JPH07264042A - 高速インタフェース回路 - Google Patents

高速インタフェース回路

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Publication number
JPH07264042A
JPH07264042A JP6047490A JP4749094A JPH07264042A JP H07264042 A JPH07264042 A JP H07264042A JP 6047490 A JP6047490 A JP 6047490A JP 4749094 A JP4749094 A JP 4749094A JP H07264042 A JPH07264042 A JP H07264042A
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JP
Japan
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circuit
current
output
signal
input
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Withdrawn
Application number
JP6047490A
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English (en)
Inventor
Norio Ueno
典夫 上野
Satoru Matsuyama
哲 松山
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Priority to US08/320,068 priority patent/US5512853A/en
Publication of JPH07264042A publication Critical patent/JPH07264042A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/0175Coupling arrangements; Interface arrangements
    • H03K19/0185Coupling arrangements; Interface arrangements using field effect transistors only
    • H03K19/018507Interface arrangements
    • H03K19/018514Interface arrangements with at least one differential stage

Abstract

(57)【要約】 【目的】IC間の信号インタフェースをとる回路に関
し、インタフェース用信号として電流信号を用いて高速
化した高速インタフェース回路を提供する。 【構成】所定値の電流を供給する電流源1と、2値信号
に応じてこの電流を断続して電流信号としてPCB配線
2に送出するスイッチ回路3とからなる出力回路4を送
信側のICに設けるとともに、PCB配線2と整合した
入力インピーダンスを有し、電流信号を電圧信号に変換
するトランスインピーダンス回路5と、この電圧信号を
所定の閾値で識別してもとの2値信号を再生する比較回
路6とからなる入力回路7を受信側のICに設けて、こ
の出力回路4と入力回路7とによって、PCB配線2を
介して送信側のICと受信側のICとのインタフェース
をとるように構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、集積回路(IC)間の
信号インタフェースをとるインタフェース回路に関し、
特にIC間インタフェース用信号として電流信号を用い
ることによって高速化した、高速インタフェース回路に
関するものである。
【0002】CMOSプロセスの微細化に伴ってCMO
S ICも、その内部回路では数百MHzでの動作も可能
になったが、入出力部に設けられるインタフェース回路
部が高速化されないため、全体としての高速化が妨げら
れている。
【0003】そこで、CMOS ICのインタフェース
回路を高速化することによって、CMOS ICからな
る回路が、外部的に、その内部動作の速度に見合った高
速動作が可能になるようにすることが求められている。
【0004】
【従来の技術】従来、CMOS ICは、バイポーラI
Cやガリウム砒素(GaAs)ICに比較して動作速度
が遅かったが、近年において、CMOSプロセスの微細
化に伴って、IC内部では、数百MHzまでの動作が可能
