JPH07270141A - 半導体ウエハエッジ部表面形状測定装置 - Google Patents
半導体ウエハエッジ部表面形状測定装置Info
- Publication number
- JPH07270141A JPH07270141A JP6520694A JP6520694A JPH07270141A JP H07270141 A JPH07270141 A JP H07270141A JP 6520694 A JP6520694 A JP 6520694A JP 6520694 A JP6520694 A JP 6520694A JP H07270141 A JPH07270141 A JP H07270141A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stage
- wafer
- holding mechanism
- wafer edge
- measurement
- Prior art date
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 測定時間の短縮、省力化および歩留りの向上
を図ることを目的とした半導体ウエハエッジ部表面形状
測定装置を提供する。 【構成】 一定方向に平行移動が可能な第１ステージ１
７と、第１ステージ１７上に設けられ、第１ステージ１
７の移動方向に対し直角方向に平行移動が可能な第２ス
テージ２４と、ウエハ面２を第１ステージ１７の移動方
向に直角かつ第２ステージ２４の移動方向と平行に保持
するための第２ステージ２４上に取り付けられたウエハ
保持機構２９と、ウエハエッジ部３の表面形状を非接触
で検出する表面形状検出器３２とからなっている。
を図ることを目的とした半導体ウエハエッジ部表面形状
測定装置を提供する。 【構成】 一定方向に平行移動が可能な第１ステージ１
７と、第１ステージ１７上に設けられ、第１ステージ１
７の移動方向に対し直角方向に平行移動が可能な第２ス
テージ２４と、ウエハ面２を第１ステージ１７の移動方
向に直角かつ第２ステージ２４の移動方向と平行に保持
するための第２ステージ２４上に取り付けられたウエハ
保持機構２９と、ウエハエッジ部３の表面形状を非接触
で検出する表面形状検出器３２とからなっている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、シリコンウエハなど
のエッジ部の形状精度または表面粗さを測定する半導体
ウエハエッジ部表面形状測定装置に関する。
のエッジ部の形状精度または表面粗さを測定する半導体
ウエハエッジ部表面形状測定装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ウエハの外周面のエッジが鋭い形状とな
っていたり、外周面の表面粗さが粗いと、チッピングや
微細な粉塵が生じやすい。ウエハ取扱い中に、このよう
な粉塵は飛散して、クリーンルームなどの環境を汚染す
る。このため、ウエハの外周面はウエハの厚み方向にも
滑らかな円弧面となっており、その表面粗さも０．１μ
m Ｒmax 以下のいわゆる鏡面仕上げとすることが求めら
れている。したがって、ウエハエッジ部の形状精度（幾
何学的形状）や表面粗さを測定し、測定結果を研摩作業
に反映させ、所要の形状精度や表面粗さを維持すること
が必要である。
っていたり、外周面の表面粗さが粗いと、チッピングや
微細な粉塵が生じやすい。ウエハ取扱い中に、このよう
な粉塵は飛散して、クリーンルームなどの環境を汚染す
る。このため、ウエハの外周面はウエハの厚み方向にも
滑らかな円弧面となっており、その表面粗さも０．１μ
m Ｒmax 以下のいわゆる鏡面仕上げとすることが求めら
れている。したがって、ウエハエッジ部の形状精度（幾
何学的形状）や表面粗さを測定し、測定結果を研摩作業
に反映させ、所要の形状精度や表面粗さを維持すること
が必要である。
