JPH07264774A - 限流素子 - Google Patents
限流素子Info
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- JPH07264774A JPH07264774A JP6050552A JP5055294A JPH07264774A JP H07264774 A JPH07264774 A JP H07264774A JP 6050552 A JP6050552 A JP 6050552A JP 5055294 A JP5055294 A JP 5055294A JP H07264774 A JPH07264774 A JP H07264774A
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 臨界電流密度が高く、かつ常電導転移時の抵
抗値が高い、酸化物超電導体を用いた限流素子を提供す
る。 【構成】 超電導状態から常電導状態への転移時の抵抗
発生により短絡電流を抑制する超電導体を用いた限流素
子であって、超電導体は、Ｙ1-X ＴｂX Ｂａ2 Ｃｕ3 Ｏ
7 （ただし、Ｘ＝０．０５〜０．５）、Ｙ1-X ＰｒX Ｂ
ａ2 Ｃｕ3 Ｏ7 （ただし、Ｘ＝０．０１〜０．１）、Ｙ
1 Ｂａ2 Ｃｕ3-X ＦｅX Ｏ7 （ただし、Ｘ＝０．０１〜
０．１）、またはＹ1 Ｂａ2 Ｃｕ3-X ＣｒX Ｏ7 （ただ
し、Ｘ＝０．０１〜０．２）のいずれかの組成を有する
酸化物超電導体であることを特徴とする。
抗値が高い、酸化物超電導体を用いた限流素子を提供す
る。 【構成】 超電導状態から常電導状態への転移時の抵抗
発生により短絡電流を抑制する超電導体を用いた限流素
子であって、超電導体は、Ｙ1-X ＴｂX Ｂａ2 Ｃｕ3 Ｏ
7 （ただし、Ｘ＝０．０５〜０．５）、Ｙ1-X ＰｒX Ｂ
ａ2 Ｃｕ3 Ｏ7 （ただし、Ｘ＝０．０１〜０．１）、Ｙ
1 Ｂａ2 Ｃｕ3-X ＦｅX Ｏ7 （ただし、Ｘ＝０．０１〜
０．１）、またはＹ1 Ｂａ2 Ｃｕ3-X ＣｒX Ｏ7 （ただ
し、Ｘ＝０．０１〜０．２）のいずれかの組成を有する
酸化物超電導体であることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、限流素子に関するも
のであり、特に、超電導状態から常電導状態への転移時
の抵抗発生により短絡電流を抑制する超電導体を用いた
限流素子に関するものである。
のであり、特に、超電導状態から常電導状態への転移時
の抵抗発生により短絡電流を抑制する超電導体を用いた
限流素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、短絡電流を抑制する機器として、
限流リアクトル等が用いられているが、限流性能が不十
分であり、負荷運転時の電圧降下が大きいという欠点が
ある。このような欠点を克服する機器として、負荷運転
時は無抵抗であり、大電流を急峻に抑制することが可能
な、超電導体を用いた限流素子が注目を集めている。
限流リアクトル等が用いられているが、限流性能が不十
分であり、負荷運転時の電圧降下が大きいという欠点が
ある。このような欠点を克服する機器として、負荷運転
時は無抵抗であり、大電流を急峻に抑制することが可能
な、超電導体を用いた限流素子が注目を集めている。
【０００３】このような超電導体を用いた限流素子は、
臨界電流以上の短絡電流が流れた場合、超電導が破れ抵
抗が発生することで限流を行なう。使用する超電導体
は、臨界電流密度が大きいほど、超電導体の断面積を小
さくすることができ、常電導転移時の抵抗を高めること
ができる。このような特性を持った限流素子として、薄
膜状の酸化物超電導体を用いた素子の検討がなされてい
る。
臨界電流以上の短絡電流が流れた場合、超電導が破れ抵
抗が発生することで限流を行なう。使用する超電導体