となってきた。しかしながら、CMOS ICの入出力
部に設けられるESD(静電破壊防止)対策用の保護回
路の持つ寄生容量や、ボンデングパッドの寄生容量のた
め、インタフェース回路部での高速信号の入出力が妨げ
られている。
【0005】図11は、従来のCMOSインタフェース
回路を示したものであって、(a)は回路構成を示し、
(b)は入出力信号を示したものである。
【0006】IC1は送信側のCMOS ICを示し、
101はIC1に設けられた出力バッファである。また
IC2は受信側のCMOS ICを示し、102はIC
2に設けられた入力バッファである。Lは、IC1とI
C2とを結ぶプリント板(PCB)配線である。103
はPCB配線L上においてIC2の入力端に設けられた
ESD対策用保護回路である。PCB配線LとESD保
護回路103とは、全体として10pF程度の寄生容量
Cを有し、これが高速信号の入出力を妨げる原因になっ
ている。
【0007】従来のCMOSインタフェース回路におい
ては、送信側のIC1における出力バッファ1と、受信
側のIC2における入力バッファ2との間の入出力信号
としては、一般に、図11(b)に示すように、5Vの
振幅を有する信号が用いられている。
【0008】従来の高速インタフェース回路の主流は、
バイポーラのECLインタフェースであって、CMOS
ICもECLインタフェースを用いた場合は、例えば
100MHz程度の高速動作が可能である。しかしなが
ら、ECLインタフェースは消費電力が大きいという欠
点がある。
【0009】メモリやマイクロプロセッサ等のICにお
けるインタフェース回路は、例えば32ビットパラレル
でインタフェースすることが必要なものもあるが、この
ような場合は、入出力部におけるインタフェース回路で
の消費電力が増加するため、チップ温度の上昇や信頼性
の観点から問題となり、これが逆に高速性を阻害する原
因になっている。
【0010】一方、マイクロプロセッサ等の既存IC
は、従来、電源(+5V)で動作するのが一般的である
が、今後の動向として低電圧(+3V)化が課題となっ
ている。その場合、PCB内を単一電源で統一すること
が経済的であり、従ってインタフェース回路としても、
低電圧で動作可能なものが必要となっている。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来、C
MOS ICのインタフェース回路は、高速動作を行わ
せようとすると、ECLインタフェースを用いなければ
ならないため、消費電力が増加するとともに高価なもの
となり、経済性のよいCMOSプロセスを用いようとす
ると、高速化できないという問題があった。
【0012】また、低電圧化の傾向に合わせて、低電圧
動作可能なインタフェース回路が必要となっているが、
従来、このようなインタフェース回路は実現されていな
いという問題があった。
【0013】本発明は、このような従来技術の課題を解
決しようとするものであって、CMOS ICの高速イ
ンタフェース回路を、CMOSプロセスを用いて実現可
能にするとともに、低電圧で動作可能なインタフェース
回路を提供できるようにすることを目的としている。
【0014】また本発明は、この際、受信側で信号を識
別する閾値電圧を安定化することによって、CMOSプ
ロセス変動等の影響を受けにくいインタフェース回路を
実現することを目的としている。
【0015】
【課題を解決するための手段】本発明の高速インタフェ
ース回路では、CMOS ICに対してCMOSプロセ
スによるインタフェース回路を用い、インタフェース信
号として電流を用いて、入出力端子における電圧振幅を
小さくして、PCB配線の寄生容量による影響を受けに
くくすることによって、広帯域化を図り高速化を可能に
するとともに、低電圧化も可能にしている。この場合、
受信側における信号識別の閾値を送信側から設定するこ
とによって、CMOSプロセスの変動によって、動作に
影響を受けにくいインタフェース回路を実現し、小さい
信号電流で安定にインタフェースを行わせることができ
るようにする。
【0016】
【作用】図1は、本発明の原理的構成を示したものであ
って、(a)は並列伝送用インタフェース回路を示し、
(b)は単独伝送用インタフェース回路を示している。
【0017】(1) 本発明の高速インタフェース回路は、
図1(a)に示されるように、送信側のICに、所定値
の電流を供給する電流源1と、2値信号に応じて電流源
1の電流を断続して電流信号としてPCB配線2に送出
するスイッチ回路3とからなる出力回路4を有する。
【0018】また受信側のICに、PCB配線2と整合
した入力インピーダンスを有し、送信側のICからの電
