JPH0727260B2 - 可視像形成方法 - Google Patents
可視像形成方法Info
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- JPH0727260B2 JPH0727260B2 JP61000472A JP47286A JPH0727260B2 JP H0727260 B2 JPH0727260 B2 JP H0727260B2 JP 61000472 A JP61000472 A JP 61000472A JP 47286 A JP47286 A JP 47286A JP H0727260 B2 JPH0727260 B2 JP H0727260B2
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- silicon layer
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- silicon
- electrophotographic
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- G03G13/00—Electrographic processes using a charge pattern
- G03G13/22—Processes involving a combination of more than one step according to groups G03G13/02 - G03G13/20
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G13/00—Electrographic processes using a charge pattern
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- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08221—Silicon-based comprising one or two silicon based layers
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- G03G9/08—Developers with toner particles
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- Inorganic Chemistry (AREA)
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- Dry Development In Electrophotography (AREA)
- Developing Agents For Electrophotography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 本発明は、単一の光導電層としてのアモルファス水素化
シリコン層を有する電子写真用部材に電荷像を形成し、
当該電荷像を現像粉末で現像する可視像形成方法に係
る。
シリコン層を有する電子写真用部材に電荷像を形成し、
当該電荷像を現像粉末で現像する可視像形成方法に係
る。
上記のような方法は、米国特許第4,225,222号明細書に
よって公知である。前述の明細書は、ドラム上の10〜10
0μｍの厚さのアモルファス水素化シリコン層に設けら
れた電荷像の現像を開示している。この公知方法の利点
は用いられるアモルファス水素化シリコン層が耐摩耗性
に優れる点であるが、該方法は使用されるアモルファス
水素化シリコン層の暗減衰（dark−decay）が実用上余
りに甚しいという欠点も有する。暗減衰を減少させるた
めに、アモルファス水素化シリコン層上にシリコン窒化
物あるいはシリコン炭化物の薄層を設けることが既に提
案されている。そのような薄層は確かにある程度の効果
を有するが、甚しい暗減衰の問題を除去するには不十分
である。
よって公知である。前述の明細書は、ドラム上の10〜10
0μｍの厚さのアモルファス水素化シリコン層に設けら
れた電荷像の現像を開示している。この公知方法の利点
は用いられるアモルファス水素化シリコン層が耐摩耗性
に優れる点であるが、該方法は使用されるアモルファス
水素化シリコン層の暗減衰（dark−decay）が実用上余
りに甚しいという欠点も有する。暗減衰を減少させるた
めに、アモルファス水素化シリコン層上にシリコン窒化
物あるいはシリコン炭化物の薄層を設けることが既に提
案されている。そのような薄層は確かにある程度の効果
を有するが、甚しい暗減衰の問題を除去するには不十分
である。
本発明は、光導電層の暗減衰を低減させ得、優れたコピ
ーの形成を可能にすると共に、電子写真工程で可撓性の
電子写真用ベルトの使用を可能にし得る可視像形成方法
を提供することにある。
ーの形成を可能にすると共に、電子写真工程で可撓性の
電子写真用ベルトの使用を可能にし得る可視像形成方法
を提供することにある。
本発明によれば、前述の目的は、単一の光導電層として
のシリコン層を有する電子写真用部材に電荷像を形成
し、当該電荷像を現像粉末で現像する可視像形成方法で
あって、電子写真用部材のシリコン層の厚さが0.5〜３
μｍであり、現像は105オーム・メートルを下回る抵抗
率を有する一成分現像粉末により実施され、前述のシリ
コン層はａ−Si:Hから実質的に造られていることを特徴
とする可視像形成方法により達成される。
のシリコン層を有する電子写真用部材に電荷像を形成
し、当該電荷像を現像粉末で現像する可視像形成方法で
あって、電子写真用部材のシリコン層の厚さが0.5〜３
μｍであり、現像は105オーム・メートルを下回る抵抗
率を有する一成分現像粉末により実施され、前述のシリ
コン層はａ−Si:Hから実質的に造られていることを特徴
とする可視像形成方法により達成される。
本発明の可視像形成方法においては、実質的にａ−Si:H