は、臨界電流密度が大きいほど、超電導体の断面積を小
さくすることができ、常電導転移時の抵抗を高めること
ができる。このような特性を持った限流素子として、薄
膜状の酸化物超電導体を用いた素子の検討がなされてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】一般に、薄膜状の酸化
物超電導体は、固相法、液相法などの他の手法で形成さ
れた超電導体よりも結晶性が良く、高い臨界電流密度が
得られることが知られている。しかし、良好な結晶性を
持つ薄膜状の超電導体は、常電導状態での抵抗率が低
く、十分な限流効果が得られないという問題点があっ
た。
物超電導体は、固相法、液相法などの他の手法で形成さ
れた超電導体よりも結晶性が良く、高い臨界電流密度が
得られることが知られている。しかし、良好な結晶性を
持つ薄膜状の超電導体は、常電導状態での抵抗率が低
く、十分な限流効果が得られないという問題点があっ
た。
【０００５】本発明の目的は、上述の問題点を解決し、
臨界電流密度が高く、かつ常電導転移時の抵抗値が高
い、酸化物超電導体を用いた限流素子を提供することに
ある。
臨界電流密度が高く、かつ常電導転移時の抵抗値が高
い、酸化物超電導体を用いた限流素子を提供することに
ある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明による限
流素子は、超電導状態から常電導状態への転移時の抵抗
発生により短絡電流を抑制する超電導体を用いた限流素
子であって、超電導体は、Ｙ1-X ＴｂX Ｂａ2 Ｃｕ3 Ｏ
7 （ただし、Ｘ＝０．０５〜０．５）の組成を有する酸
化物超電導体であることを特徴としている。
流素子は、超電導状態から常電導状態への転移時の抵抗
発生により短絡電流を抑制する超電導体を用いた限流素
子であって、超電導体は、Ｙ1-X ＴｂX Ｂａ2 Ｃｕ3 Ｏ
7 （ただし、Ｘ＝０．０５〜０．５）の組成を有する酸
化物超電導体であることを特徴としている。
【０００７】請求項２の発明による限流素子は、超電導
状態から常電導状態への転移時の抵抗発生により短絡電
流を抑制する超電導体を用いた限流素子であって、超電
導体は、Ｙ1-X ＰｒX Ｂａ2 Ｃｕ3 Ｏ7 （ただし、Ｘ＝
０．０１〜０．１）の組成を有する酸化物超電導体であ
ることを特徴としている。
状態から常電導状態への転移時の抵抗発生により短絡電
流を抑制する超電導体を用いた限流素子であって、超電
導体は、Ｙ1-X ＰｒX Ｂａ2 Ｃｕ3 Ｏ7 （ただし、Ｘ＝
０．０１〜０．１）の組成を有する酸化物超電導体であ
ることを特徴としている。
【０００８】請求項３の発明による限流素子は、超電導
状態から常電導状態への転移時の抵抗発生により短絡電
流を抑制する超電導体を用いた限流素子であって、超電
導体は、Ｙ1 Ｂａ2 Ｃｕ3-X ＦｅX Ｏ7 （ただし、Ｘ＝
０．０１〜０．１）の組成を有する酸化物超電導体であ
ることを特徴としている。
状態から常電導状態への転移時の抵抗発生により短絡電
流を抑制する超電導体を用いた限流素子であって、超電
導体は、Ｙ1 Ｂａ2 Ｃｕ3-X ＦｅX Ｏ7 （ただし、Ｘ＝
０．０１〜０．１）の組成を有する酸化物超電導体であ
ることを特徴としている。
【０００９】請求項４の発明による限流素子は、超電導
状態から常電導状態への転移時の抵抗発生により短絡電
流を抑制する超電導体を用いた限流素子であって、超電
導体は、Ｙ1 Ｂａ2 Ｃｕ3-X ＣｒX Ｏ7 （ただし、Ｘ＝
０．０１〜０．２）の組成を有する酸化物超電導体であ
ることを特徴としている。
状態から常電導状態への転移時の抵抗発生により短絡電
流を抑制する超電導体を用いた限流素子であって、超電
導体は、Ｙ1 Ｂａ2 Ｃｕ3-X ＣｒX Ｏ7 （ただし、Ｘ＝
０．０１〜０．２）の組成を有する酸化物超電導体であ
