JPH07277817A - 誘電体セラミックスおよびその製造方法 - Google Patents
誘電体セラミックスおよびその製造方法Info
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- JPH07277817A JPH07277817A JP6073420A JP7342094A JPH07277817A JP H07277817 A JPH07277817 A JP H07277817A JP 6073420 A JP6073420 A JP 6073420A JP 7342094 A JP7342094 A JP 7342094A JP H07277817 A JPH07277817 A JP H07277817A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 一般式
【化１】
で表される基本組成に対し、副成分としてＬｉＦ、Ｎａ
Ｆのうち少なくとも１種が配合されてなる誘電体セラミ
ックス。 【効果】 本来の優れた誘電特性を損なうことなく、低
温の焼成で緻密化することができる誘電体セラミックス
およびその製造方法を提供することができる。
Ｆのうち少なくとも１種が配合されてなる誘電体セラミ
ックス。 【効果】 本来の優れた誘電特性を損なうことなく、低
温の焼成で緻密化することができる誘電体セラミックス
およびその製造方法を提供することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、誘電体共振器、フィル
ター等に好適に使用される誘電体セラミックスおよびそ
の製造方法に関する。
ター等に好適に使用される誘電体セラミックスおよびそ
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】近年、
移動体通信や衛星放送などのマイクロ波帯域を利用する
通信技術の著しい発展に伴い、誘電体共振器、フィルタ
ーなどの高周波デバイス用の誘電体セラミックスに対す
る需要が益々増加している。ここで要求される誘電体セ
ラミックスには、大きく分けて二つのタイプがある。一
つは自動車電話、携帯電話及び第二世代コードレス電話
に搭載される高周波フィルター用の誘電体セラミックス
であり、もう一つは基地局等に用いられる誘電体共振器
用のマイクロ波誘電体セラミックスである。これら誘電
体セラミックスには、高い誘電率、低い誘電損失（大き
な無負荷Ｑ値）及び小さな温度係数等が要求されてい
る。特に高周波フィルター用の誘電体セラミックスは、
携帯電話等の小型化の要求に伴い、より高い誘電率が要
求されている。
移動体通信や衛星放送などのマイクロ波帯域を利用する
通信技術の著しい発展に伴い、誘電体共振器、フィルタ
ーなどの高周波デバイス用の誘電体セラミックスに対す
る需要が益々増加している。ここで要求される誘電体セ
ラミックスには、大きく分けて二つのタイプがある。一
つは自動車電話、携帯電話及び第二世代コードレス電話
に搭載される高周波フィルター用の誘電体セラミックス
であり、もう一つは基地局等に用いられる誘電体共振器
用のマイクロ波誘電体セラミックスである。これら誘電
体セラミックスには、高い誘電率、低い誘電損失（大き
な無負荷Ｑ値）及び小さな温度係数等が要求されてい
る。特に高周波フィルター用の誘電体セラミックスは、
携帯電話等の小型化の要求に伴い、より高い誘電率が要
求されている。
【０００３】ところでこのような要求を改善するために
これまで多数の優れた誘電体セラミックスが開発されて
いる。そのなかでもＢａＬｎ2 Ｔｉ4 Ｏ12、ＢａＬｎ2
Ｔｉ 5 Ｏ14、Ｂａ3.75Ｌｎ9.5 Ｔｉ18Ｏ54等を主とした
ＢａＯ−Ｌｎ2 Ｏ3 −ＴｉＯ 2 系（ＬｎはＮｄ、Ｓｍ、
Ｌａ等の希土類をさす。）の誘電体セラミックスは低い
温度係数及び９０前後の充分に高い誘電率を示し、優れ
た誘電体セラミックスとして期待されている。しかしな
