JPH07273425A - 厚膜パターンの製造方法 - Google Patents
厚膜パターンの製造方法Info
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- JPH07273425A JPH07273425A JP6187894A JP6187894A JPH07273425A JP H07273425 A JPH07273425 A JP H07273425A JP 6187894 A JP6187894 A JP 6187894A JP 6187894 A JP6187894 A JP 6187894A JP H07273425 A JPH07273425 A JP H07273425A
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】ガラス基板２０上に電子線分解樹脂２１を塗布
し、電子線遮蔽マスク２２をガラス基板２０上に支持し
電子線２３を照射してガラス基板２０上のペースト２１
をパターンの雌型２４を得た。これにプラズマディスプ
レイの障壁形成用ペースト２５を充填した。次に電子線
分解樹脂２１を塗布したガラス基板２０上に支持し、電
子線２３を全面に照射した。これを焼成することにより
雌型を除去し厚膜パターン２６を得た。 【効果】焼成条件の緩和、カーボン残り等による表示品
質の低下等の問題も解決する事ができる様になった。
し、電子線遮蔽マスク２２をガラス基板２０上に支持し
電子線２３を照射してガラス基板２０上のペースト２１
をパターンの雌型２４を得た。これにプラズマディスプ
レイの障壁形成用ペースト２５を充填した。次に電子線
分解樹脂２１を塗布したガラス基板２０上に支持し、電
子線２３を全面に照射した。これを焼成することにより
雌型を除去し厚膜パターン２６を得た。 【効果】焼成条件の緩和、カーボン残り等による表示品
質の低下等の問題も解決する事ができる様になった。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板上に厚膜パターン
を形成する工程全般に適用可能とするもので、特にプラ
ズマディスプレイの障壁や電極等の形成に適用される厚
膜パターンの製造方法に関する。
を形成する工程全般に適用可能とするもので、特にプラ
ズマディスプレイの障壁や電極等の形成に適用される厚
膜パターンの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】たとえばプラズマディスプレイにおいて
は、幅１００μｍ、高さ２００μｍ程度の障壁が必要と
される。従来、この障壁はパターン形成材料をペースト
化し、スクリーン印刷によりパターン上に印刷し、これ
を焼成することにより形成している。しかし、スクリー
ン印刷では一回の印刷では所定の膜厚を得ることができ
ないため、印刷を複数回繰り返すことにより所定の膜厚
を得ている。
は、幅１００μｍ、高さ２００μｍ程度の障壁が必要と
される。従来、この障壁はパターン形成材料をペースト
化し、スクリーン印刷によりパターン上に印刷し、これ
を焼成することにより形成している。しかし、スクリー
ン印刷では一回の印刷では所定の膜厚を得ることができ
ないため、印刷を複数回繰り返すことにより所定の膜厚
を得ている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来のスクリーン印刷
による方法では、所定の膜厚を得るために複数回の印刷
を必要とするが、このためには印刷だけでなく複数回の
乾燥工程も必要となる。また、印刷に際しては正確な位
置合わせが複数回必要となるため位置ずれが発生しやす
い。これらの理由により従来のスクリーン印刷法は極め
て生産性の悪いものであった。
による方法では、所定の膜厚を得るために複数回の印刷
を必要とするが、このためには印刷だけでなく複数回の
乾燥工程も必要となる。また、印刷に際しては正確な位
置合わせが複数回必要となるため位置ずれが発生しやす