ることを特徴としている。
【００１０】
【作用】請求項１の発明によれば、Ｙ1-X ＴｂX Ｂａ2
Ｃｕ3 Ｏ7 （ただし、Ｘ＝０．０５〜０．５）の組成で
表わされる酸化物超電導体が用いられる。Ｙ1 Ｂａ2 Ｃ
ｕ3 Ｏ7 酸化物超電導体に上記含有量内においてＴｂを
添加すると、常電導状態での抵抗率増加を引き起こす。
一方、Ｔｂの添加によっても、その結晶構造は影響され
ず、超電導特性の大きな変化は招かれない。この性質を
利用し、超電導状態から常電導状態への転移時の抵抗発
生により、大電流を急峻に抑制する限流素子として適用
することが可能となる。なお、上記含有量以上のＴｂを
添加すると、相転移を引き起こして超電導性は消失す
る。
Ｃｕ3 Ｏ7 （ただし、Ｘ＝０．０５〜０．５）の組成で
表わされる酸化物超電導体が用いられる。Ｙ1 Ｂａ2 Ｃ
ｕ3 Ｏ7 酸化物超電導体に上記含有量内においてＴｂを
添加すると、常電導状態での抵抗率増加を引き起こす。
一方、Ｔｂの添加によっても、その結晶構造は影響され
ず、超電導特性の大きな変化は招かれない。この性質を
利用し、超電導状態から常電導状態への転移時の抵抗発
生により、大電流を急峻に抑制する限流素子として適用
することが可能となる。なお、上記含有量以上のＴｂを
添加すると、相転移を引き起こして超電導性は消失す
る。
【００１１】請求項２の発明によれば、Ｙ1-X ＰｒX Ｂ
ａ2 Ｃｕ3 Ｏ7 （ただし、Ｘ＝０．０１〜０．１）の組
成で表わされる酸化物超電導体が用いられる。Ｙ1 Ｂａ
2 Ｃｕ3 Ｏ7 酸化物超電導体に上記含有量内においてＰ
ｒを添加すると、常電導状態での抵抗率増加を引き起こ
す。一方、このＰｒ添加により、超電導特性は若干の劣
化を示すが、急激に超電導性を低下させるものではな
い。この性質を利用し、超電導状態から常電導状態への
転移時の抵抗発生により、大電流を急峻に抑制する限流
素子として適用することが可能となる。なお、上記含有
量以上のＰｒを添加すると、相転移を引き起こして超電
導性は消失する。
ａ2 Ｃｕ3 Ｏ7 （ただし、Ｘ＝０．０１〜０．１）の組
成で表わされる酸化物超電導体が用いられる。Ｙ1 Ｂａ
2 Ｃｕ3 Ｏ7 酸化物超電導体に上記含有量内においてＰ
ｒを添加すると、常電導状態での抵抗率増加を引き起こ
す。一方、このＰｒ添加により、超電導特性は若干の劣
化を示すが、急激に超電導性を低下させるものではな
い。この性質を利用し、超電導状態から常電導状態への
転移時の抵抗発生により、大電流を急峻に抑制する限流
素子として適用することが可能となる。なお、上記含有
量以上のＰｒを添加すると、相転移を引き起こして超電
導性は消失する。
【００１２】請求項３の発明によれば、Ｙ1 Ｂａ2 Ｃｕ
3-X ＦｅX Ｏ7 （ただし、Ｘ＝０．０１〜０．１）の組
成で表わされる酸化物超電導体が用いられる。Ｙ1 Ｂａ
2 Ｃｕ3 Ｏ7 酸化物超電導体に上記含有量内においてＦ
ｅを添加すると、常電導状態での抵抗率増加を引き起こ
す。一方、このＦｅ添加により、超電導特性は若干の劣
化を示すが、急激に超電導性を低下させるものではな
い。この性質を利用し、超電導状態から常電導状態への
転移時の抵抗発生により、大電流を急峻に抑制する限流
素子として適用することが可能となる。なお、上記含有
量以上のＦｅを添加すると、Ｘ＝１程度までは、相転移
を発生せず超電導性を示すが、重大な臨界電流密度の低
下を招く。１＜Ｘ＜３の範囲内では、相転移を起こして
超電導性は消失する。
3-X ＦｅX Ｏ7 （ただし、Ｘ＝０．０１〜０．１）の組
成で表わされる酸化物超電導体が用いられる。Ｙ1 Ｂａ
2 Ｃｕ3 Ｏ7 酸化物超電導体に上記含有量内においてＦ
ｅを添加すると、常電導状態での抵抗率増加を引き起こ
す。一方、このＦｅ添加により、超電導特性は若干の劣
化を示すが、急激に超電導性を低下させるものではな