【０００３】従来は、製造ロットから抜き取ったサンプ
ルウエハの一部分を切り出し、測定試料としていた。測
定試料について走査型電子顕微鏡や表面粗さ計などでウ
エハエッジ部の表面形状を限界サンプルとの比較観察し
たり、測定することによって製造ロットの合否あるいは
研磨性能の良否を判断していた。
ルウエハの一部分を切り出し、測定試料としていた。測
定試料について走査型電子顕微鏡や表面粗さ計などでウ
エハエッジ部の表面形状を限界サンプルとの比較観察し
たり、測定することによって製造ロットの合否あるいは
研磨性能の良否を判断していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述のように従来で
は、ウエハエッジ部表面の測定のために、サンプルウエ
ハから測定試料を切り出していた。このために、測定試
料の準備に時間と手間を要していた。また、測定試料が
切り出されたサンプルウエハは製品として出荷できない
のでスクラップとなり、歩留りの低下を招いていた。
は、ウエハエッジ部表面の測定のために、サンプルウエ
ハから測定試料を切り出していた。このために、測定試
料の準備に時間と手間を要していた。また、測定試料が
切り出されたサンプルウエハは製品として出荷できない
のでスクラップとなり、歩留りの低下を招いていた。
【０００５】この発明は、測定時間の短縮、省力化およ
び歩留りの向上を図ることができる半導体ウエハエッジ
部表面形状測定装置を提供しようとするものである。
び歩留りの向上を図ることができる半導体ウエハエッジ
部表面形状測定装置を提供しようとするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】第１の発明の半導体ウエ
ハエッジ部表面形状測定装置は、一定方向に平行移動が
可能な第１ステージと、第１ステージ上に設けられ、第
１ステージの移動方向に対し直角方向に平行移動が可能
な第２ステージと、ウエハ面を第１ステージの移動方向
に直角かつ第２ステージの移動方向と平行に保持するた
めの第２ステージ上に取り付けられたウエハ保持機構
と、ウエハエッジ部の表面形状を非接触で検出する表面
形状検出装置とからなっている。
ハエッジ部表面形状測定装置は、一定方向に平行移動が
可能な第１ステージと、第１ステージ上に設けられ、第
１ステージの移動方向に対し直角方向に平行移動が可能
な第２ステージと、ウエハ面を第１ステージの移動方向
に直角かつ第２ステージの移動方向と平行に保持するた
めの第２ステージ上に取り付けられたウエハ保持機構
と、ウエハエッジ部の表面形状を非接触で検出する表面
形状検出装置とからなっている。
【０００７】第２の発明の半導体ウエハエッジ部表面形
状測定装置は、一定方向に平行移動が可能な第１ステー
ジと、第１ステージ上に設けられ、第１ステージの移動
方向に対し直角方向に平行移動が可能な第２ステージ
と、ウエハ面を第２ステージ面に平行に保持し、かつ第
２ステージ面と直角方向に移動できる第２ステージ上に
取り付けられたウエハ保持機構と、ウエハエッジ部の表
面形状を非接触で検出する表面形状検出装置とからなっ
ている。
状測定装置は、一定方向に平行移動が可能な第１ステー
ジと、第１ステージ上に設けられ、第１ステージの移動
方向に対し直角方向に平行移動が可能な第２ステージ
と、ウエハ面を第２ステージ面に平行に保持し、かつ第
２ステージ面と直角方向に移動できる第２ステージ上に
取り付けられたウエハ保持機構と、ウエハエッジ部の表
面形状を非接触で検出する表面形状検出装置とからなっ
ている。
【０００８】上記半導体ウエハエッジ部表面形状測定装
置において、第１ステージはステージ基盤上に、また第
２ステージは第１ステージ上にそれぞれ支持される。第
１ステージおよび第２ステージの運動機構には、静圧軸
受あるいはローラガイドなどを使用する。第１ステージ
および第２ステージは、サーボモータとボールねじとの
組合わせあるいはリニアサーボモータなどで駆動されて