がらこのＢａＯ−Ｌｎ2 Ｏ3 −ＴｉＯ2 系の誘電体セラ
ミックスは誘電損失が高い（無負荷Ｑ値が小さい）とい
う問題があった。またこのＢａＯ−Ｌｎ2 Ｏ3 −ＴｉＯ
2 系の誘電体セラミックスは、焼成温度が１３００℃以
上と高温であることも問題であった。というのもこの種
の誘電体セラミックスを用いて高周波フィルターを製造
する場合、非磁性体で、比抵抗が低くかつ安価な電極材
料であるＣｕを内部電極として使用するのが好ましい
が、Ｃｕの融点が約１０８０℃と低いため、焼成温度が
高いＢａＯ−Ｌｎ2 Ｏ3 −ＴｉＯ2 系の誘電体セラミッ
クスを用いた場合にはＣｕを内部電極として使用するこ
とができないためである。
これまで多数の優れた誘電体セラミックスが開発されて
いる。そのなかでもＢａＬｎ2 Ｔｉ4 Ｏ12、ＢａＬｎ2
Ｔｉ 5 Ｏ14、Ｂａ3.75Ｌｎ9.5 Ｔｉ18Ｏ54等を主とした
ＢａＯ−Ｌｎ2 Ｏ3 −ＴｉＯ 2 系（ＬｎはＮｄ、Ｓｍ、
Ｌａ等の希土類をさす。）の誘電体セラミックスは低い
温度係数及び９０前後の充分に高い誘電率を示し、優れ
た誘電体セラミックスとして期待されている。しかしな
がらこのＢａＯ−Ｌｎ2 Ｏ3 −ＴｉＯ2 系の誘電体セラ
ミックスは誘電損失が高い（無負荷Ｑ値が小さい）とい
う問題があった。またこのＢａＯ−Ｌｎ2 Ｏ3 −ＴｉＯ
2 系の誘電体セラミックスは、焼成温度が１３００℃以
上と高温であることも問題であった。というのもこの種
の誘電体セラミックスを用いて高周波フィルターを製造
する場合、非磁性体で、比抵抗が低くかつ安価な電極材
料であるＣｕを内部電極として使用するのが好ましい
が、Ｃｕの融点が約１０８０℃と低いため、焼成温度が
高いＢａＯ−Ｌｎ2 Ｏ3 −ＴｉＯ2 系の誘電体セラミッ
クスを用いた場合にはＣｕを内部電極として使用するこ
とができないためである。
【０００４】本発明は上記従来技術の問題点に鑑み鋭意
検討の結果なされたもので、ＢａＯ−Ｌｎ2 Ｏ3 −Ｔｉ
Ｏ2 系の誘電体セラミックス本来の優れた特性（低い温
度係数、高い誘電率）を損なうことなく、内部電極とし
てＣｕを使用可能な温度、特に１０５０℃以下の低温で
焼成で緻密化でき、さらに好ましくはその上に大きな無
負荷Ｑ値が得られる誘電体セラミックスおよびその製造
方法を提供することを目的とする。
検討の結果なされたもので、ＢａＯ−Ｌｎ2 Ｏ3 −Ｔｉ
Ｏ2 系の誘電体セラミックス本来の優れた特性（低い温
度係数、高い誘電率）を損なうことなく、内部電極とし
てＣｕを使用可能な温度、特に１０５０℃以下の低温で
焼成で緻密化でき、さらに好ましくはその上に大きな無
負荷Ｑ値が得られる誘電体セラミックスおよびその製造
方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、一般
式
式
【化５】 で表される基本組成に対し、副成分としてＬｉＦ、Ｎａ
Ｆのうち少なくとも１種が配合されてなる誘電体セラミ
ックスである。
Ｆのうち少なくとも１種が配合されてなる誘電体セラミ
ックスである。
【０００６】請求項５の発明は、一般式
【化６】 で表される基本組成に対し、副成分としてＬｉＦ、Ｎａ
Ｆのうち少なくとも１種を配合、混合したのち焼成する
誘電体セラミックスの製造方法である。
Ｆのうち少なくとも１種を配合、混合したのち焼成する
誘電体セラミックスの製造方法である。
【０００７】本発明において、ｘ、ｙ、ｚ及びｕはそれ
ぞれ０．８６≦ｘ≦１．０５、１．８≦ｙ≦２．２、
３．８≦ｚ≦５．０、ｕ＝ｘ＋（３ｙ／２）＋２ｚと限
定した理由は、この範囲であれば誘電体セラミックスと
して好適な誘電特性を示すからである。
ぞれ０．８６≦ｘ≦１．０５、１．８≦ｙ≦２．２、
３．８≦ｚ≦５．０、ｕ＝ｘ＋（３ｙ／２）＋２ｚと限
定した理由は、この範囲であれば誘電体セラミックスと
して好適な誘電特性を示すからである。
【０００８】本発明におけるＬｉＦ、ＮａＦの配合量
は、基本組成に対し０．４〜２．５ｍｏｌ％であること