い。これらの理由により従来のスクリーン印刷法は極め
て生産性の悪いものであった。
【０００４】また、スクリーン版の歪みなどの問題から
大面積化が困難であり、かつ印刷に用いられるペースト
の流動性や、スクリーン版の解像度等の問題により線幅
精度が損なわれるという問題点もあった。
大面積化が困難であり、かつ印刷に用いられるペースト
の流動性や、スクリーン版の解像度等の問題により線幅
精度が損なわれるという問題点もあった。
【０００５】本発明は、このような厚膜パターンの形成
工程における従来技術の問題点を解決するために考案さ
れたものであり、生産性を向上させ、かつ大面積化が可
能で、かつ良好な線幅精度を得ることのできる厚膜パタ
ーンの製造方法を提供することを目的としている。
工程における従来技術の問題点を解決するために考案さ
れたものであり、生産性を向上させ、かつ大面積化が可
能で、かつ良好な線幅精度を得ることのできる厚膜パタ
ーンの製造方法を提供することを目的としている。
【０００６】前記課題を解決するために特願平５−２７
３５７２では、以下の４つの請求項からなる提案をおこ
なった。請求項１では、塗布されるペーストとして、厚
膜パターン形成材料と電子線分解性を有する有機材料を
混練したものを用い、次の各工程、（１）基板上にペー
ストを塗布する工程、（２）所定の電子線遮蔽マスクを
用い電子線照射することにより求めるパターン以外のペ
ーストを分解させる工程、（３）分解した部分を除去す
る工程、（４）該工程の後焼成する工程、からなること
を特徴とする厚膜パターンの製造方法。
３５７２では、以下の４つの請求項からなる提案をおこ
なった。請求項１では、塗布されるペーストとして、厚
膜パターン形成材料と電子線分解性を有する有機材料を
混練したものを用い、次の各工程、（１）基板上にペー
ストを塗布する工程、（２）所定の電子線遮蔽マスクを
用い電子線照射することにより求めるパターン以外のペ
ーストを分解させる工程、（３）分解した部分を除去す
る工程、（４）該工程の後焼成する工程、からなること
を特徴とする厚膜パターンの製造方法。
【０００７】請求項２では、塗布されるペーストとし
て、厚膜パターン形成材料と電子線硬化性を有する有機
材料を混練したものを用い、次の各工程、（１）基板上
にペーストを塗布する工程、（２）所定の電子線遮蔽マ
スクを用い電子線照射することにより求めるパターン形
状にペーストを硬化させる工程、（３）未硬化の部分を
除去する工程、（４）該工程の後焼成する工程、からな
ることを特徴とする厚膜パターンの製造方法。
て、厚膜パターン形成材料と電子線硬化性を有する有機
材料を混練したものを用い、次の各工程、（１）基板上
にペーストを塗布する工程、（２）所定の電子線遮蔽マ
スクを用い電子線照射することにより求めるパターン形
状にペーストを硬化させる工程、（３）未硬化の部分を
除去する工程、（４）該工程の後焼成する工程、からな
ることを特徴とする厚膜パターンの製造方法。
【０００８】請求項３では、電子線分解性を有する有機
材料を、（１）基板上に塗布する工程、（２）所定の電
子線遮蔽マスクを用い電子線照射することにより求める
パターンの雌型を形成する工程、（３）形成された雌型
にパターン形成材料を充填する工程、（４）該工程の後
焼成して雌型を除去する工程、からなることを特徴とす
る厚膜パターンの製造方法。
材料を、（１）基板上に塗布する工程、（２）所定の電
子線遮蔽マスクを用い電子線照射することにより求める
パターンの雌型を形成する工程、（３）形成された雌型
にパターン形成材料を充填する工程、（４）該工程の後
焼成して雌型を除去する工程、からなることを特徴とす
る厚膜パターンの製造方法。
【０００９】請求項４では、電子線硬化性を有する有機
材料を、（１）基板上に塗布する工程、（２）所定の電
子線遮蔽マスクを用い電子線照射することにより求める
パターンの雌型を形成する工程、（３）形成された雌型
にパターン形成材料を充填する工程、（４）該工程の後
焼成して雌型を除去する工程、からなることを特徴とす