移動する。
置において、第１ステージはステージ基盤上に、また第
２ステージは第１ステージ上にそれぞれ支持される。第
１ステージおよび第２ステージの運動機構には、静圧軸
受あるいはローラガイドなどを使用する。第１ステージ
および第２ステージは、サーボモータとボールねじとの
組合わせあるいはリニアサーボモータなどで駆動されて
移動する。
【０００９】表面形状検出装置として、レーザ干渉計表
面形状検出器、反射型レーザ変位計、空気マイクロメー
タ、あるいは静電容量式変位計などが用いられる。これ
らの表面形状検出器は、ウエハエッジ部の形状精度また
は表面粗さを非接触で測定可能である。測定範囲は、た
とえばウエハ円周方向に沿って２００μm 、ウエハ厚み
方向に沿って２００μm である。また、レーザ干渉計表
面形状検出器などからの信号をコンピュータなどで処理
することにより、表面形状の３次元的な表示や解析が可
能である。
面形状検出器、反射型レーザ変位計、空気マイクロメー
タ、あるいは静電容量式変位計などが用いられる。これ
らの表面形状検出器は、ウエハエッジ部の形状精度また
は表面粗さを非接触で測定可能である。測定範囲は、た
とえばウエハ円周方向に沿って２００μm 、ウエハ厚み
方向に沿って２００μm である。また、レーザ干渉計表
面形状検出器などからの信号をコンピュータなどで処理
することにより、表面形状の３次元的な表示や解析が可
能である。
【００１０】
【作用】第１の発明の半導体ウエハエッジ部表面形状測
定装置において、研磨加工されたウエハをウエハ面が第
１ステージの移動方向に直角かつ第２ステージの移動方
向に平行になるようにし、ウエハ保持機構に取り付け
る。そして、表面形状検出器で、ウエハ円周方向（また
は厚み方向）に沿ってウエハエッジ部表面の形状精度ま
たは表面粗さを測定する。所定の範囲の測定が終わる
と、第１ステージ（または第２ステージ）を所要のピッ
チだけ送って次の測定ラインの測定を行う。このような
工程を繰り返して、所要の範囲の全域にわたって測定を
行う。
定装置において、研磨加工されたウエハをウエハ面が第
１ステージの移動方向に直角かつ第２ステージの移動方
向に平行になるようにし、ウエハ保持機構に取り付け
る。そして、表面形状検出器で、ウエハ円周方向（また
は厚み方向）に沿ってウエハエッジ部表面の形状精度ま
たは表面粗さを測定する。所定の範囲の測定が終わる
と、第１ステージ（または第２ステージ）を所要のピッ
チだけ送って次の測定ラインの測定を行う。このような
工程を繰り返して、所要の範囲の全域にわたって測定を
行う。
【００１１】第２の発明の半導体ウエハエッジ部表面形
状測定装置において、測定方法は上記第１の発明の装置
と同じであるが、１枚のウエハについて測定が終わる
と、第２ステージ面に直角方向に次のウエハを移動して
測定を行い、複数のウエハについて順次自動的に測定す
る。
状測定装置において、測定方法は上記第１の発明の装置
と同じであるが、１枚のウエハについて測定が終わる
と、第２ステージ面に直角方向に次のウエハを移動して
測定を行い、複数のウエハについて順次自動的に測定す
る。
【００１２】
【実施例】図１は、第１の発明の実施例を示している。
半導体ウエハエッジ部表面形状測定装置は、Ｌ字形のベ
ッド１１の水平部１２にＸ軸ローラガイド１５が設けら
れている。Ｘ軸ローラガイド１５上に第１ステージ１７
が載っている。第１ステージ１７にはＸ軸送りねじ１９
がはめ合っており、Ｘ軸送りねじ１９にＸ軸サーボモー
タ２０が接続されている。Ｘ軸サーボモータ２０を駆動
すると、第１ステージ１７はＸ軸方向に移動する。第１
ステージ１７上にＹ軸ガイドローラ２２が設けられてい
る。Ｙ軸ローラガイド２２上に第２ステージ２４が載せ
られている。第２ステージ２４にはＹ軸送りねじ２６が
はめ合っており、Ｙ軸送りねじ２６にＹ軸サーボモータ
２７が接続されている。Ｙ軸サーボモータ２７を駆動す