が好ましい。ＬｉＦ、ＮａＦの配合量が上記範囲内であ
れば、ＢａＯ−Ｎｄ2 Ｏ3 −ＴｉＯ 2 系の誘電体セラミ
ックス本来の優れた特性を損なうことなく１０５０℃以
下の低温焼成が可能であるという効果が顕著だからであ
る。さらに前記ＬｉＦ、ＮａＦの配合量は、基本組成に
対し１．５〜２．０ｍｏｌ％であることがより好まし
い。ＬｉＦ、ＮａＦの配合量が上記範囲内であれば、Ｂ
ａＯ−Ｎｄ2 Ｏ3 −ＴｉＯ 2 系の誘電体セラミックス本
来の優れた特性を損なうことなく１０５０℃以下の低温
焼成が可能であるという効果が顕著な上に、低い誘電損
失（大きな無負荷Ｑ値）が得られるからである。
は、基本組成に対し０．４〜２．５ｍｏｌ％であること
が好ましい。ＬｉＦ、ＮａＦの配合量が上記範囲内であ
れば、ＢａＯ−Ｎｄ2 Ｏ3 −ＴｉＯ 2 系の誘電体セラミ
ックス本来の優れた特性を損なうことなく１０５０℃以
下の低温焼成が可能であるという効果が顕著だからであ
る。さらに前記ＬｉＦ、ＮａＦの配合量は、基本組成に
対し１．５〜２．０ｍｏｌ％であることがより好まし
い。ＬｉＦ、ＮａＦの配合量が上記範囲内であれば、Ｂ
ａＯ−Ｎｄ2 Ｏ3 −ＴｉＯ 2 系の誘電体セラミックス本
来の優れた特性を損なうことなく１０５０℃以下の低温
焼成が可能であるという効果が顕著な上に、低い誘電損
失（大きな無負荷Ｑ値）が得られるからである。
【０００９】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて詳しく説明
する。 （実施例１〜８）高純度のＢａＣＯ3 、Ｎｄ2 Ｏ3 及び
ＴｉＯ2 の微粉末を１：１：４のモル比に秤量して調合
し原料粉末を得た。得られた原料粉末にエタノールを加
えＵ−２Ｍ（入江商会製ボールミル、商品名）にて２４
時間湿式混合した。混合した原料粉末を乾燥させた後１
２００〜１３００℃で５〜１０時間仮焼して仮焼粉を得
た。得られた仮焼粉を６等分し、それぞれの仮焼粉に対
しＬｉＦを０．４ｍｏｌ％（実施例１）、０．５ｍｏｌ
％（実施例２）、１．２ｍｏｌ％（実施例３）、１．５
ｍｏｌ％（実施例４）、１．７ｍｏｌ％（実施例５）、
２．０ｍｏｌ％（実施例６）、２．５ｍｏｌ％（実施例
７）、２．８ｍｏｌ％（実施例８）添加した後、ボール
ミルにて２４時間混合粉砕して混合粉を６種類得た。つ
いでそれぞれの混合粉に有機バインダを添加した後、該
混合粉を乾式プレス成形（圧力：９８〜１９６ＭＰａ）
により外径１２ｍｍ、長さ１０ｍｍの円柱状の成形体に
成形した。このようにして得られた成形体を９８％以上
緻密化する温度で３時間以上焼成して焼結体を６種類得
た。
する。 （実施例１〜８）高純度のＢａＣＯ3 、Ｎｄ2 Ｏ3 及び
ＴｉＯ2 の微粉末を１：１：４のモル比に秤量して調合
し原料粉末を得た。得られた原料粉末にエタノールを加
えＵ−２Ｍ（入江商会製ボールミル、商品名）にて２４
時間湿式混合した。混合した原料粉末を乾燥させた後１
２００〜１３００℃で５〜１０時間仮焼して仮焼粉を得
た。得られた仮焼粉を６等分し、それぞれの仮焼粉に対
しＬｉＦを０．４ｍｏｌ％（実施例１）、０．５ｍｏｌ
％（実施例２）、１．２ｍｏｌ％（実施例３）、１．５
ｍｏｌ％（実施例４）、１．７ｍｏｌ％（実施例５）、
２．０ｍｏｌ％（実施例６）、２．５ｍｏｌ％（実施例
７）、２．８ｍｏｌ％（実施例８）添加した後、ボール
ミルにて２４時間混合粉砕して混合粉を６種類得た。つ
いでそれぞれの混合粉に有機バインダを添加した後、該
混合粉を乾式プレス成形（圧力：９８〜１９６ＭＰａ）
により外径１２ｍｍ、長さ１０ｍｍの円柱状の成形体に
成形した。このようにして得られた成形体を９８％以上
緻密化する温度で３時間以上焼成して焼結体を６種類得
た。
【００１０】このようにして得られた実施例の焼結体の
嵩密度を測定し、ついで測定した嵩密度の理論密度に対
する比から焼結体の緻密化率を算出した。その結果を百
分率表示にて表１に示す。さらにそれぞれの焼結体の誘