い。この性質を利用し、超電導状態から常電導状態への
転移時の抵抗発生により、大電流を急峻に抑制する限流
素子として適用することが可能となる。なお、上記含有
量以上のＦｅを添加すると、Ｘ＝１程度までは、相転移
を発生せず超電導性を示すが、重大な臨界電流密度の低
下を招く。１＜Ｘ＜３の範囲内では、相転移を起こして
超電導性は消失する。
【００１３】請求項４の発明によれば、Ｙ1 Ｂａ2 Ｃｕ
3-X ＣｒX Ｏ7 （ただし、Ｘ＝０．０１〜０．２）の組
成で表わされる酸化物超電導体が用いられる。Ｙ1 Ｂａ
2 Ｃｕ3 Ｏ7 酸化物超電導体に上記含有量内においてＣ
ｒを添加すると、常電導状態での抵抗率増加を引き起こ
す。一方、このＣｒ添加により、超電導特性は若干の劣
化を示すが、急激に超電導性を低下させるものではな
い。この性質を利用し、超電導状態から常電導状態への
転移時の抵抗発生により、大電流を急峻に抑制する限流
素子として適用することが可能となる。なお、上記含有
量以上のＣｒを添加すると、Ｘ＝１．５程度までは、相
転移を発生せず超電導性を示すが、重大な臨界電流密度
の低下を招く。１．５＜Ｘ＜３の範囲内では、相転移を
起こして超電導性は消失する。
3-X ＣｒX Ｏ7 （ただし、Ｘ＝０．０１〜０．２）の組
成で表わされる酸化物超電導体が用いられる。Ｙ1 Ｂａ
2 Ｃｕ3 Ｏ7 酸化物超電導体に上記含有量内においてＣ
ｒを添加すると、常電導状態での抵抗率増加を引き起こ
す。一方、このＣｒ添加により、超電導特性は若干の劣
化を示すが、急激に超電導性を低下させるものではな
い。この性質を利用し、超電導状態から常電導状態への
転移時の抵抗発生により、大電流を急峻に抑制する限流
素子として適用することが可能となる。なお、上記含有
量以上のＣｒを添加すると、Ｘ＝１．５程度までは、相
転移を発生せず超電導性を示すが、重大な臨界電流密度
の低下を招く。１．５＜Ｘ＜３の範囲内では、相転移を
起こして超電導性は消失する。
【００１４】
（実施例１）以下に示すように、Ｙ1-X ＴｂX Ｂａ2 Ｃ
ｕ3 Ｏ7 （ただし、Ｘ＝０．０５〜０．５）の組成を有
する酸化物超電導体を使用した限流素子を作製した。
ｕ3 Ｏ7 （ただし、Ｘ＝０．０５〜０．５）の組成を有
する酸化物超電導体を使用した限流素子を作製した。
【００１５】まず、ＭｇＯ単結晶基板（１１０）面上
に、Ｘの値が表１に示すような上記酸化物超電導膜を、
レーザアブーション法により１．５μｍ形成した。次い
で、フォトリソグラフィを用いて超電導膜上にレジスト
パターンを形成した後、エッチングした。
に、Ｘの値が表１に示すような上記酸化物超電導膜を、
レーザアブーション法により１．５μｍ形成した。次い
で、フォトリソグラフィを用いて超電導膜上にレジスト
パターンを形成した後、エッチングした。
【００１６】図１は、このようにして作製された限流素
子を示す斜視図である。図１を参照して、この限流素子
１は、ＭｇＯ単結晶基板２と、基板２上に形成されたパ
ターニングされた酸化物超電導膜３とから構成されてい
る。
子を示す斜視図である。図１を参照して、この限流素子
１は、ＭｇＯ単結晶基板２と、基板２上に形成されたパ
ターニングされた酸化物超電導膜３とから構成されてい
る。
【００１７】このように構成される限流素子１につい
て、以下のような限流実験を行なった。
て、以下のような限流実験を行なった。
【００１８】図２は、この実験で用いた測定回路を示す
図である。図２を参照して、作製した限流素子１に、５
Ωの負荷抵抗４を直列に接続し、それを短絡させるため
のスイッチ５を並列に接続した。この回路に、交流電源
６より３００Ｖの交流電圧を印加し、負荷短絡前と短絡
後の電流値を電流計７により測定した。これらの結果
を、表１にまとめる。
図である。図２を参照して、作製した限流素子１に、５
Ωの負荷抵抗４を直列に接続し、それを短絡させるため