ると、第２ステージ２４はＹ軸方向に移動する。
半導体ウエハエッジ部表面形状測定装置は、Ｌ字形のベ
ッド１１の水平部１２にＸ軸ローラガイド１５が設けら
れている。Ｘ軸ローラガイド１５上に第１ステージ１７
が載っている。第１ステージ１７にはＸ軸送りねじ１９
がはめ合っており、Ｘ軸送りねじ１９にＸ軸サーボモー
タ２０が接続されている。Ｘ軸サーボモータ２０を駆動
すると、第１ステージ１７はＸ軸方向に移動する。第１
ステージ１７上にＹ軸ガイドローラ２２が設けられてい
る。Ｙ軸ローラガイド２２上に第２ステージ２４が載せ
られている。第２ステージ２４にはＹ軸送りねじ２６が
はめ合っており、Ｙ軸送りねじ２６にＹ軸サーボモータ
２７が接続されている。Ｙ軸サーボモータ２７を駆動す
ると、第２ステージ２４はＹ軸方向に移動する。
【００１３】第２ステージ２４上にウエハ保持機構２９
が固定されている。ウエハ保持機構２９は真空チャック
３０を備えており、ウエハ１を吸着保持する。
が固定されている。ウエハ保持機構２９は真空チャック
３０を備えており、ウエハ１を吸着保持する。
【００１４】ベッド１１の垂直部１３に、レーザ干渉計
形状検出器３２が取り付けられている。レーザ干渉計検
出器３２の本体３３の上下位置は、本体３３内に組み込
まれたねじ機構（図示しない）で調整可能である。レー
ザ干渉計形状検出器３２は、測定用コンピュータ３６に
接続されている。また、測定用コンピュータ３６は上記
Ｘ軸サーボモータ２０およびＹ軸サーボモータ２７に接
続されており、これらサーボモータ２０、２７の作動を
制御する。
形状検出器３２が取り付けられている。レーザ干渉計検
出器３２の本体３３の上下位置は、本体３３内に組み込
まれたねじ機構（図示しない）で調整可能である。レー
ザ干渉計形状検出器３２は、測定用コンピュータ３６に
接続されている。また、測定用コンピュータ３６は上記
Ｘ軸サーボモータ２０およびＹ軸サーボモータ２７に接
続されており、これらサーボモータ２０、２７の作動を
制御する。
【００１５】上記のように構成された半導体ウエハエッ
ジ部表面形状測定装置において、研磨加工したウエハ１
をウエハ面２がＸ軸方向に直角かつＹ軸方向に平行にな
るようにしてウエハ保持機構２９に取り付ける。つい
で、レーザ干渉計表面形状検出器３２の高さ位置を調整
する。このとき、検出端３４はウエハエッジ部３に非接
触となっている。測定用コンピュータ３６からの指令に
よりＹ軸サーボモータ２７が作動して、第２ステージ２
４がＹ軸方向にあらかじめ設定された送り速度（１００
μm/sec)で送られる。レーザ干渉計表面形状検出器３２
の検出端３４はウエハ１の円周方向に沿ってウエハエッ
ジ部３の表面を走査し、形状を測定する。このときのデ
ータの取り込みは例えば０．１μm ピッチ、すなわち
０．００１秒ピッチである。ウエハ円周方向に沿って所
定の距離（２００μm ）の測定が終わると、測定用コン
ピュータ３６からの指令によりＸ軸サーボモータ２０が
作動して、第１ステージ１７がＸ軸方向に所定のピッチ
（１０μm ）だけ送られる。ついで、次のＹ軸方向の測
定ラインに沿って測定を行う。このような工程を繰り返
し、２００×２００μm の範囲について測定を行う。
ジ部表面形状測定装置において、研磨加工したウエハ１
をウエハ面２がＸ軸方向に直角かつＹ軸方向に平行にな
るようにしてウエハ保持機構２９に取り付ける。つい
で、レーザ干渉計表面形状検出器３２の高さ位置を調整
する。このとき、検出端３４はウエハエッジ部３に非接
触となっている。測定用コンピュータ３６からの指令に
よりＹ軸サーボモータ２７が作動して、第２ステージ２
４がＹ軸方向にあらかじめ設定された送り速度（１００
μm/sec)で送られる。レーザ干渉計表面形状検出器３２
の検出端３４はウエハ１の円周方向に沿ってウエハエッ
ジ部３の表面を走査し、形状を測定する。このときのデ
ータの取り込みは例えば０．１μm ピッチ、すなわち
０．００１秒ピッチである。ウエハ円周方向に沿って所