る厚膜パターンの製造方法である。
材料を、（１）基板上に塗布する工程、（２）所定の電
子線遮蔽マスクを用い電子線照射することにより求める
パターンの雌型を形成する工程、（３）形成された雌型
にパターン形成材料を充填する工程、（４）該工程の後
焼成して雌型を除去する工程、からなることを特徴とす
る厚膜パターンの製造方法である。
【００１０】しかしながら、請求項１および請求項３に
おいて、単に電子線を照射しただけでは電子線分解が不
十分な場合があり、その場合焼成条件によっては樹脂が
完全に除去されずカーボン等として残留することもあ
る。特に表示素子等の場合は、カーボンによる明度の低
下等の障害が顕著である。
おいて、単に電子線を照射しただけでは電子線分解が不
十分な場合があり、その場合焼成条件によっては樹脂が
完全に除去されずカーボン等として残留することもあ
る。特に表示素子等の場合は、カーボンによる明度の低
下等の障害が顕著である。
【００１１】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に本発明が提供する手段とは、請求項１では、塗布され
るペーストとして、厚膜パターン形成材料と電子線分解
性を有する有機材料を混練したものを用い、次の各工
程、（１）基板上にペーストを塗布する工程、（２）所
定の電子線遮蔽マスクを用い電子線照射することにより
求めるパターン以外のペーストを分解させる工程、
（３）分解した部分を除去する工程、（４）全面に電子
線照射する工程、（５）焼成する工程、からなることを
特徴とする厚膜パターンの製造方法である。
に本発明が提供する手段とは、請求項１では、塗布され
るペーストとして、厚膜パターン形成材料と電子線分解
性を有する有機材料を混練したものを用い、次の各工
程、（１）基板上にペーストを塗布する工程、（２）所
定の電子線遮蔽マスクを用い電子線照射することにより
求めるパターン以外のペーストを分解させる工程、
（３）分解した部分を除去する工程、（４）全面に電子
線照射する工程、（５）焼成する工程、からなることを
特徴とする厚膜パターンの製造方法である。
【００１２】なお、ここにおける塗布手段としては、回
転塗布、ロール塗布、その他スクリーン印刷等の手段を
用いることができる。また、焼成工程としては、厚膜パ
ターン形成材料の焼結反応がおこる温度以上での工程を
指す。
転塗布、ロール塗布、その他スクリーン印刷等の手段を
用いることができる。また、焼成工程としては、厚膜パ
ターン形成材料の焼結反応がおこる温度以上での工程を
指す。
【００１３】請求項２では、電子線分解性を有する有機
材料を、（１）基板上に塗布する工程、（２）所定の電
子線遮蔽マスクを用い電子線照射することにより求める
パターンの雌型を形成する工程、（３）形成された雌型
にパターン形成材料を充填する工程、（４）全面に電子
線照射する工程、（５）焼成して雌型を除去する工程、
からなることを特徴とする厚膜パターンの製造方法であ
る。
材料を、（１）基板上に塗布する工程、（２）所定の電
子線遮蔽マスクを用い電子線照射することにより求める
パターンの雌型を形成する工程、（３）形成された雌型
にパターン形成材料を充填する工程、（４）全面に電子
線照射する工程、（５）焼成して雌型を除去する工程、
からなることを特徴とする厚膜パターンの製造方法であ
る。
【００１４】なお、ここにおける雌型は、求めるパター
ンとは逆のパターンを言う。勿論、本請求項において
は、雌型の高さは求めるパターンの高さより高い必要が
ある。また焼成工程とは、単に雌型を除去するだけでも
良いが、パターン形成材料が焼成により硬化作用を同時
に行わせるものであっても良い。
ンとは逆のパターンを言う。勿論、本請求項において
は、雌型の高さは求めるパターンの高さより高い必要が
ある。また焼成工程とは、単に雌型を除去するだけでも
良いが、パターン形成材料が焼成により硬化作用を同時
に行わせるものであっても良い。
【００１５】請求項３では、電子線分解性を有する有機