のスイッチ５を並列に接続した。この回路に、交流電源
６より３００Ｖの交流電圧を印加し、負荷短絡前と短絡
後の電流値を電流計７により測定した。これらの結果
を、表１にまとめる。
【００１９】なお、比較のため、Ｔｂを添加していない
Ｙ1 Ｂａ2 Ｃｕ3 Ｏ7 の組成を有する酸化物超電導体を
使用した限流素子を作製し、同様の測定を行なった。こ
の結果を、Ｘ＝０の場合として、表１に合わせて示す。
Ｙ1 Ｂａ2 Ｃｕ3 Ｏ7 の組成を有する酸化物超電導体を
使用した限流素子を作製し、同様の測定を行なった。こ
の結果を、Ｘ＝０の場合として、表１に合わせて示す。
【００２０】
【表１】
【００２１】表１より明らかなように、Ｘ＝０．５の本
発明例の限流素子は、Ｘ＝０の比較例の限流素子に対し
て、短絡後の電流が１／１０になっており、本発明が有
効であることがわかる。すなわち、Ｔｂの添加により、
顕著な短絡電流の抑制が確認された。
発明例の限流素子は、Ｘ＝０の比較例の限流素子に対し
て、短絡後の電流が１／１０になっており、本発明が有
効であることがわかる。すなわち、Ｔｂの添加により、
顕著な短絡電流の抑制が確認された。
【００２２】（実施例２）以下に示すように、Ｙ1-X Ｐ
ｒX Ｂａ2 Ｃｕ3 Ｏ7 （ただし、Ｘ＝０．０１〜０．
１）の組成を有する酸化物超電導体を使用した限流素子
を作製した。
ｒX Ｂａ2 Ｃｕ3 Ｏ7 （ただし、Ｘ＝０．０１〜０．
１）の組成を有する酸化物超電導体を使用した限流素子
を作製した。
【００２３】ＭｇＯ単結晶基板（１１０）面上に、Ｘの
値が表２に示すような上記酸化物超電導膜を形成し、パ
ターニングを施した。なお、作製方法は実施例１と同様
であるので、その説明は省略する。
値が表２に示すような上記酸化物超電導膜を形成し、パ
ターニングを施した。なお、作製方法は実施例１と同様
であるので、その説明は省略する。
【００２４】このようにして得られた限流素子につい
て、図２に示す測定回路を用いて、実施例１と同様に限
流実験を行なった。なお、実験方法については実施例１
と全く同様であるので、その説明は省略する。
て、図２に示す測定回路を用いて、実施例１と同様に限
流実験を行なった。なお、実験方法については実施例１
と全く同様であるので、その説明は省略する。
【００２５】限流実験の結果を表２に示す。
【００２６】
【表２】
【００２７】表２より明らかなように、Ｐｒの添加によ
り、実施例１と同様に顕著な短絡電流の抑制が確認され
た。
り、実施例１と同様に顕著な短絡電流の抑制が確認され
た。
【００２８】（実施例３）以下に示すように、Ｙ1 Ｂａ
2 Ｃｕ3-X ＦｅX Ｏ7 （ただし、Ｘ＝０．０１〜０．
１）の組成を有する酸化物超電導体を使用した限流素子
を作製した。
2 Ｃｕ3-X ＦｅX Ｏ7 （ただし、Ｘ＝０．０１〜０．
１）の組成を有する酸化物超電導体を使用した限流素子
を作製した。
【００２９】ＭｇＯ単結晶基板（１１０）面上に、Ｘの
値が表３に示すような上記酸化物超電導膜を形成し、パ
ターニングを施した。なお、作製方法は実施例１と同様
であるので、その説明は省略する。
値が表３に示すような上記酸化物超電導膜を形成し、パ
ターニングを施した。なお、作製方法は実施例１と同様
であるので、その説明は省略する。
【００３０】このようにして得られた限流素子につい
て、図２に示す測定回路を用いて、実施例１と同様に限
流実験を行なった。ただし、Ｆｅ添加により若干の臨界
電流密度の低下が認められたため、負荷抵抗を５Ωから
８Ωに変更した。他の実験方法については実施例１と全
く同様であるので、その説明は省略する。
て、図２に示す測定回路を用いて、実施例１と同様に限
流実験を行なった。ただし、Ｆｅ添加により若干の臨界
電流密度の低下が認められたため、負荷抵抗を５Ωから
８Ωに変更した。他の実験方法については実施例１と全
く同様であるので、その説明は省略する。