定の距離（２００μm ）の測定が終わると、測定用コン
ピュータ３６からの指令によりＸ軸サーボモータ２０が
作動して、第１ステージ１７がＸ軸方向に所定のピッチ
（１０μm ）だけ送られる。ついで、次のＹ軸方向の測
定ラインに沿って測定を行う。このような工程を繰り返
し、２００×２００μm の範囲について測定を行う。
【００１６】測定値は、測定用コンピュータ３６に逐次
入力される。測定用コンピュータ３６は、測定点の座標
およびその点の測定値に基づいてウエハエッジ部３の幾
何学的形状を求め、ウエハエッジ部形状の合否を判断す
る。なお、測定点の座標は第１ステージ１７および第２
ステージ２４の送り量から求められる。
入力される。測定用コンピュータ３６は、測定点の座標
およびその点の測定値に基づいてウエハエッジ部３の幾
何学的形状を求め、ウエハエッジ部形状の合否を判断す
る。なお、測定点の座標は第１ステージ１７および第２
ステージ２４の送り量から求められる。
【００１７】図２は、第２の発明の実施例を示してい
る。なお、図２に示す部品および部材で、図１と同様の
部品および部材には同一の参照符号を付け、その説明は
省略する。
る。なお、図２に示す部品および部材で、図１と同様の
部品および部材には同一の参照符号を付け、その説明は
省略する。
【００１８】半導体ウエハエッジ部表面形状測定装置
は、ベッド４１にＸ軸ローラガイド１５が設けられてい
る。Ｘ軸ローラガイド１５上に第１ステージ１７が載っ
ている。第１ステージ１７上にＹ軸ガイドローラ２２が
設けられている。Ｙ軸ローラガイド２２上に第２ステー
ジ２４が載せられている。第２ステージ２４上にウエハ
保持機構４４が昇降可能に取り付けられている。ウエハ
保持機構４４はサーボモータと送りねじ（いずれも図示
しない）によって、昇降駆動される。ウエハ保持機構４
４は、複数のウエハ１を上下に一定の間隔をおいて保持
する。検出端３４がウエハ１に向かうようにして、レー
ザ干渉計形状検出器３２がベッド４１上のスタンド４２
に固定されている。
は、ベッド４１にＸ軸ローラガイド１５が設けられてい
る。Ｘ軸ローラガイド１５上に第１ステージ１７が載っ
ている。第１ステージ１７上にＹ軸ガイドローラ２２が
設けられている。Ｙ軸ローラガイド２２上に第２ステー
ジ２４が載せられている。第２ステージ２４上にウエハ
保持機構４４が昇降可能に取り付けられている。ウエハ
保持機構４４はサーボモータと送りねじ（いずれも図示
しない）によって、昇降駆動される。ウエハ保持機構４
４は、複数のウエハ１を上下に一定の間隔をおいて保持
する。検出端３４がウエハ１に向かうようにして、レー
ザ干渉計形状検出器３２がベッド４１上のスタンド４２
に固定されている。
【００１９】上記のように構成された半導体ウエハエッ
ジ部表面形状測定装置において、研磨加工した複数のウ
エハ１をウエハ面２が水平になるようにしてウエハ保持
機構４４に取り付ける。ついで、上述の実施例と同様に
してウエハエッジ部３の表面形状を測定する。１枚のウ
エハ１の測定が終わると、ウエハ保持機構４４を上昇さ
せて次のウエハ１の測定を行う。このような操作を順次
繰り返し、ウエハ保持機構４４に取り付けたすべてのウ
エハ１について表面形状を測定する。
ジ部表面形状測定装置において、研磨加工した複数のウ
エハ１をウエハ面２が水平になるようにしてウエハ保持
機構４４に取り付ける。ついで、上述の実施例と同様に
してウエハエッジ部３の表面形状を測定する。１枚のウ
エハ１の測定が終わると、ウエハ保持機構４４を上昇さ
せて次のウエハ１の測定を行う。このような操作を順次
繰り返し、ウエハ保持機構４４に取り付けたすべてのウ
エハ１について表面形状を測定する。
【００２０】
【発明の効果】この発明では、ウエハから測定試料を切
り出すことなく、ウエハエッジ部表面の形状を測定する
ことができる。このため、測定時間の短縮、省力化およ
び歩留りの向上を図ることができる。