から造られたシリコン層の単一層からなる光導電層を有
する電子写真用部材に電荷像を形成するが故に、暗放電
率を減少させて、前述のシリコン層の暗減衰を低減させ
得、現像する際に105オーム・メートルを下回る抵抗率
を有する一成分現像粉末を用いた場合には優れたコピー
を得ることができ、また、電子写真用部材のシリコン層
が薄いため電子写真工程で可撓性の電子写真用ベルトの
使用を可能にし得る。即ち本発明の可視像形成方法は、
光導電層の暗減衰を低減させ得、優れたコピーの形成を
可能にすると共に、電子写真工程で可撓性の電子写真用
ベルトの使用を可能にし得る。
から造られたシリコン層の単一層からなる光導電層を有
する電子写真用部材に電荷像を形成するが故に、暗放電
率を減少させて、前述のシリコン層の暗減衰を低減させ
得、現像する際に105オーム・メートルを下回る抵抗率
を有する一成分現像粉末を用いた場合には優れたコピー
を得ることができ、また、電子写真用部材のシリコン層
が薄いため電子写真工程で可撓性の電子写真用ベルトの
使用を可能にし得る。即ち本発明の可視像形成方法は、
光導電層の暗減衰を低減させ得、優れたコピーの形成を
可能にすると共に、電子写真工程で可撓性の電子写真用
ベルトの使用を可能にし得る。
アモルファス水素化シリコン層は、ラジオ周波数電界の
影響下でシランからシリコンを支持体上に堆積させるこ
とによって形成され得る。シランに例えばジボランなど
の１種以上の他の水素化物を混合することによって、シ
ランに比較的少量の他の元素を含有させることも可能で
ある。
影響下でシランからシリコンを支持体上に堆積させるこ
とによって形成され得る。シランに例えばジボランなど
の１種以上の他の水素化物を混合することによって、シ
ランに比較的少量の他の元素を含有させることも可能で
ある。
本発明は、３μｍを下回る厚さのアモルファス水素化シ
リコン層（ａ−Si:H）層の暗減衰により厚いアモルファ
ス水素化シリコン層の場合よりはるかに軽微であるとい
う発見に基くものである。
リコン層（ａ−Si:H）層の暗減衰により厚いアモルファ
ス水素化シリコン層の場合よりはるかに軽微であるとい
う発見に基くものである。
最大荷電の比率で表わせば、厚さ2.5μｍのアモルファ
ス水素化シリコン層の暗減衰は、同一組成を有する厚さ
20μｍの層の約1/5であることが判明した。また、３μ
ｍを下回る厚みのアモルファス水素化シリコン層の厚さ
１μｍ当りのボルトで表わされる最大荷電レベルがより
厚い層の最大荷電レベルをはるかに上回ることも判明し
た。
ス水素化シリコン層の暗減衰は、同一組成を有する厚さ
20μｍの層の約1/5であることが判明した。また、３μ
ｍを下回る厚みのアモルファス水素化シリコン層の厚さ
１μｍ当りのボルトで表わされる最大荷電レベルがより
厚い層の最大荷電レベルをはるかに上回ることも判明し
た。
本発明方法においては、電子写真用部材のアモルファス
水素化シリコン層の厚さを減じることによって、厚み１
μｍ当りのボルトで表わされる最大荷電レベルが上昇す
るにもかかわらず、アモルファス水素化シリコン層の絶
対荷電レベルは比較的低いという結果が得られる。比較
的低い荷電レベルの電荷像を適当な速度で現像し得るた
めには、先に示したような一成分現像粉末としての導電
性の現像粉末を用いなければならない。考えられる用途
におけるこのような制約に対して、本発明による方法は
必要に応じて可撓性の電子写真用ベルトが用いられ得る
という利点を有する。この利点は薄いアモルファス水素
化シリコン層を使用することによって電子写真工程にお
ける前述のベルトの屈伸が問題無く許容されることによ
るものである。
水素化シリコン層の厚さを減じることによって、厚み１
μｍ当りのボルトで表わされる最大荷電レベルが上昇す
るにもかかわらず、アモルファス水素化シリコン層の絶
対荷電レベルは比較的低いという結果が得られる。比較
的低い荷電レベルの電荷像を適当な速度で現像し得るた
めには、先に示したような一成分現像粉末としての導電
性の現像粉末を用いなければならない。考えられる用途
におけるこのような制約に対して、本発明による方法は
必要に応じて可撓性の電子写真用ベルトが用いられ得る
という利点を有する。この利点は薄いアモルファス水素
化シリコン層を使用することによって電子写真工程にお
ける前述のベルトの屈伸が問題無く許容されることによ
るものである。
本発明を、以下の実施例によって詳述する。
実施例１ アルミニウムから成る支持体を、酸化アルミニウム層、
容量比1:10-4である水素化ケイ素及び水素化ホウ素から
なる蒸気の気相反応によりシリコンを蒸着させることに
よって得られる厚さ2.5μｍのアモルファス水素化シリ
コン層、並びにシリコン窒化物から成る厚さ0.2μｍの
最上層で順次被覆し、100ボルトまで荷電させた。５秒
後、電位は90ボルトに降下した。画像露光し、抵抗率10
3オーム・メートルの一成分現像粉末としての導電性の
現像粉末で現像することによって、黒色の画像部分と白
色の背景とから成る優れたコピーが得られた。
容量比1:10-4である水素化ケイ素及び水素化ホウ素から
なる蒸気の気相反応によりシリコンを蒸着させることに
よって得られる厚さ2.5μｍのアモルファス水素化シリ
コン層、並びにシリコン窒化物から成る厚さ0.2μｍの
最上層で順次被覆し、100ボルトまで荷電させた。５秒
後、電位は90ボルトに降下した。画像露光し、抵抗率10
3オーム・メートルの一成分現像粉末としての導電性の
現像粉末で現像することによって、黒色の画像部分と白
色の背景とから成る優れたコピーが得られた。
上記と同一の構成を有するが、アモルファス水素化シリ
コン層の厚さが20μｍである電子写真用部材は、最大充
電後５秒以内にその電荷の57％を失った。
コン層の厚さが20μｍである電子写真用部材は、最大充
電後５秒以内にその電荷の57％を失った。
実施例２ 実施例１の場合と同一の構成を有するがアモルファス水
素化シリコン層の厚みが1.1μｍである電子写真用部材
を60ボルトにまで充電したところ、５秒後において暗所
での上記部材の電荷はその93％がなお残留することが判
明した。
