものにおいては2〜2
0μmの範囲が、平均粒径が15μmのものにおいては
5〜30μmの範囲が、平均粒径が40μmのものにお
いては10〜60μmの範囲が、平均粒径100μmの
ものにおいては60〜150μmの範囲が90%を占め
ている。
【0018】上記混合粉末を直径60mmの円盤状の金
型に充填し、5ton /cm2 の圧力で加圧成形し、成形体
を得た。得られた成形体を炉内に設置し、1×10-4To
rrで加熱し、焼結した。加熱は、Cuの融点直下の10
60°Cで、2時間行った。
【0019】得られた焼結体、即ち電極材料の内部構造
を電子顕微鏡で観察し、組織内のCr粒子の大きさを調
べた。その結果は、前掲の表2のとおりである。即ち、
Cuマトリックス中のCr粒子の平均粒径は、原料粉と
してCr粒子の平均粒径が8μmのものを使ったものに
あっては12μm、原料粉としてCr粒子の平均粒径が
15μmのものを使ったものにあっては18μm、原料
粉としてCr粒子の平均粒径が40μmのものを使った
ものにあっては45μmと、いずれも微細であった。
尚、電極材料内部のCr粒子の径は、任意の部分で切断
後研磨仕上げにより得られた試料を顕微鏡観察により測
定した結果である。
【0020】得られた電極材料を機械加工し、図2に示
すように、固定電極21、可動電極22として、固定リ
ード棒23、可動リード棒24とろう付けし、真空イン
タラプタ25を得た。この真空インタラプタ25の遮断
性能試験を実施し、Cr粒径による遮断性能を調べた結
果は表2のとおりである。原料粉として、Cr粉の平均
粒径8、15、40μmのいずれを用いた場合も、良好
な遮断性能を示した。これは、Cuマトリックス中にC
rが微細に分散したため、電流遮断時のアークの駆動が
速やかに行われることによる。
【0021】出発原料として用いるCuーCr粉体とし
ては、電解法により得られる樹枝状のものが加圧成形時
粉体同士が絡みやすく、かつつぶれやすいため好まし
い。また、メカニカルアロイニング製法による粉体、ア
トマイズ法による粉体も出発原料として採用される。
【0022】出発原料として用いられるCuーCrアト
マイズ粉体は、例えば以下の方法で製造される。87重
量%のCuと13重量%のCrの混合物を真空中で加熱
溶解後、Arガスにより5〜8MPaの圧力で噴霧す
る。得られるCuーCr粉体の粒径は、150μm〜5
0μmであり、成分は初期混合物と同等であった。ま
た、この合金粉体を電子顕微鏡で観察すると、5μm以
下のCr粒子が均一に分散していることが確認された。
【0023】上記製法により得られたアトマイズ粉体を
直径70mmのアルミナ容器に300g充填し、5ton
/cm2 の圧力で加圧成形し、成形体を得た。この成形体
を、1×10-4Torrの真空中で、Cuの融点以下の温度
である1080°Cで30分間加熱処理を施し、電極材
料を得た。
【0024】得られた電極材料について前述と同様にし
てCr粒径について調べ、また、前述と同様に機械加工
し、電極として真空インタラプタを作製し、遮断性能に
ついて調べた。その結果は、前掲の表2のとおりであ
る。
【0025】電極材料内部には、平均粒径8μmのCr
が均一に分散しており、しかもCrは、5〜20μmの
ものが90%を占めていた。電流遮断能力は顕著に向上
した。
【0026】次に、他の実施例として、焼結体を機械加
工せず、そのまま電極として用いる場合について示す。
先ず、出発原料としてCu粉と、平均粒径が8、15、
40、100μmのCr粉を82:18の重量比で、V
形混合器で1時間十分に混合し、混合粉体を得る。使用
したCr粉末における粒度分布は、表3に示すように、
平均粒径が8μmのものにおいては2〜20μmの範囲
が、平均粒径が15μmのものにおいては5〜30μm
の範囲が、平均粒径が40μmのものにおいては10〜
60μmの範囲が、平均粒径100μmのものにおいて
は60〜150μmの範囲が90%を占めている。