流信号を電圧信号に変換するトランスインピーダンス回
路5と、この電圧信号を所定の閾値で識別してもとの2
値信号を再生する比較回路6とからなる入力回路7を有
する。
【0019】そして、出力回路4と入力回路7とによっ
て、PCB配線2を介して、送信側のICと受信側のI
Cとのインタフェースをとる。このように本発明の高速
インタフェース回路では、2値信号を電流信号の形でイ
ンタフェースするので、PCB配線に付随する寄生容量
等の影響を受けることなく、高速動作を行うことがで
き、また低電圧化が可能となる。図1(a)の構成は、
多数ビットの並列伝送を行う場合に適している。
【0020】(2) (1) の場合の電流源1は、Pチャネル
トランジスタによって実現することができる。
【0021】(3) (1) の場合のスイッチ回路3は、2値
信号に応じて交互にオン,オフして、電流源1の電流を
PCB配線2と接地とに切り替えて出力する、CMOS
トランジスタ16,17からなる、アナログスイッチに
よって、実現することができる。
【0022】(4) (1) の場合のトランスインピーダンス
回路5は、所定値の抵抗23を介して負帰還を施すこと
によって、PCB配線2と整合する入力インピーダンス
を呈する、所定利得の反転増幅器22によって実現する
ことができる。
【0023】(5) (4) の場合の所定値の抵抗23は、ド
レインとソースを増幅器22の入力と出力に接続された
第1のCMOSトランジスタ35から構成し、これに、
第1のCMOSトランジスタ35と同じドレイン電圧と
ソース電圧を与えられ、所定値の電流を強制的に流すこ
とによって、所定の抵抗値を実現した第2のCMOSト
ランジスタ36と同一のゲート電圧を与えることによっ
て実現することができる。
【0024】(6) (1) の場合の比較回路6に対する閾値
電圧の設定は、送信側のICに、出力回路4の電流源1
の1/2の電流を供給する電流源18’と、この電流を
PCB配線2に送出するトランジスタ16’とを設け、
受信側のICに、PCB配線2と整合した入力インピー
ダンスを有し、この電流を電圧に変換するトランスイン
ピーダンス回路5’を設けて、変換された電圧を閾値電
圧として比較回路6に供給することによって行うことが
できる。
【0025】従って、本発明の高速インタフェース回路
では、CMOSプロセスの変動によって、動作に影響を
受けにくいインタフェース回路を実現し、小さい信号電
流で安定にインタフェースを行わせることが可能とな
る。
【0026】(7) 本発明の高速インタフェース回路は、
図1(b)に示されるように、送信側のICに、所定値
の電流を供給する電流源1と、2値信号に応じて電流源
1の電流を第1のPCB配線2と第2のPCB配線2’
とに交互に切り替えて電流信号として送出するスイッチ
回路3’とからなる差動出力回路8を有する。
【0027】また受信側のICに、PCB配線2と整合
した入力インピーダンスを有し、PCB配線2の電流信
号を電圧信号に変換する第1のトランスインピーダンス
回路5と、PCB配線2’と整合した入力インピーダン
スを有し、PCB配線2’の電流信号を電圧信号に変換
する第2のトランスインピーダンス回路5’と、第1の
トランスインピーダンス回路5の出力と、第2のトラン
スインピーダンス回路5’の出力とを比較して、もとの
2値信号を再生する比較回路6とからなる差動入力回路
9を有する。
【0028】そして、差動出力回路8と差動入力回路9
とによって、両PCB配線2,2’を介して送信側のI
Cと受信側のICとのインタフェースをとる。このよう
に本発明の高速インタフェース回路では、2値信号を電
流信号の形でインタフェースするので、PCB配線に付
随する寄生容量等の影響を受けることなく、高速動作を
行うことができ、また低電圧化が可能となる。図1
(b)の構成は、1ビットの信号または少数ビットの信
号の伝送を行う場合に適している。
【0029】(8) (1) または (7)の場合に、トランスイ
ンピーダンス回路5と同等の回路からなる整合回路51
を出力回路4の出力端に並列に設け、この出力端でPC
B配線とのインピーダンス整合をとるようにする。
【0030】このようにすることによって、本発明の信
号インタフェース回路において、出力端においても、P
CB配線とのインピーダンス整合をとることができるよ
うになる。
【0031】(9) (1) または (7)の場合に、トランスイ
ンピーダンス回路5と同等の回路からなる入力バッファ
52を出力回路4の出力端に並列に設け、この出力端に
入出力バッファを形成するようにする。また、出力回路
4と同等の回路からなる出力バッファ53を入力回路5