り出すことなく、ウエハエッジ部表面の形状を測定する
ことができる。このため、測定時間の短縮、省力化およ
び歩留りの向上を図ることができる。
【図１】第１の発明の実施例を示すもので、半導体ウエ
ハエッジ部表面形状装置の斜視図である。
ハエッジ部表面形状装置の斜視図である。
【図２】第２の発明の実施例を示すもので、半導体ウエ
ハエッジ部表面形状装置の斜視図である。
ハエッジ部表面形状装置の斜視図である。
１ ウエハ ２ ウエハ表面 ３ ウエハエッジ部 １１ ベッド １５ Ｘ軸ローラガイド １７ 第１ステージ １９ Ｘ軸送りねじ ２０ Ｘ軸サーボモータ ２２ Ｙ軸ローラガイド ２４ 第２ステージ ２６ Ｙ軸送りねじ ２７ Ｙ軸サーボモータ ２９ ウエハ保持機構 ３０ 真空チャック ３２ レーザ干渉計形状検出器 ３４ 検出端 ３６ 測定用コンピュータ ４１ テーブル ４４ ウエハ保持機構
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年４月２２日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００２】
【従来の技術】ウエハの外周面のエッジが鋭い形状とな
っていたり、外周面の表面粗さが粗いと、チッピングや
微細な粉塵が生じやすい。ウエハ取扱い中に、このよう
な粉塵は飛散して、クリーンルームなどの環境を汚染す
る。このため、ウエハの外周面はウエハの厚み方向にも
滑らかな円弧面となっており、その表面粗さも０．１μ
m Ｒmax 以下のいわゆる鏡面仕上げとすることが求めら
れている。したがって、ウエハエッジ部の形状精度（幾
何学的形状）や表面粗さを測定し、測定結果を研磨作業
に反映させ、所要の形状精度や表面粗さを維持すること
が必要である。
っていたり、外周面の表面粗さが粗いと、チッピングや
微細な粉塵が生じやすい。ウエハ取扱い中に、このよう
な粉塵は飛散して、クリーンルームなどの環境を汚染す
る。このため、ウエハの外周面はウエハの厚み方向にも
滑らかな円弧面となっており、その表面粗さも０．１μ
m Ｒmax 以下のいわゆる鏡面仕上げとすることが求めら
れている。したがって、ウエハエッジ部の形状精度（幾
何学的形状）や表面粗さを測定し、測定結果を研磨作業
に反映させ、所要の形状精度や表面粗さを維持すること
が必要である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００３】従来は、製造ロットから抜き取ったサンプ
ルウエハのエッジ部分を切り出し、測定試料としてい
た。測定試料のエッジ部の表面形状は走査型電子顕微鏡
や表面粗さ計などを用いて限界サンプルと比較観察した
り、測定することによって製造ロットの合否あるいは研
磨性能の良否を判断していた。
ルウエハのエッジ部分を切り出し、測定試料としてい
た。測定試料のエッジ部の表面形状は走査型電子顕微鏡
や表面粗さ計などを用いて限界サンプルと比較観察した
り、測定することによって製造ロットの合否あるいは研
磨性能の良否を判断していた。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述のように従来で
は、ウエハエッジ部表面の測定のために、サンプルウエ
ハから測定試料を切り出しており、測定試料の準備に時
間と手間を要していた。また、測定試料が切り出された
サンプルウエハは製品として出荷できないのでスクラッ
プとなり、歩留りの低下を招いていた。
は、ウエハエッジ部表面の測定のために、サンプルウエ
ハから測定試料を切り出しており、測定試料の準備に時
間と手間を要していた。また、測定試料が切り出された
サンプルウエハは製品として出荷できないのでスクラッ
プとなり、歩留りの低下を招いていた。