電特性を下記に述べる両端短絡形誘電体共振器法を用い
て周波数１ＧＨｚで測定した。その結果を表１に示す。
なお、共振周波数の温度変化率を温度係数として表１に
併記する。
嵩密度を測定し、ついで測定した嵩密度の理論密度に対
する比から焼結体の緻密化率を算出した。その結果を百
分率表示にて表１に示す。さらにそれぞれの焼結体の誘
電特性を下記に述べる両端短絡形誘電体共振器法を用い
て周波数１ＧＨｚで測定した。その結果を表１に示す。
なお、共振周波数の温度変化率を温度係数として表１に
併記する。
【００１１】（両端短絡形誘電体共振器法）以下に両端
短絡形誘電体共振器法の測定手順を示す。 （１）図１に示すような誘電特性を測定するための測定
回路を組み立てる。なお、図１中符号１はネットワーク
アナライザー（ヒューレット・パッカード（株）社製、
商品名８７５７Ａ）、２は掃引発振器（ヒューレット・
パッカード（株）社製、商品名８３４０Ａ）、３は方向
性結合器（ヒューレット・パッカード（株）社製、商品
名１９０２５Ｂ）、４はコントローラー（ヒューレット
・パッカード（株）社製、商品名モデル３００）、５は
両端短絡形誘電体共振器（マイクロ・デバイス（株）社
製、商品名ＭＳＣ−１２ＣＥＶ）、６は長さ１５０ｍｍ
の同軸基準線である。
短絡形誘電体共振器法の測定手順を示す。 （１）図１に示すような誘電特性を測定するための測定
回路を組み立てる。なお、図１中符号１はネットワーク
アナライザー（ヒューレット・パッカード（株）社製、
商品名８７５７Ａ）、２は掃引発振器（ヒューレット・
パッカード（株）社製、商品名８３４０Ａ）、３は方向
性結合器（ヒューレット・パッカード（株）社製、商品
名１９０２５Ｂ）、４はコントローラー（ヒューレット
・パッカード（株）社製、商品名モデル３００）、５は
両端短絡形誘電体共振器（マイクロ・デバイス（株）社
製、商品名ＭＳＣ−１２ＣＥＶ）、６は長さ１５０ｍｍ
の同軸基準線である。
【００１２】（２）両端短絡形誘電体共振器５に円柱状
の焼結体を挿入する。 （３）測定回路に同軸基準線６を接続して０ｄＢのライ
ンを決める。 （４）測定回路から同軸基準線６を外し、焼結体を挿入
した両端短絡形誘電体共振器５を測定回路に接続する。 （５）掃引発振器２から、先端をループ状に成形した直
径２．２ｍｍ同軸線により、焼結体にマイクロ波を供給
する。 （６）周波数を掃引して、測定しようとするモード（Ｔ
Ｅ011 またはＴＥ014 ）のピークをネットワークアナラ
イザー１上に表示する。 （７）ネットワークアナライザー１上に表示したピーク
の共振周波数ｆ0 、３ｄＢ帯域幅Δｆ、挿入損失ＩＬ
（ｄＢ）を測定する。
の焼結体を挿入する。 （３）測定回路に同軸基準線６を接続して０ｄＢのライ
ンを決める。 （４）測定回路から同軸基準線６を外し、焼結体を挿入
した両端短絡形誘電体共振器５を測定回路に接続する。 （５）掃引発振器２から、先端をループ状に成形した直
径２．２ｍｍ同軸線により、焼結体にマイクロ波を供給
する。 （６）周波数を掃引して、測定しようとするモード（Ｔ
Ｅ011 またはＴＥ014 ）のピークをネットワークアナラ
イザー１上に表示する。 （７）ネットワークアナライザー１上に表示したピーク
の共振周波数ｆ0 、３ｄＢ帯域幅Δｆ、挿入損失ＩＬ
（ｄＢ）を測定する。
【００１３】上述のようにして測定した共振周波数ｆ0
から、次式（１）により焼結体の比誘電率εを求める。
から、次式（１）により焼結体の比誘電率εを求める。
【数１】 ε＝（λ0 ／πＤ）2 ×（ｕ2 ＋ｖ2 ）＋１ （１） 但し、 ｖ2 ＝（πＤ／λ0 ）2 ×〔（λ0 ／λg ）2 −１〕 λg ：ガイド波長 Ｄ ：焼結体の直径 λ0 ＝ｃ／ｆ0 ：共振波長 ｃ ：光の速度 また、ｕは次式（２）の特性方程式から求められる。
【数２】 ｕ＝（Ｊ0(u)／Ｊ1(u)）＝−ｖ×（Ｋ0(v)／Ｋ1(v)） （２） ここで、Ｊn (x) は第一種ベッセル関数、Ｋn (x) は第