の入力端に並列に設け、この入力端にも入出力バッファ
を形成するようにする。
【0032】このようにすることによって、本発明の信
号インタフェース回路において、出力端に入出力バッフ
ァを形成して、双方向に信号伝送を行うことができるよ
うになる。
【0033】
【実施例】図2は、本発明の実施例(1) を示したもので
あって、(a)は回路構成を示し、(b)は信号波形を
示している。図11におけると同じものを同じ番号で示
し、送信側のIC1において、11,12は送信バッフ
ァを構成する差動接続トランジスタであって、それぞれ
ゲートに入力信号と基準信号Vref を与えられ、電流源
13から例えば0.1mAの定電流を供給されたとき、
抵抗値Rを有する負荷抵抗14,15に出力電圧を発生
する。16,17はアナログスイッチを構成するトラン
ジスタであって、負荷抵抗14,15からそれぞれのゲ
ートを駆動されることによって、電源電圧3.3Vから
電流源18を介して例えば2mAを供給されて、出力端
子側と接地側に交互に2mAの電流を流す。19は出力
端子に挿入されたESD対策用の保護回路である。電流
源13,18は、Pチャネルトランジスタからなってい
る。図中、11〜18はスイッチ回路3を構成する。
【0034】受信側のIC2において、21は入力端子
に挿入されたESD対策用の保護回路である。22は抵
抗23によって負帰還を施された増幅器である。24は
比較回路であって、増幅器22の出力電圧を閾値と比較
して出力を発生する。この場合の送受両端間の寄生容量
Cは、PCB配線Lの容量と、送信側の保護回路19お
よび受信側の保護回路21の容量との和であって、例え
ば10pf程度の値を有している。図中、22,23
は、トランスインピーダンス回路5を構成する。
【0035】図2(a)に示された高速インタフェース
回路では、スイッチ回路3は、電流源18の電流をスイ
ッチ16,17で切り替えることによって、一定電流を
断にしたときローレベルとなり、一定電流を流したとき
ハイレベルとなる出力を発生する。増幅器22は、動作
周波数300MHz以上で利得5倍の反転増幅器に対し
て、250Ωの抵抗23で帰還を施して負帰還増幅器を
構成することによって、電流信号を電圧信号に変換する
トランスインピーダンス回路を形成し、その入力インピ
ーダンスは50Ωとなる。
【0036】この増幅器の入力部に、送信側のICから
の断続的な電流信号を接続する。この電流信号の振幅を
2mAとすると、PCB配線Lの信号振幅は0.1V
p-p であって、極めて小さい。増幅器22を5倍の反転
増幅器で構成したとき、その出力に、図2(b)に示す
ように0.5Vp-p の振幅を有する電圧信号を生じる。
【0037】図2に示された高速インタフェース回路の
周波数帯域Fc は、負帰還増幅器の入力部における全体
の寄生容量C,帰還抵抗Rf および増幅器利得Gとによ
って次式によって定まる。 Fc =G/2πCR いま、増幅器利得G=5,寄生容量C=10pF,帰還
抵抗Rf=250Ωとすると、周波数帯域は次のように
なる。 Fc =318MHz
【0038】図3は、所定利得を有する増幅器の構成例
を示したものであって、利得5倍の反転増幅器を示し、
31,32はそれぞれpチャネルトランジスタ、33は
例えば定電流2mAを供給する、pチャネルトランジス
タからなる電流源である。
【0039】図3に示された増幅器においては、トラン
ジスタ31,32のそれぞれのチャネル幅をW1,W2
としたとき、W1=W2×5とすることによって、利得
G=W1/W2=5に設定することができる。
【0040】図4は、トランスインピーダンス回路用の
帰還抵抗の構成例を示したものであって、CMOSプロ
セスによって実現した場合を示している。図2における
と同じものを同じ番号で示し、35は帰還抵抗を形成す
るトランジスタ、36はトランジスタ35のレプリカで
あるトランジスタ、37は例えば1mAの電流源、38
は演算増幅器である。
【0041】一般に、半導体プロセス内で半導体抵抗を
構成した場合のばらつきは大きく、その精度は±30%
程度の変動を免れない。しかしながら、図4に示された
ように、トランスインピーダンス回路用負帰還抵抗をト
ランジスタ35で構成し、トランジスタ35と同じ大き
さのトランジスタ36に、トランジスタ35のドレイ
ン,ソース電圧に相当する電圧を擬似的に印加して、強
制的に所定の電流が流れ込むように構成し、そのときの
ゲート電圧をトランジスタ35に印加することによっ
て、所要の抵抗値を実現することができる。
【0042】図4において、演算増幅器38の出力をト
ランジスタ36のゲートに接続し、演算増幅器38の正