フロントページの続き (72)発明者 井口 信明 神奈川県川崎市幸区下平間239番地 黒田 精工株式会社内 (72)発明者 丸谷 典之 神奈川県川崎市幸区下平間239番地 黒田 精工株式会社内 (72)発明者 島田 悦子 神奈川県川崎市幸区下平間239番地 黒田 精工株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 一定方向に平行移動が可能な第１ステー
ジと、第１ステージ上に設けられ、第１ステージの移動
方向に対し直角方向に平行移動が可能な第２ステージ
と、ウエハ面を第１ステージの移動方向に直角かつ第２
ステージの移動方向と平行に保持するための第２ステー
ジ上に取り付けられたウエハ保持機構と、ウエハエッジ
部の表面形状を非接触で検出する表面形状検出装置とか
らなる半導体ウエハエッジ部表面形状測定装置。 - 【請求項２】 一定方向に平行移動が可能な第１ステー
ジと、第１ステージに設けられ、第１ステージの移動方
向に対し直角方向に平行移動が可能な第２ステージと、
ウエハ面を第２ステージ面に平行に保持し、かつ第２ス
テージ面と直角方向に移動できる第２ステージ上に取り
付けられたウエハ保持機構と、ウエハエッジ部の表面形
状を非接触で検出する表面形状検出装置とからなる半導
体ウエハエッジ部表面形状測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6520694A JPH07270141A (ja) | 1994-04-01 | 1994-04-01 | 半導体ウエハエッジ部表面形状測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6520694A JPH07270141A (ja) | 1994-04-01 | 1994-04-01 | 半導体ウエハエッジ部表面形状測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07270141A true JPH07270141A (ja) | 1995-10-20 |
Family
ID=13280219
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6520694A Pending JPH07270141A (ja) | 1994-04-01 | 1994-04-01 | 半導体ウエハエッジ部表面形状測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07270141A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100361740B1 (ko) * | 1997-06-30 | 2003-01-29 | 주식회사 포스코 | 전기도금라인에서의통전률표면측정장치 |
| CN105043291A (zh) * | 2015-06-01 | 2015-11-11 | 杭州朝阳橡胶有限公司 | 一种胎面断面在线式扫描装置 |
| CN106940178A (zh) * | 2017-03-22 | 2017-07-11 | 上海日进机床有限公司 | 硅晶体工件平整度检测装置和硅晶体工件平整度检测方法 |
| CN108716895A (zh) * | 2018-05-18 | 2018-10-30 | 北京锐洁机器人科技有限公司 | 桌面级翘曲度扫描方法及设备 |
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1994
- 1994-04-01 JP JP6520694A patent/JPH07270141A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100361740B1 (ko) * | 1997-06-30 | 2003-01-29 | 주식회사 포스코 | 전기도금라인에서의통전률표면측정장치 |
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