材料を（１）基板上に塗布する工程において、前記有機
材料としてポリメチルペンテンスルホンを用いることを
特徴とする請求項２記載の厚膜パターンの製造方法であ
る。
材料を（１）基板上に塗布する工程において、前記有機
材料としてポリメチルペンテンスルホンを用いることを
特徴とする請求項２記載の厚膜パターンの製造方法であ
る。
【００１６】
【作用】請求項１における厚膜パターン形成法によれ
ば、印刷されるペーストは厚膜パターン形成材料と、電
子線分解性を有する有機材料とを混練することにより調
製されているので、ペーストを基板上に印刷したのち、
所定の電子線遮蔽マスクを用いて、パターンを形成した
い部分以外に電子線を照射することにより、その部分を
分解することができる。しかるのち、分解部分のペース
トを除去することにより、必要なパターンを得ることが
できる。そして、これを焼成することにより感光性を有
する有機材料は除去され結果としてパターン形成材料の
み残ることになり、求めるパターンを形成できるという
特願平５−２７３５３２の作用とともに、カーボン残り
を気にせず焼成条件等を定めることができる。
ば、印刷されるペーストは厚膜パターン形成材料と、電
子線分解性を有する有機材料とを混練することにより調
製されているので、ペーストを基板上に印刷したのち、
所定の電子線遮蔽マスクを用いて、パターンを形成した
い部分以外に電子線を照射することにより、その部分を
分解することができる。しかるのち、分解部分のペース
トを除去することにより、必要なパターンを得ることが
できる。そして、これを焼成することにより感光性を有
する有機材料は除去され結果としてパターン形成材料の
み残ることになり、求めるパターンを形成できるという
特願平５−２７３５３２の作用とともに、カーボン残り
を気にせず焼成条件等を定めることができる。
【００１７】請求項２における本発明による厚膜パター
ン形成法によれば、電子線分解性を有する有機材料を基
板上に塗布したのち、所定の電子線遮蔽マスクを用い
て、パターンを形成したい部分に電子線を照射し有機材
料を分解したのち、この部分の有機材料を除去すること
により、必要なパターンの雌型を得ることができる。そ
して、この雌型にパターン形成材料を充填し、これを焼
成することにより雌型の有機材料は除去され結果として
パターン形成材料のみ残ることになり、求めるパターン
を形成できるという特願平５−２７３５３２の作用とと
もに、カーボン残りを気にせず焼成条件等を定めること
ができる。
ン形成法によれば、電子線分解性を有する有機材料を基
板上に塗布したのち、所定の電子線遮蔽マスクを用い
て、パターンを形成したい部分に電子線を照射し有機材
料を分解したのち、この部分の有機材料を除去すること
により、必要なパターンの雌型を得ることができる。そ
して、この雌型にパターン形成材料を充填し、これを焼
成することにより雌型の有機材料は除去され結果として
パターン形成材料のみ残ることになり、求めるパターン
を形成できるという特願平５−２７３５３２の作用とと
もに、カーボン残りを気にせず焼成条件等を定めること
ができる。
【００１８】請求項３における本発明による厚膜パター
ン形成法によれば、請求項２の作用に加え、ポリメチル
ペンテンスルホンが電子線照射によりモノマーを分解し
て蒸発するため、雌型作成時の現像工程も省略すること
ができる。
ン形成法によれば、請求項２の作用に加え、ポリメチル
ペンテンスルホンが電子線照射によりモノマーを分解し
て蒸発するため、雌型作成時の現像工程も省略すること
ができる。
【００１９】
（実施例１）以下、図を用いて本発明を具体的に説明す
る。図１から図４は本実施例による厚膜パターンの製造
方法の各工程を示した図である。
る。図１から図４は本実施例による厚膜パターンの製造
方法の各工程を示した図である。
【００２０】上記の厚膜パターンは次のような工程で製
造される。
造される。
【００２１】ガラス基板１０上に図１に示すように厚膜
パターン形成用ペースト１１をブレードコーターを用い
２５０μｍの厚さに塗布した。