【0027】出発原料として用いるCr粉は、電解法、
アトマイズ法その他いずれの方法で生産したものでもよ
いが、電解法により得られる樹枝状のものが、粒子同士
が絡みやすく、かつつぶれやすいため好ましい。
【0028】上記混合粉末を、電極形状をした直径60
mmのスパイラル形状の金型に充填し、5ton /cm2
圧力で加圧成形し、成形体を得る。得られた成形体を炉
内に設置し、先ず、残留酸素、窒素を除去するため炉内
を真空ポンプにより排気して5×10-3Torrの真空圧と
し、次いで、Arガスを炉内に導入し、分圧が0.1To
rrになるように調整し、Arガスを流しながら加熱を開
始した。加熱は、Cuの融点直下の1060°Cで2時
間行った。得られた焼結体は、図3に示すようにスパイ
ラル形電極となっており、そのまま真空インタラプタの
電極として採用できるものである。図中、1が電極、2
がスパイラル溝、3がペダルである。
【0029】この電極の充填密度は98%であった。こ
の電極の内部構造を電子顕微鏡で観察し、組織内のCr
粒子の大きさを調べた結果は、表3に示すとおりであ
る。即ち、Cuマトリックス中のCr粒子の平均粒径
は、原料粉としてCr粒子の平均粒径が8μmのものを
使ったものにあっては12μm、原料粉としてCr粒子
の平均粒径が15μmのものを使ったものにあっては1
8μm、原料粉としてCr粒子の平均粒径が40μmの
ものを使ったものにあっては45μmと、いずれも微細
であり、原料粉として100μmのものを使ったものに
あっては、平均粒径が105μmで、60〜150μm
のものが90%を占めていた。尚、電極材料内部のCr
粒子の径は、任意の部分で切断後研磨仕上げにより得ら
れた試料を顕微鏡観察により測定した結果である。
【0030】
【表3】
【0031】得られた焼結体をそのまま電極として採用
し、図2に示したように、固定電極21、可動電極22
として、固定リード棒23、可動リード棒24とろう付
けし、真空インタラプタ25を得た。この真空インタラ
プタ25の遮断性能試験を実施し、Cr粒径による遮断
性能を調べた結果は表3のとおりである。原料粉とし
て、Cr粉の平均粒径8、15、40μmのいずれを用
いた場合も、良好な遮断性能を示した。これは、Cuマ
トリックス中にCrが微細に分散したため、電流遮断時
のアークの駆動が速やかに行われるようになったことに
よる。
【0032】この実施例では、以上の如く焼結雰囲気を
Arガス雰囲気とする。不活性ガス雰囲気を作成する場
合、一般には、Arの他に安価な窒素ガスを用いる場合
があるが、焼結加熱中でのCrの窒化を避けるためAr
ガス雰囲気とする。
【0033】Arガスの分圧は、焼結温度(1060°
C)におけるCuの蒸気圧、即ち、1×10-4Torrより
大きい範囲とする。しかし、実際には、炉内の構造やガ
ス導入条件、例えば、架台に設置した成形体の位置、架
台の構造、ガス導入位置、導入口の数と排気位置、ガス
導入の流量等に依存する。このため、実用的には、1×
10-2より大きい圧力で安定して製作される。圧力が高
い場合の効果は同様であるが、ガスのコストが高くなる
ため5×100 Torr程度がよい。
【0034】本発明に係る電極材料は、CuとCrを主
成分とするので、上記実施例では、CuとCrについて
のみ述べたが、真空インタラプタの遮断性能、溶着性や
接触抵抗等の他の性能の向上を図るため添加する副成分
(CuやCrの量より少ない添加量のもの)を添加する
場合も本発明による組織であれば遮断性能は向上する。
【0035】
【発明の効果】本発明に係る真空インタラプタ用電極材
料は、CuとCrを主成分とし、Cuマトリックス中に
Crが微細分散し、Crの組成範囲が13〜35重量%
でCuの組成範囲が65〜87重量%であり、しかもC
r粒子の平均粒子径が20μm以下で、かつ40μm以
下の含有量が90%以上であるので、電流遮断時のアー
クの駆動が速やかに行われ、遮断性能が向上する。遮断