相入力端にはトランジスタ35のソース電圧に相当する
電圧を印加し、演算増幅器38の反転入力端にはトラン
ジスタ36のソースを接続し、トランジスタ36のドレ
インにはトランジスタ35のドレイン電圧に相当する電
圧を印加する。
【0043】例えば、トランジスタ36のドレイン側電
圧1.7V,ソース側電圧1.45Vのとき、ドレイ
ン,ソース電圧は250mVとなる。これに電流源37
から1mAを流すようにすれば、負帰還抵抗として、 Rf=(1.75−1.45)/0.001=250
(Ω) を実現することができる。
【0044】そしてこのとき、トランジスタ36のゲー
ト電圧が250Ωを実現する電圧になっているので、こ
の電圧をトランジスタ35のゲートに加えることによっ
て、トランジスタ35も250Ωの抵抗として動作す
る。従って図4に示された回路をトランスインピーダン
ス回路として使用することによって、IC内部におい
て、インタフェース回路を、PCB配線のインピーダン
ス(50Ω)と等価なインピーダンスで終端することが
可能となる。
【0045】図5は、本発明の実施例(2) を示したもの
であって、8ビット,16ビットまたは32ビットのパ
ラレルインタフェースを形成した場合を示し、送信側の
IC1において、201,202,…,20n は図2に示さ
れたものと同じ出力回路、26は閾値電流発生用出力回
路である。受信側のIC2において、221,222,…,
22n ,22n+1 は図2に示されたものと同じ増幅器、
231,232,…,23 n ,23n+1 は図2に示されたも
のと同じ負帰還用抵抗、241,242,, 24 n は図1
に示されたものと同じ比較回路である。27は増幅器で
あって、閾値電圧供給回路を構成する。また、L1,2,
, n ,Ln+1 はPCB配線である。
【0046】実施例(2) においては、図2に示されたよ
うな高速インタフェース回路を送受対向で、n(n=
8,16または32)本用意し、それぞれ電流iによっ
て送信側の出力回路から、受信側の入力回路へ信号を伝
送する。このとき、図2(b)に示された信号振幅の中
心値付近に、次段入力をスライスする比較回路の閾値を
設定するようにして、このスライサ出力のパルス幅変動
を抑える必要がある。
【0047】送信側の閾値電流発生用出力回路26は、
各出力回路201,202,…,20nの出力電流iの1/
2の大きさを有する出力電流i/2を発生し、受信側の
増幅器22n+1 はこれを各増幅器221,222,…,22
n の出力電圧の1/2の大きさを有する電圧に変換す
る。閾値電圧供給回路27は、この電圧を各比較回路2
1,242,, 24n に対して、入力電圧をスライス
(識別)するための閾値として供給する。
【0048】図5に示された実施例によれば、各送受信
用回路が同一の構成を有し、同一の電流によって信号を
伝送して、同一の受信電圧を発生し、これを受信電圧の
1/2のレベルを有する閾値によって識別して次段作動
入力を得るので、複数ビットからなる信号を誤りなくイ
ンタフェースすることができる。
【0049】図6は、閾値設定回路の構成例を示したも
のであって、(a)は回路構成を示し、(b)は信号波
形と閾値の関係を示している。図5におけると同じもの
を同じ番号で示し、送信側のIC1において、電流源1
8’は電源電圧3.3Vから1mAの電流を供給する。
アナログスイッチを構成するトランジスタ16’はゲー
トを接地されていて、1mAの電流(i/2)を保護回
路19’を経てPCB配線Ln+1 に送出する。
【0050】受信側のIC2において、増幅器22n+1
は、信号受信用増幅器と同一の、250Ωの抵抗23
n+1 で負帰還をかけた5倍の反転増幅器からなり、保護
回路21’を経てi/2の電流を受信することによっ
て、その出力に0.25Vの電圧を発生する。閾値電圧
供給回路27は、この電圧を閾値として各比較回路に供
給する。
【0051】従って図6の閾値設定回路によれば、各信
号受信用増幅器からの0.5Vp-pの入力信号に対し
て、各比較回路において無信号時のレベルから0.25
V低い電圧を閾値として発生するので、各信号受信用増
幅器の出力電圧をその中心値付近で識別することがで
き、CMOSプロセスの変動があっても、その動作に影
響を受けることなく、安定したインタフェースを行うこ
とができる。
【0052】なお、信号本数が少ない場合、または1信
号のみのインタフェースを行う場合には、送信側から閾
値情報を伝送することなく、送信側の信号電流を大きく
して、受信端で予め定められている閾値に対して、十分
大きい受信信号を得るようにして、プロセス変動の影響
を避けるようにすることもできる。