素化シリコン層の厚みが1.1μｍである電子写真用部材
を60ボルトにまで充電したところ、５秒後において暗所
での上記部材の電荷はその93％がなお残留することが判
明した。
この部材においても、画像露光し、抵抗率103オーム・
メートルの導電性の現像粉末で現像すると、黒色の画像
部分と白色の背景とから成る優れたコピーが得られた。
メートルの導電性の現像粉末で現像すると、黒色の画像
部分と白色の背景とから成る優れたコピーが得られた。
導電性の現像粉末の抵抗率は、次のようにして決定し
た。黄銅から成る底と絶縁プラスチックから成る側壁と
を有する四角形のトレイに、縁まで現像粉末を満した。
上述のトレイの底の内側面積は9.6cm2であり、内側高さ
は2cmであった。トレイの開口を、該開口に正確に適合
する130gの導電性の蓋で塞いだ。トレイの底並びに蓋を
10ボルトの電源と接続し、得られた回路中の電流を測定
した。底の内側面積と電圧との積をトレイの内側高さと
電流との積で割ることによって、現像粉末の抵抗率を算
出した。
た。黄銅から成る底と絶縁プラスチックから成る側壁と
を有する四角形のトレイに、縁まで現像粉末を満した。
上述のトレイの底の内側面積は9.6cm2であり、内側高さ
は2cmであった。トレイの開口を、該開口に正確に適合
する130gの導電性の蓋で塞いだ。トレイの底並びに蓋を
10ボルトの電源と接続し、得られた回路中の電流を測定
した。底の内側面積と電圧との積をトレイの内側高さと
電流との積で割ることによって、現像粉末の抵抗率を算
出した。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭56−24356（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−12448（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−115554（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−67546（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−67540（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−84256（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−67936（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−74567（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−118059（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】単一の光導電層としてのシリコン層を有す
る電子写真用部材に電荷像を形成し、当該電荷像を現像
粉末で現像する可視像形成方法であって、電子写真用部
材のシリコン層の厚さが0.5〜３μｍであり、現像は105
オーム・メートルを下回る抵抗率を有する一成分現像粉
末により実施され、前記シリコン層はａ−Si:Hから実質
的に造られていることを特徴とする可視像形成方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8500039A NL8500039A (nl) | 1985-01-08 | 1985-01-08 | Electrofotografische werkwijze voor het vormen van een zichtbaar beeld. |
| NL8500039 | 1985-01-08 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61163350A JPS61163350A (ja) | 1986-07-24 |
| JPH0727260B2 true JPH0727260B2 (ja) | 1995-03-29 |
Family
ID=19845339
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61000472A Expired - Lifetime JPH0727260B2 (ja) | 1985-01-08 | 1986-01-06 | 可視像形成方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4826746A (ja) |
| EP (1) | EP0188844B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0727260B2 (ja) |
| DE (1) | DE3566311D1 (ja) |
| NL (1) | NL8500039A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2806174B2 (ja) * | 1992-09-09 | 1998-09-30 | 富士ゼロックス株式会社 | 導電性トナーを用いる電子写真法 |
| JP3219926B2 (ja) * | 1993-02-05 | 2001-10-15 | 京セラ株式会社 | 静電潜像現像剤用磁性キャリア、静電潜像現像剤および画像形成方法 |
| GB2303143A (en) * | 1995-07-08 | 1997-02-12 | Procter & Gamble | Detergent compositions |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL168347C (nl) * | 1972-03-16 | 1982-03-16 | Oce Van Der Grinten Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van zichtbare beelden door een langs elektrofotografische weg gevormd ladingsbeeld te ontwikkelen met een tonerpoeder dat gekleurde of zwarte, fijn verdeelde deeltjes van een thermoplastische hars bevat. |