パターン形成用ペースト１１をブレードコーターを用い
２５０μｍの厚さに塗布した。
【００２２】なお、ここで用いた厚膜パターン形成用ペ
ーストは、パターン形成材料として粉末ガラス（奥野製
薬工業製、ＯＣ４６２）１００重量部に対し、電子線分
解成分として、クレゾールノボラック２０重量部とポリ
メチルペンテンスルホン１０重量部を加え、これらを混
練したものを用いた。
ーストは、パターン形成材料として粉末ガラス（奥野製
薬工業製、ＯＣ４６２）１００重量部に対し、電子線分
解成分として、クレゾールノボラック２０重量部とポリ
メチルペンテンスルホン１０重量部を加え、これらを混
練したものを用いた。
【００２３】次に図２に示すように所定のパターン形状
の金属性の電子線遮蔽マスク１２を厚膜パターン形成用
ペースト１１を塗布したガラス基板１０上に支持し、加
速電圧３００ｋＶで電子線１３を約１００Ｍｒａｄ照射
した。
の金属性の電子線遮蔽マスク１２を厚膜パターン形成用
ペースト１１を塗布したガラス基板１０上に支持し、加
速電圧３００ｋＶで電子線１３を約１００Ｍｒａｄ照射
した。
【００２４】電子線照射されたガラス基板１０上のペー
スト１１を５％炭酸ナトリウム水溶液を用い現像して、
図３に示すようにペースト層１４を得た。
スト１１を５％炭酸ナトリウム水溶液を用い現像して、
図３に示すようにペースト層１４を得た。
【００２５】次に図４に示すように厚膜パターン形成用
ペースト１１を塗布したガラス基板１０上に支持し、加
速電圧３００ｋＶで電子線１３を全面に約１００Ｍｒａ
ｄ照射した。
ペースト１１を塗布したガラス基板１０上に支持し、加
速電圧３００ｋＶで電子線１３を全面に約１００Ｍｒａ
ｄ照射した。
【００２６】これを大気中５８０℃で１０分焼成するこ
とによりパターン１３の樹脂分を除去し、図５に示すよ
うなガラスによる厚膜パターン１５を得た。
とによりパターン１３の樹脂分を除去し、図５に示すよ
うなガラスによる厚膜パターン１５を得た。
【００２７】（実施例２）以下、図を用いて本発明を具
体的に説明する。図６から図１１は本発明による厚膜パ
ターンの製造方法の各工程を示した図である。
体的に説明する。図６から図１１は本発明による厚膜パ
ターンの製造方法の各工程を示した図である。
【００２８】上記の厚膜パターンは次のような工程で製
造される。
造される。
【００２９】ガラス基板２０上に図６に示すように電子
線分解樹脂２１をブレードコーターを用い２５０μｍの
厚さに塗布した。
線分解樹脂２１をブレードコーターを用い２５０μｍの
厚さに塗布した。
【００３０】なお、ここで用いた電子線分解樹脂は、ク
レゾールノボラック２０重量部とポリメチルペンテンス
ルホン１０重量部を混練したものを用いた。
レゾールノボラック２０重量部とポリメチルペンテンス
ルホン１０重量部を混練したものを用いた。
【００３１】次に図７に示すように所定のパターンの形
状に孔の開けられた金属性の電子線遮蔽マスク２２を電
子線分解樹脂２１を塗布したガラス基板２０上に支持
し、加速電圧３００ｋＶで電子線２３を約１００Ｍｒａ
ｄ照射した。
状に孔の開けられた金属性の電子線遮蔽マスク２２を電
子線分解樹脂２１を塗布したガラス基板２０上に支持
し、加速電圧３００ｋＶで電子線２３を約１００Ｍｒａ
ｄ照射した。
【００３２】電子線照射されたガラス基板２０上のペー
スト２１を５％炭酸ナトリウム水溶液を用い現像して、
図８に示すように求めるパターンの雌型２４を得た。
スト２１を５％炭酸ナトリウム水溶液を用い現像して、
図８に示すように求めるパターンの雌型２４を得た。
【００３３】この雌型２４にプラズマディスプレイの障
壁形成用ペースト２５（奥野製薬工業製ＥＬＤ−５２
０）を、図９に示すように充填した。なお、このペース
トは低融点ガラスを主成分とするパターン形成材料を有
機バインダと混練したものである。
壁形成用ペースト２５（奥野製薬工業製ＥＬＤ−５２
０）を、図９に示すように充填した。なお、このペース
トは低融点ガラスを主成分とするパターン形成材料を有