【００３１】限流実験の結果を表３に示す。
【００３２】
【表３】
【００３３】表３より明らかなように、Ｆｅの添加によ
り、実施例１と同様に顕著な短絡電流の抑制が確認され
た。
り、実施例１と同様に顕著な短絡電流の抑制が確認され
た。
【００３４】（実施例４）以下に示すように、Ｙ1 Ｂａ
2 Ｃｕ3-X ＣｒX Ｏ7 （ただし、Ｘ＝０．０１〜０．
２）の組成を有する酸化物超電導体を使用した限流素子
を作製した。
2 Ｃｕ3-X ＣｒX Ｏ7 （ただし、Ｘ＝０．０１〜０．
２）の組成を有する酸化物超電導体を使用した限流素子
を作製した。
【００３５】ＭｇＯ単結晶基板（１１０）面上に、Ｘの
値が表４に示すような上記酸化物超電導膜を形成し、パ
ターニングを施した。なお、作製方法は実施例１と同様
であるので、その説明は省略する。
値が表４に示すような上記酸化物超電導膜を形成し、パ
ターニングを施した。なお、作製方法は実施例１と同様
であるので、その説明は省略する。
【００３６】このようにして得られた限流素子につい
て、図２に示す測定回路を用いて、実施例１と同様に限
流実験を行なった。ただし、Ｃｒ添加により若干の臨界
電流密度の低下が認められたため、負荷抵抗を５Ωから
８Ωに変更した。他の実験方法については実施例１と全
く同様であるので、その説明は省略する。
て、図２に示す測定回路を用いて、実施例１と同様に限
流実験を行なった。ただし、Ｃｒ添加により若干の臨界
電流密度の低下が認められたため、負荷抵抗を５Ωから
８Ωに変更した。他の実験方法については実施例１と全
く同様であるので、その説明は省略する。
【００３７】限流実験の結果を表４に示す。
【００３８】
【表４】
【００３９】表４より明らかなように、Ｃｒの添加によ
り、実施例１と同様に顕著な短絡電流の抑制が確認され
た。
り、実施例１と同様に顕著な短絡電流の抑制が確認され
た。
【００４０】上記実施例１〜４の結果より、限流素子に
おいては、Ｔｂ、Ｐｒ、ＦｅまたはＣｒのいずれの元素
を添加した場合にも、良好な限流特性が得られたが、臨
界電流を変化させないという点で、ＴｂまたはＰｒの添
加が特に有効であることが確認された。
おいては、Ｔｂ、Ｐｒ、ＦｅまたはＣｒのいずれの元素
を添加した場合にも、良好な限流特性が得られたが、臨
界電流を変化させないという点で、ＴｂまたはＰｒの添
加が特に有効であることが確認された。
【００４１】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、常電導転移時の抵抗値が高い、優れた限流特性を有
する限流素子が得られる。
ば、常電導転移時の抵抗値が高い、優れた限流特性を有
する限流素子が得られる。
【図１】この発明による限流素子の一例を示す斜視図で
ある。
ある。
【図２】実施例の限流素子の限流実験で用いた測定回路
を示す図である。
を示す図である。
１ 限流素子 ３ 酸化物超電導膜 なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 林 憲器 大阪市此花区島屋一丁目１番３号 住友電 気工業株式会社大阪製作所内
Claims (4)
- 【請求項１】 超電導状態から常電導状態への転移時の
抵抗発生により短絡電流を抑制する超電導体を用いた限
流素子であって、 前記超電導体は、Ｙ1-X ＴｂX Ｂａ2 Ｃｕ3 Ｏ7 （ただ
し、Ｘ＝０．０５〜０．５）の組成を有する酸化物超電
導体であることを特徴とする、限流素子。 - 【請求項２】 超電導状態から常電導状態への転移時の
抵抗発生により短絡電流を抑制する超電導体を用いた限
流素子であって、 前記超電導体は、Ｙ1-X ＰｒX Ｂａ2 Ｃｕ3 Ｏ7 （ただ
し、Ｘ＝０．０１〜０．１）の組成を有する酸化物超電
導体であることを特徴とする、限流素子。 - 【請求項３】 超電導状態から常電導状態への転移時の