二種変形ベッセル関数である。
二種変形ベッセル関数である。
【００１４】また無負荷Ｑ値は次式（３）から求めた。
【数３】 Ｑ＝（ｆ0 ／Δｆ）／（１−１０-IL/20） （３）
【００１５】（比較例１）実施例と同様の仮焼粉対し
て、何も添加せずに実施例と同様にして焼結体を得た。
得られた比較例の焼結体および誘電特性を実施例と同様
にして測定した。その結果を表１に示す。
て、何も添加せずに実施例と同様にして焼結体を得た。
得られた比較例の焼結体および誘電特性を実施例と同様
にして測定した。その結果を表１に示す。
【００１６】
【表１】
【００１７】（結果）表１より、実施例１〜８のもの
は、１０５０℃以下の焼成で９８％以上緻密化している
ことがわかる。その中でも実施例１〜６は、良好な誘電
特性を保ちつつ、１０００℃以下の焼成で緻密化してお
り、特に実施例４〜６は、より低温の焼成で緻密化して
いる上に、無負荷Ｑ値が比較例に比して大きな値を示し
ている。これに対し、ＬｉＦを添加しなかった比較例１
の焼結体は１３００℃以上でないと緻密化しないことが
わかる。以上より実施例の誘電体セラミックスを用いた
焼結体は比較例に比して、低温の焼成で緻密化が達成で
きる上に、優れた誘電特性も保持していることがわか
る。
は、１０５０℃以下の焼成で９８％以上緻密化している
ことがわかる。その中でも実施例１〜６は、良好な誘電
特性を保ちつつ、１０００℃以下の焼成で緻密化してお
り、特に実施例４〜６は、より低温の焼成で緻密化して
いる上に、無負荷Ｑ値が比較例に比して大きな値を示し
ている。これに対し、ＬｉＦを添加しなかった比較例１
の焼結体は１３００℃以上でないと緻密化しないことが
わかる。以上より実施例の誘電体セラミックスを用いた
焼結体は比較例に比して、低温の焼成で緻密化が達成で
きる上に、優れた誘電特性も保持していることがわか
る。
【００１８】（実施例９〜１６）ＬｉＦに代えてＮａＦ
を添加する以外は実施例１〜８と同様にして８種類の焼
結体を得た。得られた実施例７〜１６の焼結体の嵩密度
および誘電特性を実施例１〜８と同様にして測定した。
その結果、実施例１〜８と同様の傾向を示すことがわか
った。
を添加する以外は実施例１〜８と同様にして８種類の焼
結体を得た。得られた実施例７〜１６の焼結体の嵩密度
および誘電特性を実施例１〜８と同様にして測定した。
その結果、実施例１〜８と同様の傾向を示すことがわか
った。
【００１９】（実施例１７〜２４）ＬｉＦに代えてＬｉ
ＦとＮａＦとを１：１の比に混合したものを添加する以
外は実施例１〜８と同様にして８種類の焼結体を得た。
得られた実施例１７〜２４の焼結体の嵩密度および誘電
特性を実施例１〜８と同様にして測定した。その結果、
実施例１〜８と同様の傾向を示すことがわかった。
ＦとＮａＦとを１：１の比に混合したものを添加する以
外は実施例１〜８と同様にして８種類の焼結体を得た。
得られた実施例１７〜２４の焼結体の嵩密度および誘電
特性を実施例１〜８と同様にして測定した。その結果、
実施例１〜８と同様の傾向を示すことがわかった。
【００２０】（実施例２５〜３２）ＢａＣＯ3 、Ｎｄ2
Ｏ3 及びＴｉＯ2 の微粉末のモル比を１：１：５とする
以外は実施例１〜８と同様にして８種類の焼結体を得
た。得られた実施例２５〜３２の焼結体の嵩密度および
誘電特性を実施例１〜８と同様にして測定した。その結
果、実施例１〜８と同様の傾向を示すことがわかった。
Ｏ3 及びＴｉＯ2 の微粉末のモル比を１：１：５とする
以外は実施例１〜８と同様にして８種類の焼結体を得
た。得られた実施例２５〜３２の焼結体の嵩密度および
誘電特性を実施例１〜８と同様にして測定した。その結
果、実施例１〜８と同様の傾向を示すことがわかった。
【００２１】（実施例３３〜５６）Ｎｄ2 Ｏ3 に代えて
Ｌａ2 Ｏ3 （実施例３３〜４０）、Ｓｍ2 Ｏ3 （実施例
４１〜４８）、Ｇｄ2 Ｏ3 （実施例４９〜５６）を用い
る以外は実施例１〜８と同様にして焼結体を得た。得ら