機バインダと混練したものである。
【００３４】次に図１０に示すように電子線分解樹脂２
１を塗布したガラス基板２０上に支持し、加速電圧３０
０ｋＶで電子線２３を全面に約１００Ｍｒａｄ照射し
た。
１を塗布したガラス基板２０上に支持し、加速電圧３０
０ｋＶで電子線２３を全面に約１００Ｍｒａｄ照射し
た。
【００３５】これを大気中５８０℃で１０分焼成するこ
とにより雌型を除去し、図１１に示すような求める厚膜
パターン２６を得た。
とにより雌型を除去し、図１１に示すような求める厚膜
パターン２６を得た。
【００３６】（実施例３）
【００３７】実施例２とほぼ同じ工程で製造される。
【００３８】ガラス基板上に電子線分解樹脂をブレード
コーターを用い２５０μｍの厚さに塗布した。
コーターを用い２５０μｍの厚さに塗布した。
【００３９】なお、ここで用いた電子線分解樹脂は、ポ
リメチルペンテンスルホンを単独で用いた。
リメチルペンテンスルホンを単独で用いた。
【００４０】所定のパターンの形状に孔の開けられた金
属性の電子線遮蔽マスクを電子線分解樹脂を塗布したガ
ラス基板上に支持し、加速電圧３００ｋＶで電子線を約
１００Ｍｒａｄ照射した。
属性の電子線遮蔽マスクを電子線分解樹脂を塗布したガ
ラス基板上に支持し、加速電圧３００ｋＶで電子線を約
１００Ｍｒａｄ照射した。
【００４１】この雌型にプラズマディスプレイの障壁形
成用ペースト（奥野製薬工業製ＥＬＤ−５２０）を充填
した。なお、このペーストは低融点ガラスを主成分とす
るパターン形成材料を有機バインダと混練したものであ
る。
成用ペースト（奥野製薬工業製ＥＬＤ−５２０）を充填
した。なお、このペーストは低融点ガラスを主成分とす
るパターン形成材料を有機バインダと混練したものであ
る。
【００４２】次に電子線分解樹脂を塗布したガラス基板
上に支持し、加速電圧３００ｋＶで電子線を全面に約１
００Ｍｒａｄ照射した。
上に支持し、加速電圧３００ｋＶで電子線を全面に約１
００Ｍｒａｄ照射した。
【００４３】これを大気中５８０℃で１０分焼成するこ
とにより雌型を除去し厚膜パターンを得た。
とにより雌型を除去し厚膜パターンを得た。
【００４４】
【発明の効果】本願発明の厚膜パターンの製造方法によ
れば、電子線は紫外線に比べ透過力に優れるため、本発
明におけるような厚膜において、一回の照射によりパタ
ーン形成することが可能である。このため、従来の技術
のように印刷の繰り返しに起因する印刷位置のずれが発
生しない。
れば、電子線は紫外線に比べ透過力に優れるため、本発
明におけるような厚膜において、一回の照射によりパタ
ーン形成することが可能である。このため、従来の技術
のように印刷の繰り返しに起因する印刷位置のずれが発
生しない。
【００４５】また、スクリーン版を使わないため、スク
リーン版の歪みから生ずる大面積化の困難さや印刷に用
いられるペーストの流動性や、スクリーン版の解像度等
の問題に起因する線幅精度が損なわれるという問題点も
解決することができる。
リーン版の歪みから生ずる大面積化の困難さや印刷に用
いられるペーストの流動性や、スクリーン版の解像度等
の問題に起因する線幅精度が損なわれるという問題点も
解決することができる。
【００４６】このため、簡単な工程にして生産性の高い
厚膜パターンの形成法を提供することができた。
厚膜パターンの形成法を提供することができた。
【００４７】以上の特願平５−２７３５３２の効果の他
に、焼成条件の緩和、カーボン残り等による表示品質の
低下等の問題も解決する事ができる様になった。
に、焼成条件の緩和、カーボン残り等による表示品質の
低下等の問題も解決する事ができる様になった。
【図１】本願発明の一実施例中、ペースト塗布工程の断
面図である。
面図である。
【図２】図１と同じ一実施例中、電子線照射工程の断面
図である。
図である。
【図３】図１と同じ一実施例中、現像によるペースト層
形成工程の断面図である。
形成工程の断面図である。
【図４】図１と同じ一実施例中、全面電子線照射工程の
断面図である。
断面図である。