抵抗発生により短絡電流を抑制する超電導体を用いた限
流素子であって、 前記超電導体は、Ｙ1 Ｂａ2 Ｃｕ3-X ＦｅX Ｏ7 （ただ
し、Ｘ＝０．０１〜０．１）の組成を有する酸化物超電
導体であることを特徴とする、限流素子。 - 【請求項４】 超電導状態から常電導状態への転移時の
抵抗発生により短絡電流を抑制する超電導体を用いた限
流素子であって、 前記超電導体は、Ｙ1 Ｂａ2 Ｃｕ3-X ＣｒX Ｏ7 （ただ
し、Ｘ＝０．０１〜０．２）の組成を有する酸化物超電
導体であることを特徴とする、限流素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6050552A JPH07264774A (ja) | 1994-03-22 | 1994-03-22 | 限流素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6050552A JPH07264774A (ja) | 1994-03-22 | 1994-03-22 | 限流素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07264774A true JPH07264774A (ja) | 1995-10-13 |
Family
ID=12862185
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6050552A Pending JPH07264774A (ja) | 1994-03-22 | 1994-03-22 | 限流素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07264774A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017145401A1 (ja) * | 2016-02-26 | 2017-08-31 | 株式会社 東芝 | 酸化物超電導体及びその製造方法 |
| JP2020074284A (ja) * | 2016-08-31 | 2020-05-14 | 株式会社東芝 | 超電導線材、超電導コイル及び超電導機器 |
-
1994
- 1994-03-22 JP JP6050552A patent/JPH07264774A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017145401A1 (ja) * | 2016-02-26 | 2017-08-31 | 株式会社 東芝 | 酸化物超電導体及びその製造方法 |
| JPWO2017145401A1 (ja) * | 2016-02-26 | 2018-04-26 | 株式会社東芝 | 酸化物超電導体及びその製造方法 |
| US10916361B2 (en) | 2016-02-26 | 2021-02-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Oxide superconductor and method for manufacturing the same |
| US11501899B2 (en) | 2016-02-26 | 2022-11-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Oxide superconductor and method for manufacturing the same |
| JP2020074284A (ja) * | 2016-08-31 | 2020-05-14 | 株式会社東芝 | 超電導線材、超電導コイル及び超電導機器 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020611 |