れた焼結体の嵩密度および誘電特性を実施例１〜８同様
にして測定した。その結果、実施例１〜８と同様の傾向
を示すことがわかった。
Ｌａ2 Ｏ3 （実施例３３〜４０）、Ｓｍ2 Ｏ3 （実施例
４１〜４８）、Ｇｄ2 Ｏ3 （実施例４９〜５６）を用い
る以外は実施例１〜８と同様にして焼結体を得た。得ら
れた焼結体の嵩密度および誘電特性を実施例１〜８同様
にして測定した。その結果、実施例１〜８と同様の傾向
を示すことがわかった。
【００２２】（実施例５７〜８０）Ｎｄ2 Ｏ3 に代えて
Ｌａ2 Ｏ3 （実施例５７〜６４）、Ｓｍ2 Ｏ3 （実施例
６５〜７２）、Ｇｄ2 Ｏ3 （実施例７３〜８０）を用い
る以外は実施例９〜１６と同様にして焼結体を得た。得
られた焼結体の嵩密度および誘電特性を実施例９〜１６
同様にして測定した。その結果、実施例９〜１６と同様
の傾向を示すことがわかった。
Ｌａ2 Ｏ3 （実施例５７〜６４）、Ｓｍ2 Ｏ3 （実施例
６５〜７２）、Ｇｄ2 Ｏ3 （実施例７３〜８０）を用い
る以外は実施例９〜１６と同様にして焼結体を得た。得
られた焼結体の嵩密度および誘電特性を実施例９〜１６
同様にして測定した。その結果、実施例９〜１６と同様
の傾向を示すことがわかった。
【００２３】（実施例８１〜１０４）Ｎｄ2 Ｏ3 に代え
てＬａ2 Ｏ3 （実施例８１〜８８）、Ｓｍ2 Ｏ3 （実施
例８９〜９６）、Ｇｄ2 Ｏ3 （実施例９７〜１０４）を
用いる以外は実施例１７〜２４と同様にして焼結体を得
た。得られた焼結体の嵩密度および誘電特性を実施例１
７〜２４同様にして測定した。その結果、実施例１７〜
２４と同様の傾向を示すことがわかった。
てＬａ2 Ｏ3 （実施例８１〜８８）、Ｓｍ2 Ｏ3 （実施
例８９〜９６）、Ｇｄ2 Ｏ3 （実施例９７〜１０４）を
用いる以外は実施例１７〜２４と同様にして焼結体を得
た。得られた焼結体の嵩密度および誘電特性を実施例１
７〜２４同様にして測定した。その結果、実施例１７〜
２４と同様の傾向を示すことがわかった。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１、請求項
２、請求項５および請求項６の発明は基本組成に対しＬ
ｉＦ、ＮａＦのうち少なくとも１種を添加することによ
り、本来の優れた諸特性（低い温度係数、高い誘電率）
を損なうことなく、低温の焼成で緻密化することができ
る誘電体セラミックスを提供することができる。請求項
３、請求項７の発明は、副成分の配合割合が基本組成に
対し、０．５〜２．５ｍｏｌ％なので、本来の優れた諸
特性（低い温度係数、高い誘電率）を損なうことなく、
低温の焼成で緻密化することができるという効果が顕著
な誘電体セラミックスを提供することができる。さらに
請求項４、請求項８の発明は、副成分の配合割合が基本
組成に対し、１．５〜２．０ｍｏｌ％なので、本来の優
れた諸特性（低い温度係数、高い誘電率）を損なうこと
なく、低温の焼成で緻密化することができるという効果
が顕著な上に、より低い誘電損失（大きい無負荷Ｑ値）
が得られる誘電体セラミックスを提供することができ
る。
２、請求項５および請求項６の発明は基本組成に対しＬ
ｉＦ、ＮａＦのうち少なくとも１種を添加することによ
り、本来の優れた諸特性（低い温度係数、高い誘電率）
を損なうことなく、低温の焼成で緻密化することができ
る誘電体セラミックスを提供することができる。請求項
３、請求項７の発明は、副成分の配合割合が基本組成に
対し、０．５〜２．５ｍｏｌ％なので、本来の優れた諸
特性（低い温度係数、高い誘電率）を損なうことなく、
低温の焼成で緻密化することができるという効果が顕著
な誘電体セラミックスを提供することができる。さらに
請求項４、請求項８の発明は、副成分の配合割合が基本
組成に対し、１．５〜２．０ｍｏｌ％なので、本来の優
れた諸特性（低い温度係数、高い誘電率）を損なうこと
なく、低温の焼成で緻密化することができるという効果
が顕著な上に、より低い誘電損失（大きい無負荷Ｑ値）