【0053】図7は、本発明の実施例(3) を示したもの
であって、1信号のみの送受信を行う場合に適用される
インタフェース回路の他の例を示し、差動信号送受信回
路を用いた場合を示している。図2におけると同じもの
を同じ番号で示し、41はスイッチ回路を構成するトラ
ンジスタ、42は送信側の保護回路、43は受信側の保
護回路である。44は5倍の反転増幅器、45は250
Ωの負帰還抵抗である。図中、11〜16,41はスイ
ッチ回路を構成し、増幅器44,負帰還抵抗45は、ト
ランスインピーダンス回路5’を構成する。
【0054】送信側において、トランジスタ11,12
が入力信号に応じて交互にオンになるのに応じて、アナ
ログスイッチを構成するトランジスタ16,41は交互
にオンになって、スイッチ回路3’はPCB配線L,
L’に、交互に2mAの電流を流す。これによって、そ
れぞれトランスインピーダンス回路を構成する増幅器2
2,44は、交互に0.5Vの出力を発生するので、比
較回路24はこれを識別して、再生信号を出力する。
【0055】図7の回路によれば、1信号のみの場合
に、電流をインタフェース信号として用いて受信側に信
号を伝送し、この際CMOSプロセスの変動等の影響を
受けないようにした高速インタフェース回路を簡易に実
現することができ、かつこの場合に、消費電力をさほど
大きくせずにすむ利点がある。
【0056】図8は、本発明の実施例(4) を示したもの
であって、送信端でも整合をとることによって、多重反
射を防止する場合を示している。図2におけると同じも
のを同じ番号で示し、47は50Ωの終端抵抗である。
【0057】図8の実施例では、保護回路21が50Ω
のラインインピーダンスを有するPCB配線Lの受信端
に挿入されているために発生する反射を、送信端に接続
された終端抵抗47で吸収することによって、多重反射
を防止することができる。
【0058】なお、送信端に図4に示されたトランスイ
ンピーダンス回路を形成して、終端抵抗を構成すること
によって送信端の整合をとるとともに、送受信のバッフ
ァを構成するようにしてもよい。
【0059】図9は、本発明の実施例(5) を示したもの
であって、図2におけると同じものを同じ番号で示し、
51は整合回路である。
【0060】図9の回路は、所定値の電流を供給する電
流源と、2値信号に応じてこの電流を断続して電流信号
iとしてPCB配線(2)に送出するスイッチ回路とか
らなる出力回路(4)と、PCB配線(2)と整合した
入力インピーダンスを有し、入力電流信号を電圧信号に
変換するトランスインピーダンス回路(5)と、この電
圧信号を所定の閾値で識別してもとの2値信号を再生す
る比較回路(6)とからなる入力回路(7)とによっ
て、信号インタフェース回路を構成している。なお、図
中において、保護回路は省略して示されている。
【0061】整合回路51は、入力回路(7)において
インピーダンス整合を行うトランスインピーダンス回路
(5)と同等の回路からなり、出力回路(4)の出力端
に接続されている。
【0062】従って、図9に示された実施例によれば、
信号インタフェース回路の出力端で、PCB配線(2)
との整合をとることが可能となる。なお、本実施例は、
図7に示された差動信号送受信回路を用いた場合にも適
用することが可能である。
【0063】図10は、本発明の実施例(6) を示したも
のであって、図2におけると同じものを同じ番号で示
し、52は入力バッファである。
【0064】図10の回路は、所定値の電流を供給する
電流源と、2値信号に応じてこの電流を断続して電流信
号iとしてPCB配線(2)に送出するスイッチ回路と
からなる出力回路(4)と、PCB配線(2)と整合し
た入力インピーダンスを有し、入力電流信号を電圧信号
に変換するトランスインピーダンス回路(5)と、この
電圧信号を所定の閾値で識別してもとの2値信号を再生
する比較回路(6)とからなる入力回路(7)とによっ
て、信号インタフェース回路を構成している。なお、図
中において、保護回路は省略して示されている。
【0065】入力バッファ52は、入力回路(7)にお
いてインピーダンス整合を行うトランスインピーダンス
回路(5)と同等の回路からなり、出力回路(4)の出
力端に接続されて、PCB配線(2)の電流信号を電圧
信号に変換して、その出力側から取り出すことができ
る。出力バッファ53は、出力回路(4)と同等の回路
からなり、入力回路(7)の入力端子に接続され、PC
B配線(2)に電流を流し込むことができる。
【0066】従って、図9に示された実施例によれば、
信号インタフェース回路の出力端にトランスインピーダ
ンス回路(5)と同等の回路を並列に接続したので、入