【図５】図１と同じ一実施例中、焼成による厚膜パター
ン形成工程の断面図である。
ン形成工程の断面図である。
【図６】本願発明の一実施例中、雌型形成用樹脂塗布工
程の断面図である。
程の断面図である。
【図７】図６と同じ一実施例中、電子線照射工程の断面
図である。
図である。
【図８】図６と同じ一実施例中、雌型形成工程の断面図
である。
である。
【図９】図６と同じ一実施例中、再度の電子線照射工程
の断面図である。
の断面図である。
【図１０】図６と同じ一実施例中、雌型へのパターン形
成材料充填工程の断面図である。
成材料充填工程の断面図である。
【図１１】図６と同じ一実施例中、焼成による厚膜パタ
ーン形成工程の断面図である。
ーン形成工程の断面図である。
１０，２０ ・・・ガラス基板 １１ ・・・厚膜パターン形成用ペー
スト １２，２２ ・・・電子線遮蔽マスク １３，２３ ・・・電子線 １４ ・・・ペースト層 １５，２６ ・・・厚膜パターン ２４ ・・・雌型 ２５ ・・・障壁形成用ペースト ２１ ・・・電子線分解樹脂
スト １２，２２ ・・・電子線遮蔽マスク １３，２３ ・・・電子線 １４ ・・・ペースト層 １５，２６ ・・・厚膜パターン ２４ ・・・雌型 ２５ ・・・障壁形成用ペースト ２１ ・・・電子線分解樹脂
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０３Ｆ 7/38 Ｈ０１Ｌ 21/027
Claims (3)
- 【請求項１】厚膜パターン形成材料と電子線分解性を有
する有機材料を混練することにより調製されたペースト
を、（１）基板上に塗布する工程、（２）所定の電子線
遮蔽マスクを用い電子線照射することにより求めるパタ
ーン以外のペーストを分解させる工程、（３）分解した
部分を除去する工程、（４）全面に電子線照射する工
程、（５）焼成する工程よりなる厚膜パターンの製造方
法。 - 【請求項２】電子線分解性を有する有機材料を、（１）
基板上に塗布する工程、（２）所定の電子線遮蔽マスク
を用い電子線照射することにより求めるパターンの雌型
を形成する工程、（３）形成された雌型にパターン形成
材料を充填する工程、（４）全面に電子線照射する工
程、（５）焼成して雌型を除去する工程、よりなる厚膜
パターンの製造方法。 - 【請求項３】電子線分解性を有する有機材料を（１）基
板上に塗布する工程において、前記有機材料としてポリ
メチルペンテンスルホンを用いることを特徴とする請求
項２記載の厚膜パターンの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6187894A JPH07273425A (ja) | 1994-03-31 | 1994-03-31 | 厚膜パターンの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6187894A JPH07273425A (ja) | 1994-03-31 | 1994-03-31 | 厚膜パターンの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07273425A true JPH07273425A (ja) | 1995-10-20 |
Family
ID=13183842
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6187894A Pending JPH07273425A (ja) | 1994-03-31 | 1994-03-31 | 厚膜パターンの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07273425A (ja) |
-
1994
- 1994-03-31 JP JP6187894A patent/JPH07273425A/ja active Pending
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