が得られる誘電体セラミックスを提供することができ
る。
【図１】図１は、焼結体の誘電特性を測定するための測
定回路の概略図である。
定回路の概略図である。
１ ネットワークアナライザー ２ 掃引発振器 ３ 方向性結合器 ４ コントローラー ５ 両端短絡形誘電体共振器 ６ 同軸基準線
Claims (8)
- 【請求項１】 一般式 【化１】 で表される基本組成に対し、副成分としてＬｉＦ、Ｎａ
Ｆのうち少なくとも１種が配合されてなることを特徴と
する誘電体セラミックス。 - 【請求項２】 【化２】 で表される基本組成に対し、副成分としてＬｉＦ、Ｎａ
Ｆのうち少なくとも１種が配合されてなることを特徴と
する誘電体セラミックス。 - 【請求項３】 前記副成分の配合割合が前記基本組成に
対し、０．５〜２．５ｍｏｌ％であることを特徴とする
請求項１または請求項２記載の誘電体セラミックス。 - 【請求項４】 前記副成分の配合割合が前記基本組成に
対し、１．５〜２．０ｍｏｌ％であることを特徴とする
請求項１または請求項２記載の誘電体セラミックス。 - 【請求項５】 一般式 【化３】 で表される基本組成に対し、副成分としてＬｉＦ、Ｎａ
Ｆのうち少なくとも１種を配合、混合したのち焼成する
ことを特徴とする誘電体セラミックスの製造方法。 - 【請求項６】 【化４】 で表される基本組成に対し、副成分としてＬｉＦ、Ｎａ
Ｆのうち少なくとも１種を配合、混合したのち焼成する
ことを特徴とする誘電体セラミックスの製造方法。 - 【請求項７】 前記副成分の配合割合が基本組成に対
し、０．５〜２．５ｍｏｌ％であることを特徴とする請
求項５または請求項６記載の誘電体セラミックスの製造
方法。 - 【請求項８】 前記副成分の配合割合が基本組成に対
し、１．５〜２．０ｍｏｌ％であることを特徴とする請
求項５または請求項６記載の誘電体セラミックスの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6073420A JPH07277817A (ja) | 1994-04-12 | 1994-04-12 | 誘電体セラミックスおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6073420A JPH07277817A (ja) | 1994-04-12 | 1994-04-12 | 誘電体セラミックスおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07277817A true JPH07277817A (ja) | 1995-10-24 |
Family
ID=13517715
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6073420A Pending JPH07277817A (ja) | 1994-04-12 | 1994-04-12 | 誘電体セラミックスおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07277817A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009509906A (ja) * | 2005-09-26 | 2009-03-12 | フエロ コーポレーション | 銅製電極に使用するｃｏｇ誘電体組成物 |
-
1994
- 1994-04-12 JP JP6073420A patent/JPH07277817A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009509906A (ja) * | 2005-09-26 | 2009-03-12 | フエロ コーポレーション | 銅製電極に使用するｃｏｇ誘電体組成物 |
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