| NL7207688A (ja) * | 1972-06-07 | 1973-12-11 | Oce Van Der Grinten Nv | |
| US4187330A (en) * | 1976-01-30 | 1980-02-05 | Hitachi Metals, Ltd. | Electrostatic developing method and apparatus using conductive magnetic toner |
| DE2746967C2 (de) * | 1977-10-19 | 1981-09-24 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Elektrofotographische Aufzeichnungstrommel |
| GB2018446B (en) * | 1978-03-03 | 1983-02-23 | Canon Kk | Image-forming member for electrophotography |
| JPS5562778A (en) * | 1978-11-02 | 1980-05-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | Preparation of photoconductor film |
| JPS5574567A (en) * | 1978-11-29 | 1980-06-05 | Ricoh Co Ltd | Developing device of one-component toner |
| JPS55118059A (en) * | 1979-03-05 | 1980-09-10 | Canon Inc | Developing method |
| JPS55166647A (en) * | 1979-06-15 | 1980-12-25 | Fuji Photo Film Co Ltd | Photoconductive composition and electrophotographic receptor using this |
| JPS5624356A (en) * | 1979-08-07 | 1981-03-07 | Fuji Photo Film Co Ltd | Electrophotographic receptor |
| JPS5767936A (en) * | 1980-10-14 | 1982-04-24 | Canon Inc | Photoconductive member |
| US4403026A (en) * | 1980-10-14 | 1983-09-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoconductive member having an electrically insulating oxide layer |
| JPS57115554A (en) * | 1981-01-08 | 1982-07-19 | Canon Inc | Photoconductive material |
| US4487825A (en) * | 1981-01-22 | 1984-12-11 | Xerox Corporation | Conductive single component electrophotographic magnetic toner |
| US4560634A (en) * | 1981-05-29 | 1985-12-24 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member using microcrystalline silicon |
| JPS58189643A (ja) * | 1982-03-31 | 1983-11-05 | Minolta Camera Co Ltd | 感光体 |
| JPS5912448A (ja) * | 1982-07-12 | 1984-01-23 | Ricoh Co Ltd | 電子写真用感光体 |
-
1985
- 1985-01-08 NL NL8500039A patent/NL8500039A/nl not_active Application Discontinuation
- 1985-12-17 DE DE8585202094T patent/DE3566311D1/de not_active Expired
- 1985-12-17 EP EP85202094A patent/EP0188844B1/en not_active Expired
-
1986
- 1986-01-06 JP JP61000472A patent/JPH0727260B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1987
- 1987-06-01 US US07/056,545 patent/US4826746A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61163350A (ja) | 1986-07-24 |
| NL8500039A (nl) | 1986-08-01 |
| EP0188844B1 (en) | 1988-11-17 |
| EP0188844A1 (en) | 1986-07-30 |
| DE3566311D1 (en) | 1988-12-22 |
| US4826746A (en) | 1989-05-02 |
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