出力バッファを形成して、出力端において双方向に信号
の伝送を行うことが可能となる。なお、本実施例は、図
7に示された差動信号送受信回路を用いた場合にも適用
することが可能である。
【0067】このように本発明によれば、CMOS I
Cにおいて、数百MHz帯で動作可能なインタフェース回
路をCMOSプロセスによって実現することができる。
本発明のインタフェース回路では、PCB配線部分の信
号振幅が小さいため、他の信号に対する干渉が少なくな
るので、32ビットのバス等に適用した場合、信号間の
相互の干渉を減少させることができる。
【0068】本発明のインタフェース回路によれば、I
C内部にPCB配線と等しいインピーダンスの終端を実
現できるので、高速信号の伝送時に大きな問題となる反
射を有効に防止することができる。
【0069】複数の信号のパラレル伝送を行うインタフ
ェース回路の場合は、送信側における各信号出力バッフ
ァは同一チップ内の近傍に置かれるので、複数個の出力
バッファにおける信号電流の絶対値に変動が生じた場合
でも、各出力バッファの信号出力間の相対ぱらつきを小
さくし、同一の信号電流値にコントロールすることが容
易である。
【0070】また閾値設定用のバッファは、信号出力バ
ッファに対して、電流源トランジスタのサイズを1/2
に設計することによって、比較的容易に、信号出力バッ
ファの信号電流の1/2を出力するようにすることがで
きる。
【0071】一方、受信側の入力バッファも、同一チッ
プ内の近傍に置かれるので、各入力バッファは、相対的
に同一の動作点となり、従って閾値設定用の入力バッフ
ァは、信号レベルの中心値付近の直流値を正しく出力す
ることができる。
【0072】従って本発明の高速インタフェース回路
は、プロセス, 温度, 電源等の変動の影響を受けにくい
利点がある。
【0073】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、C
MOSプロセスによって、安定に高速動作を行うことが
可能なインタフェース回路を容易に実現することができ
る。本発明のインタフェース回路は、ECL回路等の他
の高速インタフェース回路と比較して消費電力が少ない
とともに、経済的にインタフェース回路を実現すること
ができる利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の原理的構成を示す図であって、(a)
は並列伝送用インタフェース回路を示し、(b)は単独
伝送用インタフェース回路を示す。
【図2】本発明の実施例(1) を示す図であって、(a)
は回路構成を示し、(b)は信号波形を示す。
【図3】所定利得を有する増幅器の構成例を示す図であ
る。
【図4】トランスインピーダンス回路用の帰還抵抗の構
成例を示す図である。
【図5】本発明の実施例(2) を示す図である。
【図6】閾値設定回路の構成例を示す図であって、
(a)は回路構成を示し、(b)は信号波形と閾値の関
係を示す。
【図7】本発明の実施例(3) を示す図である。
【図8】本発明の実施例(4) を示す図である。
【図9】本発明の実施例(5) を示す図である。
【図10】本発明の実施例(6) を示す図である。
【図11】従来のCMOSインタフェース回路を示す図
であって、(a)は回路構成を示し、(b)は入出力信
号を示す。
【符号の説明】
1 電流源 2 PCB配線 2’PCB配線 3 スイッチ回路 3’スイッチ回路 4 出力回路 5 トランスインピーダンス回路 5’トランスインピーダンス回路 6 比較回路 7 入力回路 8 差動出力回路 16 トランジスタ 16’トランジスタ 17 トランジスタ 18’電流源 22 反転増幅器 41 トランジスタ 51 整合回路 52 入力バッファ 53 出力バッファ

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 所定値の電流を供給する電流源(1)
    と、2値信号に応じて該電流を断続して電流信号として
    プリント板配線(2)に送出するスイッチ回路(3)と
    からなる出力回路(4)を送信側の集積回路に備えると
    ともに、 該プリント板配線(2)と整合した入力インピーダンス
    を有し前記電流信号を電圧信号に変換するトランスイン
    ピーダンス回路(5)と、該電圧信号を所定の閾値で識
    別して原2値信号を再生する比較回路(6)とからなる
    入力回路(7)を受信側の集積回路に備え、 該出力回路(4)と入力回路(7)とによって、プリン
    ト板配線(2)を介して送信側の集積回路と受信側の集