性能が向上することにより電極の径の縮小が可能とな
り、ひいては真空インタラプタの小型化、コストの低減
が図れる。
【0036】また、本発明に係る真空インタラプタ用電
極材料によれば、得られた焼結体をそのまま電極として
使用するようにしたので、機械加工費がかからないた
め、製造コストをより低くすることができる。
【0037】更に、本発明に係る真空インタラプタ用電
極材料によれば、その製造に際しては、設備の面では、
メンテナンスの簡略化、作業時間の短縮、投入量の増加
による生産性の向上とコストの低減が可能となる。つま
り、Arガス導入下で成形体の加熱、焼結を行うので、
高真空を得るための高価な設備(ディヒュージョンポン
プ等)が不要となり、高価なポンプが不要となることか
ら、ポンプ冷却用の液体窒素が不要となり、装置の維持
費、ランニングコストが低くなるのである。
【0038】また、排気から加熱工程への時間が短縮す
る。つまり、粉体から発生したガスは、Arガスが速や
かに運びさるため、真空焼結のように発生ガスによる昇
温スピードを緩やかにしたり昇温工程での保持時間を長
くする必要がなくなるのである。
【0039】生産性の面では、高真空雰囲気による加熱
の場合は、粉体(成形体)から発生したガスにより真空
度が低下し焼結体の酸化、高真空測定用真空計の損傷等
が発生するため加熱炉内に多量の成形体を設置すること
ができなかったのに対し、本発明に係る電極材料によれ
ば、その製造に際しても、高真空測定用真空計が不要と
なり、また、成形体から発生したガスはArガスにより
速やかに排出されるため焼結体の酸化がなく炉内に多量
の成形体を設置することが可能となり、生産性が向上す
る。更に、真空雰囲気と異なり、加熱中にはArガスの
対流があるため炉内の温度分布が向上し、設置範囲が広
がり、この面でも生産性の高いものとなる。
【図面の簡単な説明】
【図1】Cr含有量と遮断性能との関係を示すグラフで
ある。
【図2】本発明の一実施例に係る電極材料を組み込んだ
真空インタラプタの断面図である。
【図3】本発明の一実施例に係る電極材料の平面図と側
面図である。
【符号の説明】
1 電極 2 スパイラル溝 21 固定電極 22 可動電極 23 固定リード棒 24 可動リード棒 25 真空インタラプタ

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 銅とクロムを主成分とし、銅マトリック
    ス中にクロムが微細分散し、クロムの組成範囲が13〜
    35重量%で銅の組成範囲が65〜87重量%であり、
    しかもクロム粒子の平均粒子径が20μm以下で、かつ
    40μm以下の含有量が90%以上であることを特徴と
    する真空インタラプタ用電極材料。
  2. 【請求項2】 平均粒子径が5〜15μm範囲にあるこ
    とを特徴とする請求項1に記載の真空インタラプタ用電
    極材料。
JP6075593A 1994-04-14 1994-04-14 真空インタラプタ用電極材料 Pending JPH07278703A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008057026A (ja) * 2006-09-04 2008-03-13 Toshiba Corp 真空バルブ用接点材料およびその製造方法
JP2014116183A (ja) * 2012-12-10 2014-06-26 Toshiba Corp 真空バルブ

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JP2008057026A (ja) * 2006-09-04 2008-03-13 Toshiba Corp 真空バルブ用接点材料およびその製造方法
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