    積回路とのインタフェースをとることを特徴とする高速
    インタフェース回路。
  2. 【請求項2】 前記電流源(1)が、Pチャネルトラン
    ジスタからなることを特徴とする請求項1に記載の高速
    インタフェース回路。
  3. 【請求項3】 前記スイッチ回路(3)が、前記2値信
    号に応じて交互にオン,オフして前記電流源(1)の電
    流をプリント板配線(2)と接地とに切り替えて出力す
    るCMOSトランジスタ(16,17)からなるアナロ
    グスイッチから構成されることを特徴とする請求項1に
    記載の高速インタフェース回路。
  4. 【請求項4】 前記トランスインピーダンス回路(5)
    が、所定値の抵抗(23)を介して負帰還を施すことに
    よってプリント板配線(2)と整合する入力インピーダ
    ンスを呈する所定利得の反転増幅器(22)からなるこ
    とを特徴とする請求項1に記載の高速インタフェース回
    路。
  5. 【請求項5】 前記所定値の抵抗(23)が、ドレイン
    とソースを前記増幅器(22)の入力と出力に接続され
    た第1のCMOSトランジスタ(35)からなり、該第
    1のCMOSトランジスタ(35)は、それと同じドレ
    イン電圧とソース電圧を与えられ所定値の電流を強制的
    に流すことによって前記所定の抵抗値を実現した第2の
    CMOSトランジスタ(36)と同一のゲート電圧を与
    えられることを特徴とする請求項4に記載の高速インタ
    フェース回路。
  6. 【請求項6】 前記比較回路(6)に対する閾値電圧の
    設定が、前記出力回路(4)の電流源(1)の1/2の
    電流を供給する電流源(18’)と、該電流をプリント
    板配線(2)に送出する前記アナログスイッチにおける
    と同等のトランジスタ(16’)とを送信側の集積回路
    に備え、 該プリント板配線(2)と整合した入力インピーダンス
    を有し該電流を電圧に変換するトランスインピーダンス
    回路(5’)を受信側の集積回路に備えて、該電圧を閾
    値電圧として比較回路(6)に供給することによって行
    われることを特徴とする請求項1に記載の高速インタフ
    ェース回路。
  7. 【請求項7】 所定値の電流を供給する電流源(1)
    と、2値信号に応じて該電流を第1のプリント板配線
    (2)と第2のプリント板配線(2’)とに交互に切り
    替えて電流信号として送出するスイッチ回路(3’)と
    からなる差動出力回路(8)を送信側の集積回路に備え
    るとともに、 該第1のプリント板配線(2)と整合した入力インピー
    ダンスを有し該第1のプリント板配線(2)の電流信号
    を電圧信号に変換する第1のトランスインピーダンス回
    路(5)と、該第2のプリント板配線(2’)と整合し
    た入力インピーダンスを有し該第2のプリント板配線
    (2’)の電流信号を電圧信号に変換する第2のトラン
    スインピーダンス回路(5’)と、該第1のトランスイ
    ンピーダンス回路(5)の出力と第2のトランスインピ
    ーダンス回路(5’)の出力とを比較して原2値信号を
    再生する比較回路(6)とからなる差動入力回路(9)
    を受信側の集積回路に備え、 該差動出力回路(8)と差動入力回路(9)とによって
    両プリント板配線(2,2’)を介して送信側の集積回
    路と受信側の集積回路とのインタフェースをとることを
    特徴とする高速インタフェース回路。
  8. 【請求項8】 請求項1または7に記載の高速インタフ
    ェース回路において、前記トランスインピーダンス回路
    (5)と同等の回路からなる整合回路(51)を出力回
    路(4)の出力端に並列に設け、該出力端でプリント板
    配線とのインピーダンス整合をとるようにしたことを特
    徴とする高速インタフェース回路。
  9. 【請求項9】 請求項1または7に記載の高速インタフ
    ェース回路において、前記トランスインピーダンス回路
    (5)と同等の回路からなる入力バッファ(52)を出
    力回路(4)の出力端に並列に設け、さらに前記出力回
    路(4)と同等の回路からなる出力バッファ(53)を
    入力回路(7)の入力端に並列に設け、該出力端,入力
    端にそれぞれ入出力バッファを形成したことを特徴とす
    る高速インタフェース回路。
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